Appunti di Elettronica Applicata

Claudio Sanso
23 settembre 2011
Questa raccolta di appunti ha avuto origine dal lavoro fatto da Alberto
Tibaldi (testi) e Luca De Villa Pal (graci/immagini). stata completamente
rivista e integrata con altri testi precedenti, per cui non rimane molto del lavoro
originario, ma senza di loro non ci sarebbe stato lo spunto per raccogliere in un
insieme organico tutto il materiale sparso esistente per questo corso.
1
Indice
1 LAmplicatore Operazionale 5
1.1 Analisi introduttiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.1 Amplicatori operazionali ideali . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.2 Amplicatori operazionali non ideali . . . . . . . . . . . . 8
1.1.3 Voltage follower . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.4 Amplicatore di transresistenza . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.5 Amplicatore invertente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.2 Specchi di Corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.2.1 Specchio di corrente a BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.2.2 Specchio di corrente a MOSFET . . . . . . . . . . . . . . 22
1.3 Stadio Dierenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.3.1 Modo dierenziale e modo comune . . . . . . . . . . . . . 24
1.3.2 Amplicatore dierenziale a BJT . . . . . . . . . . . . . . 28
1.3.3 Amplicatore dierenziale a MOSFET . . . . . . . . . . . 33
1.4 Schema semplicato di un amplicatore operazionale . . . . . . . 34
1.5 Stadi di Potenza a Transistori Bipolari . . . . . . . . . . . . . . . 37
1.5.1 Transistori bipolari di potenza . . . . . . . . . . . . . . . 37
1.5.2 Classi di potenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.5.3 Classe A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
1.5.4 Classe B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
1.5.5 Classe AB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
1.6 Modelli dellA.O. reale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
1.6.1 Oset di tensione e corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
1.6.2 Dinamica di ingresso di modo comune . . . . . . . . . . . 56
1.6.3 Dinamica di uscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
1.6.4 Impedenze di ingresso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
1.6.5 Guadagno dierenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
1.6.6 Amplicatore operazionale CMOS . . . . . . . . . . . . . 61
1.7 Dimensionamento di un amplicatore . . . . . . . . . . . . . . . . 62
1.7.1 speciche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
1.7.2 Progetto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
1.8 Risposta in frequenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
1.8.1 Funzione di trasferimento . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
1.8.2 Guadagno danello . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
1.8.3 Prodotto banda-guadagno . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
1.8.4 Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
2
2 Applicazioni dellamplicatore operazionale 81
2.1 Congurazione invertente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
2.1.1 Integratore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
2.1.2 Derivatore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
2.1.3 Sommatore invertente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
2.2 Amplicatore dierenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
2.3 Sommatore non invertente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
2.4 Sommatore generalizzato . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
2.5 Amplicatori da strumentazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
2.5.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
2.5.2 Compatibilit elettromagnetica . . . . . . . . . . . . . . . 100
2.5.3 Amplicatori da strumentazione . . . . . . . . . . . . . . 101
2.5.4 Amplicatore a due operazionali . . . . . . . . . . . . . . 108
2.6 Amplicatori audio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
2.7 Circuiti ad alimentazione singola . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3 Filtri attivi 118
3.1 Filtri del primo ordine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
3.1.1 Integratore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
3.1.2 Passa-basso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3.1.3 Derivatore e passa-alto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
3.1.4 Passa-banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
3.1.5 Rotatore di fase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
3.2 Filtri del II ordine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
3.2.1 Passa-basso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
3.2.2 Passa-alto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
3.2.3 Passa-banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
3.2.4 Elimina-banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
3.2.5 Passa tutto o giratore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
3.3 Circuiti per ltri del II ordine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
3.3.1 Celle a guadagno nito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
3.3.2 Celle a guadagno innito . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
3.3.3 Celle basate su amplicatori operazionali multipli . . . . . 142
3.4 Filtri di ordine superiore al II . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
3.4.1 Maschera di progetto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
3.4.2 Risposte standard . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
3.4.3 Progetto di un ltro passa basso . . . . . . . . . . . . . . 148
3.4.4 Circuito di simulazione di uninduttanza . . . . . . . . . . 149
3.4.5 Dati per il progetto di ltri passa-basso . . . . . . . . . . 151
3.5 Filtri a capacit commutate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
3.5.1 Principio di funzionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
3.5.2 Integratore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
3.5.3 Limiti di frequenza di clock . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
3.5.4 Eetti delle capacit parassite . . . . . . . . . . . . . . . 163
3.5.5 Integratori stray insensitive . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
3.5.6 Comportamento in frequenza . . . . . . . . . . . . . . . . 165
3.5.7 Filtro del secondo ordine con cella biquadratica . . . . . . 167
3.5.8 Approfondimenti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
3
4 Amplicatori non lineari 169
4.1 Amplicatore logaritmico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
4.1.1 Eliminazione della dipendenza da . . . . . . . . . . . . . 170
4.1.2 Riduzione della dipendenza dalla temperatura . . . . . . . 171
4.1.3 Disaccoppiamento delle impedenze . . . . . . . . . . . . . 172
4.1.4 Esempio pratico di progetto . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
4.2 Raddrizzatore a singola semionda (diodo ideale) . . . . . . . . . . 177
4.2.1 Prima ipotesi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
4.2.2 Circuito corretto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
4.2.3 Traslazione della caratteristica . . . . . . . . . . . . . . . 181
4.3 Raddrizzatore a doppia semionda . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
4.3.1 Raddrizzatore a doppia semionda generalizzato . . . . . . 186
4.3.2 Esempio di Progetto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
4.3.3 Comportamento in frequenza . . . . . . . . . . . . . . . . 191
4.3.4 Scambio dei diodi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
5 Amplicatore operazionale fuori linearit 192
5.1 Comparatori di soglia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
5.1.1 Comparatore invertente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
5.1.2 Comparatore non invertente . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
5.1.3 Comparatori e decisione binaria . . . . . . . . . . . . . . . 195
5.1.4 Sensibilit al rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
5.1.5 Comparatori con isteresi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
5.1.6 Realizzazione circuitale dei comparatori di tensione . . . . 199
5.2 Multivibratori astabili . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
5.2.1 Schema circuitale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
5.2.2 Analisi quantitativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
5.3 Generatore di onda triangolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
5.3.1 Analisi quantitativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 204
5.3.2 Esempio teorico/pratico di progetto . . . . . . . . . . . . 205
5.4 Oscillatori sinusoidali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 214
5.4.1 Condizioni di Barkhausen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 214
5.4.2 Realizzazione pratica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
5.4.3 Oscillatore a ponte di Wien . . . . . . . . . . . . . . . . . 216
5.4.4 Oscillatore a sfasamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 218
5.4.5 Oscillatori a tre punti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221
5.4.6 Oscillatori al quarzo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224
5.5 Voltage Controlled Oscillator (VCO) . . . . . . . . . . . . . . . . 226
5.5.1 Analisi del funzionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227
5.5.2 circuito alternativo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
4
Capitolo 1
LAmplicatore
Operazionale
Indice
1.1 Analisi introduttiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.1 Amplicatori operazionali ideali . . . . . . . . . . . 6
1.1.2 Amplicatori operazionali non ideali . . . . . . . . . 8
1.1.3 Voltage follower . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.4 Amplicatore di transresistenza . . . . . . . . . . . . 13
1.1.5 Amplicatore invertente . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.2 Specchi di Corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.2.1 Specchio di corrente a BJT . . . . . . . . . . . . . . 16
1.2.2 Specchio di corrente a MOSFET . . . . . . . . . . . 22
1.3 Stadio Dierenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.3.1 Modo dierenziale e modo comune . . . . . . . . . . 24
1.3.2 Amplicatore dierenziale a BJT . . . . . . . . . . . 28
1.3.3 Amplicatore dierenziale a MOSFET . . . . . . . . 33
1.4 Schema semplicato di un amplicatore operazionale 34
1.5 Stadi di Potenza a Transistori Bipolari . . . . . . 37
1.5.1 Transistori bipolari di potenza . . . . . . . . . . . . 37
1.5.2 Classi di potenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.5.3 Classe A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
1.5.4 Classe B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
1.5.5 Classe AB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
1.6 Modelli dellA.O. reale . . . . . . . . . . . . . . . . 54
1.6.1 Oset di tensione e corrente . . . . . . . . . . . . . . 55
1.6.2 Dinamica di ingresso di modo comune . . . . . . . . 56
1.6.3 Dinamica di uscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
1.6.4 Impedenze di ingresso . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
1.6.5 Guadagno dierenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
1.6.6 Amplicatore operazionale CMOS . . . . . . . . . . 61
1.7 Dimensionamento di un amplicatore . . . . . . . 62
1.7.1 speciche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
1.7.2 Progetto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
1.8 Risposta in frequenza . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
1.8.1 Funzione di trasferimento . . . . . . . . . . . . . . . 69
1.8.2 Guadagno danello . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
5
1.8.3 Prodotto banda-guadagno . . . . . . . . . . . . . . . 75
1.8.4 Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
1.1 Analisi introduttiva
1.1.1 Amplicatori operazionali ideali
L
approccio pi semplice allo studio dei circuiti basati su amplicatori ope-
razionali prevede lutilizzo di un modello blackbox (che non specica
come sia costituito allinterno il dispositivo in questione).
La rappresentazione pi comunemente utilizzata per lamplicatore opera-
zionale quella di un triangolo, dotato di due morsetti di ingresso, due mor-
setti di alimentazione (spesso omessi nei circuiti) ed un morsetto di uscita; i
morsetti di ingresso, caratterizzati dai simboli + e - (rispettivamente detti
anche ingresso non invertente e ingresso invertente), sono gli ingressi dei
segnali che lamplicatore operazionale dovr, per lappunto, amplicare; i mor-
setti di alimentazione, come il nome suggerisce, hanno lo scopo di polarizzare e
fornire potenza al circuito contenuto allinterno dellamplicatore operazionale,
al ne di poterlo utilizzare correttamente.
Le equazioni che governano il funzionamento di un amplicatore operazionale
ideale sono:
_
i
+
= i

0
v
d
= v
+
v

0
Queste equazioni sono fondamentali al ne dello studio di un generico cir-
cuito contenente uno (o pi) amplicatori operazionali. Dal momento che lam-
plicatore operazionale ha guadagno tendente a innito, si pu intuire che, per
avere unuscita nita, ossia anch il risultato delloperazione di prodotto tra
tensione dierenziale v
d
(tensione tra i morsetti + e -) e guadagno dieren-
ziale A
d
dellamplicatore sia nito, si debba avere v
d
0. Di conseguenza
nellamplicatore operazionale ideale la caduta di tensione tra i morsetti quasi
nulla e la corrente di ingresso quasi nulla, indipendentemente dalla resistenza
dierenziale presente tra i morsetti dingresso. Per semplicare i conti, si pu
pensare che i morsetti delloperazionale oppongano alle correnti di ingresso una
resistenza dierenziale r
d
.
Riassumendo, le caratteristiche fondamentali dellamplicatore operazionale
ideale sono:
Guadagno dierenziale tendente a innito;
Resistenza dierenziale dingresso tendente a innito (ipotesi comoda ma
non necessaria);
Resistenza di uscita tendente a 0;
Tensione dierenziale di ingresso tendente a 0;
Correnti entranti negli ingressi tendenti a 0.
Proviamo ad utilizzare le nozioni appena apprese in un esempio pratico.
6
R
1
R
2
v
i
v
u
Figura 1.1: Amplicatore non invertente.
Esempio 1. Consideriamo il circuito di esempio della gura 1.1.
Questo circuito, come vedremo tra breve, un amplicatore non inverten-
te, ossia amplica un segnale senza invertirne la fase (o aumentarla/diminuirla
di 180

). In quanto amplicatore, esso avr un certo guadagno, denito come

rapporto tra tensione di uscita, v
u
, e tensione di ingresso, v
i
.
Si pu vedere facilmente, tenendo conto delle equazioni di funzionamento del
dispositivo, che:
v
u

R
1
R
1
+R
2
= v

Ma dal momento che v

+
= v

= v
i
:
v
u
v
i
=
R
1
+R
2
R
1
=
_
1 +
R
2
R
1
_
Vogliamo, a questo punto, trarre alcune conclusioni riguardo lesempio pra-
tico appena presentato:
In questa prima parte della trattazione, lamplicatore operazionale verr
utilizzato retroazionato. La reazione negativa comporter, come in qual-
siasi tipo di sistema dotato di reazione, gli eetti gi noti dai primi corsi
di Elettronica: variazioni delle impedenze di ingresso o uscita, aumento
della banda passante e altro.
Quando la reazione collegata al morsetto - delloperazionale, essa
negativa, in quanto il segnale va sempre in contrapposizione allingresso,
diminuendolo. Una reazione sul morsetto non invertente sar positiva;
Nella teoria dei controlli automatici, i sistemi retroazionati sono spesso
modellati con un blocco di amplicazione A e un blocco di retroazione
(gura 1.2). Nel caso degli amplicatori operazionali, spesso semplice
7
distinguere il blocco A dal blocco ; il blocco il circuito (rete passiva,
in questo caso) in grado di riportare una parte del segnale di uscita
allingresso. Dal momento che, con questa topologia, il segnale riportato
al morsetto invertente pari a:
v
u

R
1
R
1
+R
2
= v

= v
+
si pu dire che:
=
R
1
R
1
+R
2
A

V
e
V
u
Figura 1.2: Sistema retroazionato.
1.1.2 Amplicatori operazionali non ideali
Il nostro discorso prevede diverse approssimazioni: gli amplicatori operazionali
reali hanno caratteristiche che si discostano dal modello ideale.
Abbiamo visto che si pu realizzare un amplicatore non invertente sempli-
cemente selezionando le resistenze del blocco di retroazione, in modo da ottenere
un certo rapporto. Ma il rapporto veramente lunica cosa che conta? Per porre
la domanda in un modo diverso: utilizzare resistori da 1 e 9 produce lo
stesso risultato delluso di resistori da 1 M e 9 M, o di 1 m e 9 m?
La risposta ovviamente no: gli amplicatori operazionali reali presentano
eetti di non idealit tali da essere condizionati dallordine di grandezza del-
le resistenze utilizzate. Come si pu evincere da uno studio dellamplicatore
operazionale a livello di transistori, si vedr perch non sia possibile utilizzare
qualsiasi resistore. Sostanzialmente, le non-idealit sono:
Guadagno A
d
non innito;
Resistenza dierenziale r
d
non innita e resistenza di uscita non nulla;
Correnti entranti non nulle;
Tensione dierenziale non nulla;
Dinamica di tensione di ingresso e di tensione/corrente duscita non in-
nite.
8
Procediamo per gradi, presentando modelli via via pi perfezionati rispetto
a quello ideale; si noti che lapproccio in uso non motiva le non idealit, bens
studia il comportamento del circuito in presenza di una non idelit. La giu-
sticazione della presenza delle non idealit, partendo dallesame dellinterno
dellamplicatore operazionale, avverr nel seguito della trattazione.
Guadagno dierenziale
Presentiamo un primo perfezionamento del nostro modello: consideriamo, delle
non idealit prima elencate, il fatto che A
d
< . Il fatto che A
d
non sia innito
comporta il fatto che, per avere unuscita non nulla, serva una v
d
= 0. Il nuovo
modello del dispositivo, dunque, sar quello della gura 1.3.
+
R
1
R
2
v
i
v
u
v
d
A
d
v
d
Figura 1.3: Primo modello circuitale dellamplicatore operazionale non ideale:
A
d
< .
Si avr che:
v

= v
i
v
d
= v
u

Per, si pu anche dire che:
v
d
=
v
u
A
d
Da qui:
v
i

v
u
A
d
= v
u
v
u
_
+
1
A
d
_
= v
i
Quindi:
v
u

A
d
+ 1
A
d
= v
i

v
u
v
i
=
A
d
1 +A
d
=
1

A
d
1 +A
d
=
1

T
1 +T
9
Nella teoria dei circuiti retroazionati, T A
d
il guadagno di anello.
Si noti, da questo modello, che nei casi pratici lo scostamento del compor-
tamento del circuito dal caso ideale molto piccolo: per avere uno scostamento
del 50 % dal caso ideale, si dovrebbe avere un guadagno di anello, T, pari a
1. Nella realt, i peggiori degli amplicatori operazionali potrebbero avere un
guadagno dierenziale, A
d
, pari a 10000; imponendo al circuito un valore di
guadagno veramente elevato, potrebbe essere nellintorno di 1/1000. Pochi
circuiti reali richiedono ad un singolo stadio di amplicazione un guadagno cos
elevato, perch si avrebbero problemi con il comportamento in frequenza del
circuito. In ogni caso:
T
10000
1000
= 10
Si ha ancora, in queste condizioni decisamente estreme, uno scostamen-
to tra il guadagno del circuito reale e quello del circuito ideale pari al 10%,
normalmente accettabile.
Impedenza dingresso
Possiamo complicare la nostra trattazione inserendo altre non idealit: le impe-
denze degli amplicatori operazionali. Consideriamo una resistenza dierenziale
r
d
non innita (non consideriamo per ora la resistenza di uscita, dunque la
tensione viene ancora prelevata da un generatore ideale di tensione).
+
R
1
R
2
r
d
I
x
I
u
v
x
v
u
v
d
A
d
v
d
Figura 1.4: Secondo modello circuitale dellamplicatore operazionale: resistenza
dingresso.
10
Si vuole calcolare z
i
e, per far questo, al posto di v
i
si introduce un generatore
di tensione noto di prova, V
x
. Al ne di determinare limpedenza dingresso, si
calcola la corrente uscente da V
x
;
V
x
= I
x
r
d
+R
1
(I
u
+I
x
)
v
d
= r
d
I
x
; v
u
= A
d
v
d
= A
d
r
d
I
x
Inoltre:
v
u
= R
2
I
u
+R
1
(I
u
+I
x
) A
d
r
d
I
x
= R
2
I
u
+R
1
(I
u
+I
x
)
Raccogliendo I
u
:
I
u
(R
1
+R
2
) = A
d
r
d
I
x
R
1
I
x
I
u
=
A
d
r
d
I
x
R
1
I
x
R
1
+R
2
Sostituendo ci nellespressione di V
x
, si pu determinare:
V
x
= I
x
r
d
+R
1
I
x
+
_
A
d
r
d
I
x
+R
2
I
x
R
1
+R
2
_
R
1
Svolgendo le moltiplicazioni, si pu ottenere:
V
x
= I
x
r
d
+
R
1
R
1
+R
2
A
d
r
d
I
x
+
R
1
R
2
R
1
+R
2
I
x
Ricordando che =
R1
R1+R2
Si ottiene che:
z
i
=
V
x
I
x
= r
d
(1 +A
d
) +R
1
//R
2
Il secondo termine si pu spesso considerare trascurabile rispetto al pri-
mo (concorre ad aumentare limpedenza, quindi trascurandolo si ottiene un
worst case); cosa interessante il fatto che anche questo modello, decisa-
mente perfezionato rispetto a quello ideale, non comporta particolari modiche
al comportamento del circuito: la retroazione con confronto in serie fa aumenta-
re notevolmente limpedenza di ingresso del circuito, rendendo ancora una volta
accettabile lipotesi di amplicatore operazionale ideale in molti dei nostri conti.
Impedenza duscita
Al ne di perfezionare il modello gi presentato occorre considerare gli eventuali
eetti dellimpedenza di uscita. Consideriamo dunque il modello dellamplica-
tore operazionale di gura 1.5.
Per calcolare limpedenza di uscita colleghiamo ad essa un generatore di
tensione di prova, il solito V
x
, e dunque consideriamo spenti tutti gli altri gene-
ratori indipendenti del circuito (i pilotati ovviamente no!). La corrente I
x
sar
composta da due contributi: uno che entrer nel ramo del generatore pilotato
A
d
v
d
e uno che andr nel ramo di R
2
; possibile semplicare la trattazione
osservando che I
2
I
1
: dal momento che r
o
una resistenza molto pi piccola
di R
1
, R
2
, e anche del loro parallelo, potremmo dire che I
x
I
1
. Trascurare
I
2
comporta lottenere come risultato un valore di impedenza pi alto di quello
11
+
I
x
I
1
I
2
V
x
v
d
A
d
v
d
R
1
R
2
r
d
r
o
Figura 1.5: Modello dellamplicatore operazionale con impedenza duscita non
nulla.
reale, cosa accettabile quando si vuole vericare che limpedenza duscita sia
ragionevolmente bassa. Si ha quindi che:
I
x
I
1
=
V
x
A
d
v
d
r
o
Per, sappiamo anche che v
d
esprimibile come:
v
d
= V
x
=
R
1
R
1
+R
2
V
x
Possiamo dunque dire che:
I
x

V
x
+A
d
V
x
r
o
Da qui:
I
x
V
x

1 +A
d
r
o
, A
d
= T
Quindi:
Z
o
=
V
x
I
x

r
o
1 +T
Supponendo di avere una resistenza pari a 100 , pi alta di quanto si trova
nella maggior parte degli amplicatori reali, se il guadagno di anello fosse intorno
12
v
i
v
u
Figura 1.6: Voltage follower.
a 1000, ridurremmo di 3 ordini di grandezza la resistenza, che diverrebbe pari a
100 m! Possiamo dunque dire che questo circuito (amplicatore non invertente)
un buon amplicatore di tensione: impedenza elevata di ingresso e impedenza
bassa di uscita.
1.1.3 Voltage follower
Una variante del circuito del quale abbiamo ampiamente parlato quella della
gura 1.6.
In questa topologia si ha la massima retroazione possibile: il fatto di avere
come retroazione un corto circuito massimizza la porzione di segnale riportato in
ingresso ( = 1); le conseguenze sono da un lato di rendere unitario il guadagno
del circuito, ma daltra parte di rendere il guadagno danello il pi alto pos-
sibile, aumentando moltissimo limpedenza di ingresso e riducendo dello stesso
fattore quella di uscita; questo circuito assorbir dunque pochissima corrente
dallingresso e in uscita sar sostanzialmente un generatore ideale di tensione
(ossia a impedenza pressoch nulla).
La congurazione voltage follower molto utilizzata proprio come separato-
re dimpedenza. Torneremo ad occuparci del voltage follower quando parleremo
di risposta in frequenza degli amplicatori operazionali.
1.1.4 Amplicatore di transresistenza
Unulteriore topologia circuitale basata sullamplicatore operazionale ripor-
tata in gura 1.7.
Lingresso in corrente, luscita in tensione; poich il rapporto tra lu-
scita e lingresso dimensionalmente una resistenza, questa topologia detta
amplicatore di transresistenza. Dal momento che la corrente non entra nel
morsetto invertente del dispositivo, la corrente va tutta verso R
2
, quindi si avr
una tensione di uscita pari a:
V
u
= I
R
R
2
13
I
R
V
u
R
2
Figura 1.7: Amplicatore di transresistenza.
In sostanza, questa topologia circuitale trasforma la corrente in tensione,
fornendo unuscita per lappunto in tensione, proporzionale della resistenza R
2
.
Analizzando questo circuito si pu facilmente notare che sia limpedenza di
ingresso sia quella duscita sono molto basse.
1.1.5 Amplicatore invertente
Lamplicatore di transresistenza alla base di questa topologia, rappresentan-
te, assieme allamplicatore non invertente, una delle pi diuse congurazioni
per quanto riguarda lutilizzo lineare dellamplicatore operazionale. Nella fat-
tispecie, come vedremo tra breve, questa topologia sar alla base di molti altri
circuiti lineari basati sul dispositivo attivo.
Se, a partire dalla precedente topologia, sostituiamo il generatore di corrente
con un generatore di tensione, seguito da una resistenza in serie come in gura
1.8, otteniamo una congurazione in cui la tensione dingresso viene dapprima
convertita in una corrente, che poi viene riconvertita in tensione dalluscita
dellamplicatore.
Prima di esporre il (breve) calcolo del guadagno di questo circuito, presen-
tiamone subito il punto debole: la resistenza di ingresso, R
i
, pari a R
1
, ossia
alla resistenza in serie al generatore di tensione di ingresso. Infatti, dal momento
che R
1
collegata tra un generatore di tensione e uno 0 V virtuale, ossia un
morsetto con una dierenza di potenziale nulla rispetto ad un morsetto collegato
a 0 V (il morsetto non invertente), si pu dire valga lequazione alla maglia verso
lo 0 V passando per il -; introducendo un generatore di prova di tensione, V
x
,
si avr, su R
1
, una corrente I
x
pari a:
I
x
=
V
x
R
1
z
i
=
V
x
I
x
= R
1
A questo punto sappiamo quanta corrente va in R
1
, ma sappiamo anche
che nelloperazionale non entra corrente (usando il modello ideale, che nora
si vericato piuttosto valido; eventualmente si ridiscuter la cosa); tutta la
14
R
1
R
2
v
u
v
i
Figura 1.8: Schema dellamplicatore invertente.
corrente (gi quanticata come rapporto tra la tensione di ingresso e R
1
) andr
dunque verso R
2
, cos che si avr:
V
u
=
V
i
R
1
R
2
Da qui:
V
u
V
i
=
R
2
R
1
Questo amplicatore, dunque, in grado di amplicare (con unespressio-
ne molto semplice, dipendente esclusivamente dal rapporto delle resistenze) ed
invertire di fase (ruotare di 180

