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ELECTRNICA Tema 1

TEMA 1. PROCESOS DE CONDUCCIN EN SEMICONDUCTORES.

El desarrollo de la Electrnica actual se fundamenta en el uso de diferentes dispositivos basados la mayora de ellos en materiales semiconductores, por ello es inevitable comenzar un curso de Electrnica bsica explicando los aspectos ms importantes de la conduccin elctrica en los materiales semiconductores, ya que estas propiedades son las que han dado lugar a su uso masivo en la elaboracin de dispositivos y sistemas electrnicos.

1.1. Teora de bandas de energa de los cristales. Lo primero que se tratar de comprender es cmo es posible que diferentes materiales, constituidos cada uno de ellos por un tipo de tomos de igual estructura electrnica de la ltima capa, tengan propiedades de conduccin elctrica tan distintas. Dado el inters por los materiales semiconductores se estudiar la conductividad de materiales formados por tomos de elementos qumicos que tienen en su ltima capa electrnica cuatro electrones. Los cinco primeros elementos del Sistema Peridico con cuatro electrones en su ltima capa son: N e 6 14 32 50 82 1s 2 1s 2 1s 2 1s 2 1s 2

Elem. C Si Ge Sn Pb

ESTRUCTURA POR CAPAS 2s2 p2 2s2 p6 2s2 p6 2s2 p6 2s2 p6 3s2 p2 3s2 p6 d10 3s2 p6 d10 3s2 p6 d10 4s2 p2 4s2 p6 d10 4s2 p6 d10 f14 5s 2 p2 5s 2 p6 d10 6s2 p2

Fig. 1.1

El carbono en su forma cristalina como diamante es un aislante, las formas cristalinas del Si o del Ge son semiconductoras, es decir con una cond uctividad elctrica intermedia entre los aislantes y los conductores, y los materiales de Sn o de Pb son buenos conductores. Incluso para acabar de complicar la cuestin otra forma cristalina del carbono, distinta del diamante, como es el grafito es conductor. Para comprender el diferente comportamiento, desde el aspecto de la conductividad elctrica de estos materiales, se utiliza la teora de bandas de energa de los cristales. Si se supone un tomo aislado de Si, la resolucin de la ecuacin de Schrdinger para el sistema, da la distribucin de sus 14 electrones en los diferentes orbitales, con sus niveles energticos, y sus cuatro nmeros cunticos (n, l, ml y ms ). El principio de

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exclusin de Pauli dice que en este sistema electrnico no habr dos electrones con los cuatro nmeros cunticos iguales. Si se toma ahora una red cristalina de Si en la que hay N tomos, y suponiendo que se puede aumentar y disminuir la distancia entre los tomos de la red a voluntad. Si se alejan suficientemente, unos tomos de otros, los electrones de cada tomo no notarn la interaccin de los otros tomos y en particular los niveles energticos de los cuatro electrones de la ltima capa, 3s 2 3p2 , no habrn variado, los electrones de las capas ms cercanas al ncleo con ms razn tampoco habrn variado sus estados energticos. Por tanto teniendo en cuenta que hay N tomos, habr N veces repetida la distribucin de niveles energticos de un tomo de Si aislado. Reduciendo paulatinamente la distancia entre los tomos llegar un momento en que la interaccin sobre los electrones de la capa exterior de cada tomo debida a los otros N-1 tomos no ser despreciable. Esto provoca un corrimiento en los niveles energticos de estos estados, de forma que ahora no habr N veces repetida la estructura de estados de un tomo individual si no que p.e. los 2N electrones de la subcapa 3s 2 estarn en una banda de 2N estados diferentes, y los 2N electrones de la subcapa 3p2 estarn en otra banda de 6N estados diferentes. Vase que en el tomo individual, la subcapa 3p tiene 6 estados, aunque slo tenga ocupados, en el caso del Si, dos de estos estados. Lo que ha ocurrido es que de N tomos individuales se ha pasado a un sistema electrnico global. En esta situacin el principio de exclusin de Pauli se aplica al sistema global.

