Tipos de Memoria RAM

CONTENIDO MEMORIA RAM Concepto RAM (Random Access Memory) TIPOS DE MEMORIA RAM DRAM (Dynamic RAM) VRAM (Vdeo RAM) SRAM (Static RAM) FPM (Fast Page Mode) EDO (Extended Data Output) BEDO (Burst EDO) SDRAM (Synchronous DRAM) DDR SDRAM SDRAM II (Double Data Rate SDRAM) PB SRAM (Pipeline Burst SRAM) RAMBUS ENCAPSULADOS SIMM (Single In line Memory Module) DIMM (Dual In line Memory Module) DIP (Dual In line Package) Memoria Cach RAM Cach RAM Disk

MEMORIA RAM

Concepto RAM : Siglas de Random Access Memory, un tipo de memoriaa la que se puede acceder de forma aleatoria; esto es, se puede acceder acualquier byte de la memoria sin pasar por los bytes precedentes. RAM es el tipoms comn de memoria en las computadoras y en otros dispositivos, tales comolas impresoras.

Hay dos tipos bsicos de RAM:

DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica SRAM (Static RAM), RAM esttica

Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan paraalmacenar los datos. La RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de vecespor segundo, mientras que la RAM esttica no necesita ser refrescada tanfrecuentemente, lo que la hace ms rpida, pero tambin ms cara que la RAMdinmica. Ambos tipos son voltiles, lo que significa que pueden perder sucontenido cuando se desconecta la alimentacin. En el lenguaje comn, el trmino RAM es sinnimo dememoria principal, la memoria disponible para programas. En contraste,ROM(Read Only Memory) se refiere a la memoria especial generalmente usada paraalmacenar programas que realizan tareas de arranque de la mquina y de diagnsticos.La mayora de los computadores personales tienen una pequea cantidad de ROM(algunos Kbytes). De hecho, ambos tipos de memoria ( ROM y RAM )permitenacceso aleatorio. Sin embargo, para ser precisos, hay que referirse a la memoriaRAM como memoria de lectura y escritura, y a la memoria ROM como memoria de sololectura. Se habla de RAM como memoria voltil, mientras que ROMes memoria no-voltil. La mayora de los computadores personales contienen unapequea cantidad de ROM que almacena programas crticos tales comoaquellos que permiten arrancar la mquina (BIOS CMOS). Adems, las ROMsson usadas de forma generalizada en calculadoras y dispositivos perifricostales como impresoras laser, cuyas 'fonts' estan almacenadas en ROMs. Tipos de memoria RAM

VRAM :

Siglas de Vdeo RAM, una memoria de propsito especialusada por los adaptadores de vdeo. A diferencia de la convencional memoriaRAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de formasimultnea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para lasactualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador grficosuministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos grficos aunque es mscara que la una RAM normal.

SIMM :

Siglas de Single In line Memory Module, un tipo deencapsulado consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacenachips de memoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la

placa madre o en laplaca de memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los antiguos chipsde memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugarde bits. El primer formato que se hizo popular en los computadorespersonales tena 3.5" de largo y usaba un conector de 32 pins. Un formatoms largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede almacenar hasta 64megabytes de RAM es actualmente el ms frecuente. Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit deparidad, en 9 chips de memoria RAM dinmica) como memoria de ocho bits sinparidad. En el primer caso los ocho primeros son para datos y el noveno es parael chequeo de paridad.

DIMM :

Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado,consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips dememoria, que se inserta en un zcalo DIMM en la placa madre y usa generalmenteun conector de 168 contactos.

DIP :

Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsuladoconsistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dosfilas de pines de conexin en cada lado.

RAM Disk : Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular undisco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma enla que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk sonaproximadamente miles de veces ms rpidos que los discos duros, y sonparticularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos adisco. Dado que estn constituidos por RAM normal. los RAM diskpierden su contenido una vez que la computadora es apagada. Para usar los RAMDisk se precisa copiar los ficheros desde un disco duro real al inicio de lasesin y copiarlos de nuevo al disco duro antes de apagar la mquina. Observeque en el caso de fallo de alimentacin elctrica, se perdern los datos quehuviera en el RAM disk. El sistema operativo DOS permite convertir la memoriaextendida en un RAM Disk por medio del comando VDISK, siglas de Virtual DISK,otro nombre de los RAM Disks.