) il segnale di ingresso.
Tenendo conto del guadagno A
d
non innito dellamplicatore operazionale,
si possono rifare i conti ottenendo:
V
i
+v
d
R
1
=
v
d
V
u
R
2
Ma v
d
= V
u
/A
d
, da cui:
V
i
= V
u
_
R
1
R
2
+
R
1
+R
2
A
d
R
2
_
Introducendo = R
1
/(R
1
+R
2
) e riordinando i termini si ha inne:
V
u
V
i
=
R
2
R
1

1
1 +
1
A
d

=
_
1
1

1
1 +
1
A
d

Abbiamo dunque ottenuto un altro tipo di amplicatore. Il problema per

che questo non un vero amplicatore di tensione. Abbiamo gi notato che la
sua impedenza di ingresso pari a R
1
, quindi tuttaltro che elevata, per cui le sue
prestazioni sono inuenzate dallimpedenza di uscita della sorgente di segnale,
che diminuir il guadagno dello stadio. Per quanto riguarda limpedenza duscita
15
+
R
1
v
CC
I
R
I
O
I
B1
I
B2
I
E1
I
E2
T
1
T
2
Figura 1.9: Specchio di corrente realizzato con transistori bipolari.
basta osservare che il circuito che si utilizza per il calcolo lo stesso del caso
dellamplicatore non invertente, quindi si ottiene lo stesso valore calcolato nella
sezione 1.1.2.
1.2 Specchi di Corrente
Lo specchio di corrente uno dei blocchi fondamentali dellamplicatore ope-
razionale: si tratta di un circuito a transistori in grado di fornire una corrente
duscita uguale o proporzionale alla corrente di ingresso, chiamata corrente di ri-
ferimento. Questo tipo di topologia pu dunque essere utilizzata al ne di creare
generatori di corrente quasi ideali, con una dinamica di tensione molto elevata.
Esaminiamo due implementazioni di questo circuito fondamentale: una ba-
sata sulluso di transistori bipolari e unaltra basata sui MOSFET.
1.2.1 Specchio di corrente a BJT
Lo schema di uno specchio di corrente compare in gura 1.9.
Vi una corrente di riferimento I
R
che pu essere generata in diversi mo-
di: nel nostro esempio stata semplicemente prodotta inserendo una resistenza
tra il morsetto di ingresso e la tensione di alimentazione. Se si vuole ridurre
la dipendenza della corrente di riferimento dal valore della tensione di alimen-
tazione sono possibili alternative, ad esempio utilizzando un diodo zener o un
qualche altro riferimento di tensione. Luscita attraverso cui scorre la corrente
I
O
invece collegata ad un generico carico del circuito (in questo caso si sceglie
di utilizzare come carico un generatore di tensione a tensione variabile). Il lato
di T
1
detto lato debole dello specchio di corrente, il lato di T
2
lato forte.
Il transistore T
1
collegato in modalit diodo perch V
B
= V
C
, a causa
del corto circuito tra base e collettore. Dal momento che si intende studiare il
solo comportamento del circuito, ignoriamo lorigine delle correnti I
R
e I
O
, per
16
r

V
x
V
x
g
m
V
x
I
R
Figura 1.10: Schema per il calcolo dellimpedenza di ingresso dello specchio.
concentrarci solo sui loro legami interni al circuito in questione. Vogliamo, nella
fattispecie, determinare quale funzione lega I
O
a I
R
.
Al ne di semplicare i calcoli in questione, opportuno ricorrere ad alcune
ipotesi semplicative: supponiamo che I
B1
e I
B2
siano trascurabili rispetto a
I
R
: ci permette di dire che I
E1
I
R
, e che I
E2
I
O
; osserviamo poi che,
nel circuito disegnato, V
BE1
= V
BE2
. Nellambito dei circuiti integrati inoltre
pi che ragionevole pensare che, se i due transistor sono vicini, essi siano alla
stessa temperatura (da qui la stessa V
T
); detto ci, ricordiamo le equazioni di
funzionamento del transistore bipolare:
I
E
= I
S

_
e
VBE/VT
1
_
I
S
e
VBE/VT
I
R
= I
S1
e
VBE/VT
I
O
= I
S2
e
VBE/VT
Le correnti di saturazione avrebbero una notevole dipendenza dalla tempera-
tura ma, poich supponiamo di lavorare su un circuito integrato, una variazione
di temperatura provocher variazioni di corrente proporzionali nelle due giun-
zioni. Allora il rapporto tra le due correnti dipender solo dalla supercie delle
giunzioni dei due dispositivi:
I
O
I
R
=
I
S2
I
S1
=
A
2
A
1
Gli specchi di corrente hanno funzionamento approssimativamente ideale
solo allinterno dei circuiti integrati; questa topologia non ha prestazioni sod-
disfacenti se realizzata con due transistor discreti, in quanto le temperature di
giunzione possono dierire di parecchi gradi e variare diversamente nel tem-
po. Una soluzione consiste nellutilizzare non transistor singoli ma una coppia
dierenziale (due transistor accoppiati su uno stesso chip).
Impedenze di ingresso e uscita
Caratterizziamo a questo punto i parametri fondamentali del circuito: impeden-
za di ingresso e di uscita.
Per quanto riguarda T
1
, la sua impedenza di ingresso si pu ricavare dallo
schema di gura 1.10
Come al solito, limpedenza di ingresso si calcola utilizzando un generatore di
tensione di prova V
x
e misurandone la corrente duscita. Dal momento che si ha
17
r

r
0
V
x
g
m
V
BE
V
BE
Figura 1.11: Schema per il calcolo dellimpedenza di uscita dello specchio.
un corto-circuito tra base e collettore, che mette in parallelo r

e il generatore
pilotato con il quale si modella il BJT, sulla giunzione base-emettitore cadr una
tensione pari a quella del generatore di prova, per cui la corrente di collettore
sar g
m
V
x
. Trascurando la corrente di base, la resistenza di ingresso sar dunque
calcolabile semplicemente come:
I
x
= I
R
= g
m
V
x
Z
i
=
V
x
I
x
=
1
g
m
Ricordando che g
m
= I
C
/V
T
, si ha ancora: Z
i
= V
T
/I
R
.
Per quanto riguarda limpedenza di uscita, si pu fare un ragionamento
duale. Si fa riferimento alla gura 1.11
agevole vericare che limpedenza di uscita dipende dalleetto Early. Se
trascurassimo leetto Early, potremmo eliminare la r
o
, e tutta la V
x
cadrebbe
sullimpedenza (innita) del generatore di corrente pilotato; V
x
non potrebbe
dunque in alcun modo alterare V
BE
e dare luogo ad una corrente, e dunque
I
x
= 0. Ma:
Z
o
=
V
x
I
x
0
+
Se invece consideriamo leetto Early
1
, la corrente proveniente da V
x
circola
solamente in r
o
e quindi essa limpedenza di uscita.
I
x
=
V
x
r
o
Z
o
=
V
x
I
x
= r
o
Allora limpedenza sul ramo utile come generatore di corrente elevata e que-
sto circuito sar normalmente un buon generatore di corrente. Tuttavia leetto
Early dipende dalla tecnologia impiegata per realizzare i transistori e quindi oc-
corre tenerne conto. Unaltra condizione necessaria al buon funzionamento che
la tensione di polarizzazione di T
2
sia tale da tenere in zona lineare il transistore.
1
La resistenza ro serve a tenere conto della dipendenza della corrente di collettore ic dalla
caduta di tensione vce. Viene calcolata come rapporto tra un parametro chiamato tensione di
Early V
A
e la corrente I
C
di polarizzazione ro = V
A
/I
C
. Indicativamente V
A
nellordine del
centinaio abbondante di volt per npn mentre pi basso per i pnp.
18
R
v
BE1
v
BE2
T
1
T
2
I
O
I
R
Figura 1.12: Schema dello specchio con resistenza.
Circuito per elevato rapporto tra corrente di ingresso e uscita
Modicando le aree di giunzione dei due transistori del circuito si pu ottenere
uno specchio amplicatore o attenuatore; si d priorit tuttavia al dimen-
sionamento di T
1
, che deve essere il pi miniaturizzato possibile; dunque una
soluzione per ottenere uno specchio attenuatore quella di introdurre un resi-
store sullemettitore di T
2
(gura 1.12), in modo da provocare una dierenza tra
le tensioni base-emettitore dei transistori e cos ridurre la corrente di emettitore
del secondo transistore.
Vediamo che su R cade una tensione pari a V
BE1
V
BE2
; la corrente I
O
,
dunque, trascurando ancora le correnti di base, sar pari a:
I
O
=
V
BE1
V
BE2
R
Ricavando le V
BEi
dalle equazioni viste sopra, si ha:
V
BE1
= V
T
ln
_
I
R
I
S1
_
; V
BE2
= V
T
ln
_
I
O
I
S2
_
Sostituendo e usando le propriet dei logaritmi, si ottiene:
V
BE1
V
BE2
= V
T
ln
_
I
R
I
S1

I
S2
I
O
_
Supponendo poi che i transistor abbiano area uguale, le correnti di satura-
zione saranno uguali, dal momento che ci troviamo in un circuito integrato. Si
ha quindi che:
I
O
=
V
BE1
V
BE2
R
=
V
T
R
ln
_
I
R
I
O
_
Date R ed I
R
, possibile ricavare I
O
con un procedimento iterativo di risolu-
zione delle equazioni che non ammettono soluzione esplicita. In fase di progetto
19
quello che interessa ricavare il valore della resistenza R che permette di ot-
tenere determinate correnti, quindi in tale caso semplice risolvere lequazione
rispetto ad R.
Inuenza delle correnti di base
In tutte le relazioni trovate sopra abbiamo sempre trascurato le correnti di base
dei transistor, I
B1
e I
B2
. Quali sono le approssimazioni commesse, rispetto al
caso reale? Sviluppiamo i conti nel caso di due transistor con la stessa area di
giunzione. La prima operazione da fare calcolare I
E1
tenendo conto delle due
correnti di base. Per quanto riguarda il transistore al lato debole, abbiamo:
I
E1
= I
B1
+I
C1
= I
B1
+ [I
R
(I
B2
+I
B1
)] = I
R
I
B2
Per quanto riguarda T
2
, invece:
I
E2
= I
O
+I
B2
Dal fatto che le tensioni V
BE
sono uguali e che le correnti di saturazione
sono altrettanto uguali, abbiamo che I
E1
= I
E2
.
I
E1
= I
E2
I
R
I
B2
= I
O
+I
B2
Ma, dal momento che:
I
B2
=
I
O

2
Si ha che:
I
O
= I
R
2
I
O

2
Dunque:
I
O
=
I
R
1 + 2/
2
Analizzando il risultato si vede che il rapporto tra le due correnti dipende
dal del transistore. Purtroppo non facilmente predicibile ed inoltre varia in
funzione della V
CE
, della temperatura e dellinvecchiamento del componente; il
risultato ottenuto comunque accettabile per molte applicazioni, dal momento
che di solito un numero sucientemente elevato.
Specchio di precisione
Come possibile modicare il circuito in modo da ottenere uno specchio di
corrente di precisione? La soluzione tipica quella di aggiungere un ulteriore
transistore, in modo da ottenere una topologia come in gura 1.13.
Aggiungendo T
3
, la I
B3
prelevata da I
R
sar sensibilmente pi bassa rispetto
alla precedente; infatti, si ha che:
I
B3
=
I
B1
+I
B2

3
+ 1
Supponendo che i
i
siano tutti uguali, e che sia ben pi grande di 1:
20
T
1
T
1
T
2
T
2
T
3
T
3
I
B1
I
B1
I
B2
I
B2
I
B3
I
B3
I
R
I
R
I
O
I
O
V
CC
V
CC
Figura 1.13: Specchio di corrente ad alta precisione ottenuto con un laggiunta
di un transistore.
=
1
=
2
=
3
; + 1
Si pu dire che:
I
B3
=
I
B1
+I
B2

3
+ 1

I
B1
+I
B2

=
2I
B1

I
E1
= I
R
I
B3
+I
B1
I
E2
= I
O
+I
B2
Per gli stessi motivi di prima, si ha che I
E1
= I
E2
e da ci segue che
I
R
I
B3
+I
B1
= I
O
+I
B2
Si pu notare, tuttavia, che:
I
R
I
B3
= I
C1
= I
B1
=
I
R
I
B3

I
O
= I
C2
= I
B2
=
I
O

Dunque:
I
R
I
B3
+I
B1
= (I
R
I
B3
)
_
1 +
1

_
I
O
+I
B2
= I
O
_
1 +
1

_
21
Da qui, ricordando che I
B3
= 2I
B1
/:
_
I
R

2I
B1

__
1 +
1

_
= I
O
_
1 +
1

_
Quindi dato che I
B1
I
R
/:
I
R
_
1
2

2
_
= I
O
Questo circuito dunque molto meglio del precedente: se = 100 (ad esem-
pio), si avr
2
= 10000, e quindi la dierenza tra le correnti sar estremamente
ridotta!
1.2.2 Specchio di corrente a MOSFET
Lo specchio di corrente basato sulluso di transistori a eetto di campo MOS ha
laspetto del circuito in gura 1.14.
M
1
M
2
I
R
I
O
Figura 1.14: Specchio di corrente realizzato con transistori MOS.
La topologia la stessa ma sono ovviamente diverse le equazioni che ne
governano il funzionamento. M
1
polarizzato in regione di saturazione di canale,
2
in quanto V
GS
= V
DS
. Il circuito funzioner correttamente se anche M
2
viene
fatto lavorare nella stessa zona. Per entrambi dunque:
I
D
= k
n
(V
GS
V
Tn
)
2
(1 +V
DS
)
Dove:
k
n
=
1
2

n
C
OX
W
n
L
n
W
n
la lunghezza, L
n
la larghezza del dispositivo. Per semplicare la trat-
tazione, spesso leetto di channel lenght modulation del MOSFET () verr
trascurato.
Consideriamo le seguenti equazioni, per i due MOSFET:
I
R
= I
D1
= k
1
(V
GS
V
Tn,1
)
2
2
Si ricordano le condizioni sulle tensioni per il funzionamento del MOSFET a canale n in
saturazione: v
GS
> Vt v
DS
> v
GS
Vt = v
OV
triodo: v
GS
> Vt v
DS
< v
GS
Vt = v
OV
22
V
GS
V
DS
g
o
V
DS g
m
V
GS
Figura 1.15: Sviluppo dello specchio di corrente a MOSFET secondo i modelli
dei componenti.
I
O
= I
D2
= k
2
(V
GS
V
Tn,2
)
2
Date V
Tn,1
= V
Tn,2
, cosa ragionevole in un circuito integrato, come anche

n
e C
OX
, si pu ricondurre tutto alla geometria dei transistori:
I
O
I
R
=
k
2
k
1
=
W
2
/L
2
W
1
/L
1
Terminiamo la caratterizzazione del circuito calcolando le impedenze di in-
gresso e uscita, con il solito sistema: sviluppando i MOSFET nei loro modelli,
si ottiene il circuito di gura 1.15.
Bisogna determinare due parametri: la transconduttanza g
m
relativa al MO-
SFET M
1
e la g
o
relativa ad M
2
.
Si sa che:
g
m
=
I
D
V
GS
= 2k
1
(V
GS
V
Tn,1
)
Quindi:
g
m
=
2I
R
V
GS
V
Tn,1
Si ha che:
Z
i
=
1
g
m
=
V
GS
V
Tn,1
2I
R
Allo stesso modo, si calcola il g
o
al variare di V
DS
:
g
o
=
I
O
V
DS
= k
n
(V
GS
V
Tn,2
)
2
I
O
Z
o
=
1
I
O
In applicazioni che richiedono impedenza duscita pi grande si possono uti-
lizzare altre congurazioni, ad esempio quella di Wilson modicata, costituita
da quattro transistori, che per non sar qui trattata in dettaglio. Basti sapere
che questa congurazione sfrutta lo stesso meccanismo di aumento della R
O
del
cascode: esso abbina le elevate impedenza di ingresso e transconduttanza di uno
stadio CS con lampia larghezza di banda e le propriet di buer di corrente del
CG.
23
1.3 Stadio Dierenziale
In questa sezione studieremo le caratteristiche dellamplicatore dierenziale a
transistori, che trova larga applicazione come stadio di ingresso degli amplicato-
ri operazionali. Lamplicatore operazionale, in una rappresentazione a blocchi,
potrebbe essere rappresentato da tre elementi disposti in cascata:
1. Stadio di ingresso: amplicatore dierenziale;
2. Stadio intermedio di guadagno in tensione: nellimplementazione bipolare,
spesso uno stadio Darlington;
3. Stadio di uscita di potenza: generalmente questo stadio ha guadagno di
tensione unitario ma caratterizzato da una bassa impedenza duscita,
che permette di disporre di una maggiore corrente (e quindi potenza) sul
carico.
Molti amplicatori CMOS sono realizzati con solo due stadi, eliminando il
terzo stadio in quanto gli altri due producono suciente guadagno di tensione
e hanno suciente capacit di pilotaggio.
In questa sezione verr analizzato il primo blocco, cio lo stadio dierenziale.
1.3.1 Modo dierenziale e modo comune
V
1
V
u
V
2
(a)
V
1
V
2
I
O
I
1
I
2
V
BE1
V
BE2
(b)
Figura 1.16: Amplicatore dierenziale generico (a) e una sua realizzazione con
BJT (b).
Nella gura 1.16a rappresentato un amplicatore dierenziale; luscita di
questo stadio sar una combinazione lineare dei due segnali dingresso:
24
V
u
= A
1
V
1
+A
2
V
2
Perch lo stadio sia dierenziale luscita devessere proporzionale alla die-
renza degli ingressi, questo pu essere tradotto in unespressione che pu essere
confrontata con la precedente per ricavare un vincolo sulle amplicazioni A
1
e
A
2
dello stadio.
V
u
= K(V
1
V
2
)
K(V
1
V
2
) = A
1
_
V
1
+
A
2
A
1
V
2
_
= A
1
V
1
+A
2
V
2
A
2
A
1
= 1 = A
1
= A
2
I coecienti devono dunque essere uguali in modulo e opposti in segno.
Per analizzare in modo pi comodo questo sistema, matematicamente eet-
tuiamo un cambio di sistema di riferimento: anzich descrivere luscita V
u
in
termini di combinazione lineare degli ingressi, riscriviamola come combinazio-
ne tra la tensione dierenziale v
d
, ossia la dierenza degli ingressi (tensione di
modo dierenziale) e un secondo termine V
C
, la tensione di modo comune,
o valor medio degli ingressi
Nella gura 1.17 sono rappresentati due segnali sinusoidali V
1
e V
2
e i corri-
spondenti modi comune V
C
e dierenziale v
d
. I nuovi parametri sono derivabili
semplicemente dalle due tensioni di ingresso:
_
v
d
= V
1
V
2
V
C
= (V
1
+V
2
)/2
Il risultato introducendo questa nuova base si pu esprimere luscita come
combinazione lineare dei due nuovi segnali v
d
e V
C
e non pi come grandezza
proporzionale alle due tensioni V
1
e V
2
ai terminali:
V
u
= A
d
v
d
+A
C
V
C
Dove:
A
d
=
A
1
A
2
2
; A
C
= A
1
+A
2
Ci che abbiamo fatto con questa operazione separare i modi di funziona-
mento dellamplicatore, ossia considerare il sistema come se fosse composto da
due stadi: lamplicatore dierenziale amplica esclusivamente la dierenza tra
i segnali di ingresso, mentre lamplicatore di modo comune amplica (o meglio,
attenua) esclusivamente la media tra i segnali di ingresso.
Lamplicatore dierenziale ideale, per denizione, deve amplicare solo il
modo dierenziale e quindi ha A
d
molto grande e A
C
nullo, in modo da non
amplicare la componente di modo comune dei segnali in ingresso ma piuttosto
annullarla. Al limite si vorrebbe che luscita di un amplicatore dierenziale V
u
sia solo funzione di v
d
:
V
u
= A
d
v
d
25
1
0
1
2
3
0 2 4 6 8
V
t
V
1
V
C
V
2
(a)
1
0
1
2
3
0 2 4 6 8
V
t
V
1
V
2
v
d
(b)
Figura 1.17: Modo comune (a) e modo dierenziale (b) di una coppia di segnali
sinusoidali V
1
e V
2
. Si osservino i valori in corrispondenza dei massimi, minimi
e zeri dei segnali.
26
Tuttavia, lespressione completa della combinazione lineare dei due modi
sar riscrivibile come segue introducendo il rapporto tra le amplicazioni dei
due modi:
V
u
= A
d
v
d
_
1 +
A
C
A
d
V
C
v
d
_
Questo signica che tanto pi il termine di guadagno di modo comune, A
C
,
elevato rispetto al guadagno utile A
d
, tanto pi si avranno errori rispetto al
funzionamento ideale del dispositivo dierenziale.
Al ne di determinare la bont di un amplicatore di questo tipo, si intro-
duce un parametro fondamentale, in grado di quanticare lerrore commesso a
causa dellamplicazione di modo comune. Questo parametro chiamato CMRR
(Common Mode Rejection Ratio), ed denibile come:
(CMRR)
dB

_
A
d
A
C
_
dB
= 20 log
10

A
d
A
C

Pi il CMRR elevato, migliore sar lo stadio dierenziale realizzato.