Fig. 1.2

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Si se sigue reduciendo la distancia entre los tomos en la red cristalina, la interaccin aumenta y el desdoblamiento tambin. Clculos tericos para una estructura cristalina como la del diamante, la del Si y el Ge es similar, dan como resultado la grfica de la figura 1.2. En dicha grfica, en el eje X se representa la distancia entre tomos en la red, y en el eje Y la energa relativa de los electrones. Las estructuras cristalinas del diamante (carbono), Si y Ge son tales que las distancias entre tomos dan lugar a la situacin de que los 2Ns estados y los 6Np estados, que estaban en la tercera capa de estos N tomos, se han separado en dos bandas energticas. Una banda con 4N estados y 4N electrones, que l amaremos banda de valencia, y otra banda con 4N estados y 0N electrones, banda de conduccin, y entre ambas bandas con estados permitidos existe una zona de energas en la que no hay estados permitidos, es la banda prohibida. Las diferencias en la conduc tividad del diamante, Si y Ge, como se ver posteriormente, provienen del diferente valor que toma EG para cada uno de ellos (EG anchura de la banda prohibida medida en eV). En el caso del diamante EG es del orden de 6 eV, mientras que para el Si es de 1,1 eV y para el Ge de 0,72 eV, a temperatura ambiente. En el caso del Sn y del Pb las distancias interatmicas en la red son mayores y no hay banda prohibida, la banda energtica en que se ha desdoblado la ltima capa electrnica de los N tomos tendr por tanto 8N estados y 4N electrones, que se podrn mover tranquilamente por los estados prximos desocupados, la conclusin es obvia: ambos materiales sern buenos conductores. Por eso se dice a veces que un conductor tiene la banda de conduccin parcialmente llena y que esto es lo que le confiere la propiedad de ser buen conductor. Pero veamos con ms detalle el caso del diamante (C), Si y Ge. Para el primero la banda prohibida es muy grande y a temperatura ambiente no hay prcticamente ningn electrn que haya saltado de la banda de valencia a la banda de conduccin, como en la banda de valencia no hay estados libres para moverse, no habr conduccin elctrica apreciable aunque le apliquemos un campo elctrico de gran magnitud. En el caso del silicio y a temperatura ambiente, ya hay una cierta cantidad de electrones, aunque pequea, con energa trmica suficiente para saltar de la banda de valencia a la banda de conduccin por ser la anchura de la banda prohibida del orden de 1 eV, y ms an en el caso del Ge ya que la anchura de su banda prohibida EG es menor que la del silicio. En los semiconductores Si y Ge cada electrn que salta de la banda de valencia a la banda de conduccin da lugar a dos portadores de carga: un electrn en la banda de conduccin y un hueco, ausencia de electrn, en la banda de valencia. Si se aplica un campo elctrico al semiconductor, los huecos se movern en la direccin y sentido del vector intensidad del campo elctrico y los electrones en sentido contrario. Se ha de ver un hueco como una carga positiva, y por tanto la corriente elctrica que circular ser la suma de ambas corrientes: la de huecos y la de electrones. En la figura 1.3 se puede ver el esquema de bandas de energa de aislantes, semiconductores y conductores.

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BANDA DE CONDUCCIN

Eg =

6 eV

1 eV

0 eV

BANDA DE VALENCIA AISLANTE SEMICONDUCTOR Fig. 1.3 La paradoja del grafito, es de suponer que despus de lo anteriormente expuesto habr dejado de ser tal paradoja, ya que la explicacin es obvia. CONDUCTOR

1.2. Semiconductores: intrnsecos y extrnsecos. Cuando se estableci en el apartado anterior la diferencia entre aislante y semiconductor, sta resida en que la anchura de la banda prohibida en un semiconductor era mucho menor que en un aislante. Esto da lugar que a temperatura ambiente en un aislante el nmero de electrones que han podido pasar a la banda de conduccin es despreciable mientras que en un semiconductor no es despreciable. Pero decir que en un semiconductor a temperatura ambiente el nmero de electrones que han saltado a la banda de conduccin no es despreciable hay que matizarlo y analizarlo cuantitativamente, centrndose para ello, en una muestra de Si puro. El Si tiene una densidad de 2,33 g/cm3 y un peso atmico de 28,1. Utilizando el nmero de Avogadro NA nos lleva a que el nmero de tomos Si por cm3 , nSi , ser:

nSi =

2, 33 N A 22 = 5 10 28 ,1

tomos / cm

(1-1)

El nmero de pares electrn- hueco que se han formado por cm3 ni , electrones que han saltado a la banda de conduccin, es funcin de la temperatura y a partir de la estadstica de Fermi-Dirac se obtiene la expresin:
EG0

n 2 = A 0 T3 e i

kT

(1-2)

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En donde A0 es una constante, k es la constante Boltzman y EG0 es la anchura de la banda prohibida a 0 K La anchura de la banda prohibida es funcin de la temperatura y para el Si la expresin que relaciona ambas es: EGT = 1,21 - 3,6 10-4 T eV

(1-3)

