TEMA 6.

CIRCUITOS CON DIODOS

D. MIGUEL NGEL ZAMORA IZQUIERDO D. GERMN VILLALBA MADRID 1

CIRCUITOS CON DIODOS

ndice

ndice.
Introduccin Conceptosbsicosdesemiconductores. Conceptos bsicos de semiconductores Uninpn.Polarizaciones. Eldiodo.Modelos.Tipos. Circuitosrectificadores. Circuitosrecortadores. iodos ener o diodos de avalancha. DiodosZenerodiodosdeavalancha.

Introduccin

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Introduccin

Eldiodoeseldispositivoelectrnicomssimple.Esunsemiconductorde ld d ld l l d d dosterminales(nodo yCtodo)queofreceunabajaresistenciadel ordendelosmenunapolarizacinydelordendelosGenlaotra.Esto loconvierteenuncomponenteadecuadocomorectificador. Eldiodoexhibeunarelacinnolineal entrelatensinentresus El diodo exhibe una relacin no lineal entre la tensin entre sus terminalesylacorrientequecirculaporl. Losdiodospermitendesarrollarcircuitoscondistintasaplicaciones, destacandolarectificacin,encualquieradesusvariantes.

Conceptos bsicos de semiconductores

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Conceptos bsicos de semiconductores intrnsecos

Materialesvlidosparalafabricacindedispositivoselectrnicosde M t i l lid l f b i i d di iti l t i d estadoslido:silicio,germanioyarseniurodegalio. SemiconductorIntrnseco (puro)

Cadapardetomosformaunenlacecovalenteconcadaunodeloscuatro tomoscercanos(disposicintetradrica).Electronesdelacapadevalencia (grupo4). A 0 K A0K,noexistenelectroneslibres. i l lib A300K,loselectroneslibrespermitenflujodeunacorrientesiseaplicauna ddp.(TienemayorRqueunconductorelctrico). C Concentracindehuecos(np)igualaconcentracindeelectroneslibres(ni) t i d h ( )i l t i d l t lib ( i) enunmaterialpuro. Ambostiposdeportadorescontribuyenalflujodecorriente. G Generacin:amayortemperatura,mayorvelocidaddegeneracinde i t t l id d d i d electroneslibresyhuecos(energatrmica). Recombinacin:elhuecoyelelectrnlibresecombinanformandounenlace covalente. covalente LaconductividaddeunsemiconductorintrnsecoaumentaconlaT.
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Conceptos bsicos de semiconductores extrnsecos

SemiconductorExtrnseco (i S i d t E t (impurificado) ifi d )

TipoN:impurezasdonantesdeelectrones.Portadoresmayoritarios(electrones); Portadoresminoritarios(huecos). nconcentracindeelectrones. i d l pconcentracindehuecos D Ndconcentracintomosdonantes. TipoP:impurezasaceptadorasdeelectrones(aportanhuecos).Portadoresmayoritarios (huecos);Minoritarios(electrones). Naconcentracintomosaceptadores A

n = p+ N

N +n= p

Lacarganetaessiemprecero.

Unin pn Polarizaciones

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Unin pn NO Polarizada

UninPNnoPolarizada l d
Unauninpn consisteenunnicocristalsemiconductoralcualselehanaadido impurezasdemaneraqueseobtieneunzonapyotran. Siestuvieraformadopordoscristalesindependientes,antesdeconformarfsicamente launin,setendraunadistribucindeportadoressegnseindicaenlafigura. Elelevadogradientedeconcentracinhuecoelectrnalolargodelaunin,iniciaun procesodedifusin,creandounazonadecargaespacial enlazonadeunin. proceso de difusin creando una zona de carga espacial en la zona de unin

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Difusin de Portadores en unin NO Polarizada

La L zona de carga espacial surge por la difusin de portadores mayoritarios d i l l dif i d t d it i desde las zonas de mayor a menor concentracin. El efecto principal del campo elctrico de la zona de carga espacial es una p p p g p barrera de potencial que impide la circulacin de electrones. Por tanto se opone a que contine la difusin.

