TRANSISTOR UNIPOLAR (JFET) TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION OBJETIVO 1.

Identificar las terminales del transistor unipolar o de efecto de campo de unin (JFET). 2. Obtener la grfica de transferencia, tambin conocida como grfica de transconductancia (VGS IDS). 3. Obtener los parmetros VP (voltaje de pinch-off), IDSS (corriente de drenaje-fuente con la compuerta corto-circuitada. Conocida tambin como corriente de drenajefuente de saturacin) y la gmo (transconductancia mxima), a partir de la grafica de la transconductancia. 4. Observar y reportar como se modifica la grafica de la transconductancia y los parmetros VP e IDSS cuando aumenta la temperatura del JFET. 5. Obtener las curvas caractersticas de salida o graficas de salida (VDS IDS) del JFET. 6. Determinar el valor del voltaje de pinch-off (VP), la corriente IDSS, as como el valor de la gm a partir de las graficas de salida. 7. Observar y reportar como afecta el aumento de la temperatura a las graficas de salida del JFET. 8. Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, graficas y mediciones llevadas a cabo durante la realizacin de esta prctica.

MATERIAL 2 transistores JFET 2N5457 o equivalente 1 Diodo de silicio 1N4004 o BX127 1 Resistor de 1 M, 3 de 1 K, 2 de 10 K a 0.5W 1 capacitor de 0.1 f Pinzas de punta, Pinzas de corte y Desarmador. Cables: 6 caimn caimn, 6 caimn banana, 8 banana banana, mnimo de 50cm de longitud. Tablilla de conexiones (protoboard). 4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin BNC y en el otro caimanes.

MARCO TERICO

TRANSISTOR JFET
Los diferentes tipos de transistores que existen pueden agruparse en dos grandes grupos o familias: a) Transistores bipolares y b) Transistores unipolares. Los transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor), reciben la denominacin bipolar debido a que basan su funcionamiento en dos tipos de portadores de carga: electrones (-) y huecos (o lagunas) cuya carga es (+), mientras que los transistores unipolares (Unipolar Junction Transistor) se denominan as porque para su funcionamiento utilizan un slo tipo de portadores de carga: electrones huecos (o lagunas). Un tipo de transistor perteneciente al grupo de los unipolares, es el denominado transistor de efecto de campo (Field Effect Transistor). Dicho transistor, es particularmente adecuado para ser utilizado en circuitos integrados debido a su reducido tamao. El trmino efecto de campo se debe, a que el control de la corriente a travs de dicho transistor, se ejerce (como veremos al analizar su funcionamiento) mediante un campo elctrico exterior, por lo que el control de los mismos es por tensin y no por corriente como ocurre en los transistores bipolares. Los F.E.T. pueden ser de dos tipos: 1. J.F.E.T. (Junction Field effect Transistor): Transistor uniunin de efecto de campo. 2. M.O.S.F.E.T. (Metal Oxide Semiconductor Transistor): Transistor metal xido semiconductor de efecto de campo. Los transistores JFET pueden ser de dos tipos: JFET de canal N JFET de canal P

Ambos tipos presentan tres electrodos o terminales: Puerta (Gate), Surtidor o fuente(Source) y Drenador (Drain). Fuente o surtidor (S): terminal por donde entran los portadores provenientes de la fuente externa de polarizacin. Drenador (D): terminal por donde salen los portadores procedentes de la fuente y que atraviesan el canal. Puerta (G): terminal constituido por regiones altamente impurificadas (zona de dopado) a ambos lados del canal y que controla la cantidad de portadores que atraviesan dicho canal.

