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6.

Amplificatori elementari a BJT


6.1 Il modello per piccoli segnali del BJT
Nel capitolo precedente, nel paragrafo 5.6, abbiamo visto che il transistore bipolare, opportunamente polarizzato in un punto di lavoro, pu essere utilizzato come un amplificatore per il segnale di ingresso vS e abbiamo visto come si pu dimensionare un circuito standard di polarizzazione. Se per vogliamo studiare in maniera quantitativa il funzionamento e le prestazioni di un amplificatore a BJT, dobbiamo essere in grado di descrive o modellare in maniera semplice il comportamento del circuito di fig. 5.21 nei riguardi delle sole variazioni delle tensioni e delle correnti rispetto al punto di lavoro. In altre parole dobbiamo avere a disposizione un modello che descriva in maniera semplice il comportamento del transistore bipolare nei confronti delle variazioni di tensione e di corrente ai terminali del dispositivo, cio nei confronti dei segnali di tensione e di corrente nel dispositivo, come abbiamo gi fatto per il diodo nel paragrafo 3.5. Come nel caso del diodo, il BJT un dispositivo dalle caratteristiche decisamente non lineari, per cui il problema della formulazione di un modello valido per i soli spostamenti delle grandezze elettriche rispetto al punto di lavoro scelto risulta grandemente semplificato se si considera una linearizzazione delle caratteristiche del transistore intorno al punto di lavoro stesso, cio se tali caratteristiche possono essere convenientemente approssimate utilizzando la retta tangente alle caratteristiche stesse nel punto di lavoro. Tale approssimazione ovviamente sar tanto pi efficace e valida quanto pi gli spostamenti rispetto al punto di lavoro saranno piccoli, per cui il modello che costruiremo nel seguito sar un modello lineare per piccoli segnali del transistore bipolare. Consideriamo il transistore bipolare di tipo NPN polarizzato in zona attiva diretta: il modello equivalente, ovviamente non lineare, che ne descrive il funzionamento ai terminali, stato rappresentato in fig. 5.5, che viene qui ripresa. IB
B
VBE

IC
C
VBE

ISB e VT

IS e VT E

IE

Figura 6.1:Modello equivalente del transistore bipolare NPN

Se vogliamo costruire un modello equivalente per piccoli segnali, linearizzando le caratteristiche del circuito rappresentato in fig. 6.1 intorno al punto di lavoro, dobbiamo sostituire il diodo incluso nel circuito di base con un resistore di valore pari alla resistenza differenziale del diodo e il generatore pilotato non lineare con un generatore pilotato lineare che leghi il segnale di corrente IC=iC al segnale di tensione VBE=vBE. Avremo allora che:

VBE

dI C I C dVBE

dVBE
Q

dI e VT = S dVBE
Q

dVBE =

IC v BE VT

(6.1)

Il segnale in tensione vBE sar da ora in poi indicato con il simbolo v, per uniformit con quanto riportato su molti testi di elettronica. Riscriviamo la 6.1, che esprime la dipendenza delle variazioni della corrente di collettore (segnale di corrente nel collettore) dalle variazioni di tensione tra base ed emettitore:
I iC = C v VT
Q

=g

v m

(6.2)

Il parametro gm si chiama transconduttanza differenziale, o semplicemente transconduttanza, del transistore bipolare e rappresenta quindi il rapporto tra i segnali iC e v intorno a un certo punto di lavoro Q. Esso si calcola come rapporto tra la corrente di collettore nel punto di lavoro e tensione termica VT:
g m =

IC VT

(6.3)

La transconduttanza di un transistor si misura, di solito, in mA/V. Ad esempio, se consideriamo un BJT polarizzato con ICQ=1mA, la sua transconduttanza vale circa 40mA/V. Consideriamo ora il diodo del circuito di base nella fig. 6.1. Come abbiamo visto nel capitolo dedicato al diodo a giunzione, il suo equivalente per piccolo segnale un resistore di valore pari al rapporto tra tensione termica e corrente di polarizzazione nel diodo (se il coefficiente di emissione n, come nel nostro caso, circa unitario). Avremo quindi:

V V VBE v BE = T = T = Q Q iB gm I B IB IC

(6.4)

Se indichiamo il resistore equivalente per piccoli segnali del diodo con il simbolo r, abbiamo quindi che:
r = gm

(6.5)

Se, inoltre, indichiamo il segnale di tensione vBE con il simbolo v, tradizionalmente usato in molti testi di elettronica, otteniamo il seguente modello equivalente per piccolo segnale del BJT NPN, rappresentato in fig. 6.2: B iB C v

+ _
r E

iC gmv

Figura 6.2: Modello per piccoli segnali del transistore bipolare NPN

Una variante del circuito equivalente in fig. 6.2 si pu facilmente ottenere se si considera la relazione IC=IB, che, essendo lineare, porta alla identica relazione tra i segnali di corrente di collettore e di base: iC=iB (6.6) Di conseguenza, il generatore di corrente pilotato gmv in fig. 6.2 si pu sostituire con il generatore pilotato iB, come nella seguente fig. 6.3. Si noti che i due generatori pilotati sono assolutamente equivalenti, dato che gmv = gmriB = iB. B iB C v

