Universidade Federal de Alfenas UNIFAL Bacharelado em Cincia e Tecnologia - Noturno campus Poos de Caldas (MG)

Bruno Luis Orozimbo Quinteiro Leda Danila Carrijo da Silva Dias Elias Jos Miranda

Tpicos de Fsica Quntica: SEMICONDUTORES

Prof. Alencar Jos de Faria

Poos de Caldas/MG Novembro 2011

SUMRIO

Introduo O que so semicondutores? .........................................................................3 Teoria Clssica versus Teoria Quntica .........................................................................11 Aplicao Tecnolgica de Semicondutores.....................................................................14 Referncias......................................................................................................................24

1. Introduo Algumas propriedades do estado slido da matria como as propriedades trmicas, ticas, magnticas e mecnicas so estudadas pela fsica do estado slido. A definio de slido pode ser entendida de modo bem simples, como sendo uma molcula grande, cujo arranjo tridimensional est diretamente ligado disposio dos ncleos e eltrons que o compem, formando uma configurao estvel. Os slidos so classificados quanto ao tipo de ligao entre os seus tomos e podem ser ditas como principais as ligaes covalentes, as moleculares, inicas e metlicas. O tipo de ligao predominante em cada slido e a sua configurao tridimensional o que define as propriedades dos slidos. [1]. Os materiais tambm podem ser classificados quanto sua capacidade de conduo, podendo ser isolante, semicondutor e condutor. [2]. Slidos do tipo inico so caracterizados pela por sua estrutura tridimensional constituda pela alternncia de ons positivos e negativos. Nesse tipo de slido os ons esto distribudos como um empilhamento de esferas, j que a ligao inica em slidos no direcional devido simetria esfrica que os ons apresentam. Assim, no existem eltrons livres nesses slidos, o que faz com que estes sejam maus condutores trmicos e eltricos. Os slidos moleculares so formados por molculas que esto muito estveis, sendo a ligao de Van Der Waals a fora que as mantm unidas (e que consiste na atrao entre dipolos eltricos). Devido a essa fora de ligao ser to baixa, os slidos moleculares so facilmente deformados e por no terem eltrons livres so maus condutores. Os slidos metlicos podem ser definidos como uma rede ons positivos distribudos de maneira regular como esferas compactadas, onde os eltrons esto livres. Assim, esse tipo de slido excelente condutor de eletricidade e de calor. Os slidos do tipo covalentes so aqueles cujos tomos que formam sua estrutura esto ligados de maneira a compartilhar eltrons da camada de valncia. Esses tipos de slidos so materiais duros que possuem pontos de fuso altssimos - explicados pelo tipo de ligao, pois so ligaes direcionadas e possuem uma rgida estrutura eletrnica. Slidos covalentes no so bons condutores, pois no h eltrons livres na
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sua estrutura. Porm, em alguns casos como o germnio e do silcio, eles podem ser semicondutores [1].

2. Bandas Uma caracterstica muito importante dos slidos a banda de energia, que fornece informaes sobre diversos parmetros que definem as propriedades do material e a forma de como ocorre conduo eltrica no mesmo. Para entendermos como o processo na banda, vamos considerar N ons de determinada espcie de tomos que formam uma rede cristalina. Todos os tomos deste sistema possuem uma dupla degenerescncia de troca, ou seja,
(...) para o sistema total, a parte espacial da autofuno dos eltrons pode conter uma combinao das autofunes espaciais individuais dos tomos que seja simtrica numa troca de pares de coordenadas eletrnicas ou que seja anti-simtrica numa troca desse tipo. ( A autofuno total do sistema de eltrons , obviamente, anti-simtrica, posto que a autofuno espacial simtrica estar associada com uma autofuno de spin anti-simtrica e vice-versa) [1]

Quando os tomos esto bem afastados, os nveis dos ons do origem a um nvel do sistema N vezes segregadas, havendo uma dupla degenerescncia de troca. Porm, medida em que a separao entre esses tomos diminui, desaparece a degenerescncia de troca. Quando os tomos esto prximos o suficiente para que as autofunes dos tomos individuais comecem a se sobrepor, a simetria da autofuno espacial definir a energia do sistema. Se dois tomos so dispostos igualmente numa rede linear uniforme, haver o desdobramento de cada um dos nveis em trs nveis distintos. Se a separao dos tomos, R, se torna suficientemente pequena, comea o desdobramento, onde os tomos comeam a se sobrepor. Quando R comea a aumentar a energia dos nveis, a simetria da autofuno contribui para uma distribuio de carga eletrnica favorvel. Assim, a diminuio ou aumento da energia estar associado distribuio de carga, sendo esta favorvel ou desfavorvel respectivamente. A figura (1) mostra como esse comportamento para um nvel de energia num sistema de seis tomos:

s
Figura 1 - Desdobramento de um nvel de energia em funo da separao R [1 - adaptado]