Los JFET de canal N estn constituidos por una barra de material semiconductor tipo N, denominada canal, con dos regiones de material semiconductor tipo P; mientras que en los JFET de canal P, la barra o canal es de material semiconductor tipo P, rodeada por dos regiones de material N. En un JFET de canal N, la corriente se debe a electrones, mientras que en un JFET de canal P, se debe a huecos o lagunas. Constructivamente, el JFET, slo tiene una unin P-N en vez de dos, como ocurre con el BJT. Al comparar al JFET con el BJT se aprecia que el drenador o drenaje (D) es anlogo al colector, en tanto que la fuente o surtidor (S) es anloga al emisor, por ltimo la puerta o compuerta (G), es anloga a la base.La fuente y el drenaje de un JFET se pueden intercambiar sin afectar el funcionamiento del mismo. La diferencia fundamental que existe entre el transistor bipolar y el JFET en cuanto al control, radica en que en el primero, el control de la corriente entre colector y emisor se hace por medio de la base, es decir se trata de un control por corriente, mientras que en el JFET el pasaje de la corriente del drenador al surtidor es controlado por el gate y es un control por tensin. Otra diferencia notable entre ambos esta dada en las impedancias de entrada, siendo mucho mayor la del JFET (Zi = 108 a 1012) comparada con la de un transistor bipolar (Zi = 102 a 106). La elevada impedancia de entrada del JFET constituye su principal ventaja, y se debe a que la unin P-N se encuentra polarizada en forma inversa. En los JFET la polaridad del potencial de puerta debe ser tal, que mantenga la unin P-N de entrada polarizada en forma inversa. La corriente de la compuerta (IG), es despreciable debido a que se trata de una corriente inversa de fuga, por lo tanto tiene un valor sumamente bajo.

DESARROLLO EXPERIMENTAL 10.1 Identificar las terminales del transistor unipolar o de efecto de campo de unin (JFET).

Usando el multmetro en su funcin de hmetro, podemos identificar con facilidad cual de las terminales del JFET es la compuerta y el tipo de canal que sea, midiendo el efecto rectificante entre la terminal de la compuerta y cualquiera de las otras dos terminales ser P, por lo tanto, colocando la terminal positiva de la fuente interna del hmetro en la compuerta (P) y la negativa en cualquiera de las dos terminales restantes (drenaje o fuente), se deber obtener baja resistencia. Adems la lectura que debe tenerse entre las terminales de drenaje y fuente sin importar la polaridad que se haga llegar a estas terminales, ser la resistencia del canal, la que generalmente es de algunos cuantos K. Sin embargo, no resulta posible a travs de este mtodo, determinar Cul de las terminales corresponde al drenaje y cual a la fuente? Y aunque para algunas aplicaciones es indistinto como se conecten estas terminales (generalmente cuando se usa en la regin hmica), para muchas otras (como en amplificacin o como fuente de corriente), si es necesario distinguir el drenaje de la fuente, por lo que recomendamos al alumno que consulte en la hoja de especificaciones que proporciona el fabricante la ubicacin de las terminales del dispositivo. Reporte el valor medido para la resistencia del canal RCANAL = 277 . Asimismo, dibuje en la figura 10.1, el transistor de efecto de campo de unin JFET, indicando donde est la terminal de fuente, compuerta y drenaje.

Figura 10.1 dibujo del transistor de efecto de campo indicando cual es la fuente, compuerta y drenaje

10.2 Obtener la grfica de transferencia tambin conocida como grafica de transconductancia (VGS- IDS). Armar el circuito de la figura 10.2 y obtener la grafica de transconductancia (VGS IDS). Es muy importante recordar que el JFET debe usarse con la unin compuerta-fuente polarizada inversamente y cuando por alguna razn se polarica directamente, deber cuidarse que el voltaje directo no sobrepase el voltaje de umbrel de un diodo de silicio, por esta razn se coloca el sujetador formado por el diodo de silicio D y el condensador C a la entrada del circuito.

Dibujar en la figura 10.3, la grafica que se observa en el osciloscopio, marcando claramente los valores de los parmetros medidos.

Figura 10.2 a) Circuito propuesto para obtener la grafica de transferencia o de transconductancia del JFET, b) ejemplo de la grafica de transconducatancia que debe obtenerse en el osciloscopio, la cual ilustra los parmetros que deben ser utilizados.

