nous lavons vu dans la section B du chapitre Chapitre V, la nature des dfauts introduits par lirradiation est indpendante de la nature

et de lnergie de la particule irradiante. Par consquent, lirradiation avec des lectrons de 1 MeV pourrait introduire assez daccepteurs pour que le semi-conducteur passe de type n type p. Le transfert du silicium du site Ga au site As et lintroduction de dfauts accepteurs dans le GaAs par lirradiation donnerait aussi une explication au niveau microscopique la dgradation de la lumire mise par une diode lectroluminescente observe par Barnes et al. [ 16 ]. La diode qui a t utilise dans le travail de Barnes et al. est une jonction p-n de GaAs dop de faon amphotrique par le silicium. Il est alors possible que dans la partie n de la jonction le nombre de donneurs diminue et que le nombre daccepteurs augmente sous leffet de lirradiation comme ce que nous avons vu dans nos chantillons de GaAs de type n. Ceci entranera une diminution de la lumire mise par la diode.

4.

Comparaison du taux dintroduction mesur avec celui prvu par les modles thoriques.

Dans la section B du chapitre Chapitre V, nous avons montr que la nature des dfauts introduits par lirradiation est indpendante du type dirradiation utilis. Nous avons trouv que toutes les particules irradiantes introduisent le VGa ou le SiAs. Par la suite, nous avons mesur le taux dintroduction du VGa et du SiAs introduits dans nos chantillons pour diffrents types dirradiations. Nous avons alors montr que ce taux dintroduction dpend de la nature, de lnergie de la particule irradiante et aussi de la concentration du dopant prsent

150

dans les chantillons avant irradiation. Ltude de leffet de lirradiation selon la nature et lnergie de la particule irradiante sur le silicium a dj t effectue par Srour et al. [ 9 ]. Nos rsultats tels que prsents dans les tableaux VII XII sur les taux dintroduction de VGa ou de SiAs dans le GaAs sont qualitativement similaires ceux qui correspondent au taux de dgradation du temps de vie W des porteurs minoritaires dans le silicium. Cette dgradation de

W est une mesure indirecte des dfauts introduits par lirradiation puisque leffet de cette
dernire est dintroduire des dfauts qui rduisent W. Lobservation du VGa et du SiAs nous a donn une mesure directe du taux dintroduction de ces dommages de dplacement dans le GaAs.

Nous avons vu que lintroduction du VGa et du SiAs dans le GaAs dpend de la concentration de SiGa prsente dans nos chantillons de GaAs avant irradiation. Ainsi, dans les chantillons non dops, nous navons pas observ de trace de VGa ni de SiAs. De la mme faon, nous navons observ ni le VGa ni le SiAs aprs irradiation de nos chantillons fortement dops au silicium ( partir dun dopage nominal de 10 17 cm - 3) et ce, aussi bien avant quaprs recuit. Pourtant, nous avons remarqu que le signal PL dans ces chantillons a chut dun facteur 100 pour les hautes doses dirradiation. Ceci implique donc que le VGa ou le SiAs ne sont pas les seuls dommages permanents qui sont introduits par lirradiation. Mais la dgradation des proprits lectriques et optiques serait due lintroduction par lirradiation de dfauts complexes de nature inconnue. Ceci veut dire que la prsence de SiGa est ncessaire pour la capture du VGa ou de SiAs. Mais, lorsque le semi-conducteur est

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fortement dop, les atomes dimpurets sont tellement nombreux quils interagissent entre eux pour former des complexes, ce qui empcherait la cration du VGa ou du SiAs. Plus dexpriences sont ncssaires pour identifier ces dfauts complexes.

