UNIVERSIDAD AUTONOMA DE COLOMBIA SERGIO ANDRES BENAVIDES JUAN SEBASTIAN MAHECHA IVAN DARIO BAQUERO Anddres16@hotmail.

com 31 de mayo de 2011 Resumen En la primer parte se realiz el montaje de un transistor jfet con una resistencia variable en drain con el fin de observar los cambios de la corriente en ella y la variacin en el voltaje drain source del transistor. Con este voltaje y esta corriente graficaremos la grfica de operacin para nuestro transistor. Abstract In the first part was mounting a JFET transistor with a variable resistance drain to observe the changes of current in it and the change in the source drain voltage of the transistor. With this voltage and the current plot the graph of our transistor operation Marco teorico El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento slo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P". En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla por medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor. Principio de operacin del JFET (de canal N). Al igual que lo que sucede con el TBJ, el FET tiene tres regiones de operacin. Estas regiones son: Zona Lineal. Zona de Saturacin. Zona de Corte. Es preciso hacer notar que en este caso, la saturacin alude a un fenmeno completamente distinto al de los transistores TBJ. Zona Lineal. Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje al surtidor, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones, segn sea VDS grande o pequea en comparacin con VDS. Valores pequeos de voltaje VDS. La figura 3 muestra la situacin cuando se polariza la unin GS una tensin negativa, mientras que se aplica una tensin menor entre D y S. Figura 1

Figura 3 Por la terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que en una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente ID presenta una doble dependencia: La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS. La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. Como ID est limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP, mayor ser la anchura del canal y mayor la corriente obtenida. Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin: ID = ( VGS - VP )VDS Por lo tanto en la regin lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y VDS.

Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 volts por ejemplo, ste se distribuye a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D, la tensin ser de 5 volts, pero a medio camino circulante la corriente habr reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el terminal S el voltaje ser nulo. Por otra parte, si VGS es negativo (-2 V, por ejemplo), la tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona al no existir ninguna corriente. NOTA: se desprecia la cada de tensin en las zonas situadas por debajo de los contactos. Zona de Saturacin. Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto en donde el espesor del canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor estrechamiento del canal con lo que la resistencia global aumenta Zona de corte. La zona de tipo P, conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordar, cuando se forma una unin PN aparecen en los bordes de la misma zona de deplexin en la que no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarizacin aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace ms ancha, proporcionalmente a la tensin aplicada. Aplicando una tensin VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de deplexin, con lo que disminuye la anchura del canal N de conduccin. Marco practico 1. Realizar el montaje del siguiente circuito y tomar los valores de Id y Vds para realizar la grfica de operacin del transistor para estas condiciones.

Valores altos de VDS. Para Valores altos de VDS comparables y superiores a VGS, la situacin cambia con respecto al caso anterior. La resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFet pierde su comportamiento hmico. Veamos por qu sucede esto.