Vous êtes sur la page 1sur 11

RAPPORT SUR LES MMICs

Ralis par :
-

Encadr par :
- M. S.E. NAIMI

Victorien .W OUEDRAOGO

Anne universitaire 20 2011/2012

CIRCUITS MONLITHIQUES MMICs

1INTRODUCTION
Ces dernires annes, le nombre de circuits intgrs micro-ondes utiliss dans les systmes de tlcommunications a fortement augment suite l'utilisation de frquences porteuses de plus en plus leves. Ce type de circuits intgrs est trs frquemment utilis dans les quipements pour la tlphonie mobile et pour les communications satellitaires. Les Micro-ondes sont des ondes lectromagntiques de longueur d'onde intermdiaire entre l'infrarouge et les ondes de radiodiffusion c'est--dire que leur frquence se trouve dans la plage 300Mhz 300Ghz. Les MMIC (Monolothic Microwave Integrated Circuit) ou Circuit Micro-ondes Monolithiques Intgrs sont des types de Circuit Micro-ondes raliss dans le mme bloc avec des lments actifs et passifs sur le mme substrat. Les MMIC tait fabriqus au dbut laide l'arsniure de gallium (GaAs), un semiconducteurs composs III-V qui prsente deux avantages fondamentaux par rapport au silicium (Si), matriau traditionnel pour la ralisation des Circuit intgrs : Rapidit en termes de vitesse Meilleur isolation entre les composants Ces deux facteurs contribuent fortement la conception de circuits intgrs, fonctionnant en hautes frquence. Cependant, la vitesse des composants base de Silicium a progressivement augment du fait que la taille des transistors est rduit et les MMICs sont maintenant fabriques en silicium. Le principal avantage du Silicium est son cot de fabrication faible par rapport au GaAs. Dautres SC de composants binaires III-V, comme le phosphure d'indium (InP), le Galium Nitrate (GaN), ou le Silicium Germanium (SiGe) prsentent une performance suprieure GaAs en termes de gain, une frquence de coupure plus leve, un faible bruit et une rsistance la temprature. Cependant ils ont galement tendance tre plus chers cause des tailles des plaquettes.

2 CAO de circuits MMIC


La CAO (Conception Assiste par Ordinateur) des circuits intgrs microondes est trs importante car la ralisation de circuits intgrs ne permet pas de rglage au final, si jamais ce circuit ne fonctionnait pas. Elle doit donc tre mene de faon rigoureuse.

CIRCUITS MONLITHIQUES MMICs

2.1Mthodologies La mthodologie de conception est rsume dans lorganigramme de la figure 1.

Figure 1 : Organigramme de conception dun circuit intgr micro-ondes Les logiciels de CAO prsentent une interface conviviale, permettant une saisie de schmas lectriques. La gnration du dessin du circuit (layout) peut tre ralise automatiquement partir du schma lectrique. Les rgles de dessin sont imposes par le fondeur et la bibliothque de composants passifs et actifs, contenant les modles lectriques et les dessins associs aux couches technologiques, sont fournis par les fondeurs. 2.2 Simulateurs Il existe diffrents simulateurs permettant de tenir compte du comportement des composants constituant le circuit, ainsi que de la nature du circuit lui-mme.

