2.

1 Introduccin
La manera en que los tomos se enlazan ejerce un efecto profundo sobre las propiedades fsicas y qumicas de las sustancias. Por ejemplo, al respirar monxido de carbono, las molculas de CO se enlazan fuertemente a ciertas sustancias presentes en los glbulos rojos de la sangre haciendo que estos queden como mineralizados, incapaces de transportar oxgeno, perdiendo as sus propiedades vitales. Entonces debemos preguntarnos: Qu es el enlace qumico?, Cmo se da?, Qu lo facilita?, Qu lo impide?, Qu determina que unos sean ms fuertes que otros? Estas interrogantes son fundamentales en el estudio de la qumica, pues los cambios qumicos, que pueden ser para bien o para mal, son esencialmente una alteracin de los enlaces qumicos.

2.1.1 Concepto de enlace qumico

Un enlace qumico es la unin entre dos o ms tomos para formar una entidad de orden superior, como una molcula o una estructura cristalina. El enlace qumico es la fuerza que mantiene unidos a los tomos, iones o molculas en un compuesto.

2.1.2. Clasificacin de los enlaces qumicos.

Existen tres tipos importantes de enlaces que se forman entre los tomos de un compuesto: I. II. III. Enlace ionico Enlace covalente Enlace Metalico

Se describirn ampliamente ms adelante.

2.2 Simbolos de Lewis y regla del octeto

2. Regla del octeto y estructura de Lewis: A inicios del siglo XX, en 1916, de manera independiente, los cientficos Walter Kossel y Gilbert Lewis concluyeron que la tendencia que poseen los tomos de lograr estructuras similares a las del gas noble ms cercano explica la formacin de los enlaces qumicos. Esta conclusin es mundialmente conocida como la Regla del Octeto y se enuncia de la siguiente manera: Cuando se forma un enlace qumico los tomos reciben, ceden o comparten electrones de tal forma que la capa ms externa de cada tomo contenga ocho electrones, y as adquiere la estructura electrnica del gas noble ms cercano en el sistema peridico. No obstante, hay muchas excepciones a esta regla y hasta se han logrado sintetizar algunos compuestos de los gases nobles. La estructura de Lewis permite ilustrar de manera sencilla los enlaces qumicos, en ella, el smbolo del elemento est rodeado de puntos o pequeas cruces que corresponden al nmero de electrones presentes en la capa de valencia. Parmetros a considerar en una estructura de Lewis:

Escribe el nmero total de electrones de valencia. Considera que cada enlace se formar a partir de dos, y solo dos, electrones. Cada tomo deber cumplir con la regla del octeto. Excepto el hidrgeno que deber tener solo 2 electrones para cumplir con la regla del dueto.

2.3 Enlace inico (o electrovalente): El enlace inico se forma cuando un tomo que pierde electrones relativamente
fcil (metal) reacciona con otro que tiene una gran tendencia a ganar electrones (no metal). Ejemplo: Na + Cl = NaCl

Propiedades:

No se forman molculas aisladas, sino redes cristalinas. Para separar los iones de la red se requiere bastante energa. Son slidos no conductores. (Cargas estticas en la red). Elevado punto de fusin. Duros y quebradizos.

* Se llama valencia inica de un elemento al nmero de electrones que gana o que pierde al enlazarse inicamente.

2.3.1 Elementos Que Forman Compuestos Ionicos

En primer lugar nos encontramos con sustancias como el cloruro de sodio, yoduro de potasio, cloruro de magnesio, etc que son compuestos de aspecto cristalino, frgiles y con elevados puntos de fusin y ebullicin. Son, en general, ms o menos solubles en disolventes del tipo del agua y no lo son en disolventes del tipo del benceno. No son conductores de la corriente en estado slido, pero s cuando se presentan fundidos o en disolucin. La existencia de este tipo de sustancias, entre las que hemos citado como ejemplos tpicos a las sales, est ligada a una forma de enlace que, por razones que luego veremos, se denomina enlace inico, designando consecuentemente dichas sustancias como compuestos inicos. luego veremos, se denomina enlace inico, designando consecuentemente dichas sustancias como compuestos inicos.

2.3.2. Propiedades fisicas de los compuestos inicos

Los compuestos inicos tienen como propiedad ms representativa su capacidad para conducir la corriente elctrica cuando estn fundidos: conductores de segunda especie. Los estado slido, no son conductores de la electricidad ya que los iones solamente vibran en sus posiciones de equilibrio. Los compuestos inicos presentan generalmente puntos de fusin y ebullicin superiores a 500 C. Esta propiedad es consecuencia de la gran cantidad de energa calrica que se debe suministrar para contrarrestar la gran intensidad de las fuerzas de atraccin interinicas. Usualmente los compuestos inicos son quebradizos y cristalinos y estn formados por un sinnmero de iones positivos y negativos; es decir no existen las molculas en las sustancias inicas slidas.

Figura II. Enlace inico: sal. El enlace entre los tomos en la sal comn (cloruro de sodio) es un tpico enlace inico. En el enlace que se forma, el sodio se transforma en catin entregando su electrn de valencia al cloro, que se convierte en anin. Este intercambio de electrones se refleja en la diferencia de tamao entre los tomos y iones (izquierda). Atrados por fuerzas electrostticas (derecha), los iones se organizan formando una red cristalina en la que cada uno es fuertemente atrado hacia un grupo de vecinos prximos de carga opuesta y, en menor medida, hacia todos los dems iones de carga opuesta a travs de todo el cristal.

2.4 Enlace covalente : El enlace covalente, se dar entonces entre tomos de similar EN (afinidad por los electrones),
compartiendo pares de electrones (aportando al par un electrn cada tomo), en nmero necesario para que cada tomo disponga despus de establecido el enlace de 8 electrones en la ltima capa (recordar que 8 electrones en la ltima capa proporciona la mxima estabilidad posible para un tomo). Si los tomos que se unen formando este tipo de enlace son iguales se llamar enlace covalente homonuclear y si son diferentes se llamar enlace covalente heteronuclear. Ejemplo:

Se llama valencia covalente de un elemento al nmero de electrones compartidos cuando se forma este tipo de enlace. La polaridad de un enlace se mide con el momento dipolar (producto de la carga localizada por la distancia entre los ncleos de los tomos que forman el enlace; una unidad para medir los momentos dipolares es el Debay, los momentos dipolares oscilan de 0 a 11 Debyes). Los Cristales covalentes: son compuestos covalentes formados por redes gigantes, no por molculas aisladas.

2.4.1 Comparacin entre las propiedades Compuestos Ionicos Y Covalentes

Propiedades de las sustancias inicas:
Las sustancias inicas se encuentran en la naturaleza formando redes cristalinas, por tanto son slidas. Su dureza es bastante grande, y tienen por lo tanto puntos de fusin y ebullicin altos. Son solubles en disolventes polares como el agua. Cuando se tratan de sustancias disueltas tienen una conductividad alta. Propiedades generales de los compuestos inicos: En general, los compuestos con enlace inico presentan puntos de ebullicin y fusin muy altos, pues para separarlos en molculas hay que deshacer todo el edificio cristalino, el cual presenta una elevada energa reticular.

Propiedades de los compuestos covalentes.

