Fundamentos de Electrnica

Teoria
Cap.1 - Semicondutores






Jorge Manuel Torres Pereira
IST-2008





SEMICONDUTORES

1.1. Introduo
Os materiais semicondutores vo colher a sua designao ao facto de, em geral,
possurem um valor de condutividade que inferior ao dos materiais condutores mas superior
ao dos materiais isolantes. Na realidade, nos extremos do intervalo de valores de
condutividade dos semicondutores, pode haver sobreposio com os valore referenciados para
os isolantes e condutores. Sendo assim o valor da condutividade, por si s, no em geral
suficiente para determinar se o material ou no semicondutor. Esta classificao exige ainda
a anlise do tipo de variao de condutividade com a temperatura e do tipo de portadores de
carga responsveis pela conduo elctrica.
Na Tabela 1.1 apresentam-se, de forma simplificada, algumas caractersticas associadas
condutividade e que permitem estabelecer uma classificao mais precisa dos vrios tipos de
materiais.

Tabela 1.1
Condutividade para vrios tipos de materiais.
Material Condutividade
(S/m)
Dependncia com a
temperatura
Tipo de portadores
de carga
Condutor 10
5
10
8
diminui Electres
Semicondutor 10
-8
10
6
aumenta Electres e buracos
Isolante 10
-16
10
-7
aumenta Ies e electres

A estrutura do material semicondutor pode ser cristalina, amorfa ou policristalina. Uma
estrutura cristalina caracterizada por uma disposio ordenada e regular dos tomos no
espao. O material policristalino engloba todas as situaes em que o material pode ser visto
como um agregado de cristais com vrias orientaes e tamanhos. No entanto usual designar
por microcristal todo aquele em que o tamanho dos cristais constituintes suficientemente
pequeno para s poderem ser observados com ajuda dum microscpio. No material amorfo a
ordem s mantida a curta distncia, isto , entre os vizinhos mais prximos. Alteraes
muito pequenas nos ngulos de ligao e nas distncias entre os tomos so suficientes para
SEMICONDUTORES 1.2
que a estrutura resultante deixe de apresentar a regularidade e ordem caracterstica dos
cristais, que possuem centros, eixos ou planos de simetria claramente definidos. Os materiais
amorfos so isotrpicos enquanto que os materiais cristalinos, em geral, so anisotrpicos.
1.2. Semicondutores simples e compostos
Os materiais semicondutores simples tm como base um nico tipo de tomos enquanto
que os semicondutores compostos possuem uma base com mais que um tipo de tomos. de
realar que quer os semicondutores simples quer os semicondutores compostos podem ter
alguns dos seus tomos de base substitudos por outros, designados por impurezas de
substituio que, embora numa concentrao muito reduzida relativamente aos tomos de
base, so responsveis por uma alterao significativa da sua condutividade.
Os semicondutores simples mais importantes so o silcio (Si) e o Germnio (Ge), que
pertencem ao grupo IV da Tabela Peridica (Tabela 1.2). Estes elementos possuem uma
configurao electrnica caracterizada por quatro electres de valncia, com orbitais p
parcialmente preenchidas. A configurao electrnica estvel, isto , com as orbitais p
completamente preenchidas exige a incluso de mais quatro electres que, para o Si e Ge, se
obtm atravs de ligaes covalentes entre um tomo do elemento com quatro tomos
vizinhos. A disposio espacial dos tomos corresponde a ter um deles no centro dum
tetraedro e os quatro vizinhos nos vrtices do tetraedro, Fig. 1.1.

Si
-Si
Si
Si
Si


Fig. 1.1 Ligao de um tomo de Si aos 4 tomos vizinhos.


SEMICONDUTORES 1.3
Tabela 1.2
Tabela peridica que contm os elementos mais importantes que
entram na constituio dos semicondutores.

Fsforo 15
P
7,17 1,82
317,3 CUB
[Ne]3s
2
3p
3

Azoto 7
N
4,039 1,03
63,3 HEX
1s
2
2s
2
2p
3

Boro 5
B
8,73 2,34
2600 TET
1s
2
2s
2
2p
1

Carbono 6
C
3,57 2,26
4300 DIA
1s
2
2s
2
2p
2

Oxignio 8
O
6,83 1,43
54,7 CUB
1s
2
2s
2
2p
4

Flor 9
F
1,97
53,5 MCL
1s
2
2s
2
2p
5

Non 10
Ne
4,43 1,56
24,5 CFC
1s
2
2s
2
2p
6

Hlio 2
He
3,57 0,179
1 /26atm) HEX
1s
2

Alumnio 13
Al
4,05 2,70
933 CFC
[Ne]3s
2
3p
1

Silcio 14
Si
5,43 2,33
1683 DIA
[Ne]3s
2
3p
2

Gases Raros
3A 4A 5A 6A 7A
1B 2B
Enxofre 16
S
10,47 2,07
386 ORT
[Ne]3s
2
3p
4

Cloro 17
Cl
6,24 2,09
172,2 ORT
[Ne]3s
2
3p
5

Argon 18
Ar
5,26 1,78
83,9 CFC
[Ne]3s
2
3p
6

Cobre 29
Cu
3,61 8,96
1356 CFC
[Ar]3d
10
4p
1

Zinco 30
Zn
2,66 7,14
693 HEX
[Ar]3d
10
4s
2

Glio 31
Ga
4,51 5,91
303 ORT
[Ar]3d
10
4s
2
p
1

Germnio 32
Ge
5,66 5,32
1211 DIA
[Ar]3d
10
4s
2
p
2

Arsnico 33
As
4,13 5,72
1090 ROM
[Ar]3d
10
4s
2
p
3

Selnio 34
Se
4,36 4,79
490 HEX
[Ar]3d
10
4s
2
p
4

Bromo 35
Br
6,67 4,10
266 ORT
[Ar]3d
10
4s
2
p
5

Kripton 36
Kr
5,72 3,07
116,5 CFC
[Ar]3d
10
4s
2
p
6

Prata 47
Ag
4,09 10,5
1234 CFC
[Kr]4d
10
5s
1

Cdmio 48
Cd
2,96 8,65
594 HEX
[Kr]4d
10
5s
2

ndio 49
In
4,59 7,31
429,8 TET
[Kr]4d
10
5s
2
5p
1

Estanho 50
Sn
5,82 7,30
505 TET
[Kr]4d
10
5s
2
5p
2

Antimnio 51
Sb
4,51 6,62
904 ROM
[Kr]4d
10
5s
2
5p
3

Telrio 52
Te
4,45 6,24
723 HEX
[Kr]4d
10
5s
2
5p
4

Iodo 53
I
7,27 4,94
387 ORT
[Kr]4d
10
5s
2
5p
5

Xenon 54
Xe
6,20 3,77
161,3 CFC
[Kr]4d
10
5s
2
5p
6

Ouro 79
Au
4,06 19,3
1337 CFC
[Xe]4f
14
5d
10
s
1

Mercrio 80
Hg
2,99 13,6
234,3 RBD
[Xe]4f
14
5d
10
s
2

Tlio 81
Ti
3,46 11,85
577 HEX
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
1

Chumbo 82
Pb
4,95 11,4
601 CFC
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
2

Bismuto 83
Bi
4,75 9,8
544,5 ROM
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
3

Polnio 84
Po
3,75 9,4
527 CUB
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
4

Astato 85
At

(575)
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
5

Radon 86
Rn
(4,4)
(202) CFC
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
6

Boro 5
B
8,73 2,34
2600 TET
1s
2
2s
2
2p
1

N atmico
Smbolo
Nome
Legenda
Constante de
rede () Massa especfica
(g/cm
3
)
Rede
cristalina
Configurao
Electrnica
Temperatura
de fuso (K)


Uma certa disposio no espao de quatro destes tetraedros que vai dar origem
estrutura cristalina do diamante cuja clula bsica um cubo definido pelo valor da sua aresta,
designado por constante de rede, Fig. 1.2. a repetio peridica deste cubo nas trs
direces do espao que vai dar origem ao cristal. A clula bsica possui 8 tomos (4 do
interior +61/2 das faces + 81/8 dos vrtices). A rede do diamante pode ser visualizada em
termos de duas redes cbicas de faces centradas, em que uma delas de deslocou relativamente
outra ao longo de uma diagonal interior.
Os semicondutores compostos so constitudos por mais que um tipo de tomos e so
designados por binrios, ternrios ou quaternrios conforme sejam constitudos por 2 tipos, 3
tipos ou 4 tipos de tomos.
Os semicondutores compostos binrios mais importantes so obtidos por combinao de
elementos do grupo IV da Tabela Peridica: SiC, SiGe, elementos dos grupos III-V: InP,
GaAs, GaP,..., ou elementos dos grupos II-VI: ZnS, ZnTe, CdS, ....

SEMICONDUTORES 1.4

Fig. 1.2 Rede do diamante.

Os semicondutores compostos ternrios so obtidos a partir de dois semicondutores
binrios, que possuem um elemento em comum. Se por exemplo se tiver AB e CB ento
possvel obter o ternrio
1 x x
A C B

em que 0 1 x
traduz a concentrao de A relativamente a C. O ternrio resulta da substituio de tomos C
em CB por tomos A de AB ou vice-versa. Esta substituio possvel pois A e C so tomos
do mesmo grupo da Tabela Peridica. de realar que para x 0 = ter-se- CB e para x 1 =
ter-se- AB. A associao de x ao tomo A rege-se pela conveno de que para x 0 = o
binrio correspondente, neste caso CB, deve ter a banda proibida mais baixa.
Na Tabela 1.3 referem-se alguns semicondutores compostos ternrios envolvendo
elementos dos grupos III-V
Os semicondutores compostos quaternrios so constitudos por quatro tomos
diferentes e so obtidos a partir de 4 semicondutores binrios. Genericamente, o semicondutor
quaternrio pode ser escrito como
1 1 x x y y
A B C D


em que os tomos A,B e C,D pertencem, cada conjunto, a um dado grupo da Tabela
Peridica. Os binrios de partida so portanto AC; AD; BC e BD. Um dos semicondutores
quaternrios mais importantes o In
x
Ga
1-x
As
y
P
1-y
, derivado dos binrios InAs; InP; GaAs e
SEMICONDUTORES 1.5
GaP. Outros quaternrios conhecidos e desenvolvidos experimentalmente so o
1 1
1 1
x x y y
x x y y
In Ga As Sb
Al Ga AS Sb



Tabela 1.3
Alguns semicondutores compostos binrios e os ternrios correspondentes
Binrios Ternrios
AlAs
GaAs
Al
x
Ga
1-x
As
GaP
GaAs
As
x
P
1-x
Ga
GaP
InP
In
x
Ga
1-x
P
InAs
InP
As
x
P
1-x
In
InSb
GaSb
In
x
Ga
1-x
Sb
InAs
GaAs
In
x
Ga
1-x
As
. .

