Les dbuts de la spintronique

Albert Fert (albert.fert@thalesgroup.com)

Unit Mixte de Physique CNRS/Thales, 91767 Palaiseau, et Universit Paris-Sud, 91405 Orsay Prix Nobel de Physique 2007

Travaux prcurseurs et magntorsistance gante

Dans cet article, Albert Fert prsente les dbuts et les concepts fondamentaux de la spintronique : les premiers travaux effectus Orsay sur la conduction lectrique des alliages ferromagntiques, les progrs dans llaboration des couches minces, la dcouverte de la magntorsistance gante en 1988, et les rsultats importants obtenus au dbut des annes 90, qui ont permis de dboucher sur de nombreuses applications. Dans une seconde partie, il traite plus en dtail de la physique de laccumulation de spins, qui gouverne la propagation dun courant polaris de spin dans une succession de conducteurs magntiques et non magntiques.
Impuret c b a

La spintronique peut se dcrire comme une lectronique qui exploite non seulement la charge, mais aussi le spin des lectrons. Son dveloppement a suivi la dcouverte de la magntorsistance gante (GMR) en 1988 [1, 2]. Le concept gnral de la spintronique est de placer des matriaux ferromagntiques sur le trajet des lectrons et dutiliser linfluence du spin sur la mobilit des lectrons dans ces matriaux. Cette influence, dabord suggre par Mott [3] en 1936, a t ensuite dmontre exprimentalement et dcrite thoriquement la fin des annes 60 [4, 5]. La dcouverte de la GMR a conduit aux premires utilisations pratiques de cette influence. De nombreux autres phnomnes exploitant aussi le spin des lectrons se sont ensuite rvls et, aujourdhui, la spintronique se dveloppe dans de trs nombreuses directions, qui seront traites dans les autres articles de ce dossier : magntorsistance tunnel, phnomnes de transfert de spin, spintronique avec semi-conducteurs, spintronique molculaire, spintronique avec multiferroques, etc.

La conduction lectrique dans les mtaux et alliages ferromagntiques

Un mtal ferromagntique, comme le fer ou le nickel, se caractrise par un dcalage des bandes dnergie des lectrons de spin parallle et antiparallle laimantation (fig. 1a). Ces bandes sont peuples jusquau niveau de Fermi (EF sur la figure 1a), et du dcalage rsultent des populations diffrentes pour les deux directions de spin, que nous appellerons dans la suite de larticle spin pour les spins majoritaires et spin pour les minoritaires. Cest lorigine de laimantation spontane des ferromagntiques. La conduction lectrique, quant elle, est lie la mobilit des lectrons EF, et du dcalage des bandes rsulte de faon gnrale une mobilit diffrente pour spin et spin, ce qui, en fin de compte, se traduit par une conduction en parallle par deux canaux de rsistivits diffrentes (fig. 1b). Linfluence du spin sur la conduction lectrique dans les mtaux ferromagntiques fut propose >>> Reflets de la Physique n15

1. (a) Reprsentation schmatique des densits dtats n(E) des bandes dnergie dcales pour les lectrons de spin majoritaire (spin en bleu) et minoritaire (spin en vert) dans un mtal ferromagntique. (b) Illustration de la conduction par deux canaux indpendants de rsistivits et pour les lectrons de spin et spin respectivement. Selon le mtal, lon peut avoir > ou < pour les rsistivits des deux canaux. (c) Rsistivits des canaux de spin et spin pour du nickel dop avec 1% de diffrentes impurets (mesures 4,2 K) [4]. Dans un mtal, la prsence dimpurets freine le courant et, basse temprature, est lorigine principale de la rsistivit lectrique. Dans le cas dun mtal ferromagntique, une impuret peut freiner trs diffremment les lectrons de spin et spin.