Observa-se pela figura acima que os nveis de energia so espalhados em torno de uma energia mdia, e essa energia mdia se torna maior medida que o R diminui. Este fato deve-se a uma repulso que os ons exerce sobre si, chamada de energia de repulso coulombiana. Ao considerar um sistema com N tomos, cada nvel de um desses tomos dar origem a um nvel do sistema, isto , quando os tomos estiverem bem separados, pois quando a separao diminui cada um destes nveis se desdobram em N nveis. A distncia R da separao quem define a diferena de energia entre o nvel mais alto e o nvel mais baixo, uma vez que R especifica a intensidade da superposio que provoca o desdobramento. Porm, essa diferena de energia no depende expressamente do nmero de tomos do sistema quando for mantida a mesma distncia R. Dessa forma, quanto maior for o nmero de tomos num sistema, maior o numero de subnveis contidos no mesmo conjunto desdobrado. Para R que tem valores de alguns ngstrons, a energia da ordem de alguns eltrons-volt. Mas se considerarmos que um slido possui cerca de 1023tomos/mol, pode-se observar que os nveis esto muito prximos de maneira a constiturem praticamente uma banda contnua de energia. A figura (2) facilita o entendimento desse fenmeno:

Figura 2 - A primeira figura representa os nveis de energia para dois tomos isolados. A segunda representa os nveis de energia para 4 tomos do mesmo tipo num cristal rudimentar unidimensional. [1] Adaptado.

Os nveis de energia mais baixos so pouco atingidos pelo desdobramento. Isso se deve ao fato de que os eltrons dos nveis inferiores so aqueles que esto nas camadas mais interna dos tomos, e quase no so influenciados pela presena do tomo vizinho. Dessa forma, tais eltrons esto localizados nos prprios tomos, mesmo para valores muito pequenos de R, pois a barreira de potencial que h entre os tomos muito grande. Por outro lado, os eltrons que se encontram na valncia do tomo esto deslocados quando R pequeno, e assim fazendo parte de todo o sistema. Observa-se pela figura acima que o nvel de energia mais baixo no desdobrado significativamente, pois as autofunes atmicas para esse nvel no se superpem de forma significativa. [1] Assim, o grau de condutividade em um slido ser determinado pela configurao da sua banda de energia. O fato do material ser um isolante (diamante), um semicondutor (silcio) ou um condutor (cobre), ser determinado pela forma de como a banda de valncia est preenchida e do gap de energia que existe entre as camadas de valncia e de conduo. A figura (3) apresenta um esboo simplificado de como seria a banda de valncia para cada tipo de material:

Figura 3 - Esquema simplificado das bandas de energia a 0K [2]

Observa-se pela figura acima, que nos metais h a superposio de bandas de energia, enquanto o semicondutor a uma temperatura de 0K apresenta uma faixa proibida ou gap de energia menor que a do material isolante. Assim um semicondutor pode conduzir eletricidade somente quando houver eltrons na sua banda de conduo ou se houver lacunas na banda de valncia. Entre as bandas de valncia e de conduo h o gap de energia, sendo esse gap dado por:
EG = EC EV

onde EG a energia do gap, EC a energia na parte inferior da banda de conduo e EV a energia da parte superior da banda de valncia. Os eltrons livres esto acima da Ec, e os eltrons de ligao abaixo de Ev. Ento a energia para que haja a formao dos pares eltron-lacuna Eg=Ec-Ev. [2]

3. Isolantes Pode-se definir um material como isolante aquele que no produz corrente eltrica ao aplicar uma diferena de potencial. Para que ocorra uma corrente eltrica preciso que haja um aumento na energia cintica mdia dos eltrons. Nos materiais isolantes, a banda de valncia encontra-se totalmente ocupada. Existem nveis de energia acima da banda de valncia que esto desocupados, na chamada banda de conduo, porm, para que o eltron consiga se deslocar at esses nveis, ele precisa de energia suficiente para vencer a diferena de energia entre as duas bandas. No entanto, essas bandas se encontram muito afastadas, como mostra a figura (4), sendo necessria muita energia para que o eltron vena esse gap ou banda proibida [4].

