Implementacin de prcticas de laboratorio de control automtico: diseo del mdulo de linealizacin de un diodo semiconductor.

Andrea Balczar#1, Andrea Maza#1, Jorge L. Jaramillo#2

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Profesional en formacin, EET, Universidad Tcnica Particular de Loja #2 Docente, EET, Universidad Tcnica Particular de Loja Loja, Ecuador
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avbalcazar@utpl.edu.ec,1ajmazax@utpl.edu.ec,2jorgeluis@utpl.edu.ec

Resumen Este trabajo presenta los resultados obtenidos al disear e implementar una prctica de laboratorio para el curso de teora del control automtico, dedicada a la linealizacin de un sistema de control automtico, en el ejemplo del estudio de la caracterizacin volto-amperica del diodo semiconductor de silicio. Con la ayuda de software especializado, se analiza la curva de trabajo del mismo. Palabras claves Linealizacin de sistemas de control automtico, diodo semiconductor.

Como normalmente un sistema de control opera en las cercanas de un equilibrio, se hace una linealizacin alrededor de este equilibrio, la misma que puede realizar de forma grfica o analtica. El resultado es un modelo lineal, mucho ms simple, pero adecuado para el diseo de control. Para sistemas ms complejos, es decir cuando existen varias no linealidades el modelo es complicado y es de mayor utilidad emplear un desarrollo en serie de Taylor alrededor de un punto de equilibrio. II. GENERALIDADES DEL DIODO SEMICONDUCTOR. A. Introduccin. El diodo es uno de los elementos ms sencillos de circuito no lineales, posee dos terminales en los que nos referiremos nodo y ctodo, donde se hace una unin de semiconductores; uno es tipo n que se encuentra dopado con exceso de electrones libres, mientras que el otro es tipo p corresponde a un dopado con aumento de huecos, producindose as un desplazamiento de portadores por difusin de una regin a la otra, hasta llegar a un equilibrio en donde se forma una zona de deplexin la cual tiene asociada una diferencia de potencial de contacto. Una vez alcanzado el equilibrio (Ver Fig.1), los portadores deben vencer esa diferencia de potencial para poder desplazarse [2].

I. INTRODUCCIN La mayora de los sistemas fsicos no son perfectamente lineales. Sin embargo bajo ciertas suposiciones, casi siempre puede obtenerse un modelo lineal, que es un compromiso entre la simplicidad del modelo matemtico y la precisin de los resultados que se obtienen con l. [1] El procedimiento que se adopta comnmente para resolver un problema nuevo es: primero construir un modelo simplificado, que sea tan lineal como sea posible, para obtener una idea aproximada de la respuesta dinmica del sistema. En una segunda fase se completara el modelo para hacer un anlisis ms preciso y que se aproxime al comportamiento lineal. [1] Un sistema o ecuacin no lineal se puede linealizar suponiendo que las perturbaciones (cambios) de las variables dependientes, respecto a sus valores en una condicin de equilibrio permanente o estacionaria arbitraria, son lo suficientemente pequeos para que los productos y potencias de las variables perturbadas y sus derivadas puedan despreciarse. [1]

consiste en aplicar tensiones (o intensidades), y medir las correspondientes intensidades (o tensiones), tal como se describe a continuacin [5]. Construimos el circuito, tal como indicamos en la siguiente figura (Ver fig. 2), el mismo que consta de una fuente de tensin de DC cuyo valor pueda ser modificado por el usuario, un voltmetro y un ampermetro, un diodo 1N4007, y la resistencia de 2K.

Fig. 1. Unin PN en equilibrio. Tomado de [4] Los diodos se fabrican con materiales semiconductores, tales como el silicio, Si, Germanio, Ge o Arseniuro de Galio, GaAs. 1. Polarizacin directa

Con polarizacin directa se fue variando la tensin VIN y se tomaron las lecturas de corriente y tensin (I y V) para los valores que se muestran en la tabla I.
Tabla I. Valores para polarizacin directa.

Debido a que la tensin en la zona n es mayor que en la zona p se necesitar de una tensin externa, con el positivo en la zona p y el negativo en la n, para vencer esta diferencia de potencial y permitir el flujo de corriente desde la zona p a la n. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de deplexin. 2. Polarizacin inversa.

VIN (V) 0 0,2 0,4 0,8 1,2 1,6 2 2,4 2,8 3,2 3,6 4 4,4 4,8 5,2

V (V) 0 0,2 0,4 0,5 0,53 0,55 0,56 0,58 0,59 0,6 0,6 0,61 0,61 0,62 0,62

I (mA) 0 0 0 0,13 0,3 0,48 0,66 0,83 1,02 1,2 1,38 1,59 1,78 1,96 2,11

Para obtener la polarizacin inversa de un diodo PN se aplica una tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de deplexin. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula. B. Curva Caracterstica del Diodo 1N4007. Para el diodo de unin, la relacin entre tensin e intensidad se puede obtener mediante el anlisis y la formulacin de las ecuaciones que rigen el movimiento de las cargas en el interior del dispositivo. Sin embargo, tambin se lo puede hacer, recurriendo a un procedimiento experimental para obtener las curvas caractersticas. [5] Una vez obtenidas las caractersticas en forma grfica, siempre es posible usar tcnicas matemticas de aproximacin para obtener una frmula cuya representacin sea lo ms cercana posible a la curva obtenida experimentalmente. Existen varios instrumentos especialmente concebidos para extraer curvas caractersticas de resistores con gran precisin. Pero bsicamente, el principio de funcionamiento de estos instrumentos

Con polarizacin inversa se fue variando la tensin VIN y se tomaron las lecturas de corriente y tensin (I y V) para los valores que se muestran en la tabla II.