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Unin pn en Polarizacin INVERSA

Un diodo est inversamente polarizado si la tensin Un polarizado, aplicada aumenta la zona de carga espacial. Los portadores mayoritarios son atrados por cada uno de los terminales del generador. Si la tensin externa inversa es mayor de unas dcimas de voltio, la corriente de los portadores mayoritarios se reduce casi a cero. y

As,lacorrienteinversaestarformadaporlosportadoresminoritarios, q quealsermuypocos,dalugaraunacorrientepequea,eindependiente yp , g p q , p delvalordelatensininversaaplicada. Sinembargo,aldependerlaconcentracindelosportadoresminoritarios delageneracintrmica,amedidaqueaumentesta,tambin de la generacin trmica a medida que aumente sta tambin aumentarelvalordelacorrienteinversa. Silatensininversaessuficientementealta,elcampoelctricoescapaz deromperlosenlacescovalentes,loqueproduceunagrancantidadde pareshuecoelectrn,yportanto,ungranflujodecorrienteinversa. 11

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Unin pn en Polarizacin DIRECTA

La polarizacin directa se opone al La campo elctrico existente en la zona de carga espacial. La zona de carga espacial se estrecha, La permitiendo el flujo de portadores mayoritarios por la unin. Los electrones pasan desde la zona n a p la p, donde pasan a ser minoritarios, y se difunden combinndose con los huecos existentes en p. La corriente total corresponde a la suma de la corriente debida a los huecos, huecos y la debida a los electrones. electrones A mayor distancia en cada una de las zonas desde la unin, la corriente predominante corresponde a los huecos en la zona p, y a los electrones en la zona n. n
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El Diodo. Modelos. Tipos

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Diodo Real Caractersticas Real. Caractersticas.

Caractersticadeldiodo.
Poseedosterminales(nodoyCtodo). PolarizacinDIRECTA:
SiVdes>0voltios.

PolarizacinINVERSA:
SiVd<0voltios.

EnDirectalacorrientefluyeconfacilidad. En Directa la corriente fluye con facilidad EnInversa,alalcanzarlareginderuptura ozonadeavalancha,elflujodecorrientees elevadosiempreycuandonoseexcedala potenciamximadedisipacin. i i d di i i Designacincaractersticas:
Vr:tensininversa. If(av):corrientemediadirecta. If(av): corriente media directa If(rms):corrienteeficazdirecta Vf:cadadetensindirecta.

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Diodo Real Ecuacin del Diodo Real. Diodo.

Laecuacindeldiodo(ecuacindeShockley)es: L i d l di d ( i d Sh kl ) iD = I S (e vD / nVT 1) Donde: Latensintrmicaes VT = k T / q Is eslacorrientedesaturacininversa. n eselcoeficientedeemisinentre1y2. Enlaregindepolarizacindirecta,losdiodosdeSidepequeaseal En la regin de polarizacin directa los diodos de Si de pequea seal conducenmuypocacorriente(menosde1mA)hastaqueseaplicauna tensinde0,6a0,7voltios(atemperaturaambiente). Apartirdedichatensin(Vumbral) l A ti d di h t i (V ),lacorrienteincrementarpidamentea i t i t id t pequeosaumentosdetensin. LarespuestadeldiododeSiavariacionesdetemperatura esde aproximadamente2mV/K. i d 2 V/K Enlaregininversa lacorrienteesaproximadamentede1nA.SiT aumenta,tambinaumentalaI. Enlazonaderuptura,lacorrienteaumentarpidamente.Existendiodos especialesparatrabajarendichazona(diodosZener). 15

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Diodo Ideal

Es un modelo til que permite simplificar el anlisis por medio de las siguientes aproximaciones:
En polarizacin directa, el diodo acta En como un cortocircuito. (R = 0 ohmios). En polarizacin inversa, el diodo se comporta como un circuito abierto. (R = i fi it ) infinito)

En la Fig. , se representa la caracterstica i - v de un diodo ideal. Obsrvese, Obsrvese que en este modelo no existe una tensin umbral en directa necesaria para el inicio de la conduccin de corriente corriente. En el anlisis con diodos ideales, primero se supondr cuales estn en corte y en conduccin. Posteriormente, si id es positiva en los diodos en conduccin, y Vd negativa en los supuestamente en corte, la suposicin d i i l l i i inicial ser correcta.
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Modelo Completo del Diodo Diodo.

Enestemodelo,sesustituyeeldiodoporundiodoideal,enserie conunafuentedetensindevalorlatensinumbral,yla resistenciaendirecta. resistencia en directa.