Figura 4 - Banda de energia de um isolante. [4]

4. Metais - Condutores Como j dito anteriormente, os eltrons esto livres nos metais. Assim, quando se aplica uma diferena de potencial, produz-se uma corrente eltrica. Os eltrons da camada de valncia esto juntos aos da camada de conduo, podendo se movimentar livremente como mostra a figura (5). Como h nveis vazios dentro da banda de conduo, representada pela parte de cima na figura, os eltrons podem facilmente atingir esses nveis, sem a necessidade de grandes quantidades de energia. Assim, o material conduz eletricidade. [4]

Figura 5 - Banda de energia de um metal. O chamado nvel de Fermi, o mais alto, ocupa um espao no meio da banda.[4]

5. Semicondutores Existe uma grande vantagem em estudar os semicondutores devido a sua aplicao em diversos dispositivos eletrnicos. O semicondutor pode ser definido como um slido covalente, que possui uma banda de valncia separada da banda de conduo por uma pequena faixa proibida de energia se comparada aos isolantes como mostra a figura (6), sendo que no zero

absoluto (0K) a banda de valncia est cheia e a banda que conduo encontra-se totalmente vazia de eltrons. [3].

Figura 6 - Banda de energia de um semicondutor. Muito parecida com a banda de energia do isolante - ver fig(4). [4]

O que difere a propriedade de conduo entre os metais e os semicondutores a quantidade de eltrons livres. Nos metais, o nmero de eltrons que esto livres sempre constante em todas as temperaturas, enquanto nos semicondutores no assim que acontece. Nos semicondutores puros, por exemplo, para que se tenham eltrons livres necessrio um estmulo ou energia. Essa ativao dos eltrons livres pode ser feita, por exemplo, pelo fornecimento de energia trmica ao sistema [2]. Portanto, a condutividade de um semicondutor cresce muito com o aumento da temperatura, pois como a banda de valncia se encontra totalmente cheia de eltrons baixas temperaturas e os eltrons de valncia formam ligaes covalentes, quando estes eltrons sofrem a excitao eletrnica, saltando para a banda de conduo, eles deixam um buraco na banda de valncia. Posteriormente esses buracos funcionaro como portadores de carga positivas contribuindo para a condutividade [1]. Na tabela abaixo, esto identificadas algumas propriedades eltricas bsicas do cobre, que representa neste caso o metal, e do silcio, que representa o semicondutor, a fim de compar-los:

Tabela 1- Propriedades Eltricas [4]

6. Concentrao de Portadores n Pelos dados da tabela (1) pode-se observar que o cobre possui um nmero muito superior de portadores de carga por unidade de volume do que o silcio. Isso ocorre devido ao nmero de eltrons disponveis para o processo de conduo. No caso do cobre, cada tomo contribui com o seu eltron de valncia. J no silcio, esses portadores de carga existem somente pela ao da temperatura, que quando maior que o zero absoluto, fornece energia suficiente para que alguns (poucos) eltrons da banda de valncia alcancem a banda de conduo, deixando alguns buracos na banda de valncia, como mostra a figura (7):

Figura 7 - Efeito provocado pela agitao trmica em um semicondutor. [4]

Dessa forma os eltrons da banda de conduo e os buracos da banda de valncia sero portadores de carga. A conduo por parte dos buracos acontece devido liberdade de movimento que estes do aos eltrons da banda de valncia. Ao sofrer um campo eltrico, os eltrons da banda de valncia movem-se na direo contrria ao campo (devido a sua carga negativa), fazendo assim o buraco se deslocar na direo do campo eltrico. Podemos ento dizer que os buracos movimentam uma carga +e. Por

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isso, em um semicondutor, a conduo realizada pelos buracos to importante quanto realizada pelos eltrons. 7. Coeficiente de Temperatura da Resistividade Fazendo uma breve recordao de eletromagnetismo, sabemos que a variao da resistividade por unidade de temperatura, e pode ser expressa por:

