7.1 SEMICONDUCTORES Los metaloides se encuentran abajo y arriba de la lnea diagonal que divide a los metales de los no metales.

A los metaloides tambin se les conoce como anfteros o semimetales, debido a que presentan tanto caractersticas metlicas como no metlicas. Entre ellos se encuentran el boro, silicio, germanio, arsnico, antimonio, telurio, polonio y astato. En general son elementos slidos y con cierto brillo metlico. Son semiconductores. 7.1.1 CONCEPTO Y ESTRUCTURA DE SEMICONDUCTOR Una propiedad importante en los semiconductores es que posibilita el poder modificar su resistividad de manera controlada entre mrgenes muy amplios. La razn primera de este comportamiento diferente reside en su estructura atmica, bsicamente en la distancia interatmica de sus tomos en la red as como el tipo de enlace entre ellos. As el enlace atmico depende del nmero de electrones de valencia de los tomos formantes del enlace y de la electronegatividad de los mismos. Los electrones de la capa externa o electrones de valencia son los que determinan y forman los enlaces y los que en su momento pueden determinar el carcter conductivo o no de l. En un semiconductor formado por dos elementos qumicos diferentes (Arseniuro de Galio) la asimetra conlleva en general una cierta prdida de carcter covalente puro, en el sentido de desplazar el centro de gravedad de la carga hacia uno u otro tomo. El parmetro que determina este desplazamiento es la electronegatividad de los tomos constituyentes. Cuanto ms diferente sea, mayor ser el desplazamiento y el enlace ser ms inico que covalente. La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja aunque puede visualizarse mediante superposicin de estructuras ms sencillas. La estructura ms comn es la del diamante, comn a los semiconductores Si y Ge, y la del Zinc-Blenda que es la del Arseniuro de Galio. En estas redes cristalinas cada tomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes con simetra tetradrica. Se requiere que posean unas estructuras cristalinas nicas, es decir, que sea monocristal. Dependiendo de cmo se obtengan ste puede presentarse en forma de monocristal, policristal y amorfo. El comportamiento elctrico de los materiales semiconductores (resistividad y movilidad) as como su funcionamiento depende de la estructura cristalina del material de base, siendo imprescindible la forma monocristalina cuando se requiere la fabricacin de circuitos integrados y dispositivos electropticos (lser, leds). En lo referente al transporte de carga en semiconductores el fenmeno de las colisiones de los portadores con otros portadores, ncleos, iones y vibraciones de

la red, disminuye la movilidad. Ello guarda relacin con el parmetro de la resistividad (o conductividad) definido como la facilidad para la conduccin elctrica, depende intrnsecamente del material en cuestin y no de su geometra. As pues en los fenmenos de transporte en semiconductores y a diferencia de los metales, la conduccin se debe a dos tipos de portadores, huecos y electrones. 7.1.2 PRINCIPALES ELEMENTOS SEMICONDUCTORES UTILIZADOS INDUSTRIALMENTE. Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas. En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna. Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc.
Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos con caractersticas de semiconductores, identificados con su correspondiente nmero atmico y grupo al que pertenecen. Los que aparecen con fondo gris corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides y los de fondo azul a no metales

Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Peridica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores. Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

7.1.3 SEMICONDUCTORES INTRNSECOS. Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma: 1. Intrnsecos 2. Extrnsecos Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.
Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho ms estrecho en comparacin con los materiales aislantes. La energa de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energa de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un cuerpo aislante.

7.1.4 SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS. Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas". Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica. En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricacin de transistores y circuitos Integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de minsculos dados o chips, que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los que despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn en transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido en transistores o circuitos integrados sern desprendidos de la oblea y colocados dentro de una cpsula protectora con sus correspondientes conectores externos.

El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin que el silicio, es el cristal de germanio (Ge). Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para fabricar diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en da, adems del silicio y el germanio, se emplean tambin combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Peridica. Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio. En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de cualquier elemento, independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su ltima rbita, tratan siempre de completarla con un mximo de ocho, ya sea donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia que le corresponda a cada tomo en especfico. Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en su ltima rbita, sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre s los cuatro electrones que cada uno posee, segn la tendencia de completar ocho en su rbita externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosa. En su estado puro, como ya se mencion anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes. SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N" Como ya conocemos, ni los tomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan electrones en su ltima rbita; por tanto, no permiten la circulacin de la corriente elctrica, por tanto, se comportan como materiales aislantes. Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos aadindole una pequea cantidad de impurezas provenientes de tomos de un metaloide como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores del Grupo AV de la Tabla Peridica,

con cinco electrones en su ltima rbita o banda de valencia), estos tomos se integrarn a la estructura del silicio y compartirn cuatro de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a los tomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrn restante del antimonio, al quedar liberado, se podr mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrnseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.
Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si) formando una celosa. Como se puede observar, esta estructura se ha dopado aadiendo tomos de antimonio (Sb) para crear un material semiconductor extrnseco. Los tomos de silicio (con cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia) se unen formando enlaces covalentes con los tomos de antimonio (con cinco en su ltima rbita banda de valencia). En esa unin quedar un electrn libre dentro de la estructura cristalina del silicio por cada tomo de antimonio que se haya aadido. De esa forma el cristal. de silicio se convierte en material semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso electrones libres con cargas negativas presentes en esa estructura.

Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica en sus extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en la sustancia impura aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de corriente electrnica a travs de la estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia o corriente elctrica. No obstante, la posibilidad de que al aplicrseles una corriente elctrica los electrones se puedan mover libremente a travs de la estructura atmica de un elemento semiconductor es mucho ms limitada que cuando la corriente fluye por un cuerpo metlico buen conductor. SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P" Si en lugar de introducir tomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos aadindoles tomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento perteneciente al Grupo IIIA de la Tabla Peridica con tres electrones en

su ltima rbita o banda de valencia), al unirse esa impureza en enlace covalente con los tomos de silicio quedar un hueco o agujero, debido a que faltar un electrn en cada uno de sus tomos para completar los ocho en su ltima rbita. En este caso, el tomo de galio tendr que captar los electrones faltantes, que normalmente los aportarn los tomos de silicio, como una forma de compensar las cargas elctricas. De esa forma el material adquiere propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrnseco dopado tipo-P (positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los huecos o agujeros que quedan en su estructura cristalina. Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si) que forman, como en el caso anterior, una celosa, dopada ahora con tomos de galio (Ga) para formar un semiconductor extrnseco. Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (con cuatro electrones en. la. ltima rbita o banda de valencia) se unen formando enlaces covalente con los tomos de galio (con tres. electrones en su banda de valencia). En esas condiciones quedar un hueco con defecto de electrones en la estructura cristalina de silicio, convirtindolo en un. Semiconductor tipo-P (positivo) provocado por el defecto de electrones en la estructura.