+ _
r E iB

iC

Figura 6.3: Rappresentazione alternativa del circuito equivalente per piccoli segnali del BJT NPN

Prima di considerare il modello analogo per il transistore di tipo PNP, facciamo un paio di considerazioni. Il modello in fig. 6.2 e 6.3 vale soltanto in zona attiva diretta. In saturazione sappiamo che il transistore tende a mantenere costante la VCE e quindi le relazioni tra iC e iB e tra iC e v sono completamente differenti. Inoltre sappiamo anche che anche in zona attiva diretta esiste una piccola dipendenza della corrente di collettore dalla tensione VCE (effetto Early). Il modello per piccoli segnali che abbiamo costruito dovrebbe essere quindi completato con un resistore lineare, inserito tra collettore ed emettitore, che rappresenti appunto il contributo al segnale iC dovuto al segnale vCE, come in fig. 6.4. B C iB
v

+ _
r
gmv

iC
r

E
Figura 6.4: Inserzione del resistore rO per modellare leffetto Early per piccoli segnali

Nelle applicazioni che considereremo nel seguito i valori dei resistori che inseriremo nel circuito di collettore saranno sempre abbastanza piccoli rispetto al valore che assume di solito il parametro rO, per cui potremo trascurare, in prima approssimazione, questo resistore e considerare il modello approssimato in fig. 6.2 o 6.3. Se consideriamo il transistore di tipo PNP, dovremmo considerare il modello equivalente del dispositivo rappresentato in fig. 5.8 e ripercorrere i passaggi seguiti nel caso del BJT NPN per ottenere le relazioni tra i segnali di corrente e di tensione del transistore. Poich lunicadifferenza

tra le tensioni e le correnti nei transistori dei due tipi sono i segni, mentre le caratteristiche sono del tutto sovrapponibili, quello che otterremo sar il circuito equivalente in fig. 6.5. B iB C

_
vEB r

iC gmvEB E

Figura 6.5: Modello per piccolo segnale di un BJT PNP

Se per indichiamo con v il segnale vBE = -vEB, il generatore pilotato diventa gmv e quindi si pu semplicemente capovolgere e indicare con gmv. A questo punto il circuito di fig. 6.5 diventa del tutto identico al circuito di fig. 6.2 se si considerano i segnali di corrente di base e di collettore entranti nei relativi terminali, anzich uscenti. Di conseguenza possiamo concludere che il modello per piccoli segnali di un transistore bipolare PNP del tutto identico a quello di un transistore di tipo NPN, a patto che si adottino le stesse convenzioni di segno per i segnali di tensione e di corrente per i due dispositivi. La fig. 6.6, quindi, rappresenta le convenzioni di segno che comodo assumere per i segnali in un transistore bipolare PNP.

E iB B C

iE

iC

Figura 6.6: Convenzioni di segno per i segnali di corrente in un BJT PNP

Infine, se si assumono queste convenzioni di segno per i segnali di corrente, il modello per piccoli segnali del PNP quello rappresentato in fig. 6.2 o 6.3.

6.2 Amplificatore a emettitore comune


Abbiamo ora tutti gli strumenti per studiare il circuito amplificatore in fig. 5.21, in quanto sappiamo determinare il suo punto di lavoro e siamo anche in grado di studiare il suo comportamento dei riguardi del segnale utilizzando il modello equivalente per piccolo segnale del BJT che abbiamo costruito. Per comodit riportiamo nella seguente fig. 6.7 lamplificatore a cui ci stiamo riferendo, cio quello della fig. 5.21. Assumiamo che il segnale vS sia sinusoidale.

RC
RB VBB vS IBQ+iB ICQ+iC VO=VCEQ+vCE VCC

Figura 6.7: Amplificatore a BJT

Per prima cosa dobbiamo determinare il punto di lavoro del circuito, annullando tutti i generatori indipendenti di tensione e di corrente che variano nel tempo. Otteniamo il seguente circuito di polarizzazione fissa: RC

RB VBB IBQ

VOQ

ICQ

VCC

Figura 6.8: Punto di lavoro dell amplificatore di fig. 6.7

Calcolato il punto di lavoro, sono noti i parametri del circuito equivalente per piccolo segnale del BJT, e cio : Q IC gm = r = VT gm Adesso possiamo considerare il circuito equivalente dellamplificatore per piccoli segnali. Ci interessano solo le variazioni di tensione e corrente nel circuito rispetto al punto di lavoro, per cui dobbiamo annullare tutti i generatori indipendenti di tensione e corrente (cortocircuitando i primi e staccando i secondi). Inoltre i dispositivi non lineari, in questo caso il solo BJT, vanno sostituiti con il relativo circuito equivalente per piccolo segnale. Ne risulta il seguente circuito in fig. 6.9.