Portanto, a resistividade dos metais, nesse caso do cobre, aumenta com a temperatura. Isso se deve ao fato de que as colises dos portadores de carga dos metais com a rede cristalina ocorrem com mais intensidade quando se eleva a temperatura, sendo assim o dos metais positivo. O que no o caso para os semicondutores que possui negativo. Sua resistividade diminui com a temperatura, pois a concentrao n de portadores de carga aumenta rapidamente com a temperatura, fazendo com que um nmero maior de eltrons volte para a banda de valncia. [4]. 8. Teoria Clssica versus Teoria Quntica: Conduo Eltrica dos Slidos O primeiro modelo microscpico da conduo eltrica - proposto por Drude e logo mais desenvolvido por Lorentz no incio do sculo XX previu com xito que a corrente proporcional diferena de potencial (relao representada pela lei de Ohm), alm de relacionar a resistividade dos condutores velocidade mdia e distncia mdia percorrida entre colises (percurso livre mdio) de eltrons livres dentro de um condutor. Quando a velocidade mdia e o percurso livre mdio dos eltrons so interpretados de acordos com a teoria clssica, ocorre uma discrepncia entre os valores experimentalmente medidos e os valores calculados da resistividade, alm de uma similar discordncia em relao dependncia da resistividade temperatura. Desta forma, a fsica clssica falha na tentativa de descrever a conduo de slidos de maneira adequada, alm da mesma no poder explicar apropriadamente uma importante e fascinante propriedade dos slidos o fato de alguns materiais serem condutores, isolantes e at mesmo semicondutores (quando sua resistividade intermediria entre a dos condutores e a dos isolantes) [5]. Quando a velocidade mdia e o percurso livre mdio so interpretados com base na teoria quntica, a magnitude da resistividade e sua dependncia com a temperatura
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so previstas de forma correta. Alm disso, a fsica quntica nos permite definir um material como condutor, semicondutor ou isolante. [5]. Para compreender a conduo eltrica sob o ponto de vista quntico, preciso ter em mente alguns conceitos importantes: a) Propriedades dos slidos Do ponto de vista eltrico, existem trs propriedades bsicas que permitem a classificao de slidos: Resistividade temperatura ambiente (), sendo a Condutividade () a sua propriedade oposta; Coeficiente de temperatura da resistividade () (determinada pela medio da resistividade para vrias temperaturas); Concentrao de portadores de carga (n) (definida pelo nmero de portadores de carga por unidade de volume).

Tais medidas (, e n) dividem materiais no isolantes entre condutores e semicondutores. Os semicondutores apresentam uma resistividade maior que a dos condutores (como os metais), sendo que esta resistividade diminui com o aumento da temperatura. Alm disso, os semicondutores possuem uma menor concentrao de portadores de carga, quando comparados aos condutores [1]. b) Colises entre partculas O tempo , chamado de tempo de coliso, o tempo mdio entre as colises de eltrons. A distncia mdia que um eltron se desloca entre estas colises o produto da velocidade mdia pelo tempo denominado ento percurso livre mdio () [4]. c) Eltrons livres em um slido: distribuio de energia Distribuio de Maxwell-Boltzmann

Sabe-se que a temperatura de um sistema fsico resultado do movimento dos tomos e molculas que compem tal sistema. Estas partculas apresentam intervalos de diferentes velocidades, que variam constantemente devido a colises com outras partculas. Entretanto, existe uma frao constante de um nmero grande de partculas
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que se encontram dentro de um determinado intervalo de velocidades. Esta distribuio, portanto, descreve a probabilidade das velocidades de partculas serem funes da temperatura do sistema. Vmed = (3KT/me)

Distribuio Fermi-Dirac Esta distribuio de energia da mecnica quntica diz que, devido ao Princpio

de Excluso de Pauli, as partculas vo se posicionando do nvel mais baixo de energia ao mais alto, at que todas estejam posicionadas. A energia do ltimo nvel ocupado (o mais energtico) em um sistema quntico denominada energia de Fermi, e a velocidade de um eltron com energia cintica igual energia de Fermi definida como velocidade de Fermi. 9. As diferenas: Conduo de Eletricidade As propriedades de onda que os eltrons possuem e as restries impostas pelo Princpio de Excluso de Pauli indicam que a distribuio de energia de eltrons livres em um metal no pode ser determinada (nem aproximadamente) pela distribuio de Maxwell-Boltzmann. Tais eltrons livres obedecem distribuio de energia da mecnica quntica, a de Fermi-Dirac, j que somente os eltrons ocupando estados em torno da energia de Fermi participam dos processos de coliso. A equao da resistividade eltrica () na teoria quntica (formalmente) igual equao do modelo clssico:

= me . vF / ne . e2 .
onde me = massa do eltron ne = nmero de eltrons por unidade de volume e = carga do eltron = percurso livre mdio