Memoria Cach RAM Cach :

Un cach es un sistema especial de almacenamiento de altavelocidad. Puede ser tanto un rea reservada de la memoria principal como undispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos decach frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria cach ycach de disco. Una memoria cach, llamada tambien a veces almacenamiento cach RAM cach, es una parte de memoria RAM esttica de alta velocidad (SRAM) msque la lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada como memoria principal. Lamemoria cach es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a losmismos datos o instrucciones. Guardando esta informacin en SRAM, lacomputadora evita acceder a la lenta DRAM. Cuando un dato es encontrado en el cach, se dice que se harroducido un impacto (hit), siendo un cach juzgado por su tasa de impactos(hit rate). Los sistemas de memoria cach usan una tecnologa conocida porcach inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datosusados frecuentemente. Las estrategias para determinar qu informacin debe deser puesta en el cach constituyen uno de los problemas ms interesantes en laciencia de las computadoras. Algunas memorias cach estn construidas en laarquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium IItiene una cach L2 de 512 Kbytes. El cach de disco trabaja sobre los mismos principios que lamemoria cach, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa laconvencional memoria principal. Los datos ms recientes del disco duro a losque se ha accedido (as como los sectores adyacentes) se almacenan en un bufferde memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primeroque comprueba es la cach del disco para ver si los datos ya estan ah. Lacach de disco puede mejorar drsticamente el rendimiento de las aplicaciones,dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces ms rpidoque acceder a un byte del disco duro.

SRAM

Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoriaque es ms rpida y fiable que la ms comn DRAM (Dynamic RAM). El trminoesttica viene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces quela RAM dinmica. Los chips de RAM esttica tienen tiempos de acceso del ordende 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinmicas estn por encima de30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos. Un bit de RAM esttica se construye con un --- como circuitoflip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basndose encual de los dos transistores es activado. Las RAM estticas no precisan decircuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinmicas, pero precisan msespacio y usan mas energa. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada comomemoria cach.

DRAM

Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidadpero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) o perdera sucontenido. Generalmente usa un transistor y un condensador para representar unbit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo paramantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) lasdos principales variaciones de RAM (dinmica y esttica) pierden su contenidocuando se desconectan de la alimentacin. Contrasta con la RAM esttica. Algunas veces en los anuncios de memorias, la RAM dinmicase indica errneamente como un tipo de encapsulado; por ejemplo "se vendenDRAMs, SIMMs y SIPs", cuando deberia decirse "DIPs, SIMMs y SIPs"los tres tipos de encapsulado tpicos para almacenar chips de RAM dinmica. Tambien algunas veces el trmino RAM (Random Access Memory)es utilizado para referirse a la DRAM y distinguirla de la RAM esttica (SRAM)que es ms rpida y ms estable que la RAM dinmica, pero que requiere msenerga y es ms cara

SDRAM

Siglas de Synchronous DRAM, DRAM sncrona, un tipo dememoria RAM dinmica que es casi un 20% ms rpida que la RAM EDO. SDRAMentrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma que mientras quese est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para elacceso. SDRAM-II es tecnologa SDRAM ms rpida esperada para 1998. Tambinconocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leery escribir datos a dos veces la velocidad bs.

FPM

: Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseoms comun de chips de RAM dinmica. El acceso a los bits de memoria se realizapor medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leidopulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el modo pagina,la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de lafila, dando como resultado un rpido acceso. La memoria en modo paginadotambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM.El trmino "fast" fu aadido cuando los ms nuevos chipsempezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso ms.

EDO

Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinmicaque mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Alser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo FastPage. Sin embargo, si el controlador de memoria no est diseadopara los ms rpidos chips EDO, el rendimiento ser el mismo que en el modoFast Page. EDO elimina los estados de espera manteniendo activo elbuffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo. BEDO (Burst EDO) es un tipo ms rpido de EDO que mejora lavelocidad usando un contador de direccin para las siguientes direcciones y unestado 'pipeline' que solapa las operaciones.

PB SRAM

Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a unacategora de tcnicas que proporcionan un proceso simultneo, o en paralelodentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamientomoviendo datos o instrucciones en una 'tuberia' conceptual con todas las fasesdel 'pipe' procesando simultneamente. Por ejemplo, mientras una instruccinse est ejecutndo, la computadora est decodificando la siguiente instruccin.En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultneamente varios pasos deoperaciones de coma flotante La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades deentre 4 y 8 nanosegundos.

