CURSO: TOPICOS DE INVESTIGACION II TEMA: FABRICACION DE VIDRIOS COMO GUIAS DE LUZ

1RA ETAPA: FABRICACION DEL HORNO

ASESORA: DRA. CARMEN EYZAGUIRRE NOMBRE: JOSE CARLOS GARCIA GONZALES CODIGO: 19830167F

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA 2009

1.-OBJETIVO: El objetivo principal en esta 1era. Etapa es la fabricacin de un horno especial para la elaboracin de materiales de vidrio que sirvan para aplicaciones pticas como guas de luz.

2.-INTRODUCCIN Inicialmente fueron fabricadas guas metlicas y no metlicas pero como tienen muchas perdidas no fueron ideales para telecomunicaciones. Tyndall descubri que a travs de la fibra ptica de vidrio, la luz poda ser transmitida por reflexin total interna. Estas fibras pueden proveer canales ms confiables y verstiles. Fsicamente una fibra ptica es un medio material que consiste bsicamente de un ncleo rodeado por una envoltura que gua mayor intensidad de ondas electromagnticas a travs del ncleo que de la envoltura. Esto es debido al ndice de difraccin del ncleo que es mayor que el de la envoltura. Las fibras comerciales mas comnmente utilizadas son a base de slice. Sin embargo existen muchas investigaciones en el estudio de nuevos materiales para diseo de fibras pticas, buscando la mayor eficiencia en la transmisin de informacin. Debido a la necesidad cada vez mayor de grandes tasas internacionales de comunicaciones pticas, hubo la necesidad de nuevas tecnologas para tal fin. Teniendo en cuenta esas consideraciones, se tiene como tarea encontrar nuevos materiales de vidrio que sustituyan a las actuales fibras a base de vidrio de slice, y que tengan la posibilidad de hacer fibras pticas, adems de que presentar alta solubilidad de iones de tierras raras para utilizarlas como amplificadores pticos. Diversos sistemas vtreos se vienen estudiando como vidrios fluoretos, calcogenetos y vidrios fosfatos. Todos presentan ventajas y tambin desventajas. Actualmente se vienen desarrollando vidrios a base de oxido de telurio, por presentar un bajo punto de fusin, gran solubilidad de iones de tierras raras, y por presentar una transicin vtrea mas estable. Por tal motivo, el presente trabajo tiene como primera etapa, la construccin de un horno para la elaboracin de vidrios a base de oxido de telurio. La forma de vidrio (o vtrea) son fundamentalmente diferentes de su forma cristalina. La forma cristalina tiene una estructura geomtrica rgida que se repite muchas veces. Cada tomo esta en la misma posicin cada vez que el

patrn se repite, resultando un compuesto altamente ordenado. El vidrio se forma cuando el compuesto es calentado y luego enfriado rpidamente. El resultado es un slido amorfo sin estructura definida. El patrn repetitivo presente en la estructura cristalina est ausente, en vez de eso, el arreglo de tomos dentro del vidrio es bastante aleatorio.

3.-FUNDAMENTO TERICO.

Ley de Joule El movimiento de los electrones en un conductor podemos describir como una serie de movimientos acelerados, cada uno de los cuales termina con un choque contra alguna de las partculas fijas del conductor. Los electrones ganan energa cintica durante las trayectorias libres entre choques, y ceden a las partculas fijas, en cada choque, la misma cantidad de energa que haban ganado. La energa adquirida por las partculas fijas (que son fijas solo en el sentido de que su posicin media no cambia) aumenta la amplitud de su vibracin o sea, se convierte en calor. Para deducir la cantidad de calor desarrollada en un conductor por unidad de tiempo, hallaremos primero la expresin general de la potencia suministrada a una parte cualquiera de un circuito elctrico. Cuando una corriente elctrica atraviesa un conductor, ste experimenta un aumento de temperatura. Este efecto se denomina efecto Joule. Es posible calcular la cantidad de calor que puede producir una corriente elctrica en cierto tiempo, por medio de la ley de Joule. Supongamos, como en un calentador elctrico, que todo el trabajo realizado por la energa elctrica es transformado en calor. Si el calentador funciona con un voltaje V y un intensidad I durante un tiempo t, el trabajo realizado esia dado por la ecuacion : W=VIt Y como cada J equivale a 0,24 cal, la cantidad de calor obtenido ser : Q=0.24 VIt (2) (1)