7.2 SUPER CONDUCTORES. 7.2.1 CONCEPTO DE UN MATERIAL SUPERCONDUCTOR El descubrimiento de la superconductividad es uno de los ms sorprendentes de la historia de la ciencia moderna. Est ntimamente ligado con el inters de los fsicos del siglo XIX en licuar todos los gases conocidos en aquel tiempo. Era ya bien sabido que la inmensa mayora de los gases slo podran licuarse a temperaturas muy por debajo de cero grados centgrados. La licuefaccin de los gases permitira estudiar los fenmenos que se presentan en los materiales a temperaturas muy bajas. Un par de aos antes de la guerra de EUA contra Mxico, esto es, en 1845, Michael Faraday de la Royal Institution de Londres pudo, finalmente, perfeccionar una tcnica para licuar gases que 23 aos antes haba encontrado en forma accidental. Sin embargo, esta tcnica no resultaba fcil para la licuefaccin del helio (He), del hidrgeno (H), del oxgeno (O2), del nitrgeno (N2), del metano (CH4), del monxido de carbono (CO), ni del xido ntrico (NO), que eran los nicos gases que faltaban por licuar de todos los que se conocan en aquella poca y, en consecuencia, tampoco el aire haba sido licuado. Sin embargo, para 1867 el francs Luis Cailletet fue el primero en licuar oxgeno (90.2K o -182.96C) y realizar descubrimientos que mostraron la posibilidad de licuar el aire, que a la postre dieron origen al mtodo que permiti licuar de manera sencilla y adecuada el gas helio. En el mismo ao de 1877, y siguiendo un mtodo diferente del de Cailletet, el suizo Raoul Pictet tambin pudo licuar oxgeno. Para 1898, James Dewar de la Royal Institution de Londres pudo licuar hidrgeno, que tiene una temperatura de ebullicin de 20.8K, que corresponde aproximadamente a -252.36C. Fue diez aos despus, en 1908, cuando Heike Kamerlingh Onnes pudo, por primera vez en el mundo, obtener helio lquido que tiene una temperatura de ebullicin de 4.22K, recurdese que el cero absoluto equivale a -273.16C. Este logro se realiz en la universidad de Leyden, Holanda y abri el paso a Onnes para su descubrimiento de la superconductividad. Con el helio lquido Kamerlingh Onnes pudo ya disponer de un bao trmico a muy bajas temperaturas y se dispuso a investigar las propiedades de la materia a esas temperaturas. Seleccion, como uno de los temas de sus investigaciones a bajas temperaturas, el comportamiento de la resistividad elctrica de los metales. Esto se debi a que la medicin de esta propiedad se puede realizar con relativa facilidad a cualquier temperatura y, tambin, a que el tema de la resistividad elctrica de los metales era, ya en aquel tiempo, de considerable importancia. Las teoras existentes en esos tiempos sobre la resistividad elctrica de los metales se encontraban en un estado bastante rudimentario. Se pensaba que eran probables cualquiera de las tres posibilidades mostradas en la figura 2 para el comportamiento de la resistividad al disminuir la temperatura.

Figura 2. Comportamientos posibles del valor de la resistividad elctrica de un metal al disminuir su temperatura, de acuerdo con las ideas prevalecientes alrededor de 1908.

Se deca que la curva A de la figura 2 ocurrira si la resistencia elctrica se deba completamente a la dispersin que los electrones sufran por las vibraciones de la red atmica. Se esperaba que la curva B pudiera ocurrir si las dispersiones de los electrones por las impurezas que estuvieran presentes fuesen importantes. La curva C se producira si los electrones de conduccin, esto es, los electrones libres de moverse por el metal, disminuyeran rpidamente al disminuir la temperatura. Esto ltimo sera posible, se pensaba, si al disminuir la temperatura, y con ella la energa de movimiento de los electrones, stos pudieran ir quedando atrapados alrededor de los iones en el metal. Kamerlingh Onnes se dispuso a averiguar, por medio de la experimentacin, cul era la verdadera variacin de la resistividad con la temperatura. Para comenzar, decidi examinar la primera hiptesis. Para esto seleccion el mercurio para estudiarlo, porque era el metal ms puro que poda obtenerse en esa poca. Cuando observ que la resistividad elctrica del mercurio a una temperatura inferior a 4.22K era menor, por un factor de 10-11, que su valor correspondiente a una temperatura un poco arriba de 4.22 K, pens que haba verificado la validez de la hiptesis A de la figura 2. Investigaciones posteriores le mostraron a Onnes que la resistividad no disminua de manera continua, como se indica en la curva A de la figura 2, sino que desapareca muy abruptamente a una temperatura de 4.15K. Por otro lado, tambin observ que este comportamiento no se alteraba al introducir impurezas en la muestra de mercurio. Bien pronto se dio cuenta de la existencia de un nuevo estado del mercurio, en el cual no haba resistividad elctrica. A este nuevo estado lo llam estado superconductor. As naci el estudio de los superconductores.

7.2.2 PRINCIPALES MATERIALES UTILIZADOS INDUSTRIALMENTE COMO SUPERCONDUCTORES. La transicin del estado normal al estado superconductor puede ser tan bien marcada como que el cambio tenga lugar en un intervalo de un diezmilsimo de 1 K. En el cuadro 1 se muestra un conjunto de materiales superconductores con sus correspondientes temperaturas de transicin. Ntese el enorme salto en el valor de Tc cuando empezaron a prepararse aleaciones con tierras raras (como el itrio), con cobre y oxgeno. Hay algunas caractersticas de los materiales superconductores del tipo metlico (primera parte del cuadro 1, que no cambian con la transicin al estado superconductor, entre ellas podemos sealar las siguientes:
1) El patrn de difraccin de los rayos X no cambia. Esto indica que no hay cambio en la simetra de la red cristalina. Tampoco hay cambio en la intensidad del patrn de difraccin, lo que indica que prcticamente no hay cambio en la estructura electrnica. 2) No hay cambio apreciable en las propiedades pticas del material, aunque stas estn usualmente relacionadas con la conductividad elctrica. 3) En ausencia de un campo magntico aplicado sobre la muestra, no hay calor latente en la transicin. 4) Las propiedades elsticas y de expansin trmica no cambian en la transicin.

Por otro lado, hablando de los materiales de la primera parte del cuadro 1, hay algunas propiedades que cambian en la transicin al estado superconductor como: a) Las propiedades magnticas (que cambian radicalmente). En el estado superconductor puro prcticamente no hay penetracin de flujo magntico en el material; b) el calor especfico, que cambia discontinuamente a la temperatura de transicin. En presencia de un campo magntico se produce tambin un calor latente de la transformacin; c) todos los efectos termoelctricos desaparecen en el estado superconductor, y d) la conductividad trmica cambia discontinuamente cuando se destruye la superconductividad en presencia de un campo magntico.

CUADRO 1.
Sustancia W ( wolframio ) Ir ( iridio ) Ti ( titanio ) Ru ( rutenio ) Temperatura crtica (K) ~0.01 0.014 0.39 0.49

Zi ( zirconio ) Cd ( cadmio ) Os ( osmio) U ( uranio ) Zn ( zinc ) Mo ( molibdeno ) Ga ( galio ) Al ( aluminio ) Th ( toi-io ) Re ( renio ) In ( indio ) Sn ( estao ) Hg ( mercurio ) Ta ( tantalio ) V ( vanadio ) La ( lantano ) Pb ( plomo ) Tc ( tecnecio ) Nb ( niobio ) Aleacin V3 Ga V3 Si Nb3 Sn Nb3 Al

0.55 0.56 0.66 0.68 0.88 0.92 1.09 1.19 1.37 1.70 3.40 3.72 4.15 4.48 5.30 5.91 7.19 8.20 9.46

15.00 17.10 18.30 18.80

Nb3 Ga Nb3 Ge Ba La4 Cu5 O13.4 YBa2 Cu3 O7 YBa4 Cu5 Ox Tl2 Ba2 Ca Cu2 O8 Bi2 Sr2 Ca2 Cu3 O10 Tl2 Ba2 Ca2 Cu3 O10 Hg Ba2 Ca2 Cu3 O8+x