Avances de la recherche

>>> par Mott [3] en 1936, pour expliquer certaines anomalies de la rsistivit de ces mtaux au voisinage de la temprature de Curie. Cependant, lpoque (en 1966) o jarrivai au Laboratoire de Physique des Solides dOrsay, le sujet tait rest compltement inexplor et Ian Campbell me le proposa comme sujet de thse. Cette thse dmarra donc par des mesures de la rsistivit de fer et de nickel dops de divers types dimpurets. Lanalyse compare de la dpendance en temprature de la rsistivit de ces alliages, ainsi que ltude dalliages ternaires que je dcrirai plus loin, nous permirent de confirmer la proposition de Mott et de montrer que, pour certains dopages, la mobilit pouvait tre trs diffrente pour les lectrons de spin et de spin. La figure 1c montre les valeurs des rsistivits des deux canaux pour du nickel contenant 1% de diverses impurets [4]. On peut voir que le rapport entre les rsistivits 0 et 0 des canaux de spin et de spin peut tre aussi grand que 20 pour des impurets de cobalt, mais aussi tre plus petit que 1 pour des impurets de chrome ou de vanadium. Ces rsultats pouvaient tre expliqus par les modles de structure lectronique dvelopps par Friedel pour les alliages de mtaux ferromagntiques. Aprs les premires mesures de la fin des annes 60, le modle de conduction deux courants dans les mtaux et alliages ferromagntiques fut rapidement confirm dans dautres groupes, par exemple par Loegel et Gautier [5] dans les cas dalliages de cobalt. la fin de ce premier chapitre, je voudrais faire remarquer que la spintronique na retenu jusqu prsent quune version simplifie du modle deux courants de ma thse, en oubliant en route les effets de spin mixing [4], cest--dire les changes de quantit de mouvement par renversement de spin, essentiellement par collision entre lectrons et ondes de spin dans un mtal ferromagntique. La rsistivit de spin mixing , , augmente progressivement avec la temprature. la temprature ambiante, elle atteint une dizaine de -cm dans des mtaux comme le fer ou le nickel, et galise partiellement les deux courants. De nombreux rsultats de spintronique, pour une analyse plus rigoureuse, devraient sans doute tre revisits en tenant compte du spin mixing.

2. Expriences sur des alliages ternaires, bases sur le mme concept que la GMR [4]. Sur les schmas illustrant la conduction par deux canaux, on a reprsent lefficacit plus ou moins grande dune impuret A (bleu) ou B (vert) au freinage des lectrons par des X (reprsentatifs dobstacles) plus ou moins grands. (a) Schma pour la conduction dans des alliages dops avec des impurets diffusant les lectrons avec des asymtries en spin opposes (A = A/A > 1, B = B/B < 1, AB >> A + B) et rsultats exprimentaux pour des alliages Ni(Co1-xRhx) [4]. (b) Mme schma quen (a) pour des alliages dops avec des impurets diffusant les lectrons avec des asymtries en spin semblables (A > 1, B > 1, AB A + B) et rsultats exprimentaux pour des alliages Ni(Au1-xCox). Pour la GMR, les impurets A et B sont remplaces par des couches magntiques F1 et F2 dun mme mtal ferromagntique, la situation de a (b) correspondant la configuration antiparallle (parallle) des aimantations des couches F1 et F2.

3. (a) Premires observations de magntorsistance gante Orsay sur des multicouches Fe/Cr(001) [1]. La rsistance, mesure pour un courant parallle aux couches, chute dune valeur RAP une valeur RP quand un champ magntique aligne les aimantations. Avec la dfinition adopte aujourdhui pour le rapport de magntorsistance, MR= 100(RAP-RP)/Rp, MR vaut 80% pour la multicouche (Fe 3nm/Cr 0,9nm). (b) Schma du mcanisme de la GMR. Dans la configuration magntique parallle P (bas), les lectrons dune direction de spin peuvent traverser facilement toutes les couches magntiques et le court-circuit par ce canal conduit une faible valeur de la rsistance. Dans la configuration antiparallle AP (haut), les lectrons de chaque canal sont ralentis une fois sur deux en traversant les couches magntiques, et la rsistance est leve. Les trajectoires des lectrons sont reprsentes obliques car, mme pour un courant parallle aux couches, cest seulement la direction moyenne des vitesses qui est parallle aux couches. On passe de la configuration antiparallle AP la configuration parallle P par application dun champ magntique.

