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INSTITUTO TECNOLGICO SUPERIOR DE LAS CHOAPAS INGENIERA ELECTRNICA UNIDAD NMERO I: introduccin a la fsica del semiconductor

MATERIA: Fsica de semiconductores PROFESOR: Ing. Limberg Morales Clemente

PRESENTA
David Hernandez Magaa Yennifer Samanta Alvarado De La Cruz. Cynthia Elizabeth Castillo Cordova Luis Roberto Marquez Alvarado

LAS CHOAPAS VERACRUZ A 28 DE SEPTIEMBRE DEL 2011

UNIDAD NUMERO II: UNIN P-N


Introduccin: En una unin entre un semiconductor p y uno n, a temperatura ambiente, los huecos de la zona p pasan por difusin hacia la zona n y los electrones de la zona n pasan a la zona p. En la zona de la unin, huecos y electrones se recombinan, quedando una estrecha zona de transicin con una distribucin de carga debida a la presencia de los iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones. Se crea, entonces un campo elctrico que produce corrientes de desplazamiento, que equilibran a las de difusin. A la diferencia de potencial correspondiente a este campo elctrico se le llama potencial de contacto V0. Casi todos los diodos que se fabrican hoy en da estn formados por dos tipo de silicio diferentes, unidos entre si.

Este conjunto sera del tipo N, ya que deja un electrn libre pues le sobra del enlace, con lo que el tomo (azul) se convierte en un in positivo al mismo tiempo que contribuye con la generacin de un electrn libre, a este tomo lo representaremos:

En el caso del tipo P, dejara un hueco libre, con lo que el tomo se convierte en un in negativo al mismo tiempo que contribuye con la generacin de un hueco libre, a este tomo lo representaremos:

2.1 materiales semiconductores(intrnsecos, extrinsecos) Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Un cristal intrnseco es aqul que se encuentra puro (aunque no existe prcticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrnseco es aqul que ha sido impurificado con tomos de otra sustancia. Al proceso de impurificacin se le llama tambin dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energa elctrica a otros puntos del cristal. Un material en estado intrnseco puede tener electrones libres cuando algunos de sus electrones de valencia llegan a romper su enlace covalente por adquirir energa adicional debido a fuentes de calor o de luz; o bien debido a las pocas impurezas que no han podido eliminarse; sin embargo, la energa ganada disminuye cuando el electrntiene alguna colisin con otra partcula, volviendo a cantidades de energa propias de la banda de valencia, haciendo que el electrn viajero se aloje, en algn hueco disponible, dndose el fenmeno llamado recombinacin. Los huecos que resultan de la liberacin de estos electrones son en cantidades poco significativas; as que tanto las cargas libres negativas o positivas en el cristal no seran suficientes para transportar cantidades de electricidad significativas. Por lo tanto, si se desea que un material semiconductor pueda ser capaz de transportar la corriente elctrica de mejor manera, se procede a impurificarlo.

El proceso de impurificacin permite alterar sensiblemente las caractersticas de los materiales semiconductores, y consiste en agregar tomos de otra sustancia a un cristal intrnseco, que pueden perifricos de valencia, o trivalentes (aceptores, del grupo III-a) con 3 electrones perifricos de valencia. La diferencia del nmero de electrones de valencia entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el nmero de electrones de conduccin negativos (tipo n) o los huecos positivos (tipo p). 2.2 semiconductor p y semiconductor n Semiconductor P: Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos

.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar. Osea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la apricin de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los portadores minoritarios. A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Semiconductor dopado tipo P Semiconductor N Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos

.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N" En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornas, las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro. 2.3 union P-N en estado de equilibrio Una unin p-n se encuentra en equilibrio termodinmico cuando se encuentra a una temperatura uniforme y no actan sobre ella factores externos que aporten energa. En este caso las corrientes de electrones y huecos deben anularse en cada punto del semiconductor y, desde un punto de vista termodinmico, el nivel de Fermi ha de ser el mismo para ambos tipos de portadores. Con ello tendremos:

Antes de producirse el equilibrio y desde el instante del contacto, existen unas corrientes de difusin producidas por la variacin del gradiente de portadores a cada lado de la unin. Este desplazamiento de portadores alrededor de la unin metalrgica hace que aparezca en dicha zona, llamada zona de transicin o de carga espacial, una densidad de carga elctrica debida a las impurezas ionizadas inmviles, negativa en la regin P y positiva en la regin N, que origina un campo elctrico en la zona de transicin y cuya direccin se opone al movimiento por difusin de los portadores mviles. De ese modo se llega al equilibrio cuando el valor de este campo elctrico que acta sobre los portadores mviles compensa el efecto debido a la difusin. La presencia de este campo elctrico en la zona de transicin conllevar la aparicin de una diferencia de potencial electrosttico entre las regiones P y N, que recibe el nombre de potencial de contacto de la unin y cuyo valor, en equilibrio, permite que el nivel de Fermi sea constante a travs de la unin. Las ecuaciones bsicas para un estudio cuantitativo de una unin P-N en equilibrio son:

