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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTACIACIA CEAD - SIMON BOLIVAR

FSICA ELECTRNICA
TRABAJO COLABORATIVO DOS
ORLANDO GOMEZ BARBOZA

2011

FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A


TRABAJO COLABORATIVO DOS

-FSICA ELECTRNICA-

Realizado por: ORLANDO GOMEZ BARBOZA

Grupo 100414 - 47

Tutor: PABLO ANDRES HERNANDEZ

Fecha: 24/10/2011 Cartagena-Bolvar

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS TECNOLOGIA E INGENEIRIAS PROGRAMA DE INGENIERIA DE SISTEMAS

FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A


OBJETIVOS

Objetivos Generales:

Dar a conocer algunas de las herramientas de desarrollo para la electrnica

mediante el empleo de laboratorios virtuales.


Demostrar mediante laboratorios la funcionalidad rectificadora de los diodos de

acuerdo a su polarizacin.

Objetivos Especficos:

Identificar las funciones de algunos elementos bsicos en electrnica. Diferenciar algunos elementos activos de circuitos bsicos, sus caractersticas y

funciones
Crear e interpretar planos de fuentes de voltaje directo sencillas conociendo sus

diferentes componentes.

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FASE 1
SOLUCIONE DE CUESTIONARIO SEMICONDUCTORES

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1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo. DEFINICION MATERIAL UTILIZADO
Oro, la plata y el cobre

TIPO
Uno o dos electrones de valencia

Poseen la propiedad de que algunos de sus electrones pueden pasar libremente de un tomo a otro cuando se aplica una diferencia de potencial (o tensin elctrica) entre los extremos del conductor, a lo que se llama corriente elctrica. Algunos materiales, principalmente los metales, tienen un gran nmero de electrones libres que pueden moverse a travs del material. Estos materiales tienen la facilidad de transmitir carga de un objeto a otro. Tienen la propiedad de evitar el flujo de electrones ya que su estructura atmica est fuertemente unida y se requiere una diferencia de potencial muy elevada para romperla, se emplea sobre las diferentes partes conductoras para proteger a las personas frente a las tensiones elctricas (aislamiento protector), y a diferencia de los conductores, se requiere un mayor potencial para separar algunos electrones del tomo. Un semiconductor es un elemento que no es directamente conductor ni aislante, son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Peridica. Su principal caracterstica es la de conducir la corriente slo en determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras. Los semiconductores tienen cuatro electrones de valencia y sus tomos pueden enlazarse entre ellos, compartiendo sus electrones, para formar cristales estables. Esto se conoce como enlace covalente Los materiales semiconductores puros se denominan intrnsecos y cuando se les agregan impurezas se les denomina extrnsecos

CONDUCTOR

AISLANTE

El caucho, los Plsticos, el papel, la resina, la cermica y el vidrio

8 electrones de valencia o ms de cuatro Entre ms electrones se tengan en la capa de valencia mejor aislante ser el material.

Germanio y el silicio.

SEMICONDUCTOR

Los semiconductores tipo N se construyen con Si o Ge, pero se les adicionan tomos de impurezas que tienen 5 electrones de valencia, de tal manera que al formarse los enlaces covalentes queda sobrando un electrn. Los tomos que se usan como impurezas son los de arsnico, antimonio y fsforo. Los materiales tipo P son aquellos que se forman agregando al material semiconductor puro impurezas que contienen 3 electrones de valencia, de tal manera que vamos a tener ausencias de electrones o lo que podemos llamar huecos. Los elementos que ms frecuentemente se usan para producir el material tipo P son el indio, boro y galio.

2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro?

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Como se explico en la tabla anterior existen dos tipos de semiconductores los cuales son:
Semiconductores Tipo N (silicio y arsnico) Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico se unirn a los correspondientes electrones de los cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar inicialmente libre, sin una posible unin, y por tanto se convertir en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo n. En un semiconductor con impurezas del tipo n, no slo aumenta el nmero de electrones sino que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor puro. La causa de esta disminucin se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes. Semiconductores Tipo P Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga tres electrones externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de silicio, y la unin incompleta dar lugar a un hueco. Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o impurezas del tipo p. Al contrario de lo que sucede en el tipo n en este tipo de semiconductor los portadores que disminuyen son los electrones en comparacin, con los que tena el semiconductor puro. Para finalizar y resumir lo anterior se puede decir que a los semiconductores puros que le sean agregadas ya sea impurezas donadoras o aceptadoras se les llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios. En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios.

3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner y el fotodiodo.

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El diodo avalancha, es un semiconductor diseado especialmente para trabajar en tensin inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensin en polarizacin inversa alcanza el valor de la tensin de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conduccin por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo elctrico incrementando su energa cintica, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; stos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberndolos tambin, producindose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensin. Este tipo de diodo es ampliamente utilizado como proteccin para evitar exceso de voltaje en circuitos electrnicos

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns) y muy bajas tensiones de umbral (aproximadamente de 0,2 V a 0,4 V). El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor PN utilizada por los diodos normales. Su mayor limitacin es la dificultad de conseguir altas resistencias inversas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad donde se necesitan grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa.