CIRCUITS MONLITHIQUES MMICs

La modlisation lectrique des composants est importante car la validit des analyses repose sur les modles utiliss. Ainsi, chaque modle comporte des limites de validit au-del desquelles les rsultats de simulations doivent tre considrs avec discernement. Ces modles sont en gnral issus de calculs thoriques, de simulations physiques et de mesures. 2.2.1 Simulation DC Cette analyse permet de trouver le point de fonctionnement des composants actifs du circuit, de tracer leurs caractristiques statiques et de dterminer la puissance consomme. Elle permet galement de vrifier si tous les composants actifs du circuit sont correctement polariss. Les inductances sont court-circuites et les capacits sont remplaces par des circuits ouverts. 2.2.2 Simulation linaire ou petit signal Dans le domaine linaire, la simulation est effectue en analyse frquentielle partir des lois de Kirchoff, avec des composants linaires ou des composants non-linaires, linariss un point de fonctionnement. Les courants et tensions sont calculs en fonction de la frquence pour les analyses AC et paramtres S. Selon la complexit des circuits, les paramtres Z, Y, H et S sont calculs. Pour diminuer les temps de calcul, le simulateur calcule les matrices Z lorsque les composants sont en srie, les matrices Y lorsque les composants sont en parallle. Ces simulations permettent dobtenir la rponse de circuits linaires comme les circuits passifs de type filtres, les amplificateurs petit signal (LNA, large bande). Ces simulations permettent de calculer les caractristiques de transfert et de raliser des analyses en sensibilit pour dterminer les composants sensibles du circuit, des analyses statistiques, pour dterminer la dispersion des performances sur un nombre lev de circuits et des analyses de pire cas. 2.2.3 Simulation non linaire ou grand signal Ces analyses sont considres dans le cas de circuits non-linaires tels que les amplificateurs de puissance, les oscillateurs, les mlangeurs, les modulateurs/dmodulateurs, les diviseurs et multiplieurs de frquence. Il existe principalement 3 types danalyses non-linaires : temporelle, frquentielle et tempofrquentielle. En analyse temporelle, les courants et tensions travers le circuit sont calculs sur un intervalle de temps, les non-linarits sont alors prises en compte. Ces calculs peuvent devenir trs longs si le circuit est trs fortement non linaire mais le calcul peut tre effectu en rgime transitoire. Pour simuler des circuits trs fortement non linaires, tout en rduisant les temps de calcul de faon significative, on utilise une analyse en quilibrage harmonique (Harmonic Balance). Dans ce cas le circuit est scind en deux parties : une partie linaire (rsistance, capacit, etc...) calcule en analyse frquentielle et une partie non linaire (diode...) calcule en analyse
4

CIRCUITS MONLITHIQUES MMICs

temporelle, une FFT tant applique pour obtenir le rsultat final dans le domaine frquentiel, aprs convergence. La simulation est effectue uniquement en rgime tabli. On utilise la simulation denveloppe, dans le cas o le circuit comporte des signaux des frquences dont les ordres de grandeur sont trs diffrents. Typiquement, cest le cas de circuits transmettant une frquence porteuse au GHz, modul par un signal binaire quelques centaines de kHz. Le logiciel ne peut effectuer une simulation temporelle car les ordres de grandeurs de temps deviennent si petits la frquence porteuse, devant la frquence modulante, que le calcul ne peut aboutir avec les machines actuelles dans un dlai raisonnable. 2.2.4 Optimisation Loptimisation des valeurs des composants consiste faire varier ces valeurs dans un intervalle et simuler chacune de ces valeurs afin de comparer la rponse du circuit avec celle du cahier des charges, le but atteindre. Cette optimisation est effectue selon des mthodes numriques connues comme la mthode des moindres carrs par exemple. Loptimisation est ralise en analyse linaire ou nonlinaire. Les meilleures valeurs obtenues pour le circuit sont ensuite conserves. 2.2.5 Simulation lectromagntique Pour tenir compte des discontinuits et des phnomnes de couplage sur les circuits intgrs microondes, une simulation lectromagntique est ncessaire. La simulation de ce type de structure sur un logiciel de simulation lectrique ne prend en compte que des modles analytiques qui peuvent tre errons quelques % prs, voire plus selon leur domaine de validit. Pour obtenir une simulation qui soit la plus proche possible de la ralit, on utilise d'autres types de simulateurs qui permettent de tenir compte de faon plus rigoureuse des effets indsirables tels que les couplages entre composants, les discontinuits, etc... A cet effet, deux types de simulateurs permettent ce type de rsultats : un simulateur par la mthode des moments et un simulateur en lments finis. Seuls des circuits entirement passifs peuvent tre simuls, les composants actifs tant trs complexes mailler et calculer avec ces mthodes numriques. Mthode des Moments (Momentum) : Les circuits sont considrs comme des structures planaires mais ils peuvent tre raliss sur un substrat multi-couches et contenir des via-holes. La simulation est donc une simulation 2.5D car le substrat est pris en compte et est maill part. Aprs avoir dessin le circuit en 2D ou gnr automatiquement le layout partir du schma lectrique, le circuit est maill en rectangles et triangles formant ainsi des cellules lmentaires. Chaque cellule, associe un courant et une charge particuliers, est dcrite par un circuit quivalent. La mthode des moments permet d'analyser chaque circuit quivalent par rapport aux autres afin de gnrer la matrice Z du circuit entier. La rponse du circuit un stimulus permet de gnrer ses matrices Z, Y et S.
5

CIRCUITS MONLITHIQUES MMICs

Le maillage est une tape trs importante pour la simulation. Un maillage fin donne des rsultats de simulation prcis au dtriment dun temps de calcul trs long et dun encombrement mmoire trs important. Au contraire un maillage grossier diminue ces problmes ainsi que la prcision de calcul. Mthode des Elments Finis (HFSS) : Cest un simulateur 3D qui est moins bien adapt aux structures planaires. La structure 3D est maille en ttradres et le simulateur calcule les champs E et H qui se propagent lintrieur. Les rsultats peuvent tre stocks sous forme de matrices Z, Y ou S. Les simulations sont gnralement plus longues que dans le cas de simulateurs 2.5D.