A utilizao destes semicondutores compostos no fabrico de lasers e fotodetectores com
elevado desempenho tem sido objecto de intensa investigao. Contudo, nas aplicaes mais
correntes, que no envolvem a emisso de luz, o Si continua a ser o semicondutor mais
utilizado. No s o Si o segundo elemento, mais abundante na crosta terrestre, a seguir ao
oxignio, como a sua tecnologia de fabrico permite obter cristais de elevada perfeio. A
existncia de mais que um elemento na rede cristalina exige uma tecnologia mais exigente no
fabrico dos cristais. Os quaternrios constituem por isso os materiais mais difceis de obter e
portanto com um processo de fabrico mais caro. S as suas propriedades excepcionais que
os tornam economicamente viveis ao fabrico de dispositivos comerciais.
A maior parte dos semicondutores compostos cristalizam na rede de zincoblenda,
Fig. 1.3. No caso dos semicondutores compostos binrios, a clula bsica idntica do
diamante, no entanto os tomos no interior da clula so de tipo diferente das que esto nos
vrtices e faces do cubo. Esta configurao deve-se a que, na ligao entre vizinhos mais
prximos, os tomos no centro do tetraedro so diferentes dos que esto nos vrtices. Nos
semicondutores ternrios s um tipo de tomo que substitudo por outro do mesmo grupo
SEMICONDUTORES 1.6
cuja concentrao relativa ao tomo que substitui medida em termos do parmetro x. Nos
quaternrios so os dois tomos que iro ser substitudos por outros dos grupos
correspondentes.

Fig. 1.3 Rede de Zincoblenda.

A ligao entre os tomos na rede de zincoblenda tambm covalente embora possua
uma componente inica devido a que, sendo os tomos diferentes, haver distoro das nuvens
electrnicas. No Si e Ge a ligao covalente pura. H alguns semicondutores que,
cristalizam noutro tipo de redes e pode acontecer at que o mesmo semicondutor possa
manifestar mais que uma estrutura cristalina, dependendo das condies de fabrico. Estas
redes so designadas por rede da Wurtzite e do Sal das Rochas, Fig. 1.4.

Fig. 1.4 Rede da Wurtzide (a) e do Sal das Rochas (b).

SEMICONDUTORES 1.7
A rede da Wurtzite pode ser olhada como duas redes hexagonais compactas deslocadas,
uma relativamente outra ao longo da altura, cada uma com o seu tipo de tomos (GaN). A
rede do Sal das Rochas uma rede cbica simples em que os tomos so alternadamente do
mesmo tipo, ou duas redes cbicas de faces centradas, cada uma delas com o seu tipo de
tomo (NaCl).
Na Tabela 1.4 indicam-se a rede cristalina e a constante de rede para vrios
semicondutores simples e compostos.

Tabela 1.4
Rede cristalina e constante de rede para vrios semicondutores.

Grupo
Elemento ou
Composto
Nome
Rede
Cristalina*
Constante de rede a
300 K
()
IV C
Si
Ge
Sn
Carbono (diamante)
Silcio
GermanioEstanho
D
D
D
D
3.56683
5.43095
5.64613
6.48920

IV-IV SiC Silcio carbono W a=3.086, c=15.117

III-V AlAs Arsenieto de alumnio Z 5.6605
AlP Fosforeto de alumnio Z 5.4510
AlSb Antimonieto de alumnio Z 6.1355
BN Nitreto de boro Z 3.6150
BP Fosforeto de boro Z 4.5380
GaAs Arsenieto de Glio Z 5.6533
GaN Nitreto de Glio W a=3.189, c=5.185
GaP Fosforeto de Glio Z 5.4512
GaSb Antimonieto de Glio Z 6.0959
InAs Arsenieto de ndio Z 6.0584
InP Fosforeto de ndio Z 5.8686
InSb Antimonieto de ndio Z 6.4794

II-VI CdS Sulfureto de Cdmio Z 5.8320
CdS Sulfureto de Cdmio W a=4.16, c=6.756
CdSe Seleneto de Cdmio Z 6.050
CdTe Telureto de Cdmio Z 6.482
ZnO xido de Zinco R 4.580
ZnS Sulfureto de Zinco Z 5.420
ZnS Sulfureto de Zinco W a=3.82, c=6.26

IV-VI PbS Sulfureto de Chumbo R 5.9362
PbTe Telureto de Chumbo R 6.4620

* D = Diamante, W = Wurtzite, Z = Zincoblenda, R = Sal das rochas

SEMICONDUTORES 1.8
1.3. Modelo das ligaes covalentes e das bandas de energia
As propriedades elctricas e pticas dos materiais semicondutores podem ser analisadas
de forma simplificada recorrendo ao modelo das ligaes covalentes e/ou ao do modelo das
bandas de energia. Estes modelos esto representados simplificadamente na Fig. 1.5, para o
Si.

+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
T = 0 K
T = 0 K
W
C

W
V

W
G


Fig. 1.5 Modelo das ligaes covalentes e modelo das bandas para o Si.

O modelo das ligaes covalentes consiste numa representao bidimensional dos
tomos no espao onde se explicitam as ligaes entre cada tomo e os 4 tomos vizinhos
correspondentes partilha de 2 electres. Um electro partilhado representado por um
segmento de recta que une dois tomos. Um electro que se soltou da ligao covalente passa
a ter uma energia superior que possua nessa ligao de covalncia e deixou de estar
partilhado pelos tomos. Por cada electro nestas condies haver uma ligao incompleta
que usualmente representada por uma linha a tracejado unindo os dois tomos. Este modelo
deve ser utilizado com precauo pois apresenta algumas limitaes importantes
nomeadamente no que se refere a algumas caractersticas inerentes ao electro como partcula
quntica: o caso da indescernibilidade e da impossibilidade de localizar o electro num dado
ponto do espao.
O modelo das bandas simplificado est representado na Fig.1.5, em que se mostra a
evoluo da energia dos electres em funo da distncia. W
C
neste diagrama est associado
ao mnimo absoluto da banda de conduo e W
V
ao mximo absoluto da banda de valncia.
SEMICONDUTORES 1.9
Os valores de energia entre W
C
e W
V
constituem uma banda proibida com uma altura
G C V
W W W = que, para uma dada temperatura, um parmetro caracterstico dos
semicondutores. A existncia duma banda proibida caracterstica dos semicondutores e
isolantes. Contudo W
G
dos semicondutores menor que W
G
dos isolantes. Em princpio, um
isolante possui 4
G
W > e.V
*
. Nos metais as bandas de conduo e valncia sobrepem-se no
havendo portanto uma banda de energia proibida
Os electres partilhados possuem energias na banda de valncia. Quando uma ligao se
parte, o electro correspondente passa a ter uma energia na banda de conduo cujo valor
deve estar prximo de W
C
. De acordo com este modelo das bandas s possvel caracterizar
as transies em termos de alteraes do valor da energia do electro. No entanto, em geral,
h que incluir tambm alteraes do momento. A relao energia-momento uma forma mais
elaborada e mais completa para apresentar o andamento das bandas. H duas representaes
bsicas possveis e que envolvem o que se designa por semicondutores de banda directa e os
semicondutores de banda indirecta. Nos semicondutores de banda directa o topo da banda de
valncia e o mnimo absoluto da banda de conduo verificam-se para o mesmo valor do
momento. Nos semicondutores de banda indirecta o mnimo absoluto da banda de conduo e
o mximo absoluto da banda de valncia esto associados a valores diferentes do momento,
Fig. 1.6.
W
C

W
V

W
V

W
C

W
G
W
G

W
W
p
(a)
(b)
p

Fig. 1.6 Semicondutores de banda directa (a) e de banda indirecta (b).

*
1 e.V. = 1,610
-19
J. Define-se electro-Volt (e.V.) como sendo a variao de energia cintica dum electro
quando submetido a uma diferena de potencial de 1 Volt.
SEMICONDUTORES 1.10
Nos semicondutores de banda directa as transies de electres s envolvem variaes
de energia e portanto quando um electro transita da banda de conduo para a banda de
valncia a energia fornecida sob a forma dum foto que possui um momento desprezvel.
Estes materiais so os mais adequados para o fabrico de dispositivos emissores de luz.
As transies nos semicondutores de banda indirecta envolvem energia e momento, o
que conduz a rendimentos de emisso muito baixos, e portanto limitam na prtica a sua
utilizao no fabrico de dispositivos emissores de luz.
A altura da banda proibida determina o comprimento de onda da radiao emitida e
traduz a energia mnima dos fotes que so absorvidos. Na Fig. 1.7 mostra-se a
correspondncia entre W
G
e para vrios semicondutores e compara-se este valor com o
espectro da radiao visvel.
Na Tabela 1.5 referem-se os valores da altura da banda proibida a 0 e a 300 K e indica-
se o tipo de banda para vrios semicondutores.

Tabela 1.5
Altura da banda proibida e tipo de banda para vrios semicondutores.


Altura da banda
proibida (e.V.)

Semicondutor 300 K 0 K Banda
Elemento C 5.47 5.48 I
Si 1.12 1.17 I
Ge 0.66 0.74 I
Sn 0.082 D
IV-IV -SiC 2.996 3.03 I
III-V AlSb 1.58 1.68 I
BN ~7.5 I
BP 2.0
GaN 3.36 3.50
GaSb 0.72 0.81 D
GaAs 1.42 1.52 D
GaP 2.26 2.34 I
InSb 0.17 0.23 D
InAs 0.36 0.42 D
InP 1.35 1.42 D
II-VI CdS 2.42 2.56 D
CdSe 1.70 1.85 D
CdTe 1.56 D
ZnO 3.35 3.42 D
ZnS 3.68 3.84 D
IV-VI PbS 0.41 0.286 I
PbTe 0.31 0.19 I
SEMICONDUTORES 1.11

Resposta do olho
humano
Infravermelho Vermelho Verde Violeta Ultravioleta
Laranja Amarelo Azul
CdTe
InSb Pbs Ge Si GaAs CdSe GaP CdS SiC GaN ZnS
HgCdTe GaAs
1-y
P
y

(m)
6.0 3.0 2.0 1.5 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.45 0.4 0.35
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6
W
G
(e.V.)
Fig. 1.7 Correspondncia entre WG e para vrios semicondutores.