Los compuestos covalentes suelen presentarse en estado lquido o gaseoso aunque tambin pueden ser slidos. Por lo tanto sus puntos de fusin y ebullicin no son elevados. La solubilidad de estos compuestos es elevada en disolventes polares, y nula su capacidad conductora. Los slidos covalentes macromoleculares, tienen altos puntos de fusin y ebullicin, son duros, malos conductores y en general insolubles.

2.4.2 Fuerza de enlace covalente

La energa de disociacin del enlace, D, se define como la diferencia de energa entreel mnimo de la curva de energa potencial de la molcula diatmica y la energa de los tomos separados. Cuanto mayor es la energa de disociacin del enlace mayor es la fuerza de unin entre los tomos que forman dicho enlace. Esto es un aspecto importante a considerar cuando se estudien las reacciones que una molcula puede sufrir, pues una molcula cuyos tomos estn fuertemente unidos necesitar una energa de activacin alta para poder reaccionar. Cuando se hace uso de las fuerzas de enlace en ciclos termodinmicos, es ms conveniente emplear la entalpa de disociacin del enlace, Hd, que es la variacin de entalpa para la reaccin de disociacin (1): AB (g) A(g) + B(g) (1) La entalpa de disociacin del enlace difiere de la energa del enlace en RT.

2.4.3 Geometras Moleculares: Modelo VSPR (RPECV)

Las estructuras de Lewis son tiles para establecer la distribucin de los pares electrnicos en las molculas pero no aportan nada sobre su previsible geometra. Un modelo simple pero til para racionalizar la estructura molecular de un compuesto es el conocido con el acrnimo VSPR (Valence Shell Electronic Pair Repulsion) o en su traduccin espaola RPECV (Repulsin entre Pares de Electrones de la Capa de Valencia) Este modelo funciona aceptablemente para compuestos formados por tomos de los bloques s y p pero en absoluto es aplicable a los formados por elementos de transicin. El modelo asume como base que cada par de electrones de la capa de valencia (sean de enlace (PE) o solitarios (PS)) tiene asociado un dominio espacial en el que existe una alta probabilidad de encontrarlos. La geometra molecular vendr determinada por aquella disposicin de estos pares de electrones que minimice las repulsiones entre los dominios asignados a cada par de electrones. Este es por tanto un modelo electrosttico segn el cual, para prever la geometra molecular, no hay ms que distribuir espacialmente los pares de electrones de valencia del tomo central de forma que se dispongan lo ms cmodamente posible. Las distribuciones de estos dominios corresponden a las figuras polidricas regulares. La geometra molecular viene dada por la distribucin de los tomos perifricos unidos al tomo central. En el modelo de VSPR se suelen utilizar las siguientes letras para representar a los compuestos: - A: tomo central - X: Ligandos o tomos unidos al tomo central -E: pares de electrones solitarios asociados al tomo central. Para predecir la geometra de una molcula se procede del siguiente modo: 1.- Se escribe la estructura de Lewis de la cual se deduce el nmero de pares de electrones presentes en el tomo central, ya sean solitarios o de enlace. Se trata un enlace doble de forma equivalente a uno sencillo. 2.- Se distribuyen dichos pares de electrones espacialmente de forma que se minimicen las repulsiones. Cuando los pares solitarios pueden ser situados en ms de una posicin no equivalentes se sitan all donde se reduzcan las repulsiones cuanto sea posible. 3.- La geometra molecular viene determinada por la posicin de los tomos perifricos. En VSPR no hay que olvidar la diferenciacin entre distribucin de los pares de electrones y la geometra de la molcula. Todos los pares de electrones del tomo central, sean o no de enlace, se distribuyen en el espacio. Sin embargo, slo las posiciones de los tomos perifricos describen la geometra molecular.

Generalmente las molculas no presentan unas geometras tan regulares como las hasta aqu mostradas. Se observan notables distorsiones respecto de dichas geometras ideales. Estas desviaciones tienen su origen en tres factores diferentes: 1.- Coexistencia de pares de electrones enlazantes y no enlazantes 2.- Coexistencia de tomos diferentes (y con diferente electronegatividad) 3.- Presencia de enlaces mltiples

2.4.4 Enlaces covalentes y traslape de orbitales

El segundo mayor tipo de enlace atmico ocurre cuando los tomos comparten electrones. Al contrario de los enlaces inicos en los cuales ocurre una transferencia completa de electrones, el enlace covalente ocurre cuando dos (o ms) elementos comparten electrones. El enlace covalente ocurre porque los tomos en el compuesto tienen una tendencia similar hacia los electrones (generalmente para ganar electrones). Esto ocurre comnmente cuando dos no metales se enlazan. Ya que ninguno de los no elementos que participan en el enlace querr ganar electrones, estos elementos compartirn electrones para poder llenar sus envolturas de valencia. Un buen ejemplo de un enlace covalente es ese que ocurre entre dos tomos de hidrgeno. Los tomos de hidrgeno (H) tienen un electrn de valencia en su primera envoltura. Puesto que la capacidad de esta envoltura es de dos electrones, cada tomo hidrgeno querr recoger un segundo electrn. En un esfuerzo por recoger un segundo electrn, el tomo de hidrgeno reaccionar con tomos H vecinos para formar el compuesto H2. Ya que el compuesto de hidrgeno es una combinacin de tomos igualados, los tomos compartirn cada uno de sus electrones individuales, formando as un enlace covalente. De esta manera, ambos tomos comparten la estabilidad de una envoltura de valencia.

2.4.5 orbitales hbridos

- Orbital: Cada una de las regiones del espacio situadas alrededor del ncleo atmico, que puede estar ocupada por uno o dos electrones. Los orbitales atmicos corresponden a niveles energticos distintos y se representan mediante los respectivos valores del nmero cuntico secundario (l): s, p, d, f y g. La distribucin de los electrones en los distintos orbitales se efecta segn las siguientes normas: (1) El nmero total de electrones en el conjunto de orbitales debe coincidir con el nmero total de protones del ncleo. (2) En un orbital puede haber un mximo de dos electrones, en cuyo caso su espn es de signo opuesto. (3) El electrn ocupa siempre el orbital que tiene energa mnima. - Orbital hbrido: Cada uno de los orbitales equivalentes que pueden obtenerse mediante combinacin lineal de orbitales atmicos distintos. La hibridacin de orbitales da como resultado orbitales de enlace que son combinacin lineal de sus componentes. Los orbitales hbridos ms generalizados son los siguientes: sp, sp2, sp3 y spd. Los orbitales moleculares, que representan la distribucin espacial de los electrones de enlace en una molcula, son, fundamentalmente, orbitales hbridos.

