MOSFET

Transistores de Efeito de Campo MOS (Metal Oxide Semiconductor) ou MOSFETs so dispositivos derivados dos transistores de efeito de campo comuns, mas com algumas mudanas na sua estrutura. Conforme mostra a figura 1, no MOSFET temos uma fina camada de xido de metal (que d nome ao dispositivo) que isola o substrato da regio de comporta, em lugar da juno encontrada no JFET.

No entanto, o funcionamento do MOSFET o mesmo: uma tenso aplicada no terminal de comporta provoca variaes ou controla a corrente que flui entre o dreno e a fonte. Isso significa que os MOSFETs podem ser usados nas mesmas aplicaes que o JFET, mas com algumas vantagens. ___________________________________________________________

Alerta: a camada de xido que isola a comporta do substrato extremamente fina e pode ser rompida por descargas esttica. O simples toque dos dedos no terminal de um componente deste tipo pode provocar uma descarga esttica que fura esta canmada e danifica o componente. ___________________________________________________________

Na figura 2 temos os smbolos adotados para representar os dois tipos de MOSFETs que existem alm de seu aspecto mais comum.

Veja que tambm existem MOSFETs em que podemos integrar duas comportas, ou seja, podemos controlar a corrente entre o dreno e a fonte a partir de dois sinais diferentes. Os MOSFETs comuns so dispositivos de baixa potncia, sendo necessrio que o montador tenha diagramas ou folhas de dados do fabricante para conhecer melhor um tipo com que esteja trabalhando.

Um MOSFET identificado por um cdigo de fbrica. Atravs dele pode-se chegar as folhas de especificaes ou dados obtidos pela Internet e, com isso, saber como ele se comporta numa aplicao. As principais caractersticas que devemos observar neste tipo de componente so:

1. Mxima tenso entre dreno e fonte (Vds)

a mxima tenso que o transistor pode manusear sem queimar. Para os tipos comuns est entre 20 e 60 V. Esta especificao tambm pode ser dada como Vds(max).

2. Mxima corrente de dreno (Id)

 a mxima corrente que pode atravessar o componente quando em operao.

3. Transcondutncia

Trata-se da medida equivalente ao ganho dos transistores bipolares. A transcondutncia medida em Siemens (S). Em algumas publicaes antigas e diagramas encontramos a antiga unidade mho (ohm escrita ao contrrio ou o smbolo mega "de cabea para baixo").

4. Potncia de dissipao (Pd)

a mesma especificao dos transistores bipolares, sendo medida em watts. Os MOSFETs so encontrados em circuitos de audio e alta freqncia como por exemplo amplificadoires, pequenos transmissores, alarmes, etc. Em muitos equipamentos projetos as funes destes componentes esto embutidas em circuitos integrados. Alguns tipos de MOSFETs de baixa potncia podem ser conseguidos nos fornecedores de maior porte.

Do livro Curso Bsico de Eletrnica de Newton C. Braga