A relao entre W
G
e o comprimento de onda parte da definio da energia associada
a um foto dada por:

fotao
W h f =

(1.1)
em que h a constante de Planck,
34
6, 63 10 h Js

=
No vazio

c
f =

(1.2)
em que c a velocidade de propagao da luz no vcuo
8
3 10 / c m s =
Deste modo

fotao
hc
W =

(1.3)
Identificando a energia do foto com W
G
, a relao entre W
G
e ser ento

G
h c
W =

(1.4)
Com W
G
expresso em e.V. e em m, a relao acima pode ser escrita como

1, 243
( . .)
( )
G
W eV
m
=

(1.5)
SEMICONDUTORES 1.12
1.4. Semicondutores compostos ternrios e quaternrios. Variao das
propriedades com a composio
As propriedades dos semicondutores compostos ternrios e quaternrios dependem das
propriedades dos binrios associados e os seus valores podem-se relacionar com a
composio x de forma linear ou no. As grandezas que possuem uma variao linear com a
composio so: a constante de rede, a; o coeficiente de dilatao, ; e a permitividade
elctrica, . Apresentam uma variao no-linear a altura da banda proibida, W
G
; a
mobilidade, e a condutividade trmica, .
Na Fig. 1.8 mostra-se a evoluo da constante da rede em funo da composio para
vrios semicondutores ternrios. Devido linearidade observada a constante de rede do
ternrio pode escrever-se em termos de constante de rede dos binrios como:

1
(1 )
x x
A B C AC BC
a x a x a

= + (1.6)
Para o quaternrio ter-se- ento:

1 1
(1 ) (1 ) (1 )(1 )
x x y y
A B C D AC AD BC BD
a x y a x y a x y a x y a

= + + + (1.7)
Do grfico da Fig. 1.8 de realar o facto de que o ternrio Al
1-x
Ga
x
As, para toda a
composio x, possui uma constante de rede independente de x, tornando possvel o
crescimento destes materiais com as redes cristalina adaptadas.

Fig. 1.8 Constante de rede em funo da composio para vrios semicondutores ternrios.
SEMICONDUTORES 1.13
As expresses para o coeficiente de dilatao e permitividade elctrica sero escritas de
forma idntica s anteriores.
Na Fig. 1.9 mostra-se a variao de W
G
com a composio para o ternrio, GaAs
1-x
P
x
.
As curvas apresentam dois troos distintos que se deve ao facto de os binrios
correspondentes serem um de banda directa, GaAs, e o outro de banda indirecta, GaP. A
composio x, para a qual se passa dum troo ao outro, caracteriza a passagem do ternrio de
banda directa a banda indirecta.

Fig. 1.9 Variao de W
G
com a composio para GaAs
1-x
P
x
.

Cada um dos troos, ou no caso de ambos os binrios serem de banda directa ou
indirecta, pode ser ajustado por um polinmio do 2 grau do tipo

2
1 1 2
( )
G G
W x W a x a x = + + (1.8)
Sendo ambos os binrios de banda directa a expresso vlida para 0 1 x . Deste
SEMICONDUTORES 1.14
modo se

1
2 1 1 2
0
0
G
G G
x W
x W W a a
=

= = + +

(1.9)
ou seja:

( )
2
1 2 2
( ) (1 )
G G G
W x W x W x a x x = + +
_
(1.10)


Na Tabela 1.6 indicam-se os valores dos coeficientes a
1
e a
2
para alguns ternrios
obtidos a partir dos binrios de banda directa.

Tabela 1.6
Coeficientes do polinmio para clculo de W
G
(x).
Composto a
1
(e.V.) a
2
(e.V.)
In
1-x
Ga
x
As 0,63 0,45
InAs
1-x
Sb
x
-0,771 0,596
InAs
1-x
P
x
0,891 0,101
GaAs
x
Sb
1-x
-0,32 1,005

Em qualquer caso, quando a variao no linear, o valor de grandeza dever ser obtido
atravs dos grficos ou das relaes disponveis.
Na Fig. 1.10 mostra-se a evoluo da mobilidade em funo da composio para o
AsAl
x
Ga
1-x
.

Fig. 1.10 Evoluo da mobilidade em funo da composio para o AsAl
x
Ga
1-x
.
Termo que contabiliza
o afastamento da
relao linear
SEMICONDUTORES 1.15
A Fig. 1.11 mostra o grfico que permite relacionar W
G
com a constante da rede para
vrios materiais semicondutores simples e compostos. Neste grfico as linhas que unem os
pontos relativos aos semicondutores binrios referem os semicondutores ternrios
correspondentes. As linhas contnuas indicam semicondutores de banda directa e as linhas a
tracejado os semicondutores de banda indirecta. A rea a sombreado refere-se ao quaternrio
InGaAsP e cada ponto nesta superfcie est associado a uma determinada concentrao x e y.

Fig. 1.11 Altura de banda proibida em termos de constante de rede para vrios semicondutores.
1.5. Semicondutores intrnsecos e extrnsecos em equilbrio termodinmico
Os semicondutores intrnsecos possuem na sua composio s os tomos bsicos.
Semicondutores extrnsecos so aqueles em que alguns dos tomos bsicos so substitudos
por tomos doutro tipo designado por impurezas de substituio. Estas impurezas de
substituio no caso do Si, pertencem ao grupo V e ao grupo III e designam-se por dadoras ou
aceitadoras respectivamente. A concentrao destes tomos de impurezas extremamente
baixa, pode ser da ordem de 1 para 1 milho de tomos de base, de modo a que no h
SEMICONDUTORES 1.16
modificao aprecivel das estruturas das bandas mas pode alterar significativamente as
propriedades elctricas. No caso do Si as impurezas dadoras mais utilizadas so o P, o As e o
Sb. A impureza aceitadora o B. No caso dos semicondutores compostos as impurezas
utilizadas podem eventualmente actuar como impureza dadora ou aceitadora dependendo do
tomo que substituem. Por exemplo o Si pode actuar como impureza dadora e aceitadora no
GaAs: dadora se substituir o Ga e aceitadora se substituir o As.
1.5.1. Semicondutores intrnsecos
O modelo das ligaes de covalncia e o modelo das bandas j foi referido
anteriormente, Fig. 1.12.

+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
T = 0 k
T 0 k
W
C

W
G

W
V

W
C

W
G

W
V

i
n p n = =
Aco do campo elctrico
E
,

+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
...
...
e
F
,
n p
J J J = +
, , ,

Fig. 1.12 Modelo das ligaes de valncia e das bandas para um semicondutor intrnseco.

SEMICONDUTORES 1.17
Para este material semicondutor a 0 K todos os electres esto ligados e a banda de
valncia est completamente preenchida, no havendo portanto estados de movimento
disponveis para os electres. Ao aplicar-se um campo elctrico no h corrente porque os
electres no podem alterar o seu estado de movimento. Para 0 T K possvel que alguns
electres adquiram energia suficiente para passarem da banda de valncia para a banda de
conduo h gerao por efeito trmico. Define-se ritmo de gerao trmica, G
ter
[m
-3
s
-1
],
como o nmero de electres na unidade de volume, na unidade de tempo, que devido
temperatura transitem de banda de valncia para a banda de conduo. Em equilbrio
termodinmico deve existir um processo inverso que envolve a passagem de electres da
banda de conduo para a banda de valncia designada por recombinao, cujo ritmo de
recombinao
3 1
R m s



deve verificar a condio

ter
G R = (1.11)
Do equilbrio destes dois processos resulta para uma dada temperatura uma densidade
fixa de electres na banda de conduo, para uma dada temperatura. Um acrscimo de
temperatura conduz a um aumento da densidade de electres. A existncia de electres na
banda de conduo est associada existncia de igual nmero de ligaes incompletas na
banda de valncia, ou seja, de estados de movimento disponveis para os electres nesta
banda. Neste caso, ao aplicar um campo elctrico, j vai haver corrente elctrica pois os
electres da banda de conduo e os de valncia j podem alterar o seu estado de movimento.
A conduo elctrica dever portanto incluir o efeito do campo elctrico nos electres das
duas bandas de energia. Na banda de valncia s nos interessa contabilizar os electres que
transitam de ligao incompleta em ligao incompleta e que so em nmero igual aos da
banda de conduo e em nmero muito inferior aos que existem nessa banda de valncia.
Deste modo o movimento do electro de valncia para uma ligao incompleta vai ser olhado
como sendo equivalente ao movimento duma partcula com carga positiva, igual ao mdulo
da carga do electro, e deslocando-se em sentido oposto. Designar-se- esta partcula por
buraco. A densidade de buracos p igual densidade de ligaes incompletas e, no caso do
semicondutor intrnseco, igual densidade de electres n na banda de conduo.
Em equilbrio termodinmico tem-se ento:

3
0 0 i
n p n m

= =

(1.12)
SEMICONDUTORES 1.18
em que n
i
se designa por densidade intrnseca. A densidade intrnseca uma grandeza muito
importante para cada semicondutor e, como se viu, depende fortemente da temperatura. Na
Tabela 1.7 indicam-se os valores de n
i
para vrios semicondutores a 300 K.

Tabela 1.7
Valores de n
i
para vrios semicondutores a 300 K.
Semicondutor n
i
(m
-3
) W
G
(e.V.)
Si 1,0210
16
1,124
Ge 2,3310
19
0,664
GaAs 2,110
12
1,424
InAs 1,310
21
0,354
InP 1,210
14
1,344

Os electres na banda de conduo aos quais nos iremos referir simplesmente como
electres e os buracos vo ser considerados como partculas clssicas livres sobre as quais
actuam as foras exteriores aplicadas. Nesse sentido associa-se partcula uma massa eficaz
m* que engloba no seu valor os efeitos associados periodicidade da rede cristalina. O
fundamento e validade desta analogia assentam na mecnica quntica. Para uma rede
anisotrpica a massa eficaz ser em geral um tensor 33.
Assim, a partir de agora, o electro e o buraco sero caracterizados como partculas
livres com carga igual em mdulo, negativa para o electro e positiva para o buraco,
19
1, 6 10 q C

= . A massa eficaz do electro e do buraco, que designaremos por

* *
e
n p
m m
respectivamente, admite-se como sendo escalar.
Como se ver mais frente a dependncia de n
i
com a temperatura pode ser expressa
atravs da expresso

2 3/ 2
G
W kT
i
n T e

(1.13)
em que T a temperatura absoluta (em graus Kelvin), W
G
a altura da banda proibida e k a
constante de Boltzmann,
23 1
1, 3806 10 k JK

= . A kT costuma designar-se por energia
caracterstica da temperatura T e kT (300 K) = 0,026 e.V. Desprezando a variao com a
temperatura de W
G
, n
i
depende da temperatura atravs do termo T
3/2
e da exponencial. Ambos
os termos contribuem para o aumento de n
i
quando a temperatura aumenta sendo fcil de
verificar que, em geral, o termo associado exponencial que domina.
SEMICONDUTORES 1.19
1.5.2. Semicondutores extrnsecos
Na Fig. 1.13 mostra-se o modelo das bandas e das ligaes de valncia para um
semicondutor extrnseco.

+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +5 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +3 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
T=0 k
tipo-n tipo-p
T0 k
W
C

W
D

W
V

W
C
W
A
W
V
0,05 e.V.
0,05 e.V.