3 Les Circuits actifs micro-ondes


3.1 Le MESFET MESFET est synonyme Metal Semi-conductor Field Effect Transistor ou transistor effet de champ mtal semi-conducteur. Il est assez semblable un JFET dans la construction et la terminologie. La diffrence est qu'au lieu d'utiliser une jonction PN comme portail, une diode Schottky (jonction mtal-semiconducteur) est utilise. Les MESFET sont gnralement construits dans les technologies de semi-conducteurs composs manquent passivation de surface de haute qualit tels que GaAs, InP, ou SiC, et sont plus rapides mais plus cher que les composants base de silicium ou de JFET et MOSFET. ils sont exploits jusqu' des frquences denviron 45 GHz , et sont couramment utiliss pour les communications hyperfrquences et radar ; cependant ils ne sont optimis pour les applications de fortes puissances et reste limiter mme en frquence. En effet la mobilit des lectrons est limite par la prsence des atomes donneurs (interactions).

Figure 2 : transistor MESFET

CIRCUITS MONLITHIQUES MMICs

3.2 Le HEMT Le HEMT ou High Electron Mobility Transistor est un Transistor Haute mobilit des lectrons , aussi connu comme htrostructure FET ( HFET ), cest un transistor effet de champ intgrant une jonction entre deux matriaux diffrents avec des carts de bande (ie, une htrojonction ). L'htrojonction cre par les diffrentes bandes interdites des matriaux forme un puit quantique (un canyon) dans la bande de conduction sur le ct GaAs o les lectrons peuvent se dplacer rapidement sans entrer en collision avec toutes les impurets, car la couche de GaAs est non dop. L'effet de ceci est de crer une couche trs mince dlectrons trs mobiles avec une concentration trs leve, permettant une haute mobilit lectronique. Cette couche est appele un gaz d'lectrons bidimensionnel.

Figure 3 : Transistor HEMT

Une combinaison de matriaux couramment utiliss sont de GaAs avec AlGaAs , mais il ya de grandes variations, en fonction de l'application ; les dispositifs comportant plus de l'indium ont gnralement un meilleur rendement haute frquence, tandis que ces dernires annes, le nitrure de gallium HEMT a attir l'attention en raison de sa performance en frquence. La structure de bande en GaAs / AlGaAs htrojonction base HEMT Pour permettre la conduction, les semi-conducteurs sont dops par des impurets qui donnent des lectrons mobiles (ou trous ).Toutefois, ces lectrons sont ralentis par des collisions avec les impurets (dopants) utilises pour les gnrer en premier lieu. Le HEMT permet dviter cela, grce l'utilisation des lectrons de haute mobilit gnre en utilisant l'htrojonction d'une trs large bande interdite dop de type n donateurs approvisionnement couche (AlGaAs dans notre exemple) et une couche non dope canal troit-largeur de bande interdite sans impurets dopant ( GaAs dans ce cas). Il existe plusieurs sortes de transistor HEMT.