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Otros Tipos de Diodos. Diodos

DiodosLED ( i h i d (LightEmiterDiode DiodoEmisordeLuz) i i d i d i d )

EldiodoLEDesuntipoespecialdediodo,quetrabajacomoundiodocomn,peroque alseratravesadoporunacorrienteemiteluzproporcionalmentealacantidadde corrientequecircula. corriente que circula Existendiodosqueemitenluzdediferenteslongituddeondasegnelmaterialdelque estnconstruidos.ExistendiodosledRojos,Amarillos,Verde,AmbareInfrarrojos. La cada de tensin en directa est en el rango de 1 5 voltios a 2 2 voltios Lacadadetensinendirectaestenelrangode1,5voltiosa2,2voltios, aproximadamente.

Fotodiodos
Realiza la funcin inversa al LED RealizalafuncininversaalLED. Sisepolarizaeninversa,yrecibeenergaluminosa,lacantidaddecorrienteinversaser proporcionalalaintensidadincidente.(Esdebidaalospareshuecoelectrngenerados p porlosfotones). )

DiodoSchottky
Seusanenaplicacionesdealtafrecuenciayconmutacinrpida.

DiodoZener Diodo Zener

Trabajanenlazonaderupturainversa.
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Circuitos Rectificadores

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Circuitos Rectificadores

Generalidades ld d
CircuitosRectificadores:conviertenlacorrientealternaencorrientecontinua (unidireccional).TambinseconocecomoconvertidorACDC Tipos:
Rectificadoresdemediaonda Rectificadoresdeondacompleta Con trafo de toma intermedia (dos diodos) Contrafo detomaintermedia(dosdiodos). Conpuentedediodos(cuatrodiodos).

ConceptosbsicosdeTransformadoresIdeales
Trafo Trafo contomaintermedia

RelacinVmax &Vef

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Circuitos Rectificadores

RectificadordeMediaOnda f d d d d

0 Cuandolatensinespositiva(intervalo t ),eldiodoseencuentra polarizadoendirecta,yconducirlacorriente(cadade0.7V). Cuandolatensinesnegativa,eldiodosepolarizainversamente,nodejandopasar corriente.Enesteintervaloeldiodosoportalatensininversaimpuestaporlaentrada. Aplicandola2LeydeKirchhoff,alosdoscasosanteriores,seobtiene:

E di t Endirecta,prcticamentelacadadetensindelaalimentacinestenbornesdelacarga. ti t l d d t i d l li t i t b d l Eninversa,lacadadetensinlaacaparaeldiodopornocircularcorriente.

Diodo ideal 0,7 V Vmsen ( t) Diodo real

(a) Diagrama del circuito

(b) Tensin de la fuente en funcin del tiempo

(c) Tensin de la carga 21 en funcin del tiempo

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Circuitos Rectificadores

ValoresrepresentativosenunrectificadordeMediaOnda
Latensindeentradaessenoidal segn: vS = Vm sen t Elvalormediodelatensin Vo(dc)seobtienerealizandolaintegral:
La corriente media para una carga resistiva R se obtiene por la Ley de LacorrientemediaparaunacargaresistivaR,seobtieneporlaLeyde Ohm. Elvalordelatensineficaz (rms)ser:
0 0

VO ( DC )

1 = 2

1 vO d (t ) = 2

Vm sen t d (t ) =

Vm

= 0,318Vm

VO ( rms )

1 = 2

2 Vm sen 2t d (t ) =

Vm = 0,5Vm 2

La frecuencia de salida es igual a la de entrada Lafrecuenciadesalidaesigualaladeentrada

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Circuitos Rectificadores

Rectificador de Onda Completa con Trafo de toma intermedia

Consiste en dos rectificadores de media onda con fuentes de tensin desfasadas 180 . 180. El trafo asla (respecto de tierra) a la carga de la corriente alterna de entrada. Durante el ciclo positivo, conduce el di d A D t l i l iti d l diodo A; durante el ciclo negativo, el diodo B conduce rectificando la seal. Voltaje medio o de continua:

VO ( DC ) =
Frecuencia de salida

2Vm

f out = 2 f in
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Circuitos Rectificadores

RectificadordeOndaCompletaconPuentedeDiodos. f d d d l d d
Ciclopositivodelaentrada,losdiodosAyBconducen. Ciclonegativodelaentrada,losdiodosDyCconducen.