V debe medirse en volts, I en amperes y t en segundos, para que el resultado est expresado en caloras. La ley de Joule enuncia que:

El calor que desarrolla una corriente elctrica al pasar por un conductor es directamente proporcional a la resistencia, al cuadrado de la intensidad de la corriente y el tiempo que dura la corriente . La ley de Joule establece que la cantidad de calor producida es directamente proporcional a la resistencia R del conductor, al cuadrado de la intensidad de corriente I que lo atraviesa y al tiempo t. Es decir: Q = I2 R t (3)

El efecto calorfico, tambin llamado efecto Joule, puede ser explicado a partir del mecanismo de conduccin de los electrones en un metal. La energa disipada en los choques internos aumenta la agitacin trmica del material, lo que da lugar a un aumento de la temperatura y a la consiguiente produccin del calor. La ley de Joule, por su parte, puede ser enfocada como una consecuencia de la interpretacin energtica de la ley de Ohm. Si I R representa la energa disipada por cada unidad de carga, la energa total que se disipa en el conductor en forma de calor, cuando haya sido atravesado por una carga q, ser: Q=qIR Pero dado que q = I t, se tiene finalmente: Q = I2 R t Que es precisamente la ley de Joule. (5) (4)

Medidor de Temperatura Un medidor de temperatura es un instrumento utilizado para registrar valores de temperatura de un determinado proceso o experimento. Uno de los medidores mas utilizados es la termocupla. Una termocupla es un transductor de temperatura, es decir, un dispositivo que traduce una magnitud fsica en una seal elctrica. Esta compuesto por dos alambres de metales diferentes, los que unidos convenientemente generan entre sus extremos libres una diferencia de potencial proporcional a la diferencia de temperatura entre ellos. Su funcionamiento, se basa en un descubrimiento hecho por Seebeck en 1821: si se sueldan dos metales diferentes, cuyos extremos estn a diferentes temperaturas, aparece una fem. (llamada fem Seebeck). Posteriormente, se mostr que esta fem. proviene en realidad de dos efectos diferentes:

uno resultante solo del contacto entre dos metales distintos y la temperatura de dicha unin. Este es el llamado Efecto Peltier y es debido a la difusin de electrones desde el conductor con mayor densidad electrnica al de menor densidad. Otro, debido a los gradientes de temperatura a lo largo de los conductores en el circuito. Este es el llamado Efecto Thompson y es debido al flujo de calor entre los extremos de los conductores, que es transportado por los electrones, induciendo entonces una fem. entre los extremos de los mismos.

En la mayora de los casos, la fem. Thompson es bastante pequea en comparacin con la fem. Peltier y, dependiendo de los materiales elegidos para la termocupla, la fem. Thompson puede ser despreciada. Historicamente, se llamo Efecto Seebeck a la combinacin de los Efectos Thompson y Peltier. En realidad esto seria as sino hubiera gradientes de temperatura en la zona aledaa a las uniones de la termocupla. Sin embargo, este efecto de tipo espacial se manifiesta, por ejemplo cuando la termocupla esta en presencia de un campo magntico. En general, se considera el efecto de campo sobre la fem. desarrollada en las uniones solamente; sin embargo los gradientes de temperatura generados a lo largo de los cables, son responsables de la diferencia de potencial que en algunos casos son mas que apreciables y deben ser tenidos en cuenta. En la mayora de los casos, considerar los efectos Peltier y Thompson sumados es aceptable como una buena aproximacin de efecto Seebeck. Debemos mencionar tambin, que la insercin de un metal intermedio en el circuito de una termocupla no afecta la fem. neta, si las dos uniones con el tercer metal se mantienen a la misma temperatura. La mayora de las tablas sobre termocuplas dan valores de voltaje en funcion de la temperatura.