Come qualunque altro circuito attivo, lo stadio dierenziale deve essere ali-
mentato; dallalimentazione dipenderanno la dinamica di ingresso di modo co-
mune e la dinamica di ingresso di modo dierenziale. Cosa sono queste dina-
miche? Come tutti gli amplicatori, il dispositivo funziona bene se in stato
di linearit. I segnali di ingresso dunque devono rientrare in precisi limiti di
tensione per garantire il funzionamento in linearit dei transistori. Questi li-
miti saranno chiariti analizzando la struttura interna del sistema, per adesso
basti sapere qualitativamente che in particolare non devono essere applicati agli
ingressi:
segnali con modo comune tale da portare in interdizione o in saturazione
i transistori di ingresso o, a causa dellamplicazione di modo comune del
sistema, portare fuori linearit gli stadi successivi; la dinamica di modo
comune dunque lintervallo di ampiezze del modo comune tale per cui nei
dispositivi attivi contenuti allinterno dellamplicatore non intervengano
fenomeni di non linearit;
segnali con modo dierenziale in grado di far raggiungere alluscita valori
di tensione eccessivamente elevati, tali far intervenire fenomeni di non
linearit nei dispositivi interni allamplicatore; lintervallo di valori che il
modo dierenziale pu assumere detto dinamica di modo dierenziale.
Le due dinamiche di ingresso appena esposte sono connesse alla tensione
di alimentazione dello stadio dierenziale. Per quanto riguarda la dinamica di
ingresso dierenziale, non avremo grossi problemi, dal momento che, di solito,
lamplicatore dierenziale utilizzato per piccoli segnali e in un sistema
retroazionato, in cui il segnale dierenziale v
d
mantenuto circa nullo dalla rete
di retroazione.
Pi attenzione occorre porre alla dinamica dingresso di modo comune: pren-
dendo ad esempio il voltage follower di gura 1.6, si nota che la tensione dingres-
so di modo comune equivale praticamente al segnale V
i
, perch V
i
applicato
al morsetto non invertente e la reazione fa s che allincirca la stessa tensione
sia applicata anche al morsetto invertente dellamplicatore. I limiti entro cui
27
potr variare il segnale dingresso allora sono dettati proprio dalla dinamica di
ingresso di modo comune.
Da questo punto di vista lamplicatore invertente non ha limitazioni dalla
dinamica di ingresso di modo comune in quanto la tensione dingresso viene
convertita in corrente (entrambi i terminali di ingresso si trovano a 0 V reali o
virtuali) e quindi i limiti del circuito sono dettati solo dalla dinamica duscita.
1.3.2 Amplicatore dierenziale a BJT
V
1
V
2
I
O
I
1
I
2
R
C
R
C
V
BE1
V
BE2
+V
AL
V
AL
Figura 1.18: Amplicatore dierenziale a BJT.
In g. 1.18 rappresentato lo schema dellamplicatore dierenziale a tran-
sistor bipolari. Date in ingresso ai morsetti dellamplicatore due tensioni V
1
e
V
2
, si nota che la tensione dierenziale pari alla dierenza delle tensioni di
giunzione base-emettitore dei due transistori:
v
d
= V
BE1
V
BE2
possibile ricavare le V
BE
dalle equazioni di funzionamento dei BJT che le
mettono in relazione le correnti I
1
e I
2
.
I
1
= I
S1
e
VBE
1
/VT
I
2
= I
S2
e
VBE
2
/VT
Ipotizzando al solito di costruire questo stadio su di un circuito integrato,
possiamo supporre che i due transistor abbiano la stessa area di giunzione e che
siano alla stessa temperatura. Di conseguenza le correnti inverse di saturazio-
ne possono essere considerate uguali; da ci, calcoliamo il rapporto delle due
correnti I
1
e I
2
, come:
I
1
I
2
=
I
S1
I
S2
e
(VBE
1
VBE
2
)/VT
= e
(VBE
1
VBE
2
)/VT
28
In questa relazione possibile introdurre il modo dierenziale v
d
= V
BE1

V
BE2
e scrivere la corrente di emettitore di T
1
in funzione di quella dellemetti-
tore di T
2
.
I
1
= I
2
e
v
d
/VT
Osserviamo ancora la topologia del circuito: i due emettitori sono collegati
a un generatore indipendente di corrente, I
O
; si pu dunque scrivere, usando la
legge di Kirchho dei nodi, che:
I
O
= I
1
+I
2
I
O
= I
2
_
1 +e
v
d
/VT
_
= I
2
=
I
O
1 +e
v
d
/VT
I
1
=
I
O
e
v
d
/VT
1 +e
v
d
/VT
Studiamo ora gracamente queste funzioni, analizzandone in particolare gli
andamenti asintotici e nellintorno dellorigine (gura 1.19).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
8 6 4 2 0 2 4 6 8
v
d
/V
T
I
1,2
I
1
I
2
Figura 1.19: Graco delle correnti dello stadio dierenziale al variare del segnale
di modo dierenziale.
Vediamo, facilmente, che:
lim
v
d

I
1
= 0 lim
v
d
+
I
1
= I
O
lim
v
d

I
2
= I
O
lim
v
d
+
I
2
= 0
29
I
1
(0) = I
2
(0) =
I
O
2
La zona in cui entrambe le correnti sono attive molto ridotta (dal momento
che, in un intorno dellorigine, lesponenziale presenta un andamento crescen-
te molto accentuato); si pu stimare che inoltre le curve siano, in un intorno
dellorigine, linearizzabili, e ossia approssimabili con le rette tangenti, per:
v
d
[V
T
; V
T
]
La tensione dierenziale dellingresso del circuito deve essere piccola, al ne
di poter utilizzare un modello lineare; la cosa comunque, come gi detto, non
ci causa problemi, dal momento che lamplicazione totale di un amplicatore
operazionale molto elevata e il segnale dingresso dello stadio dierenziale
necessariamente molto piccolo.
Qual il guadagno in corrente dello stadio, considerando valida la linearizza-
zione in un intorno di v
d
= 0 ? Sappiamo che, sviluppando in serie e troncando
al primo ordine, si ottiene:
I
1

I
O
2
+
I
O
v
d

v
d
=0
I
1
=
I
O
2
+g
m0
v
d
Da qui:
I
2
= I
O
I
1

I
O
2
g
m0
v
d
Il termine g
m,0
una transconduttanza, che rappresenta il fattore di pro-
porzionalit tra ingresso in tensione v
d
ed uscita in corrente dellamplicatore;
Cerchiamo di quanticare il termine I
1
I
O
/2:
I
1

I
O
2
=
I
1
I
2
2
I
1

I
O
2
=
I
O
2
e
v
d
/VT
1
e
v
d
/VT
+ 1
Ma, ricordando la denizione di tangente iperbolica
3
, si pu scrivere che:
I
1
=
I
O
2
_
1 + tanh
_
v
d
2V
T
__
Vogliamo approssimare la tangente iperbolica nellorigine con un termine
lineare. Lo sviluppo in serie della tangente iperbolica in questo intorno :
tanh(x) = x
x
3
3
+
2
15
x
5

Quindi nellintorno di v
d
= 0 si pu scrivere:
3
tanh(x) =
e
x
e
x
e
x
+ e
x
=
e
2x
1
e
2x
+ 1
=
1 e
2x
1 + e
2x
30
I
1

I
O
2
_
1 +
v
d
2V
T
_
=
I
O
2
+
I
O
4V
T
v
d
Da qua, mediante confronto con la precedente espressione di I
1
, si ottiene il
valore di g
m0
. Ragionando su un singolo transistore della coppia (alimentato da
met di I
O
) si pu introdurre il corrispondente parametro g
m
4
.
g
m,0
=
I
O
4V
T
=
1
2
I
O
/2
V
T
=
1
2
g
m
Amplicazione di modo dierenziale Simboleggiando con R
C
i carichi
(supposti identici) dei collettori dei transistori della coppia dierenziale, pos-
sibile calcolare la tensione dierenziale di uscita, cio quella che si potrebbe
prelevare tra i due collettori dello stadio (ognuno caricato con una R
C
).
v
c1
= R
C
I
c1
= R
C
_
I
O
2
+g
m0
v
d
_
v
c2
= R
C
I
c2
= R
C
_
I
O
2
g
m0
v
d
_
v
c1
v
c2
= 2R
C
g
m0
v
d
A
d,12
= 2R
C
g
m0
Questa la tensione di uscita dierenziale che possibile prelevare tra i due
collettori. Se si prelevasse la tensione solo sul collettore di uno dei due transistori
il guadagno sarebbe dimezzato.
Amplicazione di modo comune La corrente prodotta dal generatore idea-
le di corrente posto sugli emettitori della coppia dierenziale indipendente
dalla tensione ai suoi capi. In altre parole, presenta ammettenza nulla (circuito
aperto) nel modello di piccolo segnale.
In realt, come generatore di corrente si utilizza normalmente uno specchio
di corrente. Per calcolare il guadagno di modo comune occorre allora model-
lare lo stadio dierenziale utilizzando un generatore con una resistenza r
o
in
parallelo(g. 1.20), ricordando quanto gi osservato nel paragrafo 1.2.1.
Dato in ingresso ad entrambi i morsetti uno stesso segnale di modo comune
V
C
, potremo valutare lamplicazione di modo comune dello stadio. La corrente
I

O
data dalla somma di I
O
e della corrente che scorre nella resistenza r
o
che
tiene conto delle non idealit del generatore; si avr che:
I

O
= I
O
+
V
C
V
BE
r
o
Nel modello di piccolo segnale presente r
o
sugli emettitori. Dato che il
circuito idealmente simmetrico e presenta lo stesso ingresso, si pu immaginare
di spezzarlo in due dividendo la r
o
in una coppia di resistenze poste in parallelo,
che insieme siano equivalenti a r
o
, quindi pari ognuna a 2r
o
.
Se la tensione di uscita viene prelevata tra i due collettori, il modo comune
in uscita viene eliminato (almeno idealmente) perch entrambi i terminali si
4
La transconduttanza di un transistore bipolare gm pari al rapporto tra la corrente di
polarizzazione e la tensione equivalente della temperatura V
T
.
31
v
C
v
C
v
A
I
O
I

O
r
O
I
1
I
2
V
BE1
V
BE2
Figura 1.20: Schema dello stadio dierenziale con generatore reale di corrente.
trovano allo stesso potenziale e quindi la dierenza nulla. Invece se luscita
viene prelevata tra uno solo dei collettori e lo 0 V di riferimento, il modo comune
V
C
viene amplicato.
Relativamente al modo comune, ognuno dei due transistor della coppia dif-
ferenziale forma uno stadio di amplicazione a emettitore comune, dato che tale
tensione entra nella base e luscita prelevata sul collettore. Lamplicazione
del modo comune pari a
v
c1
= V
C
1
Z
iB
R
C
= A
C
=
R
C
( + 1)2r
o
+r

R
C
( + 1)2r
o

R
C
2r
o
Quindi A
C
, che vorremmo fosse nulla, dipende dalla resistenza di uscita del
generatore di corrente che polarizza lo stadio dierenziale. Esso dovrebbe essere
il pi ideale possibile (r
o
) per ridurre A
C
.
Per valutare la bont dello stadio dierenziale con uscita prelevata su un
solo collettore, valutiamo il CMRR facendo il rapporto tra lamplicazione
dierenziale e di modo comune in dB.
CMMR = 20 log

A
d
A
C

= 20 log

R
C
g
m0
R
C
/(2r
o
)

= 20 log

g
m0
r
o
2

Il modello utilizzato molto semplice perch non tiene conto di alcuna asim-
metria del sistema: suciente una piccola dierenza tra le resistenze viste come
carico dai due collettori anch le amplicazioni dovute ai due transistori della
coppia siano diverse luna dallaltra e si abbia A
C
= 0 anche nel caso che luscita
sia prelevata in modo dierenziale tra i due collettori. La stessa osservazione si
pu ripetere ragionando sul dei transistor.
32
M
2
M
1
R
D
I
2
R
D
I
1
V
1
V
GS1
V
2
V
GS2
V
AL
I
0
V
AL
Figura 1.21: Stadio dierenziale MOS.
1.3.3 Amplicatore dierenziale a MOSFET
Come per lo specchio di corrente, possibile realizzare un amplicatore die-
renziale anche a partire da transistori di tipo MOS, utilizzando una topologia
analoga al circuito a BJT. Lo schema di riferimento visibile in g. 1.21.
Il comportamento del circuito assomiglia a quello del dierenziale a BJT,
con limportante dierenza di non assorbire corrente continua dagli ingressi.
Si ha:
v
d
= V
1
V
2
= V
GS1
V
GS2
Quando v
d
= 0, se i due transistori sono uguali, la corrente che scorre nei
due drain uguale, quindi I
1
= I
2
= I
0
/2, cos come sono, per denizione, ugua-
li le due V
GS
. Chiamiamo V
GS0
la tensione Gate-Source in queste condizioni.
Possiamo allora esprimere V
1
e V
2
in funzione di V
GS0
e v
d
:
_
V
1
= V
GS0
+v
d
/2
V
2
= V
GS0
v
d
/2
Supponiamo inoltre che i valori di V
1
, V
2
, I
0
, V
AL
e R
D
siano tali da portare
i transistori a lavorare in zona di saturazione di canale. Possiamo allora trovare
il valore di V
GS0
risolvendo lequazione seguente:
I
1
= k
n
(V
GS0
V
tn
)
2
=
I
0
2
dove k
n
e V
tn
assumono lo stesso valore introdotto nella sezione 1.2.2.
Il legame tra I
1
e v
d
non lineare, dipendendo dallequazione:
I
1
= k
n
(V
GS0
+
v
d
2
V
tn
)
2
ma pu essere linearizzato nellintorno di v
d
= 0 introducendo una transcon-
duttanza g
m0
, analogamente a quanto fatto per il dierenziale a BJT.
33
_
I
1
I
0
/2 +g
m0
v
d
I
2
I
0
/2 g
m0
v
d
Per ottenere il valore di g
m0
occorre derivare lespressione di I
1
.
g
m0
=
_
I
1
v
d
_
v
d
=0
= k
n
(V
GS0
V
tn
)
Confrontando questa espressione con leguaglianza trovata sopra per I
0
/2, si ha:
g
m0
=
I
0
2
1
(V
GS0
V
tn
)
Anche in questo caso, le correnti I
1
e I
2
saturano a 0 o I
0
per ampi valori di
v
d
.
1.4 Schema semplicato di un amplicatore ope-
razionale
Dopo avere analizzato il funzionamento dello specchio di corrente e dello stadio
dierenziale, possiamo costruire lo schema base dellamplicatore operazionale.
In questo modo sar possibile comprenderne il principio di funzionamento in-
terno (limiti di dinamica, problemi di scostamento dal modello ideale) e quindi
utilizzarlo in modo pi consapevole nel progetto di circuiti che precedentemente
sono stati analizzati pensando allA.O. come ad una scatola nera.
Lo schema presentato in g. 1.22.
Analizziamo nel dettaglio questo schema, giusticando la presenza di cia-
scun elemento ed il suo ruolo nel circuito complessivo, le sue caratteristiche e
prestazioni rispetto ad altre soluzioni.
Alimentazione Il circuito in esame deve essere alimentato con una coppia
di tensioni simmetriche pari a V
AL
. Esistono amplicatori operazionali adatti
ad operare con una sola tensione di alimentazione positiva (monoalimentazio-
ne) riferita a 0 V. Non studieremo i dettagli circuitali di questi integrati, ma
discuteremo in seguito quali accorgimenti utilizzare in presenza di singola ali-
mentazione. In questa descrizione si supporr di usare tensioni simmetriche, per
evidenziando il fatto che non strettamente necessario che tensione positiva e
negativa abbiano lo stesso valore in modulo.
Specchio di polarizzazione Lo stadio dierenziale (T
1
, T
2
) necessita per la
sua polarizzazione di un generatore di corrente il pi ideale possibile. Perci si
introduce la coppia di transistori (T
3
, T
4
) che realizzano uno specchio di corrente.
Nel nostro schema semplicato la corrente di riferimento di questo specchio
viene prodotta tramite una resistenza R
M
collegata a +V
Al
. La scelta di una
resistenza non sempre la migliore, in quanto, rispetto a circuiti pi complicati,
peggiora la reiezione alle variazioni della tensione di alimentazione (PSRR).
34
T
9
T
8
T
7
T
6
T
5
I
B7
T
2
I
2
T
1
I
1
T
4
T
3
R
M
+V
AL
V
AL
OUT
IN
1
IN
2
Figura 1.22: Modello circuitale di un semplice amplicatore operazionale.
Amplicatore dierenziale Lo stadio dierenziale (composto da T
1
e T
2
)
il cuore dellingresso delloperazionale. Un problema che non ci eravamo posti
nella trattazione appena fatta di questo circuito era relativo alla dinamica di
modo comune. Se si torna alle formule viste nel paragrafo 1.3.2 e allo schema
della relativa gura 1.18, si nota che il guadagno di tensione dello stadio
direttamente proporzionale al valore della resistenza di carico R
C
. Si vorrebbe
dunque avere R
C
pi alta possibile per ottimizzare il guadagno. Se per si
considera che cosa succede quando v
d
= 0, si nota che la tensione che si trova
sui collettori vale V
c1
= V
AL
R
c1
I
0
/2. Perch lo stadio funzioni in linearit
occorre che la tesnione sulla base sia pi bassa di quella sul collettore, quindi
pi R
C
grande, pi si riduce la dinamica di ingresso.
Un secondo problema che da un lato si vorrebbe prelevare unuscita di
tipo dierenziale per massimizzare il guadagno dello stadio, dallaltro il resto
del circuito pi semplice se si usa una congurazione di tipo single-ended.
Si sostituiscono allora le due resistenze di collettore con un circuito pi
complicato chiamato carico attivo. Mediante questo circuito si ottiene unu-
scita dierenziale in corrente piuttosto che una dierenza di tensioni tra i due
collettori.
Carico attivo Il carico attivo non altro che uno specchio di corrente for-
mato da T
5
e T
6
. Esso ha il duplice compito di caricare lo stadio dierenziale
35
e fornire in uscita la dierenza tra le correnti I
1
e I
2
circolanti nei collettori.
necessario che i transistor siano pnp perch la corrente di polarizzazione deve
essere entrante nella coppia dierenziale.
Lo specchio di corrente permette di ottenere una buona dinamica di ingresso
di modo comune, almeno sul ramo di T
1
, in quanto la tensione di collettore
allincirca ssa e pari a +V
AL
V
EB5
. La tensione sul collettore T
2
viene imposta
dallo stadio successivo. Inoltre, limpedenza vista dal collettore di T
2
alta e
questo permette di avere un alto guadagno di tensione dierenziale.
La corrente di riferimento dello specchio la I
1
dello stadio dierenziale,
quindi sul lato debole ci si ritrover una copia della stessa I
1
. Nel nodo al quale
sono collegati i collettori di T
2
e T
6
si pu scrivere la seguente equazione dalla
quale ricavare la corrente di uscita.
I
1
= I
2
+I
B7
= I
B7
= I
1
I
2
= 2g
m,0
v
d
In questo modo luscita del primo stadio di amplicazione pari alla dieren-
za delle correnti, direttamente proporzionale al modo dierenziale. Sfruttando
entrambe le correnti si ottiene anche una transconduttanza doppia.
Amplicatore di tensione In uscita dal primo stadio si deve avere un circui-
to in grado di guadagnare molto in tensione: lamplicatore operazionale deve
avere un guadagno dierenziale di tensione elevatissimo perch devessere uti-
lizzato in sistemi retroazionati nei quali si vuole che A
d
in modo che
la funzione di trasferimento sia determinata solo dalla rete di retroazione .
Non interessa esattamente a quanto ammonti il guadagno in tensione ad anello
aperto A
d
, basta che sia estremamente elevato.
Dai corsi precedenti si sa che un amplicatore a transistor bipolari che gua-
dagna molto in tensione dicilmente ha anche impedenza duscita bassa. Sar
dunque necessario fare seguire questo stadio da un terzo che si occupi di ab-
bassare limpedenza duscita. Un blocco che pu fornire un elevato guadagno
in tensione la coppia Darlington. Nel nostro circuito abbiamo quindi inserito
una coppia darlington formata dai transistor T
7
e T
8
. Si ricorda che una coppia
darlington ha prestazioni equivalenti ad un supertransistoril cui beta vale:
I
C
= I
C7
+ I
C8
= I
B7

7
+
8
(
7
+ 1)I
B7

eq

7

8
Mentre la V
B
E :
V
BE,eq
= V
BE,7
+V
BE,8
2V
BE
Come si vede nello schema iniziale, la coppia Darlington viene realizzata
mediante due pnp perch (come anche per quanto riguarda il carico attivo),
se avessimo collegato lemettitore del Darlington a V
AL
, la base del Darling-
ton e luscita dello stadio dierenziale sarebbero stati a V
AL
+ 2V
BE
, limi-
tando drasticamente la dinamica dingresso del sistema e rendendolo di fatto
inutilizzabile.
Con i pnp si usa come tensione di riferimento la +V
AL
e si allarga notevol-
mente la dinamica di ingresso.
36
Lo stadio Darlington ha un ottimo guadagno di corrente. Per massimizzare
il guadagno di tensione, occorre caricare il collettore con una resistenza elevata.
Per fare questo si usa come carico la resistenza di uscita di T
9
, uno dei lati forti
dello specchio doppio (T
3
, T
4
e T
9
). Questo modo strano di prelevare luscita
funzionale alle caratteristiche di ingresso dello stadio successivo, il cui compito,
come gi accennato, quello di abbassare limpedenza di uscita dellamplica-
tore. Nel paragrafo successivo studieremo le caratteristiche di questo circuito,
che nella gura 1.22 considerato solo a livello di blocco logico.
Come stato sottolineato precedentemente, non molto importante sape-
re quanto il guadagno complessivo dellamplicatore operazionale ad anello
aperto. suciente garantire che tale guadagno sia molto elevato in modo da
poterlo approssimare come innito.
1.5 Stadi di Potenza a Transistori Bipolari
Un elemento fondamentale degli amplicatori operazionali, ma anche di molti
altri circuiti elettronici, lo stadio di potenza. Si tratta di un circuito attivo che
amplica la potenza del segnale in modo da alimentare correttamente il carico.
Gli amplicatori necessitano di una sorgente da cui attingere la potenza da
aggiungere ai segnali di ingresso. Lalimentazione del circuito fornisce questa
energia. Il rendimento di un circuito dato dal rapporto tra la potenza assor-
bita dallalimentazione P
a
e quella eettivamente trasferita al segnale prodotto
in uscita P
u
, mentre la dierenza P
d
dissipata sotto forma di calore. Questa
dissipazione andrebbe ovviamente minimizzata.
=
P
u
P
a
=
P
u
P
u
+P
d
< 1
Il funzionamento regolare degli amplicatori di potenza limitato ad un
certo intervallo di valori di tensione, corrente e potenza; anche questo aspetto
deve essere descritto e analizzato con attenzione per non rischiare di utilizzare
questi sistemi fuori dalle loro corrette condizioni di operativit.
Oltre al rendimento ed unelevata dinamica del segnale in uscita, un altro
parametro fondamentale per quanto riguarda uno stadio di amplicazione una
bassa impedenza di uscita, in modo che tutto il segnale amplicato possa essere
trasmesso agli utilizzatori che seguono lamplicatore senza ulteriori perdite.
Cominceremo con lintrodurre i BJT di potenza, presenteremo poi stadi di
amplicazione di potenza, basati sullidea di mantenere il livello di tensione di
uscita pressoch pari a quello di ingresso e amplicare esclusivamente la corrente.
1.5.1 Transistori bipolari di potenza
Per poter sostenere tensioni e correnti elevate corrispondenti a potenze nellordi-
ne di alcuni watt o decine di watt, i BJT devono essere realizzati con dimensioni,
strutture e tecniche dierenti rispetto a quelle impiegate per i transistori bipolari
che sono stati considerati no a questo punto della trattazione (quelli chiamati
di segnale).
I transistori di potenza non trovano solo applicazione negli amplicatori ma
anche nei cosiddetti circuiti riconducibili al settore dellelettronica di poten-
37
MAXIMUM POWER DISSIPATION
vs
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature - C
0 25 50 75 100 125 150
P
t
o
t
-