En el Si a 300 K ni = 1,5 1010 tomos/cm3 , es decir que aproximadamente cada 3 1012 tomos de la red de Si, se ha producido un par electrn- hueco. Por tanto la concentracin de portadores de carga disponibles para conducir la corriente elctrica ser 2 ni , ya que ni = n = p, donde n y p son las concentraciones de electrones por cm3 en la banda de conduccin y huecos por cm3 en la banda de valencia respectivamente. Estas concentraciones de portadores de carga libres, para conducir la corriente elctrica, son muy pequeas y la resistividad del material es alta: Si = 2,3 105 cm. En un apartado posterior se ver como obtener la resistividad del Si. Para hacerse una idea ms concreta de sus posibilidades como conductor de la corriente elctrica, se propone el clculo de la resistencia de un hilo de Si de 1cm de longitud y seccin de 1mm2 :

R=

l 1 = 2,3 105 2 = 23 106 s 10

(1-4)

El resultado obtenido muestra claramente que el Si puro no es buen conductor. Si se repite el proceso con otros materiales semiconductores puros se obtendran resultados parecidos. Ante esta situacin cabe preguntarse cmo es posible que estos materiales sean tiles en procesos de conduccin de la corriente elctrica, salvo que se quiera hacer resistencias de valor elevado. La respuesta est en que los semiconductores no se utilizan en estado puro si no dopados (contaminados) con tomos de ciertos elementos, tomos de elementos trivalentes como el B, Ga o In o tomos de elementos pentavalentes como el Sb, P o As. Cuando se usa un material de un semiconductor puro se dice que el semiconductor es intrnseco y cuando se usa un semiconductor dopado con impurezas trivalentes o pentavalentes se dice que el semiconductor es extrnseco. Se plantea a continuacin qu ocurre cuando se dopa el Si con tomos trivalentes, tomos que tienen en su ltima capa electrnica tres electrones. Cada uno de estos tomos de impurezas tiene tres electrones para compartir en los enlaces con los tomos prximos de una red de tomos Si que comparte cuatro electrones cada uno de ellos. Evidentemente en la posicin del tomo de la impureza trivalente falta un electrn respecto a la estructura que haba cuando no haba impurezas en la red. Esa ausencia de un electrn va a ser rpidamente cubierta por otro electrn de la red que va a saltar a dicha posicin, en la red se ha creado un hueco sin que aparezca un electrn en la
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banda de conduccin. Un semiconductor extrnseco de este tipo se denomina semiconductor de tipo P, y a este tipo de impurezas se las denomina impurezas aceptoras. Desde el punto de vista de la teora de bandas de energa, la adiccin de impurezas trivalentes al semiconductor puro va a significar la aparicin de unos estados energticos nuevos en la banda prohibida, no ocupados, muy prximos a la banda de valencia. A temperatura ambiente todos estos estados se habrn cubierto por electrones que han saltado de la banda de valencia, creando tantos huecos por cm3 como impurezas haya por cm3 . En la figura 1.4 se puede observar el diagrama de bandas de energa de un semiconductor extrnseco de tipo P.

SEMICONDUCTOR EXTRNSECO TIPO P

BANDA CONDUCCIN

ESTADOS ENERGTICOS NUEVOS, CREADOS POR LAS IMPUREZAS ACEPTORAS

BANDA VALENCIA

Fig. 1.4

Si ahora el dopado del semiconductor de Si se realiza con tomos de impurezas pentavalentes, el tomo de impureza en la red de Si tiene cinco electrones para compartir en los enlaces, cuando se comparten cuatro por cada tomo. El quinto electrn sobra y saltar fcilmente del tomo convirtindose en un electrn libre. Se ha obtenido un electrn en la banda de conduccin sin generar un hueco en la banda de valencia. Un semiconductor extrnseco de este tipo se denomina semiconductor de tipo N, y a este tipo de impurezas se las denomina impurezas dadoras. Desde el punto de vista de la teora de bandas de energa, la adiccin de impurezas pentavalentes al semiconductor puro de Si va a significar la aparicin de unos estados energticos nuevos en la banda prohibida, y todos ocupados a 0 K, muy prximos a la banda de conduccin. A temperatura ambiente los electrones de estos estados nuevos habrn saltado a la banda de conduccin, apareciendo tantos electrones libres por cm3 como impurezas haya por cm3 . En la figura 1.5 se puede observar el diagrama de bandas de energa de un semiconductor extrnseco de tipo N.