20.30 23.30 35.00 90.00 98.00 99.00 110.00 125.00 133.00

La clase de aleaciones que se sealan en los ltimos lugares del cuadro 1 son del tipo cermico y de reciente descubrimiento. No se esperaba que materiales de este tipo pudieran tener temperaturas de transicin al estado superconductor tan elevadas. Por ello es que no se haban explorado con anterioridad. A principios de 1987 comenz a informarse sobre temperaturas de transicin tan altas como las mostradas al final del cuadro 1, a partir del compuesto cermico BaLa4 Cu5 O13.4, que haba sido sintetizado y dado a conocer en 1986. Estos nuevos materiales son bastante complicados, en su estructura y propiedades. Su estudio y comprensin se ha ido realizando con bastante dificultad desde su descubrimiento. An, no se entiende claramente cmo ocurre la transicin al estado superconductor. Hay indicios de que es posible lograr una temperatura de transicin an ms elevada que las indicadas en el cuadro 1. Parece ser que el oxgeno desempea un papel crucial en la aparicin del estado superconductor y en el alto valor de la temperatura crtica, junto con el cobre. Tambin se empieza a tener la certeza de que el efecto de dimensionalidad es muy importante. Esto quiere decir que en estos materiales los fenmenos dominantes para la superconductividad ocurren en dos dimensiones. Este espacio bidimensional corresponde a las capas de la estructura del material donde se encuentran el cobre y el oxgeno. La obtencin de este tipo de materiales superconductores se inici en Suiza, China y EUA, la tecnologa que implica su preparacin es sencilla y est al alcance de los pases del llamado Tercer Mundo, esto es, pases que, cmo Mxico, no tienen gran desarrollo industrial. Sin embargo, la investigacin relacionada con la creacin de nuevos materiales cermicos superconductores de una temperatura de transicin al estado superconductor cada vez ms alta requiere una gran inversin y un esfuerzo conjunto y coordinado de cientficos de diversas especialidades. Esta conjuncin y coordinacin de esfuerzos es difcil de

lograr en nuestro pas por el nmero relativamente bajo de cientficos que tenemos. En el Instituto de Investigaciones en Materiales y en el Instituto de Fsica, ambos de la Universidad Nacional Autnoma de Mxico, se ha logrado la preparacin de estos materiales muy poco despus de su descubrimiento. Sin embargo, a diez, aos de este importante hallazgo, muy pocos investigadores en Mxico permanecen trabajando en este campo. Las investigaciones en la aplicacin de estos materiales ni siquiera se iniciaron (salvo por unos pocos casos de esfuerzos individuales que no han podido continuarse), a pesar de que el universo de las aplicaciones tecnolgicas de los superconductores es amplsimo, como veremos con detalle ms adelante. 7.2.1 CONCEPTO DE UN MATERIAL SUPERCONDUCTOR. Existen diferencias importantes entre los superconductores que permiten clasificarlos en dos grandes grupos. Ciertos metales; en particular los que tienen bajas temperaturas de fusin y son mecnicamente suaves y de fcil obtencin en un alto grado de pureza y libres de esfuerzos mecnicos internos, exhiben semejanzas en su comportamiento en el estado superconductor. Estos materiales superconductores reciben el nombre de superconductores ideales, superconductores Tipo I, o suaves . Por otro lado, el comportamiento de muchas aleaciones y de algunos de los metales superconductores ms refractarios es complejo e individual, particularmente con respecto a la forma cmo resultan afectados en el estado superconductor en presencia de un campo magntico. A estos superconductores se les ha dado el nombre de superconductores Tipo II, o si la superconductividad se conserva an bajo la influencia de campos magnticos intensos, se les conoce con el nombre de duros o de campo intenso. Para entender mejor estas diferencias, veamos cmo un campo magntico aplicado afecta a cada uno de los tipos de superconductores que hemos mencionado. Para ello describiremos brevemente lo que es el efecto MeissnerOschenfeld. En 1933, W. Meissner y R. Oschenfeld encontraron experimentalmente que un superconductor se comporta de manera tal que nunca permite que exista un campo de induccin magntica en su interior. En otras palabras, no permite que un campo magntico penetre en su interior. El campo magntico en el interior de un superconductor no slo est congelado, sino que vale siempre cero. Una consecuencia inmediata de lo anterior es que el estado de magnetizacin del material que pasa por la transicin superconductora no depende de los pasos que se hayan seguido al establecer el campo magntico. Esta consecuencia marca tambin la diferencia fundamental entre lo que es un conductor perfecto y lo que es un superconductor. Por conductor perfecto entendemos un material cuya resistencia elctrica es igual a cero. En tanto que un superconductor, adems de

presentar resistencia cero, presenta tambin el efecto Meissner-Oschenfeld. Se puede demostrar fcilmente que, en un conductor perfecto, el campo magntico tiene un valor constante, esto es, est congelado en su interior, pero no necesariamente vale cero, y esto trae como consecuencia que su estado de magnetizacin dependa necesariamente de los pasos, que se hayan seguido para magnetizarlo. Para entender ms claramente la diferencia entre un conductor perfecto y un superconductor; veamos qu ocurre cuando tratamos de magnetizar un conductor perfecto y cuando tratamos de magnetizar un superconductor. Consideremos primero al conductor perfecto, esto es, pensemos que la transicin nos lleva nicamente a un estado de resistencia cero sin el efecto MeissnerOschenfeld. En ausencia de campo magntico externo, tomemos la muestra a una temperatura T mayor que la temperatura de transicin., Tc al estado de resistencia cero del conductor perfecto (figura 4(a)). Luego, enfriemos la muestra a una temperatura T < Tc , e introduzcamos un campo magntico (figura 4(b)). Como en el instante en que ocurri la transicin al estado de conductor perfecto el campo magntico en el interior de la muestra era cero, permanecer con ese valor y, por tanto, el campo magntico ser excluido del interior de la muestra. Finalmente, suprimamos el campo magntico aplicado, manteniendo la temperatura por debajo de Tc (figura 4(c)). Obtendremos que el campo magntico en el interior de la muestra sigue siendo cero. Ahora tomemos la muestra nuevamente a una temperatura T > Tc pero con un campo magntico externo aplicado distinto de cero (figura, 4(d)). Despus, enfriemos la muestra a una temperatura T < Tc (figura 4(e)). El campo magntico en el interior de la muestra sigue siendo el mismo que haba antes de enfriarla. Finalmente, suprimamos el campo magntico, aplicado (figura 4(f)). Lo que ahora ocurre es que se generan corrientes superficiales en la muestra de tal modo que el campo en el interior de ella tenga el mismo valor que tena antes de bajar la temperatura a T < Tc. Por lo anterior podemos afirmar que si la transicin nos llevara simplemente a un conductor perfecto (esto es, a la ausencia del efecto Meissner-Oschenfeld en la transicin), el estado de magnetizacin de la muestra depender de la manera en que se alcance el estado final. Ahora consideremos que la transicin, adems de llevar la muestra a un estado de resistencia elctrica cero, nos indica la existencia del efecto Meissner-Oschenfeld. Primeramente, tomemos la muestra a una temperatura T > Tc sin la presencia de un campo magntico aplicado (figura 5(a)). Despus, enfriemos la muestra hasta T < Tc e introduzcamos un campo magntico, como se indica en la figura 5(b). Por el efecto Meissner-Oschenfeld se inducirn corrientes superficiales en la muestra de