M
a
x
i
m
u
m

P
o
w
e
r

D
i
s
s
i
p
a
t
i
o
n

-

W
0
10
20
30
40
50
Figura 1.23: Andamento della potenza dissipabile in funzione della temperatura
del contenitore. Esempio dal data sheet del TIP31C
za: interruttori e sistemi di controllo di reti elettriche, alimentazione e apparati
a motore.
Tensioni e correnti elevate producono potenze elevate che vengono dissipate
sotto forma di calore e quindi portano ad un aumento della temperatura di
giunzione T
J
. Anch il dispositivo non subisca danni irreparabili, necessario
che la T
J
rimanga comunque al di sotto di un certo valore simboleggiato con
T
Jmax
compreso solitamente tra 150

C e 200

C.
Resistenza termica Ipotizzando che la temperatura ambiente nella quale il
transistore si trova ad operare sia T
A
, se esso deve dissipare una potenza P
D
allora la temperatura di giunzione subisce un incremento T
J
direttamente
proporzionale a P
D
.
T
J
= T
J
T
A
=
JA
P
D
La costante di proporzionalit
JA
prende il nome di resistenza termica e cor-
risponde allincremento di temperatura dovuto alla dissipazione di 1 W: pertanto
si misura in

C/W. Per poter dissipare una grande potenza senza incrementare
molto la temperatura occorre avere la resistenza termica pi bassa possibile.
La resistenza termica tra giunzione ed ambiente anche denibile come il
rapporto tra il massimo incremento di temperatura a partire da T
A0
e la massima
potenza dissipabile a tale temperatura P
D0
. Allora ad una temperatura ambiente
qualsiasi T
A
possibile dissipare al massimo P
Dmax
.
38

JA
=
T
Jmax
T
A0
P
D0
P
Dmax
=
T
Jmax
T
A

JA
Il parametro
JA
scomponibile in alcuni contributi che si sommano e sin-
golarmente rappresentano la resistenza termica tra giunzione e contenitore
JC
e tra contenitore ed ambiente
CA
. Questultima eventualmente pu essere ulte-
riormente scomposta in resistenza tra contenitore e dissipatore (heat sink)
CS
e tra dissipatore ed ambiente
SA
.
Il progettista pu agire su alcuni di questi parametri per aumentare la pos-
sibilit di dissipare potenza dei transistori che maggiormente rischiano di dan-
neggiarsi introducendo conduttori metallici nel progetto per facilitare il tra-
sferimento di calore allambiente mediante fenomeni di irraggiamento e conve-
zione. Introducendo questi apparati aggiuntivi si cambia la resistenza termica
complessiva, passando ovviamente ad una di valore pi piccolo.
Il dissipatore innito un sistema ideale che caratterizzato da
CA
= 0
e quindi impone T
C
= T
A
, riducendo la resistenza termica complessiva al solo
contributo
JC
e rappresenta la massima potenza dissipabile dal dispositivo ad
una certa temperatura.
I produttori dei transistori forniscono un graco come quello riportato in
gura 1.23. Esso riporta la massima potenza dissipabile dal dispositivo in cor-
rispondenza della temperatura del contenitore. Per T
C
< T
C0
= 25

C dissi-
pabile una potenza P
D0
mentre al crescere della temperatura P
Dmax
decresce
linearmente no ad annullarsi quando T
C
= T
Jmax
.
Parametri BJT di potenza I transistori bipolari di potenza hanno dimen-
sioni dierenti da quelli di segnale e perci anche parametri tipici dierenti.
interessante osservare la forma della Safe Operating Area (g. 1.24), luo-
go dei punti del piano V
CE
/I
C
della caratteristica del BJT che rappresentano
degli stati di funzionamento regolare. Allesterno della curva tensione-corrente
il dispositivo pu restare danneggiato irrimediabilmente. La SOA pu essere
disegnata su assi lineari o logaritmici (scelta standard per i data sheet).
Allesponente dellespressione esponenziale che rappresenta la dipendenza
della I
C
dalla V
BE
compare un fattore correttivo = 2 al denominatore
per correnti elevate, come accade per i diodi.
Il dei BJT di potenza pi basso di quelli di segnale, essendo solitamente
nellordine delle decine.
La resistenza dierenziale che modellizza la giunzione base-emettitore
nellordine di pochi , invece la resistenza serie della base non trascura-
bile.
La massima corrente di collettore sopportabile I
Cmax
nellordine delle de-
cine di ampre, mentre la massima tensione BV
CEO
normalmente com-
presa tra 50 V e 500 V, oltre ai quali la giunzione base-collettore polarizzata
inversamente entra in breakdown, che spesso ne causa la rottura.
Le due iperboli indicate con 1 e 2 nel graco della SOA (rappresentate da
segmenti rettilinei a causa degli assi logaritmici usati nellesempio) deri-
vano rispettivamente da: il limite di potenza dissipabile alla temperatura
39
MAXIMUM FORWARD-BIAS
SAFE OPERATING AREA
V
CE
- Collector-Emitter Voltage - V
10 10 100 1000
I
C
-

C
o
l
l
e
c
t
o
r

C
u
r
r
e
n
t

-
A
001
01
10
10
100
DC Operation
1
2
I
C MAX
V
BV CEO
Figura 1.24: Safe Operating Area. Esempio dal data sheet del TIP31C
considerata (V
CE
I
C
= P
Dmax
) e dal limite di breakdown secondario cau-
sato dalle disuniformit della densit di corrente attraverso la giunzione
(I
C
(V
CE
)

= cost.).
Inne, i transistori bipolari di potenza sono distinguibili dagli altri a causa
del contenitore, studiato per dissipare agevolmente calore come stato discusso
precedentemente.
1.5.2 Classi di potenza
Esistono diverse soluzioni circuitali per realizzare amplicatori di potenza. Le
caratteristiche degli amplicatori risultanti dipendono da alcuni paramteri pro-
gettuali, comuni a soluzioni diverse. Riferendosi a segnali di ingresso di tipo
sinusoidale e alla congurazione dello o degli elementi nali di potenza, sono
allora denite le seguenti classi:
Classe A: un solo elemento di potenza, in cui scorre corrente per lintero
ciclo del segnale sinusoidale (angolo di conduzione: 360

).
Classe B: due elementi di potenza, entrambi conducono alternativamente
per un semiperiodo del segnale (angolo di conduzione: 180

).
Classe AB: due elementi di potenza, entrambi conducono per pi di un
semiperiodo del segnale (angolo di conduzione: > 180

). In questo caso ci
sono degli istanti in cui entrambi gli elementi sono in conduzione.
40
Classe C: un elemento di potenza, che conduce per alcuni tratti del periodo
del segnale (angolo di conduzione: < 360

).
Le classi utilizzate in banda audio sono le prime tre, mentre lelevata distor-
sione della classe C ne limita luso in circuiti a radiofrequenza. Sono poi denite
altre classi di amplicatori, che prevedono o luso di tecnologie a commutazione
(classi D, E), di circuiti risonanti (classi E, F) o variazioni della tensione di
alimentazione in funzione del livello del segnale (classi G e H).
Nel seguito ci occuperemo delle classi A, B e AB.
1.5.3 Classe A
C
s
v
u
Z
L
R
s
T
1
R
B1
R
B2
V
AL
v
s
Figura 1.25: Stadio amplicatore di potenza a collettore comune.
Qualunque transistor collegato a emettitore comune o collettore comune, se
propriamente polarizzato, pu essere utilizzato come amplicatore in classe A.
Se si considera ad esempio lo schema di g. 1.25, schema base a collettore comune
e singola alimentazione, occorre dimensionare correttamente le resistenze R
B1
e
R
B2
per assicurare che, dato un segnale v
s
di una certa ampiezza, il transistor
resti in conduzione per lintero periodo. Nel carico Z
L
scorrer sia la corrente
dovuta al segnale, sia quella di polarizzazione. Qualora non si potesse far scorrere
corrente continua nel carico, si dovrebbe separare il percorso di polarizzazione
e segnale mediante un condensatore, a scapito del rendimento del sistema.
Il rendimento comunque il problema pi grosso degli amplicatori in classe
A. Per calcolare i limiti di rendimento di questa congurazione, utilizziamo uno
schema leggermente diverso da quello visto sopra, in cui possibile separare pi
chiaramente i contributi di polarizzazione e segnale. I risultati che otterremo per
quanto riguarda il rendimento sono applicabili a tutti gli amplicatori in classe
A.
Lo schema di riferimento visibile in g. 1.26. Analizzando il circuito si
vede che il guadagno di tensione circa 1, in quanto la tensione sul carico vale
V
L
= v
s
V
BE
. Il guadagno di corrente elevato e limpedenza duscita bassa.
Queste sono le caratteristiche tipiche di un amplicatore di potenza.
41
T
1
I
0
V
AL
R
L
I
L
+V
AL
v
s
Figura 1.26: Amplicatore in classe A con doppia alimentazione.
importante calcolare i limiti della dinamica duscita. Il limite superiore
dettato dalla necessit di avere il transistor in linearit. Possiamo quindi dire
che il segnale dingresso deve essere v
s
V
AL
. Se la tensione di alimentazione
V
AL
>> V
BE
possiamo dire che V
LMAX

= V
AL
. Per il limite inferiore, occorre
notare che I
L
= I
E
I
0
. Poich I
E
0, si ha I
L
I
0
, quindi V
L
/R
L
I
0
.
Se vogliamo una dinamica duscita simmetrica, allora suciente scegliere I
0
=
V
AL
/R
L
. In questo modo si ha V
AL
V
L
V
AL
.
La transcaratteristica del circuito riportata in g. 1.27. Il segnale duscita
traslato rispetto allingresso di una quantit pari alla V
B
E del transistor. Nel
seguito trascureremo questa traslazione, che pu essere facilmente compensata.
Un metodo molto ecace per compensare la traslazione riportato in g. 1.28.
Analizziamo ora il rendimento del circuito applicando allingresso un segnale
di tipo sinusoidale. Per quanticare il rendimento occorre calcolare la potenza
sul carico P
L
e quella assorbita dallalimentazione P
AL
. Landamento del segnale
sul carico sar del tipo I
L
= I
p
sin(t), I
p
= V
p
/R
L
, dove I
p
e V
p
rappresentano
il valore di picco della corrente e della tensione sul carico,.
La corrente assorbita dallalimentazione ha due contributi: quello dovuto al
ramo positivo, +V
AL
, pari alla corrente di collettore I
C
del transistor, mentre
quello dovuto al ramo negativo dovuto alla corrente costante di polarizzazione
I
0
.
Per la potenza si ha:
P
AL+
=
1
T
_
T
0
V
AL
I
C
dt
I
C
= I
0
+I
p
sin(t)
42
v
s
V
L
+V
AL
V
AL
V
BE
V
BE
I
0
R
L
Figura 1.27: Transcaratteristica dellamplicatore.
P
AL+
=
V
AL
T
_
T
0
[I
0
+I
p
sin(t)] dt =
= V
AL
I
0
+V
AL
I
p

_
cos(t)|
T
0
_
= V
AL
I
0
Si sfruttato il fatto che un segnale sinusoidale a media nulla ha inte-
grale nullo sul periodo di oscillazione. Il ramo negativo ha contributo pari
a P
AL
= V
AL
I
0
, quindi la potenza totale assorbita dallalimentazione vale:
P
AL
= 2V
AL
I
0
. Se si sceglie I
0
= V
AL
/R
L
, per massimizzare la dinamica di
tensione di uscita, si ha inne:
P
AL
=
2V
2
AL
R
L
Rimane da calcolare la potenza (utile) del segnale sul carico P
L
.
P
L
=
1
T
_
T
0
R
L
(I
p
sin(t))
2
dt =
=
I
2
p
R
L
T
_
T
0
sin
2
(t)dt =
=
I
2
p
R
L
T
T
2
=
=
I
2
p
R
L
2
=
=
V
2
p
2R
L
43

+
T
1
I
0
V
AL
R
L
I
L
+V
AL
v
s
Figura 1.28: Amplicatore in classe A con recupero della V
BE
= =
P
L
P
AL
=
V
2
p
2R
L

R
L
2V
2
AL
=
V
2
p
4V
2
AL
Dal momento che la massima ampiezza di picco che pu essere associata
al segnale sinusoidale pari alla massima dinamica di picco di uscita, V
AL
,
possibile calcolare il massimo rendimento.
=
1
4
= 25%
Il rendimento massimo, che si ottiene sfruttando tutta la dinamica, estre-
mamente basso, dato che per ottenere un segnale di 10 W di potenza vengono
dissipati in calore ben 30 W che hanno il solo risultato di aumentare la tem-
peratura del dispositivo. Altra osservazione che la potenza assorbita dallali-
mentazione non dipende dallampiezza del segnale, dunque un amplicatore che
potrebbe gestire in uscita un segnale da 100 W dissipa 300 W anche quando il
segnale duscita vale soltanto 1 W o quando il segnale assente del tutto.
1.5.4 Classe B
Il tipico amplicatore a simmetrica complementare di classe B riportato in
g.1.29 e rispetto a quello di classe A ha il vantaggio di condurre, amplicare e
dissipare potenza solo quando il segnale in ingresso non circa nullo.
Concettualmente si pu immaginare di ricavarlo da uno stadio di classe A
che abbia un punto di lavoro a riposo con tensione nulla (ad esempio eliminando
il generatore di corrente I
0
nello schema di gura 1.26): esso amplicherebbe
solo la semionda positiva di un segnale sinusoidale in ingresso perch il transi-
store rimarrebbe interdetto per tensioni di ingresso negative. Dualmente, uno
44
T
1
T
2
+V
AL
V
AL
R
L
I
L
v
s
Figura 1.29: Schema base di amplicatore in classe B.
stadio realizzato con la stessa tecnica ma con un pnp, collegato al polo negativo
dellalimentazione, amplicherebbe solo le semionde negative.
Il circuito in classe B mette insieme il funzionamento dei due amplicatori
complementari con punto di funzionamento a riposo pari al riferimento di 0 V.
Quando il segnale di ingresso, V
i
, positivo, il transistore T
1
in zona di con-
duzione, mentre il transistore T
2
in zona di interdizione; dualmente, quando
V
i
negativo, T
1
interdetto e T
2
conduce.
Questo tipo di sistema di amplicazione funziona in classe B, proprio perch
solo uno dei due transistori conduce, mentre laltro rimane interdetto. Ognuno
dei transistori si comporta di fatto come in uno stadio a collettore comune, e il
risultato nale, dallesterno, quello di vedere un solo emitter follower: i due
stadi, separati, si dividono i compiti, dal momento che uno si occupa del solo
segnale positivo, laltro del solo segnale negativo. Si riducono notevolmente gli
sprechi di corrente, dal momento che lunica corrente richiesta dallalimentazione
quella necessaria per pilotare il carico del sistema di amplicazione (mantenere
il segnale sinusoidale in uscita).
Le equazioni di funzionamento dei due sono le seguenti:
_
V
u,npn
= V
i
V
BE
V
u,pnp
= V
i
+V
EB
Le V
BE,on
sono state al solito supposte uguali, pensando di trovarci su di un
integrato. Finch V
i
V
BE,on
> 0, la tensione del segnale sar sucientemente
alta da polarizzare il transistore npn, questo sar in zona lineare e amplicher;
quando V
i
+ V
BE,on
< 0 il pnp si occuper di generare il segnale di uscita. il
graco della transcaratteristica riportato in g. 1.30.
Distorsione di Crossover
Il fatto che la tensione di ingresso debba superare la soglia della V
BE,on
per essere
amplicata da uno dei due transistori un problema perch quando V
BE,on
<
V
i
< +V
BE,on
il segnale non viene amplicato e anzi luscita rimane nulla. La
45
v
s
V
L
+V
AL
V
AL
V
BE
V
BE
V
AL
+V
EB
V
AL
Figura 1.30: Transcaratteristica dellamplicatore in classe B.
forma donda amplicata da uno stadio del genere dunque sar simile a quella
in gura 1.31.
Questo fenomeno detto distorsione di crossover e dipende dal fatto che
i transistori non sono sempre in condizioni di condurre. Quando rimangono
entrambi interdetti provocano una distorsione (apprezzabile) del segnale, non
riproducendo in uscita una porzione di esso.
Si pu ridurre il crossover mantenendo il sistema in classe B, se si modica il
circuito in modo simile a quanto fatto nellamplicatore in classe A con doppia
alimentazione (g. 1.28). Lo schema corrispondente riportato in gura 1.32.
Lamplicatore operazionale cercher di mantenere nullo il segnale dierenziale
di ingresso: per ottenere ci, quando il segnale duscita attraversa lo zero, lam-
plicatore operazionale genera sulla propria uscita uno scalino di ampiezza pari
a 2V
BE
che compensa la zona morta della coppia di transistor. La distorsione
non eliminata completamente a causa del limite di slew-rate dellop-amp, di
cui parleremo in seguito.
Rendimento
Abbiamo gi notato che rispetto allamplicatore in classe A ci dovrebbe essere
un miglioramento nel rendimento perch non c pi il contributo della corrente
di polarizzazione: tutta la corrente assorbita dallalimentatore scorre nel carico.
Vogliamo ora quanticare il rendimento di questo stadio.
Consideriamo come al solito un segnale di uscita di tipo sinusoidale con
corrente di picco I
p
e corrispondente tensione di picco V
p
, I
p
= V
p
/R
L
, I
L
=
I
p
sin(t). Nel semiperiodo positivo della sinusoide condurr il transistor T
1
e la
sua corrente di collettore I
C1
sar circa pari alla corrente nel carico (trascuriamo
il contributo di I
B1
, che non signicativo ai ni della potenza). Ma la corrente
I
C1
anche pari alla corrente assorbita dal ramo positivo dellalimentazione.
46
1
0.5
0
0.5
1
5 0 5 10 15
Figura 1.31: Distorsione di crossover sulla forma donda amplicata.
Possiamo calcolare la potenza media assorbita dal ramo positivo dellalimen-
tazione integrando la corrente I
C1
su un periodo del segnale.
P
AL+
=
1
T
_
T
0
V
AL
I
C1
dt
P
AL+
=
V
AL
T
_
T/2
0
I
p
sin(t) dt =
= V
AL
I
p

1
T

1

_
cos(t)|
T/2
0
_
= V
AL
I
p

1
T

T
2
2
=
V
AL
I
p

La potenza assorbita nel semiperiodo negativo dal ramo negativo dellali-

mentazione ha identico valore, per cui la potenza totale vale:
P
AL
=
2V
AL
I
p

La potenza nel carico il prodotto della corrente ecace per la tensione

ecace, quindi
P
L
=
V
p
I
p
2
Il rendimento quindi vale:
=
P
L
P
AL
=
V
p
I
p
2


2V
AL
I
p
=
V
p
V
AL

4
47
T
1
T
2

+
v
s
+V
AL
V
AL
R
L
I
L
Figura 1.32: Compensazione della distorsione di crossover.
Poich la dinamica duscita massima equivale allincirca alla tensione dali-
mentazione, in questo caso il rendimento massimo
max
= /4 = 0.78, cio
circa tre volte pi elevato di quanto raggiungibile con uno stadio in classe A. In
assenza di segnale non viene assorbita corrente dallalimentazione.
1.5.5 Classe AB
Per eliminare il fenomeno del crossover bisogna fornire ai due transistor due
segnali diversi, scalati ognuno di una tensione pari alla V
BE
del rispettivo tran-
sistor, in modo che il transistor entri in conduzione per lintero semiperiodo di
sua competenza (g. 1.33).
Lo scalamento della tensione dingresso pu essere ottenuto in vari modi, di
cui il pi semplice tramite due diodi posti sul percorso del segnale.
Il circuito risultante non pi classicabile nella classe B dato che, per garan-
tire lassenza della distorsione di crossover, in alcuni brevi istanti di tempo tutti
e due i transistori si trovano in stato di conduzione; perci questa congurazione
appartiene alla cosiddetta classe AB.
Polarizzazione con diodi Introducendo due diodi tra lingresso e la base si
ottiene una tensione aggiuntiva che compensa quella minima necessaria allac-
censione della giunzione (g.1.34). Aggiungere solo i diodi non basta, perch
dallingresso non si riuscirebbe a far scorrere corrente nella base dei transistor.
Occorre allora fornire in qualche modo la corrente di base. Il metodo pi sem-
plice consiste nel collegare due resistori tra le rispettive alimentazioni e le basi
dei transistor.
Esistono altri modi di polarizzare i diodi, che consentono di ovviare ad alcuni
problemi legati alluso dei resistori. Il concetto verr sviluppato in un esempio
pratico alla ne della trattazione.
48
T
1
V
BE
T
2
V
EB
+V
AL
V
AL
R
L
I
L
v
s
Figura 1.33: Schema teorico di amplicatore in classe AB.
Polarizzazione con moltiplicatore di V
BE
Un sistema alternativo per eli-
minare la zona morta della caratteristica sfrutta un transistor aggiuntivo T
3
,
nella congurazione rappresentata in gura 1.35. Trascurando la corrente di ba-
se di T
3
, le resistenze R
1
ed R
2
si trovano collegate in serie e sono attraversate
dalla corrente I
R
.
Tuttavia, la caduta di tensione su R
1
imposta pari alla V
BE
di T
3
, quindi
la caduta di tensione totale tra le basi dei due transistori di potenza pari alla
V
BE
moltiplicata per un coeciente legato al rapporto tra le resistenze, invece
che alle V

dei diodi come nella soluzione precedente.