RB vS(t)

B v

C r gmv RC

+ _

+ v (t) _o

Figura 6.9: Circuito equivalente per piccolo segnale dellamplificatore

Il circuito equivalente per piccolo segnale in fig. 6.9 ci dice che, nel caso in cui la linearizzazione delle caratteristiche del transistor costituisce unapprossimazione accettabile, il che accade quando lo spostamento del punto di lavoro dovuto allapplicazione di vS non eccessivamente ampio, la forma donda del segnale di uscita sar uguale a quella del segnale di ingresso, cio sinusoidale. Ci dovuto al fatto che il circuito lineare. Potremo quindi calcolare il rapporto tra lampiezza del segnale di uscita vO e quella del segnale di ingresso vS, facendo dei semplicissimi calcoli. r r v v O = g m v R C = g m R C vS AV = O = g m R C (6.7) vS r + R B r + R B

Il rapporto tra segnale in tensione di uscita vO e il segnale in tensione di ingresso vS si chiama guadagno di tensione dellamplificatore. Esso esprime il rapporto tra le variazioni della tensione di uscita VO e le variazioni della tensione di ingresso, vS. Il fatto che il nostro circuito ha guadagno negativo significa che una variazione positiva (aumento) della tensione di ingresso corrisponde a una variazione negativa (diminuzione) della tensione di uscita. Come abbiamo gi osservato nel capitolo precedente abbiamo un amplificatore invertente. Il nostro amplificatore si caratterizza per il fatto che il segnale di ingresso applicato alla base del BJT, il segnale di uscita prelevato sul collettore del transistor e infine lemettitore del BJT si trova a massa di segnale. Un circuito con queste caratteristiche si chiama amplificatore a emettitore comune. Se consideriamo la figura 6.9, il valore del guadagno di tensione dellemettitore comune tra base e collettore vale: vO = g m R C v dove RC la resistenza collegata tra collettore e massa di segnale, in questo caso rappresentata dallalimentazione VCC.
RB vS(t) Ri B C r gmv E
Figura 6.10: Resistenza di ingresso e di uscita dellemettitore comune

+ v _

RC

+ v (t) _o

RO

La resistenza di ingresso vista alla porta di ingresso dellamplificatore (individuata dai morsetti di base e di emettitore, cio massa, come in fig. 6.10) vale Ri=r. Si definisce resistenza di uscita la resistenza dellequivalente di Thevenin alla porta di uscita, individuata dai morsetti di collettore e di emettitore, come in fig. 6.10. Nel caso dellemettitore comune essa vale RO=RC. Ovviamente otteniamo gli stessi risultati in termini di guadagno, resistenza di ingresso e resistenza di uscita dellamplificatore a emettitore comune se adottiamo per il transistore bipolare il

modello per piccoli segnali contenente il generatore pilotato di corrente iB al posto di gmv, come si vede in fig. 6.11.
RB vS(t) Ri B iB r iB C RC

+ v _

+ v (t) _o

RO

E
Figura 6.11: Modello alternativo dellemettitore comune

Per esempio, il guadagno di tensione del circuito in fig. 6.11 si trova facilmente: v O = i B R C = R C vS R B + r

da cui si ottiene il guadagno vO/vS: AV= vO R C = i B R C = vS R B + r (6.8)

che esattamente lequazione (6.7) se si considera che =gmr. Si pu anche considerare il seguente circuito equivalente dei circuiti delle figure 6.10 e 6.11, ottenuto esplicitando il guadagno di tensione del circuito e la sua resistenza di uscita (fig. 6.12). RB
vS + v _

RO r
+ v _

AvvS

Figura 6.12: Modello dellemettitore comune che evidenzia il guadagno e la resistenza di uscita

Il modello in fig. 6.12 esprime il fatto che il guadagno di tensione del circuito resta uguale al valore AV della (6.7) o della (6.8) solo nel caso in cui luscita del circuito a vuoto. Se si aggiunge una resistenza di carico RL sulluscita del circuito in fig. 6.12 il guadagno in tensione diminuisce e diventa
AV ' = AV RL RO + RL

La riduzione del guadagno di tensione quindi dovuta alla resistenza di uscita RO non nulla dellamplificatore. In generale, quindi possiamo dire che un buon amplificatore di tensione, per avere un guadagno allincirca costante al variare del carico, deve avere una resistenza di uscita abbastanza bassa. La resistenza di uscita di un emettitore comune la resistenza che carica il collettore del transistor, come abbiamo gi visto.

Anche la resistenza vista alla porta di ingresso dellamplificatore importante ai fini della determinazione del guadagno dellamplificatore. Leq. (6.7) dice infatti che la resistenza Ri, che nel nostro caso pari alla r del transistor, contribuisce al guadagno in tensione del circuito, creando un partitore di tensione con la resistenza RB. Se quindi la resistenza RB varia, il guadagno varia, dipendendo quindi anche dal valore della resistenza caratteristica della sorgente del segnale. In altre parole una parte del segnale cade sulla RB se la resistenza di ingresso dellamplificatore finita. Un buon amplificatore di tensione dovrebbe quindi avere una resistenza di ingresso abbastanza alta per evitare che leffetto del partitore di tensione formato dalla resistenza caratteristica della sorgente e dalla resistenza di ingresso dellamplificatore si traduca in una diminuzione eccessiva del guadagno. Ricapitolando, un buon amplificatore di tensione deve avere una resistenza di ingresso abbastanza alta e una resistenza di uscita abbastanza piccola. Ci rende il guadagno di tensione dellamplificatore insensibile rispettivamente nei confronti della resistenza della sorgente e della resistenza di carico. Un amplificatore ideale di tensione quindi rappresentato da un generatore di tensione pilotato dalla tensione di ingresso, con RO=0 e Ri=. Se partiamo da un transistore, per esempio di tipo PNP, polarizzato per mezzo del circuito di autopolarizzazione, possiamo costruire un amplificatore a emettitore comune nel seguente modo. Innanzitutto dobbiamo collegare la sorgente di segnale, che costituita da un generatore di tensione vS con in serie una resistenza RS, alla base del BJT. Se procediamo come in fig. 6.13 con un collegamento diretto (accoppiamento in DC), il risultato sar una perturbazione del punto di lavoro che era stato fissato tramite il circuito di autopolarizzazione. VCC R1 RS vS R2 RC RE

Figura 6.13: Accoppiamento in DC del segnale alla base del BJT

Per evitare di perturbare il punto di lavoro possiamo collegare il segnale alla base del transistor mediante un condensatore detto di disaccoppiamento, come Ci in fig. 6.14. Se il condensatore ha un valore di capacit abbastanza grande, esso non lascia ovviamente passare le componenti continue (e quindi le grandezze relative al punto di lavoro del circuito) e tende a tenere costante la tensione ai suoi capi, a causa della sua costante di tempo molto lunga. Ci significa che il condensatore si comporta come un elemento che inibisce le variazioni di tensione ai suoi capi, quindi come un cortocircuito per il segnale. Nello stesso modo, usando un altro condensatore di disaccoppiamento CL, possiamo anche collegare uneventuale ulteriore resistenza di carico RL alluscita del circuito (fig. 6.14), senza che essa perturbi il valore della tensione di collettore nel punto di lavoro. Su questa resistenza avremo anche garantite tensione e corrente nulla in assenza di segnale di ingresso, cio nel punto di lavoro. Infine dobbiamo garantire che lemettitore sia connesso alla massa del segnale, cio che la sua tensione sia circa costante e pari al valore che assume nel punto di lavoro. Per fare questo sufficiente collegare un condensatore CE tra il collettore e la massa di segnale, che pu essere

qualunque punto a tensione costante, quindi anche VCC nel caso della fig. 6.14. Tale condensatore si dice condensatore di bypass in quanto costituisce un cammino alternativo verso massa per la corrente di segnale rispetto alla resistenza di emettitore RE.
VCC R1 RE CE RS vS R2 RC CL RL Ci vo

Figura 6.14: Amplificatore a emettitore comune con sorgente e carico disaccoppiati in continua tramite condensatori di disaccopiamento e resistenza di emettitore bypassata da CE.

Il circuito equivalente per piccoli segnali dellamplificatore riportato in fig. 6.15. In esso i condensatori sono stati considerati dei cortocircuiti. Sono presenti anche i contributi delle resistenze del circuito di autopolarizzazione.
RS vS(t) Ri B C r//R2//R1 gmv RC//RL

+ v _

+ v (t) _o

RO

E
Figura 6.15: Circuito equivalente per piccoli segnali dellamplificatore di fig. 6.14

Ripetendo il calcolo svolto precedentemente per laltro amplificatore, il guadagno di tensione pari a: AV = r // R 2 // R 1 vO = g m (R C // R L ) , vS (r // R 2 // R 1 ) + R S

in quanto la resistenza totale che il collettore del transistor vede come carico vale appunto RC//RL. Per esempio RL potrebbe anche rappresentare la resistenza di ingresso di un successivo stadio di amplificazione posto in cascata al nostro emettitore comune. Nella precedente equazione si riconosce anche il contributo della partizione di tensione dovuta alla presenza della resistenza RS della sorgente e alla resistenza di ingresso non infinita dellamplificatore, nel nostro caso pari a Ri=r//R1//R2. Si comprende adesso un p meglio perch non conviene scegliere valori troppo piccoli per le resistenze che polarizzano la base nel circuito di autopolarizzazione: il guadagno di tensione verrebbe penalizzato a causa delleccessiva riduzione della resistenza di ingresso del circuito.

6.3 Amplificatore con degenerazione di emettitore


Consideriamo un amplificatore basato su un circuito molto simile a quello di fig. 6.14, implementato con un transistore bipolare di tipo NPN polarizzato con uno schema di autopolarizzazione (fig. 6.16).
VCC R1 RC vo

RS vS

Ci

R2

RE VEE

Figura 6.16: Amplificatore senza condensatore di bypass sul resistore RE

Il segnale di ingresso sempre applicato alla base del BJT e luscita prelevata sul collettore del transistor, esattamente come nei casi precedentemente proposti. La differenza sostanziale rispetto ai circuiti precedenti consiste nel fatto che, non essendo stato inserito nessun condensatore di bypass sulla resistenza di emettitore RE, lemettitore non a massa per il segnale. Il segnale vede tutta la resistenza RE, che quindi non solo importante ai fini della determinazione del punto di lavoro del BJT, ma influisce anche sul comportamento del circuito nei riguardi dei segnali, cio delle variazioni di tensione e corrente. Tracciamo il circuito equivalente per piccolo segnale del nuovo amplificatore, riportato in fig. 6.17.
RS vS R1//R2 Ri iB

+
r v

vo Ro iB RC

RE

Figura 6.17: Circuito equivalente per piccoli segnali dellamplificatore in fig. 6.16

Calcoliamo innanzitutto la resistenza di ingresso del circuito cos come stata indicatata in fig. 6.17, cio la resistenza che si vede guardando nella porta definita dai morsetti di base e di massa. Tale resistenza vale:

Ri =

v B r i B + R E ( + 1)i B = = r + R E ( + 1) iB iB

(6.9)

Questo risultato notevole, in quanto stabilisce che la resistenza di degenerazione RE viene vista, guardando dalla base del transistor, moltiplicata per un fattore molto elevato, pari a +1, a causa della presenza del generatore pilotato iB. La resistenza di ingresso dellamplificatore, escludendo la rete di polarizzazione R1-R2, pari quindi a r+(+1)RE, che un valore notevolmente pi elevato rispetto a quello di un emettitore comune, pari al solo r. Il guadagno di tensione tra il collettore, cio luscita e la base del transistore, si pu ora calcolare facilmente: v R C v vB v o = R C i B = R C B = R C AV = o = (6.10) Ri r + R E ( + 1) vB r + R E ( + 1) Dividendo il numeratore e il denominatore della (6.10) per r, si ottiene unaltra utile espressione del guadagno:

RC g R r AV = m C (6.11) ( + 1) 1+ gmR E RE 1+ r La (6.11) indica che il guadagno, che sempre invertente, in presenza della degenerazione di emettitore, si riduce di un fattore pari a 1+gmRE rispetto a quello di un emettitore comune. Infine, se il valore del fattore gmRE risulta essere abbastanza grande rispetto allunit, allora la (6.11) si riduce alla seguente equazione: AV gmR C R C 1+ gmR E RE se g m R E >> 1 (6.12)

Anche la (6.12) rappresenta un risultato notevole, in quanto dice che il guadagno del circuito (sempre considerando il rapporto tra il segnale di uscita e quello sulla base del transistor), diventa praticamente indipendente dalla gm (e quindi anche dal punto di lavoro del BJT), se gmRE>>1. Ci implica che il circuito diventa molto robusto nei confronti delle variazioni statistiche dei parametri del transistore bipolare (in particolare del ). Infine, se consideriamo il guadagno di tensione di tutto il circuito di fig. 6.17 vo/vS, dobbiamo moltiplicare lespressione (6.11) per il partitore di tensione che si ottiene considerando la resistenza RS e la resistenza di ingresso del circuito vista immediatamente a valle di RS stessa, che vale R1//R2//Ri. A VTOT = vo vo vB g R R 1 // R 2 // R i = m C vS v B vS 1 + g m R E R S + R 1 // R 2 // R i (6.13)

In questo caso ancora pi evidente la possibile influenza delle resistenze che polarizzano la base del transistor nel circuito di autopolarizzazione. Se esse sono troppo piccole, si perde quasi del tutto il vantaggio in termini di resistenza di ingresso offerto dalla presenza della resistrenza di degenerazione dellemettitore. Per quanto riguarda la resistenza di uscita del circuito Ro, essa non varia rispetto a quella dellemettitore comune, cio sempre pari alla RC totale che carica il collettore del transistor. Concludendo conviene sottolineare il fatto che anche questo amplificatore invertente.

6.4 Inseguitore di emettitore


Consideriamo ancora il circuito rappresentato nella figura 6.16, ma questa volta preleviamo luscita del segnale vo sullemettitore del BJT e non sul collettore, come si vede in fig. 6.18. In questo caso, per esempio, la polarizzazione stata effettuata con una sola tensione di alimentazione, mentre in fig. 6.16 stata considerata unalimentazione duale. VCC

R1 RS vS Ci

RC

vo R2 RE

Figura 6.18: Inseguitore di emettitore

In pratica abbiamo polarizzato il transistore NPN con il classico circuito di autopolarizzazione, abbiamo applicato il segnale di ingresso sulla base del transistore, attraverso il condensatore di disaccoppiamento Ci, e preleviamo luscita vo sullemettitore del transistore. Questa configurazione di amplificatore a BJT prende il nome di inseguitore di emettitore. Il circuito equivalente per piccolo segnale di questo amplificatore ovviamente identico a quello riportato in fig. 6.17, con lunica differenza che il segnale in tensione di uscita non quello sulla resistenza RC, ma quello sulla resistenza RE, come in fig. 6.19.
RS vS R1//R2 Ri iB r

