Universität Rostock

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik

Lehrveranstaltung: Elektronische Schaltungstechnik 1

(V: 4 SWS, Ü: 2 SWS)

Lehrinhalt
Analoge Schaltungen
1. Transistor-Grundschaltungen
Übersicht; Arbeitspunkteinstellung, Ersatzschaltbilder (H-, Π-, Y-
ESB); Kennlinien; AP-Stabilisierung bei Bipolar- und Feldeffekt-
Transistor; Stabilitätsfaktor; Signalverzerrungen, Klirrfaktor
2. Statisches und dynamisches Verhalten der Grundschaltungen
Grundschaltungen Bipolar-Transistors (Emitterfolger,
Emitterschaltung, Basisschaltung) und FET (Sourceschaltung,
Drainschaltung, Gatesschaltung); Gegenkopplung
3. Mehrstufige Schaltungen
Darlington-Schaltung; Kaskodeschaltung; Kopplung von
Verstärkerstufen
4. Konstantstromquellen und Stromspiegel
Konstantstromquellen mit Transistoren; Stromspiegel
5. Differenzverstärker
Prinzip, Eigenschaften, bipolare und FET- Grundschaltung
6. Operationsverstärker
Eigenschaften und Kenngrößen; OV-Grundschaltungen
7. Leistungsverstärker
Grundlagen der Ein- und Gegentaktverstärker
8. Schaltstufen
Zeitverhalten, komplexe Lasten, aktive Last, CMOS-Inverter,
Leistungsschalter mit BPT bzw. MOSFET
Simulation von Grundschaltungen
Simulation der Arbeitspunkteinstellung sowie des Zeit- und
Frequenzverhaltens ausgewählter Schaltungen mit PSPICE
 Digitale Schaltungen

1. Grundlagen
Einführung
2. Elementare Grundgatter
Logiksymbole; statische und dynamische Kenngrößen; OC/OD-
Gatter; Threestate-Schaltungen
3. Schaltkreisfamilien
Übersicht; Eigenschaften und Schaltungen von Gattern;
Logikpegel und -bereiche; stat. und dynam. Störabstand;
Leistungsbedarf; bipolare integrierte Schaltungen; TTL-
Schaltungen; TTL-Grundgatter; I2L-Schaltungen; ECL-
Schaltungen; MOS-Schaltungen; Einkanal-MOS-Schaltungen;
CMOS-Schaltungen; BiCMOS-Schaltungen; Entwicklungstrend
4. Interfaceschaltungen
Probleme der Zusammenschaltung unterschiedl.
Schaltkreisfamilien; Pegelanpassung; Signalübertragung.
Anschluß fremder Lasten
5. Kippschaltungen und Multivibratoren
Schaltungstechnik zu Flipflop-Stufen, Univibratoren, astabile
Multivibratoren
6. Digitale Grundschaltungen
Kodewandler und Multiplexer; Arithmetische Grundschaltungen;
Schieberegister, Zähler- und Frequenzteiler
7. Integrierter Schaltungssysteme - Ausblick und Entwicklung
programmierbare analoge und digitale ICs, ASICs, Speicher und
Mikroprozessoren, Schaltungsintegration
Literatur zur Schaltungstechnik
1. Seifart, M.: Analoge Schaltungen.
Verlag Technik Berlin, 6. Auflage 2003
2. Seifart, M.; Beikirch, H.: Digitale Schaltungen.
Verlag Technik Berlin, 5. Auflage 1998
3. Tietze, U.; Schenk, Ch.:
Halbleiterschaltungstechnik.
Springer Verlag Berlin/Heidelberg/NY,
12. Auflage 2002
4. Hering, E.; Bressler, K.; Gutekunst, J.:
Elektronik für Ingenieure und Naturwissenschaftler.
VDI Verlag Düsseldorf, 5. Auflage 2005
5. Naundorf, U.: Analoge Elektronik.
Hüthig Verlag Heidelberg, 2001
6. Bernstein, H.: Analoge Schaltungstechnik mit
diskreten und integrierten Bauelementen.
Hüthig Verlag Heidelberg, 1997
7. Herberg, H.: Elektronik. Verlag Vieweg
Braunschweig/Wiesbaden, 2001
8. Siegl, J.: Schaltungstechnik –
Analog und gemischt analog/digital. Springer
Verlag, Berlin/Heidelberg, 2. Aufl. 2005
9. Hertwig, A.; Brück, R.: Entwurf digitaler Systeme.
Hanser Verlag München/Wien, 2000
10. Pernards, P.: Digitaltechnik I. Grundlagen, Entwurf,
Schaltungen. Hüthig Verlag Heidelberg, 4. Auflage, 2001
11. Naundorf, U.: Digitale Elektronik. Oldenbourg Verlag
München/Wien, 2004
12. Siemers, C.; Sikora, A.: Taschenbuch Digitaltechnik.
Fachbuchverlag Leipzig, 2003

Spezielle Literatur zur Schaltungssimulation

1. Heinemann, R.: PSPICE Elektroniksimulation.
Hanser Verlag München/Wien, 3. Auflage 2001
2. Gräßler, A.; Wiese, J.: Analyse linearer elektrischer
Schaltungen. Hüthig Verlag Heidelberg, 2001
 Schaltungssimulation mit SPICE bzw. PSPICE!

SPICE –
Simulation Programm with Integrated Circuit Emphasis
Links:
SPICE – Homepage

EECS Department of the University of California at

Berkeley

http://bwrc.eecs.berkeley.edu/Classes/IcBook/SPICE/

ORCAD-PSpice (auch Studentenversion):

http://www.orcadpcb.com/

ORCAD-CD Demo verfügbar, auch viele Modellbibliotheken verfügbar

(Demo-Version mit begrenztem Umfang)

Electronics Workbench

http://www.electronicsworkbench.de/

Demoversionen verfügbar (Applikation nicht speicherbar)

Micro-Cap

http://www.spectrum-soft.com/index.shtm

Evaluation Versionen verfügbar

Vertrieb über http://www.gsh-system.com/

ICAP

http://www.intusoft.com/

Studentenversion: ICAP/4Students (Umfang und Bibliothek begrenzt)

 ELEKTRONISCH SCHALTUNGSTECHNIK 1
Einführende Bemerkungen zum Lehrgebiet
Schaltungen zur Erfassung, Verarbeitung und Erzeugung bzw. Darstellung von Signalen
→ Signal ist eine veränderliche Größe, die eine auf sie abgebildete Information trägt

Signale teilt man in analoge und digitale Signale ein!

4 Hauptgruppen:
a) amplituden- und zeitkontinuierlich
b) amplitudenkontinuierlich und zeitdiskret
c) amplitudendiskret und zeitkontinuierlich
d) amplituden-, und zeitdiskret

analog bedeutet: kontinuierlich, stetig

digitlal bedeutet: diskontinuierlich, unstetig, diskret

Vor- und Nachteile bei analoger und digitaler Signalverarbeitung:

Aufwand, Darstellung, Übertragung, Auflösung/Genauigkeit,
parallel, seriell, algorithmisch, ...
4 Hauptgruppen am Beispiel eines Spannungverlaufs über der Zeit
u(t) u(t)

t t
a) amplituden- und zeitkontinuierlich b) amplitudenkontinuierlich und zeitdiskret
u(t) u(t)

t t
c) amplitudendiskret und zeitkontinuierlich d) amplituden-, und zeitdiskret
 ANALOGE SCHALTUNGEN

Natur ist weitgehend analog !!

Zeitalter der Digitalisierung → Signalverarbeitung immer mehr digital

(Verbesserung von Dynamik, Energieverbrauch,
Kosten, Aufwand, ...)
Aber:

Es sind immer Interface-Schaltungen notwendig!!

Beispiele: Handy: → HF-Verstärker, LNA, AD-Umsetzer, ...

NF-Verstärker (D-Verst.): → Modulatoren, Filter, ...
Messtechnik: → Messverstärker, AD-Umsetzer, DA-Umsetzer, ...
TRANSISTOR GRUNDSCHALTUNGEN
Vorbetrachtungen

Zielstellung: Entwurf und Beschreibung von Transistorschaltungen

Vielfältige Formen: I
- Verstärker (U, I, Q, NF, HF, ...)
- Impedanzwandler (Ze → Za)
- U-, I-Quellen, gesteuerte Quellen U
- Stromspiegel (wichtig für Integration)
- aktive Lastwiderstände (wichtig für Integration)
- Potentialschieber (wichtig für Integration)
- usw.