2.4.6 momentos dipolares

La polaridad de una molcula la indicamos por su momento dipolar, que mide la separacin de cargas de la molecula. El momento dipolar, Q x r. Producto de la carga Q y la distancia r entre las cargas: Para mantener la neutralidad elctrica, las cargas en ambos extremos de una molcula diatmica elctricamente neutra deben ser iguales en magnitud y de signo opuesto. Sin embargo en la ecuacin Q se refiere solo a la magnitud de la carga y no a su signo, por lo que siempre es positiva. Los momentos dipolo generalmente se expresan en unidades Debye (D), as denominadas en honor de Peter Debye. El factor de conversin es: 1 D = 3,33 x 10-30 C m (Donde C es Coulomb y m es metro) Un momento dipolar se mide colocando una muestra de la sustancia entre dos placas y aplicando un voltaje. Esto produce un pequeo desplazamiento de la densidad electrnica de cualquier molcula, as que el voltaje aplicado disminuye ligeramente. Sin embargo las molculas diatmicas que contienen enlaces polares, tales como HF, HCl, y CO, tienden a orientarse en el campo elctrico. Esto hace que el voltaje medido entre las placas disminuya ms marcadamente para estas sustancias, y as decimos que estas molculas son polares. Molculas tales como F2 o N2 no se reorientan, as que el cambio de voltaje entre las placas es ligero; decimos que estas molculas son no polares. Generalmente, cuando las diferencias de electronegatividades en las molculas diatmicas aumentan, los momentos dipolares medidos aumentan. Los momentos dipolares asociados con enlaces individuales slo pueden medirse en molculas diatmicas simples. Ms que pares seleccionados de tomos, lo que se sujeta a medicin son molculas enteras. Los valores medidos de momentos dipolares reflejan las polaridades globales de las molculas. Para las molculas poliatmica son el resultado de todos los dipolos de enlace de las molculas. El momento dipolo de una molcula formada por tres o ms tomos est determinado tanto por la polaridad de sus enlaces como por su geometra. La presencia de enlaces polares no necesariamente significa que la molcula presente un momento dipolo. Por ejemplo el dixido de carbono (CO2) es una molcula triatmica, por lo que su geometra puede ser lineal o angular. Cuando la molcula es lineal; no tiene momento dipolo y, cuando la molcula es angular; tiene un momento dipolo. En este caso, el momento dipolo de la molcula completa es la resultante de los dos momentos de enlace, es decir, de los momentos dipolos individuales de los enlaces C = O. el momento de enlace es una cantidad vectorial, lo que significa que tiene tanto magnitud como direccin. El momento dipolo medido es igual a la suma vectorial de los momentos de enlaces.

2.4.7 Enlaces Multiples

Los tomos pueden formar distintos enlaces covalentes: En un enlace sencillo, dos tomos se unen por medio de un par de electrones. En muchos compuestos se formar enlaces mltiples, es decir, enlaces formados cuando dos tomos comparten dos o ms pares de electrones. Si dos tomos comparten dos pares de electrones, el enlace covalente se denomina enlace doble. Un triple enlace surge cuando dos tomos comparten tres pares de electrones. Formacin de los enlaces covalentes. Se forma cuando dos tomos comparten uno o ms pares de electrones. Este tipo de enlace ocurre cuando la diferencia de electronegatividades entre los elementos (tomos) es cero o relativamente pequea. El enlace covalente se representa con una lnea recta que une a los 2 tomos, por ejemplo: O-H Veamos un caso simple de enlace covalente, la reaccin de dos tomos de hidrgeno para formar una molcula H2. Un tomo aislado de hidrgeno tiene la configuracin electrnica del estado fundamental 1s1, con la densidad de probabilidad para este nico electrn esfricamente distribuida en torno al ncleo del hidrgeno

2.5 Enlace metlico: Un enlace metlico es un enlace qumico que mantiene unidos los tomos (unin
entre cationes y los electrones de valencia) de los metales entre s. Estos tomos se agrupan de forma muy cercana unos a otros, lo que produce estructuras muy compactas. Se trata de redes tridimensionales que adquieren la estructura tpica de empaquetamiento compacto de esferas. En este tipo de estructura cada tomo metlico est rodeado por otros doce tomos (seis en el mismo plano, tres por encima y tres por debajo). Adems, debido a la baja electronegatividad que poseen los metales, los electrones de valencia son extrados de sus orbitales y tiene la capacidad de moverse libremente a travs del compuesto metlico, lo que otorga las propiedades elctricas y trmicas de los metales. Propiedades: - La estructura comentada puede explicar las propiedades claramente. -Alta conductividad trmica y elctrica, los electrones pueden moverse con libertad por la nube electrnica. -Son dctiles (factibles de hilar) y maleables (factibles de hacer lminas), su deformacin no implica una rotura de enlaces ni una aproximacin de iones de Elemento Grupo igual carga, como ocurra en los compuestos inicos por ejemplo. -Los puntos de fusin son moderadamente altos, la estabilidad de la red positiva circundada por la nube de electrones es alta. -Son difcilmente solubles en cualquier disolvente, por el mismo motivo que Cd II B justifica el punto anterior. (Pensar en la forma de "atacar" el agua a un compuesto inico, en un metal que es "un todo uniforme" no existe esa posibilidad. Al, Ga, B, In III A Si, Ge IV A VA

Electrones en la ltima capa 2 e3 e4 e5 e-

semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o

P, As, Sb

como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la Se, Te, (S) VI A 6 etabla siguiente. El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.

2.5.1 Teoria de las bandas

Consiste en un conjunto de cargas positivas que son los tomos metlicos desprovistos de sus electrones de valencia, los cuales pertenecen y unen a todos los cationes. Los metales en estado slido forman un retculo cristalino tridimensional, en cuyos nudos hay los cationes metlicos, y entre ellos se mueven libremente los electrones de valencia. Puede decirse que los orbitales atmicos de valencia se superponen en gran nmero dando lugar a bandas de energa continuas en las que los electrones se desplazan libremente. Los electrones estn totalmente deslocalizados, lo que significa que el enlace es completamente adireccional. En las sustancias metlicas, como en las inicas, no existen molculas, es el cristal en su conjunto el que se considera como una molcula, ya que los enlaces se extienden en las tres direcciones del espacio. Los slidos metlicos son excelentes conductores elctricos y trmicos, debido a la existencia de electrones libres, poseen brillo metlico y son tenaces, dctiles y opacos. Generalmente se considera que el enlace metlico consiste de un grupo de iones positivos y una gran cantidad de electrones, los cuales pueden moverse libremente entre los iones. Este comportamiento influye sobre las propiedades generales de los metales como en el caso de su habilidad para conducir la corriente elctrica. Por ejemplo: En un trozo de sodio metlico, los iones estn localizados en una posicin fija en el metal y los electrones de valencia (uno por cada tomo de sodio) estn libres para moverse entre las varias nubes electrnicas. Por tanto, en los metales las fuerzas de atraccin que deben superarse para realizar la conversin del estado slido al estado lquido o desde el estado lquido al estado gaseoso son bastante fuertes. Por supuesto, estas fuerzas de atraccin varan de un metal a otro pero en general son muy fuertes.

2.52 Clasificacin en bases a su conductividad elctrica

Clasificacin De los slidos en base a su conductividad elctrica, aislante, conductor, semiconductor. RELACION DE LAS PROPIEDADES FISICAS DE LOS METALES (CONDUCTIVIDAD TERMICA Y ELETRICA) MEDIANTE EL RECURSO DE LA TEORIA DE LAS BANDAS. Para comprender la relacin de las propiedades fsicas de los metales mediante la teora de las bandas, primero debemos entender esta teora. La teora de las bandas hace referencia al aglutinamiento de los tomos en los metales, esta establece que los electrones deslocalizados se mueven libremente a travs de las bandas que se forman por el solapamiento de los orbtales moleculares. Al estar tan amontonados los tomos de un metal, los orbtales moleculares quedan muy cerca uno de otro, tanto as que los orbtales tienen energas tan parecidas que quedan mejor descritos como una banda. Entonces los niveles energticos llenos de cada tomo, tan parecidos uno del otro, constituyen una banda de valencia. Sobre esta banda de valencia se forma otra banda por encima de sta, correspondiente a los orbtales deslocalizados y vacos que se forman por el solapamiento de los orbtales mas externos, dicha banda recibe el nombre de banda de conduccin. Entonces la relacin de las propiedades fsicas de los metales es debido a que la banda de valencia y la banda de conduccin son adyacentes entre s, y la cantidad de energa que se requiere para promover un electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin es prcticamente despreciable.