CIRCUITS MONLITHIQUES MMICs

3.2.1 Le pHEMT Idalement, les deux diffrents matriaux utiliss pour une htrojonction aurait la mme constante de rseau (l'espacement entre les atomes). Dans la pratique, par exemple sur AlGaAs GaAs, les constantes de rseau sont gnralement lgrement diffrentes, ce qui entrane des dfauts cristallins. Ces discontinuits rduisent considrablement la performance du dispositif. Un HEMT o cette rgle est viole est appel un pHEMT ou pseudomorphique HEMT. Ceci est ralis en utilisant une couche extrmement fine de l'un des matriaux , si mince que le rseau cristallin s'tend tout simplement pour s'adapter l'autre matriau. Cette technique permet la construction de transistors grande largeur de bande interdite, donc de meilleures performances. 3.2.2 Le mHEMT Une autre faon d'utiliser des matriaux de constantes de rseau diffrentes est de placer une couche tampon entre eux. Ceci est fait dans le mHEMT ou mtamorphiques HEMT, une volution du HEMT. La couche tampon est fait d' AlInAs , avec la concentration d'indium gradu afin qu'il puisse correspondre la constante du rseau la fois du substrat de GaAs et le canal GaInAs. Cela porte l'avantage que pratiquement toute concentration d'indium dans le canal peut tre ralis, alors les dispositifs peuvent tre optimiss pour diffrentes applications (faible concentration d'indium fournit peu de bruit , la concentration d'indium leve donne des gains lvs ). Les HEMT ont des gains en courant des frquences suprieures 600 GHz et le gain de puissance des frquences suprieures 1 THz. Leur application se trouve dans l'imagerie, radars , la radioastronomie et dans n'importe quelle application o un gain lev et un faible bruit des frquences leves est ncessaire. 3.3 Le HBT Le HBT ou Transistor bipolaire Htrojonction (Heterojonction Bipolar Transistor) est un type de transistor jonction bipolaire (BJT), qui utilise des matriaux semi-conducteurs diffrents pour l'metteur et la rgion de base, la cration d'une htrojonction. L'effet est de limiter l'injection de trous de la base dans la rgion d'metteur, depuis la barrire de potentiel dans la bande de valence est plus leve que dans la bande de conduction, contrairement la technologie BJT, ce qui permet une densit de dopage lev pour tre utilis dans la base, en rduisant la rsistance de base tout en conservant le gain. L'efficacit de l'htrojonction est mesure par le facteur Kroemer . Le HBT est meilleur que le BJT en ce qu'elle permet de manipuler des signaux de frquences trs leves, jusqu' plusieurs centaines de GHz . Il est couramment utilis dans les circuits ultra modernes, la plupart dans des systmes de radio-frquence (RF), et dans des applications ncessitant une haute efficacit nergtique, tels que les amplificateurs de puissance RF dans les tlphones cellulaires. L'ide d'employer une htrojonction est aussi vieille que le Transistor bipolaire conventionnelle, anne1951. Afin de raliser des transistors HBT de haute qualit, lpitaxie est ralise par jet molculaires. En plus des couches de base, metteur et le collecteur, des couches fortement dopes sont dposes sur chaque ct du collecteur et de lmetteur pour faciliter un contact ohmique , ces couches sont placs sur les couches de contact aprs l'exposition par photolithographie et gravure. La couche de contact en dessous du collecteur, nomm souscollecteur, est une partie active du transistor.

CIRCUITS MONLITHIQUES MMICs

Figure 4 : Transistor HBT en coupe En plus d'tre dtenteurs de records en termes de vitesse, les HBT fait d' InP / InGaAs sont idales pour les circuits intgrs monolithiques optolectroniques. Parmi les applications HBT d'autres sont des circuits signaux mixtes tels que les convertisseurs analogiquenumrique et numrique-analogique.

4 CONCLUSION
Plus la rapidit des transistors augmente (frquences) plus il est possible de concevoir des ordinateurs plus rapides, plus souples et sans fil scurise, des systmes de communications, et des systmes de combat lectronique plus efficaces. Comme l'Internet, la MMIC GaAs est ne de la base de recherche militaire mais est susceptible de produire le plus d'impact sur les marchs commerciaux et de consommation. Actuellement : Bipolaire(50-60GHz), BiCMOS(0,25m/40GHz) AsGa(0,18 m/120GHz) SiGe-HBT(0,35 m/80GHz)

Futur : CMOS SOI (Semiconductor On Insolator) Supraconducteurs (projets militaires)

Ce rapport nous a permis de mieux comprendre les circuits MMIC et MIC surtout sur le plan thorique, la mise en pratique par la simulation de ces circuits viendrait complter nos connaissances.

CIRCUITS MONLITHIQUES MMICs

5 ANNEXES
Innovation sur les technologies microondes :

Figure 5 : Schmas de types de transistors pour les hyperfrquences a)GaAs MESFET, b) GaAs HEMT, c) GaAs HBT, d) Advanced Si-Bipolar (Siemens B6HF), e) SiGe HBT (Siemens B7HF), f) BiCMOS (Siemens B6HFC)

10

CIRCUITS MONLITHIQUES MMICs

++ : Meilleur,

+ : Bon,

o : Moyen

Figure 6 : Tableau de comparaison des performances des diffrents transistors.

6 SOURCES
http://www.csmantech.org/Digests/1999/PDF/59.pdf http://easytp.cnam.fr/algani/images/ELE202_CNAM_10_2008.pdf http://technology-electronic.blogspot.com/2011_07_01_archive.html http://en.wikipedia.org/wiki/Monolithic_microwave_integrated_circuit http://en.wikipedia.org/wiki/MESFET http://en.wikipedia.org/wiki/High_electron_mobility_transistor http://www.physorg.com/news142864069.html Cours MMIC GE5 ENSAO

11

CIRCUITS MONLITHIQUES MMICs

Vous aimerez peut-être aussi