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11"

+- Experimento de laboratorio 8
Transistores de efecto de campo
'" , metal-oxido-semiconductor
~

I
Entr
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Objetivos
2. Un MOSFET tambien se conoce como un
FET de compuerta aislada (insulated gate
A. Mostrar y medir Ia caract!:ristica depolari- FET-IGFET).
zacian cero de un transis~or de efecto de
campo metal-oxido-semiconductor. 3. Los MOSFET son de canal No canal P.
B. Mostrar y medir 131 caracteristicas del 4. Cuando la polaridad de la polarizacion de
modo de empobrecimiento de un transistor compuerta-fuente requerida es tal que pro-
de efecto de campo metal.oxido-semicon- duce una reduccion en la corriente de canal,
ductor. se dice que el MOSFET funciona en el
C. Mostrar y medir 131caracteristicas del modo modo de empobrecimiento.
de enriquecimiento de un transistor de efec- 5. Cuando la polaridad de la polarizacion de
to de campo metal.oxido-semiconductor. compuerta-fuente requCfrida es tal que pro-
duce. un aun1ento en la corriente de canal,
Conceptos bcisicos se dice que el MOSFET funciona en el
modo de enriquecimiento. I
1. En un transistor de eJecto de campo metal- 6. Algunos MOSFETs pueden operar en ambos
oxido-semiconductor. (Metal oxide semicon-
modos, de emprobrecimiento y enriqueci- I
ductor field effect transistor-MOSFET) Ia miento. I
compuerta esta aislada del canal.
7. Un MOSFET puede tener dos compuertas; ,I
I
I

"'"

, l
TranliltoNI de etecto de campo

se Ie conoce como MOSFET de compuerta ta por separado 0 puede estar conectada.en forma
doble. intema a la fuente como se muestra en la figura
8. La impcdancia de entrada es mas alta y la 8-1.
capacitancia de entrada mas baja en un
MOSFET que en un JFET. El 'Cuncionamiento del MOSFET de canal N es
9. Los MOSFET pueden requerir derta forma
semejante a la del JFHT de canal N que se estu-
de proteccion de compuerta para impedir el dio antes. Con un voltaje extemo aplicado a tra-
daiio debido a la carga estatica.
ves del canal (positivo de drenaje a fuente), se
crea la conduccion. El canal N contiene portado-
Informacion preliminar
res de corriente por 10 que el dispositivo normal-
mente esta encendido. El canal puede empobre-
El transistor de eJecto de camfX> metal-oxido-
cer-se de portadores de corriente mediante un vol-
semiconductor (MOSFET) es un paso mas 'adelan-
taje negativo en la compuerta. Las cargas iguales
te del transistor de efecto de campo de union
se repelen, por 10 que los electrones del canal
OFET). Ya que hay una corriente minima de
pueden desplazarse por la compuerta negativa. En
compuerta en un transistor de efecto de campo, efecto, si la compuerta se hace suficientemente
es posible aislar el electrodo de la compuerta del negativa, el canal puede estrangularse de tvJas sus
canal. El aislante tiene la forma de un oxido ge-
portadoras y la corriente de drenaje decae a cero.
neralmente bioxido de silicio (5i02). A este tipo A este modo de operacioil se Ie conoce como
de transistor (MOSFET) tambien se Ie conoce
modo de empobrecimiento. El canal normalmente
como transistor de efecto de campo de Ciompuer-
es conductor pero aplicando suficiente polariza-
ta aislada (IGFET).
cion de compuerta puede quedar estrangulado sin
sus portadores.
La figura 8-1 muestra la construccion de un MOS-
FET tipico de canal N. La compuerta es un elec- ,
trodo met3.lico colocado sobre el canal. La com- La corriente de compuerta £luye si se polariza di-
puerta no hace contacto con el canal debido a rectamente el diodo de canal de compuerta de un
una capa de 5i02 , un material semejante al vidrio JFET.o El MOSFET no necesita tener un diodo de
con excelentes propiedades de aislantt. EI canal compuerta, 10 que no constituye un problema.
es continuo de fuente a drenaje y esta incrustado Esto se utiliza en el modo de operacion de realce,
en un material de base semiconductora "dopado" que significa que la terminal de compuerta se uti-
opuestamente y que se conace como sustr~to. liza para mejorar la conductividad del canal. Los
FETs en modo de enriquecimiento normalmente
La figura 8-1 tambien muestra el simbolo esque- son dispositivos apagados. Se pueden encender
matico del MOSFET de canal N. La direccion de aplicando suficiente polarizacion directa a la ter-
la flecha en la punta del substrato muestra que el minal de la compuerta.
dispositivo tiene un canal N. Un dispositivo de ca-
nal P se representa haciendo que la £lecha apunte
Algunos' MOSFETs pueden funcionar tanto en el
en la direccion opuesta. La terminal del sustrato
modo de empobrecimiento como en el de enri-
puede sacarse del encapsulado mediante una pun-
quecimiento. Tienen un canal completo y normal-
0 mente estan encendidos. Se puede variar la con-
ductividad del canal mediante la magnitud y pola-
G~Sustratol
ridad adecuadas del voltaje de compuerta. El es-
s
Sustrato
pesor del canal determina si el dispositivo tiene
Simbolo de
Mosfet de ambas caracteristicas de empobrecimiehto y enri-
canal N en quecimiento. Para este tipo de dispositivo normal-
modo de
empobrecimiento mente se utiliza el diagrama esquematico del
Fig. 8-1 modo de empobrecimiento.
.
.
41
T1tln,iltores th efecto de campo