Una vez en la banda de conduccin, el electrn puede desplazarse a travs de todo el metal, ya que la banda de conduccin carece de electrones. Podemos concluir con todo lo anteriormente dicho, que en todos los metales el espacio energtico entre las bandas de conduccin y de valencia es prcticamente nulo, y esto permite el fcil flujo de electrones mediante la promocin de un electrn desde la banda de valencia hasta la banda de conduccin y de all, el flujo del electrn por todo el metal. COMPARACION DE LOS NO METALES, METALES Y SEMI METALES EN CUANTO A SU CONDUCTIVIDAD A TRAVES DE LA TEORIA DE LAS BANDAS. Como ya hemos explicado antes, los metales son conductores de electricidad por excelencia debido a su propiedad adyacente en las bandas de conduccin. Una gran cantidad de elementos son semi-conductores, o sea, que no son conductores pero conducen la electricidad a elevadas temperaturas o cuando se combinan con una pequea cantidad de algunos elementos. En los semi-conductores el espacio energtico entre las bandas llenas y vacas, o sea, las de conduccin y de valencia es mucho menor que la de los metales. Debido al pequeo espacio energtico entre las bandas si se le suministra la energa suficiente, el electrn se excita y pasa de una banda a otra. Este comportamiento es opuesto al de los metales ya que al aumentar la temperatura en un metal la conduccin de electricidad disminuye porque los tomos en el metal empiezan a vibrar y esto tiende a impedir o romper con el flujo de los electrones. El caso de los no metales, la conductividad elctrica (de un sodio) depende del distanciamiento energtico de las bandas y si el no metal considerado como aislante entonces ese espacio energtico es muy grande, por lo que se dificulta la promocin de un electrn desde la banda de valencia hasta la banda de conduccin. Es decir que se requiere de demasiada energa para excitar un electrn hacia la banda de conduccin. SEMI CONDUCTORES Caractersticas generales de los semi- conductores: Para temperaturas muy bajas, tienen una resistencia comparable con la de los cuerpos aislantes. Para temperaturas relativamente altas tienen una resistencia comparable a la de los cuerpos semiconductores. Tambin el estado de pureza de un cuerpo semiconductor influye en su resistencia. En estado puro tienen una resistencia comparable a las de los materiales aislantes. Cuando contienen algunas impurezas (distintas para cada cuerpo semiconductor) su resistencia puede llegar a ser como la de un conductor. Su comportamiento elctrico depende esencialmente de su estructura atmica. Una caracterstica fundamental de los semiconductores es de poseer 4 electrones en su orbita. Los elementos como el silicio (Si) y el germanio (Ge) agrupan sus tomos formando una estructura reticular. Clasificacin de los semi- conductores.

Mientras que los cuerpos buenos conductores ofrecen escasas resistencia al paso de los electrones y los electrones ofrecen elevadsima resistencia los semiconductores presentan una resistencia intermedia.

Semiconductores intrnsecos
Un elemento semiconductor ms utilizados son (germanio, silicio). Estos elementos agrupan sus tomos de modo muy particular, formando una estructura reticular. Cada tomo de silicio ocupa siempre el centro de un cubo que posee otros 4 tomos, el tomo al estar rodeado por otros 4 enlace covalentes este caso el tomo se hace estable, pues se comporta como si tuviese 8 electrones. Pero al aplicarle aumenta la agitacin desordenada de electrones, con lo que algunos de su periferia se salen de su orbita rompiendo sus enlace covalente, cuanta es mas alta la temperatura, mayor es la agitacin y el numero de enlaces covalentes rotos junto con la de electrones libres, (hueco, carga positiva) dentro de estas condiciones, a una determinada temperatura habr dentro de la estructura cristalina una cierta cantidad de electrones libres y la misma de huecos. En este caso un electrn de los que forman enlaces covalentes no puede saltar fuera del enlace bajo el nico efecto de la tensin, sino las fuerzas combinadas con la temperatura.

Semiconductor extrnsecos tipo n.

Debido a la estructura reticular del germanio y el silicio, cuyos tomos forman el centro de un cubo y este tiende a hacerse estable por lo tanto aislante, puesto que tienen bien sujetos a sus electrones ahora hasta que no se le aplique los factores de la temperatura. Pero al aplicarle una diferencia de potencial se consigue una dbil corriente proporcional a la temperatura ya que no es muy til en aplicaciones TipoN Para aumentar el numero de portadores de electrones libres a este tipo de semiconductor (intrnseco) se le aaden impurezas estas impurezas tiende a aumentar el numero de electrones libre. El tomo de antimonio (Sb) se dice que es pentavalente porque dispone de 5 electrones en su orbita mas externa. Ahora si ala estructura de ya conocida del semiconductor (intrnsecos, germanio o silicio puro) estas impureza ocupa un lugar donde debera ir otro tomo de (germanio o silicio) de este modo tratara de formar con el 4 enlaces covalentes necesario para estabilizarse. U como en su orbita le sobra un electrn este tiende a soltarle y as este pasa a ser un electrn libre. Por eso habr ms electrones libres que hueco (cargas positiva). En este caso los portadores mayoritarios sern los electrones libres (cargas negativas).

Semiconductores intrnsecos tipo p.

El boro en un elemento trivalente, al igual que el aluminio por disponer de 3 electrones en la orbita de valencia. Al aadir impurezas trivalentes al semiconductor intrnseco y entrar estas a formar parte de la estructura cristalina. Quedan dichas impurezas rodeadas por 4 tomos de silicio o germanio con los a de formar 4 enlaces covalentes cosa que le sobrara un electrn pero en este caso no queda libre sino que falta un electrn en su enlace covalente. .

Por cada tomo de impureza trivalente que se aade al semiconductor intrnseco habr un mayor nmero de huecos (cargas positivas) que de electrones libres. En este caso los huecos sern los portadores mayoritarios y los electrones libres minoritarios. Sometiendo a una circulacin de corriente al semiconductor tipo veremos una mayor circulacin de portadores mayoritarios tipo n. Ahora si hacemos lo mismo con un semiconductor tipo p observamos que ser diferente En este caso como la impureza tiende a hacer que falten mas enlaces con los electrones, estos sern atrados por el polo negativo, se producen dos corrientes una importante que es la de huecos y otra dbil de electrones libres.

Uniones P Y N
Antes de ver este tipo de semiconductor hay que tener presente el fenmeno de la difusin, y es cuando entra en contacto dos elementos de diferentes concentraciones se produce un fenmeno de agitacin trmica llamado difusin, que tiende a igualar las concentraciones en ambos. Uniones del semiconductor tipop con n Como hemos vistos un semiconductor tipo (p) dispone mas huecos libres (mayoritarios) que de electrones libres o portadores minoritarios, pero la carga total de ellos dos es neutra. Al colocar parte del semiconductor de tipo p junto a otra parte del semiconductor tipo n debido a la ley de la difusin los electrones de la zonan,con alta concentracin de los mismo, tienden a dirigirse a la zona que tiene en pocos del tipo n y a si lo contrario. Con los huecos en la zona n que tratan de dirigirse de la zona p a la zona n La ley de difusin impulsa a los electrones de la zona n a fundirse hacia la zona p y a los huecos de p a dirigirse hacia la zona n as producindose un encuentro que tiende a neutralizar ambas cargas (huecos y electrones libres) formndose dicha unin estable y neutra. De todas formas que la zona n era en principio neutra y colocarla junto con la zona p pierde electrones. A esta zona se le llama barrera de potencial lo que impide la continuacin de la difusin.

Diodos semiconductores.
Al unir un trozo de semiconductor de tipo n con otro tipo p se forma entre ambos una zona neutra y aislante, entre cuyos extremos existe una barrera de potencial. Una vez detenido el fenmeno de la difusin por la barrera de potencial se puede polarizar externamente dicha unin n-p, de forma que la tensin se oponga en la barrera de potencial. La unin n-p se dice que esta polarizada directamente cuando se le aplica un potencial negativo a la zona n y el potencial positivo de la zona p puesto que al anular la barrera de potencial continua el fenmeno de la difusin pasando electrones mayoritarios de la zona n hacia los minoritarios de la zona p y siendo absorbidos por el polo positivo de la batera y al mismo tiempo el polo negativo repone los electrones absorbidos por el polo positivo y asimismo el fenmeno de difusin se describe de forma indefinida. En este caso este tipo de unin entrara en conduccin cuando se le polariza directamente a izquierda

2.6 Fuerzas intermoleculares y propiedades fsicas

Fuerzas intermoleculares Fuerzas de atraccin y repulsin entre las molculas. El comportamiento molecular depende en gran medida del equilibrio (o falta de l) de las fuerzas que unen o separan las molculas. El fenmeno de las fuerzas de corto alcance o repulsivas es ms complejo, y an no se conoce por completo, pero se observa normalmente entre molculas que no interaccionan qumicamente. Estas fuerzas empiezan a ser importantes cuando las nubes electrnicas se sobreponen (solapan), y la energa correspondiente se denomina energa de intercambio o de superposicin. La energa de intercambio repulsiva es la responsable de la rigidez mecnica o impenetrabilidad de las molculas y de los lmites de compresibilidad de la materia. Las fuerzas de intercambio pueden ser tambin de atraccin, como las de los tomos que reaccionan qumicamente entre s. Estas fuerzas de atraccin se llaman fuerzas de valencia y desempean un papel muy importante en el campo de la qumica. Fuerza dipolo-dipolo. Las fuerzas dipolo-dipolo existen entre las molculas polares neutras; las molculas polares se atraen unas a otras cuando el extremo positivo de una molcula est cerca del extremo negativo de otra. Esta fuerza es dbil y para ser efectivas deben de estar las molculas polares muy prximas (Las molculas polares deben de estar cerca unas de otras para que la fuerza atractiva de la interaccin sea significativa). Ocurre cuando los tomos de una molcula tienen diferencias de x, se polarizan, produciendo un dipolo. Cuando dos dipolos se avecindan, se atraen, dando como resultado un enlace. Si los tomos muy electronegativos se encuentran unidos directamente a un H, tambin se formar un dipolo. Estas interacciones se presentan entre las molculas neutras polares. Las molculas polares se atraen entre s cuando la carga parcial positiva de una molcula est cerca de la carga parcial negativa de otra. Las molculas polares deben de estar cerca unas de otras para que la fuerza atractiva de la interaccin sea significativa. Las interacciones dipolo-dipolo son mucho menores que las interacciones Ion-dipolo. Las fuerzas dipolo-dipolo crecen al incrementarse la polaridad de una molcula. Puente de hidrgeno El puente de hidrgeno ocurre cuando un tomo de hidrgeno es enlazado a un tomo fuertemente electronegativo como el nitrgeno, el oxgeno o el flor. El tomo de hidrgeno posee una carga positiva parcial y puede interactuar con otros tomos electronegativos en otra molcula (nuevamente, con N, O o F). Asimismo, se produce un cierto solapamiento entre el H y el tomo con que se enlaza (N,O o F) dado el pequeo tamao de estas especies, siendo por tanto mayor el solapamiento cuanto menor sea el tamao del tomo con que interacciona el H. Por otra parte, cuanto mayor sea la diferencia de electronegatividad entre el H y el tomo interactuante, ms fuerte ser el enlace. Fruto de estos presupuestos obtenemos un orden creciente de intensidad del enlace de hidrgeno: el formado con el F ser de mayor intensidad que el formado con el O, y ste a su vez ser ms intenso que el formado con el N. Estos fenmenos resultan en una interaccin estabilizante que mantiene ambas molculas unidas. Un ejemplo claro del puente de hidrgeno es el agua: Los enlaces de hidrgeno se encuentran en toda la naturaleza. Proveen al agua de sus propiedades particulares, las cuales permiten el desarrollo de la vida en la Tierra. Los enlaces de hidrgeno proveen tambin la fuerza intermolecular que mantiene unidas ambas hebras en una molcula de ADN. [editar] Interacciones dipolo-dipolo Las interacciones dipolodipolo, tambin conocidas como Keeson, por Willem Hendrik Keesom, quien produjo su primera descripcin matemtica en 1921, son las fuerzas que ocurren entre dos molculas con dipolos permanentes. Estas funcionan de forma similar a las interacciones inicas, pero son ms dbiles debido a que poseen solamente cargas parciales. Un ejemplo de esto puede ser visto en el cido clorhdrico: Fuerza de London Tambin conocidas como fuerzas Van der Waals o fuerzas dipolo-transitivas, estas involucran la atraccin entre dipolos temporalmente inducidos en molculas no polares. Esta polarizacin puede ser inducida tanto por una molcula polar o por la repulsin de nubes electrnicas con cargas negativas en molculas no polares. Un ejemplo del primer caso es el cloro disuelto por que son puras puntas(-) (+) [dipolo permanente] H-O-H----Cl-Cl [dipolo transitivo] Un ejemplo del segundo caso se encuentra en la molcula de cloro: (+) (-) (+) (-) [dipolo transitivo] Cl-Cl----Cl-Cl [dipolo transitivo]

2.6.1 Van de Waals: Dipolo-dipolo, London, puente de PH

Las fuerzas de Van der Waals son fuerzas de estabilizacin molecular; forman un enlace qumico no covalente en el que participan dos tipos de fuerzas o interacciones, las fuerzas de dispersin (que son fuerzas de atraccin) y las fuerzas de repulsin entre las capas electrnicas de 2 tomos contiguos. Fuerzas de dispersin: Todos los tomos, aunque sean apolares, forman pequeos dipolos debidos al giro de los electrones en torno al ncleo (vase tomo). La presencia de este dipolo transitorio hace que los tomos contiguos tambin se polaricen, de tal manera que se producen pequeas fuerzas de atraccin electrosttica entre los dipolos que forman todos los tomos