EL TELURIO

El Telurio es un elemento no-metlico con muchas propiedades similares al selenio y sulfuro. Es blanco-plateado y lustroso en su forma slida y gris oscuro como polvo. El uso industrial del Telurio se incluye como aditivo para mejorar las aleaciones de acero y cobre en la fabricacin de maquinarias, como catalizador en los procesos qumicos y en la fabricacin de goma. Es un semiconductor de tipo-p y su conductividad es sensible a la exposicin de la luz. Los compuestos de Telurio (telururos) son materiales semiconductores y se utilizan como foto receptores en copiadoras y celdas solares. El Telurio es soluble en soluciones que contienen acido sulfrico, acido ntrico, hidrxido de potasio y cianuro de potasio.es insoluble en el agua.

Caracteristicas del Telurio

Estructura cristalina: Hexagonal; a 25 C, a = 0.44565 nm y c = 0.59268 nm. Densidad: 6.237 g/cm3 a 25 C. Dependencia temperatura: Solido (0 a 450 C) = 6.250 - 0.000261 T Liquido (450 a 1000 C) = 6.170 0.000777 T. Punto de Fusin: 449.5 C Punto de Ebullicin: 989.8 C Coeficiente de Expansin Trmica lineal: 18.2 m/m K a 20 C Calor Especifico: 0.201 kJ/kg K a 25 C Calor de Fusin latente: 86.113 kJ/kg Calor de vaporizacin latente: 446.43 kJ/kg Conductividad trmica: Policristalino, entre 5.98 y 6.02 W/m K entre 20 a 28 C. Mono cristales, 3.3 W/m K al eje c, 2.1 W/m K al eje c. Resistividad Elctrica: Policristalino, entre 1 y 50 m m a 25 C. Mono cristales, a 20 C: 5 m m al eje c, 1.5 m m al eje c. Susceptibilidad Magntica: a 18 C, -39.5 x 10-6 en unidades cgs Indice de Refraccin: Vapor, 1.002495 a = 589 nm; al plano de incidencia, 1.9 a 2.4 entre 350 a 400 nm al plano de incidencia, 1.7 to 2.7 Resistencia a la Traccin: Aproximadamente 11 MPa Dureza: 25 HB, 2.3 Mohs Modulo Elstico: Tensin (mono cristales): 42.57 GPa al eje c 20.45 GPa al eje c. Transversal: (Policristalino), 15.16 GPa Tensin superficial liquida: 186 mN/m a 450 C

PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL.

Para la fabricacin del horno, hemos utilizado un recipiente de acero, de un microscopio electrnico, al cual hemos introducido el recipiente de vidrio, recubierto con una resistencia de 47 ohms. Alrededor lo hemos recubierto con fibra cermica cortadas en forma de anillo, como la cubierta tiene unos agujeros, hemos colocado un ladrillo refractario a fin de evitar que haya un gradiente de temperatura.

Figura 1.

Figura 2.

En la Figura 1 podemos observar el recipiente de vidrio ya cubierto por la fibra cermica. En la Figura 2 observamos el ladrillo refractario que cubre la parte de agujeros del casco metlico.

Figura 3.

Figura 4.

En la Figura 3 vemos el horno casi terminado, con los cables de la resistencia saliendo a un costado. Para esto hemos utilizado un par de agujeros que nos sirvieron para este propsito. Finalmente en la Figura 4, tenemos el horno completado.

TEMPERATURA DE TRABAJO.

El horno con estas caractersticas puede alcanzar temperaturas de 750 C. Con un control de temperatura electrnico, podemos regular el horno a una temperatura fija que ser programable. Esto sera parte de la 2da. Etapa de la Fabricacin de vidrios.