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SEMICONDUCTOR EXTRNSECO TIPO N

BANDA CONDUCCIN

ESTADOS ENERGTICOS NUEVOS, CREADOS POR LAS IMPUREZAS DADORAS

BANDA VALENCIA

Fig. 1.5 El nivel de dopado de los semiconductores extrnsecos suele estar entre 108 y 106 tomos de semiconductor por cada tomo de impureza. A pesar de que la proporcin de impurezas es pequea, se ver que la resistividad del material cambia fuertemente. Tomando el nivel ms bajo de dopado, 1 tomo de impurezas dadoras cada 108 tomos de silicio, y calculando nuevamente la resistencia de un hilo de 1 cm de longitud y 1 mm2 de seccin, de este material de tipo N. La resistividad del material es ahora de 9,62 cm, luego la resistencia del hilo ser:

R=

l 1 = 9,62 2 = 962 s 10

(1-5)

Evidentemente las cosas han cambiado radicalmente. La razn de que la resistividad haya bajado tanto es que a temperatura ambiente la concentracin de electrones en la banda de conduccin es ahora prcticamente igual a la de impurezas, por tanto:

5 10 22 n= = 5 1014 electrones cm 3 8 10

(1-6)

Mientras que el Si puro a temperatura ambiente tiene tan solo 1,45 1010 electrones cm-3 en la banda de conduccin. En la construccin de los dispositivos electrnicos se usarn semiconductores extrnsecos, tanto de tipo P como de tipo N.

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1.3. Ley de accin de masas. En un semiconductor intrnseco la concentracin de ambos tipos de portadores libres, electrones y huecos, es la misma:

n = p = ni

(1-7)

donde ni es funcin de la temperatura. Por tanto: ni 2 = n p (1-8)

La ley de accin de masas dice que esta expresin se cumple tambin para un semiconductor extrnseco. Dicha ley se demostrar posteriormente, al final del tema. Es importante analizar que implicaciones tiene esta ley en un semiconductor extrnseco. Denominando NA a la concentracin de impurezas aceptoras en el semiconductor, y ND a la concentracin de impurezas dadoras en el mismo. La conservacin de la carga elctrica lleva a que en cada elemento de volumen del semiconductor se ha de cumplir la expresin:

ND + p = NA + n En un semiconductor tipo N solo hay impurezas dadoras, NA = 0, por tanto: ND + p = n

(1-9)

(1-10)

A temperatura ambiente, supuestas todas las impurezas dadoras ionizadas, y para los valores habituales de dopado de un semiconductor extrnseco se cumple:

ND >> p por tanto:

(1-11)

ND = n

n >> p

(1-12)

En un semiconductor extrnseco de tipo N se cumple que la concentracin de electrones en la banda de conduccin es mucho mayor que la de huecos en la banda de valencia. En este semiconductor se dice que los electrones son los portadores
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mayoritarios y los huecos los portadores minoritarios, y a las concentraciones se les pone el subndice del tipo de semiconductor: nn y pn . De la ley de accin de masas se deduce que en un semiconductor tipo N:

pn =

n2 n2 i = i nn N D

(1-13)

En un semiconductor extrnseco de tipo P pasa algo similar pero cambiando el tipo de impurezas, por tanto ahora los portadores mayoritarios sern los huecos, su concentracin ser igual a la de impurezas aceptoras NA, y los portadores minoritarios sern los electrones.

NA = p

p >> n

(1-14)

Para indicar el tipo de semiconductor a las concentraciones de portadores se les pone el subndice del tipo, en este caso p. Igualmente de la ley de accin de masas se deduce que la concentracin de portadores minoritarios es:

np =

n2 n2 i = i pp N A

(1-15)

1.4. Semiconductor conductividad.

extrnseco,

movilidad

de

los

portadores

de

carga:

Si se aplica un campo elctrico en el seno de un material semiconductor, los portadores libres de carga, electrones en la banda de conduccin y huecos en la banda de valencia, sufrirn una aceleracin debida a la fuerza que el campo elctrico ejerce sobre ellos ganando velocidad hasta que chocan con la red y son frenados, pero nuevamente son acelerados hasta el siguiente choque. Este proceso da como resultado que los portadores se mueven con una velocidad promedio, vn los electrones y vp los huecos tal que se cumple: vn = n E vp = p E