V
B1
V
B2
= I
R
(R
1
+R
2
) =
V
BE3
R
1
(R
1
+R
2
) = V
BE3
_
1 +
R
2
R
1
_
Il moltiplicatore di V
BE
permette da un lato di controllare meglio la caduta
di tensione tra le due basi, dallaltro, se il transistor T
3
viene termicamente
collegato ai transistor T
1
e T
2
, di seguire la variazione della V
BE
dei transistor
di potenza con la temperatura.
Protezione dalla fuga termica
Lintroduzione dei diodi ha sicuramente eliminato il problema del crossover, ma
di fatto ne ha creati altri: non pensabile che la caduta sui due diodi compensi
esattamente la V
BE
dei transistor di potenza, per cui i transistor possono essere
entrambi in conduzione quando non vi segnale in ingresso.
La corrente che scorre nei transistor provoca dissipazione di potenza e quin-
di aumento di temperatura degli stessi. Lintensit della corrente nei transi-
49
T
1
D
1
T
2
D
2
R
B1
R
B2
+V
AL
V
AL
R
L
I
L
v
s
Figura 1.34: Amplicatore in classe AB con diodi e resistori.
stor dipende dalla temperatura di giunzione. Dato che la V
BEON
diminuisce di
2.5 mV

C
1
, pi aumenta la temperatura dei transistor, pi aumenta la die-
renza tra la V

dei diodi e la V
BEON
dei transistor, provocando un aumento
della corrente e quindi un ulteriore aumento della temperatura di giunzione. Si
ha cio un fenomeno di reazione positiva, che porta ad un aumento incontrollato
della temperatura degli elementi di potenza no alla rottura degli stessi.
La soluzione a questo problema consiste nellintrodurre degli elementi che
contrastino questa reazione positiva e si oppongano allaumento di corrente. In
gura 1.36 schematizzata una semplice soluzione, consistente nellaggiunta di
due resistori sugli emettitori degli elementi di potenza.
Quali variazioni nel funzionamento del circuito sono introdotte da queste
resistenze?
Introducendo le resistenze sugli emettitori si protegge il circuito dalla fuga
termica nel seguente modo: quando la temperatura aumenta, diminuen-
do la V
BEON
dei transistor, aumenta la corrente che scorre nei transistor
ma anche quella che scorre nelle resistenze R
E
. Le resistenze allora con-
tropolarizzano i BJT: dal momento che scorre su di esse una corrente
pi elevata, cade su di loro una tensione che fa aumentare la tensione di
emettitore, abbassando di fatto la dierenza tra V
BEON
+ V
E
e la V

del
rispettivo diodo, riducendo la corrente che scorre nel transistor.
Le resistenze forniscono una prima protezione per quanto riguarda le so-
vracorrenti sui BJT: una corrente eccessiva in uscita fa cadere una tensione
50
T
1
R
1
I
R
T
2
R
2
R
B1
R
B2
T
3
+V
AL
V
AL
R
L
I
L
v
s
Figura 1.35: Realizzazione pratica dellamplicatore di classe AB con
moltiplicatore di V
BE
.
elevata sulle resistenze. In questo modo, per il ramo positivo, in caso di
cortocircuito sulluscita la massima corrente che pu scorrere nel transi-
stor T
1
vale I
LMAX
V
AL
/R
E1
. Questa semplice soluzione ha per delle
controindicazioni.
Il difetto di queste resistenze che aumentano limpedenza di uscita dello
stadio di amplicazione. Inoltre la caduta di tensione ai loro capi provoca
un abbassamento della dinamica di uscita. Dal momento che esse sono
comunque cos utili non possibile eliminarle ma andranno dimensionate
in modo da essere compatibili con le altre speciche del circuito, cio in
generale molto piccole.
Protezione dai corto-circuiti
Gli stadi di potenza rappresentano normalmente luscita di un circuito elettro-
nico. Molte volte i terminali del carico sono collegati dagli utenti del circuito,
inoltre il carico spesso la parte del sistema con adabilit pi bassa. Lo stadio
di potenza deve avere suciente robustezza da sopravvivere ad eventi come un
corto circuito.
In tale situazione al circuito viene richiesta molta corrente mentre la tensione
sul carico nulla, dunque i transistor si trovano a dissipare molta potenza. Se
non si aggiungono dei dispositivi di protezione, la corrente che scorre limitata
solo dalla massima corrente erogabile dallalimentatore, rischiando la rottura
51
T
1
D
1
T
2
D
2
R
B1
R
B2
+V
AL
V
AL
R
E1
V
E1
R
E2
V
E2
R
L
I
L
v
s
Figura 1.36: Stadio amplicatore di classe AB con resistenze di emettitore.
di uno dei componenti attivi per superamento della massima temperatura di
giunzione. Le resistenze sugli emettitori viste nel paragrafo precedente sono
in grado di limitare la corrente fornita dal circuito, ma, come notato sopra,
dicilmente possibile dimensionarli in modo da fornire una protezione ecace
ad un carico in corto circuito.
Si utilizza allora una forma di protezione attiva che deve continuare a veri-
care lo stato di corrente delluscita, in modo da poter fornire una sorta di segnale
di shutdown allamplicatore, come mostrato in g. 1.37. In pratica, si misura
la corrente che scorre negli elementi attivi dello stadio di potenza mediante le
resistenze gi viste poste sugli emettitori, R
E1
e R
E2
. Si introduce per una
reazione positiva mediante due transistor aggiuntivi T
5
e T
6
.
Quando la corrente supera il valore massimo pressato dal progettista, la ca-
duta di tensione su R
E1
o R
E2
raggiunge la V
BEON
del rispettivo transistor T
5
o
T
6
. Se questi transistor entrano in conduzione, tramite il loro collettore riducono
la corrente di base del rispettivo transistor di potenza, limitando il guadagno
dello stadio ed evitando di fatto lulteriore aumento di corrente duscita.
52
T
1
D
1
T
2
D
2
R
B1
R
B2
T
5
T
6
+V
AL
V
AL
R
E1
R
E2
R
L
I
L
v
s
Figura 1.37: classe AB con protezione da cortocircuito in uscita
53
1.6 Modelli dellA.O. reale
Conoscendo la struttura di base dellamplicatore operazionale e avendo studia-
to le principali topologie di stadi di potenza, possibile perfezionare lo schema
di un amplicatore operazionale introducendo in uscita uno stadio in classe AB
(g. 1.38).
T
10
D
1
T
11
D
2
T
9
T
8
T
7
T
6
T
5
T
2
T
1
T
4
T
3
R
M
+V
AL
V
AL
R
E1
R
E2
OUT
IN

IN
+
Figura 1.38: Schema circuitale di un amplicatore operazionale con amplicatore
di potenza di classe AB.
Questo schema dellamplicatore operazionale pi completo del precedente
ma non rispecchia ancora totalmente la struttura di un operazionale reale. Sono
infatti stati omessi ad esempio i transistor per la protezione contro i cortocircuiti
in uscita, che abbiamo studiato nel paragrafo precedente. Inoltre gli operazionali
reali sono studiati in modo da ottimizzare le prestazioni del circuito a scapito
della complessit. In ogni caso, lo schema riportato permette di comprendere i
limiti operativi degli A.O. per quanto riguarda dinamica di ingresso e uscita,
54
banda passante, slew-rate e di spiegare lesistenza di correnti e tensioni parassite
dingresso.
1.6.1 Oset di tensione e corrente
Il modello ideale dellamplicatore operazionale valido in prima approssima-
zione per la fase iniziale di progetto o di analisi di una vasta gamma di circuiti,
tuttavia in molti casi necessario, nelle successive fasi di progetto, tenere conto
degli scostamenti del funzionamento del componente reale da quello ideale. Tali
scostamenti sono dovuti alla struttura interna del circuito e alle tolleranze degli
elementi attivi e passivi.
Correnti di ingresso
In un amplicatore operazionale ideale le correnti entranti nei morsetti di in-
gresso sono nulle per denizione.
Dallo schema interno dellA.O. reale in tecnologia bipolare di g. 1.38, si nota
che i terminali di ingresso sono collegati alle basi di due BJT disposti in modo
da formare uno stadio dierenziale, le cui correnti non possono sicuramente
essere nulle: se fossero nulle, infatti, i transistori non sarebbero polarizzati e
lamplicatore non potrebbe funzionare in linearit.
Le correnti I
+
e I

possono essere stimate facilmente, I

+
= I
2
/(
2
+ 1) e
I

= I
1
/(
1
+ 1). Poich la corrente I
0
di uscita dallo specchio costituito da
T
3
e T
4
generalmente bassa, dellordine di decine di microampere, si tratta di
correnti eettivamente molto basse, ma comunque mai nulle. Ne consegue che
in ogni circuito utilizzante un amplicatore operazionale devessere presente un
percorso per la corrente continua tra ciascun ingresso ed un punto collegato al
potenziale di riferimento del sistema. Non possibile collegare ad un ingresso del-
loperazionale solo un condensatore in serie, perch provocherebbe linterdizione
del corrispondente transistor.
Dallespressione di I
+
e I

si capisce subito come di fatto sia dicile che

queste correnti siano uguali tra loro, in quanto, anche se lamplicatore viene
normalmente usato con tensione dierenziale dingresso molto piccola, tale per
cui le due correnti I
1
e I
2
siano circa pari a I
0
/2, ben dicilmente
1
=
2
.
Per tenere conto delle correnti di polarizzazione in ingresso durante lo studio
di circuiti con operazionali, possibile introdurre nel modello una coppia di ge-
neratori di corrente in corrispondenza dei due terminali di ingresso IN
+
e IN

.
Inoltre comodo rappresentare tali correnti scomponendole in due contributi
come stato fatto per le tensioni v
+
e v

: si deniscono le correnti di bias e

oset, rispettivamente modo comune e dierenziale delle due correnti.
I
bias
:=
I
+
+I

2
I
offset
:= |I
+
I

|
= I
+
= I
bias
+
I
offset
2
I

= I
bias

I
offset
2
Nei paragra successivi verr spiegato come ridurre linuenza di queste cor-
renti allinterno dei circuiti. Infatti preferibile che il loro contributo sulluscita
sia minore possibile, o perlomeno sia trascurabile rispetto agli ingressi principa-
li del circuito. La corrente di bias la corrente media che scorre negli ingressi,
55
mentre quella di oset dipende dagli sbilanciamenti introdotti ad esempio dal
diverso dei transistor e da analoghi fattori che dipendono da come realizzato
lo stadio di ingresso delloperazionale. In generale la corrente di bias pi alta
di quella di oset ed pi facile annullarne gli eetti.
Tensione di ingresso
Un altro importante parametro che quantica lo scostamento dal comportamen-
to ideale legato allaltra equazione costitutiva della.o. ideale: v
d
= v
+
v

= 0.
Infatti, sempre a causa delle asimmetrie nella struttura interna, necessario for-
nire una piccola dierenza di potenziale tra i morsetti invertente e non invertente
per azzerare la tensione duscita.
Questa dierenza di potenziale prende il nome di tensione di oset V
off
.
Normalmente V
off
pari a pochi mV.
1.6.2 Dinamica di ingresso di modo comune
Nel paragrafo 1.3.1 abbiamo osservato come il parametro di dinamica di tensione
pi importante per lingresso di un operazionale sia costituito dalla dinamica di
modo comune e non da quella di modo dierenziale. Abbiamo anche giusticato
lintroduzione del carico attivo sullo stadio dierenziale proprio in quanto luso
di semplici resistenze limita la dinamica di modo comune del circuito. Cerchiamo
allora di stabilire quale sia la dinamica di ingresso di modo comune del modello
di amplicatore operazionale introdotto in g. 1.38.
La dinamica di ingresso di modo comune determinabile introducendo la
stessa tensione V
C
sui due ingressi e ragionando sulle condizioni di permanenza
dei transistori in condizioni di funzionamento lineare. I limiti della dinamica
sono quei valori di V
C
che portano in saturazione o interdizione i BJT (V
C,max
e V
C,min
).
Facendo riferimento alla gura 1.38, necessario che le giunzioni B-C di T
1
e
T
2
siano polarizzate inversamente. Per semplicit si considera come caso limite
V
B
= V
C
.
La tensione al collettore di T
1
ssata da T
5
del lato forte dello specchio
di corrente/carico attivo (T
5
e T
6
), mentre quella al collettore di T
2
uguale a
quella presente alla base della coppia Darlington (T
7
e T
8
).
V
C1
= V
AL
V
EB5
V
C2
= V
AL
V
EB7
V
EB8
Poich la caduta tra base ed emettitore dei transistor NPN e dei PNP pu
essere considerata uguale in modulo allinterno di un circuito integrato, chiame-
remo V
BE
tale numero (pari alla V
EB
dei PNP). Tenendo conto del fatto che
entrambe le tensioni di base (uguali al modo comune V
C
) devono essere minori
di quelle di collettore appena determinate, si ricava la massima tensione di modo
comune dalla pi stringente delle due disequazioni. La pi bassa delle tensioni
di collettore V
C2
.
_
V
C1
> V
B1
= V
C
V
C2
> V
B2
= V
C
= V
Cmax
= V
AL
2V
BE
Laltro limite della dinamica viene raggiunto quando la tensione della base
di T
2
scende tanto da portare fuori dalla linearit il transistore T
4
. Dato che
56
Figura 1.39: Andamento della dinamica di uscita in V
pp
in funzione del carico
espresso in k per la.o. TL082 alimentato con tensioni simmetriche V
AL
=
15 V.
la tensione V
BE2
approssimativamente costante, si pu determinare anche in
questo caso quando il collettore di T
4
raggiunge la tensione della sua base, che
legata alla tensione negativa di alimentazione.
_
V
C4
> V
B4
= V
AL
+V
BE4
V
C4
= V
E2
= V
B2
V
BE2
= V
B2
> V
AL
+V
BE4
+V
BE2
= V
Cmin
= V
AL
+V
BE4
+V
BE2
= V
AL
+ 2V
BE
Nel nostro circuito i due limiti di dinamica di ingresso di modo comune sono
simmetrici e pari circa alla tensione di alimentazione meno un volt e mezzo.
Esistono molte varianti allo schema da noi studiato, che portano a dinamiche
di ingresso diverse. Gli amplicatori costruiti per alimentazione singola hanno
in genere limite inferiore di dinamica di modo comune pari a 0 V. Esistono poi
amplicatori in cui la dinamica di ingresso di modo comune coincide, a meno di
pochi millivolt, con la tensione di alimentazione. Questa congurazione detta
rail-to-rail input.
1.6.3 Dinamica di uscita
La dinamica di uscita lintervallo di tensioni che possono essere raggiunte dal
terminale di uscita del sistema. Anche in questo caso saranno presenti delle ca-
dute sulle giunzioni e le resistenze interne e quindi non sar possibile raggiungere
le tensioni di alimentazione a meno di alcuni volt.
Si tenga presente che la dinamica di uscita anche inuenzata dal carico
collegato: se esso caratterizzato da bassa resistenza sar dicile che lampli-
catore possa fornire tutta la corrente necessaria a raggiungere tensioni elevate
(g.1.39).
Per esempio vengono riportati i parametri dal datasheet della.o. TL082
alimentato con 15 V, R
L
= 10 k.
57
Output Voltage Swing min = 12 V typ = 13, 5 V
Alcuni amplicatori operazioni realizzati con delle tecniche diverse sono
in grado di fornire una tensione di uscita che pu raggiungere la tensione di
alimentazione (amplicatori rail-to-rail output).
1.6.4 Impedenze di ingresso
In un modello completo di amplicatore operazionale bisogna tenere conto del
fatto che le impedenze di ingresso non siano innite, bens abbiano un valore
nito, per quanto elevato. Poich i segnali di ingresso delloperazionale vengono
normalmente scomposti in modo comune e modo dierenziale, occorre trattare
allo stesso modo anche la resistenza di ingresso. Occorre dunque considerare
una resistenza di ingresso legata al segnale dierenziale v
d
, resistenza di modo
dierenziale, ed una di modo comune che appare applicando ai due ingressi un
segnale V
C
di modo comune.
Resistenza di modo dierenziale Dato un segnale di ingresso di modo
dierenziale, v
d
, si pu calcolare la resistenza di ingresso di modo dierenziale,
denendola come il rapporto tra v
d
e la corrente entrante nellamplicatore
causata dal modo dierenziale i
d
.
r
id
=
v
d
i
d
Dal momento che si introduce un segnale di modo dierenziale v
d
, possiamo
attribuire met del segnale ad un transistore, met allaltro; per ogni morsetto,
dunque, si avr un segnale pari a v
d
/2; dal momento che ciascuna met del
segnale di modo dierenziale vede, entrando, unimpedenza pari a quella di
ingresso nella base di un transistore bipolare polarizzato direttamente (e quindi
in regione RAD, lineare), si avr che:
i
d
=
v
d
2

1
r

r
id
=
v
d
i
d
= 2r

Resistenze di modo comune Per ottenere un risultato signicativo relati-

vamente alla resistenza di ingresso di modo comune, occorre tenere conto della
resistenza di uscita dello specchio di corrente, r
o
.
Per valutare la resistenza di modo comune procediamo applicando un gene-
ratore di prova V
C
ad entrambi gli ingressi dello stadio. Il calcolo risulta sem-
plicato se, sfruttando la simmetria del circuito, lo si scompone in due porzioni
relative a un singolo transistore, come in g. 1.40.
La resistenza di ingresso vista dal singolo stadio allora riconducibile alla
seguente espressione:
r
ic1
=
v
c
i
c1
= r

+ 2r
o
(1 +) 2r
o
(1 +)
58
T
2
I
2
T
1
I
1
I
0
r
o
(a)
V
C
T
2
I
2
T
1
I
1
I0
2
2r
o
I0
2
2r
o
V
C
V
C
(b)
Figura 1.40: Calcolo della resistenza di modo comune (a) Circuito iniziale (b)
Circuito equivalente
59
Dato che i due stadi sono in parallelo, la resistenza complessiva pari alla
met.
r
ic
= r
o
(1 +)
La resistenza di ingresso di modo comune risulta molto pi elevata di quella
di modo dierenziale. In molti casi possibile trascurarla.
1.6.5 Guadagno dierenziale
r
d
v
d
r
i2
v
2
g
m1
v
d
r
i3
v
3
g
m2
v
2
v
3
r
o
V
u
Dierenziale Darlington Potenza
Figura 1.41: Modello per calcolo guadagno in continua
Per terminare lo studio in continua dellamplicatore operazionale, si de-
termina il guadagno complessivo del circuito, usando un modello semplicato
(g.1.41).
A
d
=
V
u
v
d
Il primo stadio la coppia dierenziale, modellizzabile dal punto di vista
del modo dierenziale come un amplicatore caratterizzato da un guadagno in
tensione elevato.
v
2
= r
i2
g
m1
v
d
Il secondo stadio la coppia Darlington: anchessa si comporta come am-
plicatore di tensione di guadagno elevato. Questo stadio di tipo invertente
(questa considerazione sar utile per la stabilizzazione in frequenza).
v
3
= r
i3
g
m2
v
2
Lo stadio nale di potenza non aumenta ulteriormente il guadagno in ten-
sione: il suo compito quello di amplicare la corrente o, equivalentemente, di
abbassare limpedenza duscita.
V
u
= r
i2
r
i3
g
m1
g
m2
v
d
Questo modello pu tornare utile per avere una stima del guadagno com-
plessivo del circuito.
60
M
3
M
4
I
R
V
AL
V
AL
M
1 M
2
M
5
M
6
M
8
M
7
IN
+
IN

OUT
Figura 1.42: Amplicatore operazionale CMOS.
1.6.6 Amplicatore operazionale CMOS
Avendo visto come sia possibile realizzare lo specchio di corrente e lo stadio
dierenziale usando transistori MOS, risulta evidente come si possano proget-
tare amplicatori operazionali in tecnologia CMOS. Le caratteristiche di tali
amplicatori sono, in genere: consumo di corrente ridotto, basse correnti di
polarizzazione di ingresso ma maggiori oset di tensione.
Un possibile circuito che realizza un amplicatore operazionale CMOS
riportato in g. 1.42
Come si vede, la struttura ha parecchie similitudini con quella delloperazio-
nale a BJT, alcune solo apparenti. M
1
e M
2
formano uno stadio dierenziale,
polarizzato dallo specchio di corrente costituito da M
3
e M
4
. M
5
e M
6
sono il
carico attivo del dierenziale. Il transistor M
8
realizza uno stadio di uscita in
classe A polarizzato da M
7
.
Si noti che, diversamente dal circuito a BJT, in questo caso la corrente nel
drain di M
6
e nel drain di M
2
devono essere uguali in quanto il gate di M
8
non assorbe corrente. Per tensioni v
d
negative, la corrente che vorrebbe imporre
M
6
pi alta di quella che pu scorrere in M
2
, quindi la corrente eettiva
quella imposta da M
2
, mentre M
6
viene portato in zona resistiva. La tensione
sul gate di M
8
prossima a V
AL
ed il transistore interdetto, portando luscita
a un livello prossimo a V
AL
. Al contrario, per v
d
positive M
2
ad uscire
dalla zona di saturazione di canale. In questo caso la corrente I
0
si ripartisce in
parti uguali sui due rami per eetto del carico attivo che forza le due correnti
ad essere identiche. M
8
ed M
9
sono dimensionati in modo da portare luscita
allincirca a V
AL
in questo caso. Solo in un piccolissimo intorno di v
d
= 0 il
sistema si comporta in modo quasi lineare, sfruttando le resistenze di uscita di
M
2
e M
6
e producendo in pratica un guadagno di tensione molto elevato. Tale
guadagno ancora aumentato da M
8
, che si trova in congurazione a source
comune. Normalmente un operazionale CMOS ha solo due stadi, in quanto M
8
pu essere progettato in modo da erogare suciente corrente in uscita. Bisogna
61
notare che luscita di drain pu creare qualche problema di stabilit al circuito
quando utilizzato con carichi reattivi. Di questo si parler pi avanti nel corso.
In realt, dato che i MOS di potenza a canale N hanno prestazioni decisamen-
te migliori dei PMOS, in genere non si usa la congurazione appena descritta
ma la sua complementare, in cui M
8
un NMOS, il dierenziale e lo specchio
di corrente sono PMOS, il carico attivo NMOS. Si scelto di illustrare questa
congurazione per mettere in risalto le somiglianze con la congurazione a BJT
studiata sopra.
1.7 Dimensionamento di un amplicatore
Dopo avere studiato le caratteristiche degli amplicatori operazionali reali, sia-
mo in grado di dimensionare correttamente i componenti in un circuito ba-
sato su amplicatori operazionali. Riprendiamo il progetto dellamplicatore
non invertente, tenendo conto delle non idealit dellamplicatore operazionale
usato.
1.7.1 speciche
Utilizziamo le seguenti speciche di progetto:
Guadagno in tensione: A
V
= 10;
Amplicatore operazionale LM741;
Dinamica di tensione di uscita V
u
= 10 V;
Resistenza di carico R
L
> 4 k;
Tensione di alimentazione V
AL
= 15 V.
1.7.2 Progetto
Nel progettare un circuito bisogna sempre per prima cosa vericare la congruen-
za delle speciche. Nel seguito si far riferimento al datasheet del componente
LM741 della National Semiconductor, disponibile in rete allindirizzo:
http://www.national.com/ds/LM/LM741.pdf
Maximum ratings
La prima cosa da fare controllare se le speciche possono essere soddisfatte
dalla.o. che stato scelto. Quindi si controllano le caratteristiche della sezione
maximum ratings, ossia le grandezze limite considerate sicure per loperativit
del componente. In questo caso la massima tensione di alimentazione simmetrica
per la versione commerciale del dispositivo (LM741C, Operating Temperature
Range 0

C to 70

C) pari a V
AL
= 18 V e quindi compatibile con le speciche.
Gli altri parametri presenti nella sezione devono essere controllati attentamente
in un progetto reale, ma in questo caso non vi nulla di signicativo.
62
Caratteristiche elettriche
Occorre poi valutare se lamplicatore in grado di pilotare il carico e di fornire
su di esso la dinamica di tensione richiesta. Ci spostiamo quindi nella sezione
delle caratteristiche elettriche del datasheet (pagina 3 del documento) e troviamo
alcuni parametri utili.
Il parametro Output Voltage Swing indicativo della dinamica per ampi
segnali. Si noti che la massima tensione raggiungibile minore al diminuire
della resistenza del carico, quindi occorre controllare la compatibilit con la R
L
prsente nelle speciche. Per garantire il funzionamento del dispositivo in ogni
condizione, si prendono in considerazione le grandezze caratteristiche del caso
peggiore.
Nel datasheet leggiamo:
Se R
L
10 k, V
min
= 12 V, V
typ
= 14 V
Se R
L
2 k, V
min
= 10 V, V
typ
= 13 V
Nei due casi elencati di R
L
= 2 k e R
L
= 10 k si pu determinare la
corrente massima erogabile dalloperazionale nelle rispettive condizioni di carico.
Questa corrente un importante parametro da tenere presente nelle successive
fasi di progetto.
R
L
= 2 k = V
MAX
= 10 V = I
MAX
=
V
MAX
R
L
= 5 mA
R
L
= 10 k = V
MAX
= 12 V = I
MAX
=
V
MAX
R
L
= 1.2 mA
Si nota poi che la corrente di cortocircuito vale 25 mA. Il valore di resisten-
za di carico che ci interessa intermedia tra le due elencate e la dinamica di
uscita da speciche raggiungibile con una R
L
pi bassa di quanto previsto nel
progetto. Dunque anche questo dato compatibile con la nostra applicazione.

