TRANSISTOR FET/MOSFET

FET o acrnimo em ingls de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o prprio nome diz, funciona atravs do efeito de um campo eltrico na juno. Este tipo de transitor tem muitas aplicaes na rea de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. O FET pode ser dividido em duas categorias: JFETS e MOSFETS. Por sua vez, os MOSFETS se dividem em duas categorias:

MOSFET tipo Intensificao; MOSFET tipo Depleo.

Os termos depleo e intensificao definem o seu modo bsico de operao, enquanto o nome MOSFET designa o transistor Metal xido Semicondutor. O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de metal-xido semicondutor), , de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analgicos. A palavra "metal" no nome um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polisilcio, mas ainda so chamados de MOSFETs. Um MOSFET composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido o silcio, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, comearam a usar uma mistura de silcio e germnio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades eltricas do que o silcio, tais como o arsenieto de glio, no formam bons xidos nas comportas e portanto no so adequados para os MOSFETs. O IGFET um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e quase sinnimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante no xido.

Corte transversal de um MOSFET tipo N (NMOS). O terminal de comporta uma camada de polisilcio (slicio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dixido de silcio isolante. Quando uma tenso aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte

(source), o campo eltrico gerado penetra atravs do xido e cria uma espcie de "canal invertido" no canal original abaixo dele. O canal invertido do mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor atravs do qual a corrente eltrica possa passar. Variando-se a tenso entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possvel se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Existem tambm modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia FET/MOSFET, muito teis e com grande utilizao na indstria eletrnica

Modos de operao do MOSFET

A operao de um MOSFET pode ser dividida em trs diferentes modos, dependendo das tenses aplicadas sobre seus terminais. Para o NMOSFET os modos so:

Regio de Corte: quando Vgs < Vth onde Vgs a tenso entre a comporta (gate) e a fonte (source) e Vth a Tenso de threshold (limiar) de conduo do dispositivo. O transstor permanece desligado, e no h conduo entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido chave estar desligada, h uma fraca corrente invertida.

Regio de Triodo (ou regio linear): quando Vgs > Vth e Vds < Vgs - Vth onde Vds a tenso entre dreno e fonte. O transstor ligado, e o canal que criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tenso na comporta. A corrente do dreno para a fonte ,

Regio de Saturao: quando Vgs >mosfet e Vds > Vgs - Vth O transstor fica ligado, e um canal que criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tenso de dreno maior do que a tenso na comporta, uma parte do canal desligado. A criao dessa regio chamada de pinamento (pinch-off). A corrente de dreno agora relativamente independente da tenso de dreno (numa primeira aproximao) e controlada somente pela tenso da comporta de tal forma que ,

Em circuitos digitais, os MOSFETs so usados somente em modos de corte e de triodo. O modo de saturao usado mais em aplicaes de circuitos analgicos.

TESTE DE TRANSSTOR MOSFET

Coloque o multitester em X10K, e verifique se o gate (G) conduz com algum dos terminais restantes dreno (D) e source (S). Se o gate conduzir com algum dos outros terminais, o MOSFET est em curto. Abaixo observamos o teste:

Observe como aplicando a ponta preta no gate, o MOSFET dispara, ou seja, passa a conduzir nos dois sentidos entre dreno e source. Aplicando a ponta vermelha no gate, o MOSFET volta a sua condio inicial, ou seja, s conduz num sentido entre dreno e source (devido a um diodo interno).

FONTE EM PARALELO COM TRANSISTOR MOSFET

Esta a fonte que vem sendo usada pelos televisores mais modernos devido sua simplicidade e um menor consumo de energia. Veja um exemplo abaixo:

O transistor chaveador desta fonte um MOSFET que consome menos energia que um transistor comum para esta mesma finalidade. O oscilador e o controle da fonte esto dentro do IC1, um CI de 8 pinos. Ao ligar o TV, os pinos 2 e 6 recebem uma tenso inicial de disparo e a fonte comea a oscilar. O MOSFET recebe 150 V no dreno (D) e o sinal PWM no gate (G). O source (S) vai ligado no terra. Assim ele chaveia o primrio do chopper que transfere a tenso para os secundrios originando os +B da fonte. O pino 1 monitora os +B e ajusta a frequncia do CI para efetuar a correo da fonte quando necessria. Tambm possvel mudar a frequncia da fonte e o valor dos +B manualmente atravs de um trimpot ligado neste mesmo pino 1. O diodo D2 e os componentes associados a ele formam um circuito chamado snubber com duas funes: eliminar os rudos gerados pela oscilao do MOSFET e impedir que os pulsos de tenso negativa induzidos no chopper voltem para a ponte retificadora e queimem estes diodos.

Veja abaixo a estrutura da fonte em paralelo usando CI e transistor MOSFET:

EXEMPLO DE UM TELEVISOR COM FONTE CHAVEADA USANDO CI E MOSFET Veja abaixo um TV Sharp moderno usando um CI de 8 pinos e um transistor MOSFET na fonte chaveada. Observe como a identificao dos principais componentes simples: