Vous êtes sur la page 1sur 4

17mes Journes Nationales Microondes 18-19-20 Mai 2011 - BREST Conception dun amplificateur de puissance 2 tages intgrant une

e prformation de la tension de commande dentre.


A. Ramadan1, T. Reveyrand1, J-M. Nebus1, P. Bouysse1, L. Lapierre2, J-F. Villemazet3, S. Forestier3 XLIM CNRS UMR 6172, 123 Av. Albert Thomas 87000 Limoges 2 CNES Toulouse, 18 Av. Edouard Belin 31055 Toulouse 3 Thales Alenia Space, 26 Av. Jean Franois Champollion, 31100 Toulouse Alaaeddine.ramadan@xlim.fr Rsum Ce papier prsente une technique damlioration du rendement en puissance ajoute (PAE) dun amplificateur GaN par la prformation de la tension de commande de grille du transistor. Cette tude est effectue la frquence de 2 GHz en utilisant des transistors GaN 15W de la fonderie CREE. Lamplificateur de puissance 2 tages prsente un rendement en puissance ajoute (PAE) de 72% associ une puissance de 41.8 dBm 3dB de compression de gain la frquence centrale. Cet amplificateur comprend un tage de puissance fonctionnant en classe F et un tage driver spcifique pour raliser une prformation de la tension de commande dentre de ltage de puissance. Cette technique permet dobtenir de bonnes performances en rendement sur une bande de frquence assez large, ce qui constitue une difficult majeure dans le domaine de lamplification de forte puissance. Dans le cas prsent une valeur de PAE suprieure 60% est obtenue sur 25% de bande avec une puissance de sortie maintenue 15 W. Mots cls: Amplification de puissance, haut rendement, nitrure de gallium, classes de fonctionnement, formes dondes temporelles microondes. 1. ncessite la minimisation des temps de coexistence de la tension et du courant aux bornes de la source de courant contrle interne au transistor. La tendance vers un mode de commutation est un basculement trs bref de ltat on et off de la tension et de faon complmentaire du courant puis dun maintien de la tension son tat fort pendant que le courant est quasi nul et vice versa. Les solutions de type harmonic tuned offrent actuellement pour les amplificateurs de forte puissance, la meilleure efficacit de conversion dnergie continue en nergie RF la frquence fondamentale fournie lantenne. Les recherches darchitectures damplificateurs intgrant un contrle dimpdances de charge dharmoniques ont t menes depuis longtemps quelque soit la technologie considre. [2-6]. En revanche, la problmatique de formation de la tension de commande dentre pour augmenter les performances en rendement a t un axe nettement moins investigu [7][8][9]. Le travail prsent ici montre une conception originale damplificateur intgrant une prformation active de tension de grille et une validation rigoureuse du fonctionnement au moyen de mesures calibres de formes dondes temporelles sous sondes haute impdance aux nuds internes du circuit hybride ralis. 2.
1

Introduction

La recherche de rendement optimal des amplificateurs de puissance est motive par la rduction du dimensionnement des amplificateurs et de leur gestion thermique associe. Les transistors de puissance HEMT en technologie GaN sont de trs bons candidats pour la conception damplificateurs de puissance trs fort rendement. Lamplification de puissance micro-onde haut rendement requiert des configurations spcifiques dimpdance de fermeture aux harmoniques. [1]. Lobtention de conditions de fonctionnement conduisant des performances de haut rendement

Principe de prformation de la tension de grille et rsultats de simulations

Le bnfice, pour les performances en rendement, de la prformation du signal de commande dentre Vgs(t) dun transistor par linjection dharmonique 2 est illustr Figure 1.

Vgs (t ) = Vgs 0 + Vgs1 cos( wt ) + Vgs 2 cos(2 wt + 2 )


Les amliorations potentielles en rendement peuvent tre quantifies par rapport au cas dune excitation conventionnelle sinusodale autour du mme point de polarisation de grille Vgso. Afin damliorer les performances en rendement, une injection active de composante lharmonique 2 en entre est effectue pour obtenir une forme de tension demi sinusodale.