+ -

iB vo RE

RC

Ro

Figura 6.19: Circuito equivalente per piccolo segnale dellinseguitore di emettitore

Calcoliamo innanzitutto il valore del guadagno in tensione tra la base e luscita. Abbiamo che la tensione di uscita :

v o = v E = R E (i B + i B ) = R E ( + 1)i B

(6.14)

La corrente di base si calcola considerando che la resistenza che si vede tra base e massa, cio Ri in fig. 6.16, gi stata calcolata nelleq. (6.9) e vale: v R i = B = r + R E ( + 1) , iB per cui abbiamo che v vB iB = B = . (6.15) R i r + R E ( + 1) Sostituendo la (6.15) nella (6.14), otteniamo: vB , da cui si ricava il guadagno v o = ( + 1) r + R E ( + 1)
AV = vo R E ( + 1) = v B r + R E ( + 1)

(6.16)

Di solito si ha che la resistenza RE(+1) molto maggiore di r, per cui la (6.16) fornisce un guadagno che non invertente e molto vicino al valore unitario. Proprio per questo motivo il circuito viene chiamato inseguitore di emettitore, in quanto le variazioni di tensione in ingresso al circuito vengono riprodotte sulluscita, a patto che sia verificata la relazione: RE(+1)>>r . (6.17)

Si pu formulare unespressione alternativa del guadagno del circuito rispetto alla (6.16). Infatti, se dividiamo il numeratore e il denominatore della (6.16) per r, otteniamo:

AV =

vo = vB

r R Egm ( + 1) 1 + R E g m 1+ RE r

RE

( + 1)
(6.18)

Si pu quindi affermare, in modo del tutto equivalente alla diseguaglianza (6.17), che il guadagno dellinseguitore di emettitore circa unitario se il prodotto gmRE abbastanza grande rispetto allunit, cosa che si verifica nella maggior parte dei casi pratici. A questo punto lecito chiedersi a cosa pu servire un circuito che ripete in uscita il segnale applicato allingresso (cio il segnale applicato alla base del BJT); consideriamo il guadagno in tensione di tutto il circuito, cio: A VTOT = vo vo vB gmR E R 1 // R 2 // R i = v S v B v S 1 + g m R E R S + R 1 // R 2 // R i (6.19)

Notiamo che, se le resistenze del circuito di autopolarizzazione sono abbastanza elevate, grazie al valore molto elevato della Ri, leffetto del partitore di tensione generato dalla presenza della resistenza della sorgente RS non molto grande. In altre parole il guadagno totale del circuito tra vS e vo non molto diverso rispetto allunit, purch sia verificata la relazione gmRE>>1 (oppure,

equivalentemente, RE(+1)>>r). Quindi il circuito presenta una delle caratteristiche fondamentali di un buon amplificatore di tensione, che la resistenza di ingresso molto elevata. Ovviamente questa propriet legata alla realizzazione di un circuito di polarizzazione con resistenze R1 e R2 abbastanza elevate, in modo del tutto identico a quanto visto per quanto riguarda il circuito con degenerazione di emettitore, che per presentava una resistenza di uscita pari a RC. Calcoliamo quindi la resistenza di uscita dellinseguitore di emettitore. Il circuito da utilizzare per questo calcolo il seguente: RS
R1//R2

v
ix2

iB

RC

ix1

RE

ix

vx

Figura 6.19: Resistenza di uscita dellinseguitore di emettitore

Abbiamo che:
RO = vx ; ix vx vx v vx ( + 1) = x + + ( + 1) R E r + ( R S // R 1 // R 2 ) R E r + R BTOT

i x = i x1 + i x 2 =

Infine:
1 1 ( + 1) da cui si ha che: = + R O R E r + R BTOT

R O = R E //

r + R BTOT ( + 1)

(6.20)

Concludendo, possiamo dire che, dalla figura 6.19, notiamo che la resistenza di uscita Ro il parallelo tra la RE e la resistenza che si vede guardando nellemettitore del transistore bipolare, data r + R BTOT da vx/ix2. La (6.20) ci dice che tale resistenza vale , essendo RBTOT la resistenza totale ( + 1) che collega la base del transistore alla massa di segnale, cio nel nostro caso RS//R1//R2. Nel caso in cui la base a massa di segnale, cosa che accade per esempio quando RS=0, allora la resistenza che r 1 si vede dallemettitore del transistore vale solo . ( + 1) g m Lequazione (6.20) ci fornisce un risultato notevole: la resistenza di uscita di un inseguitore di emettitore molto piccola, dato che uno dei due contributi in parallelo che la compongono

r + R BTOT , cio una piccola resistenza. Quindi linseguitore di emettitore possiede anche ( + 1) laltra caratteristica di un buon amplificatore di tensione, cio ha una resistenza di uscita bassa. Se riguardiamo i calcoli che abbiamo eseguito per determinare il guadagno e le resistenze ai terminali dellinseguitore di emettitore, notiamo che la resistenza di collettore RC non ha dato alcun contributo, per cui possiamo senzaltro eliminarla, cio sostituirla con un corto circuito, senzacambiare essenzialmente le prestazioni dellamplificatore relativamente al segnale. Otteniamo in questo modo un amplificatore a collettore comune, in quanto il collettore si trova, in questa configurazione dellinseguitore di emettitore, a massa di segnale. Nella successiva figura 6.20 riportiamo un esempio di amplificatore a collettore comune realizzato con un BJT di tipo PNP e con tensione di alimentazione duale. Viene riportato anche il circuito equivalente per piccolo segnale.
proprio VCC Ri RS RE CE vo vS vS VEE Ro RS r v iB vo RE//RL