2. Repulsin electrosttica
A estas fuerzas de dispersin se opone la repulsin electrosttica entre las capas electrnicas de dos tomos contiguos.La resultante de estas fuerzas opuestas es una distancia mnima permitida entre los ncleos de dos tomos contiguos. Distancia que se conoce como radio de Van der Waals. Es sta una fuerza muy importante en biologa, porque es uno de los enlaces no covalentes que estabilizan la conformacin de las protenas. La energa del enlace de Van der Waals es de 12 kcal/mol. Las fuerzas de Van der Waals conforman el tipo ms dbil de fuerza intermolecular que puede darse en la naturaleza, necesitndose un aporte energtico de 0,1 a 35 kJ/mol para romper dicha interaccin. Distinguimos tres clases de enlace de Van der Waals: Orientacin: interaccin dipolo permanente-dipolo permanente. Tienen lugar entre molculas polares como el HCl por ejemplo, producindose una atraccin elctrica entre polos opuestos de molculas contiguas, pero no as el solapamiento de los tomos interactuantes al ser de mayor tamao que en el puente de hidrgeno.(Recordemos que el solapamiento slo se produce en el enlace de hidrgeno, donde el N, el O y el F son especies ms pequeas). Cuanto mayor sea la polaridad de la molcula (diferencia de electronegatividad entre los tomos que la forman), ms fuerte ser la interaccin. Induccin: interaccin dipolo permanente-dipolo inducido. Se produce entre una molcula polar y otra apolar. En este tipo de interaccin, el dipolo permanente de la molcula polar provoca una deformacin en la nube electrnica de la molcula apolar que se aproxima(el polo negativo de la molcula polar induce el desplazamiento de lo electrones de la molcula polar hacia el polo opuesto, apareciendo un dipolo). De este modo, se establece una atraccin elctrica entre polos opuestos. Este tipo de enlace tambin se conoce como polarizacin, siendo tanto ms intenso cuanto mayor sea la polarizacin de la molcula apolar. La intensidad de este fenmeno depender de la mayor o menor polaridad (diferencia de electronegatividad entre los tomos que forman la molcula polarizante; la polar) as como del tamao de la molcula polarizada (a mayor nmero de electrones, ms desigualdad de disposicin puede existir). Dispersin (Fuerzas de London): dipolo instantneo-dipolo instantneo. Aparecen en todos los compuestos moleculares, siendo la nica fuerza intermolecular que aparece entre molculas apolares. Se produce por la aparicin de una distribucin asimtrica de la carga en una molcula (dado el movimiento continuo de los electrones). Este fenmeno induce la aparicin de un dipolo instantneo en la molcula que se aproxima, establecindose una interaccin muy dbil e instantnea. La intensidad de esta interaccin depende del tamao de la molcula (a mayor nmero de electrones, mayor posibilidad de la aparicin de un dipolo instantneo).

2.6.2 Influencia de las fuerzas intermoleculares de las propiedades fsicas

Las fuerzas intermoleculares de una sustancia determinan sus propiedades fsicas GASES Son una coleccin de molculas muy separadas entre s, pues la energa cintica de las molculas es mayor que las fuerzas atractivas entre las molculas La ausencia de cualquier fuerza atractiva significativa entre las molculas, les permite expandirse hasta llenar el recipiente que lo contiene Si las fuerzas atractivas empiezan a ser significativas, los gases exhiben comportamiento diferente que al del gas ideal LIQUIDOS Las fuerzas de atraccin intermolecular son suficientemente grandes como para mantener a las molculas cerca unas de otras. Los lquidos son ms densos y menos compresibles que los gases Los lquidos tienen un volumen definido que es independiente de la forma y tamao del recipiente que los contiene. Las fuerzas atractivas no son suficientes como para mantener a las molculas vecinas en posicin fija y las molculas se mueven. De manera que los lquidos pueden vaciarse y asumen la forma del recipiente. SOLIDOS Las fuerzas intermoleculares entre molculas vecinas son ahora suficientemente grandes para mantenerlas en posiciones fijas unas respecto a las otras. Los slidos (como los lquidos) no son compresibles debido a la ausencia de espacio entre las molculas vecinas Si las molculas en un slido adoptan un empaquetamiento ordenado, se dice que la estructura de las molculas es cristalina Debido a la magnitud de las fuerzas intermoleculares entre molculas vecinas, los slidos son rgidos Un examen de las propiedades de los diferentes estados de la material, nos convence de que el estado de una sustancia depende del balance entre la energa cintica de las partculas individuales que componen a cada sustancia (molculas, iones o tomos) y las fuerzas intermoleculares. La Energa Cintica mantiene a las molculas en movimiento y depende de la temperatura (est en funcin de la temperatura) de la sustancia Las fuerzas intermoleculares intentan mantener a las molculas juntas. Los gases tienen fuerzas moleculares ms dbiles que los lquidos Los lquidos tienen fuerzas moleculares ms dbiles que los slidos Tanto los slidos como los lquidos tienen sus partculas muy cercanas unas a otras, por ello les llamamos fases condensadas para distinguirlas de los gases

2.7 Estructura De Los Materiales

Se puede decir que un slido cristalino podra ser el hielo; ya que este posee un ordenamiento estricto y regular, es decir, que sus tomos, molculas o iones ocupan posiciones especificas, estos slidos suelen tener superficies planas o caras que forman ngulos definidos entre si. Los slidos cristalinos adoptan diferentes formas y colores. Slido amorfo, Amorfo quiere decir que estos slidos no tienen forma. Este slido carece de un ordenamiento bien definido y de un orden molecular definido, algunos de estos slidos son mezclas de molculas que no se apilan, es decir que no pueden ir unos arriba de otros. Algn ejemplo de este tipo de slidos son el hule y el vidrio. Los requerimientos geomtricos generales para que se forme un cristal se entienden si se analizan las distintas formas en que se pueden empacar varias esferas idnticas. La manera en que las esferas se acomodan en capas determina el tipo de celda unitaria final. La estructura tridimensional se genera al colocar una capa encima y otra debajo de esta capa, de tal manera que las esferas de una capa cubren totalmente las esferas de la capa inferior. Empaquetamiento compacto de esferas Las estructuras que los slidos cristalinos adoptan son aquellas que permiten el Contacto ms ntimo entre las partculas, a fin de maximizar las fuerzas de atraccin entre ellas, cada esfera est rodeada por otras seis en la capa. El modelo de empaquetamiento compacto de esferas trabaja con capas compactas de esferas dispuestas unas sobre otras. Este modelo es muy til y eficaz para sistematizar y clasificar las estructuras ms corrientes y usuales de los slidos inicos En ambos tipos de empaquetamiento cada esfera posee un nmero de coordinacin igual a 12. En ambos tipos de empaquetamiento existe dos tipos de huecos, octadrico (espacio vaco que queda entre seis tomos) y tetradrico (espacio vaco que queda entre cuatro tomos). Por cada N tomos de una estructura de empaquetamiento compacto existen N huecos octadricos y 2N tetradricos. Diferencias estructurales y de comportamiento de los slidos cristalinos y materiales vtreos: Cuando las molculas que componen un slido estn acomodadas regularmente, decimos que forman un cristal. Y al slido correspondiente le llamamos slido cristalino o fase cristalina Existen muchos ejemplos de slidos cristalinos como por ej., la sal de mesa (cloruro de sodio, Na Cl) y el azcar (sacarosa, C 12 H 22 O 11?). Los slidos como cristalinos porque las partculas macroscpicas que los forman (los cristales) tienen formas regulares: si examinamos cristales de cloruro de sodio bajo una lente de aumento, veremos que los cristales tienen forma de pequeos cubos. El vidrio es una sustancia amorfa porque no es ni un Slido ni un lquido, sino que se halla en un estado vtreo en el que las unidades Moleculares, aunque estn dispuestas de forma desordenada, tienen suficiente Cohesin para presentar rigidez mecnica.