BIBLIOGRAFIA

Pgina de Internet , SEI (SEI Management B.V.), 1998,www.SEI.org

Caractersticas de las memorias

La divisin entre primario, secundario, terciario, fuera de lnea se basa en la jerarqua de memoria o distancia desde la unidad central de proceso. Hay otras formas de caracterizar a los distintos tipos de memoria. [editar]Volatilidad

de la informacin

Foto de memorias RAM tipo DDR instaladas en su socket

La memoria voltil requiere energa constante para mantener la informacin almacenada. La memoria voltil se suele usar slo en memorias primarias. La memoria RAM es una memoria voltil, ya que pierde informacin en la falta de energa elctrica.

La memoria no voltil retendr la informacin almacenada incluso si no recibe corriente elctrica constantemente, como es el caso de la memoria ROM. Se usa para almacenamientos a largo plazo y, por tanto, se usa en memorias secundarias, terciarias y fuera de lnea.

La memoria dinmica es una memoria voltil que adems requiere que peridicamente se refresque la informacin almacenada, o leda y reescrita sin modificaciones.

[editar]Habilidad

para acceder a informacin no contigua

Acceso aleatorio significa que se puede acceder a cualquier localizacin de la memoria en cualquier momento en el mismo intervalo de tiempo, normalmente pequeo.

Acceso secuencial significa que acceder a una unidad de informacin tomar un intervalo de tiempo variable, dependiendo de la unidad de informacin que fue leda anteriormente. El dispositivo puede necesitar buscar (posicionar correctamente el cabezal de lectura/escritura de un disco), o dar vueltas (esperando a que la posicin adecuada aparezca debajo del cabezal de lectura/escritura en un medio que gira continuamente).

[editar]Habilidad

para cambiar la informacin

Las memorias de lectura/escritura o memorias cambiables permiten que la informacin se reescriba en cualquier momento. Una computadora sin algo de memoria de lectura/escritura como memoria principal sera intil para muchas tareas. Las computadora modernas tambin usan habitualmente memorias de lectura/escritura como memoria secundaria.

La memorias de slo lectura retienen la informacin almacenada en el momento de fabricarse y la memoria de escritura nica (WORM) permite que la informacin se escriba una sola vez en

algn momento tras la fabricacin. Tambin estn las memorias inmutables, que se utilizan en memorias terciarias y fuera de lnea. Un ejemplo son los CD-ROMs. Las memorias de escritura lenta y lectura rpida son memorias de lectura/escritura que permite que la informacin se reescriba mltiples veces pero con una velocidad de escritura mucho menor que la de lectura. Un ejemplo son los CD-RW. [editar]Direccionamiento

de la informacin

En la memoria de localizacin direccionable, cada unidad de informacin accesible individualmente en la memoria se selecciona con su direccin de memoria numrica. En las computadoras modernas, la memoria de localizacin direccionable se suele limitar a memorias primarias, que se leen internamente por programas de computadora ya que la localizacin direccionable es muy eficiente, pero difcil de usar para los humanos.

En las memorias de sistema de archivos, la informacin se divide en Archivos informticos de longitud variable y un fichero concreto se localiza en directorios y nombres de archivos "legible por humanos". El dispositivo subyacente sigue siendo de localizacin direccionable, pero el sistema operativo de la computadora proporciona la abstraccin del sistema de archivos para que la operacin sea ms entendible. En las computadora modernas, las memorias secundarias, terciarias y fuera de lnea usan sistemas de archivos.

En las memorias de contenido direccionable (content-addressable memory), cada unidad de informacin legible individualmente se selecciona con una valor hash o un identificador corto sin relacin con la direccin de memoria en la que se almacena la informacin. La memoria de contenido direccionable pueden construirse usando software o hardware; la opcin hardware es la opcin ms rpida y cara.

[editar]Capacidad

de memoria

Memorias de mayor capacidad son el resultado de la rpida evolucin en tecnologa de materiales semiconductores. Los primeros programas de ajedrez funcionaban en mquinas que utilizaban memorias de base magntica. A inicios de 1970 aparecen las memorias realizadas por semiconductores, como las utilizadas en la serie de computadoras IBM 370. La velocidad de los computadores se increment, multiplicada por 100.000 aproximadamente y la capacidad de memoria creci en una proporcin similar. Este hecho es particularmente importante para los programas que utilizan tablas de transposicin: a medida que aumenta la velocidad de la computadora se necesitan memorias de capacidad proporcionalmente mayor para mantener la cantidad extra de posiciones que el programa est buscando. Se espera que la capacidad de procesadores siga aumentando en los prximos aos; no es un abuso pensar que la capacidad de memoria continuar creciendo de manera impresionante.