Diodo Gunn. Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razn por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica una pequea tensin continua a travs de una placa delgada de Arseniuro de Galio (GaAs), sta presenta caractersticas de resistencia negativa. Todo esto ocurre bajo la condicin de que la tensin aplicada a la placa sea mayor a los 3,3 voltios/cm. Si dicha placa es conectada a una cavidad resonante, se producirn oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador. Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz, mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz. La frecuencia de la oscilacin obtenida a partir de este efecto, es determinada parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero tambin puede ser ajustada exteriormente. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz o an ms alta (hasta Terahertz). Este diodo se usa en combinacin con circuitos resonantes construidos con guas de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG y la sintonizacin

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es realizada mediante ajustes mecnicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los cuales los ajustes son elctricos.

Diodo PIN es una estructura de tres capas, siendo la intermedia un semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad o bien por una capa n de alta resistividad. Se puede utilizar como: conmutador de RF, resistencia variable, protector de sobre tensiones, foto detector, etc.]

El diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Por lo que es un tipo de tiristor. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar la tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio. Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta la corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, hasta que alcanza el nuevo equilibrio

El diodo Varactor o Varicap es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V. La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (oscilador controlado por tensin). En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.

4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor NPN y uno PNP.

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Transistores NPN Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. Transistores PNP Con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N (base) entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. DIFERENCIAS La principal diferencia radica en la impureza agregada al semiconductor la cual define que tipo de conduccin poseer el elemento (huecos o electrones) adems de la polarizacin del diferencial de voltaje aplicado al circuito. Ejemplo: Al colector de un NPN se le aplica un voltaje positivo (comparado con su emisor) mientras que a un PNP se le aplica una carga de voltaje negativo en su colector al compararse con su emisor.

5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnolgico?

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Los elementos semiconductores poseen un importante puesto en el nivel de tecnologa actual, pues a travs de estos elementos que se ha logrado una integracin de circuitos electrnicos (circuitos integrados) sin precedentes en la historia del hombre, como es el caso del micro-procesador de un computador o los integrados presentes en un televisor actual (casi todo se realiza en un nico chip). A dems a raz de esto se ha logrando la implementacin de la nanotecnologa que en otras palabras se puede decir llegar al lmite del mnimo grosor necesario para conducir un tomo a travs de un conductor.

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FASE 2
SIMULACIN DE CIRCUITOS ELECTRNICOS

1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Explique lo sucedido.

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Al polarizar directamente una unin P-N el polo negativo de la batera est inyectando electrones al material N, mientras que el polo positivo recibe electrones del lado P crendose as una corriente elctrica. Logrando vencer el obstculo que se haba creado por barrera de potencial existente entre ambos materiales. Por lo que los electrones y los huecos pueden pasar libremente a travs de la frontera. Se produce una cada de 0,7 voltios necesarios para lograr la superar de la barrera del diodo (ver la imagen siguiente).

Al polarizar inversamente una unin P-N no hay circulacin de corriente alguna.

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Esto es porque los huecos libres del tipo P se recombinan con los electrones que proceden del polo negativo de la fuente de energa, y los electrones libres del tipo N son absorbidos por sta, alejndose tanto huecos como electrones de la unin, haciendo la barrera ms grande y no existe un flujo de corriente apreciable. Existe un voltaje el cual producido por los portadores minoritarios, pero es demasiado pequea e inapreciable (ver la imagen siguiente).

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2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido. a) Rectificador de Media Onda Al utilizar una fuente de voltaje alterna de forma directa en un diodo, se produce la conduccin a travs del diodo del semiciclo positivo la cual se puede apreciar en la siguiente imagen. El resultado de este tipo de rectificacin (sin condensador electroltico) se le conoce como de voltaje pulsante dado que solo se presenta pulsos del voltaje escogido en la polarizacin (positivo para este caso).

b) Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz Al utilizar una fuente de voltaje alterna de forma directa en un puente de diodos, se produce la conduccin a travs de los diodos, pero en este caso se rectifican ambos hemiciclos por lo que la salida a los diodos es mucho ms estable (aunque an sigue siendo pulsante). Durante un semiciclo conduce un par de diodos y durante el otro semiciclo conduce el otro par de diodos por lo que solo se produce el hueco durante el tiempo en que el paso de un semiciclo a otro es inferior a 0.7 voltios que son requeridos para vencer la barrera de potencial en los diodos (se tiene en cuenta 0.7 para diodos de silicio y 0.2 para diodos de germanio).

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3. Aplicacin del Transistor como Amplificador. Construya el siguiente circuito y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido.

Tal como se puede apreciar en la imagen (del osciloscopio) el circuito creado amplifica la seal recibida gracias a la polarizacin que tiene el transistor la cual es de emisor comn lo que indica que la seal adems de amplificada tiene una desfase de 180 grados

Nota: se tiene en cuenta que la seal del Generador de funciones es una onda seno, de 2 mV de amplitud y 60 Hz.

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CONCLUSIONES.

La actividad realizada ha permitido concretar conocimientos tericos que se han visto reforzados en la prctica de los laboratorios.

La realizacin de los laboratorios nos provee de una experiencia adicional, como es el ver en funcin la teora aprendida.

BIBLIOGRAFIA

http://www.monografias.com/ http://apuntes.rincondelvago.com/trabajos_global/electronica_electricidad_sonido/ http://es.geocities.com/pnavar2/semicon/index.htm http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Varicap

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