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 CNRS Photothque / RAGUET Hubert

Chambre dpitaxie par jets molculaires utilise pour la croissance de multicouches magntiques (UMR 137, Unit mixte de physique CNRS/THALES, Orsay). Ce dispositif permet le dpt sur un substrat de couches mtalliques ultraminces, de quelques plans atomiques dpaisseur. Lempilement altern de films minces magntiques et non magntiques permet dobtenir des multicouches magntiques dans lesquelles est produit leffet de magntorsistance gante.

Le concept de la magntorsistance gante dans des expriences sur des alliages magntiques ternaires
Dans mon travail avec Ian Campbell, certaines expriences sur des alliages ternaires [4] anticipaient dj la GMR, comme illustr par la figure 2. Supposons, par exemple, que lon dope du nickel la fois avec des impurets de Co, qui freinent fortement les lectrons dans le canal de spin en laissant le canal de spin relativement ouvert , et des impurets de Rh pour lesquelles cest linverse. Dans lalliage Ni(Co+Rh), que nous appellerons de type #1, les lectrons des deux canaux sont alors fortement freins, soit par les impurets de Co dans un canal, soit par celles de Rh dans lautre. Il ny a plus de canal ouvert , et la rsistivit est fortement augmente par rapport celle dalliages contenant seulement soit Co, soit Rh (fig. 2a). Au contraire, il ny a pas cette augmentation de rsistivit pour des alliages de type #2 dops par des impurets (Co et Au, par exemple) qui, toutes deux, freinent les lectrons dun mme canal et laissent le deuxime canal relativement libre (fig. 2b). Lide de la GMR est de remplacer les impurets A et B de lalliage ternaire par deux couches magntiques F1 et F2 dun

mme mtal ferromagntique, spares par une couche non magntique M (fig. 3b). Si les deux couches ont leurs aimantations dans des directions opposes (configuration dite antiparallle, AP), la couche F1 freinera les lectrons dun canal, la couche F2 ceux de lautre canal, et lon retrouve donc la situation de rsistivit leve dun alliage ternaire de type #1 dans lequel les lectrons des deux canaux sont freins, par les impurets A dans lun, les impurets B dans lautre. Par contre, la configuration daimantations parallles (P) correspond lalliage de faible rsistivit de type #2 dans lequel les impurets A et B laissent un des canaux relativement libre. Llment nouveau vient de la possibilit de passer de grande petite rsistivit, en appliquant un champ magntique pour aligner les aimantations dune configuration initialement antiparallle. Cependant, les quations de transport nous disent que les lectrons ne pourront sentir lorientation relative des aimantations des couches F1 et F2 que si la distance entre les couches est infrieure au libre parcours moyen des lectrons, cest--dire, en pratique dans des films mtalliques, si cette distance nest que de quelques nanomtres. Malheureusement, en 1970, il ntait pas techniquement possible de fabriquer des multicouches constitues de couches paisses de seulement quelques nanomtres. Il fallut attendre le milieu des annes 80.

La dcouverte de la GMR
Au milieu des annes 80, avec le dveloppement de techniques de dpt sous ultravide comme lpitaxie par jets molculaires (EJM), il devint possible de fabriquer des multicouches empilant des couches ultrafines et denvisager lextension des expriences de ma thse sur des alliages ternaires des multicouches magntiques. De plus, en 1986, les expriences de diffusion Brillouin de Peter Grnberg [6] rvlrent lexistence dun couplage dchange antiferromagntique entre couches de fer ferromagntiques, spares par de trs fines couches de chrome non magntiques. Une multicouche Fe/Cr pouvait donc donner la possibilit de commuter dune configuration aimantations opposes une autre aimantations parallles, par application dun champ magntique. cette poque, javais justement discut de lintrt des multicouches magntiques avec Alain Friederich du LCR Thomson-CSF, et une collaboration stait tablie entre mon quipe dOrsay et la sienne pour llaboration de telles couches. Patrick tienne, lexpert EJM au LCR, adapta aux mtaux les techniques mises au point pour les semi-conducteurs et guida les premires fabrications de multicouches Fe/Cr de la thse de Frdric Nguyen Van Dau. Cela conduisit rapidement nos premires observations (fig. 3a) de la GMR >>> Reflets de la Physique n15