Schaltungsanalyse
Berechnung und Bestimmung von
Schaltungseigenschaften
a) graphische Analyse mit Arbeitsgerade I
b) Vierpolanalyse (Zweitoranalyse)
U
a) Graphische Analyse von Schaltungseigenschaften eines Verstärkers

Ausgangspunkt:

- Gleichstrombeschaltung mit Arbeitspunkteinstellung

- Steuerung mit kleinen Signalen um den Arbeitspunkt herum (Kleinsignalsteuerung)

Grundbeschaltung für graphische Analyse:

+UCC +UCC
IC
RC IC RC

IB
UCE
UBE, IB UBE

GND GND
 Graphische Analyse von Schaltungseigenschaften eines Verstärkers

IC IC
(IB )

RC
ib ic
AP
IB

U BE UCE

ue ua
b) Vierpolanalyse
Betrachtung von
- Verstärkung von Wechselsignalen (zeitabhängige U, I -Relationen)
- Ein- und Ausgangswiderständen (komplexe Größen)

→ Netzwerkberechnung (Ohmsches Gesetz, Kirchhoffsche Gesetze, Maschenstrom-,

Knotenspannungsanalyse)

Lösungsprinzip „Black Box“:

Transistor wird zum Ersatzschaltbild (ESB) in 4-Pol-Darstellung (bzw. 2-Tor)

Vierpol / Ua, Ia, Za

Ue, Ie, Ze
Zweitor
Varianten der Vierpol (Zweitor)-Darstellung

Bezeichnung der Ersatzdarstellung entsprechend dem typischen

Klemmverhalten:

a) formale Beschreibung

Y – ESB Admittanz-Ersatzschaltbild

Z – ESB Impedanz-Ersatzschaltbild formale Vierpolanalyse

H – ESB Hybrid-Ersatzschaltbild

b) pysikalische Beschreibung

π - ESB Pi-Ersatzschaltbild physikalische Vierpolanalyse

h – Parameter
Für jeden Transistor gibt es
12 h-Parameter, je nach
u1 = h11 ⋅ i1 + h12 ⋅ u 2 Grundschaltung:
i2 = h21 ⋅ i1 + h22 ⋅ u 2
Emitter-, Basis- oder
Kollektorschaltung
 u1 
h11 =   h11e, h11b, h11c
 i1  u2 =0 Kurzschluß-Eingangswiderstand h12e, h12b, h12c
h21e, h21b, h21c
u  h22e, h22b, h22c
h12 =  1 
 u 2  i1 =0 Leerlauf-Spannungsrückwirkung

 i2 
h21 =   i1 i1 x h21 i2
 i1  u2 =0 Kurzschluß-Stromverstärkung h11

 i2  u1
u2
h22 =  
 u1  i1 =0 Leerlauf-Ausgangsleitwert 1/h22

u2 x h12
h-Parameter des Bipolartransistors BC 143

Kennwerte bei 25 °C Stromverstärkungsgruppe Maß-

h-Parameter bei UCE = 5 V, B C einheit
IC = 2 mA, f = 1 kHz
Stromverstärkung h21e 300 600 -
(240 ... 500) (450 ... 900)
Eingangswiderstand h11e 4,5 8,7 kΩ
Ausgangsleitwert h22e 30 (< 60) 60 (< 110) µS
Spannungsrückwirkung h12e 2 • 10-4 3 • 10-4 -
Kurzübersicht der Transistorgrundschaltungen in Vierpoldarstellung

B C

Emitterschaltung Basisschaltung Kollektorschaltung

D
G
S

Sourceschaltung Gateschaltung Drainschaltung

- Schaltungsname → Elektrode des Bezugspotenzials -

Transistor-Eigenschaften
Bipolartransistor Feldeffekttransistor

Verstärkung/Stromübertragung BN, AN, β, α -

Steilheit Emitterschaltung Sourceschaltung

(Leitwertübertragung)
dI C dI D
S= S=
dU BE dU GS

Grenzfrequenz fα, fβ (3dB-Abfall, ϕ = 45°)