+ + +
+ + + + + + + +

EQUILBRIO TERMODINMICO
2
0 0 i
n p n =
(Semicondutor no degenerado)
W
C

W
D

W
V

W
C
W
A
W
V
(a) (b)

Fig. 1.13 Modelo das ligaes de valncia e das bandas para um semicondutor extrnseco.

A ttulo exemplificativo admita-se que o semicondutor considerado o Si ao qual se
adicionaram impurezas de substituio do tipo dador, Fig. 1.13(a), ou impurezas de
substituio do tipo aceitador, Fig. 1.13(b). A 0 K os electres de valncia mantm-se nas
suas ligaes de valncia. o caso dos electres partilhados entre os tomos de Si. No que se
SEMICONDUTORES 1.20
refere s impurezas de substituio, se elas forem do tipo dador, e.g. o fsforo no Si, possuem
5 electres de valncia dos quais s 4 que so necessrios para a ligao covalente com os
tomos de Si vizinhos. A energia destes electres est na banda de valncia. Continuaremos a
admitir que o modelo das bandas para o semicondutor extrnseco idntico ao do
semicondutor intrnseco o que s vlido se a densidade de impurezas for muito pequena,
comparada com a densidade de tomos de base do semicondutor. A estes semicondutores
usual chamar de no degenerados. Os semicondutores degenerados possuem propriedades
interessantes mas no iro ser estudadas, pois caem fora do mbito da disciplina. A impureza
dadora possui contudo um quinto electro de valncia, que no est envolvido na ligao
covalente, e que possui uma energia muito prxima de W
C
. A 0 K este electro est ligado ao
tomo da impureza mas a incerteza na sua localizao permite que ele possa ser encontrado
num raio que envolve vrias dezenas de tomos de base. Sob o ponto de vista do modelo das
bandas, a cada impureza dadora corresponde um dado estado de energia, para o electro no
ligado ao Si, que se encontra na banda proibida junto banda de conduo. Um pequeno
aumento da temperatura suficiente para ionizar positivamente a impureza, isto , fazer
transitar o electro para a banda de conduo, sem que tenha qualquer efeito aprecivel sobre
electres de banda de valncia, que requerem uma energia bastante mais elevada. Deste modo
possvel criar na banda de conduo uma populao de electres muito maior que a
populao de buracos na banda de valncia. Obtm-se ento um semicondutor extrnseco tipo-
n.
A introduo de impurezas de tipo aceitador, e.g. o Boro no Si, pode ser analisada de
forma idntica. Neste caso, a 0 K, a impureza possui s trs electres para partilhar com os 4
tomos de Si vizinhos pelo que fica uma ligao incompleta. A energia associada a esta
ligao incompleta superior a W
V
mas relativamente prxima. Um pequeno aumento da
temperatura suficiente para ionizar negativamente estas impurezas, dando origem a buracos
na banda de valncia sem a correspondente criao de electres na banda de conduo.
Poder-se- ter ento um semicondutor extrnseco tipo-p em que a densidade de buracos
muito maior que a de electres. Um semicondutor em que coexistem os dois tipos de
impurezas um semicondutor compensado. Se a densidade de impurezas dadoras for igual
das impurezas aceitadoras a compensao total e, em equilbrio termodinmico
0 0 i
n p n = = .
Como se viu anteriormente n
i
uma medida do nmero de ligaes de valncia que se
partiram, devido temperatura. Sendo assim n
i
pode ser usada como valor de referncia nos
semicondutores extrnsecos. Atendendo a que a densidade de electres, num semicondutor
SEMICONDUTORES 1.21
com impurezas dadoras a uma dada temperatura, possui a contribuio das impurezas
ionizadas e das ligaes partidas poder-se- dizer que:

0
se
d d i
n N N n
+ +
>> = (1.14)
em que
d
N
+
a densidade de impurezas ionizadas.
Para um semicondutor tipo-p ter-se- ento:

0
se
a a i
p N N n

>> = (1.15)
importante realar que
0 d i
n N n

+ e
0 i
p n no semicondutor tipo-n devido
recombinao. Para o semicondutor tipo-p tambm ser
0 a i
p N n

+ e
0 i
n n
No entanto provar-se- mais frente que, para um semicondutor no-degenerado em
equilbrio termodinmico, se verifica a relao

2
0 0 i
p n n = (1.16)
Uma outra relao importante resulta do facto de, num semicondutor homogneo em
equilbrio termodinmico, o material exibir neutralidade elctrica local, ou seja, a densidade
de carga zero em cada ponto do semicondutor. Atendendo a que a origem das cargas
elctricas est nos electres, buracos e impurezas ionizadas, poder-se- escrever ento com
generalidade:

( ) ( ) 0 0
0
a d
q n N q p N
+
= = + + + (1.17)
ou seja

0 0 d a
n p N N
+
= (1.18)

0 0 d a
n N p N
+
= (1.19)
As equaes (1.18) e (1.19) permitem duas interpretaes diferentes da mesma equao.
A equao (1.18) evidencia a influncia de cada tipo de impurezas na densidade de
portadores. Em particular se
0 0 d a i
N N n p n
+
= = = . Sob o ponto de vista tecnolgico
esta propriedade que permite obter semicondutores intrnsecos j que durante o fabrico a
adio no intencional de impurezas normal e o material resultante ou do tipo-p ou do
tipo-n.
SEMICONDUTORES 1.22
Na equao (1.19) o 1 termo representa a densidade de electres com origem efectiva
na gerao trmica pois dado pela diferena entre a densidade de electres total e a
densidade de electres devidas s impurezas. A igualdade consistente com o facto de que
por cada electro gerado termicamente h tambm um buraco sendo que o 2 membro da
equao traduz a densidade de buracos efectivamente gerados termicamente.
No caso das impurezas dadoras e aceitadoras estarem totalmente ionizadas
temperatura considerada, ter-se-:
e
d d a a
N N N N
+
(1.20)
e portanto

0 0 d a
n p N N (1.21)
Se, para um dado semicondutor homogneo, se conhecer a densidade intrnseca a uma
dada temperatura e a densidade de impurezas ionizadas poder-se- obter
0
n ou
0
p por
resoluo do sistema de equaes que envolve (1.16) e (1.21). Conhecido
0
n ou
0
p , utiliza-
-se (1.16) para obter
0
p ou
0
n respectivamente.
Sem entrar em mais pormenores oportuno referir que, mesmo em equilbrio
termodinmico, se o semicondutor no for homogneo, isto , a distribuio das impurezas
no for uniforme no volume do material, no se verifica a condio de neutralidade elctrica
local, embora o semicondutor continue a ser globalmente neutro. Este facto deve-se natureza
das cargas elctricas, que so mveis no caso dos electres e buracos, e fixas no caso das
impurezas ionizadas. Tome-se como exemplo um semicondutor que possui densidade de
dadores diferente em duas regies do semicondutor ( )
1 2 d d
N N > . Em qualquer ponto do
semicondutor, em equilbrio termodinmico verifica-se que
2
1 1 2 2 i
n p n p n = = , isto
1 2
n n > e
1 2
p p < . O gradiente de densidades de portadores mveis de carga que se estabelece d
origem ao movimento dos portadores da regio de maior densidade para regies de menor
densidade e conduz a uma distribuio de electres e buracos que quebra a neutralidade
elctrica local, responsvel pelo aparecimento de campos elctricos locais, junto interface
das duas regies. Neste exemplo a carga positiva est do lado da regio 1 em que
d
N mais
elevado.
O andamento da densidade de portadores para um semicondutor extrnseco tipo-n em
funo da temperatura est representado na Fig. 1.14. possvel identificar trs regies de
SEMICONDUTORES 1.23
funcionamento: a regio de ionizao, de saturao e intrnseca. Na regio de ionizao o
aumento de temperatura conduz fundamentalmente a um aumento da densidade dos
portadores que tm origem nas impurezas de substituio pois envolve uma energia de
activao que muito inferior altura da banda proibida. Na escala semi-logaritmica utilizada
o andamento aproximadamente linear evidenciando por isso uma dependncia exponencial
com 1/T. Logo que as impurezas esto todas ionizadas entra-se na zona de saturao na qual a
densidade de maioritrios aproximadamente constante. Contudo a densidade de minoritrios
continua a aumentar com o aumento de temperatura pois cresce a densidade intrnseca.
Finalmente, aps uma dada temperatura
i
T , entra-se na zona intrnseca de funcionamento a
que corresponde uma densidade intrnseca elevada e em que as densidades de electres e
buracos so idnticas.

ln (n)
ln (p)
ln (n
i
)
ln (N
d
)
zona
intrnseca
zona de ionizao
zona de saturao
declive
G
W
2k

declive
E
2k

n
p
n
i

1/T
i

1/T

Fig. 1.14 Densidade de portadores em funo da temperatura para um semicondutor tipo n

A determinao de
i
T , designada por temperatura intrnseca, pode ser calculada desde
que se estabelea a condio que deve verificar o valor da densidade intrnseca. Admitindo
que ( ) 10 ,
i i
n T N N Nd = = e conhecida a relao entre ( )
i i
n T e ( )
i
n T , sendo T uma
temperatura conhecida, dada por

( )
( )
3 2
2
2
G i
G
W kT
i i
i
W kT
i
n T T e
n T T
e

=


(1.22)
possvel obter, para um dado material, a temperatura
i
T . Para o Si,
i
T depende da
SEMICONDUTORES 1.24
concentrao de dopante, mas pode ser suficientemente elevado de modo a se poder utilizar
nas mais variadas situaes.
Com base na expresso
( )
2
G i
W kT
i i
n T e

(1.23)
e se se considerar que a densidade de impurezas a mesma em dois materiais com W
G

diferentes, ento o que tiver maior W
G
tem maior
i
T pois deve verificar-se a igualdade

2 2
G G
i i
W W
kT kT
e e

= (1.24)
Deste modo o Si, nestas condies, possui um
i
T maior que o Ge. Este facto torna o Si
bastante atractivo no fabrico de dispositivos que podem funcionar a temperaturas mais
elevadas sem alterao das suas propriedades rectificadoras. (Acima de
i
T a juno p-n deixa
de o ser).
1.6. Gerao e recombinao
Como se viu anteriormente, ao processo de gerao, quantificado em termos dum ritmo
de gerao G[m
-3
s
-1
], contrape-se sempre um processo de recombinao caracterizado por
um ritmo de recombinao R[m
-3
s
-1
]. Em equilbrio termodinmico
G R = (1.25)
e G depende para cada material, somente de temperatura.
Pretendemos relacionar G e R com a densidade n e p. Consideraremos as situaes em
que G independente de n e de p. Esta condio verifica-se em geral porque no s temos um
nmero muito elevado de electres na banda de valncia como de estados disponveis na
banda de conduo. Contudo a recombinao exige electres na banda de conduo e buracos
na banda de valncia e portanto depende de n e de p. Sendo assim, para valores baixos de n e
p (semicondutores no degenerados) e recombinao banda a banda pode escrever-se, em
primeira aproximao,
( , , ) ( ) R T n p r T n p = (1.26)
em que r(T) uma constante que depende do material e da temperatura. A relao (1.26) pode
SEMICONDUTORES 1.25
entender-se se, se escrever ( , , ) R T n p como uma expresso em srie de Taylor em termos de n
e p:

2 2 3 3 2 2
( , , ) R T n p A Bn Cp Dn Ep Fnp Gn Hp In p Jnp = + + + + + + + + + + (1.27)
Os termos associados aos coeficientes A, B, C, D, E, G, H,... devem ser zero porque R
tem que ser zero se n ou p for zero. O primeiro termo no zero Fnp. Os termos de ordem
superior
2
In p e
2
Jnp podero, numa aproximao de 1 ordem, ser desprezados. Estes
termos sero importantes e devem ser includos nos casos em que n e p so elevados.
Costumam designar-se por termos de Auger. O termo
2
n p traduz a recombinao que
envolve dois electres e um buraco. Neste caso a energia e o momento associados
recombinao dum electro so transferidos para outro electro na banda de conduo. Por
sua vez o termo
2
np envolve um electro e dois buracos no processo de recombinao, com a
energia e momento transferidos para um buraco.
Em equilbrio termodinmico

0 0
( ) G R r T n p = = (1.28)
Se se pensar que
1
N
i
i
G G
=
=

ento a condio de equilbrio termodinmico obriga a que

se verifique o princpio de equilbrio detalhado, isto que (1.28) se aplique a cada mecanismo
de gerao e recombinao correspondentes, isto que

1 1
N N
i i
i i
G R
= =
=

(1.29)
e que tambm

1 1 0 0 1
2 2 0 0 2
0 0
( )
( )
( )
N N N
G r T n p R
G r T n p R
G r T n p R
= =
= =
= =
.
(1.30)
Como h processos de gerao-recombinao que no envolvem dadores ou
aceitadores, uma adio de dopantes no altera a respectiva equao correspondente ao
princpio de equilbrio detalhado
SEMICONDUTORES 1.26

0 0
( )
i i
G r T n p = (1.31)
Contudo, como
0
n e
0
p se alteram com a densidade de dopante, ento o produto
0 0
te
n p C = . Conhecendo
0
n e
0
p para o semicondutor intrnseco, conhecer-se- ento o
valor do produto
2
0 0 i
n p n = para qualquer semicondutor.
Deste modo pode-se escrever:

2
( )
i
G r T n = (1.32)
que s depende da temperatura.
Nalguns semicondutores, nomeadamente no Si, a gerao e a recombinao no so
banda a banda, mas fazem-se atravs de estados intermdios na banda proibida designados
por ratoeiras. Este processo designa-se por SRH (Schokley, Read, Hall), ver Apndice A.

Efeito fotoelctrico interno
Se, para alm dos processos de gerao, presentes no semicondutor em equilbrio
termodinmico, fizermos incidir uniformemente luz monocromtica de energia
G
W W ,
haver uma gerao adicional de pares electro buraco qual se pode associar uma taxa de
gerao constante por efeito fotoelctrico e que designaremos por
3 1
fe
G m s



. Em regime
estacionrio a taxa de gerao e de recombinao equilibram-se

T il il
G R r n p = = (1.33)
em que

T ter fe
G G G = + (1.34)
e

0
0
il
il
n n
p p
= +
= +
(1.35)
o excesso de portadores resultantes da iluminao que ser igual para electres e buracos
quando a iluminao uniforme.
Combinando as duas expresses anteriores ter-se-:

ter fe il il
G G r n p + = (1.36)
SEMICONDUTORES 1.27
ou
1
fe
il il
ter ter
G
r n p
G G
+ = (1.37)
Como
2
ter i
G r n = , e admitindo que a temperatura no sofreu uma variao aprecivel,
ter-se-

2
1
fe
il il i
ter
G
n p n
G

= +


(1.38)
A relao (1.33) s vlida para o regime estacionrio. Quando se estabelece a
iluminao
fe ter
G G G = + e
2
i ter
R r n G = = e portanto G R > . O aumento de n e p acarreta
um aumento de R que s pra de aumentar quando
fe ter
R G G = + e as densidades de
portadores alcanam o valor final de e
il il
n p .
A taxa de gerao por efeito fotoelctrico est associada a uma grandeza caracterstica
do material e que o coeficiente de absoro, [m
-1
]. O coeficiente de absoro representa o
nmero de fotes, de um dado comprimento de onda, absorvidos por unidade de
comprimento. quantidade 1/ associa-se a distncia que em mdia o foto, de um dado
comprimento de onda, percorre at ser absorvido. O coeficiente de absoro depende da
energia dos fotes e do material. Na Fig. 1.15 mostra-se o coeficiente de absoro em funo
da energia dos fotes para vrios materiais semicondutores.
Se se designar por [m
-2
s
-1
] o fluxo de fotes com uma dada energia que incide na face
de uma amostra de semicondutor, a sua taxa de variao com a distncia proporcional ao seu
valor, sendo a constante de proporcionalidade o coeficiente de absoro.

( )
( )
d x
x
dx

= + e assim
0
( )
x
x e

= (1.39)
Define-se o ritmo de gerao por efeito fotoelctrico
( )
fe
d x
G
dx

= , admitindo que, por

cada foto, h a criao de um par electro-buraco. Assim

0
x
fe
G e

= (1.40)
Na Fig. 1.16 mostra-se o andamento de G
fe
(x) e d-se a interpretao geomtrica de 1/.
SEMICONDUTORES 1.28

Fig. 1.15 Coeficiente de absoro em funo da energia para vrios semicondutores.



0
x
G
fe

0

1/
x
0

Fig. 1.16 G
fe
(x).

de realar que se
1 2 1 2
1/ 1/ > < , os fotes a que correspondem maiores
energias so absorvidos mais em superfcie.
SEMICONDUTORES 1.29
1.7. Conduo
Os electres e os buracos so consideradas partculas livres desde que se lhes asocie
uma massa eficaz. Num cristal perfeito, este tipo de partculas, sob o ponto de vista clssico,
tem um movimento rectilneo e uniforme, limitado somente pelas paredes do cristal. Na
prtica este movimento afectado pela existncia de choques que desviam a trajectria de
forma aleatria. Estes choques esto ligados com a alterao do andamento peridico do
potencial e podem ser devidos temperatura, impurezas, ou imperfeies de rede cristalina.
A alterao do potencial corresponde ao aparecimento de campos elctricos, ou seja
foras elctricas e por isso modificao do movimento do electro.
Dos trs tipos de choques, o mais importante tem a ver com a temperatura, j que este
efeito envolve todos os tomos constitutivos do cristal enquanto que as impurezas e defeitos
aparecem normalmente com densidades muito inferiores. A temperatura faz com que os
tomos oscilem em torno das suas posies de equilbrio obrigando a que o potencial, na sua
vizinhana, sofra tambm variaes interferindo no movimento dos electres e portanto
desviando a sua trajectria Fig. 1.17.


Fig. 1.17 Movimento dos electres ou buracos devido agitao trmica.

Este movimento de agitao no d origem a corrente elctrica e por isso valor mdio
da velocidade 0
th
v =
,
. Esta expresso pode ser interpretada como sendo o resultado de
observao no tempo da velocidade de uma s partcula ou a resultante da velocidade de todas
as partculas de uma dada espcie num dado instante. Para os metais
8
10
th
v cm s = e para os
semicondutores
7
10 300
th
v T cm s = . Define-se tempo livre o tempo que decorre entre dois
choquesconsecutivos. O tempo livre mdio representa-se usualmente por ; 1/ traduz a
frequncia mdia de choques.
SEMICONDUTORES 1.30
Quando se aplica um campo elctrico E
,
, aparece uma fora elctrica que, para o
electro dado por:

n
F qE =
, ,
(1.41)
e para o buraco

p
F qE =
, ,
(1.42)
Sendo o campo constante, a fora tambm o ser e, de acordo com os resultados da
mecnica clssica a trajectria destas partculas em geral parablica (s ser rectilnea
quando v e E
,
,
forem paralelos), Fig. 1.18.

E
,

Fig. 1.18 Trajectrias dum electro sob a aco dum campo elctrico constante.


Se o campo no for suficientemente elevado pode escrever-se

th F
v v v = +
, , ,
(1.43)
em que
F
v
,
traduz a velocidade associada fora.
th
v
,
v

,
v
|
,
F
,


Fig. 1.19 Trajectria associada a uma fora constante.


SEMICONDUTORES 1.31
Em valores mdios:

th F F
v v v v = + =
, , , ,
(1.44)
O aumento da velocidade entre choques ser ento:

*
F
F
v t
m
=
,
,
(1.45)
e por isso

* *
F
F F
v t
m m
= =
, ,
,
(1.46)
Para os electres e buracos ter-se-

*
n
n
F
n
n
q
v E
m

=
,
,
e

*
p
p
F
p
p
q
v E
m

=
,
,
(1.47)

F n
n
v E =
,
,

F p
p
v E =
,
,
(1.48)
em que e
n p
so as mobilidades para os electres e buracos respectivamente, com
unidades
2 1 1
m V s

.
Para um dado material e uma dada temperatura verifica-se sempre que
p n
< , Tabela
1.8.
Tabela 1.8
Mobilidades a 300 K para vrios semicondutores
T=300 K Ge Si GaAs

n
(m
2
V
-1
s
-1
) 0,39 0,15 0,85

p
(m
2
V
-1
s
-1
) 0,19 0,045 0,04

A mobilidade depende fortemente da temperatura e tambm da densidade de impurezas,
Fig. 1.20. Quando a densidade de impurezas elevada, na gama de temperaturas baixas, o
aumento da temperatura pode conduzir a um aumento da mobilidade.
SEMICONDUTORES 1.32

Fig. 1.20 Mobilidade em funo da temperatura no Si, para vrias densidades de impurezas.

No caso de os dois mecanismos de desvio serem independentes a frequncia mdia das
colises a soma das frequncias mdias devida a cada um dos mecanismos, podendo
escrever-se:

1 2
1 1 1
= +

(1.49)
e portanto

1 2
1 2

=
+
(1.50)
Atendendo que a densidade de corrente dada por
cond F
J v =
,
,
, ter-se-:
para os electres:
cond
n n
J qn E = +
, ,

e para os buracos:
cond
p p
J qp E =
, ,
.