Tabla II. Valores para polarizacin inversa

VIN (V) 0 2 4 6 8 10 12 14

I (A) 0 -0,5 -0,7 -0,9 -1 -1,2 -1,4 -1,6

V (V) 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 III. LINEALIZACIN POR TRAMOS DE LA CURVA

CARACTERSTICA

Al aproximar la curva caractersticas del diodo a una recta, se tiene un representacin muy pobre del sistema, en cambio al linealizar por tramos, se obtiene una representacin ms completa del comportamiento del diodo [6]. Clculo de los componentes. Para linealizar se utilizan diodos ideales, resistencias y bateras. La primera linealizacin es del origen al punto V1, I1 y se constituye con los siguientes elementos; diodo ideal D1, que permite slo el paso de voltaje positivo y una resistencia R1 que da la pendiente del tramo. La resistencia se calcula con la siguiente expresin:

Con los valores obtenidos, los cuales fueron mostrados en las tablas I y II, se grafic la curva voltoamprica del diodo estudiado, dando los resultados que se muestran en las siguientes grficas (Ver fig. 3,4).

2.5 2 1.5 I (mA) 1 0.5 0 0 -0.5 0.2 0.4 V (Voltios)

Fig.3. Curva Caracterstica en polarizacin directa. Elaborado por las autoras

La segunda rama se conecta en paralelo y consta de un diodo ideal D2 que permite solo el funcionamiento en la parte positiva, una resistencia R2 que en paralelo con R1 da la pendiente del tramo y una batera VIN que conecta la rama en el voltaje apropiado (Ver Fig. respectiva). 0.6 0.8 El valor de VIN es igual a V1. La resistencia total RT1 se calcula con la siguiente ecuacin.

0 -15 I ()mA -10 -5 -0.5 -1 -1.5 V (Voltios) -2 0

Se considera para el clculo de R2, la R1 porque la primera rama sigue conectada al circuito entonces quedan en paralelo R1 y R2, tal como indicamos en la siguiente expresin.

La tercera rama se conecta en paralelo a las anteriores (Ver fig. respectiva). Se constituye por un diodo ideal D3 que permite solo el funcionamiento en la parte negativa (se desconectan las dos primeras ramas) y una resistencia R3 con la pendiente del tramo.

Fig.4. Curva Caracterstica en polarizacin inversa. Elaborado por las autoras

La resistencia R3 se calcula tal como indicamos en la siguiente expresin.

[5] diodos.pdf [6]

La ltima rama se conecta tambin en paralelo y se presenta completo el circuito de linealizacin por tramos a continuacin (ver Fig. respectiva). Contiene un diodo ideal D4 que permite slo el funcionamiento en la parte negativa, una resistencia R 4 que en paralelo con R3 da la pendiente del tramo, y una batera VIN2 que es igual a V3. La resistencia RT2 en este tramo se expresa mediante la siguiente ecuacin.

http://books.google.com.ec/books?id=dPDEV2F3F fwC&pg=PA55&lpg=PA55&dq=circuitos+de+lineali zacion+de+curva+caracteristica+del+diodo&sourc e=bl&ots=QmLGu-x_kI&sig=7ij-83vIdbAUvxki_C5EGsGbhM&hl=es&ei=4cquTuqMO5GtgQe5 kfHpDw&sa=X&oi=book_result&ct=result#v=onep age&q&f=false

Se considera para el clculo de R4, la R3 porque la primera rama sigue conectada al circuito entonces quedan en paralelo R3 y R4, tal como indicamos en la siguiente expresin.

IV. OBTENCIN DE LAS CURVAS CARACTERSTICAS DE

SALIDA MEDIANTE SIMULACIN

V. OBTENCIN DE LAS CURVAS CARACTERSTICAS DE

SALIDA EXPERIMENTALMENTE

VI. COMPARACIN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS EN

LA SIMULACIN Y EN LA EXPERIMENTACIN

VII.

CONCLUSIONES

VIII. REFERENCIAS
[1] Modelamiento (UCLM_tema3.pdf) matemtico de Sistemas fsicos.

[2] semiconductor tipo p, tipo n

[3] Circuitos con Diodos y Aplicaciones Ma. Eugenia Lascano*, Ma. Luz Martnez Ricci,**Alberto Scarpettini*** [4] http://usuarios.multimania.es/macoxvp/archivos_tele com/diodo_semiconductor.pdf