Transistfrequenz fT (0dB)

Grenzwerte UCBmax, UCEmax, UBEmax UDSmax, UGSmax

Restströme und -spannungen ICB0, ICE0, UCES IDS0, UDSon

Arbeitspunkteinstellung und -stabilisierung
Ziel:

Verstärkungsfunktionen gewährleisten bei

- Betriebsspannungsschwankungen
- Temperaturänderungen
- Exemplarstreuungen Transistoren in Basis-,
- Langzeitänderungen von Bauelementeeigenschaften Emitter- oder
Kollektorschaltung bzw.
Grundprinzip der Verstärkung Source-, Gate- oder
Drainschaltung

Verstärkungs-
Ue, Ie Vierpol Ua, Ia

Ua
V=
Ue
Signalaussteuerung um den Arbeitspunkt beim Bipolartransistor

IC IC Sättigung / Stromquellenbetrieb
UCES (aktiv, normal)
(IB )

RC
ib ic
AP
IB

U BE UCE

ue ua
Signalaussteuerung um den Arbeitspunkt bei IGFET (n-Kanal, enhancement/selbstsperrend)
Aktiver Bereich/
not Pinch-off
ID ID
Sättigung/Pinch-off

RD

id
AP
UGS

UT0, Up, UGS UDS

Uth Widerstandsbereich
ue ua
Temperaturabhängigkeit typischer Transistorgrößen

Si Ge Si Ge Si Ge

ϑj °C -65 -65 +25 +25 +150 +150

ICB0 nA <0,01 2 0,03 3 30 3

10 30x10
UBE V 0,78 0,38 0,6 0,2 0,3 0,1

BN 25 20 55 55 100 90

(Orientierungswerte ϑj, ICB0, UBE, BN)

Statisches Verhalten von Feldeffekttransistoren
Kennliniengleichungen von SFETs
- keine durchgehende Kennlinienbeschreibung möglich -
Aktiver Bereich: UDS ≤ UGS - Up
β - Kennlinienparameter

I D = β ⋅  (U GS − U p )⋅ U DS − U 2 DS 
 1 
 2 
Ohmscher Bereich: UDS << UGS - Up
→ Einschaltwiderstand ron
I D = β ⋅ (U GS − U p )⋅ U DS ron =
U DS
=
1
ID β ⋅ (U GS − U p )
Abschnürbereich: UDS ≥ UGS - Up mit Berücksichtigung der Kanallängenmodulation
→ Kanalverkürzungsparameter λ
β β
⋅ (U GS − U p ) ⋅ (U GS − U p ) ⋅ (1 + λ ⋅ U DS )
2 2
ID = ID =
2 2
K und β - Steilheitskoeffizient, Übertragungsleitwertparameter
(transconductance parameter), Kennlinienparameter, Kennlinienkonstante,
Technologiekonstante

(K ohne W/L, β enthält W/L) W/L → Geometriefaktor

W W
β = µ 0 ⋅ Cox ⋅ K = µ 0 ⋅ Cox β =K⋅
L (in A/V²) L

beispielsweise in 0,35µm-CMOS-Technologie kann W/L ≈ 2 sein (L = 0,35µm, W ≈

0,8µm) →
dann wird β ≈ 2 k z.B. K ≈ 10-3 ... 10-5 A/V2

PO-Bereich: I D = k ⋅ (U GS − U p )
2

I D = 2k ⋅  (U GS − U p )⋅ U DS − U 2 DS 
Aktiver Bereich:  1 
 2 
 ID
Drain-Source-Kurzschlußstrom IDSS
(ID bei Source-Gate-Verbindung)

d 3 ⋅ e 2 ⋅ N 2 Kanal ⋅ µ W
I DSS = ⋅ IDSS
12 ⋅ ε L
Abschnürspannung

d - Sperrschichtweite Up UGS
W/L - Breiten-/Längenverhältnis des Kanals
Steilheit S (im Abschnürbereich)
Beziehung IDSS und β
β=
2 ⋅ I DSS dID 2 ⋅ I DSS  UGS 
S= = 1−
U p  U p 
2
Up
dUGS
Für den Abschnürbereich ist auch nutzbar: mit
 ID 
U GS =U p ⋅ 1 + 