17mes Journes Nationales Microondes, 18-19-20 Mai 2011 - Brest

Cette forme optimise est obtenue pour Vgs2=Vgs1/7 et 2=0. Cette forme de tension de commande de grille est applique un transistor ayant un circuit de charge de type classe F optimis tel que reprsent Figure 1.
Vdso Vgso
Cd Cd Ids

Z charge ( f0)
f0 (Ve1,0) 2f0(Ve2,0)
Vgs (t)
Ids(t) Vds(t)

La diminution du temps de conduction du courant de drain obtenue par ces conditions dinjection dharmonique 2 en entre entraine une rduction de temps de coexistence entre tension et courant de drain. En effet, la forme de la tension de drain nest quasiment pas affecte par cette injection dharmonique 2 tant que lon se trouve dans des conditions de charge trs basse impdance lharmonique 2, ce qui est le cas en classe F. Sur le principe, une amlioration du rendement de lordre de 7 points est possible comparativement un fonctionnement en classe F classique avec une tension dentre sinusodale (Figure 3).
80 70 60 50 40 30 20 10 0 24 26 Tension sinusodale Tension demi-sinusodale

Vgs

Vds

( 2f0) ( 3f0)

t
Ids (t)

t Rduction de temps de conduction

Tension sinusodale Tension demi-sinusodale (avec injection de H2)


Vds(t)

PAE (%)

28

30

32

34

36

38

40

42

Ps (dBm)
Figure 3. Les performances simules avec et sans prformation de la tension de grille. Des mesures sous pointes de formes dondes temporelles utilisant un systme de type LSNA ont t effectues pour valider ce principe [10] [11]. 3.

Figure 1. Principe et schmatique de simulation. Une forme temporelle de tension de grille demisinusodale correctement cale par rapport la valeur de la tension de pincement permet de rduire le temps pendant lequel le transistor conduit. Ceci rduit le temps de coexistence entre la tension et le courant de drain minimisant ainsi la puissance dissipe par le composant, ce qui conduit une amlioration de PAE. Des formes temporelles simules dans les deux cas (tension de grille sinusodale et tension de grille prforme) sont prsentes Figure 2. Ces simulations ont t ralises 2 Ghz en utilisant un modle non linaire dune puce GaN CREE.
sans prformation
2

Conception dun amplificateur de puissance 2 tages

avec prformation

0 -2 -4 -6 -8 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vp=-3V

Time (nsec)
2.0

(a)

60 50

1.5 40 1.0 30 20 0.5 10 0.0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0

Time (nsec)

Pour mettre en uvre cette technique, une architecture damplificateur 2 tages a t conue en utilisant des transistors en puce HEMT GaN Cree 15W comme illustr Figure 4. Lamplificateur comporte un tage driver qui a deux fonctions principales: la premire est de dlivrer la puissance ncessaire pour le fonctionnement de ltage de puissance et la deuxime est de commander ltage de puissance par une tension de grille de forme demi sinusodale. Le circuit inter tages doit tre un circuit faibles pertes. Pour former correctement la tension Vgs(t) de ltage de puissance, un transfert appropri des harmoniques fo et 2fo en module et en phase est ncessaire entre laccs drain intrinsque du driver et laccs grille intrinsque de ltage de puissance. Le circuit inter tage qui constitue le point dur du problme doit assurer aux mieux le compromis entre adaptation de puissance et adaptation de tension. Le driver a une polarisation de drain la plus faible possible (7 V) pour ne pas impacter le rendement global tandis que ltage de puissance a une polarisation de drain de 28V. Ltage de puissance a comme configuration de charge une topologie classe F avec un court-circuit lharmonique 2 et une haute impdance 3fo.

Ids intrinsque (A)

Vgs intrinsque (V)

Vds intrinsque (V)

(b)

Figure 2. Les formes temporelles de la tension et du courant de grille (a) et drain (b) 17mes Journes Nationales Microondes, 18-19-20 Mai 2011 - Brest

Vgs0,2=-2.3V Vgs0,1=-2.0V Vds0,1=7V


R=500 Ids,p Cd Cd

Vds0,2=28V

Circuit dentre fo, 2fo

Q1
Vgs,d

Vds,d

Circuit entre tages fo, 2fo, 3fo

Cd

Circuit de charge Cd Classe F fo, 2fo, 3fo


Vds,p 50

Q2
Vgs,p

50

La Figure 7 prsente une comparaison des performances mesures des deux modules la compression et en fonction de la puissance. Une amlioration de 4 points de PAE est obtenue la frquence centrale de 2 GHz. Cette amlioration tient compte de la consommation du driver qui offre de plus une augmentation de gain de lordre de 9 dB.
74 72 70 68 66 64 62 60 58 56 54 52 50 48 46 44 42