Avances de la recherche

>>> sur des super-rseaux Fe/Cr(001) au dbut de 1988 [1]. Les postdocs Mario Baibich et Jean-Marc Broto, ainsi que les doctorants Agns Barthlmy et Frdric Petroff, participrent aussi laventure. Des rsultats semblables sur des tricouches Fe/Cr/Fe furent obtenus peu prs simultanment dans lquipe de Peter Grnberg Jlich [2]. Les quipes franaise et allemande dposrent des brevets sur les applications possibles de la GMR ; les Allemands furent les plus rapides. Linterprtation de la GMR est en gros semblable celle des expriences sur des alliages ternaires que nous avons dcrites plus haut, et est schmatise dans la figure 3b. Un modle classique de la GMR fut publi ds 1989 par Camley et Barnas [7]. Vint ensuite un modle quantique que je publiai avec Levy et Zhang en 1991 [8].

4. (a) Variation de la GMR en courant perpendiculaire aux couches (CPP-GMR) de nanofils multicouches Co/Cu (8nm) en fonction de lpaisseur des couches de cobalt [19]. La GMR subsiste jusqu des paisseurs de lordre de grandeur du micron. (b) Structure des nanofils multicouches utiliss pour les mesures de (a).

Lge dor de la GMR

La dcouverte de la GMR attira rapidement lattention, aussi bien pour ses possibilits dapplications que pour lintrt fondamental dexpriences de transport lectronique exploitant le spin. Les tudes de la GMR se multiplirent dans de nombreux laboratoires et notre petite quipe se lana aussi avec enthousiasme dans lexploration de ce nouveau champ de recherche, qui allait sappeler bientt spintronique . Sur le plan exprimental, deux rsultats importants furent publis en 1990. Stuart Parkin et al [9] dmontrrent lexistence de GMR dans des multicouches Fe/Cr, Co/Ru et Co/Cr labores par la mthode plus simple et plus rapide de pulvrisation cathodique. Ils dcouvrirent aussi une oscillation de la GMR en fonction de lpaisseur des couches despacement (Cr ou Ru). Cette oscillation traduit la succession priodique dpaisseurs dans lesquelles linteraction entre couches magntiques est antiferromagntique (ce qui donne de la GMR) et dpaisseurs interaction ferromagntique (sans GMR). galement en 1990, lquipe de Jean-Pierre Renard Orsay et celle de Terua Shinjo Kyoto dmontrrent que les effets GMR pouvaient aussi tre obtenus dans des multicouches sans couplage dchange antiferromagntique, mais composes de couches magntiques de coercivits diffrentes [10, 11]. Un autre rsultat important, en 1991, fut aussi lobservation deffets GMR grands et oscillants dans Co/Cu, qui deviendra un archtype de systme GMR. Les premires observations [12] furent

5. Reprsentation schmatique de laccumulation des spins, associe au passage dun courant dun conducteur ferromagntique un conducteur non magntique. (a) : Flux respectifs dlectrons de spin (flches bleues) et de spin (flches vertes) loin de linterface. F Lsf et LN sont les longueurs de diffusion de spin dans les matriaux ferromagntique et non magntique, respectivement. sf (b) : Variation des niveaux de Fermi EF et EF au voisinage de linterface ; les flches symbolisent les renversements de spin gnrs par laccumulation. (c) : Variation de la polarisation en spin du courant.