 U GS 
2
 I DSS 
I D = I DSS 1 − 
 Up 
  2
S= I D ⋅ I DSS
Up
Kennliniengleichungen von MOSFETs
- Kennlinienfeld -
Aktiver
ID Bereich/ Sättigung/Pinch-off
not
ID +UDD Pinch-off

M RD
L=10µ
W=20µ
Drain
RD
Bulk
Gate
UDS UGS
Source
UGS

UDS
Transistorschaltung (MOSFET, n-Kanal, enhancement) Ausgangs-Kennlinienfeld
Drainstrom im Abschnürbereich (PO): UDS ≥ UGS - Uth
β
⋅ (U GS − U th )
2
ID =
2
durch Kanallängenmodulation kein konstanter Drainstrom, sondern leichter Anstieg →
Beschreibung durch Kanallängen-Verkürzungsparameter λ

β
⋅ (U GS − U th ) ⋅ (1 + λ ⋅ U DS )
2
ID =
2

Steilheit im Abschnürbereich
dID
S= = β ⋅ (UGS − Uth ) mit U GS = U th +
2 ⋅ ID
dUGS β
Steilheit in Abhängigkeit vom Arbeitspunkt ID

 2 ⋅ ID 
S =β ⋅ Uth + − Uth  = 2 ⋅ β ⋅ I D
 β 
Drainstrom im aktiven Bereich (NPO): UDS ≤ UGS - Uth

 1 2
I D = β ⋅ (U GS − U th ) ⋅ U DS − ⋅ U DS 
 2 

Einschaltwiderstand ron
U DS 1
ron = =
ID β ⋅ (U GS − U th )

enger ohmscher Bereich (NPO): UDS << UGS - Up

W
I D = β ⋅(U GS − U th ) ⋅ U DS = K ⋅ ⋅ (U GS − U th ) ⋅ U DS
L
n-Kanal-MOSFET vom Anreicherungstyp (selbstsperrend)
n-Kanal-MOSFET
- große praktische Bedeutung (ebenfalls p-Kanal-Typ) ID
- Steuerungsprinzip vergleichbar mit Bipolartransistor
- sehr gut integrierbar (kleiner als Bipolar-Transistoren, weniger PV)
- CMOS-Technologie als Weg hoher Integrationsdichte möglich UDS
- Ausgangskennlinie nicht durchgehend beschreibbar UGS

ID GND
ID

CMOS-Inverter
+UDD
p

Uin Uout
n

Uth UGS UDS = UGS – Uth UDS -USS

Schwellspannung Abschnürpunkt
Vergleich der Eigenschaften bipolarer Transistorverstärker
als spannungsgesteuerte Stromquelle (idealisiert)

a) Emitterschaltung
+Ucc
U β ⋅ RC R
Vu = a = − ≈− C
Ue rbe + RE (1 + β ) RE Rc

Ia
Vi = =β
Ie
Ua
Ue
Z e = rbe + RE ⋅ (1 + β )
RE
Z a ≈ RC

b) Kollektorschaltung (Emitterfolger)
Ua 1
Vu = = ≈1
Ue rbe
1+
R E (1 + β ) +Ucc

Ia
Vi = = −(1 + β ) ≈ − β RG
Ie

Z e = RG + rbe + RE ⋅ (1 + β ) ≈ RE ⋅ β Ue
RE Ua
R +r  r
Z a =  G be  // rce // RE ≈ be
 1+ β  β

c) Basisschaltung
Ua β ⋅ RC R U a β ⋅ RC
Vu = = ≈ C (mit RE ) Vu = = ≈ S ⋅ RC (ohne RE )
U e rbe + RE (1 + β ) RE Ue rbe
+Ucc
Ia β
Vi = =− = −α Rc
Ie 1+ β
RE
1
Z e ≈ RE + rd ≈ RE +
S Ue Ua

