Code Diode PN

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function I = courant_PN(V,T,A,mup,Tauxp,Na,mun,Tauxn,Nd)

%%%%% Déclaration des constantes en m

q=1.6e-19; %%Charge élémentaire


K=1.38e-23; %%Constante de Boltzman en J/K (K=1.38e-23J/K)
Kev=8.61e-5; %%Constante de Boltzman en eV/K
%ni=(1.35e10)*1e6; %%Concentration intrinsèque par m cube
h=6.62e-34; %% Constante de Planck en Js (h=4.13e-15eVs);
me=9.10e-31; %% Masse de l'électron en kg
mn=0.26*me; %% Masse effective de l'électron (Si) en kg
mp=0.39*me; %% Masse effective d'un trou (Si) en kg
Eg=1.12; %% la largeur de la bande interdite (Si)

Nc=2*power((2*pi*mn*K*T)/(h^2),3/2); %% Densité effectives des


états ds BC
Nv=2*power((2*pi*mp*K*T)/(h^2),3/2); %% Densité effectives des
états ds BV
ni=power(Nc*Nv,1/2)*exp(-Eg/(2*Kev*T)); %%Concentration
intrinsèque par m cube

Dp=mup*K*T/q %%Constante de diffusion des troux


Lp=sqrt(Dp*Tauxp) %%Langueur de diffusion (troux)

Dn=mun*K*T/q %%Constante de diffusion des électrons


Ln=sqrt(Dn*Tauxn) %%Langueur de diffusion (électrons)

I0=A*q*(ni^2)*( Dp/(Lp*Nd) + Dn/(Ln*Na) )

I = I0*( exp(q*V/(K*T)) -1 )

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