A continuacin se hicieron pruebas con el horno, aun sin control electrnico, para observar su velocidad al incrementar la temperatura as como para disminuirla. Otra caracterstica de este horno es que el recipiente que alojara las muestras va a alojado encima de un recipiente de vidrio con una base tubular delgada que se introduce dentro del recipiente de vidrio como un embolo. Pictricamente se vera como la Figura 5.

Pared del Horno

Embolo recipient e

Resistenc ia

Figura 5.

RESULTADOS. 1 era tabla: resultados obtenidos con la base a una altura h= 0 cm.

Incremento de Temperatura Tiempo 0 72 95 114 130 148 182 249 T (C) 250 300 350 400 450 500 550 566

Decremento de la Temperatura

Tiempo 0 90 180 220 305 445 545 711 832 1118 1201 1683

T(C) 566 550 530 520 500 470 450 420 400 360 350 300

2da. tabla: resultados obtenidos con la base a una altura h= 1 cm. Incremento de Temperatura

Tiempo 0 13 22 28 36 41 50 63 82 120 136 154 182

T (C) 350 360 370 380 390 400 420 450 500 600 620 630 640

Decremento de la Temperatura Tiempo T (C)

0 118 295 495 741 1055 1461

630 600 550 500 450 400 350

3ra. tabla: resultados obtenidos con la base a una altura h= 2 cm. Incremento de Temperatura

Tiempo 0 8 14 19 24 32 48 66 83 150

T (C) 360 370 380 390 400 420 450 500 550 587

Decremento de Temperatura

Tiempo 0 120 322 511 730 860 1002 1165

T (C) 580 550 500 460 420 400 380 360

4ta. tabla: resultados obtenidos con la base a una altura h= 3 cm. Incremento de Temperatura

Tiempo (seg.) 0 5 11 19 35 52 69 100 130

T (C) 380 390 400 420 450 500 550 580 587

Decremento de Temperatura Tiempo T (C)

(seg.) 0 110 303 542 840 1059 1227

580 550 500 450 400 370 350

5ta. tabla: resultados obtenidos con la base a una altura h= 4 cm. Incremento de Temperatura

Tiempo(se g.) 0 10 15 27 36 55 72 82 95 121

T (C) 370 390 400 430 450 500 550 570 580 590

Decremento de Temperatura

Tiempo(s eg) 0 97 293 523 815 1196

T (C) 580 550 500 450 400 350

Figura 6. Horno a temperatura de 718 C

CONCLUSIONES. Los valores obtenidos a diferentes alturas se refiere a la elevacin del embolo que aloja al recipiente de las muestras con respecto a su posicin de reposo. Usando un pequeo elevador de perilla, se va desplazando verticalmente hacia arriba el embolo para poder obtener valores de temperatura en diferentes posiciones de altura. En principio vemos que no hay una diferencia muy marcada en cuanto a modificar la altura del embolo. Esto se debe a que la cmara de vidrio tiene unas dimensiones pequeas que no hacen apreciable un posible desbalance de temperatura a cierta altura. Quizs haciendo mediciones ms precisas, se pueda obtener una diferencia, pero ser muy ligera. Lo ideal sera como lograr un control casi exacto de la temperatura y mantenerla durante el proceso de vitrificacin de las muestras. Esto se debe obtener con el equipo electrnico que se disee para este tipo de horno. Una cosa rescatable en este tipo de horno, es que no contamina las muestras al no estar expuestas a la resistencia, como si ocurre con otros tipos de hornos.

BIBLIOGRAFIA.

1.- Gomes A. S.L., Proc. SPIE 4990, 1 (2003) 2.- J. Beckwith, Mechanical Measurements (Macmillan, London) Capitulo 13. 3.- J. Dike, Thermoelectric Thermometry (Interscience, New York, 1956) 4.- Solid State Sciences Volume 10, Issue 4, April 2008, Pages 427-433 Frontiers in Solid State Chemistry 5.http://www.oc.edu/library/StudentColloquium/selenium_and_tellurium.p df 6.- http://www.dtic.mil/cgi-bin/GetTRDoc? AD=AD749607&Location=U2&doc=GetTRDoc.pdf