manera tal que el campo en su interior sea cero. Posteriormente, suprimamos el campo magntico aplicado (figura 5(c)). Las corrientes superficiales desaparecen y el campo magntico en el interior de la muestra es cero. Intentemos ahora el otro camino. Tomemos la muestra a una temperatura T > Tc en presencia de un campo magntico aplicado, como se ve en la figura 5(d). Despus, enfriemos la muestra hasta una temperatura T < Tc (figura 5(e)). Tendremos que, por el efecto Meissner-Oschenfeld, se inducirn corrientes superficiales en la muestra de manera que el campo en el interior de ella sea cero. Posteriormente, suprimamos el campo externo (figura 5(f)); Tendremos que las corrientes superficiales desaparecen y que el campo magntico en el interior de la muestra vale cero. Como acabamos de ver, debido al efecto Meissner-Oschenfeld, el estado de magnetizacin de la muestra no depende de la manera en que se llegue al estado final. Es claro que un superconductor es, adems de un conductor perfecto, una sustancia en un estado en el que se presenta el efecto Meissner-Oschenfeld. Es necesario sealar que, si bien existe una clara diferencia entre lo que es un superconductor y un conductor perfecto, los nicos conductores perfectos que se han encontrado hasta ahora en la naturaleza son, precisamente, los superconductores. An no se descubren conductores perfectos solamente, es decir, materiales con resistencia cero y sin que presenten el efecto MeissnerOschenfeld. 7.2.3 CONDICIONES DE TEMPERATURA PARA QUE UN MATERIAL SE COMPORTE COMO UN SUPERCONDUCTOR Hemos mencionado ya que en abril de 1986 se anunci el descubrimiento de unos nuevos materiales superconductores que eran cermicos y que presentaban una temperatura de transicin superior a cualquiera de los materiales existentes en esas fechas. Al escribir estas lneas la temperatura crtica de transicin superconductora ms alta reportada es de alrededor de 135K, bastante arriba de la temperatura de ebullicin del nitrgeno lquido, que es un refrigerante de precio muy econmico y fcil de obtener en Mxico. Tambin hay indicios muy prometedores de que se podrn lograr temperaturas de transicin quiz por arriba de 200K. El descubrimiento de este nuevo tipo de superconductores fue realizado por J. C. Bednorz y K. A. Mller en un laboratorio de investigacin de la compaa IBM en Zurich, Suiza. Por vez primera, despus de ms de 12 aos fue posible encontrar una sustancia con una temperatura de transicin superior a 23.3 Kelvin. En su investigacin leyeron un artculo cientfico que resulta pieza clave en su trabajo. Se deba a los cientficos franceses C. Michel, L. Er-Rakho y B. Raveau, y en l se

presentaba un nuevo material cuyas caractersticas de ser un xido metlico nuevo de cobre de valencia mixta lo convertan en candidato ideal para presentar superconductividad, de acuerdo con las hiptesis de trabajo de Bednorz y Mller. La composicin de este material es: BaLa4Cu5 O134. Bednorz y Mller empezaron a explorar sus propiedades, variando la concentracin de Ba. En la primavera de 1986 publicaron su artculo anunciando la superconductividad a una temperatura de 35 Kelvin en esta clase de compuestos. En stos, el arreglo de los iones corresponde a una geometra tpicamente conocida como perouvskita y que es muy comn entre los materiales llamados ferroelctricos. El rpido progreso que se ha alcanzado para encontrar materiales de este tipo, con temperaturas de transicin superconductora cada vez ms altas, ha sido realmente sorprendente. Muy pocos avances cientficos, si es que ha habido alguno, han generado tal flujo de actividad cientfica casi frentica en todo el mundo y, al mismo tiempo, un inters inmediato y muy grande entre el pblico en general. Lo que la inmensa mayora pensaba ya como algo imposible es ahora algo real y palpable: tener superconductividad a temperaturas mayores que las el nitrgeno lquido. El trabajo de Bednorz y Mller les vali el premio Nobel de Fsica de 1987. Es interesante notar que es la segunda vez que se otorga un premio Nobel a temas relacionados con la superconductividad. Casi inmediatamente despus del anuncio del descubrimiento de Bednorz y Mller, muchos grupos de cientficos en el mundo se lanzaron a tratar de obtener temperaturas de transicin ms altas. Uno de los grupos ms exitosos ha sido el del doctor Paul Chu, de la Universidad de Houston, uno de los primeros en darse cuenta de la importancia del descubrimiento de Bednorz y Mller, quien se dedic de lleno a la investigacin de este tipo de materiales. Pronto encontraron que la temperatura crtica poda ser aumentada a 57 Kelvin aplicando presin al material. Tanto la magnitud del cambio en Tc, como el hecho de que aumentara con la presin aplicada eran anormales si se comparan con los superconductores conocidos con anterioridad a estos nuevos materiales. Con esto en mente, Chu y sus colaboradores empezaron a buscar maneras de simular una "presin interna" en estos materiales reemplazando el lantano (La) con iones parecidos, como el de itrio (Y). A fines de febrero de 1987, Chu anunci que haba encontrado un compuesto que tena una temperatura de transicin al estado superconductor mayor de 90 Kelvin. La composicin de este material est dada por YBa2Cu3Ox. Casi simultneamente se anunci la obtencin de un material de composicin semejante y propiedades similares en China. En unos pocos das, con composiciones que eran variantes de la reportada por Chu y sus colaboradores, una docena de grupos alrededor del mundo informaron sobre la obtencin de materiales superconductores cermicos con temperaturas de transicin arriba de los 90 Kelvin, que ya han sido preparados en la Universidad Nacional Autnoma

de Mxico; la manera de sintetizarlos es muy sencilla y puede efectuarse con la tecnologa que est al alcance de los pases del llamado Tercer Mundo. Es muy claro que disponer de materiales superconductores de temperatura crtica por arriba del nitrgeno lquido es una realidad en nuestro pas y en muchas otras naciones tercermundistas. Tambin comienza a ser muy claro que con ellos el mundo no volver a ser el mismo. Es muy probable que, una vez ms, la fsica cambiar nuestra manera de vivir como ocurri con el advenimiento del motor elctrico, del transistor, etctera. Vale la pena sealar que las perouvskitas de cobre y oxgeno, los nuevos materiales superconductores, haban sido muy estudiadas en la ltima dcada, especialmente por Raveau, Michel y colaboradores. Gran parte de su trabajo sent las bases para alcanzar un rpido progreso inmediatamente despus del descubrimiento de Bednorz y Mller. El inters inicial por estos materiales radic en la alta movilidad del oxgeno a temperaturas elevadas, lo que altera su comportamiento elctrico, de manera tal que se haba sugerido, como una de sus posibles aplicaciones, la de sensor de oxgeno. Muchos estudios han dejado bien claro ahora que las propiedades superconductoras del compuesto de itrio (Y), bario (Ba) y cobre (Cu) (muy ampliamente conocido como el 1-2-3, por su composicin: YBa2Cu3Ox) dependen crticamente en la cantidad y en el ordenamiento de oxgeno, que a su vez depende de los detalles del proceso para su obtencin. Por considerarlo de inters, general y para exhibir la sencillez de la preparacin de estos materiales, vamos a dar un pequeo resumen de la manera ms usual de prepararlos. Se trata de una reaccin de estado slido que se prepara mezclando polvos de tres materiales: xido de itrio (Y2O3), carbonato de bario (BaCO3) y xido de cobre, (Cu O). Las proporciones de la mezcla son de 1:2:3>, tornadas en el orden que las hemos mencionado. Se muele la muestra en un mortero (de gata, por ejemplo), hasta obtener un grano muy fino. Luego se procede a hornear este polvo para lograr una buena oxidacin. Se pueden utilizar crisoles de cuarzo, almina o platino. La almina parece permanecer inerte, siempre que la temperatura no sobrepase los 1 000C durante demasiado tiempo. La reaccin de estado slido tiene lugar suavemente en un lapso de 10 a 12 horas, manteniendo la temperatura. constante en 900C. Posteriormente, el polvo se vuelve a moler y se preparan por compresin unas pastillas que luego son horneadas, volviendo a calentarlas por varias horas. El proceso es simple y a veces ha de repetirse varias veces hasta conseguir la formacin del compuesto. Hay que tener cuidado de que la presin parcial de oxgeno durante el calentamiento del polvo no sea demasiado baja, de que no se saquen las muestras del horno demasiado pronto, pues de ser as no se encontrar la superconductividad por arriba de la temperatura del nitrgeno lquido.