(1-16)

donde n es la movilidad de los electrones y p es la movilidad de los huecos. Supuesto que las concentraciones de portadores libres de carga en el material semiconductor son n electrones por cm3 y p huecos por cm3 , la densidad de corriente ser: J = q n vn + q p vp = q (n n + p p) E = E
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(1-17)
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Donde q es la carga de un electrn y es la conductividad del material, es la inversa de la resistividad ( = 1/). La movilidad es independiente del campo elctrico para valores de ste menores de 103 V cm-1 , vara con E-1/2 para 103 V cm-1 < E < 104 V cm-1 , y para valores de E superiores empieza a variar inversamente con el campo elctrico alcanzando los electrones una velocidad mxima de saturacin del orden de 107 cm s-1 . La movilidad lgicamente disminuye con la temperatura, a mayor temperatura mayor vibracin en la red y mayor probabilidad de choques, variando en proporcin a T-m donde para el Si m vale 2,5 para los electrones y 2,7 para los huecos. A temperatura ambiente, 300 K, en el Si n = 1300 cm2 V-1 s -1 y p = 500 cm2 V-1 s-1 . La conductividad en un material semiconductor intrnseco aumenta con la temperatura ya que el aumento de ni es mayor que la disminucin de las movilidades. Para un semiconductor extrnseco, en un entorno amplio de la temperatura ambiente, como la concentracin de portadores mayoritarios no vara apreciablemente la conductividad disminuye con la movilidad. Dado que la resistividad es el inverso de la conductividad:

1 q ( n n + pp)

(1-18)

Se propone utilizar la expresin previa para confirmar los valores de la resistividad del Si, a temperatura ambiente, que se ha utilizado en el apartado 1.2 del tema, en los casos: Si puro y Si dopado con impurezas dadoras en la proporcin 1 tomo de impurezas cada 108 de Si. 1.5 Creacin y recombinacin de pares. A partir de la estadstica de Fermi-Dirac y de la densidad de estados permitidos en las bandas de valencia y conduccin, se obtiene que el cuadrado de la concentracin de pares electrn-hueco que se han generado por la temperatura en un semiconductor extrnseco es: n 2 = A 0 T3 e i
EG0 kT

(1-19)

Pero esta concentracin de portadores es fruto de un proceso dinmico constante de generacin de pares y de su recombinacin. Si se toma una barra de un semiconductor extrnseco de tipo N, en el equilibrio trmico las concentraciones de portadores libres de carga sern nn0 y pn0 , y cumplirn la relacin:
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ni 2 = nn0 pn0

(1-20)

Si ahora se ilumina la barra semiconductora con una luz tal que su longitud de onda sea capaz de generar pares electrn-hueco, las concentraciones nn0 y pn0 pasarn a ser nn y pn , donde: nn - nn0 = pn - pn0 (1-21)

Admitiendo la suposicin de que la intensidad de la luz es de una magnitud que slo desequilibra apreciablemente la concentracin que exista de portadores minoritarios pn0 , lo cual es bastante lgico ya que inicialmente nn0 >> pn0 . Una vez que cese la excitacin luminosa la vuelta al estado de equilibrio de la concentracin de huecos estar regulada por la velocidad de recombinacin de stos que ser proporcional a su concentracin y a un parmetro que se denomina vida media p: Velocidad de decrecimiento de la concentracin de huecos = pn / p Pero a la vez nuevos pares de electrn-hueco se estn generando por efecto de la temperatura. Llamando g a dicha velocidad de generacin de pares, la ecuacin que rige la vuelta a la concentracin de equilibrio ser:

dp n p = g n dt p

(1-22)

Cuando se haya alcanzado el equilibrio:

dp n p = 0 g = n0 dt p

(1-23)

Por tanto:

dp n p pn p' = n0 = n dt p p
(1-24)

p'n (t ) = p'n (0 ) e

( p n (0 ) pn0 ) e

donde p'n (t) es el exceso de la concentracin de huecos respecto a la concentracin en el equilibrio en el instante t.
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1.6. Difusin de portado res en un semiconductor graduado. Supuesto un semiconductor extrnseco de tipo P con una concentracin de impurezas NA graduada segn el eje X de modo que de lugar a un gradiente de la concentracin de huecos dp/dx. Por agitacin trmica se producir una difusin de huecos en el sentido opuesto a dp/dx, dando lugar a una densidad de corriente de huecos:

J p = qD p

dp dx

(1-25)

donde Dp es la constante de difusin de los huecos. Tanto la movilidad como la constante de difusin son constantes de un mismo fenmeno estadstico y no sern independientes cumpliendo la relacin:

Dp p

Dn kT T = VT = = V n q 11600

(1-26)

La expresin 1-26 se denomina relacin de Einstein. A 300 K VT vale 25,86 mV. Esta constante ser muy usada en los temas posteriores y se suele redondear su valor por 25 o 26 mV para temperatura ambiente. Por tanto en un semiconductor extrnseco pueden coexistir corrientes de difusin, si existe gradiente en la concentracin de portadores, y corrientes de desplazamiento si existe gradie nte de potencial. La densidad de corriente total de huecos y electrones tomar en general la expresin:

J p = q ppE qD p

dp dx
(1-27)

J n = q nnE + qDn

dn dx

1.7. La ecuacin de continuidad. Supuesto un material semiconductor en el que se ha alterado el equilibrio de la concentracin de portadores en la direccin del eje X, y tomando un elemento de volumen de seccin A y espesor dx en el que la concentracin media de huecos es p en el instante t, tal que la corriente de huecos que penetra por la seccin A izquierda es Ip y la corriente de huecos que lo abandona por la seccin derecha A es Ip+dI p,, figura 1.6.

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A Ip Ip+dIp

x+dx Fig. 1.6

El nmero de huecos que abandonan el volumen por segundo ser:

dI p q

(1-28)

y la disminucin de huecos por unidad de tiempo y unidad de volumen:

1 1 dJ p dI p = qAdx q dx

(1-29)

Pero en el elemento de volumen se estn recombinando huecos con una velocidad p/ p y generando con una velocidad p0 / p, por unidad de volumen. De la conservacin de la carga se deduce la expresin:

p p p 1 J p = 0 t p q x

(1-30)

La expresin obtenida es lo que se denomina ecuacin de continuidad.

1.8. Inyeccin de portadores minoritarios en un semiconductor extrnseco. Sea una barra fina y homognea de un semiconductor extrnseco de tipo N que se ilumina permanentemente un extremo con un haz de luz de longitud de onda tal que sus fotones generan en dicho extremo pares electrn-hueco. Imponiendo la condicin de que la velocidad de generacin de dichos pares adicionales cumple que la concentracin de portadores minoritarios pn siguen siendo despreciable frente a la concentracin de portadores mayoritarios nn
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pn = pn ' + pn0 << nn

(1-31)

Como se ha creado un gradiente de concentracin de portadores, aparecern corrientes de difusin y desplazamiento, siendo la corriente de desplazamiento de los portadores minoritarios, huecos, no as la de los mayoritarios, electrones, despreciable frente a la corriente de difusin de stos, como se justificar posteriorment e. Una vez alcanzado el equilibrio, y de la ecuacin de continuidad:

pn p pn 1 J p = 0 = n0 t p q x

(1-32)

puesto que la corriente de desplazamiento de huecos se ha supuesto despreciable frente a la de difusin, la densidad de corriente de huecos ser:

J p = qD p

dp n dx

(1-33)

Sustituyendo en la ecuacin de continuidad:

d 2p n p pn p n pn 0 = n0 = 2 Dp p D p p dx

(1-34)

introduciendo la constante, se obtiene:

d 2p n ' p' = 2n 2 dx Lp

(1-35)

La solucin de la ecuacin 1-35 es del tipo:

p'n (x ) = K 1 e

Lp

+ K2 e

Lp

(1-36)

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Por condiciones de contorno K2 es cero, ya que si no en un extremo suficientemente alejado el exceso de la concentracin de huecos tendera a infinito. Por tanto:

p'n (x ) = p'n (0) e

Lp

(1-37)

Luego el exceso de la concentraci n de portadores minoritarios pn ' decrece a lo largo de la barra exponencialmente. Si la seccin de la barra es A la intensidad de la corriente de huecos ser:

I p (x ) = A J p (x ) = AqD p

dp n (x ) dx

(1-38)

Admitiendo la hiptesis de neutralidad elctrica en cada elemento de volumen del material:

nn ' = pn ' n n n n 0 = p n p n0 dn n dp n = dx dx
Luego la corriente de difusin de los electrones: (1-39)

I n ( x) = AqD n

dn n ( x ) dp ( x) = AqD n n dx dx (1-40)

I n ( x) =

Dn I p ( x) Dp

Dado que el circuito est abierto la corriente total debe ser cero, y por otra parte Dn /D p3. Por tanto debe existir una corriente de desplazamiento de electrones Ind(x), tal que:
I p (x) + In (x) + I n d(x) = 0

(1-41)

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Despejando en la expresin 1-41 Ind(x) :

D I n d( x ) = n 1 I p ( x) Dp

(1-42)

Lgicamente la corriente de desplazamiento la ha generado un campo elctrico que se ha creado en la barra: Dn J n d ( x) 1 = 1 I p ( x ) n A q n n ( x ) n Dp

E( x) =

(1-43)

Para acabar este apartado se probar que la hiptesis inicial I pd (x) << I p (x) es cierta:

I pd (x) = A p E(x) =

A q p n (x) p Dn 1 I p (x) A q n n (x) n D p

(1-44)

Como pn (x) << nn (x) se cumple que Ipd(x) << Ip(x). Luego la corriente de portadores minoritarios, en estas condiciones, es esencialmente una corriente de difusin. Es decir si en un semiconductor extrnseco se inyectan portadores adicionales la corriente de portadores minoritarios ser mayoritariamente por difusin. Este resultado, como se ver en temas posteriores es de gran importancia.