Memorias de mayor capacidad podrn ser utilizadas por programas con tablas de Hash de mayor envergadura, las cuales mantendrn la informacin en forma permanente. Minicomputadoras: se caracterizan por tener una configuracin bsica regular que puede estar compuesta por un monitor, unidades de disquete, disco, impresora, etc. Su capacidad de memoria vara de 16 a 256 kbytes. Macrocomputadoras: son aquellas que dentro de su configuracin bsica contienen unidades que proveen de capacidad masiva de informacin, terminales (monitores), etc. Su capacidad de memoria vara desde 256 a 512 kbytes, tambin puede tener varios megabytes o hasta gigabytes segn las necesidades de la empresa. Microcomputadores y computadoras personales: con el avance de la microelectrnica en la dcada de los 70 resultaba posible incluir todos los componente del procesador central de una computadora en un solo circuito integrado llamado microprocesador. sta fue la base de creacin de unas computadoras a las que se les llam microcomputadoras. El origen de las microcomputadoras tuvo lugar en los Estados Unidos a partir de la comercializacin de los primeros microprocesadores (INTEL 8008, 8080). En la dcada de los 80 comenz la verdadera explosin masiva, de los ordenadores personales (Personal Computer PC) de IBM. Esta mquina, basada en el microprocesador INTEL 8008, tena caractersticas interesantes que hacan ms amplio su campo de operaciones, sobre todo porque su nuevo sistema operativo estandarizado (MS-DOS, Microsoft Disk Operating Sistem) y una mejor resolucin ptica, la hacan ms atractiva y fcil de usar. El ordenador personal ha pasado por varias transformaciones y mejoras que se conocen como XT(Tecnologa Extendida), AT(Tecnologa Avanzada) y PS/2...

Memoria de acceso aleatorio

(Redirigido desde Memoria RAM)

Para otros usos de este trmino, vase RAM (desambiguacin).

DIMM normal y corriente de memoria RAM tipo DDR3 de 240 contactos.

La memoria de acceso aleatorio (en ingls: random-access memory, cuyo acrnimo es RAM) es la memoria desde donde elprocesador recibe las instrucciones y guarda los resultados.
Contenido
[ocultar]

1 Nomenclatura 2 Historia

2.1 Arquitectura base

3 Uso por el sistema 4 Mdulos de la memoria RAM 5 Relacin con el resto del sistema 6 Tecnologas de memoria

o o o o

6.1 SDR SDRAM 6.2 DDR SDRAM 6.3 DDR2 SDRAM 6.4 DDR3 SDRAM

7 Deteccin y correccin de errores 8 Memoria RAM registrada 9 Vase tambin 10 Referencias 11 Enlaces externos

[editar]Nomenclatura
La expresin memoria RAM nunca se utiliza frecuentemente para referirse a los mdulos de memoria que se usan en los computadores personales y servidores. En el sentido estricto, los mdulos de memoria contienen un tipo, entre varios de memoria de acceso aleatorio, ya que las ROM, memorias Flash, cach (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento tambin poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posicin. Los mdulos de RAM son la presentacin comercial de este tipo de memoria, que se compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso, en otros dispositivos como las consolas de videojuegos, esa misma memoria va soldada sobre la placa principal.

Su capacidad se mide en bytes, y dada su naturaleza siempre binaria, sus mltiplos sern representados en mltiplos binarios tales como Kilobyte, Megabyte, Gigabyte, Terabyte ... y as sucesivamente.

[editar]Historia

Integrado de silicio de 64 bits sobre un sector de memoria de ncleo (finales de los 60).

La historia est marcada por la necesidad del volumen de datos. Originalmente, los datos eran programados por el usuario con movimientos de interruptores. Se puede decir que el movimiento de datos era bit a bit. Las necesidades apuntaron a una automatizacin y se crearon lo que se denomina byte de palabra. Desde una consola remota, se trasladaban los interruptores asignndoles valores de letra, que correspondan a una orden de programacin al microprocesador. As, si se deseaba programar una orden NOT con dos direcciones distintas de memoria, solo se tena que activar el grupo de interruptores asociados a la letra N, a la letra O y a la letra T. Seguidamente, se programaban las direcciones de memoria sobre las cuales recibiran dicho operador lgico, para despus procesar el resultado. Los interruptores evolucionaron asignndoles una tabla de direccionamiento de 16x16 bytes, en donde se daban 256 valores de byte posibles (la actual tabla ASCII). En dicha tabla, se traducen lo que antes costaba activar 8 interruptores por letra, a una pulsacin por letra (de cara al recurso humano, un ahorro en tiempos. Una sola pulsacin, predispona 1 byte en RAM... o en otras palabras, cambiaba la posicin de 8 interruptores con una sola pulsacin). Se us el formato de mquina de escribir, para representar todo el alfabeto latino, necesario para componer palabras en ingls; as como los smbolos aritmticos y lgicos que permitan la escritura de un programa directamente en memoria RAM a travs de una consola o teclado.