2.7.1 Estado Solido Cristalino

Un slido cristalino es aqul que tiene una estructura peridica y ordenada, como consecuencia tienen una forma que no cambia, salvo por la accin de fuerzas externas. Cuando se aumenta la temperatura, los slidos se funden y cambian al estado lquido. Las molculas ya no permanecen en posiciones fijas, aunque las interacciones entre ellas sigue siendo suficientemente grande para que el lquido pueda cambiar de forma sin cambiar apreciablemente de volumen, adaptndose al recipiente que lo contiene.

2.7.2 Concepto y Caracterizacin Sistemas Cristalinos

Estado Cristalino: Se describen como materiales cristalinos aquellos materiales slidos cuyos elementos constitutivos se repiten de manera ordenada y paralela y cuya distribucin en el espacio muestra ciertas relaciones de simetra. As, la propiedad caracterstica y definidora del medio cristalino es ser periodico es decir, que a lo largo de cualquier direccin, y dependiendo de la direccin elegida, la materia que lo forma se halla a distancias especficas y paralelamente orientada. Adems de sta, otras propiedades caractersticas son la homogeneidad y la anisotropa. Por tanto, el cristal est formado por la repeticin montona de agrupaciones atmicas paralelas entre s y a distancias repetitivas especficas

2.7.3 Anisotropia
La anisotropa (opuesta de isotropa) es la propiedad general de la materia segn la cual determinadas propiedades fsicas, tales como: elasticidad, temperatura, conductividad, velocidad de propagacin de la luz, etc. varan segn la direccin en que son examinadas. Algo anistropo podr presentar diferentes caractersticas segn la direccin.

2.7.4 Defectos Cristalinos Y Consecuencia en Propiedades Microscopicas

Los defectos en la red de un material cristalino, son de tres tipos generales: defectos puntuales, defectos de lnea o dislocaciones y defectos de superficie. Las dislocaciones son defectos de lnea que se mueven al aplicar una fuerza al material haciendo que se deforme. El esfuerzo cortante resultante crtico es el esfuerzo requerido para que se mueva la dislocacin. La dislocacin se mueve en un sistema de deslizamiento, formado por un plano de deslizamiento y una direccin de deslizamiento. La direccin de deslizamiento, es decir, el vector de Burgers, tpicamente es una direccin compacta. El plano de deslizamiento normalmente tambin es compacto o casi compacto. En los cristales metlicos, el nmero y tipo de direcciones de deslizamiento y planos de deslizamiento influye en las propiedades del metal. En los metales fcc, el esfuerzo cortante resultante crtico es bajo y existe un nmero ptimo de planos de deslizamiento; en consecuencia, los metales fcc tienden a ser dctiles. En el caso de los metales bc, no hay planos compactos disponibles y el esfuerzo cortante resultante crtico es alto; por lo que los metales bc tienden a ser resistentes. El nmero de sistemas de deslizamiento en los metales hcp es limitado, haciendo que estos metales se comporten de manera frgil. Los defectos puntuales, que incluyen vacancias, tomos intersticiales y tomos sustitucionales, introducen campos de esfuerzos de compresin o de tensin que alteran la red adyacente. Como resultado, las dislocaciones no pueden deslizarse en las cercanas de defectos puntuales, incrementndose la resistencia del material. El nmero de vacancias, o de puntos de red vacos, depende de la temperatura del material; los tomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre tomos normales) y los tomos sustitucionales (que remplazan al tomo normal en puntos de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su nmero no se altera por los cambios de temperatura del material.

Los defectos de superficie incluyen los bordes de grano. Al producir un tamao de grano pequeo se incrementa la cantidad de rea de bordes de grano; dado que las dislocaciones no pueden pasar con facilidad a travs de un borde de grano, el material se hace ms resistente y se incrementa el nmero de dislocaciones ( fuente de Frank Read). El nmero y tipo de defectos de red controlan la facilidad del movimiento de las dislocaciones y, por tanto, influyen de manera directa sobre las propiedades mecnicas del material. El endurecimiento por solucin slida involucra incorporar defectos puntuales y el endurecimiento por tamao de grano se obtiene al producir un material con granos ms pequeos. Los defectos en la red de un material cristalino, son de tres tipos generales: defectos puntuales, defectos de lnea o dislocaciones y defectos de superficie. Las dislocaciones son defectos de lnea que se mueven al aplicar una fuerza al material haciendo que se deforme. El esfuerzo cortante resultante crtico es el esfuerzo requerido para que se mueva la dislocacin. La dislocacin se mueve en un sistema de deslizamiento, formado por un plano de deslizamiento y una direccin de deslizamiento. La direccin de deslizamiento, es decir, el vector de Burgers, tpicamente es una direccin compacta. El plano de deslizamiento normalmente tambin es compacto o casi compacto. En los cristales metlicos, el nmero y tipo de direcciones de deslizamiento y planos de deslizamiento influye en las propiedades del metal. En los metales fcc, el esfuerzo cortante resultante crtico es bajo y existe un nmero ptimo de planos de deslizamiento; en consecuencia, los metales fcc tienden a ser dctiles. En el caso de los metales bc, no hay planos compactos disponibles y el esfuerzo cortante resultante crtico es alto; por lo que los metales bc tienden a ser resistentes. El nmero de sistemas de deslizamiento en los metales hcp es limitado, haciendo que estos metales se comporten de manera frgil. Los defectos puntuales, que incluyen vacancias, tomos intersticiales y tomos sustitucionales, introducen campos de esfuerzos de compresin o de tensin que alteran la red adyacente. Como resultado, las dislocaciones no pueden deslizarse en las cercanas de defectos puntuales, incrementndose la resistencia del material. El nmero de vacancias, o de puntos de red vacos, depende de la temperatura del material; los tomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre tomos normales) y los tomos sustitucionales (que remplazan al tomo normal en puntos de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su nmero no se altera por los cambios de temperatura del material. Los defectos de superficie incluyen los bordes de grano. Al producir un tamao de grano pequeo se incrementa la cantidad de rea de bordes de grano; dado que las dislocaciones no pueden pasar con facilidad a travs de un borde de grano, el material se hace ms resistente y se incrementa el nmero de dislocaciones ( fuente de Frank Read). El nmero y tipo de defectos de red controlan la facilidad del movimiento de las dislocaciones y, por tanto, influyen de manera directa sobre las propiedades mecnicas del material. El endurecimiento por solucin slida involucra incorporar defectos puntuales y el endurecimiento por tamao de grano se obtiene al producir un material con granos ms pequeos.

2.7.5 Correlacion de las propiedades de la estructura en enlace quimico

Se establece cuando un elemento aporta l solo el par electronico a otro elemento que no posee electrones para poder enlazarse con el anterior. Este tipo de enlace se presenta cuando un tomo no metlico comparte un par de electrones con otros tomos. Para que se presente este tipo de enlace, se requiere que el tomo donador tenga un par de electrones en un orbital exterior y el tomo aceptor puede recibir ese par de electrones en su ltima capa de valencia. Este enlace es comn en los xidos no metlicos y en los iones complejos de los metales de transicin, asi como el H 2 SO 4, NH3, SO2.

