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ROTEIRO DA AULA
Resistncia eltrica e a lei de Ohm Resistividade e condutividade eltrica Lei de Ohm Condutividade eltrica Bandas de energia nos slidos Condutividade eltrica dos metais Condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos Condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos tipo n Condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos tipo p
RESISTNCIA ELTRICA
O comportamento dos materiais, em resposta aplicao de um CAMPO ELTRICO externo, define as PROPRIEDADES ELTRICAS dos materiais. As propriedades eltricas dependem de diversas caractersticas dos materiais, dentre as quais mencionamos a configurao eletrnica, o tipo de ligao qumica e os tipos de estrutura e microestrutura. A CORRENTE ELTRICA o movimento de portadores de carga que ocorre dentro dos materiais, em resposta ao de um campo eltrico externo. So portadores de carga: eltrons, buracos eletrnicos, ctions e nions. Em 1827 Georg Simon Ohm, baseado em evidncias experimentais e utilizando o conceito RESISTNCIA ELTRICA (R) de um corpo, formulou uma lei que relaciona a VOLTAGEM (U) aplicada I sobre o corpo com a CORRENTE ELL TRICA (I) que o atravessa. U = RI
LEI DE OHM U
Representao esquemtica de um arranjo experimental que permite medir a resistncia eltrica de um corpo.
= R (A / L)
Unidade SI: Ohms-metro ( .m) = V.m / A
Note que a resistncia uma PROPRIEDADE DO CORPO enquanto a resisitividade uma PROPRIEDADE DO MATERIAL do qual o corpo constitudo. A CONDUTIVIDADE ELTRICA () de um material uma medida da facilidade com que ele capaz de conduzir uma corrente eltrica. Define-se a condutividade eltrica como sendo o inverso da resistividade,
=1/
Unidade SI: (Ohms-metro)-1 ( .m) -1 = A / V.m
Cuidado com a notao! Observe que, de acordo com a notao do livro texto, estamos utilizando a letra A para denotar tanto a rea da seo transversal do corpo cilndrico como a unidade de corrente o mpere.
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LEI DE OHM
Utilizando o conceito de CONDUTIVIDADE (), a LEI DE OHM determina que a DENSIDADE DE CORRENTE (J) num dado material diretamente proporcional ao CAMPO ELTRICO (E) aplicado sobre o mesmo. J=E
Unidades SI: E = U/ L Volts-metros-1 (V/m) = J / m.C J = I/A Ampres -metros-2 (A/m 2) = C / m 2.s Observao: O carter vetorial das diversas grandezas aqui consideradas ser omitido em nosso tratamento matemtico, ou seja, trataremos apenas de casos de materiais isotrpicos sujeitos a campos eltricos constantes.
CONDUTIVIDADE ELTRICA
Os materiais slidos podem ser classificados, de acordo com a magnitude de sua condutividade eltrica, em trs grupos principais: CONDUTORES, SEMICONDUTORES e ISOLANTES.
Condutividade em (.m)-1 de uma variedade de materiais temperatura ambiente.
poliestireno polietileno NaCl madeira seca quartzo SiO2 porcelana borracha concreto (seco) mica Si dopado vidro GaAs Si Ge grafite Mn Fe Ag Cu
10-18 10-16 10-14 10-12 10-10 10-8 10-6 10-4 10-2 100 102
ISOLANTES SEMICONDUTORES
104
106 108
CONDUTORES
CONDUTIVIDADE ELTRICA
O MODELO DOS ELTRONS LIVRES dos metais supe que o material composto por um gs de eltrons que se movem num retculo cristalino formado por ons pesados. Esse modelo prev corretamente a forma funcional da lei de Ohm. No entanto, ele prev incorretamente os valores observados experimentalmente para a condutividade eltrica. Por exemplo, para o cobre temos: calculado = 5,3 x 106 (.m)-1 e experimental = 59 x 106 (.m)-1. Para uma compreenso aprofundada das propriedades eltricas dos materiais necessitamos considerar o carter ondulatrio dos eltrons e fazer uso de conceitos da mecnica quntica, mas isto est alm do escopo desta disciplina. Na aula de hoje, explicaremos a condutividade eltrica dos materiais utilizando, de forma simplificada, alguns conceitos provindos da mecnica quntica. Em particular, consideraremos o MODELO DE BANDAS DE ENERGIA ELETRNICA NOS SLIDOS .
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2s (N estados)
1s (N estados)
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(b)
Banda vazia
(c)
(d)
Banda de conduo vazia Gap de energia
Ef
Banda preenchida
Gap de energia
Ef
(a) Bandas de energia de METAIS tais como o cobre (Z = 29, 3d10 4s1) nos quais se encontram disponveis, na mesma banda de energia, estados eletrnicos no preenchidos acima e adjacentes a estados eletrnicos preenchidos. (b) Bandas de energia de METAIS tais como o magnsio (Z = 12, 1s2 2s2 2p6 3s2) nos quais ocorre a superposio das bandas de energia mais externas, a preenchida e a nopreenchida. (c) Bandas de energia tpicas de ISOLANTES: a BANDA DE VALNCIA (banda de energia preenchida) separada da BANDA DE CONDUO ( banda de energia no-preenchida) por um GAP DE ENERGIA (banda de energia proibida, ou seja, barreira de energia) de largura relativamente grande (>2 eV). (d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia semelhante dos isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).
