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Les circuits intgrs micro-ondes
monolithique et hybrides
MMIC-MIC
GE5

S. E. Naimi
1 ECOLE NATIONALE DES SCIENCES APPLIQUEES 26/09/2009
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PLAN DU COURS
Technologie hyperfrquence :
le besoin & application
les choix technologiques
Les matriaux semi-conducteurs adapts
les matriaux disponibles
Pourquoi le GaAs ?
Les circuits intgrs micro-ondes monolithique et hybrides
(MMIC - MIC)
Caractristiques d une htrojonction
Structure des composants actifs et passifs :
diode Schottky, ...
transistors : HBT, HEMT, MESFET, ...
Ligne, inductance, capacit
Modlisation des composants
Applications sur le logiciel : ADS



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Technologie hyperfrquence
Applications
Tlphones cellulaires
Rseaux locaux (sans fil): 900MHz et 2,4 GHz
Positionnement (GPS) : 1,5 GHz
Identification (carte sans contact): 900MHz et 2,4 GHz
Tlvision par satellite : 10 GHz
Les choix technologiques
Actuellement :
Bipolaire(50-60GHz), BiCMOS(0,25m/40GHz)
AsGa(0,18 m/120GHz)
SiGe-HBT(0,35 m/80GHz)
Futur :
CMOS
SOI (Semiconductor On Insolator)
Supraconducteurs (projets militaires)




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Les semi-conducteurs
Les matriaux semi-conducteurs adapts
Groupe IV : silicium, germanium, tain
Les semi-conducteurs composs III - V (binaires) :
Arsniure de gallium GaAs , Nitrure de gallium GaN , Antimoniure du gallium
GaSb , Phosphure de gallium GaP , Arsniure d'indium InAs , Phosphure
d'indium InP , Antimoniure d'indium InSb , Antimoniure d'aluminium AlSb
Phosphure d'aluminium AlP Arsniure d'aluminium AlAs
Les semi-conducteurs composs II - V (binaires) et I -VII:.
Les semi-conducteurs composs III - III-V ou III-V-V (ternaires) :
GaAlAs, GaInP
Les semi-conducteurs composs III - III-V-V (quaternaires) :

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II III IV V VI
B C N
Al Si P S
Zn Ga Ge As Se
Cd In Sn Sb Te
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Les composs III-V et ternaires
Remarques
dans le cas d une lment ternaire par
exemple le GaAl
x
As
1-x
, le gap (Eg:
nergie de la bande interdite) varie de
faon continue avec la concentration x
de l Aluminium
la taille de la maille du rseau cristallin
(a) varie suivant l alliage considr
consquences
possibilit de raliser des
htrostructure
ncessit d avoir un accord de maille
(limitation des composs utiliss)

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Pourquoi le GaAs ?
Masse effective de l lectron dans le GaAs <
celle du Silicium vitesse de l lectron
dans le GaAs > vitesse de l lectron dans le
Si un canal de transistor est travers plus
rapidement haute frquence
d utilisation est possible (commutation
rapide )
Les difficults
la technologies semi-conducteur est fonde sur
l utilisation du Si et le Ge (composes simples)
le GaAs est un compos binaire plus difficile
utilis dans la technologie standard
proprits mdiocres de l interface GaAs/Isolant
(MOS ?)
une conductivit thermique plus faible pour le
GaAs et un coefficient d expansion thermique
lev mauvaise dissipation la chaleur
inconvnient : faible mobilit de trous canal P ?
PNP ?