En origen, los programadores no vean en tiempo real lo que tecleaban, teniendo que imprimir de cuando en cuando el programa residente en memoria RAM y haciendo uso del papel a la hora de ir modificando o creando un nuevo programa. Dado que el papel era lo ms accesible, los programas comenzaron a imprimirse en un soporte de celulosa ms resistente, creando lo que se denomin Tarjeta perforada. As pues, los programas constaban de una o varias tarjetas perforadas, que se almacenaban en archivadores de papel con las tpicas anillas de sujecin. Dichas perforaciones, eran ledas por un dispositivo de entrada, que no era muy diferente al teclado y que constaba de pulsadores que eran activados o desactivados, dependiendo de si la tarjeta en la posicin de byte, contena una perforacin o no. Cada vez que se encenda la mquina, requera de la carga del programa que iba a ejecutar. Dado que los datos en memoria son de 0 o 1, que esas posiciones fsicamente representan el estado de un conmutador, que la estimulacin del conmutador evolucion a pulsos electromagnticos, el almacenamiento de los programas era cuestin de tiempo que su almacenamiento pasara del papel a un soporte lgico, tal como las cintas de almacenamiento. Las cintas eran secuenciales, y la composicin de la cinta era de un material magnetoesttico; bastaba una corriente Gauss para cambiar las polaridades del material. Dado que el material magntico puede tener polaridad norte o sur, era ideal para representar el 0 o el 1. As, ahora, cargar un programa no era cuestin de estar atendiendo un lector de tarjetas en el cual se deban de ir metiendo de forma interminable tarjetas perforadas que apenas podan almacenar apenas unos bytes. Ahora, los dispositivos electromagnticos secuenciales requeran la introduccin de la cinta y la pulsacin de una tecla para que se cargara todo el programa de inicio a fin, de forma secuencial. Los accesos aleatorios no aparecieron hasta la aparicin del disco duro y el Floppy. Con estos medios, un cabezal lector se deslizaba por la superficie en movimiento, si dicho movimiento tena como consecuencia la lectura de un valor N-N (norte-norte) no generaba corriente, tampoco si era S-S (Sur-Sur), por el contrario, si era N-S o S-N s creaba una corriente, que era captada por el circuito que mandaba el dato a la memoria RAM. Toda esta automatizacin requiso del diseo de un sistema operativo, o de un rea de gestin del recurso para su automatizacin. Estos sistemas requeran de un rea de memoria reservada, en origen de 64 Kb (Capacidades de representacin de texto en monitor monocromo), para irse ampliando a 128 Kb (Monocromo con capacidades grficas), 256 (Texto y grficos a dos colores), 512 (Texto y grficos a 4 colores) y los tradicionales 640 Kb (Texto y grficos a 16 colores). Esa memoria se denomin memoria base. Es en esta parte del tiempo, en donde se puede hablar de un rea de trabajo para la mayor parte del software de un computador. La RAM continua siendo voltil por lo que posee la capacidad de perder la informacin una vez que se agote su fuente de energa.1 Existe una memoria intermedia entre el procesador y la RAM, llamada cach, pero sta slo es una copia (de acceso rpido) de lamemoria principal (tpicamente discos duros) almacenada en los mdulos de RAM.1

4MiB de memoria RAM para un computador VAX de finales de los 70. Los integrados de memoria DRAM estn agrupados arriba a derecha e izquierda.

Mdulos de memoria tipo SIPP instalados directamente sobre la placa base.

