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1 UNIVERSIDADE DE SO PAULO INSTITUTO DE FSICA DE SO CARLOS Laboratrio Avanado de Fsica

DETERMINAO DA RELAO e/k, CARGA ELETRNICA CONSTANTE DE BOLTZMANN

uma prtica comum fazer experincias de medidas de constantes fundamentais tanto nos laboratrios de fsica avanados como introdutrios. As constantes fundamentais que freqentemente so determinadas incluem a relao e/m, usando as bobinas de Helmholtz ou o mtodo de Busch, a relao h/e do efeito fotoeltrico; a velocidade da luz c, usando o aparelho de espelho rotante de Michelson, e a carga eletrnica e, usando o aparelho da gotcula de leo de Millikan. Uma constante fundamental que menos freqentemente medida a constante de Boltzmann, k. A presente experincia nos dar um mtodo simples para determinar a relao e/k. Combinando os resultados desta experincia com uma determinao independente de e, podemos obter o valor para a constante de Boltzmann. Essa experincia uma sugesto baseada em F.W. Inman e C.E. Millerl. A experincia se fundamenta no fato de que a corrente de coletor em curto circuito em muitos transistores de silicio comerciais, operados no modo de base comum, uma funo exponencial da voltagem base-emissor, VEB, num intervalo grande de corrente 2,3,4) IC = Io exp (eVEB/kT) (1)

Portanto, um grfico de IC vs VEB num papel mono-log uma linha reta com inclinao e/kT. Se a temperatura tambm for medida, deteminar-se- e/k. De fato, podem ser feitas vrias vezes a experincia para diferentes temperaturas para mostrar o efeito da temperatura sobre o coeficiente angular da reta. As curvas caractersticas de corrente-voltagem de diodos e transistores encontram-se extensivamente discutido na literatura 4,5. Numa juno p-n a conduo eltrica envolve vrios mecanismos incluindo (1) a corrente de difuso, (2) corrente de gerao e (3) correntes superficiais. Cada uma destas trs componentes da corrente total possue uma dependncia diferente sobre a voltagem da juno. A fim de familiarizar o aluno, apresentamos uma discusso semiquantitativa das propriedades e do funcionamento de uma juno p-n. Na regio p existe uma concentrao Na de aceitadores ionizados (equivalente a uma concentrao Na de buracos dentro da banda de valncia) e na regio n uma concentrao Nd de doadores ionizados (equivalente a uma concentrao Nd de eltrons na banda de conduo). Se os dois semicondutores esto separados no espao, o diagrama de bandas de energia fica da maneira como descrito na figura 1. O nvel de vcuo corresponde energia requerida para remover um eltron do fundo da banda de conduo para o vcuo. Ele o mesmo para os dois lados.

Fig. 1 - Diagrama de banda de energia quando os dois semicondutores esto separados no espao. Quando os dois semicondutores esto juntos, teremos o seguinte diagrama (fig. 2)

Fig. 2 - Diagrama de banda de energia quando os dois semicondutores esto juntos no espao (juno ideal) Depois do contato, o lado n tem um excesso de eltrons com respeito ao lado p e similarmente o lado p tem um excesso de buracos com relao ao lado n. Portanto existe um gradiente de concentrao na juno. Assim para atingir um equilbrio, os eltrons e os buracos devem difundir atravs da juno, movimentam-do-se por causa de seus gradientes de concentrao respectivos. Consideremos a difuso de buracos do lado p para o lado n. Eles vo se combinar com os eltrons livres da regio n e se aniquilar. O resultado da difuso finalmente retirar eltrons livres na regio de tipo n, que fica com um excesso de cargas positivas devidas aos doadores ionizados. Desde que esses doadores ficam em posies fixadas no cristal, a regio n, perto da juno, torna-se uma regio de carga espacial positiva com uma concentrao Nd por unidade de volume. Numa maneira semelhante, os eltrons da regio n vo difundir na regio p, e a regio p perto da juno, torna-se uma regio de carga espacial negativa. Fora dessas regies de carga espaciais, a neutralidade eltrica continua a se manter entre eltrons e doadores carregados positivamente (na regio n) e entre buracos e aceitadores carregados

4 negativamente na regio p. Tambm ns vemos que a estrutura inteira do semicondutor permanece eletricamente neutra desde que nenhuma carga foi criada ou destruda. A criao de duas regies de cargas espaciais de sinais opostos resulta na presena de

um campo eltrico E dirigido da regio n para a regio p. A fora eltrica que age sobre as cargas ope-se difuso dos eltrons fora da regio n e dos buracos fora da regio p. Em termos de energia eltrica ns temos agora a figura seguinte (fig. 3).

Fig. 3 - Energia eletrnica em funo da distncia na juno p-n.