Y teniendo en cuenta las densidades de portadores:

Donde hemos tomado el origen de potenciales en el potencial correspondiente al nivel de Fermi. Conocida la distribucin de impurezas, N = ND NA, la integracin de esta ecuacin, junto con la condicin de neutralidad elctrica para la unin, nos permite obtener todos los parmetros necesarios para resolver el problema. En el caso de una unin unidimensional, la ecuacin anterior toma la forma:

Que, en general, no puede resolverse exactamente en forma explcita. 2.3.1 potencial de contacto En la unin P-N en equilibrio, es la diferencia de potencial existente en la zona de transicin. Depende de la concentracin de impurezas aceptoras (NA), donadoras (ND) y de la concentracin intrnseca (ni), y viene dada por:

en la que VT es el potencial de temperatura , donde k es la constante de -23 Boltzmann (1,3806610 J/K), T la temperatura absoluta y qe la carga del electrn. De este modo, a 300 K, VT vale 26 mV. 2.3.2 campo elctrico Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexin, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

2.3.3 zona de vaciamiento En esa zona de deplexin que se ha formado se crea un campo elctrico (de la regin N a la regin P o de los iones + a los iones -) con lo cual se produce una cada de potencial sobre dicha regin (de signo contrario) denominado potencial de contacto o potencial de unin (Vo). Su magnitud es del orden de 0,3 a 0,7 voltios, dependiendo del tipo de semiconductor, germanio o silicio, respectivamente.

2.3.4 carga almacenada El condensador almacena carga elctrica, debido a la presencia de un campo elctrico en su interior, cuando aumenta la diferencia de potencial en sus terminales, devolvindola cuando sta disminuye. Matemticamente se puede obtener que la energa , almacenada por un condensador con capacidad C, que es conectado a una diferencia de potencial V1 V2, viene dada por: Este hecho es aprovechado para la fabricacin de memorias, en las que se aprovecha la capacidad que aparece entre la puerta y el canal de los transistores MOS para ahorrar componentes. 2.3.5 capacitancia de difusin y transicin Capacitancia de transicion En la regin de polarizacin inversa existe una regin de agotamiento (libre de portadores) que se comporta como un aislante entre las capas de carga opuesta. Debido a que el ancho de esta regin (d) se incrementara mediante el aumento del

potencial de polarizacin inversa, la capacitancia de transicin que resulta disminuir. Capacitancia de difusin El efecto tambin se encuentra en la regin de polarizacin directa, pero este es mucho menor que un efecto de capacitancia directamente dependiente de la velocidad a la que la carga es inyectada hacia las regiones justo fuera de la regin de agotamiento. El resultado es que niveles crecientes de corriente resultaran niveles crecientes de la capacitancia de difusin. 2.4 condiciones de polarizacin En la siguiente figura se muestra el comportamiento de un diodo semiconductor topico en condiciones de polarizacion directa e inversa. Con polarizacion directa, la intensidad aumenta casi exponencialmente con la tension; a menudo se obtienen intensidades de varios amperios. Para un diodo de germanio en condiciones de polarizacion inversa, se observa una intensidad del orden de decenas de microamperios en un amplio intervalo de tensiones. La corriente de polarizacion inversa para un diodo de silicio es del orden de decenas de nanoamperios. En esta zona de la curva caracteristica del diodo, la conduccion la llevan a cabo los transportadores minoritarios.

2.4.1 efecto de potencial de barrera Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene

introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V. En ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios). En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:

Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la unin: El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P Zona P: Semiconductora, con una resistencia Rp Zona N: Semiconductora, con una resistencia Rn 2.4.2 polarizacion directa Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarizacin Directa".

En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Al moverse los electrones libres hacia la unin, se crean iones positivos en el extremo derecho de la unin que atraern a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo. As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electrn.

Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente, se desplaza a travs de la zona n como electrn libre. En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de valencia. Se desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia.

2.4.3 polarizacion inversa Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal negativo de la batera conectado al lado p y el positivo al n, esta conexin se denomina "Polarizacin Inversa".

El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la unin y la z.c.e. se ensancha. Cuando la unin se polariza en forma inversa los materiales libres tipo N: electrones son atrados por la terminal positiva de la fuente y por esto los aleja de la unin. Lo mismo sucede con los huecos = P, en base a esto la barrera de energa se vuelve mas ancha llegando a ser de la misma magnitud que la fuente aplicada y el flujo de corriente es extremadamente pequeo debido a la escasa cantidad de portadores libres y se llama corriente de saturacin inversa.

