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IGBT

Introduction Structure d'un transistor IGBT ( Rappel) Technologies Silicium Caractristiques statiques Etat bloqu Conduction Caractristiques dynamiques Domaines d'application

INTRODUCTION

L'IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) est une structure 4 couches. Interrupteur unidirectionnel en courant. Gnralement asymtrique en tension. La structure de l'IGBT permet de rsoudre le problme de la forte valeur de la rsistance RDS(on) des MOSFET's haute tension ( >500V). Les faibles chutes de tension l'tat passant obtenues avec la structure IGBT autorise un fonctionnement densit de courant plus leve que celle des transistors bipolaires ou Darlington (60A/cm 1000V). On ralise aujourd'hui des IGBT's pour le contrle des gros moteurs (traction lectrique) Ex. : 3 kV /1.2kA.

STRUCTURE DE lIGBT
RETOUR SUR LE MOSFET: Composantes de la RDS(on)
Rds(on) =Rch + Ra + Rd Rch = rsistancedu canal Ra = rsistance d'accs (incluant en particulier la rsistance de la couche d'accumulation induite par la grille) Rd = rsistance de la zone pitaxieN- (zone "drift")

MOSFET
Ra

Grille
N+ P Rch

Source

Rd NN+ (substrat)

Drain

Pour les MOS, standard, haute tension ( >400V ): RDS(on) = k. BVDSS


2.5

MOS 50V

MOS 500V
Rd Ra Rch

MOS 1000V

Importance relative des 3 composantes de la RDS(on) pour diffrentes tensions

STRUCTURE DE lIGBT
COMPARAISON MOSFET et IGBT
IGBT
Grille (+)

MOSFET

Source
N+ N+ N+

Grille (+)

Emetteur
N+

C G

N+

N+

N+

N+

In
N- (coucheEPI) N+ (substrat) N- (coucheEPI) P+ (substrat) C

Ip

+
D G

Drain

Collecteur

La structure d'un IGBT est trs semblable celle d'un MOSFET de puissance. La diffrence fondamentale est le remplacement du substrat N+ par unsubstrat P+ qui injectera des trous (porteurs minoritaires ) dans la zone N- (pitaxie). Cela contribuera une rduction considrable de la rsistance de cette zone et permettra d'obtenir une trs faible chute de tension l'tat passant (VCEsat). ( SymboleIGBT : Les nouvelles dnominations du drain et de la source , devenues respectivement collecteur et metteur, sont discutables.)
G

E C

STRUCTURE DE lIGBT
SCHEMA EQUIVALENT
Grille (+) Emetteur
N+ N+ N+ N+

P+ NG

C
T1

In
N-

Ip

MOS

P
Rb

P+ Collecteur

N+
E

Le courant traversant le MOS se comporte comme le courant de base du transistor PNP (T1). Le courant collecteur rsultant s'ajouteau courant de drain du MOS. T1 est un transistor basepaisse : - le gain est trs faible (< ou = 0.3) => courant de trous gal 20-30 % du courant total => recombinaison louverture (courant de queue) - il ne sera jamais satur (la jonction base-Collecteur de T1 est toujours bloquante grce au faible R DSon du MOS) , => Pas de problme de dstockage l'ouverture! => lIGBT est pus rapide que le Darlington. Zone P+, contrairement au MOS: => Pas de diode anti-parallleparasite.

STRUCTURE DE lIGBT
Epitaxi ou homogne ?
PT-IGBT: Punch -Through: - la tenue en tension se fait sur toute la profondeur de la zone Drift N-. - on part dun substrat P+ (qui peut-tre pais car faiblement rsisitif), sur , lequel on fait crotre une couche n par pitaxie (IGET) - la couche N+ permet davoir une couche N-, moins paisse (=> VCE sat + faible; mais aussi recombinaison des porteurs injects par le P+)

NPT -IGBT: Non-Punch -Through: - le champ lectrique ne se propage pas sur toute la profondeur de la zone Drift N- (zone N suffisamment paisse) - on part dun substrat N homogne (IGHT) qui doit tre fin afin de rduire la chute de tension ltat passant - la couche P+ est ralise par implantation

STRUCTURE DE lIGBT
Evolutions technologiques

Trench IGBT: - Rsistances de canal + faible; rsistance daccs supprime (30% de gain sur pertes ltat passant) - tenue au latch-up amliore - mais Cies augmente dun facteur 3 et VGS (th) + fort

Grille Emetteur
N+ N+ N+ N+

Reverse-Blocking IGBT / MBS: - Caisson P+ pour tenir la tension inverse - Forte injection => composant peu rapide (qqs kHz)
A G G S STM E IXYS C

N-

P+ Collecteur

CARACTERISTIQUES STATIQUES

CARACTERISTIQUES STATIQUES
ETAT BLOQUE: limites en tensions directe & inverse

Grille

Emetteur
N+ N+

IC

N+

N+

Tension Inverse (VCES <0) Couche tampon N+ N(a) P+ Collecteur (b) VCES BVCES

VCE

(a) Sans couche tampon. (b) Avec couche N+ IGBT asymtrique (2030V)

LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION


VCE / VCES :Tension Collecteur - Emetteur @ VGE=0 ou BVCES ( IC= 200A qq mA) C G En inverse: VECR : Tension inverse Collecteur-Emetteur (en gnral 20V). VCG (o u VCGR ) : Tension Collecteur -Grille ( avec RGE=20K ) E VGE(+et -) : Limite de tenue de l'oxyde de grille (en gnral 3 0 V )

CARACTERISTIQUES STATIQUES
TENUE AU dV/dt Le dV/dt "statique". ( mme pb pour le MOSFET)
Le cas typique o l'IGBT est soumis ce dv /dt est le bras de pont . Lafermeture du composant complmentaire provoque unevariation de tension (dv/dt) aux bornes de l'IGBT ( ou du MOSFET) .
+ Valim IGBT misen conduction

Le courant dans la capacit Cgc qui en rsulte se referme travers l'impdancedu circuit de grille:

dV/dt
+Vdrive I =Cgd.dV/dt Rg Lp
Cge Cgc

Rg: Rsistance srie du circuit decommande. Lp: inductance parasite (cblage, botier..) Cela provoque une lvation de tension de la grille. Au dessus du seuil VGE(th), le composant conduit. Ce court-circuit du bras de l'onduleur gnre des pertes supplmentaires importantes. Il est recommand de polariser la grille par une tension ngative pour maintenir le composant correctement bloqu.

charge
IGBT bloqu

CARACTERISTIQUES STATIQUES
CARACTERISTIQUE A L'ETAT PASSANT
P+
T1

P+
T1

C D

NG
MOS

NP
Rb

MOS

MOS

N+
E

La caractristique courant - tension l'tat passant est quivalente celle d'un MOSFET [ avec une trs faible RDS(on) ] en srie avec une diode.

IC(A) IGBT 30 A MOSFET VGE=10V

VGE=8V 3.5A VGE=6V VCE(V) 3V

Tension de seuil de la diode P+ N-

Comparaison MOSFET / IGBT 1000V (mme surface)

CARACTERISTIQUES STATIQUES
SPECIFICATION de la CARACTERISTIQUE A L'ETAT PASSANT
IC La chute de tension l'tat passant (VCEsat ou VCEon ) est donne pour le courant IC max spcifi Tj=25C et/ou Tj=TjMAX . avec VGE = 15V ( en gnral) Les valeurs typiques sont de l'ordre de 2 3 Vselon les types. Certains produits, optimiss pour unfonctionnement basse frquence (ex. 50Hz) ont des VCEsat < 2V
Rd

IC max spcifi

VCE
Vto

VCE sat

Pertes en conduction:
Comme pour une diode on modlise la caractristique avec les paramtres Vto et Rd pour calculer la puissancedissipe :

Pcond. = Vto.IC(av) + Rd.IC(rms)


IC(av ) = Courant moyen dans le composant [ Average current ] IC(rms )= Courant efficace dans le composant [ RMS current ]

CARACTERISTIQUES STATIQUES
VCE sat versus TJ
IC IC 125C
IC max spcifi

25C

25C

125C

IC max spcifi VCE sat

VCE
VCE sat

VCE

PT-IGBT ou IGBT pitaxi: - la chute de tension diminue avec la temprature - le point spcifi Tj max est un point favorable ( la tj de fonctionnement, les pertes risquent dtre + fortes)

NPT-IGBT ou IGBT homogne: - la chute de tension augmente avec la temprature - mise en parallle possible

CARACTERISTIQUES STATIQUES
Limites absolues d'utilisation

Courant Collecteur: 1) IC courant max en continu Tc = 25C (!) et/ou Tc = 100C Ces valeurs correspondent, pour un botier donn la puissance dissipe max pour laquelle la temprature de jonction atteint la T JMAX spcifie. 2) ICMCourant max en impulsion: Cette valeur est limite par le composant et par des considrations thermiques (Aire de scurit) AIRE DE SECURITE ( FBSOA)

CARACTERISTIQUES STATIQUES
FERMETURE SUR UN COURT-CIRCUIT
Les IGBT's supportent le court circuit de la charge pendant qqs dizaines de s sans sedgrader

Test de mise en conduction sur un court-circuit:


0

VGE t

CHARGE Lp 15V 0 tp Rg
0

IC +Valim t

Valim VCE t
0

Le courant de court-circuit est limitpar la tension VGE: IC=gfs (VGE-VGE(th)) => dcroissance avec la temprature (GFS ) La limite de destruction est dtermine par : - la temprature de jonction (on peut atteindre dans ces conditions 200 300C) - Le courant de Latch-Up & la surtension de aux selfs parasites. Ex. : IC(c/c) # 4 10 fois IC nom Tcase=100C (tp=15s)

CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES

CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
FERMETURE SUR CHARGE INDUCTIVE
Fonctionnement identique un MOS:
IRM

VCE IC
Valim

Icharge

VGE

- to t1 : la tension grille monte et atteint le seuil VGE(th) - t1 2 : le courant augmente dans l'IGBT (mode linaire ). Le courant diminue (avec la mme pente ) dans la diode roue-libre qui continue conduire jusqu'au IRM. - t2 t3 : La tension VCE diminue rapidement au dbut du "plateau" de la tension grille, puis dcrot lentement cause de l'augmentation de la capacit Cgc (effet Miller) - t3 : l'IGBT est en conduction.

VGE(th) t0 t1 t2 t3

VCEsat

Valim

de t1 t3 : Pertes la fermeture (Pon) Aprs t3 : Pertes en conduction ( Pcond)

Icharge

L
IC

La fermeture de l'IGBT est comparable celle d'un MOSFET. La vitesse de commutation dpend de lavitesse de charge de la capacit d'entre (Cies) donc de l'impdance de sortie du circuit de commande. Remarque: dcroissance de VCE la monte du courant due aux selfs parasites (10 nH/cm => 5 15 nH interne au botier) + le VF de la diode.

Ig

Cgc
G VGE

C VCE

Cge

CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
OUVERTURE SUR CHARGE INDUCTIVE

Valim V1
Icharge

IC

VCE

Valim

C L
IC Icharge

ON

VGE

ouverture de la partie MOS G


MOS

T1

Cgc Rgoff
G C VCE

ouverture de la partie Bipolaire

Rb

OFF

VGE

Cge

t0 t1

t2

t3

t4

Le blocage de l'IGBT se fait d'abord en suivant le mme processus que dans le cas du MOSFET: - t1 t2: la tension VCE monte doucement au dbut puis plus rapidement (effet miller ). Le courant commence dcrotre quand la tension VCE atteint la tension d'alimentation (dblocage de la diode roue-libre). - t2 t3: le courant dcrot brusquement (section Ade la courbe), le MOSs'ouvre et lamajeure partie du courant est coup. - t3 t4 (section B): la base du transistor PNPest ouverte Les porteurs minoritaires ne sont pas vacus . . Un courant de "queue" persiste jusqu' la recombinaison complte (dcroissance exponentielle): Remarque : La partie A dure typiquement qq dizaines de nanosecondes. La partie B s'exprime en centaines de nanosecondes ou qqs microsecondes .

CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
COURANT DE "QUEUE [" current tail " ]

Ce phnomne de tranage du courant l'ouverture est l'inconvnient de l'utilisation de porteurs minoritaires. IC C'est la principale cause des pertes l'ouverture, donc une limitation pour le fonctionnement frquence leve (<100kHz). Itail dpend de la technologie: - 40-50% de I C pour les PT-IGBT (car zone P+ trs paisse et dope) - 20-30% de I C pour les NPT-IGBT (P+ fin)

V CE

dVC/dt I tail
W1 W2

Itail augmente avec : - Le courant collecteur initial (lgrement, surtout calibre) - La tension VCE (ou de la tension d'crtage) - La temprature de jonction. Itail peut tre rduit par la rduction de la dure de vie (PT-IGBT): - Implantation de Pt. - Bombardement d'lectrons ou de neutrons (irradiation). Ces techniques sont utilises pour la fabrication des IGBT rapides.

t
t1 t2

Compromis chute de tension ltat passant / rapidit au blocage .

CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
Le THYRISTOR PARASITE: risque de "LATCH -UP "
Grille (+) Emetteur
N+ N+ N+ N+

P+ NG

C
T1

Rb In NIp
MOS T2

P N+
Rb

P+
E

Collecteur

Le courant collecteur du transistor PNP (T1)circule dans la rsistance de la zone P (Rb). Si la tension aux bornes de cette rsistance est trop importante le transistor parasiteNPN (T2) , conduit et maintient le courant dans la base du transistor T1: Fonctionnement en thyristor . On ne peut plus ouvrir le composant par la grille (Ilfaut couper le courant dans le circuit extrieur). Pour repousser la limite de cet accrochage (Latch -Up), les solutions technologiques sont: - irradiation: pour rduire au maximum les gains des transistors et diminuer le courant de trous. - couche tampon N+ pour rduire l'injection de trous (surtout PT-IGBT). => V mais tOFF ON

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CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
IGBT Latch-free & RBSOA

Le risque de Latch-up augmenteavec: - le courant de collecteur - la tempraturede jonction (Rb ) - le dV/dt (c.a.d Rg OFF faible et tension dalimentation leve)
ON

C
T1

dV/dt

Cp

Rg OFF
OFF

Cres
G

MOS T2 Rb

I capa

Cies

E
IC (A)

Lorsque que le courant de Latch-Up est suprieur au courant max en mode linaire (@ VGS spcifi), on parle d IGBT latch -free. L'aire de scurit l'ouverture ( RBSOA ) est alors rectangulaire. Rq: la RBSOA est donne pour des conditions d'ouverture bien spcifies (RgOFF, VCE, Tj).

200 100 50 20 10 5 2 1 10 20 30 50 100 200 300 500 1,000

RG=10 Tj=150C

NPT-IGBT Latch free

VCE (V) EX.: STGW20NB60 IGBT 20A - 600V

APPLICATIONS

L'IGBT s'impose de plus en plus dans le domaine de la haute tension (600 V 3kV ) et de la forte puissance (> 5kW ). Cela s'adresse essentiellement aux commandes de gros moteurs. En moyenne puissance (#1KW) l'IGBT est souvent choisi pour sa facilit de commande (comme le MOSFET) et sa robustesse (tenue dans l'avalanche, tenue en court circuit ...) Il est utilis : - En commandede moteurs : circuits conomiques ( souvent F< 10kHz) - Dans l'automobile : presque exclusivement pour l'allumage (500v "logic level) - Dans l'clairage : Gradateur - Lampes H.I.D - Alimentations( Convertisseurs rsonance).

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APPLICATIONS
Allumage moteur
Spcifications requises: - logic level (pour contrle direct par MCU) - Clamped (pour gnrer une haute-tension au primaire ~ 300 V) - Grille protge (environement contraignant)
VCC

Spark

MCU

CONCLUSION
A retenir...

Domaine privilgi > 300 V Meilleure chute de tension que les MOS Diffrences avec les MOS Seuil de tension ltat passant Courant de queue au blocage Risque de Latch-up lors de louverture sur court-circuit Des familles diffrentes (technologie & comportement) NPT-IGBT (fort V CE sat, rapide) PT-IGBT (faible V CE sat, lent)

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