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ralises par un doctorant brsilien de notre quipe, Dante Mosca, sur des multicouches prpares par pulvrisation cathodique Michigan State University, et, peu prs la mme poque, dans lquipe de Stuart Parkin. En 1991 galement, Bernard Dieny et lquipe dIBM Almaden [13] montrrent la possibilit de dtecter de trs petits champs magntiques par GMR dans des tricouches dites spin valves, aujourdhui la base de nombreux dispositifs [14, 15]. Les spin valves et leurs applications seront dcrites dans les autres articles de ce dossier. Paralllement lexploration de la GMR dans de nombreux types de structures, un gros effort de recherche fut fait pour le dveloppement de modles thoriques, et notamment de modles sappuyant sur des dterminations ab initio de la structure lectronique des multicouches. Une description de ces modles serait trop longue, et le lecteur pourra consulter des articles de revue rcents [16]. Je veux cependant faire remarquer que linfluence du spin sur la conduction lectrique, et la GMR en particulier, est trs dpendante de dfauts difficiles connatre prcisment (impurets, rugosit dinterface, etc.). Les modles thoriques ne peuvent gure prendre en compte ces dfauts de faon raliste et ne sont pas rellement prdictifs. La situation est diffrente pour la GMR en courant perpendiculaire aux couches, dcrite plus loin. Les applications de la GMR seront prsentes par J.P. Nozires et C. Fermon dans ce mme dossier. Lapplication la plus connue est la lecture des disques durs [14, 15], o les capteurs GMR structure spin valve ont remplac la magntorsistance classique. La GMR, grce sa sensibilit et aux possibilits amenes pour la miniaturisation des capteurs, a rendu possible une forte rduction de la taille des inscriptions magntiques et a ainsi conduit une augmentation de la capacit dinformation stocke dans les disques, de plus de deux ordres de grandeur (de 1 600 Gbit/in2 en 2009). Cette augmentation a conduit non seulement la ralisation de disques de trs grande capacit (jusquau teraoctet), mais aussi celle de disques de la taille de pices de monnaie pour llectronique nomade, baladeurs, appareils photographiques, etc. Les capteurs GMR ont aussi des applications dans lindustrie automobile et les technologies biomdicales.

lon appelle maintenant CIP (Current In Plane). Les premires expriences en gomtrie CPP (Current Perpendicular to the layer Planes) furent ralises par lquipe de Jack Bass et al. [17] Michigan State University, en plaant une multicouche en sandwich entre deux couches supraconductrices de niobium, qui tablissent des plans quipotentiels sur les deux faces de la multicouche et permettent dobtenir un courant perpendiculaire aux couches. En CPP, la GMR est non seulement nettement plus grande quen CIP (la CPP-GMR sera dailleurs utilise dans la prochaine gnration de ttes de lecture de disques durs), mais aussi subsiste pour des couches relativement paisses, jusquau voisinage du micron, comme on peut le voir sur la figure 4 pour des multicouches labores par lectrodposition dans des pores de membranes de polycarbonates [18]. Le modle Valet-Fert [19] permet dexpliquer cette diffrence par les effets daccumulation de spin spcifiques de la situation CPP. La longueur dchelle des phnomnes de transport devient la longueur de diffusion de spin, nettement plus grande que le libre parcours moyen impliqu dans la gomtrie usuelle.

1 M.N. Baibich, J.M. Broto, A. Fert, F. Nguyen Van Dau, F. Petroff, P. Etienne, G. Creuzet, A. Friederich, J. Chazelas, Phys. Rev. Lett. 61 (1988) 2472. 2 G. Binash, P. Grnberg, F. Saurenbach, W. Zinn, Phys. Rev. B 39 (1989) 4828. 3 N.F. Mott, Proc. Roy. Soc. A 153 (1936) 699. 4 A. Fert et I. A. Campbell, Phys. Rev. Lett. 21 (1968) 1190, J. Physique 32 (1971) C1-46, J. Phys. F 6 (1976) 849. 5 B. Loegel et F. Gautier, J. Phys. Chem. Sol. 32 (1971) 2723. 6 P. Grnberg et al., Phys. Rev. Lett. 57 (1986) 2442. 7 R. E. Camley et J. Barnas, Phys. Rev. Lett. 63 (1989) 664. 8 P.M. Levy, S. Zhang, A. Fert, Phys. Rev. Lett. 65 (1990) 1643. 9 S.S.P. Parkin, N. More, K.P. Roche, Phys. Rev. Lett. 64 (1990) 2304. 10 T. Shinjo et H. Yamamoto, J. Phys. Soc. Jpn. 59 (1990) 3061. 11 C. Dupas et al., J. Appl. Phys. 67 (1990) 5680. 12 D. H. Mosca et al., J. Magn. Magn. Mater. 94 (1991) L1 ; S. S. P. Parkin et al., Phys. Rev. Lett. 66 (1991) 2152. 13 B. Dieny et al., Phys. Rev. B 43 (1991) 1297. 14 S.S.P. Parkin, dans Spin Dependent Transport in Magnetic nanostructures (dit par S. Maekawa et T. Shinjo, Taylor and Francis 2002), p. 237. 15 C. Chappert, A. Fert, F. Nguyen Van Dau, Nature Materials, 6 (2007) 813. 16 T. Shinjo, ibidem ref. [14], p. 1 ; P. M. Levy et I. Mertig, ibidem, p. 47 ; A. Fert, A. Barthlmy et A. Fert dans Nanomagnetism (dit par D.L. Mills et J.A.C. Bland, Elsevier, 2006), p. 153. 17 W. P. Pratt et al., Phys. Rev. Lett. 66 (1991) 3060 ; J. Bass et W. P. Pratt, J. Magn. Magn. Mater. 200 (1999) 274. 18 L. Piraux et al., Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 2484 ; A. Fert et L. Piraux, J. Magn. Magn. Mater. 200 (1999) 338. 19 T. Valet et A. Fert, Phys. Rev. B 48 (1993) 7099. 20 L.H. Hueso et al., Nature 445 (2007) 410. 21 B. T. Jonker et M. E. Flatt, dans Nanomagnetism (dit par D.L. Mills et J.A.C. Bland, Elsevier, 2006), p. 227.

Physique de laccumulation de spin

En fait, la CPP-GMR a permis de comprendre la physique de laccumulation de spin qui gouverne de faon trs gnrale la propagation dun courant polaris de spin dans une succession de conducteurs magntiques et non magntiques, et joue un rle important dans tous les dveloppements actuels de la spintronique. Le courant de diffusion gnr par laccumulation de spin est le mcanisme permettant un courant polaris en spin de se propager loin de linterface entre un matriau magntique et un matriau non magntique, au-del de la longueur balistique, jusqu une distance de lordre de grandeur de la longueur de diffusion de spin. On verra dans lencadr (p. 10) que ce transport de spin grande distance a permis dtendre les tudes de GMR des structures latrales. Dans des nanotubes de carbone, par exemple, la longueur de diffusion de spin excde 20 m, et des courants polariss peuvent tre transports dun bout lautre de nanotubes de carbone relativement longs [20]. Comme expliqu sur la figure 5, une accumulation de spin se produit quand un flux dlectrons passe dun matriau ferromagntique un conducteur non magntique. Le flux incident est plus grand dans un des canaux (spin sur la figure), alors que le flux sortant est galement rparti (fig. 5a). Au voisinage de linterface, il y a donc accumulation dlectrons dune certaine direction de spin (spin sur la figure) et, neutralit de charge oblige, dpltion de lautre direction >>>

La GMR en courant perpendiculaire aux couches

Pendant les premires annes de recherche sur la GMR, les expriences sur les multicouches taient effectues avec un courant lectrique orient dans le plan des couches, dans la gomtrie que

Reflets de la Physique n15

Avances de la recherche

Rfrences

de spin, ou, en dautres termes, dcalage entre les niveaux de Fermi (potentiels chimiques) des deux directions de spin (fig. 5b). Laccumulation de spin diffuse des deux cots de linterface et dcrot exponentiellement, pour stendre jusqu une distance de lordre de grandeur de la longueur de diffusion de spin. Cette distribution hors dquilibre gnre les renversements de spin, qui ajustent les flux entrant et sortant. Pour rsumer, il y a au voisinage de linterface une large zone daccumulation de spin, dans laquelle le courant polaris de spin venant du conducteur magntique est progressivement dpolaris par les renversements de spin gnrs par laccumulation de spin (fig. 5c). La figure 5 reprsente le cas de linjection de spin, cest--dire dlectrons allant du magntique au non magntique. Pour des lectrons allant en direction oppose (extraction de spin), on a une situation semblable, mais avec accumulation de la