Como a energia potencial de um eltron colocado num potencial V -eV, ns vemos que a presena do campo eltrico muda a energia potencial na regio n de uma quantidade - e (Vn Vp) = - eVo (2)

com respeito aos eltrons da regio neutra p. Vo chamado de potencial de contato ou de potencial de difuso. Em outros termos, os nveis de energia dos eltrons dentro da regio neutra n so abaixados numa quantidade e Vo. O fluxo de eltrons devido difuso produz um campo eltrico que se ope a este fluxo, reduzindo a energia dos eltrons na regio n. Existe agora uma barreira de potencial eVo para os fluxos de eltrons da regio n para a regio p . De uma maneira semelhante existe a mesma barreira de potencial eVo entre os buracos da banda de valncia da regio p e a banda de valncia da regio n. Em um diagrama de energia dos eltrons os buracos tendem a "flutuar". Uma outra maneira bastante til de discutir o importante problema do equilbrio entre semicondutores p e n considerar o nvel de Fermi ou o potencial qumico. A mecnica estatstica disse que dois sistemas que podem intercambiar energia e partculas esto em equilbrio quando as temperaturas e os potenciais qumicos so iguais. A figura 4 mostra as posies dos nveis de Fermi antes e depois do equilbrio.

Fig. 4 - Posies dos nveis de Fermi (linhas tracejadas) antes e depois do equilbrio para uma juno p-n. O deslocamento em energia entre os lados n e p, quando os nveis de Fermi so iguais exatamente a diferena entre as energias de Fermi dos dois lados EF(n) e Ep(p). Assim temos e Vo = EF (n) EF (p) (3)

O tratamento quantitativo da juno p-n em equilbrio mostra que quando existe um equilbrio, existe um fluxo igual e oposto dos dois portadores de carga. Para os eltrons, temos: In1 = densidade de corrente dos eltrons do lado n para o lado p devido a difuso (corrente de difuso). In2 = densidade de corrente dos eltrons do lado p ao lado n devido a presena do campo eltrico (corrente de gerao). No equilbrio

I n = I n1 + I n 2 = 0

(4)

Da mesma forma ns temos densidades de corrente para os buracos de tal maneira que
p p1

= I

+ I

p2

=0

(5)

relativamente fcil mostrar que nessas condies


Pn n p eV = = exp o p p nn kT

(6)

onde pn ,pp so as concentraes dos buracos na regio n e na regio p e nn e np so as concentraes dos eltrons nas regies respectivas. A aplicao de um potencial externo ir modificar as posies dos nveis de energia. Esta modificao acontecer somente dentro da regio da juno que uma regio pobre em

6 portadores livres e conseqentemente de alta resistncia eltrica comparado com as regies fora da juno onde a concentrao dos portadores de carga alta. Em outras palavras o potencial aplicado aparecer somente atravs da regio das cargas espaciais. Com o potencial externo as condies de equilbrio (4) e (5) no existe mais, resultando como conseqncia uma corrente atravs da juno. A figura 5 mostra da esquerda para a direita as posies das bandas de energia. a) sem potencial externo; b) com potencial externo Va 0 aplicado no sentido positivo (forward biased); c) com potencial externo Va 0, aplicado no sentido inverso (reverse biased).

Fig. 6 Posio das bandas de energia em funo do potencial externo aplicado: a) Va= 0, b) Va > 0 e c) Va < 0. No caso do sentido positivo a diferena de potencial entre os lados n e p diminui a Va Va de tal maneira que diminue a altura da barreira de potencial para e (vo va), No outro caso (reverse biased) a diferena de potencial aumenta igual vo + va e a barreira de potencial aumenta para e (vo va). Esses resultados so fundamentais para compreender o comportamento e a operao de uma juno p-n. Se consideramos somente as correntes dos eltrons, ns j sabemos que a corrente de

difuso I n1 devido a uma pequena frao dos eltrons majoritrios da regio n que tem uma energia suficiente para passar a barreira potencial. Quando a barreira de potencial abaixada com a aplicao de um potencial externo no sentido positivo, a corrente de difuso In1 da regio n para a regio p aumenta conseqentemente. A corrente In2 de p para n devido a todos os eltrons minoritrios que difundem a juno do lado p.

7 O nmero pequeno mas eles no tm uma barreira de potencial "eles descem o topo da energia". Essa corrente portanto independente da altura da barreira de potencial. Ns obtemos assim um fluxo resultante de eltrons do lado n para o lado p. Na mesma barreira ns obtemos tambm um fluxo resultante de buracos do lado p para o lado n. A corrente total resultante aumentar com o aumento do potencial aplicado no sentido positivo (forward bias). Um raciocnio similar mostrar que no caso da aplicao de um potencial no sentido negativo as correntes de difuso dos eltrons e dos buracos vo diminuir e tendero para zero, porm, as correntes de gerao ficam mais ou menos sem modificao porque eles so praticamente independente da altura da barreira de potencial. Ns esperamos uma curva corrente-voltagem similar curva mostrada na fig. 7.