1.9. Variacin de potencial en un semiconductor graduado. Sea una barra de un semiconductor de tipo P, cuya concentracin de impurezas aceptoras est graduada segn el eje longitudinal x. En el equilibrio y sin excitacin externa, en todos los puntos de la barra semiconductora la corriente de cada tipo de portadores debe ser nula. Existir por tanto una corriente de desplazamiento igual y de sentido contrario a la de difusin y por tanto un campo elctrico en la barra. La corriente total de ambos tipos de portadores ha de ser nula:

J p ( x) = q p p p 0 ( x) E ( x) q D p

dp p 0 ( x ) dx dn p 0 ( x) dx

= 0

(1-45)
J n ( x) = q n n p 0 ( x) E ( x) + q D n = 0

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Despejando E(x) de la primera ecuacin se obtiene:

E( x) =

Dp pp p0 ( x)

dp p0 ( x ) dx

VT dp p0 ( x ) p p0 ( x) dx

(1-46)

Como en la barra se supone simetra axial sobre el eje longitudinal X:

dV ( x) = E( x) dx
(1-47)

dV ( x ) = VT

dp p0 ( x) pp 0 ( x )

Por tanto la diferencia de potencial entre dos puntos a y b de la barra ser:

Vba = VT ln

pp 0 (a ) p p0 ( b )

(1-48)

La relacin de la concentracin de huecos entre ambos puntos de la barra ser:

pp 0 (a ) = pp 0 ( b) e

Vba

VT

(1-49)

La diferencia de potencial entre dos puntos de la barra en funcin de la concentracin de portadores minoritarios, electrones, a partir de la corriente total de stos da como resultado la expresin:

Vba = VT ln

n p0 (a ) n p 0 ( b)

(1-50)

La concentracin de electrones entre ambos puntos de la barra cumple la relacin:

n p 0 ( a) = n p 0

V ba V T ( b) e

(1-51)

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Si se multiplica la igualdad que relaciona la concentracin de huecos entre dos puntos de la barra por la correspondiente de huecos, se obtiene: np0 (a) pp0 (a) = np0 (b) pp0 (b) = ni 2

(1-52)

Lo que se ha obtenido es la demostracin de la ley de accin de masas, ya que se cumplir para cualquier nivel y tipo de dopado en la barra. En general esta ley se expresa como que en cada punto de una barra semiconductora en equilibrio se cumple: n p = ni 2

(1-53)

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PROBLEMAS

1. Una barra de silicio intrnseco tiene 10 mm de longitud y una seccin cuadrada de 40x40 micras. Determinar la intensidad del campo elctrico en la barra y la diferencia de potencial entre sus extremos cuando circula por ella una corriente de 2 A y la temperatura es de 300 K. (A 300K en el silicio: ni = 1,45 1010 cm-3 , n = 1300 cm2 /Vs, p = 500 cm2 /Vs) Resultados: E = 29.933 V/cm V = 29.933 V Puesto que: J= E y V=lE Para obtener E y posteriormente V, se calcula la conductividad y la densidad de corriente en la barra: = q (n n + p p) = q ni (n + p) = 1,6 10-19 1,45 1010 (1300 + 500) -1 cm-1 = = 4,176 10-6 -1 cm-1 J = E= I 2 10 6 A 1 = = A cm 2 8 2 S 1600 10 cm 8 J 0,125 A cm 2 = = 29.933 V cm 1 4,176 10 6 1cm 1

V = l E = 29.933 V

2. Dado un semiconductor extrnseco, obtener la expresin que relaciona concentraciones de electrones (n) y huecos (p) con la concentracin impurezas dadoras ND e impurezas aceptoras NA, y las concentraciones electrones y huecos (ni ) que tendra el semiconductor si fueran nulas concentraciones de impurezas.

las de de las

La ley de accin de masas, da la relacin:

n p = n2 i

n = concentracin de electrones en la banda de conduccin en un semiconductor extrnseco p = concentracin de huecos en la banda de valencia en un semiconductor extrnseco ni = concentracin de electrones en la banda de conduccin o de huecos en la banda de valencia en un semiconductor intrnseco.