 β ⋅ RE 
Z a ≈ RC // rce 1 +  ≈ RC
 rbe + RE 
 Vergleich der Eigenschaften unipolarer Transistorver-
stärker als spannungsgesteuerte Stromquelle (idealisiert)

a) Sourceschaltung
Ua S ⋅ (rds // RD ) R
Vu = =− ≈− D
Ue 1 + S ⋅ RS RS +UDD

 I  RD
Vi = a ⇒ ∞ 
 Ie 

Ze ⇒ ∞
Ua
Z a ≈ RD Ue RS

b) Drainschaltung (Sourcefolger)
Ua S ⋅ (rds // RS ) 1
Vu = = = ≈1
U e 1 + S ⋅ (rds // RS ) 1 +UDD
1+
S ⋅ (rds // RS )
 I 
Vi = a ⇒ −∞ 
 Ie 

Ze ⇒ ∞ Ue RS Ua
1
Za ≈ // RS
S

c) Gateschaltung
Ua S ⋅ RD R Ua  1
Vu = ≈ ≈ D (mit RS ) Vu = =  S +  ⋅ (RD // rds ) ≈ S ⋅ RD (ohne RS )
U e 1 + S ⋅ RS RS Ue  rds 

Ia +UDD
Vi = ≈ −1
Ie
RD
RS
RD + rds 1
Z e = RS + ≈ RS +
1 + S ⋅ rds S
Ue Ua
Z a = RD // [rds ⋅ (1 + S ⋅ RS ) + RS ] ≈ RD
 Qualitativer Vergleich der Eigenschaften der
Grundschaltungen

Bipolare Unipolare
Parameter
Grundschaltung Grundschaltung

Emitter Kollektor Basis Source Drain Gate

Vu groß klein groß mittel klein mittel

Vi groß groß klein (sehr (sehr klein

groß) groß)

Ze mittel groß klein sehr groß sehr groß mittel

Za mittel ... klein groß mittel ... klein groß

groß groß

ϕ π 0 0 π 0 0

Vu - Spannungsverstärkung
Vi - Stromverstärkung
Ze - Eingangsimpedanz
Za - Ausgangsimpedanz
ϕ - Phasenbeziehung zwischen Ein- und Ausgangsspannung

Diese Eigenschaften sind entscheident für die optimale Anwendung

der Transistoren!
 Formen der Kopplung von Transistorstufen

Opto-
koppler

1. Direkte Kopplung 2. Diodenkopplung 3. Optische Kopplung

(Z-Diode oder mehrere UF)

4. Kopplung mit komplementären Transistoren 5. RC-Kopplung

1. Stufe Kopplung 2. Stufe

R1 Re
Ua1 Ue2
R2
Ce

6. Direkte Widerstandskopplung mit Ersatzdarstellung

 +

7. Pegelverschiebung durch Transistor, 8. Trafokopplung

Flußspannungen oder Spannungsreferenz

R1 R2

T3 T4
T5
E1 E2
T1 T2
R3 A
R4
R5

9. Kopplung mit Komplementärtransistoren in Differenzschaltung

(npn-pnp-Differenzverstärker-Kaskade
 Differenzverstärker
Bipolarer Differenzverstärker FET-Differenzverstärker

+UDD
+UCC
RD RD
RD RD
Ua1 Ua2
Ua1 Ua2
RB RB M1 M2
T1 T2
Ue1 Ue2 Ue1 Ue2

Rs
RE
-USS
-UEE
 Zahlenbeispiel für: RC = RD = 5 kΩ; RE = RS = 10 kΩ; RB = 0;
Eigenschaften der Differenzverstärker rce = rds= 50 kΩ; β0 = 100; rbe = 2,5 kΩ; Si = 40 mA/V; S = 2 mA/V

Bipolarer Zahlenbei- FET- Zahlenbeispiel

Differenzverstärker sp. f. bipol. Differenzverstärker für FET-
Diff.verst. Diff.verst.
Differenzverstärkung
Vd Vd =
(
β 0 ⋅ RC rce ) Vd = S ⋅ RD rds ( )
RB + rbe 180 9

Gleichtaktverstär- β 0 ⋅ RC -0,25 S ⋅ RD -0,25

Vgl = − Vgl = −
kung Vgl RB + rbe + 2 ⋅ (1 + β ) ⋅ RE 1 + 2 ⋅ S ⋅ RS
Gleichtaktunter- CMRR =
1
1 + 2 ⋅ β 0 ⋅
RE 