Figura 10.2 a) Circuito propuesto para obtener la grafica de transferencia o de transconductancia del JFET, b) ejemplo de la grafica de transconductancia que debe obtenerse en el osciloscopio, la cual ilustra los parmetros que deben ser medidos.

Grafica observada en el osciloscopio

10.3 Obtener los parmetros VP (voltaje de pinch-off), IDSS (corriente de drenajefuente con la compuerta corto-circuitada, conocida tambin como corriente de drenaje-fuente de saturacin) y la gmo (transconductancia mxima), a partir de la grafica de la transconductancia. Reportar en la tabla 10.1, los valores medidos para el voltaje pinch-off y la corriente de drenaje-fuente de saturacin, asimismo, medir con el voltmetro en CD el valor del voltaje de drenaje-fuente. Posteriormente en casa determinar el valor de la transconductancia mxima (gmo). TABLA 10.1 Parametros del JFET a temperatura ambiente VP(V) VDS(V) 2 9.1

IDSS (mA) 2

gmo(V) 7.1X10-3

Figura 10.3

Grafica de transferencia o de transconductancia (VGS IDS) para dos diferentes temperaturas. ( ) ( )

10.4 Observar cmo se modifica la curva de transconductancia y los parmetros VP e IDSS cuando se aumenta la temperatura del JFET. Acercar un cerillo encendido o la punta caliente de un cautn, al JFET del circuito de la figura 10.2, por 5 s y reportar sobre la misma figura 10.3 en otro color de tinta la grafica que se obtiene, observar si los parmetros medidos en la tabla 10.1 se modifican con respecto a los medidos a temperatura ambiente. Reportarlos en la tabla 10.2. TABLA 10.2 Parametros del JFET cuando aumenta la temperatura IDSS (mA) VP(V) VDS(V) gmo(V) 1 1.9 9.15 4.01X10-3

Grafica observada en el osciloscopio al aumentar la temperatura

10.5 Obtener las curvas caractersticas de salida o graficas de salida (VDS IDS) del JFET. Armar el circuito mostrado en la figura 10.4 y variar el voltaje de la fuente E, para obtener una a una las graficas de salida del JFET. Se recomienda que la seal usada en el drenaje sea una seal pulsante o una seal diente de sierra (con amplitud entre 10 12V, y frecuencia entre 60-1000Hz), reportar las curvas que se obtienen en la figura 10.5.

Figura 10.4 a) Circuito para obtener las graficas de salida del JFET, b) Ejemplo de las graficas de salida de un JFET canal N.

Figura 10.5 a) Grafica de salida para el transistor de efecto de campo JFET canal N.

Curvas caractersticas de salida del JFET.

10.6 Determinar el valor del voltaje de pinch-off (VP), la corriente IDSS, asi como el valor de la gm a partir de las graficas de salida. 10.6.1 Reportar los valores de la corriente de drenaje medida, para cada uno de los diferentes valores de voltaje compuerta-fuente que se proponen en la tabla 10.3. TABLA 10.3 Valores de corriente IDS medidos de las graficas de salida del JFET VGS (V) Obtener de cada una de las curvas que se observan en el osciloscopio la corriente IDS (mA), para los voltajes de VDE abajo indicados IDS para IDS para IDS para IDS para IDS para IDS para IDS para VDS=0 V VDS=2 V VDS=4 V VDS=6 V VDS=8 V VDS=10V VDS=12V VGS=0 0 0.19 0.370 0.55 0.7 0.74 0.75 10.6.2 Para la grfica de VGS =0, reportar en la tabla 10.4, los valores de IDSS y VP. Posteriormente (en casa) usando las graficas dibujadas, determinar el valor de la gm para el punto de operacin con voltaje VDS=4V. TABLA 10.4 Parmetros IDSS y VPO del JFET, medidos a partir de la grafica de salida cuando VGS=0 IDSS (mA) VPO (V) 11.15 1.6 10.7 Observe como afecta el aumento de la temperatura a las graficas de salida del JFET. Usando el mismo circuito 10.4, fije el valor de voltaje en la compuerta (a 0.2 VP) y acerque un cerillo encendido o la punta caliente de un cautin, al JFET por espacio de 5s y observe como afecta esto a la curva, dibjela sobre la misma figura 10.5, en otro color de tinta y comprela con la anterior cuando la temperatura era la del ambiente. 10.8 Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, graficas y mediciones llevadas a cabo durante la realizacin de esta practica. 10.8.1 Escriba la expresin matematica del JFET, que permite obtener la grafica de la transconductancia. ( ) ( )