1 tage (PA1)

2 tages (PA2)

Figure 4. Topologie de lamplificateur 2 tages. La Figure 5 montre les rsultats en puissance simuls obtenus la frquence de 2 GHz. Nous pouvons relever un gain linaire de 28dB, une puissance de sortie de 41.9 dBm au point maximum de rendement en puissance ajoute de 71.5 %.
PAE (%) rendement du drain (DE) (%)
80 70 60 50 40 30 20 10 0 -5 0 5 10 15 20 25 30 42.5 39.5

PAE
PAE=60%

PAE (%)

Bande passante de PA1 avec un PAE > 60 % Bande passante de PA2 avec un PAE > 60 % (largissement de la bande passante)
1.8 1.9 2 2.1 2.2

Ps (dBm) , Gain (dB) Ps (dBm) , Gain (dB) Ps (dBm) , Gain (dB) Ps (dBm) , Gain (dB) Ps (dBm) , Gain (dB)

DE Ps Gain PAE

35.5 31.5 27.5 23.5 19.5 15.5 11.5 7.5

Frquence (GHz)

Figure 7. Performances mesures des 2 amplificateurs de puissance dans la bande 1.8-2.2GHz. Sur la bande de frquence analyse, on note que le gain et la puissance de sortie restent quasiment constants.(Figure 8).
74 70 66 42 38

Pe (dBm)

Figure 5 . Rsultats de simulation de lamplificateur 2 tages 2 GHz.


PAE (%)

PAE

Ps

34 30

Ps (dBm) , Gp (dB) Ps (dBm) , Gp (dB)

4.

Circuits raliss et rsultats de mesure

62 58 54 50 46 42

Gp

26 22

Les amplificateurs un tage (a) et deux tages (b) fabriqus avec la technologie hybride de Thales Alenia Space sont reprsents Figure 6. Lamplificateur (a) ne possde pas de prformation active de la tension de grille. La polarisation de grille est assure par une topologie de stub /4 conventionnelle. Le circuit de charge est quant lui strictement identique celui de lamplificateur (b). Ainsi la comparaison des performances des deux circuits va permettre de juger du bnfice apport par la mthode du driver de grille mise en place dans le cadre de ce travail. Les mesures en CW des formes dondes temporelles sont effectues dans les plans coaxiaux pour les mesures de performances en puissance et sous sonde haute impdance aux nuds internes du circuit [12] pour la validation gnrale de ltude.

2 dB de compression de gain 3 dB de compression de gain 4 dB de compression de gain 1.8 1.9 2 2.1 2.2

18 14 10

Frquence (GHz)

Figure 8. Gain et puissance de sorties mesures de lamplificateur 2 tages en fonction de la frquence plusieurs compressions de gain. Lintroduction du driver a donc bien permis daugmenter le rendement global de lamplificateur tout en bnficiant dun gain total plus lev. Un rsultat important observ rside dans lamlioration de la bande de frquence pour laquelle la PAE est suprieure 60 %. Cet largissement dun facteur 2 de la bande tout en conservant une puissance de sortie de 41.8 dBm et un fort rendement est attribu au maintien dun angle douverture favorable pour ltage de puissance lorsque la frquence de fonctionnement scarte de la frquence centrale. Ceci est montr Figure 9 par les formes dondes temporelles de tensions de grille de ltage de puissance normalises 2 priodes (2T) et mesures pour plusieurs frquences de fonctionnement.

Vgso

Vdso

Vgso,1

Vdso,1

Vgso,2

Vdso,2

(a)

(b)

Figure 6. Amplificateurs de puissance raliss: classe F un tage (a) et 2 tages (b).

17mes Journes Nationales Microondes, 18-19-20 Mai 2011 - Brest

4 2 0

(a)

Alenia Space, Toulouse, pour leur contribution la ralisation et aux tests des amplificateurs de puissance. 7.