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Les premires utilisation
du GaAs sont dans
l espace et les domaines
militaires
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Quelques proprits du GaAs
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Ga AlAs
Eg(eV) 1,424 2,163
n(cm2/V.s)
8500 1200
p(cm2/V.s) 400 400
A() 5,6534 5,6605
Eg = 1,42eV (bande interdite)
_ = 4,07eV (affinit lectronique)
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MMIC & MIC
MIC : Microwave Integrated Circuit
apparition vers les annes 1960
accompagne le dveloppement de la technologie planar
appel aussi technologie hybride :le circuit est compos d lments discrets
monts sur un substrat dilectrique
les connection sont faites de lignes de transmissions mtalliques :( guides
lectromagntique)
comportement final du circuit n est dterminer qu exprimentalement
(variation de l emplacement du composant) :cot lev la ralisation et au
test du circuit
MMIC : Monolothic Microwave Integrated Circuit
Monolithic (monolithique) = ralis dans le mme bloc
ralisation des lements actifs et passifs sur le mme substrat
les MMIC utilisent le matriau cristallin comme dilectrique est couche active
(substrat isolant)
GaAs : utilisation haute frquence, possde une grande rsistivit (SC
intrinsque) isolation entre les composants possibilit d intgrations

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L laboration des MMIC
Conception des MMIC
Besoin de modles physique est
lectriques
pour les composants actifs et
passifs
la tolrance du procd de
ralisation
Besoin d outils de CAO
synthse, l analyse le layout
Fiabilit
Etude des mcanismes de
dgradation : contactes ohmiques
(phnomnes de migration)
sensibilits aux radiations
(application dans l espace, le
domaine militaire )

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Caractristiques d une htrojonction
Dfinitions :
Homojonctions : contact de deux matriaux identiques (dops
diffremment)
Htrojonction : contact entre deux matriaux diffrents (GaAs/ GaAlAs)
Contacts (mtal- SC) : Ohmique ou diode Schottky
Jonctions isotypes : les deux rgions dopes du mme type (N-N ou P-P)
Jonctions anisotypes : les deux rgions dopes P-N
Ga
1-x
Al
x
As : Eg = 1.424 + 1.247x (pour x vrifiant 0 < x < 0.45)
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Affinit
lectronique
_(eV)
Gap
Eg(eV)
Concentration
intrinsque
ni(cm-3)
Mobilit des
lectrons
n(cm2/V.s)
Mobilit des
trous
p(cm2/V.s)
Ge 4.13 0.66 1.4 10
13
3900 1900
Si 4.01 1.12 10
10
1500 600
GaAs 4.07 1.42 2 10
6
8500 400
Ga
0.6
Al
0.4
As 3.67 1.92 2 10
2
3000 350
GaP 4.0 2.24 1.4 110 75
InSb 4.59 0.16 1.6 10
16
78000 750
CdTe 4.28 1.44 3.4 10
6
66 3
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Diagramme des bandes d une htrojonction
Exp. Jonction anisotype (abrupte)
L extension de la zone de charge d espace est fonction des
dopages
Il est possible travers le dopage de jouer sur la position du Spike
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Neutralit Equilibre
Eo
Ec1
EF1
Ev1
Eo
Ec2
EF2
Ev2
_1
|1
Eg1
P N
Eo
Ec
EF
Ev
Spike/Notch
N
A
>> N
D
N
A
> N
D
N
A
<< N
D
A_=AEc
A_=AEc
A_=AEc
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Caractristiques d une htrojonction
L influence du Spike est plus ou moins importante suivant les
dopages
La zone de charge d espace est constitue de
Une rgion de dpltion : (x) = qNd
Une rgion d accumulation : (x) = qn
Cette zone d accumulation (on obtient ainsi un puits de potentiel
de qlq dizaine de nm), appele aussi zone de confinement, permet
d obtenir une couche bi-dimensionnelle de porteur (lectron)
avec une forte concentration, tout en sparent physiquement ces
porteurs des atomes donneurs (ou accepteurs (dopants)). Cette
proprit est utiliser pour raliser des MESFET haute frquence
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Caractristiques lectriques d une
htrojonction, Exp : GaAs (N)/Ga
1-x
Al
x
As(N)
L htrojonction passe d un comportement ohmique
la caractristique d une diode PN lorsque le taux
d aluminium augmente