direction de spin oppose et une polarisation progressive du courant par les renversements de spin qui en rsultent. Dans les deux cas, injection ou extraction, la polarisation du courant subsiste ou commence loin de linterface dans le matriau non magntique. Cette physique peut se dcrire par des quations de transport [19], dans lesquelles le potentiel lectrique est remplac par un potentiel lectrochimique dpendant du spin. La physique de laccumulation de spin joue un rle important dans la plupart des dveloppements rcents de la spintronique. Ses quations peuvent tre appliques non seulement au cas simple dune interface isole, mais aussi la situation multi-interfaces avec interaction entre les accumulations de spin des interfaces voisines. Elles peuvent aussi tre gnralises la situation des structures avec semi-conducteurs ou molcules, prendre en compte la courbure de bande linterface de semi-conducteurs,

ou encore les configurations magntiques non colinaires des expriences de transfert de spin (cf. article de B. Diny dans ce dossier).

Conclusion
La dcouverte de la GMR rsulte de la rencontre entre des progrs technologiques et une base de physique fondamentale, dcrivant linfluence du spin sur le transport lectronique dans les matriaux ferromagntiques. On ralisa rapidement quelles applications importantes on pouvait tirer de lexploitation simultane de la charge et du spin des lectrons, et cela dclencha une recherche active, qui rvla dautres phnomnes exploitant galement linfluence du spin en lectronique. La spintronique se dveloppe maintenant sur de nombreux nouveaux axes et sera trs certainement la base dapplications technologiques dans de multiples domaines. I

La magntorsistance gante dans des structures latrales

Le cas dune structure latrale de type source/canal latral/drain, compose dun conducteur non magntique N dont les extrmits sont contactes des conducteurs ferromagntiques source F1 et drain F2, dont les aimantations peuvent tre parallles ou antiparallles (voir exemple de structure sur la figure 6 a et b), est semblable celui de la CPP-GMR. Le courant passe latralement de F1 N, puis F2, de la mme faon quil traverserait verticalement en CPP-GMR une tricouche, avec une couche non magntique dont lpaisseur serait gale la longueur du canal et encadre par deux couches magntiques semi-infinies. La structure latrale a lavantage de rendre possible linstallation dune grille sur le canal. Les rsultats sur ces structures latrales sinterprtent avec le mme type dquations de drift-diffusion que celles de la CPPGMR. Dans une situation de CPP-GMR, avec une paisseur de couche non magntique gale la longueur du canal latral, donc en gnral suprieure 100 nm, et avec les mtaux habituels de la GMR, les performances en termes de variation de rsistance R entre configurations parallle et antiparallle ou de signal de sortie V restent cependant trs modestes : soit R/R ou V/Vbias de lordre de quelques pourcents ou diximes de pourcents, avec des contacts tunnel. Quand le canal latral est un semiconducteur, qui peut certes avoir un temps de relaxation de spin plus long quun mtal, mais par contre une vitesse lectronique beaucoup plus petite, les performances sont encore plus modestes [21]. Obtenir des performances leves avec des structures latrales exige donc des matriaux combinant des temps de relaxation de spin longs, mais aussi des vitesses lectroniques grandes, nanotubes de carbone ou graphne, par exemple. Un exemple est donn sur la figure 6 c et d, avec des rsultats de magntorsistance suprieurs 70% et des signaux de sortie V allant jusqu 50 mV, dans des expriences o le canal latral est un nanotube de carbone [20].

6. (a) Image par microscopie lectronique dun nanotube de carbone (CNT) entre contacts (source et drain) de La2/3Sr1/3MnO3 (LSMO). Laimantation M de la source F1 est fixe ; celle du drain F2 peut tre parallle (P) ou antiparallle (AP) M. (b) Schma correspondant (vue latrale). (c) et (d) : Magntorsistances de 72% et 60%, avec des structures du type (a) [20]. Sur la figure de gauche, les directions des aimantations des matriaux F1 et F2 sont indiques par des flches. On remarquera lhystrsis en cyclage de champ, du au faible champ coercitif de la couche F1.

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