+
R
3
V
i
R
1
R
2
I
f
I
u
R
L
V
u
I
L
Figura 1.43: Schema dellamplicatore non invertente.
63
Schema elettrico
Lo schema del circuito riportato nella gura 1.43. Rispetto allo schema di base
con due sole resistenze, stata aggiunta R
3
per motivi che saranno chiariti in
seguito. Nella gura stata esplicitata la resistenza R
L
, che normalmente non si
disegna perch si suppone faccia parte di un altro circuito da collegare alluscita
delloperazionale. Anche se non fosse disegnata occorrerebbe comunque tenere
conto della corrente che lamplicatore deve poter fornire ad essa.
Il rapporto tra le resistenze R
2
e R
1
dato dalla funzione di trasferimento
del circuito ideale dellamplicatore non invertente: lamplicazione deve essere
A
V
= 10 come richiesto dalle speciche.
V
u
V
i
=
_
1 +
R
2
R
1
_
= 10 V/V = R
2
= 9R
1
Si osservi che linformazione che stata ricavata dal circuito ideale re-
lativa: rappresenta il rapporto tra le resistenze da impiegare ma non fornisce
unindicazione sul loro eettivo valore assoluto. Non fornisce inoltre indicazioni
sul valore di R
3
, la cui presenza iniuente sul funzionamento del circuito nel
caso di operazionale ideale. Per ottimizzare i valori assoluti dei parametri di pro-
getto (R
1
, R
2
e R
3
) sono necessarie delle considerazioni aggiuntive sulluscita,
la retroazione e le non idealit.
Correnti di retroazione e carico
La corrente erogata dallamplicatore operazionale I
u
si divide in due nel nodo
di uscita sul quale sono collegati la resistenza R
2
della retroazione e il carico.
La corrente di retroazione I
f
mentre quella che circola nel carico I
L
; si pos-
sono confrontare le due intensit di corrente ricavando le cadute di tensione sui
resistori.
I
u
= I
f
+I
L
I
f
=
V
u
R
1
+R
2
=
V
u
R
2
10/9
Per dimensionare la corrente di retroazione necessario considerare che es-
sa non deve troppo elevata per non sottrarre corrente al carico, ma non deve
neanche essere troppo bassa, per motivi che verranno chiariti meglio nel seguito.
Una possibile soluzione quantitativa consiste nel porre unordine di grandezza
di dierenza tra la massima I
L
prevista e I
f
. Abbiamo visto che la massima
corrente per garantire la specica sulla dinamica di tensione di uscita di 10 V
pari a 5 mA. Allora:
I
f
5 mA = R
2

10
9
R
2

10 V
5 10
3
A
= 2 k
R
2
20 k
Questa disequazione impone un minimo allinsieme dei possibili valori di R
2
(lower bound): se si scendesse al di sotto di tale valore si sottrarrebbe corrente
al carico e si limiterebbe la dinamica duscita.
64
Eetto delle non idealit
Per trovare il massimo valore possibile per R
2
occorre valutare linuenza delle
non idealit dellamplicatore sul funzionamento del circuito.
In particolare ci concentreremo sulleetto della tensione di oset e delle
correnti di polarizzazione e di oset. Il nostro circuito pu essere ridisegnato
come in g. 1.44 per esplicitare il contributo di tali parametri.
R
3
V
i
R
1
R
2
r
id
v
d
V
off
I
b
I
off
/2
I
b
+I
off
/2
A
d
v
d
r
o
+

V
u
Figura 1.44: Modello circuitale dellamplicatore operazionale reale.
I generatori di oset agiscono indipendentemente tra loro e dal segnale di
ingresso. Per determinare leetto di questi generatori sulluscita consigliabile
annullare v
i
e analizzare la rete mediante la sovrapposizione degli eetti. In
pratica si considera leetto di un paramtero per volta, considerando per il resto
loperazionale come fosse ideale: A
d
, per cui v
d
0 e corrente in r
id
nulla.
Tensione di oset Si nota facilmente che, essendo la corrente in r
id
nulla,
V
off
ha sul circuito lo stesso eetto di un generatore posto sullingresso non
65
invertente. Lo si pu ridisegnare in questa posizione (g. 1.45). Risulta quindi
evidente come il contributo della tensione di oset abbia la stessa espressione
ottenuta per lingresso principale v
i
.
R
3
V
off
R
1
R
2
r
id
v
d
A
d
v
d
r
o
+

V
u
V
off
Figura 1.45: Spostamento della tensione di oset allesterno del modello
dellamplicatore operazionale.
V
u
|
V
off
= V
off

_
1 +
R
2
R
1
_
La conseguenza molto importante che il contributo sulluscita della tensione
di oset non dipende dal valore assoluto di R
2
, ma esclusivamente dallampli-
cazione del circuito. Per ridurre leetto di V
off
sulluscita si dovrebbe ridurre
il guadagno (che denito dalle speciche e quindi non si pu modicare).
Correnti di oset La corrente di oset relativa al terminale invertente (g.
1.46) non pu circolare attraverso R
1
. Infatti, non scorrendo corrente in R
3
,
lingresso non invertente delloperazionale si trova a 0 V. Non scorrendo corrente
in r
id
anche lingresso invertente assume la stessa tensione. Dunque non vi
caduta di potenziale ai capi di R
1
e quindi in essa non pu scorrere corrente.
Tutta la corrente scorre allora in R
2
:
V
u
|
I
= R
2
_
I
b
+
I
off
2
_
Per quanto riguarda lultima delle correnti di oset, nonch lultimo dei
contributi di oset del circuito, si fa riferimento al circuito di g. 1.47.
66
R
3
R
1
R
2
r
id
v
d
A
d
v
d
r
o
+

V
u
I
b
+I
off
/2
0 V
0 V
Figura 1.46: Contributo corrente di oset su ingresso invertente
Si possono fare delle considerazioni analoghe alle precedenti. La corrente di
oset relativa al terminale non invertente passa tutta dentro il resistore R
3
in
quanto r
id
non permette il passaggio di corrente. Dal momento che la corrente
sul resistore R
3
provoca una caduta di tensione su di esso, il morsetto non
invertente delloperazionale sar a tensione diversa da 0 V e il calcolo delluscita
sar ancora una volta riconducibile al calcolo del guadagno di un amplicatore
non invertente:
V
u
|
I+
= R
3
_
I
b

I
off
2
__
1 +
R
2
R
1
_
Sovrapposizione degli eetti A questo punto suciente sovrapporre i
tre contributi calcolati nei paragra precedenti per determinare lo scostamento
totale della tensione di uscita da quella ideale.
V
u
|
offset
= V
off
A
V
+R
2
_
I
b
+
I
off
2
_
R
3
_
I
b

I
off
2
__
1 +
R
2
R
1
_
A questo punto diventa importante la presenza della resistenza R
3
la cui
introduzione sembrerebbe ingiusticata se si facesse adamento sul semplice
modello ideale, secondo il quale non sarebbe attraversata da alcuna corrente.
Il parametro di progetto R
3
un ulteriore grado di libert a disposizione
del progettista che pu essere sfruttato per diminuire leetto delle correnti di
oset. Infatti possibile fare in modo che i contributi di I
b
si annullino a vicenda
67
R
3
R
1
R
2
r
id
v
d
A
d
v
d
r
o
+

V
u
I
b
I
off
/2
(I
b
I
off
/2)R
3
Figura 1.47: Contributo della corrente di oset su ingresso non invertente
dal momento che hanno segni opposti, imponendo che siano uguali le resistenze
viste dai soli generatori di corrente sui terminali delloperazionale.
Raccogliendo i termini in I
b
e in I
off
si ha infatti:
V
u
|
offset
= V
off
A
V
+I
b
_
R
2
R
3
_
1 +
R
2
R
1
__
+
I
off
2
_
R
2
+R
3
_
1 +
R
2
R
1
__
Imponendo
R
3
_
1 +
R
2
R
1
_
= R
2
R
3
=
R
1
R
2
R
1
+R
2
= R
1
//R
2
Se si sceglie questo valore di R
3
, lespressione delloset diventa:
V
u
|
offset
= V
off
A
V
+I
off
R
2
Dopo avere eliminato leetto di I
b
sulluscita, non si pu fare altro che sele-
zionare il valore di R
2
in modo che il contributo della I
off
sia almeno trascurabile
rispetto a quello della V
off
, che non riducibile.
V
off
A
V
R
2
I
off
= R
2

V
off
A
V
I
off
Nel caso in esame, estraiamo dal datasheet del componente LM741 i para-
metri di oset di worst case e calcoliamo il valore limite di R
2
:
R
2
10
6 10
3
2 10
7
= 0, 3 M
68
R
2
30 k
Una volta determinati i valori massimi e minimi di R
2
possibile sceglierne
il valore e di conseguenza ssare quelli degli altri componenti. Nel nostro caso,
utilizzando resistenze della serie normalizzata E12, possiamo stabilire R
2
=
27 k. Per avere guadagno pari a 10 dovremmo selezionare R
1
= 3 k, che per
un valore normalizzato solo nella serie E24. I valori normalizzati pi vicini
sono 2.7 k e 3.3 k, che portano il guadagno a essere circa il 10% pi alto o
pi basso del voluto. Per R
3
potremo optare per R
3
= 2.2 k.
La tecnica qui illustrata pu essere utilizzata per il progetto di buona parte
dei circuiti con amplicatori operazionali. Si noti che partendo dalla congura-
zione invertente i risultati che si ottengono sono identici, in quanto i generatori
di oset agiscono indipendentemente dallingresso.
1.8 Risposta in frequenza
Finora stato studiato il comportamento in continua dellamplicatore opera-
zionale, trascurandone la risposta in frequenza.
Abbiamo visto che lamplicatore, nella sua versione a BJT, costituito da
tre stadi di amplicazione, che possono ridursi a due in tecnologia CMOS. Il
sistema viene usato in applicazioni lineari solo inserendo una rete di reazione,
come abbiamo gi visto. Poich ogni stadio di amplicazione introduce almeno
un polo, se utilizziamo lapprossimazione pi semplice, detta appunto a polo
dominante, la stabilit dellamplicatore non garantita a priori, anzi occorre
studiare la stabilit del sistema in funzione della rete di reazione adottata.
Si suppone che dai corsi precedenti siano gi noti il concetto di reazione e le
tecniche per studiare la stabilit dei sistemi reazionati, per cui qui analizzeremo
solo il caso specico richiamando i fondamenti quando necessario.
Sappiamo che un sistema reazionato stabile, cio si comporta da ampli-
catore, quando la reazione negativa, cio quando il segnale di uscita viene
riportato in ingresso con uno sfasamento di 180

. Questo facile da ottenere

a basse frequenze, mentre a frequenze pi alte la rotazione di fase aggiuntiva
introdotta dai poli dellamplicatore pu portare il sistema verso la reazione
positiva, cio verso linstabilit.
1.8.1 Funzione di trasferimento
Ricordiamo ancora, sebbene si spera che non ce ne sia bisogno, che ogni polo
nel semipiano di sinistra della funzione di trasferimento del sistema introduce
una rotazione di 90

sulla fase della f.d.t. medesima. Tale rotazione comincia

a manifestarsi gradualmente a partire da una decade prima della pulsazione
p
del polo, completando la rotazione una decade dopo. In corrispondenza della
pulsazione
p
la rotazione della fase della f.d.t. vale 45

. Le variazioni di fase
dovute a pi poli vicini tra di loro si sommano.
Dato che lamplicatore operazionale composto da tre stadi (dierenziale,
Darlington e amplicatore di potenza), il sistema caratterizzato da tre poli.
Normalmente i primi due sono sucientemente distanti tra di loro (ben pi di
una decade, di solito). Ciascuno dei tre stadi presenta una determinata frequenza
69
di cut-o. Il primo dei poli naturali dellamplicatore operazionale deriva dal-
luscita dello stadio dierenziale caricata dallingresso del Darlington: leetto
Miller amplica la capacit presente tra base e collettore del Darlington a causa
dellelevato guadagno di tensione presente tra quei due terminali dei transistor.
Inoltre lelevata impedenza vista dalla capacit aumenta il valore della costante
di tempo, diminuendo la frequenza di taglio dello stadio.
|A| A

p1

p2

p3
20 dB/dec
40 dB/dec
0

90

180

Figura 1.48: Diagramma di Bode della caratteristica di un amplicatore

operazionale.
Il diagramma di Bode di un generico amplicatore operazionale riportato
nella gura 1.48. Se si retroaziona il sistema con una rete resistiva, come nel caso
dellamplicatore non invertente richiamato poco sopra, g. 1.43, per la continua
la rotazione di fase tra segnale di ingresso e segnale retroazionato per lappunto
180

. Tuttavia allaumentare della frequenza, a causa dei poli dellamplicatore,

diminuisce la dierenza di fase tra ingresso e feedback: in corrispondenza della
pulsazione del primo polo
p1
si avranno 180

45

= 135

. Una decade dopo

la pulsazione del primo polo si avranno 180

90

= 90

. I segnali di ingresso
e retroazione sono in quadratura.
In prossimit del secondo polo di pulsazione
p2
si avranno 180

135

= 45

di sfasamento, e una decade pi in alto ancora 180

180

= 0

. Dire che tra il

feedback e il segnale di ingresso c uno sfasamento di 0

come dire che entrambi

i segnali abbiano la stessa fase, e dunque si sommino: la reazione per queste
frequenze non pi negativa, in quanto i poli dellamplicatore operazionale
70
hanno indotto una rotazione di fase tale da sommare i segnali di ingresso e
feedback (retroazione positiva).
Il fatto che la reazione al di sopra di una certa frequenza diventi positiva
porta alla creazione di un anello che amplica sempre pi lingresso sommandoci
il segnale di retroazione: in questo modo si raggiunge sicuramente la condizione
di funzionamento non lineare e il sistema oscilla.
1.8.2 Guadagno danello
Dal momento che non possibile cancellare i poli del sistema, la soluzione del
problema consiste nel fare in modo che il sistema non amplichi i segnali a
frequenze troppo alte, a rischio di generare retroazione positiva. Utilizziamo
nuovamente le notazioni gi introdotte allinizio del capitolo per studiare le im-
pedenze di ingresso e uscita e gli eetti di A
d
(si veda la gura 1.2, sezione 1.1.1
e seguenti). Il segnale di retroazione pari al prodotto tra il segnale di ingresso
e quello presente alluscita dellamplicatore a sua volta attenuato dalla rete
di retroazione. Chiamando A lamplicazione del sistema e lattenuazione in-
trodotta dalla rete di reazione, la porzione di segnale riportata in ingresso dal
sistema amplicata di un fattore A = T, chiamato guadagno di anello. Perci
lo sfasamento tra segnale di ingresso e di retroazione pari a 180

pi la fase
del guadagno di anello.
Il margine di fase denito come la dierenza di fase tra 180

(cio rea-
zione positiva) e la fase del guadagno danello alla pulsazione
T
alla quale il
valore assoluto del guadagno di anello unitario |A| = 1. Pi alto il margine
di fase pi il sistema stabile. Se il margine di fase ridotto, inferiore a 45

, le
frequenze intorno ad
T
sono esaltate rispetto a quanto previsto dalla funzione
di trasferimento del sistema ideale (fenomeni di ringing e overshoot).
Il margine di guadagno denito come il valore assoluto del guadagno di
anello in dB corrispondente alla pulsazione con A(
180
) = 180

. sostan-
zialmente lattenuazione del segnale di retroazione positiva perch in un sistema
stabile il valore assoluto di A(
180
) deve essere minore di uno. Infatti se il
segnale di retroazione viene attenuato non pu dare inizio a quel processo di
deriva che porta fuori linearit il sistema ad altre frequenze.
Per ottenere un margine di fase di 45

occorre che il guadagno danello sia

pari a 0 dB in corrispondenza della frequenza del secondo polo.
Un modo di ottenere questo risultato consiste nellabbassare il guadagno di
anello. Il problema che diminuendo il guadagno di anello si diminuirebbero
anche i beneci della retroazione, fondamentali per utilizzare in modo corretto
lamplicatore operazionale.
Operativamente necessario introdurre elementi reattivi di valore opportuno
in punti specici del circuito, seguendo due tecniche principali:
portare a frequenze pi basse la posizione del primo polo (polo dominante)
delloperazionale;
introdurre un ulteriore polo nel sistema, tale da essere a frequenza molto
bassa e divenire dunque il nuovo polo dominante. Questo metodo riduce
drasticamente la banda passante del sistema ed quindi utilizzato solo
quando non sia possibile modicare la posizione del polo delloperazionale.
71
|A|

Margine di guadagno

p1

180

T
0 dB
A

Margine di fase
0

90

180

Figura 1.49: Denizioni dei margini di fase e guadagno.

Una comparazione tra le due tecniche riportata nellesempio di g. 1.50 in
cui la griglia ha spaziatura di una decade in frequenza e di 20dB in ampiezza.
Risulta evidente come lo spostamento del primo polo sia la soluzione preferibile.
Compensazione a polo dominante
Il metodo di compensazione a polo dominante, che spesso produce il fenomeno
del pole splitting di cui parleremo pi avanti, consiste nel mettere in parallelo una
capacit alla capacit gi presente sulluscita del primo stadio di amplicazione
(responsabile del primo dei poli naturali del sistema), in modo da modicare
la capacit totale, incrementando la costante di tempo e dunque abbassando la
frequenza del primo polo.
Facendo riferimento al modello semplicato dellamplicatore operazionale
(g. 1.51), derivato da quello gi visto in g. 1.41, la capacit da modicare
72
|A|

0 dB

p1

p2

p3
20 dB/dec
40 dB/dec
60 dB/dec

A

B
Figura 1.50: Comparazione tra compensazione con aggiunta di un polo a bassa
frequenza
A
e mediante abbassamento della frequenza del primo polo
B
.
C
1
. Ci sono diversi modi di procedere. Una possibilit consiste nel rendere
disponibile allesterno delloperazionale la base del Darlington e lasciare al pro-
gettista il compito di inserire tra base e riferimento un condensatore di valore
opportuno in funzione della rete di reazione scelta per il circuito. Questa scelta
si eettua raramente, in quanto comporta linserimento di un componente in
pi sul circuito stampato, ma permette di massimizzare banda e slew-rate del
circuito.
La soluzione che si adotta normalmente consiste nellintegrare il conden-
satore di compensazione. A questo proposito per occorre fare delle scelte re-
lativamente al valore di capacit da integrare. Come abbiamo visto sopra, la
grandezza da rendere stabile mediante lo spostamento del polo il guadagno
danello A, che per dipende da come costruita la rete di retroazione.
Si pu osservare che, almeno nellutilizzo del circuito come amplicatore,
la rete di reazione consiste in un partitore resistivo, cio si ha < 1 e in pi
costante e non dipende dalla frequenza. In questo caso il diagramma di
Bode del prodotto A non altro che il diagramma di A traslato in verticale
verso il basso di una quantit pari al modulo di . Per studiare la stabilit
di A basta riportare sul graco di A una linea orizzontale alla quota 1/
e interpretare tale linea come asse a 0 dB per la funzione da studiare. Ora
evidente che il caso peggiore, cio guadagno danello massimo, si ha se = 1,
cio per la congurazione a voltage follower. Questo equivale a compensare il
73
r
d
v
d
v
2
r
i2 C
1
g
m1
v
d
v
3
r
i3 C
2
g
m2
v
2
v
3
r
o
V
u
Figura 1.51: Modello delloperazionale con esplicitate le capacit parassite legate
ai primi due poli.
graco di A, senza traslazioni. Se lamplicatore stabile quando reazionato a
voltage follower, sar a maggior ragione stabile per tutte le congurazioni con
guadagno maggiore di uno.
Sorge per un problema. Se la capacit parassita C
1
dellordine di grandez-
za del picofarad, frequente il caso in cui il primo polo debba essere spostato di
tre decadi, come nellesempio di g. 1.50. Questo vuol dire che il condensatore
aggiuntivo da porre in parallelo a C
1
dellordine di grandezza del nanofarad.
Un tale valore per dicilmente integrabile.
Pole splitting
La soluzione al problema di integrabilit consiste nello sfruttare leetto Miller.
Esso consente di amplicare il valore della capacit posta tra due nodi tra i
quali esiste un guadagno in tensione: questo permette di integrare agevolmente
la capacit di compensazione ed ha in pi un eetto beneco sulla posizione del
secondo polo, come illustrato tra poco.
r
d
v
d
v
2
r
i2 C
1
g
m1
v
d
v
3
r
i3 C
2
g
m2
v
2
v
3
r
o
V
u
C
C
Figura 1.52: Capacit di compensazione a cavallo del secondo stadio.
Leetto Miller si sfrutta inserendo la capacit a cavallo dello stadio Dar-
lington anzich collegandola direttamente in parallelo a C
1
(g. 1.52). La rete
contiene una maglia di condensatori che la rende degenere: ha meno poli di
quanti siano gli elementi reattivi presenti nella rete. Dal teorema di Miller, in-
dicando con K il guadagno dellamplicatore invertente del secondo stadio, si
ha che:
Z
in
= Z
C

1
1 K
74
Z
out
= Z
C

K
K 1
v
3
= g
m2
Z
3
v
2
K = g
m2
Z
3
Limpedenza di carico Z
3
contiene anche lelemento reattivo C
2
, che per ha
eetto solo a frequenze pi alte del primo polo, per cui nello studio degli eetti
di C
C
sul primo polo possiamo considerare Z
3
R
i3
. K negativo e molto
grande, per cui suciente un condensatore di compensazione molto piccolo
per spostare molto a sinistra la posizione del primo polo.
C
eq
= C
C
(1 +g
m2
R
i3
) C
C
g
m2
R
i3

p1

1
C
C
g
m2
R
i3
R
i2
Gli eetti del condensatore C
C
non si fermano qui. Facendo i conti si pu
vericare che viene introdotto uno zero nel semipiano destro di Laplace, ma a
frequenza molto alta, e inoltre la frequenza del secondo polo delloperazionale
viene innalzata notevolmente, tanto da superare spesso quella del terzo polo ori-
ginale, che diventa il secondo polo nella nuova funzione di trasferimento. Questo
fenomeno prende il nome di pole splitting, ossia allontanamento dei poli. Que-
sto consente di innalzare ulteriormente la frequenza del primo polo, aumentando
banda e slew-rate del circuito rispetto alla prima soluzione vista in cui si inseriva
un condensatore in parallelo a C
1
.
in gura 1.53 visibile un esempio di aggiunta del condensatore di compen-
sazione nello schema semplicato di operazionale che abbiamo costruito nelle
sezioni precedenti.
1.8.3 Prodotto banda-guadagno
Abbiamo visto che per un amplicatore operazionale compensato a voltage fol-
lower il diagramma di Bode del modulo del guadagno A
d
assume un andamento
simile a quello riportato in gura 1.54.
Per frequenze inferiori a quella del secondo polo (corrispondente a unampli-
cazione di modulo pari a 0 dB), si ha un andamento in frequenza approssimabile
con una funzione di trasferimento ad un solo polo.
A
d
(f) =
A
d0
1 +j
f
f0
Utilizziamo questa espressione approssimata per calcolare la banda passante
di un amplicatore reazionato con una rete , in congurazione non invertente.
Ricordiamo che per un sistema di questo tipo il guadagno assume la seguente
forma:
A
V
=
1

1
1 +
1
T
75
T
10
D
1
T
11
D
2
T
9
T
8
T
7
T
6
T
5
T
2
T
1
T
4
T
3
R
M
+V
AL
V
AL
R
E1
R
E2
OUT
IN

IN
+
C
C
Figura 1.53: Condensatore di compensazione sullamplicatore operazionale
desempio.
76
|A|
f
0 dB
20 dB/dec
40 dB/dec
f
0
f
BW
Figura 1.54: Diagramma di Bode di A per un amplicatore operazionale
compensato per voltage follower
Dove T = A
d
il guadagno danello. Sostituendo lespressione di A
d
(f)
riportata sopra, si ottiene:
A
V
=
1

1
1 +
1+jf/f0
A
d0

Riordinando i termini si ha:

A
V
=
1

A
d0

A
d0

_
1 +
1
A
d0

+j
f
A
d0
f0
_
Generalmente si ha
1
A
d0

<< 1
da cui
A
V

1

1
1 +j
f
A
d0
f0
Questa espressione permette di calcolare la banda passante del sistema re-
troazionato.
Deniamo ora:
f
BW
= A
d0
f
0
Tale frequenza corrisponde sul diagramma di Bode allincrocio della carat-
teristica di A
d
con lasse a 0 dB.
Con questa denizione si pu scrivere che la frequenza di taglio a 3 dB,
f
T
, vale f
T
= f
BW
. Dato per che 1/ = A
V 0
il guadagno del circuito per
77
frequenze basse, si ha ancora che A
V 0
f
T
= f
BW
, cio il prodotto tra la banda
passante di un amplicatore e il suo guadagno una costante, pari a f
BW
,
chiamata appunto prodotto banda-guadagno, tipica dellamplicatore. Dunque se
si usa un amplicatore operazionale per realizzare un amplicatore di tensione,
la banda passante del sistema sar tanto minore quanto pi alto il guadagno
in continua del circuito.
Si noti che questo risultato valido anche per la congurazione invertente.
Ricordiamo infatti che la funzione di trasferimento di un amplicatore invertente
si pu scrivere come:
A
V
=
_
1
1

1
1 +
1
T
per cui anche per questa congurazione si ottiene la stessa banda passante, se
si considera come guadagno quello della congurazione non invertente con la
stessa rete di reazione .
Current feedback
Il legame tra guadagno e banda passante trovato sopra una conseguenza diretta
del modo in cui sono costruiti gli amplicatori operazionali normali. In real-
t lo schema che abbiamo utilizzato, che viene chiamato voltage feedback, cio
con reazione in tensione, non lunico possibile per realizzare un amplicatore
operazionale. Esistono anche amplicatori operazionali di tipo current feedback,
o a reazione di corrente, in cui questo legame non c. In questi amplicatori
la banda passante e la stabilit dipendono dal valore assoluto della resisten-
za di reazione R
2
. Uninteressante e comprensibile introduzione agli amplica-
tori current feedback si trova sul sito della Texas Instruments (www.ti.com):
Application report slva051 Voltage Feedback vs Current Feedback Op Amps.
Gli amplicatori current feedback sono usati in applicazioni in alta frequenza
ove occorre ampia banda passante anche con guadagni elevati.
1.8.4 Slew Rate
Le limitazioni in frequenza dellamplicatore operazionale non derivano esclu-
sivamente dalla banda passante, ma anche da un parametro non lineare, che
agisce nel dominio del tempo: lo slew rate.
Lo slew rate per denizione la massima velocit di variazione del segnale
duscita dellamplicatore.
SR(V
U
) = max
_
V
U
t
_
Il suo eetto si vede in modo molto evidente nella risposta ad un gradino
dingresso.
Analizziamo il nostro solito amplicatore operazionale desempio per capire
da dove ha origine il limite di slew rate del circuito. Facciamo riferimento alla
gura 1.53. Quando il segnale dierenziale di ingresso varia molto rapidamente,
il sistema esce dalla linearit e tutta la corrente a disposizione dello stadio
dierenziale (I
0
) scorre in uno dei due rami del medesimo. Ricordandoci che lo
stadio duscita (T
10
, T
11
) ha guadagno di tensione unitario, possiamo aermare
che la tensione duscita si ritrova, a meno di una continua, sul collettore di T
8
.
78
TIME (2 s/DIV) m
O
U
T
P
U
T
V
O
L
T
A
G
E

S
W
I
N
G

(
5
V
/
D
I
V
)
Figura 1.55: Risposta allimpulso per ampio segnale delloperazionale TL082
(dal data sheet National Semiconductor).
La base di T
7
invece a un potenziale quasi costante. Osserviamo per che tra
questi due punti collegato un condensatore, il condensatore di compensazione
C
C
. Allora per variare la tensione duscita occorre caricare/scaricare C
C
. Ma
abbiamo detto che in transitorio la corrente che pu scorrere nel nodo in cui si
incontrano il collettore di T
2
, quello di T
6
, la base di T
7
e un capo di C
C
al
pi pari alla corrente I
0
. Allora durante il transitorio il condensatore C
C
risulta
caricarsi o scaricarsi a corrente costante. La tensione duscita diventa allora una
rampa e la massima pendenza, cio lo slew rate, vale:
SR(V
U
) = max
_
d [(I
0
/C
C
) t]
dt
_
=
I
0
C
C
Un esempio di risposta al gradino per ampio segnale, da cui possibile
misurare lo slew rate, visibile in gura 1.55.
Quando si superano i limiti di slew rate, il segnale duscita risulta aetto da
una grossa distorsione armonica. Un segnale sinusoidale in ingresso assumer
in uscita una forma sempre pi simile a quella triangolare man mano che la
frequenza aumenta.
Legame tra BW e SR Da quanto visto sopra, il condensatore di compensa-
zione responsabile sia della banda passante dellamplicatore operazionale, in
quanto viene progettato per rendere il sistema stabile e determina il prodotto
banda-guadagno, sia dello slew rate.
Occorre insistere sul dierente signicato di questi due parametri: la banda
passante un parametro di piccolo segnale: indica qual la frequenza massi-
ma che viene riportata sulluscita dellamplicatore senza attenuazione (o con
unattenuazione massima di 3 dB), per un segnale di ampiezza innitesima. Lo
slew rate invece un parametro di ampio segnale, che indica la massima velocit
di variazione delluscita.
Ma, dato un certo segnale sulluscita, quale dei due limiti interviene per
primo?
Calcoliamo il limite di slew rate per un segnale di tipo sinusoidale:
79
V
u
(t) = V
pk
sin(t)
Per trovare lo slew rate della sinusoide occorre massimizzarne la derivata:
dV
u
dt

MAX
= V
pk
cos(t)|
MAX
= V
pk
Segue che:
V
pk
SR =
I
0
C
C
= V
pk

I
0
C
C
=
SR

Dunque la massima ampiezza di un segnale sinusoidale in uscita da un am-

plicatore operazionale decresce con la frequenza con legame di tipo iperbolico.
Esempio 2. Si voglia utilizzare un operazionale modello TL082 per realizzare
un amplicatore con banda passante pari a f
0
= 400 kHz. Qual il massimo
guadagno utilizzabile e qual la massima ampiezza duscita indistorta quando
il segnale dingresso una sinusoide a frequenza 400 kHz?
Bode Plot
Undistorted Output
Voltage Swing
Figura 1.56: Risposta in frequenza e massima tensione duscita per il TL082
(dal data sheet National Semiconductor).
Dal data sheet del TL082 si vede che lo slew rate vale SR = 13 Vs
1
,
mentre il prodotto banda guadagno GBW = 4 MHz.
La specica di banda passante sar rispettata se si rimane al di sotto del
prodotto banda-guadagno:
A
VMAX
=
GBW
f
0
= 10
Per quanto riguarda lampiezza, il massimo della derivata dellonda sinusoidale
deve essere inferiore allo slew rate delloperazionale:
V
pk
2 4 10
5
Vs
1
17 Vs
1
V
pkMAX
=
13
2 0.4
V = 5.17 V
Lo stesso risultato si pu ottenere utilizzando i graci presenti sul data sheet.
I due graci pi signicativi sono riportati in gura 1.56.
80
Capitolo 2
Applicazioni
dellamplicatore
operazionale
Indice
2.1 Congurazione invertente . . . . . . . . . . . . . . 81
2.1.1 Integratore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
2.1.2 Derivatore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
2.1.3 Sommatore invertente . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
2.2 Amplicatore dierenziale . . . . . . . . . . . . . . 93
2.3 Sommatore non invertente . . . . . . . . . . . . . . 96
2.4 Sommatore generalizzato . . . . . . . . . . . . . . . 98
2.5 Amplicatori da strumentazione . . . . . . . . . . 100
2.5.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
2.5.2 Compatibilit elettromagnetica . . . . . . . . . . . . 100
2.5.3 Amplicatori da strumentazione . . . . . . . . . . . 101
2.5.4 Amplicatore a due operazionali . . . . . . . . . . . 108
2.6 Amplicatori audio . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
2.7 Circuiti ad alimentazione singola . . . . . . . . . . 113
I
n questo capitolo vengono analizzate alcune applicazioni lineari dellam-
plicatore operazionale, tra cui i vari tipi di sommatore, lamplicatore dif-
ferenziale, lamplicatore da strumentazione e i circuiti monoalimentati.
2.1 Congurazione invertente
Nel capitolo introduttivo sugli amplicatori operazionali abbiamo studiato i due
tipi base di amplicatore costruibili a partire da questo componente: lamplica-
tore non invertente e quello invertente. La cosa interessante della congurazione
invertente il fatto che lespressione della sua transcaratteristica estremamen-
te semplice: essa consiste sostanzialmente nel rapporto tra due elementi resistivi.
possibile estendere questo tipo di topologia includendo elementi reattivi nella
81
rete di reazione, ottenendo, con due generiche impedenze Z
1
e Z
2
(al posto dei
corrispondenti resistori R
1
e R
2
), qualcosa di molto pi generale:
V
u
V
i
=
Z
2
Z
1
Questo signica che, scegliendo Z
1
e Z
2
idonee, possibile sintetizzare con
facilit funzioni di trasferimento a nostra scelta, con risultati anche molto die-
renti da quello che potrebbe essere un semplice amplicatore. Per questo si suol
dire che lamplicatore invertente sia la madre di molti circuiti lineari basati
sulluso dellamplicatore operazionale, quali ltri attivi o circuiti di vario tipo.
Nei prossimi paragra inizieremo a presentare un primo esempio di schema ba-
sato sullamplicatore invertente. Come capiremo presto, il nome operazionale
del dispositivo di amplicazione sul quale ci stiamo basando deriva proprio dal
fatto che, programmandone luso con alcuni elementi esterni, possibile, in ma-
niera molto semplice, ottenere operazioni matematiche di vario tipo sui segnali
(derivazione, logaritmo, integrazione, combinazioni lineari).
2.1.1 Integratore
Consideriamo il circuito della gura 2.1.
v
i
v
u
R
1
C
2
Figura 2.1: Schema circuitale dellintegratore.
Si pu vedere facilmente che, nel dominio di Laplace, la funzione di trasferi-
mento di questo oggetto pari a:
V
u
V
i
=
1
sC
2
R
1
Questa topologia detta integratore; volendo analizzare landamento del
segnale nel dominio del tempo, applicando loperatore antitrasformata di La-
place alla funzione di trasferimento, si ha:
v
u
(t) = L
1
{V
u
(s)} = v
u
(0)
1
R
1
C
2
_
t
0
v
i
(t)dt
Questo circuito integra il segnale in ingresso, nel dominio del tempo; da
qua il nome integratore. Purtroppo, se potessimo costruire questo circuito con
82
un amplicatore ideale, non avremmo problemi di funzionamento, mentre le
limitazioni di guadagno e banda dei componenti reali portano problemi assolu-
tamente non indierenti, che andranno risolti mediante uno studio pi attento
della topologia in questione.
Per caratterizzare il sistema reale necessario vericare se esso stabile e
perci occorre studiare il blocco di retroazione . Esso ha unespressione che
pu essere ricavata con i metodi dellElettrotecnica.
=
R
1
R
1
+ 1/(sC
2
)
=
sR
1
C
2
1 + sR
1
C
2
|A

|
f
0 dB
f
0
Figura 2.2: Caratteristica ideale dellintegratore.
Il stato al solito ricavato semplicemente valutando la porzione di se-
gnale in uscita rispetto allingresso, annullando temporaneamente il segnale di
ingresso, ossia il generatore di tensione.
Un integratore reale non si comporta come il suo modello ideale: la.o. non
ha un guadagno veramente tendente ad innito. Si possono ottenere delle infor-
mazioni utili sul funzionamento eettivo ricordando quanto appena osservato: la
sua congurazione la stessa di quella di un amplicatore invertente nel quale
le resistenze sono sostituite da generiche impedenze.
Il suo guadagno ad anello chiuso si pu indicare A
V
e dipende sia dal
guadagno danello A della.o. che dalla rete di retroazione .
A
V
=
1

A
1 +A
Dato che il primo fattore corrisponde al guadagno ad anello chiuso del si-
stema ideale (A ), si suole chiamarlo A

. Esso dipende solo dalla rete di

retroazione composta da elementi passivi. Il suo andamento molto semplice,
si veda la g. 2.2.
83
A

=
1

=
Z
2
Z
1
=
1
sC
2
R
1
Chiamando f
0
la frequenza per cui il guadagno del circuito unitario si ha:
f
0
=
1
2R
1
C
2
A

(jf) =
1
jf/f
0
|A| , ||
f
|A|
||
f
1
f
0
0 dB
Figura 2.3: Diagramma di Bode di |A| e ||.
Ma per quale intervallo di frequenze il comportamento del circuito sar ap-
prossimabile con A

? Dobbiamo studiare il guadagno danello A per poter

rispondere a questa domanda. Assumiamo che lamplicatore sia un normale
amplicatore operazionale compensato internamente per guadagno unitario e
riportiamo su un graco landamento di |A|, supponendo che il polo dominante
sia a frequenza f
1
, e di ||, g. 2.3.
Per trovare il guadagno danello dobbiamo sommare i due graci appena dise-
gnati (ricordando che gli assi sono logaritmici, questo equivale a fare il prodotto
dei termini).
84
|A|
f
f
1
f
0
0 dB
Figura 2.4: Diagramma di Bode di |A|.
Il graco complessivo riportato in g. 2.4. Si osserva che per basse frequenze
si sommano il guadagno costante dellamplicatore e landamento crescente con
pendenza +20 dB/dec dovuto allo zero di trasmissione della rete per f = 0.
In corrispondenza della frequenza f
1
vi il polo dellamplicatore opera-
zionale, dunque ai +20 dB/dec vengono sommati 20 dB/dec e si ha una zona
di funzionamento piatta; per frequenze superiori a f
0
, costante e pari a 1,
quindi si ha una pendenza complessiva pari a 20 dB/dec anche nel diagramma
nale di |A|. Da questo discorso si conclude che ad alte frequenze il comporta-
mento del sistema, dal punto di vista della stabilit, non diverso da quello di
un voltage follower. Se lamplicatore stabile per reazione unitaria, allora lo
anche se usato come integratore.
Per frequenze basse tuttavia si ha un altro problema: in questo range di
frequenze il guadagno di anello una grandezza dalle dimensioni ridotte, essendo
nullo per la continua. Dunque il termine correttivo non ideale nellespressione
di A
V
assai inuente e il comportamento del sistema si discosta molto dal
comportamento ideale.
Vediamo separatamente i due termini:
lim
0
_
1

_
=
1

lim
0
_
A
1 +A
_
= A
Da cui A
V
= A. Per frequenze basse il sistema non ha guadagno tendente a
innito, come in un integratore ideale, bens uguale al guadagno delloperazio-
nale.
Si pu arrivare allo stesso risultato anche osservando che per basse frequenze
il condensatore si comporta in modo prossimo ad un circuito aperto, quindi il
circuito perde la retroazione e ci si avvicina alla situazione di a.o. ad anello
aperto: guadagno pari ad A
d
.
Ci ricordiamo per che quando si usa un amplicatore operazionale ad anello
aperto, di fatto la dinamica dingresso risulta praticamente nulla e lamplica-
tore esce di linearit, portandosi in saturazione.
85
Si potrebbe pensare di ovviare al problema mandando allingresso dellinte-
gratore solo segnali a valor medio nullo. Di fatto per sono sucienti le correnti
di polarizzazione e la tensione di oset, tutti parametri in continua, a portare il
circuito alla saturazione.
Lintegratore per un circuito molto utile, dunque necessario trovare il
modo di superare le limitazioni del circuito. Esistono due possibilit, presentate
nei prossimi paragra.
Reset periodico
Se il sistema deve funzionare solo per un tempo limitato, possibile azzerare
periodicamente luscita del circuito, facendolo lavorare solo per un periodo di
tempo tale da rendere trascurabile il contributo dellintegrale della corrente di
polarizzazione. In pratica si aggiunge un interruttore elettronico che cortocir-
cuita il condensatore quando lintegratore non in uso. Allinizio del periodo di
integrazione si apre linterruttore e lo si richiude al termine in modo da riparti-
re sempre dalle stesse condizioni iniziali. Questa tecnica viene spesso adottata
nella realizzazione di voltmetri a rampa.
Integratore con perdite
Se il sistema deve simulare il comportamento di un integratore in un campo di
frequenze limitato che non includa la continua, possibile modicare il circuito
in modo che esso abbia un guadagno in continua nito (g. 2.5).
R
1
R
2
C
v
e
v
u
Figura 2.5: Circuito dellintegratore modicato dallintroduzione di R
2
.
La resistenza aggiunta abbassa il guadagno in continua del circuito: per bas-
se frequenze il circuito si comporta come un amplicatore invertente; quando la
reattanza del condensatore diventa inferiore a R
2
, invece, il circuito si compor-
ta come un integratore. Sostanzialmente si hanno due modi di funzionamento,
dipendenti dalla frequenza.
86
Si pu studiare la funzione di trasferimento del circuito tenendo conto che
una delle impedenze dellamplicatore invertente generalizzato composta da
una resistenza in parallelo a un condensatore.
Z
2
= R
2
//
1
sC
=
R
2
/(sC)
R
2
+ 1/(sC)
=
R
2
1 +sR
2
C
=
V
u
V
i
=
Z
2
Z
1
=
R
2
R
1

1
1 +sR
2
C
Dunque esiste, come gi intuito, un polo a frequenza f
2
= 1/(2R
2
C). A
partire da una decade oltre tale polo il comportamento del circuito analogo a
quello dellintegratore.
|A

|
f
f
2
0 dB
Figura 2.6: Diagramma di Bode della funzione di trasferimento dellintegratore
con perdite.
Il diagramma di Bode del modulo di A

visibile in g. 2.6. Ritroveremo

questo circuito (e anche lintegratore originario) quando parleremo di ltri attivi.
Per ora basta dire che, se si eseguono su questo circuito i conti fatti in precedenza
per lintegratore, si ottiene facilmente come conclusione che il sistema stabile
e il guadagno approssimabile a A

dalla continua no ad un intorno del

prodotto banda-guadagno delloperazionale.
2.1.2 Derivatore
Lo schema del derivatore ideale il duale rispetto a quello dellintegratore ed
riportato in g. 2.7. La funzione di trasferimento ideale del derivatore corrispon-
de alla trasformata di Laplace delloperazione di derivazione di una funzione del
tempo.
V
u
V
i
= sRC
Il diagramma di Bode di questa funzione presenta uno zero per la continua e
amplicazione che aumenta proporzionalmente alla frequenza dingresso, come
visibile in g. 2.8. Lamplicazione unitaria ad una frequenza f
0
= 1/(2RC).
87
R
C
v
u
v
e
Figura 2.7: Schema circuitale del derivatore.
Lamplicatore operazionale non ideale non ha banda passante innita, quin-
di non potr certamente realizzare questa funzione di trasferimento fedelmen-
te oltre una certa frequenza. Inoltre occorre studiare la stabilit del sistema.
Ricaviamo anche in questo caso lespressione di .
=
1
1/sC [R + 1/(sC)]
=
1
1 +sRC
Landamento di visibile in g. 2.9. Notiamo che il polo posizionato alla
frequenza di guadagno unitario f
0
.
Sommando i logaritmi di e |A
V
| si ottiene un andamento del modulo di
A come nella stessa gura 2.9. Si osserva che il diagramma del guadagno di
anello attraversa in modo critico lasse degli 0 dB: il derivatore potrebbe essere
un sistema instabile perch i due poli complessivamente possono fornire una
rotazione di fase del segnale di retroazione di 180

rispetto a quello di ingresso.

Il margine di fase risulta ridotto e la stabilit o meno del sistema dipende solo
dalla posizione reciproca del polo dominante dellamplicatore f
1
e la frequenza
a guadagno unitario del derivatore f
0
.
Oltre alle limitazioni di funzionamento in frequenza per motivi analoghi
a quelli dellintegratore, dunque, il derivatore aetto anche da problemi di
instabilit. Anche in questo caso possibile risolvere parzialmente i problemi
introducendo una resistenza, in particolare in serie alla capacit. Questo risolve
i problemi di stabilit, tuttavia riduce il guadagno per alte frequenze, cio la
banda di frequenze in cui si pu aermare che il circuito esegue la derivata
temporale del segnale dingresso.
La funzione di trasferimento del circuito modicato dallintroduzione della
resistenza aggiuntiva ricavabile dalle espressioni delle impedenze modicate.
presente uno zero nellorigine ed un polo a frequenza f
p
.
V
u
V
i
=
Z
2
Z
1
=
R
2
1/(sC) +R
1
=
sR
2
C
1 +sR
1
C
; f
p
=
1
2R
1
C
Anche questo circuito pu essere visto come un ltro e sar quindi ripreso
nel capitolo sui ltri. Per la stabilit occorre calcolare il nuovo :
=
1 +sR
1
C
1 +s (R
1
+R
2
) C
88
|A

|
f
0 dB
f
0
Figura 2.8: Caratteristica ideale del derivatore.
In questo caso la rete di reazione introduce una coppia polo-zero e quindi
riduce, come gi asserito, i problemi di instabilit.
89
|A| , ||
f
|A|
||
f
1
f
0
0 dB
|A|
f
f
1
f
0
0 dB
Figura 2.9: Diagrammi di Bode dei blocchi A e (sopra), del guadagno danello
(sotto) per un derivatore.
90
R
1
R
2
C
v
u
v
e
Figura 2.10: Derivatore modicato con lintroduzione di una resistenza in serie
alla capacit.
91
2.1.3 Sommatore invertente
La gura 2.11 riporta lo schema di un sommatore invertente.
v
1
v
2
v
u
R
1
R
2 R
3
Figura 2.11: Schema circuitale del sommatore invertente.
Questo schema deriva da quello dellamplicatore invertente, cui si aggiun-
gono dei rami costituiti dai generatori di segnale da sommare ognuno con in
serie una dierente resistenza collegata al morsetto invertente delloperaziona-
le. Come visto per lo schema precedente, in tutti i rami scorrer una corrente
proporzionale alla tensione ai capi del generatore di segnale collegato. Tutte le
correnti sono sommate al morsetto invertente e convertite in tensione dallo sta-
dio duscita. Per analizzare il circuito, dal momento che tutti gli elementi sono
lineari, possibile utilizzare la sovrapposizione degli eetti.
v
1
v
u
R
1
R
2 R
3
Figura 2.12: Schema circuitale del sommatore invertente con una tensione su un
solo terminale di ingresso.
Consideriamo solo il generatore di segnale V
1
acceso, e gli altri spenti (g.
2.12). Vediamo che da un lato il morsetto non invertente sempre collegato allo
0V , ma di conseguenza anche il morsetto non invertente si trova a 0V virtuale.
Dal momento che solo R
1
ha il proprio generatore attivo, si pu dire che R
3
sia
collegata a 0 V su entrambi i terminali, quindi in essa non vi sar caduta di
92
tensione, e perci neanche circolazione di corrente per la legge di Ohm. Di fatto
R
3
nei calcoli potr non essere considerata. La transcaratteristica parziale del
circuito si potr ricondurre a quella di un normale amplicatore invertente, e
dunque si avr che:
V
u
V
i