SEMICONDUTORES 1.33
Sendo assim

cond cond
cond n p
J J J E = + =
, , , ,
(1.51)
em que

( )
n p
q n p = + (1.52)
a condutividade do semicondutor com unidades [Sm
1
].
Se o semicondutor for intrnseco

( )
i i n p
q n = = + (1.53)
extrnseco tipo-n
( )
n n i
qn n n = = > (1.54)
e extrnseco tipo-p
( )
p p i
qp p n = = > (1.55)
A variao de (T) depende da variao de com T e da densidade de portadores com
T. A variao de densidade de portadores (quando existe) sempre mais importante que a
variao das mobilidades, Fig. 1.21.

intrnseca
saturao
ionizao
log
Semicondutor tipo-n ou tipo-p
1/T 1/Ti

Fig. 1.21 Variao da condutividade com a temperatura num semicondutor.
SEMICONDUTORES 1.34
1.8. Difuso
Os electres e buracos regem-se pela estatstica de Maxwell-Boltzmann no caso dos
semicondutores no-degenerados. Gradiantes de densidade e temperatura so condies
essenciais para que o processo de difuso tenha lugar e pode ser descrito de forma idntica ao
processo de difuso nos gases.
A temperatura responsvel pelo movimento aleatrio das partculas em todas as
direces do espao e nas condies usuais sempre diferente de zero.
O gradiente de densidades est presente num semicondutor no homogneo, quando h
temperaturas diferentes em regies diferentes do semicondutor, com iluminao no
uniforme, etc.
O transporte por difuso, no esquema unidimensional da Fig. 1.22, pode ser interpretado
do seguinte modo: se na coordenada x
A
existem 8 partculas animadas dum movimento
perfeitamente aleatrio ento 4 delas devero dirigir-se para a direita e as outras 4 para a
esquerda. Havendo em x
B
4 partculas dever simultaneamente, haver o movimento de 2
partculas para a direita e 2 para a esquerda. Deste modo, numa coordenada intermdia, existe
o movimento efectivo de duas partculas para a direita. No espao tridimensional a difuso
est associada a um movimento equiprovvel da partcula em qualquer direco e sentido que,
associado ao gradiante de densidades, garante um fluxo de partculas da regio de maior
densidade para a de menor densidade.

x
A
x
B
x

Fig. 1.22 Modelo unidimensional para o processo de difuso.

Admite-se que a densidade de corrente de partculas
2 1
C m s



proporcional ao
gradiante de densidade sendo a constante de proporcionalidade o coeficiente de difuso
2 1
D m s

.
Para os electres
SEMICONDUTORES 1.35

dif
n n
C D grad n =
,
(1.56)
e para os buracos:

dif
p p
C D grad p =
,
(1.57)
pelo que as respectivas densidades de corrente so:

ndif ndif n
J qC q D grad n = =
,
(1.58)

pdif pdif p
J qC q D grad p = =
,
(1.59)
Para os semicondutores no-degenerados os coeficientes de difuso e as mobilidades
esto ligados atravs das relaes de Einstein.
com
tenso caracterstica
de temperatura
T T
kT
D u u
q
T
= = (1.60)
Assim

n T n
p T p
D u
D u
=
=
(1.61)
A densidade de corrente, em geral, dever pois conter dois termos: o de conduo e o de
difuso. A densidade de corrente total ento expressa como:

n p
J J J = + (1.62)
em que

n ncond ndif
p pcond pdif
J J J
J J J
= +
= +
(1.63)
1.9. Equao da Continuidade
A equao da continuidade uma equao diferencial que estabelece a lei da variao
no espao e no tempo da densidade de electres e dos buracos. Em princpio a generalidade
das situaes correspondentes ao equilbrio termodinmico e s perturbaes desse equilbrio
SEMICONDUTORES 1.36
por aces exteriores, e.g. o campo elctrico, iluminao, etc., podem ser tratados de forma
mais ou menos fcil atravs da equao da continuidade. A soluo desta equao permite
obter o andamento no tempo e/ou no espao da densidade de electres e de buracos. Esta
equao obtm-se por via fenomenolgica, como se descreve a seguir.
Num elemento de volume V de semicondutor, que envolve o ponto P, a densidade de
portadores pode variar no tempo devido a um desequilbrio entre o ritmo de gerao G e o
ritmo de recombinao R e/ou a um processo de transporte que movimenta, por conduo ou
difuso, os portadores de ou para o elemento de volume, Fig. 1.23.

C
,

n
,

S
V
P
*

Fig. 1.23 Elemento de volume utilizado na formulao da equao da continuidade.

O desequilbrio entre G e R contabilizado em termos de [G-R]V. Designando por C
,
a
densidade de corrente de partculas para o exterior, segundo a normal n
+
,
, o nmero de
partculas que entra em V na unidade de tempo, o fluxo de C
,
estendido a S, a rea que
envolve o volume considerado e dado por

( )
,
S V
C n dS divCdV
+

=

, ,
,
(1.64)
pelo teorema do fluxo de divergncia. Com V suficientemente pequeno e admitindo que no
h variaes bruscas das densidades

V
divC dV divC V

, ,
= (1.65)
Assim pode-se escrever-se, para os electres:
( )
n
n
n
V G R V divC V
t

=

,
(1.66)
pelo que, para um dado ponto do semicondutor
[ ]
n
n
n
G R divC
t

,
(1.67)
SEMICONDUTORES 1.37
De igual modo para os buracos
[ ]
p
p
p
G R divC
t

,
(1.68)
Atendendo a que a corrente pode ser de conduo ou difuso, ter-se- em geral:

dif cond
C C C = +
, , ,
(1.69)
com

ndif n ncond n
pdif p pcond p
C D grad n C n E
C D grad p C p E
= =
= =
, , ,
, , ,
(1.70)
Assim a equao da continuidade para os electres e buracos poder ser escrita como

[ ] ( )
[ ] ( )
n n
n
p p
p
n
G R D lap n div n E
t
p
G R D lap p div p E
t

= + +

= +

,
,
(1.71)
Do lado direito das equaes o primeiro termo est associado a um efeito local e os dois
termos restantes ao efeito de transporte de portadores duma regio para a outra do
semicondutor. O segundo termo tem em linha de conta a difuso e o terceiro termo a
conduo.

Aplicao da equao de continuidade a vrias situaes importantes.

Caso 1: Semicondutor homogneo tipo-p, iluminado uniformemente. Analisar a
evoluo da densidade de electres a partir do instante 0 t = , em que se
corta a iluminao

Se o semicondutor homogneo e est iluminado uniformemente
0 divC =
,
, (1.72)
pelo que, para os electres, a equao da continuidade ser escrita como

dn
G R
dt
= (1.73)
SEMICONDUTORES 1.38
Neste caso
0 0 th
G G r n p = = pois procuram-se as solues para 0 t , quando no h
iluminao. Como
R r n p = (1.74)
ter-se-ia:
( )
0 0
dn
r n p np
dt
= (1.75)
Atendendo a que

0
0
'
'
n n n
p p p
= +
= +
(1.76)
vir:

0 0 0 0
' ' ' ' np n p n p n p n p = + + + (1.77)
Admitindo a situao de injeco fraca, isto , s os minoritrios so perturbados
0
' p p << pode escrever-se

0 0 0
' np n p n p + = (1.78)
pois
0
' n p desprezvel face a
0
' n p pois
0 0
p n >> e ' ' n p desprezvel face a
0
' n p pois
0
' p p << .
Deste modo

0
'
'
dn dn
r p n
dt dt
= = (1.79)
Fazendo a substituio
0
1 ( )
n
rp = , vir ento

' '
n
dn n
dt
=

(1.80)
cuja soluo
'( )
n
t
n t Ae

= (1.81)
em que A uma constante de integrao e toma o valor '(0) A n = . A
n
costuma chamar-se
tempo de vida mdio dos electres e corresponde ao tempo que os excessos levam em mdia
at se recombinarem. Para
n
t = o excesso de electres atinge o valor de 1/e do valor em
0 t = . Usualmente considera-se que todos os excessos esto praticamente recombinados para
SEMICONDUTORES 1.39
4
n
t a que corresponde a ter uma densidade de excessos
4
' '(0) 1, 8% '(0) n e n n

= .
Na Fig. 1.24 est representado o andamento de '( ) n t e a interpretao grfica dada a
n
.

n
n(0)

n

t
0

Fig. 1.24 Evoluo de n(t) a partir do instante em que se corta a iluminao.

O valor de '(0) n pode ser obtido tambm atravs da utilizao da equao de
continuidade para os electres. Supe-se que em 0 t = estamos na situao estacionria e que
o ritmo de gerao por efeito fotoelctrico dado por
fe
G .
Deste modo escreve-se
0 G R = (1.82)
em que

fe ter
il il
G G G
R r n p
= +
=
(1.83)
sendo e
il il
n p as densidades de electres e buracos respectivamente sob iluminao
uniforme.
Mantendo a condio de injeco fraca ter-se- ento

'(0)
0 '(0)
fe fe n
n
n
G n G = =

(1.84)
Caso 2: Semicondutor homogneo tipo-p, iluminado uniformemente. Analisar a
evoluo da densidade de electres a partir do instante 0 t = , em que se
estabelece a iluminao. Considera-se injeco fraca.

A equao da continuidade escreve-se como

dn
G R
dt
= (1.85)
SEMICONDUTORES 1.40
em que

fe ter
G G G = + (1.86)
No seguimento da anlise do Caso 1 pode escrever-se de igual modo,

0
' ' 1
fe n
n
dn n
G
dt rp
= + =

(1.87)
e

/
'( )
n
t
fe n
n t Ae G

= + (1.88)
em que o primeiro termo da expresso corresponde soluo homognea e o segundo termo
soluo particular da equao diferencial.
A constante de integrao A obtida pela condio de fronteira
0 ' 0
fe n
t n A G = = = (1.89)
Assim vem

( )
n
t
fe n
n '(t) G 1 e

= (1.90)
Na Fig. 1.25 Mostra-se o grfico de n '(t) nestas condies.

n
G
fe

n

t
0

Fig. 1.25 Evoluo de n(t) supondo que no instante t=0 se estabelece a iluminao.

Neste caso, tambm se convenciona que a situao estacionria est praticamente
alcanada quando 4
n
t . Nestas condies, a diferena entre o valor de '( ) n t e o valor final
menor que
( )
4
fe n
G e ou seja um erro inferior a 1,8%. de realar que neste contexto
n

representa o tempo que em mdia os electres levam a atingir o valor final.
Na Fig. 1.26 mostra-se a evoluo dos excessos numa situao em que se combinam os
casos anteriores e se admite que, durante a iluminao, foi atingida a situao estacionria.
SEMICONDUTORES 1.41
n
G
fe

n

t
0
n

G
fe

t

Fig. 1.26 Evoluo de n(t) quando se combinam as solues obtidas na Fig. 1.24 e 1.25.

Caso 3: Difuso com recombinao na situao estacionria. Despreza-se o efeito
do campo elctrico.

Suponha-se um semicondutor tipo-p, em regime estacionrio e injeco fraca. S se
considera
ter
G (no h iluminao na regio em anlise).