2.7.6 Estado Vitreo

Estado Vitreo materiales amorfos, tanto orgnicos como inorgnicos. Muchas de las substancias que utilizamos en nuestra vida diaria son estructuralmente materiales vtreos; tal es el caso de polmeros, semiconductores y azcares. El cuadro 1 indica ejemplos de aplicaciones de diferentes tipos de vidrios. En trminos generales, podemos definir a un vidrio como un lquido que ha perdido su habilidad para fluir, o bien, como un material slido amorfo con caractersticas estructurales de lquido y que presenta una transicin vtrea. La manera ms fcil de formar un vidrio es enfriando un lquido lo suficientemente rpido para evitar que la cristalizacin ocurra. Para entender el proceso de transformacin de lquido a vidrio se pueden monitorear los cambios de entalpa o volumen en funcin de la temperatura. La figura 1 muestra cmo, al bajar la temperatura de un lquido, dos cosas pueden ocurrir: 1) Si el lquido cristaliza, se observa una discontinuidad en la propiedad observada a la temperatura de fusin (lnea punteada), correspondiente a una transformacin de primer orden. 2) Si la cristalizacin es ignorada, el lquido pasa a un estado metaestable superenfriado (lnea gris obscuro) y la curva permanece con la misma pendiente. Al continuar enfriando llega un momento en que la pendiente de la curva sufre un cambio y a esta temperatura se le conoce como temperatura de transicin vtrea (Tg) y es a la temperatura a la cual el vidrio es formado.

2.7.7 Estructura Amorfa

Estructura Amorfa se presenta como un amontonamiento catico de subestructuras idnticas. La estructura cristalina se presenta en forma de repeticin de subestructuras estrictamente peridicas, en las que domina el paralelismo; el cuarzo es el ejemplo ms habitual. Por otra parte, en los cristales se distingue un orden a larga distancia, con una organizacin rigurosamente peridica de las subestructuras, en tanto que en las estructuras amorfas, las subestructuras siguen lneas quebradas al azar y el orden slo se discierne a corta distancia. En la difraccin tambin se refleja esta diferencia; la imagen que produce un haz de partculas -fotones, electrones, neutrones- que incide en un cristal amorfo conlleva un punto de impacto central, que corresponde a las partculas no desviadas, rodeado de anillos que corresponden a las distancias medias que son las ms frecuentes entre los tomos. Pero, cuando el haz incide en un cristal, la perfecta periodicidad de las estructuras atmicas implica difracciones regulares de las partculas, que tienen lugar en direcciones privilegiadas y caractersticas de la estructura del cristal. La imagen se asemeja a una rejilla, en la que se distinguen unos puntos espaciados de forma regular que se llaman reflexiones de Bragg. Un slido amorfo consiste en partculas acomodadas en forma irregular y por ello no tienen el orden que se encuentra en los cristales. Ejemplos de slidos amorfos son el vidrio y muchos plsticos. Los slidos amorfos difieren de los cristalinos por la manera en que se funden. Si controlamos la temperatura de un slido cristalino cuando se funde, encontraremos que permanece constante. Los slidos amorfos no tienen temperatura de fusin bien definida; se suavizan y funden en un rango de temperatura y no tienen punto de fusin caracterstico. Los slidos amorfos, al igual que los lquidos y gases, son isotrpicos, es decir sus propiedades son iguales en todas las direcciones. Esto se debe a la falta de regularidad en el ordenamiento de las partculas en los slidos amorfos, lo cual determina que todas las direcciones sean equivalentes. La caracterstica ms notoria de estos materiales es la ausencia de orden de largo alcance. Esto significa que, al contrario de lo que ocurre en un cristal, el conocimiento de las posiciones atmicas de una regin no nos permite predecir cuales sern las posiciones atmicas en otra regin ms o menos distante. A corto alcance slo en el caso de los gases se puede realmente hablar de aleatoriedad, ya que tanto en los lquidos como en los gases se observan valores de densidad que slo son compatibles con empaquetamientos ms o menos compactos de tomos. Ahora bien, la obtencin de estos empaquetamientos impone ciertas restricciones, esto es lo que nos permite hablar de orden de corto alcance.

2.7.8 Propiedades Caractersticas de un Material Vtreo

Basado en lo anterior y en el hecho de que las industrias que producen vidrios (industrias farmacutica, de polmeros, cermica, etctera) han reconocido la importancia de la determinacin de Tg. Las aplicaciones potenciales de substancias similares a la trehalosa crean la necesidad de realizar una investigacin sistemtica a fin de determinar si stas poseen propiedades adecuadas para su uso como encapsulantes de biomolculas

2.7.9 Proceso de Cristalizacion y verificacin vs propiedades fisicoqumica, modificadores de red

La cristalizacin es el proceso por el cual se forma y crece un slido cristalino a partir de un gas o un lquido o una disolucin. La cristalizacin es un proceso empleado frecuentemente en qumicasa la hora de purificar una sustancia slida. Se han desarrollado varias tcnicas en respecto: a. enfriar una disolucin concentrada La mayora de los slidos es ms soluble a temperaturas altas que a temperaturas bajas. Preparndo una disolucin concentrada a altas temperaturas y enfrindola posteriormente se puede conseguir que cristaliza esencialmente el compuesto principal enriquecindose las aguas madre de las impurezas presentes en la mezcla inicial al no alcanzar su lmite de solubilidad b. aadir un disolvente peor Preparando una disolucin concentrada de una sustancia en un buen disolvente y aadiendo un disolvente peor que es miscible con el primero el componente principal del slido disuelto empieza a precipitar, enrequicindose relativamente las aguas madres en las impurezas. c. evaporacin del disolvente Evaporando l disolvente se consigue igualmente que empiecen a cristalizar los slidos disueltos cuando se alcanza el lmite de su solubilidad. Este mtodo ha sido utilizado durante milenios en la fabricacin de sal a partir de salmuera o agua marina. d. sublimacin En algunos compuestos la presin de vapor de un slido puede ser lo bastante elevada como para evaporar cantidades notables de este compuesto sin alcanzar su punto de fusin (sublimacin). Los vapores formados condensan en sonas ms fras ofrecidas por ejemplo en forma de un dedo fro, pasndo habitualmente directamente del estado gaseoso al slido, (resublimacin), dejando atrs las posibles impurezas. De esta manera se pueden obtener por ejemplo slidos puros de cafena, azufre elemental, cido saliclico etc. e. enfriando un slido fundido Para limpiar un slido cristalino este puede ser fundido. Del lquido obtenido cristaliza en primer lugar el slido puro, enriquecindose la fase lquida de impurezas. El mismo mtodo se utiliza por ejemplo en la obtencin de los semiconductores ultrapuros donde se calineta una zona en el material slido obtenido en forma de cilindro con un horno elctrico por induccin y se hace migrar la zona fundida a travs de toda la barra Para obtener cristales grandes de producto poco solubles se han desarrollado otras tcnicas. Por ejemplo se puede hacer difundie dos compuestos de partida en una mtrix gelatinosa. As el compuesto se forma lentamente dando lugar a cristales mayores. Forma y tamao de los cristales pueden ser influenciados por condicionantes como el disolvente o la concentracin de los compuestos, aadiendo trazas de otros componentes como protenas (de esta manera p.ej. los moluscos, las diatomeas, los corales etc. consiguen depositar sus conchas o esqueletos de calcita o cuarzo en la forma deseada.) La obtencin de cristales con una determinada forma o de un determinado tamao puede ser necesaria en multitud de aplicaciones desde la determinacin estructural qumica por difraccin de rayos X hasta la nanotecnologa, la obtencin de pelculas especialmente sensibles debido a cristales de sales de plata planos orientados perpendiculares a la luz.