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Mas como a velocidade mdia (vmed) no pode ser dada pela estatstica de Boltzmann (ideia justificado acima), ela substituda pela velocidade de Fermi (vF). Esta a primeira discrepncia com a Fsica Clssica. A teoria clssica indica uma dependncia incorreta da resistividade com a temperatura. Teoricamente, a velocidade mdia proporcional a raiz quadrada de T (temperatura). Porm, experimentalmente observa-se que varia linearmente com T. A segunda discrepncia relaciona-se aos valores calculados. A equao clssica que usa a velocidade mdia (vmed) e calculada pela estatstica de Maxwell-Boltzmann apresenta valores cerca de 6 vezes maiores que os valores obtidos experimentalmente temperatura ambiente. Como a velocidade de Fermi (vF) cerca de 16 vezes o valor da velocidade mdia (vmed), o valor de previsto pela expresso acima seria 100 vezes maior que o valor determinado experimentalmente. 10. Semicondutores Dopados Em sua maioria, os semicondutores no possuem eltrons livres e nem causas suficientes que se possam utilizar para produzir uma corrente que seja utilizvel. O processo conhecido como dopagem se d ao introduzir um pequeno nmero de tomos, denominados impurezas, na rede cristalina do semicondutor, o que se eleva consideravelmente a versatilidade do mesmo, ao se aumentar tanto o nmero de eltrons livres quanto o nmero de aberturas. Essa insero de tomos se d na proporo de 1 tomo (impureza) para cada 107 tomos de silcio, temos que atualmente, quase todos os semicondutores modernos utilizam a dopagem, sendo que estes podem ser do tipo n e tipo p [4]. Um semicondutor, mesmo dopado ainda apresenta resistncia eltrica, esta sendo denominada resistncia de corpo ou resistncia hmica, pois obedece a lei de Ohm. Quando levemente dopado, essa resistncia de corpo se apresenta alta e medida que se aumenta a dopagem, a mesma tende a diminuir [4].

10.1. Semicondutores do Tipo n Os semicondutores dopados do tipo n (Figura 8) so semicondutores com tomos doadores, onde os eltrons, portadores de cargas negativas, da banda de conduo existem em maior quantidade do que as aberturas na banda de valncia. Os

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eltrons so ento denominados os portadores em maioria, enquanto que as aberturas so denominadas como portadores em minoria.

Figura 8. Esquema grfico de um semicondutor do tipo n

10.2. Semicondutores do Tipo p Os semicondutores dopados do tipo p (Figura 9) so semicondutores com tomos aceitadores, onde as aberturas na banda de valncia, portadoras de cargas positivas, existem em maior quantidade do que os eltrons da banda de conduo. Neste tipo de semicondutor, as aberturas da banda de valncia so denominadas os portadores de maioria, enquanto que os eltrons so denominados portadores de minoria.

Figura 9. Esquema grfico de um semicondutor do tipo p

Apesar de possurem cargas eltricas, os ons dos tomos receptores e doadores no so portadores de carga, isto em consequncia ao fato de estarem unidos tomos vizinhos atravs de ligaes covalentes e com isso no podendo se mover enquanto o material estiver submetido a uma diferena de potencial.

10.3. A Juno p-n

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Juno p-n a regio onde existe a transio do tipo p para o tipo n. Em diversas vezes esses dois tipos de semicondutores so incorporados a um nico cristal de silcio dopado, onde impurezas doadoras e receptoras so colocadas em lados opostos [5]. Quando os dois tipos de semicondutores so colocados em contato, a desigual concentrao de eltrons e aberturas acarreta em uma propagao dos eltrons existentes no lado n para o lado p e de aberturas do lado p para o lado n. Esse fenmeno ocorre at que se estabelea um equilbrio no nmero de aberturas e eltrons nos dois lados, tendo como resultado o transporte lquido de cargas positivas do lado p para o lado n [5]. Por ser um semicondutor, os eltrons acabam por no se deslocarem para muito longe da regio de contato, criando ento uma dupla camada de cargas na mesma, esta podendo ser comparada de um capacitor de placas paralelas. A continuao da propagao inibida por uma diferena de potencial que existe na regio de contato e quando estabilizado, o lado n, por estar com um excesso de cargas positivas, apresentar um potencial maior que o lado p, que est com um excesso de cargas negativas. Devido ao fato de existirem poucos portadores de carga de ambos os tipos na regio de contato entre os semicondutores, a resistncia eltrica desta regio se apresenta alta, e esta regio pode tambm ser chamada de regio de depleo, devido a esta diminuio da quantidade dos portadores de carga [5].