RL

Figura 6.20: Esempio di amplificatore a collettore comune con BJT PNP

Nel circuito in figura abbiamo un carico RL disaccoppiato in continua, che non influisce sulla determinazione del punto di lavoro del BJT, grazie al condensatore CE, di valore abbastanza grande da poter essere considerato un corto circuito per il segnale. Invece il resistore in serie al segnale di ingresso RS contribuisce alla determinazione del punto di lavoro. I valori del guadagno in tensione, della resistenza di ingresso e della resistenza di uscita del circuito, come indicati in figura, sono rispettivamente: v v v g m R E // R L Ri AV = o = o B v S v B v S 1 + g m R E // R L R S + R i

R i = r + (R E // R L )( + 1) R O = R E // R L // r + R S ( + 1)

6.5 Amplificatore a base comune


Partiamo ancora dal circuito di autopolarizzazione, questa volta considerando, ad esempio, un transistore di tipo PNP e alimentazione duale, rappresentato in fig. 6.21. VCC
R2 RE

R1

RC VEE

Figura 6.21: Circuito di autopolarizzazione per un transistore bipolare PNP

Colleghiamo a massa di segnale la base del transistore: per far questo senza alterare il punto di lavoro deciso dal circuito di autopolarizzazione possiamo usare un condensatore di bypass CB, di valore abbastanza grande da poter essere considerato un cortocircuito alle frequenze dei segnali che ci interessa amplificare, collegato tra la base e la massa del circuito. Il segnale di ingresso, rappresentato da un generatore di tensione variabile nel tempo vS, viene applicato allemettitore del BJT, attraverso un condensatore di disaccoppiamento CE per non perturbare il punto di lavoro. Il segnale di uscita viene prelevato sul collettore del transistore e portato attraverso un altro condensatore di disaccoppiamento CL su un resistore di carico RL. Il circuito risultante, rappresentato in fig. 6.22, si chiama amplificatore a base comune.
VCC R2 RE CE CB R1 VEE
Figura 6.22: Amplificatore a base comune

vS vo RL

RC

CL

Per valutare il guadagno in tensione per piccolo segnale del circuito, possiamo osservare che, poich applichiamo il segnale di ingresso sullemettitore e mettiamo la base a massa, il guadagno del circuito deve essere lo stesso di un emettitore comune (tra base e collettore), nel quale il segnale si applica sulla base tenendo lemettitore a massa di segnale. Lunica differenza tra i due casi deve essere il segno del guadagno, che opposto. Verifichiamo questa conclusione tracciando il circuito equivalente per piccoli segnali dello stadio, riportato in fig. 6.23.

B r

+ _
v E gmv RE

vo RC//RL

vS

Figura 6.23: Equivalente lineare per piccoli segnali dellamplificatore a base comune di fig. 6.22

Notiamo che le resistenze R1 ed R2 non compaiono nel circuito di fig. 6.23, essendo collegate tra due masse di segnale. Possiamo ulteriormente semplificare il circuito utilizzando la tecnica dello splitting del generatore di corrente gmv. Essa consiste nella seguente operazione: il generatore gmv esce dal collettore del BJT ed entra nellemettitore, per cui otteniamo un circuito del tutto equivalente a quello di partenza se lo sostituiamo con due generatori di corrente dello stesso valore, di cui uno esce dalla massa ed entra nellemettitore e laltro esce dal collettore ed entra nel nodo di massa. Il tutto raffigurato nella seguente fig. 6.24. B r

+ _
v E gmv

C gmv

vo RC//RL

vS

Figura 6.24: Applicazione della tecnica dello splitting al generatore di corrente pilotato gmv

Il generatore di corrente gmv connesso tra lemettitore e la massa pilotato dalla tensione ai suoi capi, pertanto del tutto equivalente a una conduttanza di valore gm, cio a una resistenza di valore 1/gm. La resistenza r connessa in parallelo ad essa, tra emettitore e massa: essa volte pi grande di 1/ gm, per cui del tutto trascurabile. Infine notiamo che la tensione tra emettitore e massa vE pari a -v, per cui possiamo ridisegnare molto pi semplicemente lintero circuito nel seguente modo: E vS RE // (1/gm) vE C

vo RC//RL

gmv

Figura 6.25: Circuito equivalente per piccoli segnali semplificato dellamplificatore a base comune