0
Metaly--\ control multiple. Por 10 general se muestran dos
Fuente...Compuer.tarDrenaje compuertas scparadas en el simbolo esquematico.
.~ "'''''to
s
Canal N ~imbolode En el JFET de canal N, la polarizaci6n inversa del
inducido. Mosfet de
(Sustrato) canal N en diodo de compuerta imp ide la corrientc de com-
modo de puerta. En el MOSFET, cl oxido aislante imp ide
Fig. 8-2 enriquecimiento
la corriente de compuerta (aunque no es raro
tener una corriente de compuerta en el rango de
picoamperes ,a nanoamperes). El aislante es mu-
La figura 8-2 muestra los detalles de un MOSFET cho mas perfecto que el diodo y la impedancia de
de tipo de enriquecimiento canal N. No hay un entrada del MOSFET puede llegar hasta a un mi-
canal N completo desde la terminal de fuente a la 110n de megohms. La estructura de compuerta de
terminal de drenaje. Si se conecta una fuente de MOSFET tambicn tiene la ventaja de una capaci-
voltaje externo a traves de la fuente y drenaje tancia mas baj~ de entrada. La menor capacitan-
habra poca 0 ningu~a conduccion. Este es un dis- cia del MOSFET mejora su funcionamiento a al-
positivo .rtormalmente apagado. Sin. embargo, se tas frecuencias. .
puede .inducir un canal N aplicando la carga apro-
pi~da a la terminal de la compuerta. Si se hace Una dificultad con los MOSFETs es el peligro de
positiva 1a compuerta con respecto a la fuente, se dano a la compuerta debido a la pcrforacion. La
atraen las portadoras de tipo N hacia laregion delgada capa de bioxido de silicio puede perfo-
bajo el electro do de la compuerta. Este canal N rarse en presencia de campos electricos estaticos.
inducido mantiene el flujo de corriente y el dis- Las cargas estaticas, no se drenan debido a la
positivo conducira. impedancia de entrada extremadamente alta y
pueden acumularse hasta el punto de que ocurra
ruptura de compuerta, 10 que perfora el aislante.
. En la figura 8.2 tambien aparece el simb6lo es. de oxido yde.struye el dispositivo. Para impedir
quematico para el FET de modo de enriqueci- que s-uceda eso, ahora se fabrican unos MOSFETs
miento canal N. Note que el canal esta formado con una proteccion de diodo Zener interno entre
por guiones 0 una linea interrumpida, 10 que sig- la compuerta y la fuente, 10 que naturalmente
nifica que -no esta completo y que el dispositivo sacrifica parte de la extremadamente alta impe-
normalmente esta apagado hasta que se aplica el dancia de entrada del dispositivo. Los MOSFETs
voltaje adecuado de compuerta. Un dispositivo de no protegidos deben manejarse con cuidado. Du-
canal P tendria la flecha del sustrato apuntando ran~e su transportacion y manejo se deben poner
en la direccion opuesta. Con frecuencia se aco- sus puntas en corto. El material para poner en corto
plan los dispositivos de enriquecimiento del tipo P \ !as puntas debe quitarse solo despues de conec-
con los dispositivos de enriquecimiento de tipo tar el dispositivo al circuito 0 dispositivo de
N en un arreglo complementario que se conoce prueba.
como CMOS. Los dispositivos CMOS se caracte-
rizan por su uso muy eficiente de la fuente de Lecturas complementarias
energia.
Para mayor informacion sobre el tema, consulte
Algunos MOSFET tienen dos compuertas sepa- la bibliograHa al final de este capitulo.
radas y cUalquiera 0 ambas pueden controlar la
corriente del canal. A este, tipo del MOSFET se Equipo y materiales \