La denominacin de Acceso aleatorio surgi para diferenciarlas de las memoria de acceso secuencial, debido a que en los comienzos de la computacin, las memorias principales (o primarias) de las computadoras eran siempre de tipo RAM y las memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial (unidades de cinta o tarjetas perforadas). Es frecuente pues que se hable de memoria RAM para hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero actualmente la denominacin no es precisa. Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de ncleo magntico, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los aos 60 y principios de los 70. Antes que eso, las computadoras usaban rels y lneas de retardo de varios tipos construidas con tubos de vaco para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio. En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente ao se present una memoria DRAM de 1 Kibibyte, referencia 1103 que se constituy en un hito, ya que fue la primera en ser

comercializada con xito, lo que signific el principio del fin para las memorias de ncleo magntico. En comparacin con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tena un desempeo mayor que la memoria de ncleos. En 1973 se present una innovacin que permiti otra miniaturizacin y se convirti en estndar para las memorias DRAM: la multiplexacin en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanz la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines, 2 mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento3 se convirti en un estndar de facto debido a la gran popularidad que logr esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayora de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zcalos, de manera que ocupaban un rea extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalacin de RAM sobre el impreso principal, impeda la miniaturizacin , entonces se idearon los primeros mdulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construccin modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metlicos y dejando unas reas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansin, de hecho los mdulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribucin de pines. A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:

Mdulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los ltimos fueron utilizados con integrados tipo EDO-RAM.

FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)

Inspirado en tcnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486,4 se implant un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria enva una sola direccin y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de

tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseramos visitar todas las casas en una calle: despus de la primera vez no seria necesario decir el nmero de la calle nicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.

EDO-RAM (Extended Data Output RAM)

Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns supona una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, tambin es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la informacin de la columna anterior, dando como resultado una eliminacin de estados de espera, manteniendo activo el bffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo de lectura.

BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)

Fue la evolucin de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y acceda a ms de una posicin de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeo un 50% mejor que la EDO. Nunca sali al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrnicos que si bien tenan mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como seales de reloj.

[editar]Arquitectura

base

En origen, la memoria RAM se compona de hilos de cobre que atravesaban toroides de ferrita, la corriente polariza la ferrita. Mientras esta queda polarizada, el sistema puede invocar al procesador accesos a partes del proceso que antes (en un estado de reposo) no es posible acceder. En sus orgenes, la invocacin a la RAM, produca la activacin de contactores, ejecutando instrucciones del tipo AND, OR y NOT. La programacin de estos elementos, consista en la predisposicin de los contactores para que, en una lnea de tiempo, adquiriesen las posiciones adecuadas para crear un flujo con un resultado concreto. La ejecucin de un programa, provocaba un ruido estruendoso en la sala en la cual se ejecutaba dicho programa, por ello el rea central de proceso estaba separada del rea de control por mamparas insonorizadas. Con las nuevas tecnologas, las posiciones de la ferrita se ha ido sustituyendo por, vlvulas de vaco, transistores y en las ltimas generaciones, por un material slido dielctrico. Dicho estadoestado slido dielctrico tipo DRAM permite que se pueda tanto leer como escribir informacin.

[editar]Uso

por el sistema

Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayora del software. Es all donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cmputo. Se denominan "de acceso aleatorio" porque se puede leer o escribir en una posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera ms rpida posible.

[editar]Mdulos

de la memoria RAM

Formato SO-DIMM.

Los mdulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La implementacinDRAM se basa en una topologa de Circuito elctrico que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de decenas o cientos de Megabits. Adems de DRAM, los mdulos poseen un integrado que permiten la identificacin de los mismos ante el computador por medio del protocolo de comunicacin SPD. La conexin con los dems componentes se realiza por medio de un rea de pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el modulo al ser instalado en un zcalo apropiado de la placa base, tenga buen contacto elctrico con los controladores de memoria y las fuentes de alimentacin. Los primeros mdulos comerciales de memoria eran SIPP de formato propietario, es decir no haba un estndar entre distintas marcas. Otros mdulos propietarios bastante conocidos fueron los RIMM, ideados por la empresa RAMBUS. La necesidad de hacer intercambiable los mdulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes condujo al establecimiento de estndares de la industria como los JEDEC.

Mdulos SIMM: Formato usado en computadores antiguos. Tenan un bus de datos de 16 o 32 bits

Mdulos DIMM: Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.

Mdulos SO-DIMM: Usado en computadores porttiles. Formato miniaturizado de DIMM.

[editar]Relacin

con el resto del sistema

Diagrama de la arquitectura de un ordenador.