Molto spesso anche la resistenza RE si pu trascurare rispetto a 1/ gm, che ovviamente rappresenta la resistenza di ingresso dellamplificatore a base comune vista dal segnale di ingresso vS. Questa ovviamente la stessa conclusione a cui eravamo giunti studiando la resistenza di uscita

dellinseguitore di emettitore, che si riduce appunto a 1/ gm quando la resistenza che collega la base a massa nulla, esattamente come nel nostro caso. Utilizzando il circuito equivalente dellamplificatore a base comune riprodotto in fig. 6.25, si calcola facilmente il suo guadagno in tensione per piccoli segnali. Infatti:

v o = g m v E (R C // R L ) = g m v E R CTOT = g m v S R CTOT
per cui abbiamo che

A V = g m R CTOT
Notiamo che lamplificatore non invertente e che il valore del guadagno tra segnale sul collettore e segnale sullemettitore lo stesso di un emettitore comune, a parte il segno. La differenza sostanziale rispetto allemettitore comune risiede nella resistenza di ingresso, che, nel caso del base comune, molto bassa e pari a 1/gm. Ci implica che, nel caso in cui applichiamo allingresso dellamplificatore un generatore di segnale vS con resistenza in serie RS non nulla, il guadagno in tensione del circuito vO/vS diventa molto piccolo. Consideriamo, per esempio, il circuito in fig. 6.26: in esso un transistore NPN, polarizzato con unalimentazione duale, stato connesso a base comune, in quanto il segnale di ingresso applicato allemettitore e luscita prelevata sul collettore, mentre la base connessa alla massa gi nel circuito di polarizzazione. VCC RC vO RS vS CS Ri RE VEE
Figura 6.26: Esempio di amplificatore a base comune realizzato con un BJT di tipo NPN

La capacit di disaccoppiamento CS stata inserita per evitare che lapplicazione del segnale di ingresso possa perturbare il punto di lavoro del BJT, fissato dal circuito di autopolarizzazione. Se calcoliamo il guadagno in tensione per piccoli segnali del circuito, abbiamo:
vO vO vE Ri , = = gmR C vS v E vS Ri + RS in cui il valore della resistenza di ingresso del circuito Ri, come abbiamo gi stabilito, vale: Av = R i = R E // 1 1 . gm gm

Tale resistenza di ingresso molto piccola, per cui il guadagno totale di tensione AV pu diventare molto piccolo a causa della caduta di tensione sulla resistenza RS. Il circuito non ha quindi le caratteristiche di un buon amplificatore di tensione. Per quanto riguarda la resistenza di uscita, dal circuito equivalente di fig. 6.25 si ricava facilmente che essa pari alla resistenza totale connessa tra il collettore e la massa di segnale, cio RC//RL. Nel caso del circuito di fig. 6.26 la resistenza di uscita quindi RC. Infine ci chiediamo quale pu essere lapplicazione di un circuito che ha queste caratteristiche in termini di resistenza di ingresso. Consideriamo un amplificatore a base comune costruito con un BJT NPN polarizzato tramite il classico circuito di autopolarizzazione, proposto in fig. 6.27.
VCC R1 RC CL vO RL

CB R2 RE

1/gm CE VEE RS iS

Figura 6.27: Ulteriore esempio di amplificatore a base comune realizzato con un NPN

Il segnale di ingresso, nel caso di fig. 6.27, costituito da un generatore di corrente con in parallelo il resistore RS. Abbiamo inoltre i condensatori di disaccoppiamento CE e CL, che servono ad evitare che il punto di lavoro del BJT, deciso dal circuito di autopolarizzazione, sia influenzato rispettivamente dal segnale e dal resistore di carico RL. La capacit CB collega la base a massa di segnale. Il segnale di ingresso iS, a causa del valore molto piccolo di 1/gm, entra praticamente tutto nellemettitore del BJT, senza disperdersi su RS o su RE. Tale segnale in corrente, praticamente inalterato, esce dal collettore del transistor e scorre nel parallelo RC//RL, producendo il segnale in tensione sulluscita, vO. Il circuito equivalente per piccoli segnali di fig. 6.28 illustra ulteriormente il funzionamento dellamplificatore.
i iS RS//RE

iS

v 1/gm _

vo
gmv i RC//RL

Figura 6.28: Circuito equivalente per piccoli segnali dellamplificatore a base comune in fig. 6.27

In pratica abbiamo che:


vO ( R E // R S ) ( R C // R L )i S ( R C // R L )i S ( R E // R S ) + 1 / g m

In definitiva il rapporto tra tensione di uscita e corrente di ingresso vO/iS, detto guadagno in transresistenza, praticamente pari alla sola resistenza totale che connette il collettore del transistor alla massa di segnale, RC//RL e non dipende molto dalla RS, in quanto il partitore di corrente allingresso del circuito molto sbilanciato a causa del piccolo valore della resistenza di ingresso del circuito. Quando il segnale di ingresso una corrente, quindi, conviene avere una resistenza di ingresso molto bassa, in modo da non perdere segnale sulla resistenza RS. Lamplificatore a base comune, per queste sue caratteristiche, chiamato anche inseguitore di corrente.