Valormedio

VO ( DC ) = 2Vm /

Frecuenciadesalida

f out = 2 f in

LaconfiguracinenPuenteofrecelassiguientesventajas: Elvalordelcondensadorparaunciertorizado,eslamitad;conlocualsereduceel tamaoyelpreciodelsistema. Lacorrientesoportadaporcadadiodoesaproximadamentelamitadqueparaelde mediaonda,reduciendoaselespacioocupadoporlosdiodosyelcostedeldiseo.

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Circuitos Rectificadores

Filtradodelasealpulsanteconcondensadora laentrada
Elcondensadorpermiteelpasodebajasfrecuenciashaciala carga,eimpideelpasodelasaltasfrecuencias.(FiltroPaso Bajo). B j ) Eldiodosloconducircuandolatensindeentradasea superioralatensinmantenidaporC. MientraslaconstantedetiempoRloadCseamuchomayorqueel periodo,elcondensadorpermanececasitotalmentecargadoy latensinenlacargaesaproximadamenteVm Seobtieneunacomponentecontinua,ysobreella,una p , y p componentealterna,cuyovalorderizadomximodependedel filtro, Elvalordelrizadoser:

Q = Vr C , Q = I T Vr = I / FC
yenvaloreficaz,elrizadoes:

Vr ( ef ) =

I 2 2CF
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siendoF=fin (Hz)enm.o.y2fin eno.c.yp.d.

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Circuitos Rectificadores

VoltajedePicoInversa
SiVpeslatensinmximaenelsecundariodel v2 = V p sen t transformador(),elVPIparacadacaso ser: a) MediaondaconCalaentrada

VPI = 2V p
b) OndacompletaconCalaentrada

VPI = V p
c) PuentedediodosconCalaentrada

VPI = V p

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Circuitos Recortadores

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Circuitos Recortadores

Loscircuitosrecortadoressonaquellosque recortanunaporcindelasealde entrada. Enelejemplo,silatensindeentradaes En el ejemplo si la tensin de entrada es superiora6v,oinferiora9v,recortaa dichosvaloreslasealdesalida.

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Diodos Zener

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Diodos Zener o Diodos de Avalancha

Trabajanenlazonaderuptura j p inversa.Dostipos:
Rupturadeavalancha(Aprox.Vz<=5v). Rupturazener(Aprox.Vz>5v).

Seusanparamantenerconstantela tensinenunpunto. t i t Caractersticasdeldiodozener:

18 1.8v<Vz<200v(comercialmente) V 200 ( i l t ) Pmax:potenciamximadeldiodo zener. Izmin:intensidadmnimaquepolariza elzenereninversa. I Izmax:Pmax/Vz P /V
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Diodos Zener o Diodos de Avalancha

ModelodeundiodoZener
Enestemodelo,sesustituyeelzenerpordosdiodosidealesenparalelo, incluyendoenlaramainversaunafuentedetensinconvalorlatensin incl endo en la rama in ersa na f ente de tensin con alor la tensin zener. SelepuedeincluirenserieunaRz.

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Diodos Zener o Diodos de Avalancha

Estabilizacin de la Tensin de salida mediante Zener EstabilizacindelaTensindesalidamedianteZener

Losreguladoresdetensinseutilizanparasuministrarunatensin constantealacarga,aunquefluctelatensindealimentacin. g , q

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Diodos Zener o Diodos de Avalancha

Caractersticas Zener: CaractersticasZener:

Vz:tensinzener Izk:intensidadzenermnimaparasuperarlarodilladelacaractersticay manteneraslaVz Izt:intensidaddeprueba. I Izm:intensidadzenermxima. i t id d i

PolarizacinyclculodeR(valorhmicoypotencia). Clculo de la Rcmin ClculodelaRcmin. ClculodelaVinmximaymnimaparaRdado.

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Bibliografa

Hambley A R ELECTRONICA.PearsonEducacinS.A.Madrid Hambley,A.R., ELECTRONICA Pearson Educacin S A Madrid 2.0012Edicin Malvino,A.P.,PrincipiosdeElectrnica.McGrawHill2002. ZamoraM.A.yVillalbaG.ProblemasdeelectrnicaconOrcad PspiceUniversidaddeMurcia,2004. p , Benlloch,JoseV., Problemasresueltosdeelectronica Benlloch,JoseV.,Problemasresueltosdeelectronica UniversidaddeValencia.

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