400 CMRR =
1
(1 + 2 ⋅ S ⋅ RS ) ≈ S ⋅ RS 20
drückung CMRR 2 R B + rbe  2

Differenz-Eingangs- rd = 2 ⋅ rbe 5 kΩ rd = 2 ⋅ rgs

widerstand rd
Gleichtakt-Eingangs- 1 1 MΩ 1  2 ⋅ S ⋅ RS ⋅ rds  
rgl = [rbe + 2 ⋅ RE (1 + β 0 )] rgl = rgs 1 +
2   rds + RD + 2 ⋅ RS
 + 2 ⋅ RS 
widerstand rgl 2  

Eingangs-Kapazität
Ce Ce ≈
Cb 'c
2
(
⋅ S i ⋅ RC rce ) 450 pF
Ce ≈
C gd
2
⋅ S ⋅ (R D rds ) 22,5 pF

Ausgangs-Differenz- rad = 2 ⋅ rce 100 kΩ rad = 2 ⋅ rds 100 kΩ

widerstand rad
Vereinfachungen: β0 >> 1; RB << rce; rbe = rb’b + β0 rd ≈ β0 rd = β0 UT/IE → Vd ≈ RC UT/IE ≈ Si RC
Statisches Übertragungsverhalten bipolarer Differenzverstärker

IC = f (U E1 − U E 2 ) U D =U E1 − U E 2

UBE1
Im aktiven Betriebsbereich gilt:
und IC1 ≈I E1 = I ES1 ⋅ e UT

bei identischen Transistoren

(gleiche Temperatur und Technologie): U BE 2

I ES1 = I ES 2 = I ES IC 2 ≈I E 2 = I ES 2 ⋅ e UT

→ Strom durch RE bleibt bei Differenzaussteuerung konstant

I Eges = I E1 + I E 2 = konst.

U BE 2 I Eges
I Eges − I E1 = I ES ⋅ e UT IC1 ≈I E1 = U BE1 −U BE 2
−
1+ e UT
 IC1 1 1
≈ U BE1 −U BE 2
= U
IC I Eges − − D
1 + e UT 1 + e UT
I Eges
1
IC 2 IC1
I Eges I Eges

0,5 Lineare Aussteuerung nur in

kleinen Bereichen möglich

UD
-4 -2 1 2 4
UT
Statisches Übertragungsverhalten des Differenzverstärkers mit
Feldeffekttransistoren

I D = f (U E1 − U E 2 )
2
Im PO-Betriebsbereich gilt:  UGS 
bei identischen Transistoren I D =I DSS ⋅  −1
(gleiche Temperatur und Technologie):  UT 0 
U D = U E1 − U E 2
→ Strom durch RS bleibt bei Differenzaussteuerung konstant
I Sges = I D1 + I D2 = konst.

UGS1 −UGS2 I D1 I D2
= −
UT 0 I DSS I Sges
 UD I Sges  I D1 I 
=  − 1− D1 
I D1 UT 0 I DSS  I Sges I Sges 
I Sges 1

0,01 I Sges
Parameter: 0,01...1
I DSS
0,5

ISges klein: höhere Empfindlichkeit !

UD
-1 -0,5 0 0,5 1
UT 0
Eintakt-Endstufen (A-Verstärker)

Ausgangswechselspannungsleistung Pa (Leistung am Lastwiderstand RC)

uˆce iˆC ˆiC = uˆce

AP bei ≈ UCE/2
uce, ice – Effektivwerte uce = iC =
2 2 RC

uˆce ⋅ iˆC iˆC ⋅ RC

2
uˆce
2
Pa = uce ⋅ iC = Pa = =
2 2 2 ⋅ RC

ˆiC = I C max − I C min und uˆce =

U ce max − U ce min
2 2

Pa =
(U ce max − U ce min ) ⋅ (I c max − I c min )
8
Wird der ganze UCC-Bereich zur Aussteuerung genutzt (AP bei UCC/2):

(Vernachlässigung des Sättigungs- und Sperrbereichs)

