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Lyce Gustave Monod Enghien les Bains 95

- CIRCUITS DE PUISSANCE Commande de Puissance Tout Ou Rien

Sciences de lIngnieur Terminale S anne 2002/2003

LIAISON REFERENTIEL B.122 Les circuits de puissance Commande tout ou rien T.O.R (contacteur, relais, relais statique). Thmes : E5 Liaison entre chane dnergie et chane dinformation E6 La commande module de la chane dnergie Centre dintrt : CI8 Pilotage, contrle et comportement dun systme pluritechnologique I5 : Commande de la chane dnergie TP et TD associs : TP-B121-xx, TP-B121-xx E X E M P L E
Acqurir Traiter Communiquer

Chane dinformation

Alimenter Batterie Chane dnergie

Distribuer Variateur

Convertir Moteur

Transmettre Rducteur + roue

I- PRESENTATION - DEFINITION : La chane dinformation reoit les informations, les traite, labore des ordres de pilotage adresss la chane dnergie, et gnre des comptes rendus. De lexemple ci-dessus, la fonction qui permet de transmette la puissance est le bloc distribuer. On peut distribuer lnergie de deux faons : - Soit de manire module. - Soit sous forme de tout ou rien (TOR) La commande TOR permet de disposer de la totalit de lnergie. Les lments qui contribuent ce genre de commande sont : - Les contacteurs (de puissance, relais) - Les interrupteurs statiques (Les Transistors, les Triacs, les Thyristors, ) Remarque importante : Le fait de commander en TOR un circuit de puissance intervalle rgulier et court, permet dobtenir une modulation dnergie.

II- LES CONTACTEURS : Ces contacteurs sont constitus de deux lments, un fixe et un mobile. Le mouvement de llment mobile est obtenu manuellement ou lectriquement (on parle dlectroaimant). II-1- Les Contacteurs manuels (interrupteur):

Laction sur le poussoir permet le passage du courant lectrique. La surface de contact de par sa construction est bombe, il peut donc se produire quelques rebondissements avant que le contact lectrique soit parfaitement tabli. La vitesse de dplacement de llment mobile doit tre grande, sinon un arc lectrique peut stablir. On utilse alors de ressorts de rappel pour acclrer louverture et viter larc qui est destructeur terme pour linterrupteur (il peut y avoir parfois soudure des deux lements).
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Giovanni.delfranco@free.fr http://perso.wanadoo.fr/giovanni.delfranco/

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Linterrupteur possde deux tats stables : - Ouvert : pas de passage de courant lectrique - Ferm : passage dun courant lectrique Il existe deux types dinterrupteur : - NO : Normalement ouvert, il faut lactionner pour tablir le passage du courant lectrique - NF : Normalement ferm, il faut lactionner pour interrompre le passage du courant lectrique. Les critres de choix de ce genre de composants sont fixs par des contraintes lectriques : - Le courant maximum qui peut le traverser quand il est ferm - La tension maximum quil peut supporter quand il est ouvert II-2- Les contacteurs magntiques (Relais) Le principe de fonctionnement est bas sur llectroaimant. En fermant linterrupteur, on fait circuler dans une bobine un courant lectrique, il se cre alors une force F, due au flux dans la bobine, qui dplace le contact mobile. La disparistion du courant annule la force et le contact mobile retrouve sa position grace un ressort.

III- LES RELAIS STATIQUES : Les relais statiques sont constitus de composants lectroniques dont la fonction est de se comporter comme un relais normal. Ils sont donc constitus dune partie commande et dune partie de puissance qui permet de piloter la partie oprative. III-1- Les Transistors : Il existe deux familles de transistors. Les transistors bipolaires et les transistors MOS, il existe nanmoins une autre catgorie de transistors que lon nomme IGBT. III-1-1-Les transistors bipolaires : Ces transistors sont forms par la succession de trois couches de semi-conducteurs qui donnent naissance aux transistors NPN et PNP.
N

P E

P C

N C

Transistor PNP

Transistor NPN

Des connections mtalliques sont fixes sur chaque couche on obtient ainsi les trois bornes du composant B, C, E: E est nomme lmetteur B est nomme la base C est nomme le collecteur
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La base est toujours la borne du milieu. Pour le transistor NPN lappauvrissement en lectrons de la base provoque la conduction du transistor (on applique une tension VBE ngative) Pour le transistor PNP lenrichissement du canal P en lectrons provoque la conduction du transistor (on applique une tension VBE positive Symboles : Reprsenter la base, lmetteur, le collecteur