Dentro de la jerarqua de memoria la RAM se encuentra en un nivel despus de los registros del procesador y de las cachs. Es una memoria relativamente rpida y de una capacidad media: sobre el ao 2010, era fcil encontrar memorias con velocidades de ms de 1 Ghz, y capacidades de hasta 8 GB por mdulo, llegando a verse memorias pasando la barrera de los 3 Ghz por esa misma fecha mediante prcticas de overclock extremo. La memoria RAM contenida en los mdulos, se conecta a un controlador de memoria que se encarga de gestionar las seales entrantes y salientes de los integrados DRAM. Algunas seales son las mismas que se utilizan para utilizar cualquier memoria: Direcciones de las posiciones, datos almacenados y seales de control. El controlador de memoria debe ser diseado basndose en una tecnologa de memoria, por lo general soporta solo una, pero existen excepciones de sistemas cuyos controladores soportan dos tecnologas (por ejemplo SDR y DDR o DDR1 y DDR2), esto sucede en las pocas transitorias de una nueva tecnologa de RAM. Los controladores de memoria en sistemas como PC y servidores se encuentran embebidos en el llamado "North Bridge" o "Puente Norte" de la placa base; o en su defecto, dentro del mismo procesador (en el caso de los procesadores desde AMD Athlon 64 e Intel Core i7) y posteriores; y son los encargados de manejar la mayora de informacin que entra y sale del procesador. Las seales bsicas en el mdulo estn divididas en dos buses y un conjunto miscelneo de lneas de control y alimentacin. Entre todas forman el bus de memoria:

Bus de datos: Son las lneas que llevan informacin entre los integrados y el controlador. Por lo general estn agrupados en octetos siendo de 8,16,32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del procesador. En el pasado, algunos formatos de modulo, no tenan un ancho de

bus igual al del procesador.En ese caso haba que montar mdulos en pares o en situaciones extremas, de a 4 mdulos, para completar lo que se denominaba banco de memoria, de otro modo el sistema no funciona. Esa es la principal razn de haber aumentar el nmero de pines en los mdulos, igualando el ancho de bus de procesadores como el Pentium de 64 bits a principios de los 90.

Bus de direcciones: Es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria a las que se requiere acceder. No es igual al bus de direcciones del resto del sistema, ya que est multiplexado de manera que la direccin se enva en dos etapas.Para ello el controlador realiza temporizaciones y usa las lneas de control. En cada estndar de mdulo se establece un tamao mximo en bits de este bus, estableciendo un lmite terico de la capacidad mxima por mdulo.

Seales miscelneas: Entre las que estn las de la alimentacin (Vdd, Vss) que se encargan de entregar potencia a los integrados. Estn las lneas de comunicacin para el integrado depresencia que da informacin clave acerca del mdulo. Tambin estn las lneas de control entre las que se encuentran las llamadas RAS (row address strobe) y CAS (column address strobe) que controlan el bus de direcciones y las seales de reloj en las memorias sincrnicas SDRAM.

Entre las caractersticas sobresalientes del controlador de memoria, est la capacidad de manejar la tecnologa de canal doble (Dual Channel), tres canales, o incluso cuatro para los procesadores venideros; donde el controlador maneja bancos de memoria de 128 bits. Aunque el ancho del bus de datos del procesador sigue siendo de 64 bits, el controlador de memoria puede entregar los datos de manera intercalada, optando por uno u otro canal, reduciendo las latencias vistas por el procesador. La mejora en el desempeo es variable y depende de la configuracin y uso del equipo. Esta caracterstica ha promovido la modificacin de los controladores de memoria, resultando en la aparicin de nuevos chipsets (la serie 865 y 875 de Intel) o de nuevos zcalos de procesador en los AMD (el 939 con canal doble , reemplazo el 754 de canal sencillo). Los equipos de gama media y alta por lo general se fabrican basados en chipsets o zcalos que soportan doble canal o superior.

Mdulos de memoria instalados de 256 MiB cada uno en un sistema con doble canal.

[editar]Tecnologas

de memoria

La tecnologa de memoria actual usa una seal de sincronizacin para realizar las funciones de lecturaescritura de manera que siempre esta sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que eran asncronas. Hace ms de una dcada toda la industria se decant por las tecnologas sncronas, ya que permiten construir integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz (A da de hoy, se han superado con creces los 1600 Mhz).

Memorias RAM con tecnologas usadas en la actualidad.

[editar]SDR

SDRAM

Artculo principal: SDRAM

Memoria sncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en mdulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en losPentium II y en los Pentium III , as como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Est muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la

denominacin SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es as, simplemente se extendi muy rpido la denominacin incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias sncronas dinmicas. Los tipos disponibles son:

PC100: SDR SDRAM, funciona a un mx de 100 MHz. PC133: SDR SDRAM, funciona a un mx de 133 MHz.