Pour comparer nos rsultats exprimentaux avec les modles thoriques, nous avons reprsent dans la figure Chapitre V-31 les valeurs de b mesures pour le SiAs dans le cas des chantillons Si16 en fonction de la nature et de lnergie de la particule irradiante. Dans ce graphique, nous avons deux points exprimentaux pour lirradiation avec des neutrons trs nergtiques. Les taux dintroductions b associs ces points semblent tre indpendants de lnergie des neutrons utiliss. Ceci est en accord avec le comportement de la section efficace de dplacement en fonction de lnergie dans le cas des particules neutres comme elle a t dcrite dans la partie (2, a)) de la section C du chapitre Chapitre III. Ces valeurs de b pour les neutrons sont un ordre de grandeur plus importantes que celle mesure dans le cas des lectrons de 7 MeV, au moins 4 ordres de grandeurs plus importantes que celle mesure dans le cas de lirradiation avec les particules J
60

Co et 3 ordres de grandeurs plus faibles que celle

mesure dans le cas des protons de 1 MeV. En ce qui concerne les autres types dirradiation, nous observons que le taux dintroduction b de SiAs par une particule charge donne dcrot avec lnergie E. La pente de b en fonction de E mesure sur une chelle log-log pour toutes les particules charges vaut approximativement -1. Ceci veut dire que la diffusion de

Rutherford est le mcanisme dominant pour lintroduction de ces dfauts de dplacements. La comparaison que nous avons faite dans le tableau XIV entre les taux dintroduction de SiAs

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dans les chantillons Si16 une nergie donne pour diffrentes particules avec ceux prvus par la thorie de Rutherford confirme cette hypothse. Cependant, nous avons remarqu que la loi de variation en E-1 pour b nest pas vrifie pour tout le domaine dnergie des protons que nous avons utilis. Elle nest vrifie que pour des nergies comprises entre 0,6 et 10 MeV. A partir de E = 10 MeV pour les protons, nous avons remarqu que les valeurs de b mesures sont plus leves que celles prvues par la loi de dcroissance linaire. Une interprtation possible pour cette dviation sera donne dans ce qui suit.

Nous avons vu que le niveau de dopage de nos chantillons est trs important dans le mcanisme de cration du VGa et du SiAs. Cependant, un cm3 de GaAs contient peu prs 2u1022 atomes de Ga et de As. La probabilit pour que la particule irradiante entre en collision avec une impuret dans le GaAs dop 1015 ou 1016 cm -3 avec du silicium est trs faible. Pourtant, comme le montre le tableau XIII, les valeurs de b et de S pour le VGa sont approximativement un ordre de grandeur plus importantes dans le cas Si16 que dans le cas Si15. Il en est de mme pour les valeurs de b et de S mesures partir de SiAs (tableaux VII XII). Ces observations suggrent que ces dommages de dplacements (VGa et le SiAs) ne sont pas crs par les collisions primaires des particules incidentes avec les atomes cibles. Ils seraient plutt crs par les collisions secondaires des atomes dplacs ou atomes de recul . En effet, en tenant compte de lquation ( Chapitre III-4 ), lnergie transfre un atome de la maille aprs une premire collision (pour toutes les particules irradiantes que nous avons utilises) est suffisante pour crer des dplacements secondaires. Ces atomes de

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recul qui sont le Ga, le As et le Si pourraient tre trs efficace pour la cration des dfauts de dplacement d'aprs lquation ( Chapitre III-11 ). Par consquent, la dpendance du taux dintroduction avec le dopage sera travers le Vsec plutt qu travers Vpr suivant lquation ( Chapitre III-3 ). Ceci pourrait expliquer aussi lcart la loi de dcroissance linaire que nous avons observ pour les protons hautes nergies.