Las temperaturas de transicin ms altas y mejor definidas se obtienen cuando la muestra se calienta en una atmsfera de oxgeno y se deja enfriar lentamente desde 900C hacia la temperatura ambiente en un proceso de varias horas. La preparacin de la muestra 1-2-3 en el seno de una atmsfera inerte evita totalmente la obtencin de una muestra superconductora. En cuanto a las mediciones de las propiedades superconductoras de estas muestras es conveniente sealar lo siguiente. Las cadas abruptas de la resistividad elctrica a cero constituyen un indicador pobre, y adems peligroso, de la presencia del estado superconductor. Este comportamiento, puede provenir de muchas situaciones que no corresponden a un estado superconductor y que tienen que ser cuidadosamente exploradas antes de emitir conclusin alguna acerca de si se tiene o no un superconductor. Por ejemplo, es comn que se encuentre que las cadas abruptas del valor de la resistencia hacia cero se deban a problemas de corto circuitos o, en la tcnica de las cuatro puntas que es tan usual para este tipo de mediciones, al problema de las fases elctricas. En la prctica se encuentra que las muestras que han sido sobreprocesadas y que contienen muchas fases distintas del material son ms susceptibles de presentar este tipo de problemas, ya que son tan heterogneas en su comportamiento elctrico que pueden llevar a trayectorias alternativas para la corriente entre los electrodos y a resistencias de contacto que varan grandemente con la temperatura. Por otro lado, se sabe ya que en estos materiales se tienen pares de Cooper. En efecto, el 30 de abril de 1987 se tuvo la evidencia experimental de su presencia. El experimento se realiz en la Universidad de Birmingham, Inglaterra, siguiendo el mismo principio que se utiliz en un experimento realizado en 1961 con el mismo fin. Claro que se emple equipo ms refinado. En esencia, el experimento se refiere a la determinacin de la cuantizacin del flujo magntico que est dada en trminos de los portadores de carga del material, que resulta ser de dos veces la carga de un electrn, o lo que es lo mismo, la carga que corresponde a un par de Cooper. Sin embargo, no existe una teora convincente, hasta el momento, de cmo se forman estos pares de Cooper. Por otro lado, se ha reportado ya la manera en que el calor especfico de estos materiales vara con la temperatura. Se produce de manera muy diferente de como sucede en el caso de los superconductores convencionales. En los superconductores cermicos el calor especfico vara linealmente con la temperatura. En tanto que en el caso de los superconductores convencionales, como ya hemos visto, se da una variacin exponencial con la temperatura. La estructura de estos materiales corresponde a la estructura conocida como perouvskita, que es una estructura tpica de los materiales ferroelctricos.

Adems, el contenido, de oxgeno parece ser sumamente importante para las propiedades superconductoras. Uno de los problemas ms importantes a resolver en estos materiales y que se ha estudiado poco hasta el momento, es el que se refiere al deterioro del material, pues al transferir un cierto tiempo el material deja de presentar propiedades superconductoras. El tiempo para que esto ocurra es de semanas y depende mucho del tipo de atmsfera en que se conserven las muestras. La complejidad qumica de los materiales superconductores de alta temperatura crtica implica una estabilidad limitada. De los sistemas de alta Tc, el 1-2-3 es el ms susceptible de deterioro, y los de lantano, bario, cobre y oxgeno son de los ms estables. El deterioro se puede evitar dando a los materiales un recubierta de proteccin de un material que no reaccione con la atmsfera circundante. Como ya se ha mencionado, existe en todo el mundo un enorme inters por estos nuevos materiales. Hay pases tercermundistas que han emprendido proyectos nacionales de superconductividad que tienen como fin el estudio y las aplicaciones de estos nuevos materiales que van a tener una tremenda importancia econmica en un futuro no lejano. Dentro de esos pases contamos a la India y a China. Esta ltima ya tiene un programa muy competitivo en el mbito mundial. Por otro lado, varios de los cientficos que encabezan actualmente los estudios de fabricacin y caracterizacin de estos materiales son de la India, pas que ha decidido invertir una parte apreciable de su producto interno bruto en apoyar su proyecto nacional de superconductividad. En Mxico tenemos algunos especialistas en el tema de superconductividad, y aunque existen los expertos en metalurgia necesarios para la obtencin de estos materiales, no se ha dado el trabajo conjunto entre ambos grupos. De este modo, la actividad en Mxico sobre los nuevos superconductores se redujo, casi en su totalidad, a la obtencin de muestras, caracterizndolas por la medicin de algunas de sus propiedades. No se abord el problema de su aplicacin. En la actualidad prcticamente no existen grupos de investigacin en superconductividad ni en la preparacin de nuevos materiales superconductores cermicos. Se mencionaba, por un tiempo, un plan nacional de superconductividad. Hasta ahora no se ha producido tal plan. Hay que tener en cuenta que es necesario emprender la formacin de recursos humanos en este importante campo para poder abordar un proyecto de esta naturaleza con la seriedad adecuada. Japn tiene un proyecto nacional de superconductividad desde la dcada de los setenta. Tal es la relevancia de estos materiales para este pas. En 1987 Estados Unidos emprendi tambin, un programa nacional de superconductividad con un considerable apoyo financiero, tanto gubernamental, como privado. Sin embargo, el esfuerzo econmico ms grande no proviene de los gobiernos de los distintos pases, sino de la industria privada. As, varias compaas industriales

