CLASIFICACION DE TRANSISTORES..

Clasificaremos a continuacin a los transistores segn construccin y forma de funcionamiento: Transistor de unin bipolar (BJT) Transistor de efecto de campo (FET) Transistor de induccin esttica (SIT) Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) Transistores de unin bipolar (BJT): Existen dos tipos, PNP y NPN; se utilizan para amplificar seales analgicas, tratamiento de seales digitales y como conmutador de potencia elctrica, en circuitos con componentes discretos e integrados. Transistores de efecto de campo (FET): Fundamentalmente tenemos dos tipos, los FET de juntura (JFET) y los FET de metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET). Los transistores JFET pueden ser de canal n o de canal p; estos, se utilizan para amplificar seales de baja frecuencia y potencia (seales de audiofrecuencias). Los transistores MOSFET a su vez se los clasifica en MOSFET de "empobrecimiento o deplexion", MOSFET de acumulacin o enriquecimiento y MESFET. Los MOSFET de empobrecimiento o deplexion pueden ser de canal n o canal p; estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de radiofrecuencias de alta frecuencias en etapas de entrada, por su bajo nivel de ruido. Los MOSFET de enriquecimiento o acumulacin, se utilizan ampliamente en los sistemas digitales de alta densidad de integracin como las compuertas lgicas, memorias semiconductoras, microprocesadores, microcontroladores etc. Tambin se disponen de MOSFET de enriquecimiento como conmutador de alta potencia elctrica (ejemplo el VMOS). Los MESFET, son transistores de efecto de campo construidos con material semiconductor de arseniuro de galio (AsGa). Son de canal n y se los utiliza por su rapidez de conmutacin en circuitos de microondas, amplificadores de alta frecuencia y sistemas lgicos de alta velocidad. Transistores de induccin esttica (SIT): Son dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. Son similares a los JFET, excepto por su construccin vertical y su compuerta enterrada. Se los utiliza en amplificadores de potencia lineal en audio, DHF, UHF y microondas. No se los utiliza como conmutador por la alta cada de tensin en sus terminales. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) Se los utiliza fundamentalmente en circuitos de conmutacin de potencia elctrica por ejemplo en circuitos inversores de corriente continua a corriente alterna, y otras aplicaciones. Estos dispositivos, combinan las ventajas de los transistores BJT y MOSFET.

QUE ES UN TRANSISTOR..?
Se denominan transistores a los dispositivos semiconductores que utiliza la electronica moderna para diversos fines a saber: Amplificacin de seales elctricas

analgicas, generacin de niveles de tensin para materializar las funciones lgicas que utiliza la electronica digital, Interruptor de corriente para controlar el flujo de potencia elctrica, en los sistemas desarrollados por la electronica de potencia , etc. En gral. Son dispositivos de tres conexiones o tres terminales. La caracterstica VI es mas compleja que los dispositivos de dos terminales que se pueden describir a travs de una sola ecuacin matemtica o grafica Funcionalmente se distinguen tres pares diferentes de terminales o puertos; pero es posible describir totalmente un dispositivo de tres terminales, considerando solamente dos de sus tres pares de terminales definidos como Terminal de entrada o conexin al circuito de entrada y Terminal de salida o conexin al circuito de salida