2.4.4 caractersticas de corriente bn-voltaje En un estado de equilibrio un semiconductor no tiene carga neta, existen portadores libres, pero stos se compensan unos a otros. Sin embargo, cuando se rompe el equilibrio, por ejemplo por la aplicacin de un campo magntico externo se producir una redistribucin de las cargas, donde los eletrones tendern a moverse en el sentido contrario del campo y los huecos siguiendo el sentido del campo. Lgicamente esta reubicacin ser proporcional al nmero de portadores y ser ms evidente en semiconductors extrnsecos, que poseen ms portadores mviles, y estar dominada por los portadores mayoritarios. Aumentando el campo se puede llegar a un extremo en el que en un lado se acumulan tantos portadores mayoritarios que en el otro los minoritarios pasarn a ser mayoritarios, smplemente por la "desaparicin" de los mayoritarios. Esta zona con predominio de portadores opuestos a los mayoritarios se denomina capa de inversin, y tiene una gran importancia en el funcionamiento de los transistores MOSFET. A la corriente que genera la reubicacin de los portadores se la denomina corriente de deriva. Pero tambin puede suceder que en un mismo cristal se encuentren concentraciones de portadores desiguales, y entonces surgirn corrientes de portadores de las zonas donde estn en exceso a las zonas donde estn en menor concentracin. A esta reubicacin se la denomina corriente de difusin. Estas corrientes estn asociadas a los dos tipos de portadores, no a uno slo. 2.5 fenmeno de ruptura Los diodos admiten unos valores mximos en las tensiones que se les aplican, existe un lmite para la tensin mxima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruirlo.

Veamos un ejemplo:

A la tensin en la que la IR aumenta de repente, se le llama "Tensin de Ruptura" (VRuptura). A partir de este valor IR es muy grande y el diodo se estropea. En el diodo ha ocurrido el "Efecto Avalancha" o "Ruptura por Avalancha". Efecto Avalancha = Ruptura por Avalancha = Multiplicacin por Avalancha 2.5.1 ruptura por multiplicacin o avalancha Fenmeno que ocurre con tensiones inversas elevadas en una unin pn, los electrones libres se aceleran a velocidades tan altas que son capaces dedesalojar a los electrones de valencia. Cuando se produce esta situacin, los electrones de valencia se convierten en electrones libres que desalojan a otros electrones de valencia. Efecto Avalancha Aumenta la tensin inversa y con ella la z.c.e..

Ocurre lo siguiente dentro del diodo:

Justo en el lmite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electrones. Y estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes. Choca el electrn y rebota, pero a VRuptura la velocidad es muy grande y por ello la EC es tan grande que al chocar cede energa al electrn ligado y lo convierte en libre. El electrn incidente sale con menos velocidad que antes del choque. O sea, de un electrn libre obtenemos dos electrones libres. Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrn de un enlace covalente, ceden su energa... y se repite el proceso y se crea una Multiplicacin por Avalancha. Y ahora IR ha aumentado muchsimo, tenemos una corriente negativa y muy grande (100 mA). Con esta intensidad el diodo se estropea porque no est preparado para trabajar a esa IR. Conclusin Las caractersticas de las uniones PN tienen su principal aplicacin en la fabricacin de diodos, que son dispositivos con una unin PN cuya principal funcin es la de conducir un flujo de corriente cuando la polarizacin es directa y bloquearla cuando est en inversa. Esta propiedad tambien se utiliza para rectificar corriente alterna a continua, con un diodo conectado en serie para media onda o un puente de diodos conectado a la entrada del circuito para rectificar la onda completa. Tambien se puede aprovechar la tensin de avalancha (tensin mxima de polarizacin inversa) para fabricar diodos especiales denominados zener, cuya caracterstica es que la tensin de polarizacin inversa permanece constante al

variar la intensidad del catodo al nodo en un determinado valor de fabricacin, esta peculiaridad es util para construir estabilizadores de tensin. Los diodos foto-emisores son diodos con un semiconductor de arseniuro de galio, que se caracteriza por desprender energa en forma de radiacin, est o no en el espectro visible. Los fotodiodos crean pares electrn-hueco al incidir la luz sobre ellos, transformndose la radiacin en corriente. Los transistores ms populares son dos uniones en serie que pueden ser de tipo PNP o NPN. Su cualidad es que al fluir una corriente desde la unin central P a la unin tipo N (ejemplo de tipo NPN), fluye una intensidad mucho mayor desde la otra unin N hacia la N anterior de forma proporcional a la intensidad que insertemos. Con esta propiedad podemos construir amplificadores de tensin o de corriente.

Bibliografa Electromagnetismo y semiconductores: Escrito por J. Llinares Galiana, A. Page, J. Llinares,A. Page Componentes electrnicos - A. Arnau Vives y J.M. Ferrero Corral

Universidad politcnica de Valencia


Electrnica Analgica - L. Cuesta, A. Gil Padilla y F. Remiro

Mc Graw Hill
Principios de electrnica - Malvino McGraw Hill http://www.monografias.com/trabajos11/semi/semi.shtml http://public.itrs.net/ (International Road Map for Semiconductors)

http://html.rincondelvago.com/capacitancia_1.html