de Estados Unidos, Japn y naciones de Europa estn realizando enormes esfuerzos por utilizar los nuevos materiales superconductores. Cabe sealar que este descubrimiento cientfico, calificado ya varias veces de espectacular y esotrico, puede ahora reproducirse, con muy poco dinero (alrededor del equivalente de un salario mnimo mensual) prcticamente en cualquier laboratorio de qumica o fsica de una escuela preparatoria, o de nivel equivalente, en nuestro pas. Es muy claro que, a lo largo y ancho del mundo (y ojal nuestro Mxico no se quede fuera de este movimiento) hay una actividad cada vez mayor de toda una generacin de cientficos e ingenieros que se estn formando ya con un bagaje cultural que incluye el conocimiento y aplicacin de nuevos materiales sobre los cuales volcarn toda su creatividad e ingenio para explotar todas sus posibilidades. En el siguiente y ltimo captulo presentaremos algunas de las posibles aplicaciones de los materiales superconductores, tanto de los superconductores convencionales, como de las perspectivas que ofrecen los nuevos materiales cermicos superconductores . Puede decirse que existen tres tipos de aplicaciones de la superconductividad: 1) La produccin de grandes campos magnticos. Al decir grandes nos referimos tanto a una gran intensidad del campo magntico como al espacio en el cual se crea el campo. 2) La fabricacin de cables de transmisin de energa. Aunque stos ya se manufacturan a partir de los superconductores convencionales (no de los nuevos superconductores cermicos), actualmente no son competitivos comercialmente con respecto a los cables areos normales, a menos de que cubran una gran distancia (de cientos de kilmetros). En los casos en que las lneas de transmisin deben ser subterrneas, habra cierta ventaja econmica con la utilizacin de los cables superconductores. 3) La fabricacin de componentes circuitos electrnicos. Estos dispositivos electrnicos fueron ideados originalmente con la intencin de utilizar la transicin de estado normal a estado superconductor como un interruptor, mas resultaron decepcionantes con respecto a los logros alcanzados por los transistores de pelculas delgadas y se ha abandonado su uso en este aspecto. Este panorama puede cambiar con el descubrimiento de los nuevos materiales superconductores cermicos. Cabe mencionar que son de gran inters los dispositivos basados en la utilizacin del llamado efecto Josephson (que es el efecto de "tunelamiento" conocido por la mecnica cuntica, pero de corriente de superconductividad aun en ausencia de un voltaje aplicado). Resultan superiores a otras tecnologas y tienen un gran campo de aplicacin que va desde la deteccin de seales del infrarrojo lejano que provienen del espacio exterior, hasta pequesimos campos magnticos que se producen en el cerebro humano. Tambin la corriente Josephson a voltaje cero depende fuertemente de un campo magntico aplicado, lo que lleva a la posibilidad de tener un interesante interruptor para circuitos lgicos en las computadoras.

La aplicacin ms importante, en cuanto a la cantidad de material empleado, es y ser por mucho tiempo la produccin de campos magnticos, que se emplean, principalmente, en los laboratorios de fsica con fines de investigacin, y es comn ver pequeos electroimanes superconductores que sirven para producir campos magnticos con intensidades del orden de 103 Oersted. Dentro de la investigacin en el campo de la fsica, tambin se utilizan electroimanes superconductores para generar campos magnticos altamente estables, tiles en los estudios de la resonancia magntica nuclear y la microscopa electrnica de alta resolucin. Son muy utilizados en las cmaras de burbujas que sirven para la deteccin de partculas y que requieren campos magnticos muy intensos. Por otro lado, se espera que los motores y generadores superconductores tendrn enormes consecuencias en lo social y econmico, en unos aos ms, pues para su elaboracin se utilizan campos magnticos intensos. Tambin se desea utilizar electroimanes superconductores para la levitacin de trenes de transporte de pasajeros o de carga. Es conveniente sealar las propiedades que se requieren en los superconductores comerciales: 1) La mayor temperatura crtica posible. Esto se debe a que, cuanto mayor sea, ms elevada podr ser la temperatura de operacin del dispositivo fabricado, reducindose de esta manera los costos por refrigeracin requeridos para alcanzar el estado superconductor en operacin. 2) El mayor campo magntico crtico posible. Como se pretende utilizar el superconductor para generar campos magnticos intensos, mientras mayor sea el campo magntico que se quiere generar, mayor tendra que ser el campo crtico del material superconductor. 3) La mayor densidad de corriente crtica posible. A mayor densidad de corriente crtica que la muestra pueda soportar antes de pasar al estado normal, ms pequeo podr hacerse el dispositivo, reducindose, de esta manera, la cantidad requerida de material superconductor y tambin la cantidad de material que debe refrigerarse. 4) La mayor estabilidad posible. Es muy comn que los superconductores sean inestables bajo cambios repentinos de corriente, de campos magnticos, o de temperatura, o bien ante choques mecnicos e incluso por degradacin del material al transcurrir el tiempo (como ocurre en muchos de los nuevos materiales superconductores cermicos). As que, si ocurre algn cambi sbito cuando el superconductor est en operacin, ste podra perder su estado superconductor. Por eso es conveniente disponer de la mayor estabilidad posible. 5) Facilidad de fabricacin. Un material superconductor ser completamente intil para aplicaciones en gran escala si no puede fabricarse fcilmente en grandes cantidades. 6) Costo mnimo. Como siempre, el costo es el factor ms importante para considerar cualquier material utilizado en ingeniera y deber mantenerse tan bajo como sea posible.

7.3 POLIMEROS CONCEPTO DE POLIMERO Y POLIMERIZACION POR ADICION. Un polmero es una molcula muy grande o macromolcula constituida por la unin repetida de muchas unidades pequeas (monmeros) a travs de enlaces covalentes. Un polmero (del griego poly, muchos; meros, parte, segmento) es una sustancia cuyas molculas son, por lo menos aproximadamente, mltiplos de unidades de peso molecular bajo. La unidad de bajo peso molecular es el monmero. Si el polmero es rigurosamente uniforme en peso molecular y estructura molecular, su grado de polimerizacin es indicado por un numeral griego, segn el nmero de unidades de monmero que contiene; as, hablamos de dmeros, trmeros, tetrmero, pentmero y sucesivos. El trmino polmero designa una combinacin de un nmero no especificado de unidades. De este modo, el triximetileno, es el trmero del formaldehdo, por ejemplo. Si el nmero de unidades es muy grande, se usa tambin la expresin gran polmero. Un polmero no tiene la necesidad de constar de molculas individuales todas del mismo peso molecular, y no es necesario que tengan la misma composicin qumica y la misma estructura molecular. Hay polmeros naturales como ciertas protenas globulares y policarbohidratos, cuyas molculas individuales tienen el mismo peso molecular y la misma estructura molecular; pero la gran mayora de los polmeros sintticos y naturales importantes son mezclas de componentes polimricos homlogos. La pequea variabilidad en la composicin qumica y en la estructura molecular es el resultado de la presencia de grupos finales, ramas ocasionales, variaciones en la orientacin de unidades monmeras y la irregularidad en el orden en el que se suceden los diferentes tipos de esas unidades en los copolmeros. Estas variedades en general no suelen afectar a las propiedades del producto final, sin embargo, se ha descubierto que en ciertos casos hubo variaciones en copolmeros y ciertos polmeros cristalinos. Los polmeros se producen por la unin de cientos de miles de molculas pequeas denominadas monmeros que forman enormes cadenas de las formas ms diversas. Algunas parecen fideos, otras tienen ramificaciones. algunas ms se asemejan a las escaleras de mano y otras son como redes tridimensionales. Existen polmeros naturales de gran significacin comercial como el algodn, formado por fibras de celulosas. La celulosa se encuentra en la madera y en los tallos de muchas plantas, y se emplean para hacer telas y papel. La seda es otro polmero natural muy apreciado y es una poliamida semejante al nylon. La lana, protena del pelo de las ovejas, es otro ejemplo. El hule de los rboles de hevea y de los arbustos de Guayule, son tambin polmeros naturales importantes. Sin embargo, la mayor parte de los polmeros que usamos en nuestra vida diaria son materiales sintticos con propiedades y aplicaciones variadas. Lo que distingue a los polmeros de los materiales constitudos por molculas de tamao normal son sus propiedades mecnicas. En general, los polmeros tienen una excelente resistencia mecnica debido a que las grandes cadenas polimricas se atraen. Las fuerzas de atraccin intermoleculares dependen de la composicin qumica del polmero y pueden ser de varias clases.