Fig. 7 - Diagrama corrente-voltagem de uma juno p-n com potencial externo.

O tratamento quantitativo mostra que a corrente total


I = I n+ I

dada por

D Dp p no I = e n n po + L Lp n

[exp(eVa / kT 1)]

(7)

= I o exp (eVa/kT-1)
onde Dn o coeficiente de difuso para os eltrons

Dp o coeficiente de difuso para os buracos Ln o comprimento de difuso dos eltrons Lp o comprimento de difuso dos eltrons Npo densidade em equilbrio dos eltrons minoritrios na regio p Pno a densidade em equilbrio dos buracos minoritrios na regio n

8 Esta relao a relao famosa de Shockley que d a corrente total I atravs de uma juno ideal em funo do potencial aplicado e dos parmetros dos semicondutores dos dois lados da juno7. Um transistor bipolar consiste no acoplamento de duas junes. A figura 8 mostra por exemplo um transistor do tipo pnp que consiste em uma juno p-n acoplado a uma juno np. Essas junes podem ser polarizadas. No caso da figura a juno esquerda polarizada positivamente e chamado emissor" (E) enquanto a juno direita polarizada negativamente e chamado coletor" (C). A regio n entre as duas junes chamada a "base" (B) do transistor. O tratamento do transistor baseado sobre a fsica do diodo p-n que nos descrevemos acima. Deixamos ao aluno o tratamento quantitativo2,3,4 para mostrar que para um transitor operado no modo de base comum, a corrente do coletor predominantemente devido aos portadores de carga que se difundem atravs da juno emissor-base dentro da regio do coletor. Assim a corrente do coletor possue essencialmente a mesma dependncia sobre a voltagem emissor-base como a corrente de difuso do emissorkT base, e para valores VVB > temos: e

IC = Io (T) exp (eVEB/kT)

(8)

Para muitos transistores de silcio, esta relao se cumpre dentro de 1% sobre seis ou mais dcadas de corrente de coletor. A medida de IC em funo de VEB permitir assim e determinar . k

Fig. 8 - Representao esquemtica de um transistor pnp (ver texto) Procedimento Aparelhagem 1 transistor 1 beacker com leo 1 beacker com gua 1 aquecedor eltrico (fogareiro) 1 variac 1 termmetro ou termopar 1 microampermetro 1 voltmetro (0-3V) 1 fonte de tenso regulvel 0 2V (pilha) IFSC O transistor de potncia RCA 40389 ou equivalente usado para a experincia. O transistor suspenso pelos fios de ligao de maneira que a parte correspondente ao dissipador de calor do transistor fique mergulhada num banho de leo (beacker de leo) e este vez fica mergulhado dentro de um banho de gua (beacker de gua). O banho de gua pode ser resfriado com gelo ou aquecido com o fogareiro.

9 Monte o esquema eltrico da figura 9.

Fig. 9 - Circuito esquemtico para medir e/k (Nota: Verifique se o transistor do tipo pnp. Se for do tipo npn inverta a polaridade da pilha.) Tome para as temperaturas t=0, 20, 40, 60 e 80o C, os dados de voltagem (passo de 0,1 V) e corrente (Imax=2,0mA) e faca os grficos sobre um papel mono-log. Determine pelo mtodo de mnimos quadrados o coeficiente angular da reta e calcule o valor de e/kT. Escreva seus resultados numa tabela e repita a experincia para as outras temperaturas. Calcule o desvio padro e compare seus resultados com aqueles encontrados na literatura. Perguntas: 1. Determine quantitativamente a equao de Shockley para um diodo isto , calcule a densidade da corrente total I atravs de uma juno ideal p-n em funo do potencial aplicado Vae os diferentes parmetros da juno. 2. Compare um diodo de silcio com um diodo a vcuo. Faa um paralelismo entre os diferentes elementos. 3. Explique (sem fazer clculos!) os fluxos de corrente ocorrendo em um transistor bipolar de juno pnp.

Bibliografia 1. F.W.Inmani; C.E.Miller. 41 Am.J.Phys. 41 , 349 (1978). 2. C.Kittel - "Introduction to Solid State Physics", cap. 10 J.Wiley, 5th edition (1976) Biblioteca IFSC - 530.41 K 62125 3. A..J.Decker "Solid State Phvsics" Prentice-Hall, N.J. (1957) 4. R.Dalven, Introduction to Apnlied Solid State Physics, Plenurn Press, (1980), cap. 3, N.Y., Biblioteca IFSC 5. Ver referncia 4, cap. 2. 6. C.Kittel, Therrnal Physics, John Wiley, N.Y. (1969), p.73, Biblioteca IFSC. 7. W.Shockley, Bell Syst. Tech. J. 28, 435 (1949).

Verso 09/2005 (MSL)