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CONDUTIVIDADE ELTRICA
A ENERGIA DE FERMI, Ef, uma conseqncia do carter estatstico do comportamento dos eltrons e do Princpio de Excluso de Pauli. Para metais a T = 0K, Ef definida como a energia mxima dos estados eletrnicos ocupados. Para semicondutores e isolantes Ef tem um valor situado na faixa de energias do poo de potencial. Nos metais, somente eltrons com energia maior que Ef podem ser acelerados na presena de um campo eltrico. Esses eltrons so os que participam do processo de conduo e so chamados de ELTRONS LIVRES. Em semicondutores e isolantes, os BURACOS ELETRNICOS tm energia menor que Ef e tambm participam do processo de conduo. O processo de conduo se origina na mobilidade dos PORTADORES DE CARGA .
12
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= n |e|
n = nmero de portadores de carga (eltrons) por unidade de volume |e| = magnitude da carga dos portadores (1,6 x10-19 C) = mobilidade dos portadores de carga
Ef
Estados preenchidos
Ef
Excitao do eltron
A condutividade eltrica dos metais condutores diminui medida que a sua temperatura aumenta.
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EG
Gap de energia
Excitao do eltron
Banda de valncia
MATERIAIS SEMICONDUTORES
SEMICONDUTORES INTRNSECOS
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so aqueles cujo comportamento eltrico depende basicamente da estrutura eletrnica do material puro. Sua condutividade eltrica geralmente pequena e varia muito com a temperatura. depende fortemente do tipo e da concentrao dos tomos de impurezas. A adio de impurezas para a moldagem do comportamento eltrico dos semicondutores chamada de DOPAGEM .
A maioria dos semicondutores comerciais elementais so extrnsecos; o mais importante exemplo o Si, mas tambm esto nesta categoria o Ge e o Sn. a possibilidade de adicionar impurezas diversas ao material puro que permite a fabricao de uma variedade de dispositivos eletrnicos a partir do mesmo material semicondutor. Os semicondutores extrnsecos tm condutividade que varia pouco com a temperatura e cujo valor controlado pela concentrao de impurezas. As concentraes utilizadas variam de 1014 cm -3 (1 parte em 108, considerando 1022 tomos por cm 3) a 1020 cm -3 (1 parte em 10 2, que muito alta). Semicondutores intrnsecos de compostos dos grupos III-V e II-VI vm adquirindo crescente importncia para a indstria eletrnica nos ltimos anos.
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SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Modelo de ligao eletrnica para a conduo eltrica no Silcio intrnseco
Campo E
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(a)
Si Si Si Si
(b)
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Campo E
(c)
Si Si Si Si
(a) Antes da excitao eletrnica. (b) e (c) Aps a excitao eletrnica (os movimentos subseqentes do eltron livre e do buraco em resposta a um campo eltrico externo).
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Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
SEMICONDUTORES INTRNSECOS
A condutividade eltrica dos materiais semicondutores pode ser representada pela equao
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= n |e| + p |e| b ,
onde: n = nmero de eltrons livres por unidade de volume; p = nmero de buracos eletrnicos por unidade de volume; |e| = magnitude da carga dos portadores (1,6x10-19 C);
= n |e| ( + b)
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(a)
Si Si Si Si
(b)
Si Si Si Si
(c)
Si Si
Campo E
Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
(a) O tomo de impureza (P) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando em um eltron extra ligado ao tomo de impureza. (b) Excitao do eltron extra como conseqncia da aplicao de um campo eltrico externo, formando-se um eltron livre. (c) Movimento do eltron livre em resposta ao campo eltrico externo.
Para semicondutores do tipo n, os eltrons livres so os principais portadores de corrente, isto , n >> p. Portanto,
n |e| .
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Banda de conduo
Gap de energia
Energia
Energia
Banda de valncia
Banda de valncia
Gap de energia
Estado doador
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(a)
Si Si Si Si
(b)
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
(a) O tomo de impureza (B) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando na deficincia de um eltron de valncia ou, de forma equivalente, num buraco eletrnico associado ao tomo de impureza. (b) Movimento do buraco eletrnico em resposta a um campo eltrico externo.
Para semicondutores tipo p, os buracos eletrnicos so os principais portadores de corrente, isto , p >> n. Portanto,
p |e| b .
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Excitao de um eltron para o nvel receptor, deixando para trs um buraco na banda de valncia.
Gap de energia
Energia
Energia
Gap de energia
Banda de conduo
Banda de valncia
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Leitura Adicional
J. F. Shackelford em Introduction to Materials Science for Engineers, 4 edio, Prentice-Hall Inc.,1996. Captulo 11.