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ELECTRNICA Y AUTOMATISMOS
2 Curso de Instalaciones Electromecnicas Mineras Tema 1: Componentes Electrnicos El transistor de efecto de campo
Universidad de Oviedo
Electrnica y Automatismos
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Transistores JFET
D G S
Canal N
D G S
Canal P
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G P N S P
G N P S N
Canal N
Canal P
D G S G
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Nota:
Zona de transicin
NN
En un diodo polarizado en inversa se forma alrededor de la unin una zona de transicin que est libre de portadores de carga.
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P G
Se forma una zona de transicin libre de portadores de carga La seccin del canal depende de la tensin USG
Si se introduce una cierta tensin D-S la corriente ID por el canal depender de USG
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USG
UDS
S
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ID UDS
ID USG=0V
USG1
USG
USG
USG2
S
VP
UDS
El ancho del canal depende tambin de la tensin UDS Pasado un lmite la corriente ID deja de crecer con UDS
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UGS=0V
Caracterstica real
Caracterstica linealizada
UDS
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ID UGS(B)
B
UDS UGS
A
UGS(A) UDS
UGS
UDS VCC
A B
Aplicando una onda cuadrada en los terminales UGS se puede conseguir que el JFET acte como un interruptor
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G S
G S
G S
G S
Canal N
Canal P
Canal N
Canal P
MOSFET deplexin
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P SUSTRATO
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ID=0
D N
G S N
Los terminales principales del MOS son drenador y surtidor Al aplicar tensin UDS la unin drenador-sustrato impide la circulacin de corriente de drenador
La zona N es rica en electrones La zona P es muy pobre en electrones
P SUSTRATO
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N
UGS
Al aplicar tensin positiva UGS los electrones libres de la zona P (sustrato) son atrados hacia el terminal de puerta Por efecto del campo elctrico se forma un canal de tipo n (zona rica en electrones) que permite el paso de la corriente entre drenador y surtidor
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N
Campo elctrico debido a UDS
Incrementar la tensin UDS tiene un doble efecto: Ohmico: mayor tensin = mayor corriente ID El canal se estrecha por uno de los lados = ID se reduce
A partir de un cierto valor de UDS ambos efectos se compensan y la corriente se estabiliza haciendose prcticamente independiente de UDS
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ID
G
UDS
S
20 10
UGS
A partir de un cierto valor de UGS se forma el canal entre drenador y fuente. Por debajo de este lmite el transistor est en corte. Dependiendo de la tensin UDS se puede tener un equivalente resistivo o de fuente de corriente entre D y S
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ID
G
UDS
S
-20 -10
UGS
Canal P: comportamiento equivalente al del MOSFET de canal N pero con los sentidos de tensiones y corrientes invertidos
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UGS
10 2 4 6
En los MOSFET de deplexin el canal se forma mediante una difusin adicional durante el proceso de fabricacin Con tensin UGS nula puede haber circulacin de corriente de drenador Es necesario aplicar tensin negativa UGS para cerrar el canal
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10
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