La flche symbolise toujours lmetteur et le sens du courant. Relation entre les courants : Sur le dessin prcdent reprsenter les courants parcourant le transistor. IE = IC + IB quelque soit le transistor Il existe dautre par un lien de proportionnalit entre le courant de base et le courant collecteur : I C= I B Ou on note gain du transistor, cette notation peut tre diffrente dans certains ouvrages (G ou Hfe) Mode de fonctionnement du transistor bipolaire : Il existe aussi deux modes de fonctionnement - Le mode amplification - Le mode en commutation - Le mode amplification : Dans ce mode fonctionnement le transistor est utilis comme un amplificateur de courant on dfinit alors son gain d'amplification = Ic / Ib cette fonction est linaire. On utilise ce type de fonctionnement ou souhaite obtenir une amplification de courant, dans le domaine de laudio notamment (on parle alors amplificateurs de classe A, B, AB). Cest montage feront lobjet dune tude particulire. -Le mode commutation : Dans ce mode qui est le plus employ le transistor est utilis comme un interrupteur Electronique. Il ne peut prendre que deux tats stables le courant Ic est le courant fix par la charge Ic vaut Ic =(Vcc-Vce)/Rc Rc tant la rsistance de charge du montage et Vcc la tension d'alimentation. Les deux tats de la commutation sont : - Ltat bloqu : le transistor se comporte comme un interrupteur ouvert, le courant ne peut pas circuler dans la charge. Le courant Ic est donc nul. On dit aussi que le transistor est non passant.
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- Ltat satur : le transistor se comporte comme un interrupteur ferm, le courant peut circuler dans la charge, il est fix par celle-ci. On dit que le transistor est passant. Remarque : Dans ce mode de fonctionnement le gain du transistor nest plus proportionnel, on parle alors de gain de saturation, on le fixe dans la plupart des applications comme tant le gain divis par 2 : SAT = /2 Caractristique du gain : Ic IcSAT

IB

Complter le graphique : -1- Domaine damplification -1- Domaine de commutation Les tensions caractristiques : Le transistor NPN B On dfinit deux tensions qui sont : La tension entre la base et l'metteur : Vbe La tension entre le collecteur et l'metteur : Vce Vbe Le transistor PNP Veb On dfinit deux tensions qui sont : B La tension entre lmetteur et la base : Veb La tension entre lmetteur et le collecteur : Vec
C

Lorsque le transistor est bloqu: Vbe <0,7 V et Vce =Vcc


Vce

Lorsque le transistor est satur: Vbe =0,7 V ( ou lgrement moins) Vce =0 V ( ou lgrement plus)

E
V ec

Lorsque le transistor est bloqu: Vbe <0,7 V et Vec =Vcc Lorsque le transistor est satur: Veb =0,7 V ( ou lgrement moins) Vec =0 V ( ou lgrement plus)

Etude du transistor bipolaire en commutation : Transistor NPN : Etude du schma : Au repos quand k =0 le transistor est bloqu: Le courant de base est : La tension Vbe est : Le transistor est non passant c'est dire que le courant Ic ne peut pas circuler La tension Vce vaut :
Vce

k Vcc Rb

Rc

Vbe

Au travail quand k =1 le transistor est satur La base est traverse par un courant Ib La tension Vbe est : = G/2 calculer la valeur normalise de Rb
Justifier son choix

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Flcher les courants et tensions manquants Le transistor est passant c'est dire que le courant Ic peut circuler La tension Vce vaut : Le courant Ic Vaut :
Le gain vaut :

Appli. Numrique : Rc=330 Ohms, G=100, Vcc= 12 v Vbe=0,7v en appliquant Csat Transistor PNP :
Veb

Vcc k

Vec Rb Rc

Etude du schma : Au repos quand k =0 le transistor est bloqu: Le courant de base est : La tension Veb est : Le transistor est non passant c'est dire que le courant Ic ne peut pas circuler La tension Vec vaut : Au travail quand k =1 le transistor est satur La base est traverse par un courant Ib La tension Veb est :
La tension Vec vaut : Le courant Ic Vaut : Le gain vaut :

Exercices dapplications : K=0 Vcc VCE VRC VK VR1 VR2 VBE R1 = 22 KOhms R2 = 6,8 KOhms K=1

Le transistor est passant c'est dire que le courant Ic peut circuler

K VCC
R1

RC

T2
R2

RC = 2200 ohms

b = 80 VCC = 12 V

Calculer les diffrents courants K=0 Vcc VEC VR VK VR1 VR2 VEB R1 = 33 kOhms
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K=1
R2

T2 VCC K
R1 R D

R2 =3,3 kOhms

R = 330 ohms = 50 VCC = 15 V 5


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Temps de commutation: Les composants lectroniques n'tant pas parfaits, il en dcoule des temps de retard ou de rponse lis aux caractristiques propres chaque composant.
e +E