Dans la figure Chapitre V-31, nous avons reprsentes aussi les valeurs du NIEL pour les protons de 1 200 MeV et les lectrons de 7 MeV. Ces valeurs sont en parfait accord avec celles de b mesures pour les protons dnergie infrieure 10 MeV et les lectrons de 7 MeV. Le calcul du NIEL dans le cas du GaAs prvoit que lnergie perdue pour produire des dommages de dplacements pour les protons de 10 MeV est approximativement 2 ordres de grandeurs plus importante que dans le cas des lectrons de 7 MeV. Nos mesures suggrent que les protons de 10 MeV sont approximativement 2 ordres de grandeurs plus efficaces pour produire des dommages de dplacements que les lectrons de 7 MeV. Cependant, nos valeurs exprimentales obtenues pour le taux dintroduction de SiAs pour les protons de hautes nergies semblent suggrer que le NIEL surestime lnergie perdue pour produire des dommages de dplacements pour ce type dirradiation. Dautres mesures devraient tre effectues pour des irradiations avec des protons dnergies comprises entre 20 et 200 MeV pour confirmer cette tendance.

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Dautre part, les mesures rcentes que nous avons effectues sur des chantillons Si16 irradis aux rayons J plus forte dose (I = 1 GRad), montrent que le SiAs et le VGa sont introduit par ce type dirradiation. Ceci indique que les lectrons de Compton, crs par ce type dirradiation, sont capables de produire des dommages de dplacement comme il a t suggr par la rfrence 73. Ces mesures montrent que les rayons J sont 22000 fois moins efficaces pour introduire des dommages de dplacements que les neutrons de 1 MeV. Ceci implique que lirradiation avec les lectrons de 7 MeV serait 4500 fois plus endommageante que les rayons J. Ces rsultats sont trs diffrents par rapport ceux du NIEL qui prvoit que lnergie perdue pour crer des dommages de dplacement dans le GaAs est 30 fois plus importante pour les lectrons de 7 MeV que pour les rayons J [ 22 ] Les raisons exactes pour cette diffrence ne sont pas encore connues.

Dautres part, nous avons aussi reprsent dans la figure Chapitre V-31 les taux dintroduction des lacunes en fonction de lnergie pour lirradiation avec les protons tels que prvus par la mthode de simulation TRIM. Cette mthode de simulation est base seulement sur les interactions de Rutherford qui se produisent entre la particule irradiante et les atomes du matriau irradi. Aussi, les calculs du TRIM sont effectus dans le cas dun cristal de GaAs parfait. Autrement dit, dans les valeurs calcules par le TRIM, nous ne tenons pas compte du rle des impurets et des collisions secondaires. En effet, ce sont ces collisions secondaires qui sont responsables de la diffrence entre les taux dintroduction mesurs dans les chantillons Si16 par rapport ceux mesurs dans les chantillons Si15. Elles seraient

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aussi lorigine de cette dviation par rapport la loi de variation en E-1 du taux b en fonction de lnergie des protons que nous avons observe dans le cas des hautes nergies.

Par ailleurs, nous avons observ que les chantillons irradis aux lectrons et non recuits semblent tre plus endommags que ceux irradis aux neutrons et non recuits. Aprs recuit de ces chantillons irradis, les taux dintroductions du VGa et du SiAs sont plus importants dans le cas de lirradiation avec des neutrons quavec les lectrons. Autrement dit, le dommage cre par lirradiation aux lectrons semble tre moins affect par le recuit que celui cr par lirradiation aux neutrons. Les raisons exactes pour ces observations ne sont pas encore connues. Cependant, nous savons que leffet du recuit est de dissocier les dfauts complexes introduits par lirradiation en brisant les liaisons chimiques des associations datomes. Ceci voudrait dire que dans les chantillons irradis aux lectrons, il y aurait moins de dfauts complexes introduits par lirradiation que dans le cas des chantillons irradis aux neutrons. Autrement dit, lirradiation aux lectrons est plus efficace pour introduire les dfauts ponctuels que lirradiation aux neutrons et moins efficace pour introduire les dfauts complexes. En effet, les dfauts ponctuels sont moins affects par le recuit que les dfauts complexes. Ceci est raisonnable puisque la masse des lectrons est plus faible que celle des neutrons.

C.

Perspectives

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