conoce como MOSFET de doble compuerta. Dos


compuertas por separado perrniten efectos espe- Fuente de energia O-lOVca
dales 0 que un MOSFET realice funciones de Fuente de energia 0-2Vcd, 5mA

42

....
- --- -
Transistor.! de .f.cto de ernIf,'"

YOM electronico 28
Osciloscopio - 24
Sistema de capacitacion en electronica ,
CR1 Diodo de silicio, 1N4004 120
(21 -
MOSFET, canal N, protegido en £116
at
compuerta, 40841 i

R1 -lMn, lW '~ 12
"0 .
R2
.

- 47n, lW II
c 8
at
Tablero universal K, para e~perimentos 'E 4
8
Objetivo A. Mostrar y medir la caracteristica de 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
polaftzacion cero de un transistor de efecto de Voltaje drenaje-fuente vcs (volts)
campo metal-oxido-semiconductor.
Fig. 8-4
CI 1. a) Conecte el circuito mostrado en la figura
0 e) Conecte el osciloscopio al circuito como
8-S. Para impedirdaiio al MOSFET, todavia no
aplique energia electrica. se muestra en Ia. figura 8.3. Use la punta multipli-
cadora XI0 en la entrada vertical. La onda debe
NOTA: EI MOSFET 40841 es de tipo de com- parecer semejante a la CUIva de polarizacion cero
puma doble. Las compuertas se conectan entre 51 del JFET registrada en el'experimento anterior.
en CIte experimento de laboratorio para simular 0 f) Dibuje la onda del osciloscopio en 1.
un dispositivo de compuerta simple. En un expe- grafica de la figura 8.4. El eje de la coniente Ie
rimento. posterior se exploran las caracteristicas deduce utilizando la ley de Ohm. EI aniplificador
de Ia compuerta doble del dispositivo. vertical se ajusto a O.02V/cm 10 que queda como
0.2V/cm con una punta de lOX. I = EfR. .
0 b) Utilice la entrada horizontal externa y la
sei\al de prueba calibrada y calibre el amplificador
horizontal del osciloscopio para 2.5V /cm como
0.2/47 = 4mA/cm. El eje horizontal se calibre.
para 2.5 V/cm. Senale esta curva como VGS
OVcd.
.
en los experimentos anteriores. 0 g) Indique 5i el MOSFET presenta una re-
CI c) Ajuste el osciloscopio para de flexion ver- ~6n ohmica a valores baj05 de VDS semejante aI
tical de 0.02V/cm. JFET .
CI d) Ajuste el voltaje VDD de drenaje de la
0 h) Indique 5i el MOSFET presenta una re-
fuente de ca variable a 10 volts (rms). EI diodo
gion de corriente constante a valores de VDS m.
CRI permite que solo se aplique la altemacion
alia de Vp en fonna semejante al JFET.
pOlitiva del voltaje de ca entre el drenaje y la
fuente del MOSFET. 0 i) Lea IDS S de la curva generada en eI
paso f).
CR1

IDss = .--............
HOAI

0 j) Apague la fuente de energia.


AI osciloscopio
VERT J 'V) ~o:ca
Objetivo B. Mostrar y mc:dir las caracterutiC81
R2
4711 del modo de empobrecimiento de un transistor'"
efecto de campo metal-6xido-semiconductor.
':'
0 2. a) Modifique su circuito como se muatra
Fig. 8-3 en la figura 8-5.

. 43 .(
i
/ Thutlllto..., d.-'uto ,. CtI.PO
I

I CR'
0 b) Ajuste el YOM al rango de 0.5 votted y
NOR' cuidadosarnente ajuste la fuente de energia de cd
AI hasta que VGS = +0.5 volts.
ociiOlCopio 0 c) Registre la curva que aparece en la pan-
VERT
']
'V > t=- talla del osciloscopio utilizando la grafica de la
figura 8 4. Marque esta curva como VGS =
+ +0.5Ved.
0 d) Aumente el rango del YOM Y ajuste la
fuente de energia de manera que VG S = 1.0 volt.
Fit. 8..6 Registre y marque la curva.