Vgs (V)

-2 -4 -6 -8 -10 -12 0

Bibliographie

Tension de pincement 1.8 GHz 2 GHz 2.2 GHz


2T

Variation de t on importante

4 2 0

(b)

-2 -4 -6 -8 -10 -12 0 2T

Tension de pincement

Limitation de la variation de ton

Figure 9. Mesures des tensions de grille des tages de puissances de PA1 (a) et PA2 (b). aux noeuds internes par sonde haute impdance. Linjection active de lharmonique 2 en entre en utilisant lamplificateur 2 tages permet de garder un temps de conduction minimal pour une variation de frquence relativement grande (figure 9b). On observe par contre, pour lamplificateur conventionnel Figure 9a, une dispersion assez forte du temps douverture de la source de courant lorsque la frquence de fonctionnement varie. Ceci est responsable de la chute de rendement significative pour les frquences de fonctionnement scartant de la frquence centrale. 5.

Conclusion

Loriginalit de ce travail sest focalise sur la possibilit daccrotre les performances en rendement des amplificateurs en technologie GaN par une prformation de la tension de commande dentre des transistors. Une architecture de circuit deux tages a t tudie et ralise. Un premier tage fonctionnant en mode satur et basse tension de drain est utilis comme driver de grille dun second tage de puissance. Cette architecture, naturellement destine lamplification de signaux enveloppe constante, a permis dobtenir des rsultats trs satisfaisants avec notamment un trs bon rendement maintenu sur une bande de frquence relativement large (de lordre de 25%). 6.

Remerciements

[1] Andrei Grebennikov, Nathan O. Sokal "Switchmode RF Power Amplifiers", Newnes, 2007. [2] Frederick H. Raab, "Class-F Power Amplifiers with Maximally Flat Waveforms", IEEE 1997. [3] Young Yun Woo, Youngoo Yang and Bumman Kim, Analysis and Experiments for HighEfficiency Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers, IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, Vol. 54, No. 5, MAY 2006. [4] David Schmelzer, and al. A GaN HEMT Class F Amplifier at 2 GHz With >80% PAE IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 42, No. 10, October 2007. [5] Mustafa Akkul, Michael Roberts, Vanessa Walker, Wolfgang Bosch, High Efficiency Power Amplifier Input/output Circuit Topologies for Base station and WLAN Applications, 2004 IEEE MTT-S Digest. [6] P. Colantonio, F. Giannini, G. Leuzzi, and E. Limiti, Multiharmonic manipulation for highly efficient microwave power amplifiers, Int. J. RF Microwave CAE, vol. 11, pp. 366384, Nov. 2001. [7] P. White, Effect of input harmonic terminations on high efficiency class B and class F operation of PHEMT devices, in IEEE MTT-S Int. Symp. Dig., June 712, 1998, vol. 3, pp. 16111614. [8] S.Gao, P.Butterworth, S. Ooi, and A. Sambell High-Efficiency Power Amplifier Design Including Input Harmonic Termination, IEEE transactions on microwave and wireless components letters, vol.16, no.2, february2005. [9] B. Ingruber, W. Pritzl, D. Smely, M. Wachutka, and G. Magerl, Harmonic-controlled amplifier, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 46, no. 6, pp. 857863, June 1998. [10] A. Ramadan, T. Reveyrand, A. Martin, J.M. Nebus, P. Bouysse, L. Lapierre, J.F. Villemazet and S. Forestier, Experimental study on effect of secondharmonic injection at input of classes F and F-1 GaN power amplifiers, Electronic Letters 19th April 2010 Vol. 46 No. [11] A. Ramadan, T. Reveyrand, A. Martin, J.M. Nebus, P. Bouysse, L. Lapierre, J.F. Villemazet and S. Forestier, Efficiency enhancement of GaN power HEMTs by controlling gate-source voltage waveform shape, European Microwave Conference 2009 Rome. [12] T. Reveyrand, A. Mallet, J.M. Nbus, M. Vanden Bossche, Calibrated Measurements of Waveforms at Internal Nodes of MMICs with a LSNA and High Impedance Probes, 62nd ARFTG Conference Digest, pp. 71-76, Boulder (CO), December 2003.

L'auteur tient remercier Messieurs Dominique Geffroy, Hissa Yahi et Cyril Baulon ingnieurs Thales 17mes Journes Nationales Microondes, 18-19-20 Mai 2011 - Brest

Vgs (V)