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LEffet Hall

Ce quon appelle effet Hall est lapparition dune diffrence de potentiel et dun champ lectrique
transversal dans un conducteur, lorsque celui-ci est parcouru par un courant lectrique et plong dans une
induction magntique perpendiculaire la direction de ce courant. On peut le schmatiser relativement
simplement par le dessin suivant:

courant lectrique

Champ magntique

Champ lectrique de Hall

Objectifs de l' exprience


Lexprience ralise avait pour but de mettre en vidence l' effet Hall dans les semi-conducteurs
dops, et de dterminer la conductivit, la concentration des porteurs majoritaires et la mobilit des porteurs
majoritaires dans le cas du germanium, semi-conducteurs de type P.

Plaques de germanium de type P

Manipulation
6

1 Dispositif constitu d'un semi-conducteur (Germanium) dop p.


2 - lectroaimant compos d'un noyau de fer doux et de deux bobines.
3 - Teslamtre a effet Hall avec une sonde.
4 - Alimentation de courant pour les bobines induisant le champ magntique et du courant a travers
le semi-conducteur.
5 - Multimtre mont en voltmtre pour mesurer la tension de Hall.
6 module effet hall.

module effet hall

3
1
2

1 emplacement de la plaquette de Germanium.


2 connexion pour la mesure de tension applique.
3 affichage du courant ou de la temprature.
4 connexion pour la mesure de la tension de Hall.
5 slection daffichage du courant ou de la temprature.

1 - Conductivit 0 temprature ambiante :


0 =

0..

avec 0 =

1,72
30.103

= 57 et = 30mA

0 = 35 -1.m-1
2 - Concentration et mobilit des porteurs majoritaires Temprature ambiante :

+
- UH

Ip

Up

Force de Lorentz
Force lectrique de hall

Champ lectrique
Champ lectrique de Hall

Champ magntique

B (mT)

25

50

100

150

200

250

300

UH (mV)

14

28

42

55

67

78

UH = f(B)

I
UH = Bx +
p. e.d

90
80
70

y = 0,2632x + 1,0084

60
50

UH =

40

I.B

p. e.d

30
20

0,2632

10
0
0

50

100

= p.e.p

150

200

250

300

350

35
p = p.e = 6,7+201,619 = 6,33 m.V-1.s-1

3 - Evolution de UH et de p avec la temprature :


(C)

110

100

90

80

70

60

50

40

30

UH (mV)

18

36

51

71

78

81

82

81,5

P (m-3)

1,41E+22

3,13E+21

1,56E+21

1,10E+21

7,92E+20

7,21E+20

6,94E+20

6,86E+20

6,90E+20

Ln(p)

5,10E+01

4,95E+01

4,88E+01

4,85E+01

4,81E+01

4,80E+01

4,80E+01

4,80E+01

4,80E+01

I.B

Avec :

P = U . e.d
H

o
o
o
o

Ln(p) = f()

Ln(p)

TB = 300mT
e = 1,6.10-19 C
d = 1 mm
I = 30mA

UH = f()

UH (mV)

5,15E+01

90

5,10E+01

80

70

5,05E+01

60

5,00E+01

50

4,95E+01

40

4,90E+01

30

4,85E+01

20

4,80E+01

(C)

4,75E+01
0

20

40

60

80

100

120

10

(C)

0
0

20

40

60

80

100

120

4 Largeur de la bande interdite Eg du semi conducteur :


(C)

135

130

120

110

100

90

80

70

60

50

40

(V)

0,77

0,88

1,16

1,47

1,78

2,03

2,17

2,17

2,11

2,00

1,9

(-1.m-1)

77,9

68,2

51,7

40,8

33,7

29,6

27,6

27,6

28,4

30

31,6

Ln()

4,36

4,22

3,95

3,71

3,52

3,39

3,32

3,32

3,35

3,40

3,45

2,54E-03

2,61E-03

2,68E-03

2,75E-03

2,83E-03

2,91E-03

3,00E-03

3,09E-03

3,19E-03

Up

1/T (K-1)

2,45E-03 2,48E-03

0 =

0..

203

1 0 3 13

Avec :
o
o
o
o

= 10 mm
d = 1 mm
L = 20 mm
I = 30mA

Ln() = f(1/T)
5,00
4,80
4,60
4,40
4,20
4,00
3,80
3,60
3,40
3,20
3,00
2,40E-03

2,50E-03

2,60E-03

2,70E-03

Ln() = f(1/T)

2,80E-03

2,90E-03

3,00E-03

5,00
4,80
4,60
4,40
4,20
4,00
3,80
3,60
3,40
3,20
3,00
2,40E-03

y = -3686,1x + 13,36

2,50E-03

2,60E-03

2,70E-03

Avec :
Eg

=0 exp ( 2

Eg

-3686,1
Boete Tanguy
Bohnam Oliver

. -1

o 0 = 35 -1.m-1

Eg
2

Ln() = Ln(0) - 2 *

10
= 8,625.

= 3686,1

Eg = 3686,1 2
= 0,64 eV