[editar]DDR

SDRAM

Artculo principal: DDR SDRAM

Memoria sncrona, enva los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en mdulos DIMM de 184 contactos en el caso de ordenador de escritorio y en mdulos de 144 contactos para los ordenadores porttiles. Los tipos disponibles son:

PC2100 o DDR 266: funciona a un mx de 133 MHz. PC2700 o DDR 333: funciona a un mx de 166 MHz. PC3200 o DDR 400: funciona a un mx de 200 MHz.

[editar]DDR2

SDRAM

SDRAM DDR2. Artculo principal: DDR2

Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del ncleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Se presentan en mdulos DIMM de 240 contactos. Los tipos disponibles son:

PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un mx de 533 MHz.

PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un mx de 667 MHz. PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un mx de 800 MHz. PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un mx de 1066 MHz. PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un mx de 1200 MHz

[editar]DDR3

SDRAM

Artculo principal: DDR3

Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminucin del gasto global de consumo. Los mdulos DIMM DDR 3 tienen 240 pines, el mismo nmero que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son fsicamente incompatibles, debido a una ubicacin diferente de la muesca. Los tipos disponibles son:

PC3-8600 o DDR3-1066: funciona a un mx de 1066 MHz. PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un mx de 1333 MHz. PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un mx de 1600 MHz.

[editar]Deteccin

y correccin de errores

Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails) que son daos en el hardware y los errores (soft errors) provocados por causas fortuitas. Los primeros son relativamente fciles de detectar (en algunas condiciones el diagnstico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son ms difciles de hallar. En la actualidad la confiabilidad de las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente alta como para no realizar verificacin sobre los datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos ms crticos, se aplican tcnicas de correccin y deteccin de errores basadas en diferentes estrategias:

La tcnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de datos, y en la lectura se comprueba si el nmero de unos es par (paridad par) o impar (paridad impar), detectndose as el error.

Una tcnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1 a 4 bits y corregir errores que afecten a un slo bit. Esta tcnica se usa slo en sistemas que requieren alta fiabilidad.

Por lo general los sistemas con cualquier tipo de proteccin contra errores tiene un costo ms alto, y sufren de pequeas penalizaciones en desempeo, con respecto a los sistemas sin proteccin. Para tener un sistema con ECC o paridad, el chipset y las memorias deben tener soporte para esas tecnologas. La mayora de placas base no poseen dicho soporte.

Para los fallos de memoria se pueden utilizar herramientas de software especializadas que realizan pruebas integrales sobre los mdulos de memoria RAM. Entre estos programas uno de los ms conocidos es la aplicacin Memtest86+ que detecta fallos de memoria.

[editar]Memoria

RAM registrada

Es un tipo de mdulo usado frecuentemente en servidores y equipos especiales. Poseen circuitos integrados que se encargan de repetir las seales de control y direcciones. Las seales de reloj son reconstruidas con ayuda del PLL que est ubicado en el mdulo mismo. Las seales de datos pasan directamente del bus de memoria a los CI de memoria DRAM. Estas caractersticas permiten conectar mltiples mdulos de memoria (ms de 4) de alta capacidad sin que haya perturbaciones en las seales del controlador de memoria, haciendo posible sistemas con gran cantidad de memoria principal (8 a 16 GiB). Con memorias no registradas, no es posible, debido a los problemas surgen de sobrecarga elctrica a las seales enviadas por el controlador, fenmeno que no sucede con las registradas por estar de algn modo aisladas. Entre las desventajas de estos mdulos estn el hecho de que se agrega un ciclo de retardo para cada solicitud de acceso a una posicin no consecutiva y por supuesto el precio, que suele ser mucho ms alto que el de las memorias de PC. Este tipo de mdulos es incompatible con los controladores de memoria que no soportan el modo registrado, a pesar de que se pueden instalar fsicamente en el zcalo. Se pueden reconocer visualmente porque tienen un integrado mediano, cerca del centro geomtrico del circuito impreso, adems de que estos mdulos suelen ser algo ms altos.5

[editar]Vase

tambin

Memoria RAM DDR para aplicaciones mviles

Memoria RAM DDR para aplicaciones mviles

Memoria RAM DDR para aplicaciones mviles

Memoria de acceso aleatorio (RAM)

Memoria de acceso aleatorio (RAM)

Mdulo de memoria RAM 375 series

Mdulo de memoria RAM 377 series