0 b) Ajuste el voltaje de la fuente de drenaje 28


de ca variable a 10 volts (nns).
24
0 c) .Use el rango de 0.5 volt cd en 'el YOM y
ajuste la fuente variable de cd hata que VGS = <
.5 20
-0.,2
0
volts.
d) En la figura 8-4, registre la curva q\le
/'
.
916
';r
i 12
VGS=+1.5Vcd
I .1
VGS-+1Vcd
I
aparece en la pantalla del osciloscopio. A esta I,ll
curva identifiquela como VGS = -0.2 volts cd.
.0
a 8
/ VGS=+O.5Vcd
I
! b
'

0 e) lQue sucede ala corriente ID de drenaje ,I VGS


IT
al hacer neg-citivaa la compuerta? ~ 4 y VGS=-o.2Vcd
-j II

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
''''''''''''''''''''''''''''
Voltaje de drenaje.fuente VDS (volts)

0 f) l Con cu31 modo de la operacion del Fig. 8-6


FET se relaciona oeste?'

.n ' , , ....... CJ e) Ajuste la fuente. de energia para VG-S =


+ 1.5 volts.' Registre y marque la curva.
El modo de empobrecimiento. 0 f) Compare su familia de curvas caraete-
ristic~ contra la figura 8-6. De margen para am-
0 g) Lentamente aumente la polarizaci6n nee plias variaciones entre los MOSFETs del mismo
gativa de cd hasta q\1e la corriente de drenaje cai- tipo.
ga a cero (ninguna deflexi6h'vertical en el oscilos- 0 g) lQue sucede cuando VG S se hace po-
copio). Tendri que aumentar el rango del YOM. sitivo \

Mida VGS .en el estrangulamiento:


"... ',"','-',"".",

v, (VQ~J:;:"''''0;'''''''''''' Vccl '~,'" ''';':.:~'~r ~


:',':T!Y'/ ,', \ ,":

ObjetivoC. 'MOs~ i"m~di;' las caracteristicas


del modode~J'IIiqu~ciJlijento de un nansistor de 0 h) lQue modo de operacion repr.es~ta,
esto?
cfecto de cani~ metaI-6xid9-scmiconductor. "

,",''-

0 3.a) Refi~~ase,. ,'.. la:0"'fi~a.'8-5 e' invierta la .


polaridad delafuente,"'decden el circuito de ,
compuem del ¥()SFE!- Tambien invierta la po- 0 i) lLos JFETs operan en el modo de::pri:
laridad del VOM~" "
quecimiento? . ",:~ /'

44
w
I
'Trtlnsi.tDreI d, ,tectO d, campo

Resumen a la conclusion de que el MOSFET de canal N


estaba funcionando en e1 modo de empobreci-
miento bajo estas condiciones. Tambien midio el
En este experimento de lab oratorio se familiarizo voltaje de estrangwamiento. Finalmente, aplico
con el transistor de eJecto de campo metal-ox;- un voltaje positivo a la compuerta. Vio que 1a co-
do-semiconductor (MOSFET). Primero midio la rriente de drenaje crece al aUlDentar VGS en la
corriente de drenaje con polarizacion cero de direccion positiva. Determino que la conduccion
compuerta bajo condiciones dimimicas. Grafico de canal se aumenta por elV Gs positivo y Uego a
una curva caracteristica y encontro que el MOS- la conclusion de que el MOSFET de canal N fun-
FET tiene una region ohmica y una I:egion de cionaba en el modo de enriquecimiento. Grafico
corriente constante semejante a un J}o'ET. Luego una familia de c:urvas caracteristicas para los dis-
aplico un voltaje negativo a la compuerta. Vio tintos valores de VGs. V~rific6 que debido a Ja
q~e la corrie~ite de drenaje disminuye al aumentar compuerta aislada, se puede construir el MOSFET
VG S en direccion negativa. Detennino que eso se para que tenga caracteristicas por igual de modo
debe a que el canal se agpta de electrones. Uego de enriquecimiento yempobrecimiento.

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