U CC
U CC ≈ U ce max − U ce min und uˆce ≈
2
dann gilt auch
I c max − I c min
I CAP ≈
2
es folgt
U CC ⋅ 2 ⋅ I CAP U CC ⋅ I CAP
Pa max ≈ =
8 4
U CC
optimaler Lastwiderstand: RCopt =
2 ⋅ I CAP
2
U CC
mit RCopt wird Pamax Pa max ≈
8 ⋅ RC
Wirkungsgrad η (bei sinusförmiger Aussteuerung)

Gesamtleistung aus Stromversorgung P=

( )
T
1
P= = ∫ U CC ⋅ I CAP + iˆc sin ωt dt = U CC ⋅ I CAP
T 0

bei Sinus ist Mittelwert = 0

Leistungsverbrauch an Leistungsaufnahme ist nicht

Transistoren und Lastwiderstand aussteuerungsabhängig

P= = PC + Pa
U CC ⋅ I CAP
allgemein gilt Pa max 4
η max = ⋅ 100 % = ⋅ 100 % ≈ 25 %
Pa P= U CC ⋅ I CAP
η = ⋅ 100 %
P= A-Verstärker sind nur bei kleinen Leistungen sinnvoll !
 60 W - Leistungsverstärker mit komplementärer Endstufe

+UB
C3 R5 R14
R2
D1 T6
R3 R9
C1 R6 R12
T1 T2 R10
T4 R13
Ue R1 R8 Ua RL
C5 R11
C4 T5

T3
C2 R4
R7 -UB

Differenz-Eingangsstufe Treiberstufe Ruhestrom Endstufe

(T1, T2) (T3) (T4) (T5, T6)
Dimensionierung 60 W - Verstärker (mindestens 80 VA -Trafo)

Ausgangsleistung 60 W Sinus bei UB = ± 27 V an 4 Ohm (R5 = 2,2k; R14 = 4,7k)

Ausgangsleistung 60 W Sinus bei UB = ± 38 V an 8 Ohm (R5 = 3,3k; R14 = 7,2k)

Ausgangsoffset mit R3 auf 0V bei 0V Eingangsspannung einstellen;

Ruhestrom von 50 ... 60 mA mit R10 einstellen;

Eingangsspannung max. 1,5 V eff. R6

Verstärkung Vu zwischen 10 und 15 V = 1+
R8
T1, T2: BC556; T3: BC537; T4: BD237; T5: BDV64C; T6: BDV65C
D1: Z-Diode 9V1 (UZ=9,1 V)

R1 = 3,3k; R2 = 10k; R3 = 500; R4 = 1,5k; R6 = 47k; R7 = 15; R8 = 3,3k (≥ 1k); R9 = 1,5k;

R10 = 500k; R11 = 220; R12 = 33; R13 = 33;

C1 = 22µ (Elko); C2 = 1,5n; C3 = 0,22µ; C4 = 22µ (Elko); C5 = 33p;

(direkten Parallel-Eingangswiderstand von 3,3k für die Gleichstrom-Potentialbindung einfügen, wenn

erforderlich)
 Gegentakt-AB- Endstufe (quasikomplementärer Betrieb)

Schaltplan

Prinzipschaltung
 U1
u0 0
-U0 t
t0 t1

BN. U1/ RB UB /R C
0
iC
ts t1 t
UB

u CE
ts t

UB-B N. U 1. RC/ Re
BN. U1/ RB

iK
τ1 t
- UB /R C

Zeitlicher Verlauf der Ströme und Spannungen bei

kapazitiver Last am bipolaren Schalttransistor

τ1 t0
τ
iC 2

B Verlusthyperbel
(N =const.)
Arbeitsgerade
^
=R i v

0 A u CE
Darstellung der Wanderung des Arbeitspunktes
im Kennlinienfeld mit Hilfe einer Trajektorie
 U1

u0 0
-U0 t
t0 t1
τ1
UB /R C
UB /(R+RC)
iC
t

UB /R C

iL
i L ,i R
t
τ2

UB+ i L (t) R
UB
u CE

t
Zeitlicher Verlauf der Ströme und Spannungen bei
induktiver Last am bipolaren Schalttransistor

iC
B Ausschalten

^
=R C
t0 C
^=R +R
C u CE
A
D
0 Einschalten UB UB (1+R/R C)

Darstellung der Wanderung des Arbeitspunktes

im Kennlinienfeld mit Hilfe einer Trajektorie