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La neutralidad elctrica en cualquier elemento de volumen de un semiconductor extrnseco implica que se cumpla la expresin:

n + NA = p + ND

NA = concentracin de impurezas aceptoras ND = concentracin de impurezas dadoras Despejando p en la ltima expresin y sustituyndola en la expresin de la ley de accin de masas se obtiene:
n (n + (N A N D )) = n 2 i n 2 + n (N A N D ) n 2 = 0 i

La ecuacin de segundo grado previa tiene como soluciones:

N NA n= D 2

ND NA + n2 i 2

de las cuales solo es fsicamente posible la solucin:

N NA n= D + 2

ND NA + n2 i 2

Este ltimo paso se deja como ejercicio al alumno. De igual forma se obtiene para la concentracin de hue cos la expresin:

N ND p= A + 2

NA ND + n2 i 2

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Para un semiconductor extrnseco de tipo N (N D 0 y NA = 0):

N nn = D + 2

ND + n2 i 2

N pn = D + 2

ND + n2 i 2

Para un semiconductor extrnseco de tipo P (N A 0 y ND = 0):

N pp = A + 2

NA + n2 i 2

N np = A + 2

NA + n i2 2

3. Si la concentracin de tomos en la muestra de silicio es de 5 1022 cm-3 . Repetir el problema 1 si ahora se dopa el semiconductor con impurezas donadoras en la proporcin de un tomo de impureza por cada 108 tomos de silicio. Resultados: E = 1,25 V/cm V = 1,25 V Ahora la conductividad vendr dada por los conductores mayoritarios n, ya que pn << nn , y esta ltima se puede aproximar por la concentracin de impurezas ya que:

ND =

5 10 22 10
8

= 5 1014 >> n i = 1,45 10 10

Por tanto: = q (n nn + p pn ) = q nn n = 1,6 10-19 5 1014 1300 -1 cm-1 = 0,1 -1 cm-1 y la densidad de corriente ser la misma: J = I 2 10 6 A 1 = = A cm 2 8 2 S 1600 10 cm 8

Sustituyendo J y : J E= = 0,125 A cm 2 = 1,25 V cm 1 0,1 1cm 1

V = l E = 1,25 V

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4. En el grfico de la figura anexa se da la variacin de ni con la temperatura (T), de tres semiconductores (Ge , Si y Ga As ). Utiliza dicha grfica y las expresiones de nn y pn obtenidas en el problema 2 para obtener las concentraciones electrones y huecos a 400 K en el semiconductor del problema anterior. Resultados: nn = 5 1014 cm-3 pn = 8 109 cm-3 De la grfica se obtiene que a 400 K: ni 2 1012 cm-3 La concentracin de impurezas dadoras del problema anterior era 5 1014 cm-3 . Sustituyendo en las expresiones de nn y pn del problema 2, resulta:

5 1014 nn = 2 +

5 10 14 12 2 + 2 10

= 2,5 1014 + 6, 25 10 28 + 4 10 24 = 2,5 1014 + 2,50008 1014 = 5 10 14 cm 3 = ND

5 1014 + pn = 2

5 10 14 + 2 1012 2

= 2,5 10 14 + 2,50008 10 14 = 8 10 9 cm 3

La concentracin de portadores minoritarios, pn , se poda haber obtenido directamente de la expresin de la ley de accin de masas: nn pn = n2 i n2 2 10 12 4 10 24 pn = i = = = 8 10 9 cm 3 nn 5 1014 5 10 14

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5. Determinar el nivel de dopado de un semiconductor tipo P de Si, si una barra de 10 cm de longitud y seccin 1 mm2 a temperatura ambiente tiene una resistencia de 100 . Resultado: 4 105 tomos de Si por cada tomo de impurezas Se calcula en primer lugar la conductividad de la barra:

1 l 10 cm = = = 10 1 cm 1 2 2 Rs 100 10 cm

Como la barra semiconductora es de tipo P se cumple: = q (n np + p pp) = q pp p

Por tanto despejando pp :

pp =

10 1 cm 1 = = 1, 25 1017 hue cos cm 3 19 2 1 1 q p 1,6 10 C 500 cm V s

La concentracin de huecos obtenida ser la concentracin existente de impurezas aceptoras NA. Puesto que la concentracin de tomos de Si es 5 1022 tomos por cm3 , el nivel de dopado ser de: 5 1022 / 1,25 1017 = 4 105 tomos de Si por cada tomo de impurezas

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