MAKALAH

MIKRO ELEKTRONIKA
KAPASITANSI DIFUSI
Makalah Ini Disusun Untuk Memenuhi Salah Satu Tugas Mandiri Yang Diberikan Oleh Dosen Matakuliah Mikro Elektronika Dosen : Nanang Abdurahman, S.Kom

Disusun Oleh : Nama NIM Semester : : : Nita Yunita 091223025 V (Lima)

PRODI PENDIDIKAN ILMU KOMPUTER STKIP MUHAMMADIYAH KUNINGAN

Jl. Raya Cigugur No. 28 Kuningan Jawa Barat 45511 Telp. Fax. ( 0232 ) 874085 E- mail :stkipm-kng@yahoo.co.id

2011

DAFTAR ISI

DAFTAR ISI .............................................................................................. 2 PEMBAHASAN ................................................................................................ 3 Kapasitansi Difusi ........................................................................................ 3 DAFTAR PUSTAKA ................................................................................. 7

PEMBAHASAN

KAPASITANSI DIFUSI Bila sebuah diode pada kondisi bias maju, maka jarak atau lebar daerah pengosongan (L) menyempit dan menyebabkan peningkatan relative kapasitansi difusi (CD) Dengan demikian pada daerah persambungan akan muncul efek kapasitansi yang lebih besar dari pada efek kapasitansi saat diode mendapat bias mundur. Penyebab kapasitansi yang besar ini adalah perbedaan penyimpangan muatan yang diinjeksikan dekat persambungan di luar daerah pengosongan antara bias maju dan bias mundur (bias maju mempunyai daerah pengosongan yang sempit dengan perubahan arus yang besar, sedangkan untuk bias mundur mempunyai daerah pengosongan yang lebar dengan perubahan arus bocor yang kecil). Pengertian efek kapasitansi difusi dapat didefinisikan sebagai pertambahan kapasitansi akibat perubahan kecepatan dari muatan yang diinjeksikan dengan muatan atau disebut juga kapasitansi penyimpanan (CD) Secara kuantitatif hubungana kapasitansi difusi (CD) dapat ditentukan sebagai berikut; (1) dengan : CC = kapasitansi kemasan diode CO = Kapasitansi dioda saat VR = 0 n = perbadingan energi pada tegangan VNP (2)

dimana (g) adalah konduktansi sebanding dengan perubahan arus terhadap perubahan tegangan (g = di/dv). Dengan mensubstitusikan persamaan untuk resistansi dinamik rD = 1/g yang diberikan oleh persamaan (1) kedalam persamaan (2) akan dihasilkan; (3) Dari persamaan (3) dapat dijelaskan, bahwa besarnya kapasitansi difusi (CD) berbanding langsung dengan kenaikkan arus maju (ID). Dalam penurunan persamaan (3) diatas, dianggap arus maju diode (ID) hanya berasal dari holes/lubang saja. Untuk tegangan balik, nilai konduktansi (g) sangat kecil, sehingga besarnya kapasitansi difusi (CD) dapat diabaikan dibandingkan dengan kapasitansi transisi (CT). Karena pada umumnya untuk kondisi arus maju (ID), nilai kapasitansi (CD) jauh lebih besar daripada kapasitansi transisi (CT). Perangkat elektronik pada dasarnya peka terhadap frekuensi sangat tinggi. Kebanyaka n shunt kapasitif efek yang dapat diabaika n pa da frekuensi yang lebih r endah karena reaktansi yang XCphi 1 / 2? FC sangat besar (terbuka-sirkuit setara). Ini, bagaimanapun,tidak bisa diabaikan di frekuensi sangat tinggi. XC akan menja di cukup kecil karena tingginya nilai f untuk memperkenalkan rendah reaktansi "korslet" jalan. Dalam dioda p-n semikonduktor, ada dua efek kapasitif untuk dipertimbangkan. Kedua jenis kapasitansi yang ha dir dalam maju-da n reverse-bias da erah, na mun satu, s ehingga melebihi yang lain di setiap wilayah yang kita mempertimbangkan efek hanya satu di setiap wilayah. Ingat bahwa persamaan dasar untuk kapasitansi dari piring-paralel kapasitor didefinisikan oleh

C?? A / d, dimana? adalah permitivitas dari (isolator) dielektrik antara plat lua s A yang dipisahka n oleh jarak d. Di wilayah r everse-bias ada sebuah deplesi

wilayah (bebas dari carrier) yang pada dasarnya berperilaku seperti insulator antar a lapisan muatan berlawanan. Karena lebar deplesi (d) akan meningkat dengan

meningkatnya reversebias potensial, kapasitansi transisi ya n g di ha s i l ka n a k a n berkurang, seperti yang ditunjukkan pada Gambar. 1.1. Kenyataan bahwa kapasitansi tergantung pada potensi reverse-bias diterapkan memiliki aplikasi disejumlah sistemelektronik. Bahkan dalam diode akan diperkenalkan operasi yang sepenuhnya tergantung pada fenomena ini. Meskipun efeknya dijelaskan di atas juga akan hadir di wilayah maju-bias, itu dibayangi oleh efek kapasitansi langsung tergantung pada tingkat di biaya yang disuntikkan kedalam daerah yang di luar daerah deplesi. Hasilnya adalah bahwa tingkat peningkatan arus akan mengakibatkan peningkatan tingkat kapasitansi difusi. Namun peningkatan kadar hasil saat ini menurunnya tingkat resistensi terkait, dan waktu yang dihasilkan konstan (RC), yang sangat penting dalam alikasi kecepatan tinggi, tidak menjadi berlebihan. Gambar. 1.1 Transisi dan difusi kapasitansi versus bias diterapkan untuk dioda silicon.

Gambar. 1.1

Efek kapasitif di jelaskan di atas diwakili oleh suatu kapasitor secara parallel dengan diode yang ideal, seperti ditunjukan pada gambar. 1.2. untuk rendah atau aplikasi pertengahan frekuensi ( kecuali di daerah kekuasaan)., namun, kapasitor biasanya tidak termasuk dalam symbol diode.

Gambar. 1.2

DAFTAR PUSTAKA

 http://www.scribd.com/doc/74385926/10/TRANSISI-DAN-DIFUSI KAPASITANSI : Diakses tanggal 19 November 2011  http://smkn3amuntai.files.wordpress.com/2010/10/bab_ii_3_semikonduktor.p df : Diakses tanggal 19 November 2011