11. APLICAO DE SEMICONDUTORES 11.1. Diodos 11.1.1. Diodo Retificador Um dispositivo semicondutor que se aproveita da propriedade onde quando certa tenso aplicada com certa polaridade ocorre a travessia de uma considervel corrente e se a mesma tenso for aplicada com polaridade oposta a corrente que atravessa a juno se mostrar praticamente nula, chamado de diodo retificador. O valor mdio da tenso de entrada do circuito no diodo retificador zero, porm o valor da tenso de sada maior que zero, pode-se assim usar o diodo retificador para transformar uma tenso alternada em uma tenso contnua. Essa aplicao pode ser verificada na grande maioria dos aparelhos eletrnicos, pois estes funcionam com tenso contnua, porm a tenso da rede eltrica alternada.

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A juno p-n se comporta como um diodo retificador, pois quando se tem uma bateria ligada ao lado p da juno, configurao que recebe o nome de polarizao direta (Figura 10), este lado se torna mais positivo, enquanto que o lado n se torna mais negativo, diminuindo ento a barreira de potencial e com isso tendo um maior nmero de portadores de maioria conseguindo atravessar a barreira [4].

Figura 10. Esquema grfico de uma juno p-n com Polarizao Direta

Tem se ento a quebra do equilbrio entre as duas correntes existentes na juno no polarizada e com isso uma elevada corrente percorrendo o circuito. Outro efeito apresentado pela polarizao direta o estreitamento da regio de depleo, fato desencadeado pela necessidade da reduo da carga espacial para que ocorra a reduo da barreira de potencial. Por conter um nmero nfimo de portadores, a regio de depleo apresenta uma alta resistividade, porm com a aplicao de uma polarizao direta, ocorre o estreitamento desta zona e com isso a diminuio de sua resistividade, fato coerente com a travessia de uma alta corrente pela juno [4]. A polarizao inversa (Figura 11) exatamente o oposto da direta, o terminal negativo da bateria ligado ao lado p da juno, o que acarreta no alargamento da regio de depleo, aumentando assim a barreira de potencial. Este aumento faz com que a corrente de difuso diminua e a corrente de deriva aumente levemente.

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Figura 11. Esquema grfico de uma juno p-n com Polarizao Inversa

11.1.2. O Diodo Emissor de Luz (LED) No mundo moderno, onde os mostradores digitais esto em praticamente toda a parte, indo desde relgios de cabeceira aos fornos de micro-ondas, faz-se difcil de imaginar como seria a nossa vida sem os invisveis raios de luz infravermelha que entre seus diversos usos esto vigiando as portas de elevadores e fazendo com que o controle remoto funcione. Em praticamente todos estes casos, o que emite este raio de luz uma juno p-n que funciona como diodo emissor de luz ou como mais conhecido LED. No fenmeno conhecido como recombinao, um eltron da extremidade inferior da banda de conduo preenche uma abertura da camada superior da banda de valncia e com isso uma energia equivalente diferena entre os dois nveis liberada. Em sua maioria, os semicondutores manifestam essa energia na forma de vibraes da rede cristalina, porm, em alguns, como o arsenieto de glio, essa energia pode se manifestar como um fton de energia, cujo comprimento de onda se d por

Porm, nenhum semicondutor, seja ele puro ou dopado, consegue emitir uma quantidade considervel de luz, pois para isso necessrio que haja uma grande quantidade de recombinaes. Em semicondutores puros, a relao de eltrons-aberturas pequena e nos semicondutores dopados essa relao difere drasticamente dependendo do tipo de semicondutor. Faz-se necessrio ento um semicondutor que apresente uma grande quantidade de eltrons e aberturas, e todos estes na mesma regio. Isto pode ser conseguido atravs

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da polarizao direta de uma juno p-n altamente dopada. Tem-se ento que a corrente injetada servir para a injeo de eltrons no lado n e aberturas no lado p. Quando temos uma suficientemente alta e uma corrente suficientemente intensa, a zona de depleo se estreita at a largura de alguns poucos micrmetros, fazendo com que uma grande concentrao de eltrons do lado n fique prxima a uma grande concentrao de aberturas do lado p, tendo como impedimento uma fina camada de depleo. Em consequncia a este feito, temos uma quantidade de recombinaes, nmero este suficiente para resultar em uma alta intensidade luminosa, conforme mostra a Figura 12.