Le temps de retard la croissance Td (delay time): C'est le temps qui spare l'instant ou ib vaut 10% de Ib et l'instant ou ic vaut 10% de Ic. Il reprsente le temps de rponse: Le temps de monte Tr:(rise time) C'est le temps ncessaire la polarisation de la jonction base metteur il reprsente le passage de :

-E

ib

Ib 0,9Ib

0,1Ib

td

tr tf

Le temps de stockage Ts:(storage time): c'est le temps qui spare l'instant ou ib vaut 90% de Ib et l'instant ou ic vaut 90% de Ic Cette surface reprsente la quantit de charges stockes dans la base. Cette quantit est d'autant plus importante si le transistor est plus satur. Le temps de descente(fall time): c'est le temps qui permet ic de passer de 90 10% de Ic. Il est de mme nature que Ts mais d'un point de vue basse/

-Ib' ic Ic 0,9Ic

ts

collecteur.
0,1Ic

Amlioration du temps de stockage Cette amlioration consiste essentiellement diminuer le temps Ts qui limite la frquence d'utilisation et Tf qui conditionne les pertes par commutation Que se passe-t-il si "e" est positif ? (quelle(s) diode(s) conduit ) Exprimer Vce en fonction de VD1, VD2, Vbe . Quel est l'tat du transistor? Comment fonctionne D3 ?

RC D1

VC C
D2

T1
e

D3

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III-1-2- Les transistors MOS : Mtal Oxyde Semiconductor, les transistors bipolaires prsentent linconvnient davoir des temps de commutation lents ce qui se traduit pour les composants lors de la commutation par une puissance dissipe non ngligeable. Les transistors Mos contrairement aux bipolaires sont commands en tension. (Il ny a pas de gain). La prsence dune tension sur " grille " rend le composant passant. Lorsque le transistor MOS est passant il se comporte comme une rsistance quasi nulle (RDSON).

Symbole : D G D : Reprsente le drain, cest l que se connecte la charge. S S : Reprsente la source, cest l que lon place la masse. G : Reprsente la grille, cest l quon applique le signal de commande.

Reprsenter les tensions caractristiques III-1-3- Les transistors IGBT : Cest un composant hybride qui allie les avantages des deux technologies prcdemment tudies Insulate Gate Bipolar Transistor.

III-2- Les thyristors : Un thyristor est un semi-conducteur bistable contrlable par un circuit damorage pour la mise en conduction, le blocage seffectuant lors de la disparition du courant direct. Avec des thyristors il est possible de faire varier la tension de sortie en agissant sur le temps de conduction. On obtient alors un redressement command. Il existe aussi les thyristors GTO (gate turn off) ou le blocage est assur par une impulsion ngative sur la gchette. Ils peuvent aller jusqu' 400A sous 2500v. Principe de fonctionnement
Sens passant Uak A i K Ig Ug A Sens bloqu Uka K

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Dans le sens passant il faut pour que le transistor, que la tension Uak soit positive et quil y ait un courant de gchette Ig suffisant. Dans le sens bloqu il faut que la tension Uak passe par 0 ou sinverse pour que le courant dans le circuit sannule. Ds quun thyristor est amorc par le courant de gchette, ce courant peut tre supprim ;le thyristor continue conduire tant que Uak est positif. Courbes caractristiques
It tat passant tension de retournement Vrrm Ih Vt tension de claquage en inverse Vdrm Vbo Vth

Caractristiques techniques : Ce sont les mmes donnes que les diodes avec en plus : Le courant de maintien (Ih ), valeur minimale ncessaire pour maintenir la conduction. Le courant daccrochage (Il ), valeur minimale maintenir pendant une dure bien prcise aprs disparition de limpulsion de commande Il> 2Ih. La tension (Vgt) et le courant (Igt) damorage

Ir tat bloqu

Protection des thyristors Contre les surintensits : La protection peut-tre assure par un fusible ultra rapide ou un systme limiteur lectronique.(Inductance simple ou saturable). Contre les amorages trop rapides di/dt. Une inductance monte en srie. Contre les blocages trop rapides dv/dt. On emploie soit un condensateur, soit un filtre RC pour limiter le courant. III-3- Le triac : Le triac ( Triode Alternatif Current ) est un semi-conducteur bistable bidirectionnel contrlable par un circuit damorage pour la mise en conduction, le blocage seffectuant lors de la disparition du courant direct. Le triac est quivalent deux thyristors tte bche. Il nexiste quune gchette et deux anodes. Symbole

Vt Gachette It Anode 2 Anode 1


Domaine dutilisation des Triacs. Les triacs permettent de remplacer les thyristors dans les gradateurs trains dondes. Ils peuvent contrler des courants de 1 60A avec des tensions inverses de 700 1000v. Choix dun Triac Les critres sont les mmes que les diodes et les thyristors. La caractristique nouvelle est le signe du courant de gchette.
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