Polimerizacin de adicin a) Polimerizacin en bloque Se parte de un monmero puro no diluido, que se transforma lentamente en el polmero slido. El proceso es difcil de conducir porque a causa de la creciente viscosidad que la masa va adquiriendo durante el proceso resulta cada vez ms desigual la distribucin de temperaturas. Debido a que las reacciones de polimerizacin son exotrmicas y como consecuencia de la baja conductividad de los polmeros existe un riesgo de sobrecalentamiento de modo que la reaccin salga de control. Este procedimiento se emplea para la fabricacin de polmeros puros slidos (poliestirol, vidrios acrlicos, etc.) y cuando pueden fracasar otros mtodos, por ejemplo, teres de polivinilo. b) Polimerizacin en solucin En esta polimerizacin se diluye el monmero con disolventes en los cuales tambin se disuelve el polmero. Empleando un disolvente adecuado se evita loe problemas derivados de la reaccin exotrmica de polimerizacin, aunque por otra parte crea el problema de la separacin posterior del disolvente. c) polimerizacin en suspensin: Este mtodo tambin disminuye el problema de la eliminacin del calor durante la polimerizacin. El monmero se agita vigorosamente en agua para formar gotas de pequeo tamao. Para evitar que las gotas se unan entre s se emplean agentes de suspensin tales como talco, alcohol polivinlico y gelatina, con objeto de formar un recubrimiento protector de las gotas. Se emplea un iniciador soluble en el monmero, obtenindose el polmero en forma de pequeas perlas libres de contaminacin de los otros productos empleados en la polimerizacin. d) Polimerizacin en emulsin Se emplea adems de agua, que sirve de medio, un emulsionante de tipo jabonoso y un sistema iniciador soluble en agua. La reaccin se realiza en un reactor en el que se agita convenientemente la mezcla de reaccin formada por monmero, agua, iniciador, jabn y otros componentes. El monmero se encuentra disuelto dentro de las micelas del jabn y formando gotas rodeadas de molculas de emulsionantes. Estos polmeros son de grano muy fino. Adems puede controlarse bien tcnicamente debido a que la dispersin del plstico se mantiene escasamente viscosa. Los productos contienen residuos de emulsionante que pueden afectar las propiedades elctricas y la transparencia.

7.3.2 APLICACIONES INDUSTRIALES DE LOS POLMEROS Los primeros polmeros que se sintetizaron se obtenan a travs de transformaciones de polmeros naturales. En 1839 Charles Goodyear realiza el vulcanizado del caucho. El nitrato de celulosa se sintetiz accidentalmente en el ao 1846 por el qumico Christian Friedrich Schnbein y en 1868, John W. Hyatt sintetiz el celuloide a partir de nitrato de celulosa. El primer polmero totalmente sinttico se obtuvo en 1909, cuando el qumico belga Leo Hendrik Baekeland fabrica la baquelita a partir de formaldehdo y fenol. Otros polmeros importantes se sinterizaron en aos siguientes, por ejemplo el poliestireno (PS) en 1911 o el policloruro de vinilo (PVC) en 1912.

Wallace Carothers, trabajando en la empresa DuPont desde 1928, desarroll un gran nmero de nuevos polmeros: polisteres, poliamidas, neopreno, etc. La Segunda Guerra Mundial contribuy al avance en la investigacin de polmeros. Por ejemplo, fue muy importante la sustitucin del caucho natural por caucho sinttico. En los aos 1950 el alemn Karl Ziegler y el italiano Giulio Natta desarrollaron los catalizadores de Ziegler-Natta y obtuvieron el Premio Nbel de Qumica en 1963. Otro Premio Nbel de Qumica fue concedido por sus estudios de polmeros a Paul J. Flory en 1974. En la segunda mitad del siglo XX se desarrollaron nuevos mtodos de obtencin, polmeros y aplicaciones. Por ejemplo, catalizadores metalocnicos, fibras de alta resistencia, polmeros conductores (en 2000 Alan J. Heeger, Alan G. MacDiarmid y Hideki Shirakawa recibieron el Premio Nbel de Qumica por el desarrollo de estos polmeros), estructuras complejas de polmeros, polmeros cristales lquidos, etc. Existen varias formas posibles de clasificar los polmeros, sin que sean excluyentes entre s: SEGN SU ORIGEN Polmeros naturales. Existen en la naturaleza muchos polmeros y las biomolculas que forman los seres vivos son macromolculas polimricas. Por ejemplo, las protenas, los cidos nucleicos, los polisacridos (como la celulosa y la quitina), el hule o caucho natural, la lignina, etc. Polmeros semisintticos. Se obtienen por transformacin de polmeros naturales. Por ejemplo, la nitrocelulosa, el caucho vulcanizado, etc. Polmeros sintticos. Muchos polmeros se obtienen industrialmente a partir de los monmeros. Por ejemplo, el nylon, el poliestireno, el cloruro de polivinilo (PVC), el polietileno, etc. SEGN SU MECANISMO DE POLIMERIZACIN Polmeros de condensacin. La reaccin de polimerizacin implica a cada paso la formacin de una molcula de baja masa molecular, por ejemplo agua. Polmeros de adicin. La polimerizacin no implica la liberacin de ningn compuesto de baja masa molecular. Esta polimerizacin se genera cuando un "catalizador", inicia la reaccin. Este catalizador separa la unin doble carbono en los monmeros, luego aquellos monmeros se unen con otros debido a los electrones libres, y as se van uniendo uno tras uno hasta que la reaccin termina. Polmeros formados por etapas. La cadena de polmero va creciendo gradualmente mientras haya monmeros disponibles, aadiendo un monmero cada vez. Por ejemplo los poliuretanos. Polmeros formados por reaccin en cadena. Cada cadena individual de polmero se forma a gran velocidad y luego queda inactiva, a pesar de estar rodeada de monmero. SEGN SU COMPOSICIN QUMICA Polmeros orgnicos. Posee en la cadena principal tomos de carbono.