Figura 12. Esquema grfido de um Diodo Emissor de Luz (LED)

Os LEDs comerciais projetados para a emisso de luz visvel so geralmente construdos com arsenieto de glio no lado n e arsenieto fosfeto de glio no lado p. Para se produzir um LED de luz vermelha, so utilizados 60 tomos de arsnio e 40 tomos de fsforos para cada 100 de glio, isto no lado p, que gera uma energia Eg de 1,8 eV.

Figura 13. Esquema de um LED comercial

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Usando-se diferentes propores de arsnio e fosforo e tambm de outros elementos se faz possvel a fabricao de LEDs capazes de emitir praticamente quaisquer cores, incluindo aquelas que no se fazem visveis ao olho nu.

11.1.3. Fotodiodo ou Clula Solar Da mesma maneira que temos que a passagem de uma corrente por uma juno p-n pode acarretar na emisso de luz, a incidncia de luz sobre uma juno p-n pode originar uma corrente eltrica, sendo esta a base do funcionamento do dispositivo conhecido como fotodiodo [4]. Quando um fton que contm uma energia maior do que a lacuna de energia, como por exemplo 1,1 eV no silcio, atinge a regio do tipo p, esta energia pode fazer com o que um dos eltrons ali existentes atravesse da banda de valncia para a banda de conduo, deixando uma abertura na banda de valncia, sendo que esta regio j rica em aberturas. Os eltrons criados pelos ftons iro se recombinar e alguns outros iro migrar para a zona de depleo, sendo que l eles sero acelerados pelo campo eltrico existente entre as duas camadas e direcionados a regio do tipo n. Este efeito cria um excesso de eltrons nesta regio e um excesso de cargas positivas na regio do tipo p, resultando em uma diferena de potencial entre as duas regies de 0,6 eV. Com a ligao de uma resistncia de carga elas ocorrer um fluxo de cargas pelo resistor, tendo parte da energia da luz incidente sendo convertida em energia eltrica.

Figura 14. Esquema grfico de um fotodiodo

Temos a corrente do resistor proporcional a taxa de ftons incidentes e esta proporcional a intensidade da luz incidente [5]. Como exemplo, temos o fotodiodo existente nos aparelhos de televiso com controle remoto, onde o controle remoto emite um pulso infravermelho e este fotodiodo

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no apenas detecta o pulso de raios, mas tambm os amplifica e os transforma em sinais eltricos, que entre outras funes, podem alterar o canal e tambm ajustar o volume.

11.1.4. O Laser Semicondutor Conforme dito anteriormente, quando ocorre a transio de um eltron da banda de conduo para a banda de valncia, ele pode emitir um fton. Este fton pode vir a estimular um segundo eltron a fazer o mesmo, produzindo outro fton por emisso estimulada. Sendo assim, se a corrente na juno for elevada o suficiente, pode ocorrer uma reao em cadeia de eventos de emisso estimulada de ftons, fazendo com que a juno p-n se comporte como um laser [4]. Para que isto ocorra necessrio que as faces opostas do cristal semicondutor sejam planas e tambm paralelas, impelindo a luz a refletir-se vrias vezes no interior do cristal, emitindo uma luz coesa e com uma faixa de comprimento de onda relativamente estreita se comparada a de um LED. Este tipo de laser pode ser verificado em aparelhos leitores de CD e DVD (figura 15), cuja luz, depois de ser refletida nas minsculas reentrncias da mdia detectada e convertida em sinais de som e imagem. Este tipo de laser tambm bastante usado em canais de comunicao que utilizam fibras ticas. Eles so geralmente projetados para operar na regio do infravermelho, pois as fibras ticas trabalham com duas janelas existentes nesta regio, onde pode se verificar que a quantidade de energia absorvida por unidade de comprimento da fibra relativamente pequeno.

Figura 15. Laser semicondutor ao lado de um gro de sal

11.2. Transistor O transistor um semicondutor utilizado para se produzir um sinal de sada requerido, este como sendo uma resposta ao sinal de entrada fornecido. Temos como

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exemplo o transistor de juno simples bipolar, que constitudo por trs regies semicondutoras distintas, denominadas como emissor, base e coletor. Temos a base como sendo uma regio fina colocada em meio a dois outros semicondutores de tipos opostos ao dela. O semicondutor denominado emissor mais pesadamente dopado em relao aos outros dois. Existem dois tipos de transistores de juno simples bipolar, o npn (Figura ) onde o emissor e o coletor so semicondutores do tipo n e a base do tipo p e o pnp (Figura ), onde o emissor e o coletor so semicondutores do tipo p e a base do tipo n.