Para os electres a equao da continuidade ento escrita ento como
[ ] 0
n
n
G R D lap n = + (1.91)
Escolhem-se os portadores minoritrios pois so estes os mais afectados pela
perturbao. tambm neste contexto que o tempo de vida mdia se define s para os
portadores minoritrios e no para os maioritrios.
Se se assumir um modelo unidimensional a equao anterior ainda pode ser escrita
como

2
2
'
0
n
n
n d n
D
dx
= +

(1.92)
Notando que
2 2
2 2
' d n d n
dx dx
= pois
0
' n n n = + a equao diferencial toma a forma
SEMICONDUTORES 1.42

2
2 2
' '
0
n
d n n
dx L
= (1.93)
em que
n n n
L D = designado por comprimento de difuso.
A soluo geral para a equao anterior do tipo
'( )
n n
x L x L
n x A e B e

= + (1.94)
Com A, B Constantes de integrao que dependem das condies de fronteira. Analisaremos
duas situaes importantes (i) cristal semi-infinito; (ii) cristal finito.

(i) Cristal semi-infinito

1
0 '
' 0
x n n
x n
= =
=

Estas condies de fronteira indicam que a perturbao estabelece um excesso
1
n
em 0 x = mas longe, quando x , a perturbao deixa de se fazer sentir, ou seja
0
' 0 n n n = = o valor de equilbrio termodinmico. Esta ltima condio impe
0 B = , pelo que
1
A n = .
Assim a soluo para este tipo de perturbao dada por

1
'( )
n
x L
n x n e

= (1.95)
e est representada na Fig. 1.27 onde feita a interpretao grfica de
n
L

n
n
1

L
n

x
0

Fig. 1.27 Evoluo de n(x) para um cristal semi-infinito.

No contexto deste resultado
n
L representa a distncia que em mdia os minoritrios
percorrem por difuso at se recombinarem. Tambm neste caso se poder dizer
que a maioria dos excessos se recombinam desde que estejamos a uma distncia da
SEMICONDUTORES 1.43
origem maior ou igual a 4
n
L . Para
n
x L = a densidade de excessos
1
n e . de
realar a semelhana dos grficos relativos a esta situao e correspondente
iluminao (caso 1). Contudo no caso 1 a densidade de excessos varia no tempo e
no no espao e neste caso ela varia no espao mas invariante no tempo.

(ii) Cristal finito
Neste caso as condies de fronteira so:
1
2
0 '
'
x n n
x b n n
= =
= =

isto , a perturbao faz-se sentir em ambos os extremos da fronteira. Os valores de
A e B obtm-se a partir do sistema de equaes

1
2
n n
b L b l
n A B
n Ae Be

= +

= +

(1.96)
Aps alguma manipulao matemtica, ter-se-

( )
1 2
1
'( )
n n n
b x x
n x n sh n sh
sh b L L L

= +



(1.97)
que est representada na Fig. 1.28. Para cristais curtos, em que
n
b L << ,

( )
1 2
1
n n
n '(x) n x
b

= (1.98)
que est representada na figura pela recta a tracejado

n
n
1

n
2

x
0
b

Fig. 1.28 Evoluo de n(x) para um cristal finito e um cristal curto.

SEMICONDUTORES 1.44
1.10. Clculo de n e p em semicondutores no-degenerados
O comportamento dos electres no material semicondutor rege-se pela equao de
Schrdinger cuja soluo a funo de onda. Esta grandeza , em geral, um nmero
complexo. O valor do mdulo da funo de onda ao quadrado um nmero real que
representa a densidade de probabilidade de encontrar a partcula num dado instante numa
dada regio do espao.
Um dos resultados mais importantes da aplicao da equao de Schrdinger a um
electro num cristal a quantificao da energia. Considera-se a ttulo de exemplo um
electro num poo de potencial de altura infinita e largura L, Fig. 1.29.


x
W
P

0 L

Fig. 1.29 Poo de potencial de altura infinita.

Sendo o electro livre
p
W Cte = . Se se admitir que, no interior do poo, 0
p
W =
ento
2
k
h
W W p 2m p k = = = =

h (1.99)
em que k o nmero de ondas e 2 h = h .
Para garantir a continuidade da funo de onda nas fronteiras
2 L n = (1.100)
em que n um inteiro.
Assim,

2
h
p n
L
= (1.101)
e portanto
SEMICONDUTORES 1.45

2
2
2
8
n
k
h
W n
mL
= (1.102)
Na Fig. 30 mostra-se a quantificao da energia para 1, 2, 3 n = .
Admitindo que m a massa do electro em repouso
31
0
9,11 10 m kg = , ter-se-:

19
2
2
3,8 10
k
W n
L

= (1.103)
A ttulo de exemplo:

k
W
3
k
W
2
k
W
1
k
W
1
1
1
13
10 0, 4 . .
100 3, 8 . .
1 3, 8 10 . .
k
k
k
L W eV
L W meV
L mm W eV

= =
= =
= =


Fig. 1.30 Quantificao da energia para um electro num poo de potencial de altura infinita.

Para o caso tridimensional, a quantificao da energia expressa por

2 2 2 2
1 2 3
3 1 2
2 2 2
1
, , sao inteiros
1, 2 8
k
x y z
n n n
n n n h
W
n m
L L L


= + +
=

(1.104)
em que
1 2 3
, e n n n so os nmeros qunticos principais e
0 x y z
L L L V = o volume do cristal.
Para cada conjunto ( )
1 2 3
, , n n n , que define um dado estado de movimento,
correspondem dois estados qunticos associados ao spin do electro e que pode tomar os
valores 1 2 .

Densidade de estados em energia g (W
k
)
O nmero de estados de movimento possveis para o electro obtm-se contando as
combinaes
1 2 3
, e n n n .


SEMICONDUTORES 1.46
A determinao do nmero de estados de movimento mais fcil de determinar
tomando como base o espao dos momentos, Fig. 1.31.

h/(2L
x
)
p
z

p
y

p
x

h/(2L
z
)
h/(2L
y
)
p
p+dp
.

Fig. 1.31 Representao no 1 octante do espao dos momentos do volume correspondente a um
estado de movimento.

A partir das relaes para as componentes do momento do electro

1 2 3
; ;
2 2 2
x y z
x y z
h h h
p n p n p n
L L L
= = = (1.105)
e tendo em linha de conta os valores positivos de
1 2 3
, e n n n pode identificar-se o volume
correspondente a um estado de movimento

3
0
8 2 2 2
x y z
h h h h
V L L L


=




(1.106)
Assim, no espao dos momentos, o nmero de estados de movimento por unidade de
volume dado por
3
0
8V h . Atendendo a que a cada estado de movimento correspondem dois
momentos de spin, o nmero de estados qunticos na unidade de volume
0
3
8
2
V
h
.
O volume entre a esfera de raio p e a de raio p+dp , para o primeiro quadrante
( )
2
4 8 p dp e por isso o nmero de estados qunticos neste volume, dN(p) dado por

2 0
3
8
( )
V
dN p p dp
h
= (1.107)
SEMICONDUTORES 1.47
Em termos da energia, atendendo a que:

2
, 2
2
2 2
2
k k
k
k
k k
k
p
W p mW
m
p dp m d W
m m
dp dW dW
p mW
= =
=
= =
(1.108)
ter-se-

0
k k k
3
8 V
dN(W ) m 2mW d W
h

= (1.109)
em que ( )
k
dN W o nmero de estados qunticos possveis entre
k
W e
k k
W dW + . A
densidade de estados qunticos em energia, ( )
k
g W definida como
( )
( )
0
3
8
2
k
k k
k
dN W
V
g W m mW
dW
h

= = (1.110)
e est representada na Fig. 1.32.


W
k

g(W
k
)
0

Fig. 1.32 g(W
k
)

Densidade de estados em energia para os electres num cristal
A periodicidade da rede cristalina faz aparecer bandas de energia permitidas e bandas de
energia proibidas. Nos casos em que o cristal isotrpico e, para valores prximos de uma
dada energia
0
W , pode escrever-se

2
0 0
W W C p = + (1.111)
SEMICONDUTORES 1.48
Esta expresso pode ser interpretada como sendo a soma de uma energia potencial, W
0,
com uma energia cintica, C
0
p
2
, em que
0
0
1
2
C
m
= .
Para os electres de conduo C
0
>0 e pode escrever-se:

( )
( )
( )
2
*
*
0
0
2
0
c
c c
c
W W
p
W W m
m
C
>
= + >
>
(1.112)
enquanto que para os electres de valncia C
0
<0:

( )
( )
( )
2
*
*
0
0
2
0
V
V V
V
W W
p
W W m
m
C
<
= + <
<
(1.113)
* *
,
c V
m m so as massas eficazes dos electres na banda de conduo e de valncia
respectivamente. No sentido de manter o formalismo clssico, introduz-se o conceito de
buraco com carga +q e
* *
0
p V
m m = > . Deste modo pode escrever-se para os buracos, na
banda de valncia,
( )
2
*
2
V V
p
p
W W W W
m
= < (1.114)
Quer os electres, quer os buracos so partculas livres (sob o ponto de vista clssico),
com energia de posio constante e igual a e
C V
W W respectivamente. A densidade de
estados qunticos em energia para os electres e buracos pode ento ser expressa por
( ) ( ) ( )
* * 0
3
8
2
c n n c c
V
g W m m W W W W
h

= (1.115)
( ) ( ) ( )
* * 0
3
8
2
v p p v V
V
g W m m W W W W
h

= (1.116)
em que
* *
n c
m m = . Na Fig.1.33 esto representados g
C
(W) e g
V
(W).

SEMICONDUTORES 1.49
W
g
C
(W)
W
G

W
C

W
V

g
V
(W)

Fig. 1.33 Representao de g
C
(W) e g
V
(W).

Estatsticas:
A distribuio dos electres pelos estados qunticos obedece a uma funo de
distribuio denominada por distribuio de Fermi-Dirac.
Esta distribuio assenta em dois pressupostos:
1) os electres so indiscernveis (princpio da indiscernibilidade)
2) no pode haver mais de um electro por cada estado quntico (princpio de
excluso de Pauli).