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Evolutions des caractristiques
courant-tension de l htrojonction
GaAs (N=10
19
cm
-3
)/Ga
1-x
Al
x
As
(N=10
17
cm
-3
) pour diffrentes valeurs
de x (a : x=0.4 ; b : x=0.35 ; c : x=03 ;
d : x=0.25)
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Les composants actifs hyperfrquence : Le
MESFET (Metal Semi-conductor Field Effect Transistor)
C est l une des structures des transistors effet de champ FET (JFET, MOSFET ,
modulation par une jonction polarise principe de Shockley ) o l on utilise une
grille mtallique barrire de Schottky
Matriaux utiliss : SiC, Ga donnent les meilleurs performances (champ lectrique
de claquage , conductivit thermique ), GaAs
Les performances en frquence et en puissance limitent l utilisation des MESFET
GaAs des frquence < 30GHz (limites de la mobilit dans le GaAs)
La mobilit des lectrons est limite par la prsence des atomes donneurs
(interactions)
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Les HEMTs : High Electron Mobility Transistors
L ide : l utilisation d une htrojonction avec confinement des lectrons
1960 IBM : montre que les lectrons confins peuvent avoir une trs
grande vitesse
1978 Bell : premire dmonstration exprimentale
Plusieurs types de transistors effet de champ et htrojonction on
t imagins:
TEGFET, HFET, MODFET (respectent l accord de maille)
PHEMT, PMHFET (dsaccord de maille)


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Les HEMTs : High Electron Mobility Transistors
La profondeur du puits de potentiel ainsi que la densit du gaz d lectrons sont
contrle par la tension de grille (modulation)
Le canal se situ dans une zone non dope trs forte mobilit ( gain du transistor
lev)
collisions entre lectrons trs rares trs faible bruit
Limite frquentielle de 60 70 GHz lie aux limitent intrinsques du GaAs
applications de puissance haute frquence
application faible bruit
pr-amplification, oscillateurs
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Le PHEMT HEMT Pseudomorphique
L ide : remplacer le GaAs du canal du HEMT par un matriau faible gap
(mobilit plus leve) exp: InGaAs
Avantages :
forte mobilit des lectrons frquence d utilisation leve
courant de sortie important ainsi que la rsistance de sortie
barrire de Schottky plus grande par rapport au MESFET (mtal/GaAlAs au lieu
du GaAs)
performances en puissance adapte des applications faibles tensions et
forts courants (communications mobiles)

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Le TBH : Transistor Bipolaire Htrojonction
Introduction d une htrojonction dans la jonction base metteur (propose par
Schokley)
Dans le domaine micro-ondes
composants sur silicium (homojonction) pour des frquences jusqu 3 ou 4
GHz (applications radar)
Le gain en courant |=Ic/Ib est d autant plus lev que Ib est faible (courant de
recombinaison),
dans une homojonction la base est volontairement sous-dop par rapport ,
l metteur
dans une htrojonction l injection des lectrons de l metteur vars la base
est favorise par rapport celle des trous, il n est plus ncessaire de sous-
doper la base or la frquence maximal d utilisation est limit par :

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EC TC B
C R
F
tt t 2
1
8
1
max
=
R
B
est la rsistance de la base
t
B
temps de transit en E-C
C
TC
capacit de transition B-C
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Le TBH : Transistor Bipolaire Htrojonction
Le transistor est un empilement de couches pitaxies (contrle de l paisseur facile)
Aucune tape critique de pholithographie (comme pour le MESFET : longueur du canal)
les performances sont limits par :
la sensibilit thermique (l emballement thermique entrane la destruction du
composant) utilisation en classe A
phnomne d avalanche : la jonction B-C polaris en inverse est soumise un
champ lectrique intense, les lectrons avec une forme mobilit (vitesse)
dclenchent un processus d ionisation par impact le courant devient de plus en
plus fort jusqu destruction du composant

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