Figura 16. Um transistor do tipo npn (a) e seu smbolo usado num circuito (b)

Figura 17. Um transistor do tipo pnp (a) e seu smbolo usado num circuito (b)

A operao de um transistor pnp (Figura ) se d da seguinte maneira: temos que a juno entre emissor-base se d por uma polarizao direta, enquanto que a juno entre base-coletor se d por uma polarizao inversa. O emissor, conforme dito anteriormente, pesadamente dopado, emite aberturas e estes escoam em direo juno emissor-base, fluxo este que se constitui na corrente do emissor Ie. Pelo fato da base apresentar-se muito fina, grande parte das aberturas escoa atravs dela em direo ao coletor, fluxo este que constitui a corrente do coletor Ic.
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Figura 18. Esquema grfico do funcionamento de um transistor do tipo pnp

Porm algumas aberturas acabam por se recombinar com os eltrons da base, o que produz uma carga positiva que barra a continuao do fluxo de corrente. Com o intuito de impedir isto, utilizada uma corrente de base Ib para se retirar as aberturas que no conseguem chegar ao coletor, isto atravs de um fio que se conecta base. Com isto pode-se dizer que Ic quase igual a Ie, e Ib muito menor que Ie ou que Ic. Usualmente, se expressa Ic como onde corresponde ao ganho de corrente do transistor. Sendo que estes valores para os transistores podem variar de valores pequenos, na escala de dezenas, a valores mais elevados, em escalas de centenas [5]. Como exemplo de utilizao de transistores, temos amplificadores de som, estes utilizando diversos transistores em srie, de tal modo que a sada de um transistor sirva como sinal de entrada para o prximo, tendo assim as pequenas tenses geradas, como por exemplo, pelas vibraes da corda de uma guitarra eltrica, controlando a potncia necessria para acionar os alto-falantes, sendo que a potncia entregue a eles fornecida pelas fontes de tenso contnua que esto conectadas a cada um dos transistores existente no sistema.

11.3. Aplicaes no Informtica A tecnologia dos semicondutores se estende para alm da utilizao individual de transistores e diodos. Inmeros dispositivos eletrnicos que fazem parte do nosso dia-a-dia, como computadores, PDAs, celulares e outros dispositivos que contenham processadores dependem da integrao, esta em grande escala, de inmeros transistores

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e outros componentes de um circuito, isso tudo em uma nica pastilha conhecida como chip. Principalmente na informtica, possvel verificar esta integrao, como exemplo, temos as memrias utilizadas nos computadores (RAM e ROM), que utilizam diodos para, entre outras coisas, controlar a direo da corrente eltrica, memrias do tipo flash, que vo desde os cartes de memria at os conhecidos pen drives, e os chips de processamento que so fabricados atravs da integrao de transistores, diodos retificadores, capacitores e resistores, estes construdos em material semicondutor com milhes de componentes.

Figura 19. Circuito integrado do microprocessador Intel CoreTM 2 Duo para notebooks

12. Referncias [1] Eisenberg, R.; Resnick, R. Fsica Quntica. 28ed. Rio de Janeiro: Elsevier, 1979. [2] Introduo aos semicondutores. Acesso em 11 nov 2011. Disponvel em: <http://www.dsif.fee.unicamp.br/~fabiano/EE530/PDF/Texto%20%20F%EDsica%20dos%20Semicondutores.pdf>. Acesso em: 20 de outubro de 2011. [3] UNICAMP. Semicondutores. Acesso em: 11 nov 2011. Disponvel em: <http://www.ccs.unicamp.br/cursos/ee941/download/cap03.pdf>. Acesso em: 20 de outubro de 2011. [4] Halliday, D.; Resnick, R. Fundamentos de Fsica. Vol 4. 8. Ed. Rio de Janeiro: LTC, 2009. [5] Tipler, P. A.; Mosca, G. Fsica para cientistas e engenheiros. Vol.3. 6 ed. Rio de Janeiro: LTC, 2009. p.109 a 127.

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[6] Universidade de So Paulo. Notas sobre a teoria da conduo. Acesso em: 14 nov 2011. Disponvel em: <http://plato.if.usp.br/1-2005/fnc0376n/lista11/node3.html>.

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