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Yvan Bonnassieux
Sommaire
Modle hybride du transistor MOS Montage source commune (transconductance) Montage Drain Commun (suiveur en tension) Montage Grille Commune (Convoyeur de courant) Montages composites Montages Amplificateurs Plots dEntre/Sortie
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Equations d'tats
2 zones de fonctionnement : zone rsistive (VDS < (VGS-VT)) zone ''de pincement'' (pinch-off rgion ou zone de saturation) VDS > (VGS-VT))
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Equations d'tats
zone ''de pincement'' (pinch-off rgion ou zone de saturation) VDS > (VGS-VT)) Pour la zone rsistive (VDS < (VGS-VT))
ID =
nCox W
2 L
(VGS Vt )2
I D = n Cox
W (VGS Vt )VDS L
L dessine
L relle
ID courant circulant dans le canal n mobilit globale des lectrons Cox capacit par unit de surface de l'oxyde W et L largeur et longueur du canal VGS la tension grille-source Vt la tension de seuil.
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CoGS
CIGS
CIGD
CoGD
CSB
CDB
CGS capacit Grille-Source CGD capacit Drain-Source CSB capacit Source-Substrat CDB capacit Drain-Substrat
Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006
Souvent ngligeables
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VGS 0 =
VDS0
R2 VDD R1 + R2
Dterminer : - Le gain de transduction - La plage dynamique ID0 Attention aux pertes gnres par la polarisation
VGS0
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Paramtres incrmentaux
Lquation dtat permet de calculer par drivation les paramtres incrmentaux ''petits signaux''
Transconductance
gm
I D = V GS
n C ox = n C ox
W V DS L W (V G S V t ) = L
Zone Rsistive
n C ox
W ID L
Zone Sature
Conductance de sortie
g DS = VDS =I D I D
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gm fc = 2 (CGS + CGD )
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RL
Schma quivalent petits signaux (on nglige les capacits basses frquences)
Rs
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Av =
vout = g m (1 / g D S RL ) g m RL vin
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in in
1 1
Prise en compte de CGD via une capacit ramene sur lentre :capacit Miller : CMi
out
out
V1
Gain en tension :
g mRL vout =g mRL Zin = vin RS + Zin 1+ jRS (CGS +CM i )
Pulsation de coupure 0
0 = 1 / RS [CG S + (1 + g m RL )CGD ]
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vout
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vin
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vout
Rin=
V out 1 = 1 Vin 1 + 1 g m RL
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D gmV1 G
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RL
RL
Gain en courant :
Ai = 1 Gain en tension :
Av =
g m RL 1 + g m RS
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Le montage 'Source Commune'' est une configuration Convoyeur de courant''. Commune courant gain en courant unit: iout/iin = 1 non-inverseur faible impdance d'entre ~1/gm trs grande impdance de sortie : 1/gDS
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Montages composites
Sources de courant. Etage amplificateur Offset de tension Etage de sortie
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Miroirs de courant
Objectif courant constant et indpendant des paramtres du circuit et des tensions. . plusieurs utilisations possibles : Sources de courants polarisation statique de transistors charge active (synthse de rsistances virtuelles de valeur leve) changement de point d'attache d'un signal
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Miroirs de courant
Miroir de courant lmentaire 2 transistors MOS (Q1 et Q2) identiques. mme tension grille-source mme courant de drain. Si I1=Iref Impdance d'entre: alors I2= I1=Iref, charge sur le drain de Q2. Impdance dentre :
Impdance de sortie:
Rin =
Rout =
1 gm
1 g DS
Impdance de sortie :
Gain en courant :
Ai 1
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Dcaleur de tension
montages dcaleurs de tension adaptation de niveau de tension entre deux 2 transistors MOS Q1 et Q2 parfaitement appairs et fonctionnent en rgime satur.
nCox W1
2 L1
Paire diffrentielle
Objectifs
Amplifier la diffrence entre 2 signaux Ne pas amplifier la valeur moyenne des 2 mmes signaux
2 transistors sources couples (M1, M2) 1 source de courant I0 (M3, M4, R) 2 rsistances RL de charge sur les drains 2 entres (Vi1, Vi2) grilles de (M1, M2). 2 sorties (Vo1, Vo2) drains de (M1, M2).
Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006 diapo 30
Paire diffrentielle
Mode diffrentiel et Mode Commun
vod = Add vid + Adc vic voc = Acd vid + Acc vic
Nuisible
60 dB
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Paire diffrentielle
Gain en Mode diffrentiel ADD
M1 et M2 identique Montage symtrique I0 constant masse virtuelle Nglige: rsistance Drain-Source 1/gDS les capacits parasites. On obtient
vod 1 =
g m RL vid 2
Soit globalement
Add =
vod = g m RL vid
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Paire diffrentielle
Gain en Mode Commun ADC
Tension vi2=0 Grille de M2 est connecte la masse vi1=vic. Impossible de ngliger la rsistance parallle de la source de courant Rss.
Acc =
rsistance Rss grande, le gain en mode commun est faible. Taux de rjection en mode commun :
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Paire diffrentielle
Utilisation dune charge active
gain dune paire diffrentielle % rsistance de drain augmentation par un miroir de courant (transistors M5 et M6)
M5 M6
g m1 Acc = g m1 (1 + 2 g m1 Rss )
Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006 diapo 34
Montages Amplificateurs
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Amplificateur Simple
montage source commune remplacer la rsistance de drain. par un transistor NMOS.
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Amplificateur Simple
On se place dans le cadre des 2 Transistors en mode saturs
I D1 = nCox W1 W (V1 Vt ) 2 = I D 2 = nCox 2 (VDD V2 Vt ) 2 2 L1 2 L2
dV2 W1 L1 = Av = dV1 W2 L2
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Amplificateur Simple
Approche Petit signaux
La loi des nuds en sortie :
V2 V + 2 =0 1 g ds1 1 g ds 2
g m1V1 + g m 2V2 +
V2
1/gDS1
g m1 V2 Av = = V1 g m2 + g sd 1 + g sd 2
Rsistance de sortie
Rs =
Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006
1 g m 2 + g ds1 + g ds 2
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Inverseur CMOS
caractristique de transfert en tension
Gain en tension
g mn + g mp V2 Av = = V1 g DSn + g DSp
Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006
V1
gmnV1
1/gDSn
1/gDSn
V2
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Amplificateur Oprationnel
Objectifs :
Amplifier avec un gain important une diffrence de tension. Avoir une impdance de sortie la plus faible possible Avoir une impdance dentre la plus grande possible Une structure en plusieurs tages
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Amplificateur Oprationnel
Exemple simplifi de structure
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Amplificateur Oprationnel
Caractristique dun amplificateur oprationnel rel
Par exemple pour le LF356 de National Semiconductor : TRMC :100 dB Impdance dentre : 1012
Bande Passante
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Plots dEntre/Sortie
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Plots dEntre/Sortie
Rles des plots dEntre/Sortie :
Interfaage entre lextrieur et le cur du circuit (interfaage mcanique et lectrique). Protger le circuit contre les charges lectrostatiques. Intgrer certaines fonctions de base : sortie bidirectionnelle, 3 tats, test ( JTAG), ...
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Plots dEntre/Sortie
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Plots dEntre/Sortie
Protection lectrique
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Plots dEntre/Sortie
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