 Polmeros vinlicos. La cadena principal de sus molculas est formada exclusivamente por tomos de carbono. Poliolefinas, formados mediante la polimerizacin de olefinas. Ejemplos: polietileno y polipropileno. Polmeros estirnicos, que incluyen al estireno entre sus monmeros. Ejemplos: poliestireno y caucho estireno-butadieno. Polmeros vinlicos halogenados, que incluyen tomos de halgenos (cloro, flor) en su composicin. Ejemplos: PVC y PTFE. Polmeros acrlicos. Ejemplos: PMMA. Polmeros orgnicos no vinlicos. Adems de carbono, tienen tomos de oxgeno o nitrgeno en su cadena principal. SEGN SUS APLICACIONES Elastmeros. Son materiales con muy bajo mdulo de elasticidad y alta extensibilidad; es decir, se deforman mucho al someterlos a un esfuerzo pero recuperan su forma inicial al eliminar el esfuerzo. En cada ciclo de extensin y contraccin los elastmeros absorben energa, una propiedad denominada resiliencia. Plsticos. Son aquellos polmeros que, ante un esfuerzo suficientemente intenso, se deforman irreversiblemente, no pudiendo volver a su forma original. Hay que resaltar que el trmino plstico se aplica a veces incorrectamente para referirse a la totalidad de los polmeros. Fibras. Presentan alto mdulo de elasticidad y baja extensibilidad, lo que permite confeccionar tejidos cuyas dimensiones permanecen estables. Recubrimientos. Son sustancias, normalmente lquidas, que se adhieren a la superficie de otros materiales para otorgarles alguna propiedad, por ejemplo resistencia a la abrasin. Adhesivos. Son sustancias que combinan una alta adhesin y una alta cohesin, lo que les permite unir dos o ms cuerpos por contacto superficial. SEGN SU COMPORTAMIENTO AL ELEVAR SU TEMPERATURA Termoplsticos, que fluyen (pasan al estado lquido) al calentarlos y se vuelven a endurecer (vuelven al estado slido) al enfriarlos. Su estructura molecular presenta pocos (o ningn) entrecruzamientos. Ejemplos: polietileno (PE), polipropileno (PP), PVC. Termoestables, que no fluyen, y lo nico que conseguimos al calentarlos es que se descompongan qumicamente, en vez de fluir. Este comportamiento se debe a una estructura con muchos entrecruzamientos, que impiden los desplazamientos relativos de las molculas.

7.3 PAVIMENTOS. Se llama pavimento al conjunto de capas de material seleccionado que reciben en forma directa las cargas del trnsito y las transmiten a los estratos inferiores en forma disipada, proporcionando una superficie de rodamiento, la cual debe funcionar eficientemente. Las condiciones necesarias para un adecuado funcionamiento son las siguientes: anchura, trazo horizontal y vertical, resistencia adecuada a las cargas para evitar las fallas y los agrietamientos, edemas de una adherencia adecuada entre el vehculo y el pavimento aun en condiciones hmedas. Deber presentar una resistencia adecuada a los esfuerzos destructivos del trnsito, de la intemperie y del agua. Debe tener una adecuada visibilidad y contar con un paisaje agradable para no provocar fatigas. Puesto que los esfuerzos en un pavimento decrecen con la profundidad, se debern colocar los materiales de, mayor capacidad de carga en las capas superiores, siendo de menor calidad los que se colocan en las terraceras adems de que son los materiales que ms comnmente se encuentran en la naturaleza, y por consecuencia resultan los ms econmicos. La divisin en capas que se hace en un pavimento obedece a un factor econmico, ya que cuando determinamos el espesor de una capa el objetivo es darle el grosor mnimo que reduzca los esfuerzos sobre la capa inmediata inferior. La resistencia de las diferentes capas no solo depender del material que la constituye, tambin resulta de gran influencia el procedimiento constructivo; siendo dos factores importantes la compactacin y la humedad, ya que cuando un material no se acomoda adecuadamente, ste se consolida por efecto de las cargas y es cuando se producen deformaciones permanentes.

TIPOS DE PAVIMENTOS. Existen dos tipos de pavimentos: rgidos y flexibles. El pavimento rgido se compone de losas de concreto hidrulico que en algunas ocasiones presenta un armado de acero, tiene un costo inicial ms elevado que el flexible, su periodo de vida vara entre 20 y 40 aos; el mantenimiento que requiere es mnimo y solo se efecta (comnmente) en las juntas de las losas. El pavimento flexible resulta ms econmico en su construccin inicial, tiene un periodo de vida de entre 10 y 15 aos, pero tienen la desventaja de requerir mantenimiento constante para cumplir con su vida til. Este tipo de pavimento esta compuesto principalmente de una carpeta asfltica, de la base y de la sub-base.

Terracera. Se llama terracera al conjunto de obras compuestas de cortes y terraplenes, formadas principalmente por la sub-rasante y el cuerpo del terrapln, constituida generalmente por materiales no seleccionados y se dice que es la subestructura del pavimento. Cuando se va a construir un camino que presente un TPDA (Trnsito Promedio

Diario Anual) mayor a 5000 vehculos, es necesario que se construya bajo la sub-rasante una capa conocida como sub-yacente; la cual deber tener un espesor mnimo de 50 cm. Composicin
El material asfltico que se emplea para mejorar un suelo puede ser el cemento asfltico o bien las emulsiones asflticas, el primero es el residuo ltimo de la destilacin del petrleo. Para eliminarle los solventes voltiles y los aceites. Para ser mezclado con material ptreo deber calentarse a temperaturas que varan de 140 a 160 C, el ms comn que se emplea en la actualidad es el AC-20. Este tipo de producto tiene la desventaja de que resulta un poco ms costoso y que no puede mezclarse con ptreos hmedos. En las estabilizaciones, las emulsiones asflticas son las ms usadas ya que este tipo de productos si pueden emplearse con ptreos hmedos y no se necesitan altas temperaturas para hacerlo maniobrable, en este tipo de productos se encuentra en suspensin con el agua, adems se emplea un emulsificante que puede ser el sodio o el cloro, para darle una cierta carga a las partculas y con ello evitar que se unan dentro de la emulsin; cuando se emplea sodio, se tiene lo que se conoce como emulsin aninica con carga negativa y las que tienen cloro son las emulsiones catinicas que presentan una carga positiva, siendo estas ltimas las que presentan una mejor resistencia a la humedad que contienen los ptreos. Se tienen emulsiones de fraguado lento, medio y rpido, de acuerdo al porcentaje de cemento asfltico que se emplea. Una emulsin asfltica es una dispersin de asfalto en agua en forma de pequeas partculas de dimetro de entre 3 y 9 micras. Este tipo de aglutinantes puede usarse casi con cualquier tipo de material aunque por economa se recomienda se emplee en suelos gruesos o en materiales triturados que no presenten un alto ndice de plasticidad, puede usarse tambin con las arcillas pero solo le procura impermeabilidad, resultando un mtodo muy costoso, adems con otros productos se logra mayor eficiencia y menor costo para los suelos plsticos. Es importante que el material ptreo que se va a mejorar, presente cierta rugosidad para que exista un anclaje adecuado con la pelcula asfltica, situacin que se agrava si el material ptreo no es afn con el producto asfltico. Algunos productos asflticos contienen agua y si esto no se toma en cuenta se pueden presentar problemas muy serios al momento de compactar, la prueba que ms comnmente se emplea en el laboratorio para determinar el porcentaje adecuado de asfalto a utilizar se conoce como "prueba de valor soporte florida modificada" y el procedimiento consiste en elaborar especimenes de ptreos que presentan cierta humedad usando diferentes porcentajes de asfalto, se compactan con carga esttica de 11.340 Kg. (140 Kg/cm), despus de esto se pesan y se meten a curar al horno a una temperatura de 60 C, se sacan y se penetran hasta la falla o bien hasta que tengan una profundidad de 6.35mm registrndose la carga mxima en Kg., se efecta una grfica para obtener el porcentaje ptimo de emulsin y se recomienda que el material por mejorar presente un equivalente de arena mayor de 40% y el porcentaje de emulsin vare en un porcentaje de 1.

El procedimiento constructivo se desarrolla de la manera siguiente: la capa a mejorar ya tiene que estar completamente terminada. No hacer la estabilizacin con mucho viento, menos de 5 C o lluvia. Tambin se puede estabilizar con cido fosfrico y fosfatos; fosfato de calcio (yeso), resinas y polmeros.