10.8.2 En que punto de la grafica de la transconductancia, se presenta el valor mximo de la misma. Ilstrelo grficamente. Punto de corriente mxima

10.8.3 Escriba la expresin matematica que permite obtener la transconductancia en cualquier punto de operacin, en trminos de la transconductancia mxima. ( )

10.8.4 Cmo se modifica la grafica que se obtuvo para la transconductancia (figura 10.3), si en el circuito de la figura 10.2 se aumenta la amplitud del voltaje pico de la seal del generador a 15V. para ilustrarlo dibuje la curva que obtuvo y en otro color de tinta, marque la modificacin.

10.8.5 Dibuje la grafica de la transconductancia para un JFET canal P.

10.8.6 Dibuje la grafica de salida VDS-IDS de un JFET canal P.

10.8.7 Proponga un circuito que permita obtener la grafica de salida de un JFET canal P.

10.8.8 Proponga los circuitos de autopolarizacin y de polarizacin de compuerta por divisor de voltaje para el JFET canal N.

Autopolarizacin Divisor de voltaje 10.8.9 Para los circuitos de polarizacin del punto anterior, determine las expresiones para los voltajes y corrientes del punto de operacin. VS = ID . RS VGS = VG- VS = 0 - VS = - VS = -ID . Rs 10.8.10 Para los circuitos de polarizacin anteriores, considere que hacemos llegar una seal de entra senoidal de 50 mV pico, usando la grafica de salida (VDS-IDS), dibuje las formas de onda de la seal de voltaje en la entrada (seal a amplificar), en la salida (seal amplificada) y la forma de onda en la corriente drenaje-fuente.

VGS VS 0 VGS VS VGS RS I S VDD RD I D VDS RS I D VDS VDD RD I D RS I D VDS VDD I D ( RS RD ) ID VDS VDD RS R D RS R D

CONCLUSIONES Al realizar esta prctica de laboratorio, se logr comprender y analizar el tema abordado durante las clases acerca del transistor JFET, para el cual podemos decir que se comporta de manera muy similar al transistor bipolar de unin. Primeramente aprendimos a identificar las terminales de este nuevo transistor con ayuda del multmetro, aun que este mtodo solo nos permiti hallar la terminal correspondiente a la compuerta, y fue imposible saber cul de las otras dos era la de drenaje y fuente. As entonces tuvimos que recurrir a la hoja de datos. Con ese mtodo se pudo medir la resistencia del canal. En particular, las graficas que nos mostr el osciloscopio, fueron my similares con las del transistor bipolar, con la diferencia de que en la de entrada, nos muestra la grafica en el segundo cuadrante, es decir los valores de voltaje son negativos. Segn el conocimiento adquirido en la teora, esta grafica de entrada, es llamada comnmente Grafica de Transconductancia. Para las curvas de salida ocurre lo mismo que el transistor analizado la practica anterior, al variar el voltaje varan las curvas, notoriamente lo observamos en su altura. Tambin se observ que al aumentar la temperatura del dispositivo, acercndole la punta del cautn, la grafica en el osciloscopio se modifica, aumentando un poco el valor de corriente, aun que cabe mencionar que es muy mnima la variacin, en el caso de ambas graficas.