Baseado nestas condies e partindo da hiptese de que se tem um certo nmero N de
electres com energia total W, eles iro ser distribudos pelos diversos estados qunticos, de
modo a verificarem-se as condies impostas. H vrias maneiras de distribuir os N electres
pelos vrios estados qunticos possveis de modo a que a energia total seja W. Supe-se que
todos os estados qunticos tm igual probabilidade de serem ocupados. Uma distribuio
pode ser realizada de vrias maneiras. A distribuio mais provvel a que se pode realizar de
um maior nmero de maneiras possvel.
A ttulo de exemplo, considera-se que se tm 4 N = e 7 W = em que os estados de
energia possveis so os estados 1, 2, 3,..., e que valem 1, 2, 3,.... Para cada um destes valores
de energia considerem-se trs estados qunticos. Pretende-se descobrir qual a distribuio
mais provvel. S vai haver duas distribuies possveis, neste caso (a) e (b)
SEMICONDUTORES 1.50

(a) (b)
1
2
3
W

O nmero de maneiras associado distribuio (a)
a
m dada por

3 3 3
27
1 1 2
a
m

= =


(1.117)
e distribuio (b)

( )
3 3
!
3
1 3 ! !
b
m
m
m
n m n n

= = =

(1.118)
Deste modo a distribuio (a) a mais provvel.
Bose-Einstein Verifica princpio de indiscernibilidade mas no o princpio de
excluso de Pauli.
Maxwell- Boltzmann No verifica os dois princpios.
A estatstica de Fermi-Dirac representada pela funo de Fermi-Dirac ( ) f W que
traduz o grau de preenchimento dos estados qunticos com energia entre W e W dW + e
dada por

1
( ) 0 ( ) 1
1
F
W W
kT
f W f W
e

=
+
(1.119)
em que
F
W a energia de Fermi, k a constante de Boltzmann
23
1, 38 10 / k J K

= .
A funo 1 ( ) f W traduz o grau de desocupao dos estados qunticos. Se

1
( )
1
F
u
W W
u f W
kT
e

= =
+
(1.120)
quando 0 T K = se

i.e. 0 , ( ) 0
i.e. 0 , ( ) 1
f
F
W W u f u
W W u f u
> > =
< < =
(1.121)
SEMICONDUTORES 1.51
Quando 0 . . 0, ( ) 1/ 2
F
T K W W i e u f u = = =

( )
( )
. . , ( ) 0
. . , ( ) 1
F
F
W W kT i e u f u
W W kT i e u f u
>> +
<<
(1.122)
Estes resultados esto representados na Fig.1.34. O nvel de Fermi,
F
W , em equilbrio
termodinmico constante em qualquer regio do material, quer ele seja homogneo ou no,
porque a estatstica de Fermi-Dirac obtida sem ter em linha de conta o nmero de estados
qunticos em energia e a sua distribuio espacial.
Para os metais a energia
F
W decresce com o aumento de temperatura.

u
( ) f u 1
0
1/2
0 K T =
0 K T
1 ( ) f u

Fig. 1.34 Funo de Fermi a T=0 K e T0 K.

Quando

1
, ( )
1
F
F
W W
kT
F
W W
kT
W W kT f W e
e

>> =
+
= (1.123)
chama-se a esta aproximao a aproximao de Maxwell-Boltzmann, em virtude da funo
f(W) ser aproximada pela funo de distribuio associada estatstica de Maxwell-
Boltzmann. Com vista a completar esta seco refere-se a funo de distribuio associada
estatstica de Bose-Einstein:

1
( )
1
F
B E
W W
kT
f W
e

(1.124)
SEMICONDUTORES 1.52
Clculo da densidade de electres n no semicondutor
Atendendo a que, ( )
c
g W dW o nmero de estados qunticos existentes entre W e
W dW + e ( ) f W o grau de preenchimento dos estados qunticos, o nmero de electres
que existe entre W e W dW + dado por ( ) ( )
c
f W g W dW .
Assim, o nmero total de electres na banda de conduo calculado por
( ) ( )
c
c
W
N f W g W dW

(1.125)
ou seja,
( )
* * 0
3
8 1
2
1
F
c
n n c
W W
W
kT
V
N m W W dW
h
e

=


+

(1.126)
Definindo a densidade de electres
0
n N V = e considerando
c F
W W kT >> , i.e.,

1
1
F
F
W W
kT
W W
kT
e
e

=
+
(1.127)
tem-se
( )
*
*
3
8
2
F
c
W W
n
kT
n c
W
m
n e m W W dW
h

(1.128)
Efectuando o integral

3 2
*
2
2
2
c F
W W
n
kT
c
m kT
n e
h
N

=


_
(1.129)
c
N a densidade efectiva de estados na banda de conduo, ou seja

c F
W W
kT
c
n N e

= (1.130)
De igual modo a densidade de buracos p dada por

3 2
*
2
0
2
2
F V
W W
p
kT
m kT
P
p e
V
h

= =


(1.131)
SEMICONDUTORES 1.53
obtida a partir da expresso
( ) ( ) 1
V
W
V
P g W f W dW

=

(1.132)
tendo-se utilizado tambm a aproximao de Maxwell-Bolzmann. Pode-se ento escrever

F V
W W
kT
V
p N e

= (1.133)
em que N
V
a densidade efectiva de estados na banda de valncia.
Os semicondutores para os quais esta aproximao vlida, isto , em que o nvel de
Fermi est localizado na banda proibida e suficientemente afastado da banda de conduo e
da de valncia, designam-se por semicondutores no-degenerados.
Na Fig.1.35 est representado graficamente o clculo do nmero total de electres N e
buracos P na banda de conduo e na banda de valncia respectivamente.

W
( ) f W 1
W
F
1/2
1 ( ) f W
W
g
C
(W) f(W)
W
G

W
C

W
V

g
V
(W) [1-f(W)] P
N
W
g
C
(W)
W
G

W
C

W
V

g
V
(W)
W
F
W
F


Fig. 1.35 Representao grfica do clculo de N e P.

Localizao do nvel de Fermi no semicondutor intrnseco
Num semicondutor intrnseco n=p=n
i
e portanto

c Fi Fi V
W W W W
kT kT
c v
N e N e


= (1.134)
multiplicando ambos os membros por
Fi V
W W
kT
e

+
e dividindo por
C
N , vem:
SEMICONDUTORES 1.54

C Fi Fi V
W W W W
V
kT
C
N
e
N
+ +
= (1.135)

2
ln
Fi V C V
C
W W W N
kT kT N
+
=



(1.136)
ln
2
V C V
Fi
C
W W N kT
W
kT N
+
= +


(1.137)

3 2
* *
* *
3
ln ln
2
p p
V V
C C
n n
m m
N N
N N
m m



= =




(1.138)
ou seja

*
*
3
ln
2 4
p
V C
Fi
n
m
W W
W kT
m

+

= +


(1.139)
Se
* *
p n Fi
m m W = est exactamente a meio da banda proibida. Se o semicondutor for
extrnseco tipo-n
F
W aproxima-se da banda de conduo e se for tipo-p aproxima-se da banda
de valncia, Fig. 1.36.

W
C

W
V

W
C

W
V

W
C

W
V

W
Fi

W
F

W
F

intrnseco
>>kT
>>kT
tipo-n tipo-p

Fig. 1.36 Localizao do nvel de Fermi nos semicondutores no-degenerados.

As densidades n e p podem ainda escrever-se em termos da densidade intrnseca e da
posio relativa do nvel de Fermi ao nvel de Fermi intrnseco:
SEMICONDUTORES 1.55

C F C F Fi Fi C Fi Fi F
W W W W W W W W W W
kT kT kT kT
C C C
i
n N e N e N e e
n
+

= = =
_
(1.140)
e portanto
F Fi
W W
kT
i
n n e

= . De igual modo pode escrever-se

Fi F
W W
kT
i
p n e

= (1.141)

Densidade intrnseca. Variao com a temperatura
Num semicondutor no-degenerado ter-se-, em equilbrio termodinmico,

C F
W W
C V
np N N e
+
=
F
W
V
C V G
W
W W W
kT kT kT
C V C V
N N e N N e
+

= = (1.142)
Este resultado indica que o produto np independente da localizao do nvel de Fermi
e portanto ser vlido para qualquer semicondutor, intrnseco ou extrnseco. Sendo que para o
semicondutor intrnseco n=p=n
i
, ter-se- , para qualquer semicondutor no-degenerado em
equilbrio termodinmico,

2
G
W
kT
i C V
np n N N e

= = (1.143)
ou seja

2
G
W
kT
i C V
n N N e

= (1.144)
Atendendo a que
3
C V
N N T , ter-se-

( ) 2 3
G
W kT
i
n T e

ou seja
(2 ) 3 2
G
W kT
i
n T e

(1.145)
As expresses anteriores mostram que a densidade intrnseca depende da temperatura
atravs de um termo exponencial e duma potncia. Verifica-se que o termo exponencial
dominante nas condies usuais. Na Fig. 1.37 mostra-se o andamento com a temperatura da
densidade intrnseca para vrios semicondutores.
SEMICONDUTORES 1.56
Ge
Si
GaAs
10
20
10
15
10
10
10
5
n
i

(
c
m
-
3
)

1000/T (K
-1
)
1 2 3 4

Fig. 1.37 Densidade intrnseca em funo da temperatura para vrios semicondutores.

As expresses anteriores s so vlidas em equilbrio termodinmico para
semicondutores no-degenerados. Fora do equilbrio termodinmico podemos manter as
expresses para as concentraes de electres e buracos desde que desdobremos o nvel de
Fermi, W
F
, em dois pseudonveis de Fermi ou imref (de imaginary reference ou a palavra
fermi escrita ao contrrio), um para electres e o outro para buracos. Deste modo as relaes
(1.130), (1.133) e (1.141) sero escritas como

c Fn
W W
kT
c
n N e

= ,
Fp V
W W
kT
V
p N e

= ,
Fn Fi
W W
kT
i
n n e

= e
Fi Fp
W W
kT
i
p n e

= (1.146)
em que W
Fn
e W
Fp
so os pseudonveis de Fermi para electres e buracos respectivamente. Em
situaes de no-equilbrio termodinmico o produto np diferente de n
i
2
e pode ser expresso
em termos da separao dos dois pseudonveis de Fermi,

2
Fn Fp
W W
kT
i
np n e

= (1.147)
Deste modo a separao dos dois pseudonveis de Fermi portanto uma medida do
desvio das concentraes de portadores relativamente situao de equilbrio termodinmico,
para a qual o desvio zero.
Quando o semicondutor possui densidades de impurezas de substituio elevadas, i.e.,
SEMICONDUTORES 1.57
prximas de N
C
ou N
V
(~10
25
m
-3
para o Si), j no vlida a aproximao de Maxwell-
-Bolzmann e portanto as relaes (1.130), (1.133) no esto correctas. Nomeadamente j no
se verifica a relao pn=n
i
2
. Semicondutores fortemente dopados designam-se por
degenerados e so caracterizados por possurem o nvel de Fermi dentro da banda de
conduo ou de valncia. A existncia de estados de energia permitidos junto ao nvel de
Fermi justifica que muitas das propriedades elctricas dos semicondutores degenerados sejam
idnticas s dos metais. Adicionalmente existe uma diminuio da altura da banda proibida
em virtude dos estados associados impurezas darem origem a bandas de energia que se
sobrepem banda de conduo ou de valncia. Para o Si, a diminuio da altura da banda
proibida pode ser desprezvel para densidades de dopante inferiores a 10
24
m
-3
. Contudo
verifica-se que, para uma densidade de impurezas dadoras de 10
25
m
-3
, j a variao da altura
da banda proibida pode ser superior a 10% do valor da altura da banda proibida.