V1
=
R
2
R
1
Facendo lo stesso ragionamento per V
2
, collegato alla resistenza R
3
, si vede
che:
V
u
V
i

V2
=
R
2
R
3
Utilizzando la linearit della rete, e quindi il principio di sovrapposizione
degli eetti, si ha:
V
u
=
R
2
R
1
V
1

R
2
R
3
V
2
La cosa, ovviamente, estendibile ad un numero qualunque di generatori.
2.2 Amplicatore dierenziale
Abbiamo fatto le somme (invertite) ma.. possiamo anche fare generiche com-
binazioni lineari di un certo numero di segnali? Vorremmo, ad esempio, avere
unuscita con la forma:
V
u
= K(V
1
V
2
)
Perch usiamo un K uguale per entrambi? In questo modo luscita dipende
solo dalla dierenza tra i due segnali.
Per realizzare la funzione di trasferimento potremmo provare ad analizzare
un circuito analogo a quello di g. 2.13
Considerando un circuito del tutto analogo al precedente, se non nel fatto
che sul morsetto non invertente si introduce il segnale che si vuole sommare, si
ottengono i seguenti contributi sfruttando la sovrapposizione degli eetti:
V
u
|
V1
=
_
1 +
R
2
R
1
_
V
1
V
u
|
V2
=
R
2
R
1
V
2
Sovrapponendo gli eetti:
V
u
=
_
1 +
R
2
R
1
_
V
1

R
2
R
1
V
2
= K
1
V
1
K
2
V
2
In questo caso per K
1
= K
2
. Cos, si pu ottenere una certa combinazione
lineare, ma non quella che desideriamo.
Il passo di partenza buono: abbiamo scoperto che i segnali sul + vengono
amplicati e non invertiti (sommati), quelli sul - amplicati e invertiti (sot-
tratti), ma non siamo riusciti ad attribuire ai due segnali il medesimo peso. Al
93
v
1
v
2
v
u
R
1
R
2
Figura 2.13: Circuito candidato al titolo di amplicatore dierenziale.
ne di fare ci, serve introdurre nel circuito alcuni elementi aggiuntivi, in modo
da aumentare i gradi di libert delle nostre equazioni e poter meglio regolare il
guadagno.
Come possiamo dunque fare per avere K
1
= K
2
? Dato che K
1
> K
2
, occorre
ridurre il guadagno di V
1
. Questo si pu fare mediante un partitore di tensione
sul morsetto non invertente, con una topologia come in gura 2.14.
Avremo, questa volta, utilizzando allormai solito modo la sovrapposizione
degli eetti, i seguenti contribuiti:
V
+
= V
1

R
4
R
3
+R
4
V
u
= V
1

R
4
R
3
+R
4
_
1 +
R
2
R
1
_

R
2
R
1
V
2
Per ottenere lo stesso K, necessario che i due coecienti di moltiplicazione
per i segnali di ingresso siano uguali, e dunque si abbia che:
R
4
R
3
+R
4
_
1 +
R
2
R
1
_
=
R
2
R
1

R
4
R
3
+R
4
=
R
2
R
1

R
1
R
1
+R
2
=
R
2
R
1
+R
2
Se leguaglianza vericata, allora lo anche per i reciproci:
R
4
+R
3
R
4
=
R
2
+R
1
R
2
1 +
R
3
R
4
= 1 +
R
1
R
2
Da qua:
R
1
R
2
=
R
3
R
4
94
v
1
v
2
v
u
R
1
R
2
R
3
R
4
Figura 2.14: Amplicatore dierenziale.
Abbiamo ora trovato la condizione tale per cui un amplicatore dieren-
ziale, e cio in grado di fare la sottrazione tra due segnali, senza attribuire
ad uno dei due segnali un peso, ossia unamplicazione in ingresso dierente.
Si sappia che, a causa dei parametri parassiti dellamplicatore operazionale, la
scelta ottimale delle resistenze :
_
R
1
= R
3
R
2
= R
4
A sua volta, lamplicatore dierenziale la madre di unampia famiglia
di amplicatori: gli amplicatori da strumentazione. Si noti che il problema base
dellamplicatore invertente non stato ancora risolto: questo amplicatore, co-
me si vedr in seguito, deve subire ancora evoluzioni, al ne di divenire un buon
amplicatore di tensione, a causa della propria bassa impedenza di ingresso.
Guadagno di modo comune
Una problematica molto importante di questo circuito la reiezione del modo
comune.
Introducendo un segnale di modo comune nellamplicatore dierenziale, os-
sia lo stesso segnale su entrambi i morsetti, da un buon amplicatore dieren-
ziale ci aspetteremmo che luscita sia nulla: la dierenza di un segnale con s
stesso, uguale a 0, segnale costantemente nullo.
Consideriamo il circuito di g. 2.15. Si vede che, a causa del segnale V
C
introdotto allingresso, si ha una corrente, sul resistore R
1
, pari a:
I
1
=
1
R
1
_
V
C

R
4
R
4
+R
3
V
C
_
= V
C
R
3
R
4
+R
3

1
R
1
La tensione di uscita, V
u
, sar:
95
v
C
R
1
R
2
R
3
R
4
v
u
Figura 2.15: Amplicatore dierenziale con ingresso di modo comune.
V
u
=
R
4
R
4
+R
3
V
C
I
2
R
2
Dove I
2
la corrente sul resistore R
2
; dal momento che nelloperazionale
non entra corrente (idealmente), e che abbiamo lespressione operativa di I
1
,
possiamo dire che I
2
= I
1
; quindi, sostituendo:
V
u
=
R
4
R
3
+R
4
V
C

R
2
R
1

R
3
R
3
+R
4
V
C
=
=
R
4
R
3
+R
4
_
1
R
2
R
1

R
3
R
4
_
V
C
Il guadagno di modo comune A
C
, ossia il guadagno dellamplicatore rispetto
alle componenti di modo comune, ossia alle componenti uguali dei due segnali,
:
A
C
=
V
u
V
C
=
_
R
4
R
3
+R
4
_

_
1
R
2
R
1

R
3
R
4
_
Continuando a rispettare la formula ottimizzata, ossia la condizione R
1
= R
3
e R
2
= R
4
, si ridurr al minimo (tendenzialmente e idealmente, a 0) il guadagno
di modo comune. Si noti per che le tolleranze delle resistenze rendono dicile
ottenere questa condizione in pratica.
2.3 Sommatore non invertente
Si pu realizzare la somma di due o pi segnali anche partendo dallo schema
dellamplicatore non invertente. Nel caso di tre segnali si ottiene il circuito di
gura 2.16.
Per analizzare il circuito, utilizziamo di nuovo la sovrapposizione degli eetti:
96
V
u
V
P1
V
P2
V
P3
R
f
R
N
R
P1
R
P2
R
P3
Figura 2.16: Sommatore non invertente.
V
u
|
VP
1
=
_
1 +
R
f
R
N
_

R
P2
//R
P3
R
P1
+R
P2
//R
P3
V
P1
Analoghi contributi derivano dagli altri ingressi.
Denendo R
P
come:
R
P
= R
P1
//R
P2
//R
P3
e chiamando A
N
il termine:
A
N
=
R
f
R
N
possiamo riscrivere lespressione del guadagno relativo al generatore V
P1
come:
V
u
|
VP
1
= (A
N
+ 1)
R
P
R
P1
V
P1
La funzione di trasferimento complessiva allora :
V
u
= (A
N
+ 1)
_
R
P
R
P1
V
P1
+
R
P
R
P2
V
P2
+
R
P
R
P3
V
P3
_
Diversamente dal sommatore invertente, in cui il guadagno di ogni ramo
risulta indipendente da quello degli altri, in questo caso variando una sola
resistenza si modica il guadagno di tutti i rami.
Quale procedura occorre seguire per progettare un sommatore non inverten-
te? Vediamo come dimensionare le resistenze, data una specica del tipo:
V
u
= K
P1
V
P1
+K
P2
V
P2
+K
P3
V
P3
Notiamo che:
K
P1
= (A
N
+ 1) R
P
/R
P1
K
P2
= (A
N
+ 1) R
P
/R
P2
K
P3
= (A
N
+ 1) R
P
/R
P3
97
Sommando membro a membro le tre equazioni si ricava:
A
N
+ 1 = K
P1
+K
P2
+K
P3
mentre dividendole a coppie si ottiene la relazione che deve esistere tra le
resistenze:
R
P3
R
P1
=
K
P1
K
P3
e
R
P2
R
P1
=
K
P1
K
P2
ovvia lestensione a sommatori con un numero qualunque di ingressi.
2.4 Sommatore generalizzato
Il circuito precedente pu assumere una forma ancor pi generale aggiungendo
ingressi sul lato invertente delloperazionale, come da gura 2.17.
V
u
V
N1
V
Nn
V
P1
V
Pp
R
f
R
N1
R
Nn
R
P1
R
Pp
Figura 2.17: Sommatore generalizzato.
Considerando un sistema con n ingressi sul lato invertente e p ingressi sul
lato non invertente, possibile ricavare le equazioni di funzionamento con la
sovrapposizione degli eetti.
Per quanto riguarda il guadagno riferito agli ingressi posti sul lato invertente
delloperazionale, si ha:
V
u
|
VN
i
=
R
f
R
Ni
V
Ni
mentre per gli ingressi posti sul lato non invertente ci si pu ricondurre al
caso visto nella sezione 2.3 considerando per R
N
:
R
N
= R
N1
//R
N2
// . . . //R
Nn
Complessivamente, lespressione della funzione di trasferimento sar:
98
V
u
= (A
N
+ 1)
p

j=1
R
P
R
Pj
V
Pj

n

i=1
R
f
R
Ni
V
Ni
Vediamo ora come progettare un sommatore generalizzato in cui siano dati
i guadagni per i diversi segnali:
V
u
=
p

j=1
K
Pj
V
Pj

n

i=1
K
Ni
V
Ni
Ci troviamo di fronte a un problema: con questo circuito non possibile
soddisfare tutti i vincoli imposti, in quanto manca un grado di libert. Vediamo
perch.
Si ha intanto che
R
f
R
Ni
= K
Ni
e si pu facilmente dimostrare che
A
N
=
R
f
R
N
=
n

i=1
K
Ni
ma, chiamando A
P
=

p
i=1
K
Pi
, dai conti eettuati nella sezione 2.3 sap-
piamo che
A
N
+ 1 = A
P
Come fare se le speciche ci impongono guadagni diversi?
La soluzione semplice. Se A
N
< A
P
1 vuol dire che dobbiamo aumentare
il guadagno invertente. Possiamo fare questo aggiungendo una resistenza R
Nx
tra morsetto invertente e 0V. come se aggiungessimo un ingresso dal lato
invertente, collegato a un generatore identicamente nullo. Il circuito funziona se
imponiamo
R
f
R
Nx
= K
Nx
= A
P
A
N
1
Se invece si ha A
N
> A
P
1 vuol dire che dobbiamo aumentare il guada-
gno non invertente. Possiamo fare questo aggiungendo una resistenza R
Px
tra
morsetto non invertente e 0V. come se aggiungessimo un ingresso dal lato non
invertente, collegato a un generatore identicamente nullo. Il circuito funziona se
imponiamo
R
P
R
Px
= K
Px
= A
N
1 A
P
Nonostante la semplicit formale di questa soluzione, anche il sommatore
generalizzato sore del fatto che i guadagni cui sono sottoposti i segnali som-
mati sul lato non invertente non sono indipendenti tra loro. Spesso si preferisce
ottenere il sommatore generalizzato come somma di due sommatori invertenti
in cascata.
99
2.5 Amplicatori da strumentazione
2.5.1 Introduzione
Ci siamo gi occupati della topologia circuitale chiamata con il nome di am-
plicatore dierenziale: un amplicatore in grado di realizzare la funzione di
trasferimento 2.1.
V
u
V
i
= K(V
1
V
2
) (2.1)
Questi amplicatori sono fondamentali per molte applicazioni elettroniche:
un esempio un ricevitore di linea, ossia un dispositivo che deve ricevere se-
gnali a partire da una connessione via cavo. Le interferenze elettromagnetiche
che insistono sul canale di trasmissione degradano il segnale, lutilizzo di un
ricevitore di tipo dierenziale serve ad eliminare tutte le componenti di modo
comune aggiunte dal cavo.
Quando si considerano le connessioni tra sistemi analogici distanti tra loro,
occorre valutare bene tutti i parametri in gioco, anche quelli che normalmente
si trascurano nel progetto di un circuito su singola scheda. Prima di analizza-
re le soluzioni circuitali per ottenere un amplicatore dierenziale migliore di
quello gi studiato, facciamo un inciso sulle problematiche introdotte nei sistemi
elettronici dalle connessioni, limitandoci alle basse frequenze.
2.5.2 Compatibilit elettromagnetica
In un generico sistema elettronico, come potrebbe essere ad esempio un sistema
di telecomunicazioni o lelettronica di bordo di unautomobile, ci sono diversi
sotto-sistemi (moduli) che comunicano tra di loro attraverso connessioni, even-
tualmente lunghe, sulle quali i vari segnali vengono trasmessi da una parte
allaltra del sistema.
Un punto rilevante il potenziale di riferimento (0 V), il quale il nodo
rispetto al quale sono misurate tutte le tensioni del sistema.
Oltre al potenziale di riferimento, un altro elemento di rilievo sono le cosid-
dette masse, ossia le scatole metalliche o le carcasse esterne al dispositivo. Spes-
so le masse non hanno specici scopi funzionali elettronici, tuttavia sono molto
importanti sotto il punto di vista della compatibilit elettromagnetica: infatti
esse potrebbero essere utilizzate come potenziale di riferimento se direttamente
collegate allo 0 V, oppure solo in certe condizioni, quali la radiofrequenza (col-
legando, mediante un condensatore, 0 V e massa in modo che il condensatore
le cortocircuiti a partire da una certa frequenza), ma potrebbero anche essere
completamente inutilizzate. Sicuramente importante considerare nel progetto
la presenza delle masse metalliche: in seguito a danni o altri motivi potrebbero
formarsi contatti tra elementi attivi del circuito e masse, rendendole di fatto ri-
levanti sotto il punto di vista della sicurezza elettrica. Per questo motivo spesso
le masse metalliche vengono collegate al potenziale di terra, che, a seconda dei
casi, o meno collegato al potenziale di riferimento.
In generale le masse, i li, e gli altri elementi circuitali di collegamento non
sono modellabili come cortocircuiti bens sono soggetti a diversi fenomeni di
non idealit assimilabili a resistenze, capacit e induttanze indesiderate. Ad
esempio, il telaio di unautomobile che si trovi in moto nei pressi di un traliccio
100
ad alta tensione potrebbe, a causa del campo elettromagnetico a bassa frequenza
generato dalla corrente che scorre nel traliccio, essere soggetto ad una corrente
di autoinduzione. Se il telaio viene usato come elemento di collegamento per
il potenziale di riferimento, allora nel circuito equivalente del sistema occorre
considerare delle tensioni di rumore V
N
modellabili come generatori di tensione.
Altre tensioni e correnti possono essere indotte sullo stesso telaio per eetto dei
diversi motori elettrici presenti sulla vettura o dei vari circuiti di potenza legati
allaccensione ed alle altre funzioni di bordo. Anche i telefonini o altre sorgenti
a radiofrequenza possono iniettare disturbi sul telaio.
Esistono degli accorgimenti in grado di eliminare o ridurre parte dei pro-
blemi di compatibilit elettromagnetica: lo studio del collegamento delle masse
rispetto ai potenziali di riferimento, i modi di ridurre i parametri parassiti, e al-
tri. Focalizziamoci su un problema specico: un sistema composto da un sensore
remoto, riferito al suo potenziale di riferimento locale, che deve essere letto da
un amplicatore posto su una centralina ad una certa distanza da esso. Il sen-
sore e la centralina hanno un potenziale di riferimento che solo nominalmente
comune poich, per quanto osservato sopra, ci sono disturbi che possono creare
tensioni di rumore tra il sistema e lamplicatore. Supponiamo che il compito
del sensore sia trasformare una grandezza sica in una tensione equivalente. La
tensione misurata dal sensore sar riferita al suo riferimento a 0 V. Se colle-
ghiamo luscita del sensore allingresso dellamplicatore con un semplice lo,
non solo la tensione che misuriamo la somma della tensione di uscita del sen-
sore e delle tensioni di rumore indotte sul potenziale di riferimento, ma il lo
di collegamento e il ritorno di massa formano una spira in grado di captare
ulteriori disturbi dallambiente elettromagnetico in cui il sistema immerso.
Una semplice soluzione al problema consiste nelleettuare una misura di
tipo dierenziale: il collegamento tra sensore e amplicatore viene eettuato
mediante due li, possibilmente schermati, ad esempio utilizzando un doppino
ritorto, in modo che lamplicatore esegua la dierenza tra i potenziali di uscita
e di riferimento del sensore. Ovviamente la tensione di modo comune non de-
ve inuenzare luscita dellamplicatore. cio importante che lamplicatore
abbia un elevato CMRR.
2.5.3 Amplicatori da strumentazione
Per i motivi espressi sopra (e anche per altre applicazioni) sono nati degli am-
plicatori dierenziali ad alte prestazioni. Questi amplicatori vanno sotto il
nome di amplicatore da strumentazione. Analizziamo come tale amplicatore
migliori le caratteristiche del semplice amplicatore dierenziale (g.2.18).
Come stato spiegato nel capitolo relativo a questo circuito, dal confronto
della funzione di trasferimento con la 2.1 si ottiene che per avere unampli-
cazione dierenziale pari a K, si deve imporre la 2.2, in cui la prima relazione
permette di avere guadagno K, mentre le altre due permettono di minimizzare
il contributo della corrente di polarizzazione dellingresso delloperazionale.
_
_
_
R
2
/R
1
= R
4
/R
3
= K
R
2
= R
4
R
1
= R
3
(2.2)
Ma quali problemi ha questo circuito? Il principale limpedenza di ingresso:
infatti limpedenza vista dal morsetto invertente pari a R
1
, mentre quella vista
101
V
1
R
3
R
4
V
2
R
1

+
R
2
V
u
Figura 2.18: Schema circuitale dellamplicatore dierenziale.
dal morsetto non invertente pari a R
3
+ R
4
. Le due impedenze dunque non
sono tendenti a innito ed inoltre sono diverse.
Il problema pi grave di quello che sembra a prima vista. Infatti R
1
ed R
3
non determinano solo limpedenza dingresso, ma anche il guadagno (o meglio i
guadagni) dello stadio.
Se i segnali di ingresso provengono da circuiti con impedenza duscita non
nulla, allora i guadagni dei due canali sono modicati dal valore dellimpdedenza
vista dagli ingressi. Chiamando R
eq1
la resistenza equivalente di Thevenin del
generatore V
1
e R
eq2
quella del generatore V
2
, i guadagni reali dei due canali
sono:
K
2
=
R
2
R
1
+R
eq2
K
1
=
_
1 +
R
2
R
1
+R
eq2
_

R
4
R
3
+R
4
+R
eq1
risulta evidente che entrambi i guadagni sono inferiori a quello di progetto ed
inoltre, se R
eq2
= R
eq1
, anche K
1
= K
2
. Questultima condizione la peggiore:
infatti in questo caso il guadagno di modo comune non pi nullo e quindi il
CMRR si abbassa.
Lo stesso eetto di riduzione del CMRR si ha a causa delle tolleranze delle
resistenze usate nella rete di reazione. Infatti le tolleranze delle resistenze posso-
no rendere diversi i guadagni dei due rami anche in presenza segnali dingresso
con impedenze equivalenti identiche.
Questultimo problema viene risolto integrando le quattro resistenze del dif-
ferenziale assieme alloperazionale ed eseguendo a posteriori una taratura laser
dei valori.
Per eliminare invece i problemi dovuti allimpedenza dingresso si possono
anteporre allamplicatore dei moduli svolgenti la funzione di buer, cio di-
saccoppiatori di impedenza come lo stadio voltage follower (g.2.19). I voltage
follower hanno altissima impedenza di ingresso e bassissima impedenza di uscita.
102
Regolazione del guadagno
Il circuito 2.19 un buon amplicatore dierenziale ma ha guadagno K sso.
Stante la necessit di integrare le resistenze per avere un buon CMRR, sarebbe
utile avere un circuito in cui il guadagno fosse programmabile cambiando una
sola resistenza, senza creare problemi al modo comune.
Per ottenere questo risultato possibile sostituire i voltage follower con de-
gli amplicatori non invertenti, in cui per le reti di reazione sono legate tra
loro introducendo una resistenza R tra i due ingressi invertenti degli stadi di
amplicazione (g. 2.20). Il circuito con questi ultimi accorgimenti funge da
amplicatore dierenziale con CMRR elevatissimo e guadagno K variabile con
estrema semplicit.
Se viene applicato un segnale di modo comune V
C
in ingresso al sistema,
cio sui terminali non invertenti dei due stadi di pre-amplicazione, si ottiene
che anche i terminali invertenti si trovano a V
C
perch gli a.o. si trovano in stato
di funzionamento lineare e quindi v
d
= 0.
La caduta di tensione sulla resistenza R di regolazione del guadagno in questo
caso nulla perch i suoi estremi sono allo stesso potenziale V
C
. Allora anche
la corrente circolante attraverso R conseguentemente nulla e come essa anche
quelle circolanti in R
a
e R
b
perch le tre resistenze sono sostanzialmente in serie
(non entrano correnti sensibili nei terminali di ingresso della.o.).
Dato che non vi caduta di tensione su R
a
ed R
b
, la V
C
si trova anche sullu-
scita degli amplicatori non invertenti che quindi in questo caso si comportano
come dei voltage follower. La reiezione di modo comune dipende perci dallam-
plicatore dierenziale nale, perch ai suoi ingressi si trovano esattamente le
stesse tensioni V
C
e cio lo stesso segnale di modo comune presente allingresso
del sistema.
Al contrario di V
C
, un segnale dierenziale v
d
= V
1
V
2
in ingresso al sistema
si trasmette ai capi della resistenza R (v
+
= v

) e causa in essa la circolazione

di una corrente I.
I =
V
1
V
2
R
Dal momento che negli operazionali non entra corrente, I scorre anche attra-
verso le resistenze R
a
e R
b
. La tensione dierenziale in ingresso allamplicatore
nale si pu ricavare da unequazione alla maglia passante per le R, R
a
e R
b
.
V
u1
V
u2
=
V
1
V
2
R
(R
a
+R +R
b
) (2.3)
Combinando le funzione di trasferimento dello stadio nale e lespressione
delluscita dierenziale dei preamplicatori 2.3, si trova il legame complessivo
che lega lingresso e luscita del sistema. Inoltre sono sempre considerate valide
le ipotesi di ottimizzazione delloset e CMRR 2.2.
R
2
R
1
=
R
4
R
3
V
u
= (V
u1
V
u2
)
R
2
R
1
=
R
a
+R +R
b
R

R
2
R
1
(V
1
V
2
)
A
d
=
R
a
+R +R
b
R

R
2
R
1
(2.4)
103

+
1
V
1
V
1
R
3
R
4

+
2
V
2
V
2
R
1

+
R
2
V
u
Figura 2.19: Schema dellalmplicatore che impiega dei voltage follower come
buer.

+
1
V
1
R
a
V
u1
R
3
R
4

+
2
V
2
R
b
V
u2
R
I
R
1

+
R
2
V
u
Figura 2.20: Un amplicatore da strumentazione.
104
Allora lamplicazione dierenziale del sistema A
d
(R) funzione di R e quin-
di facilmente regolabile. Tuttavia questa valida congurazione ulteriormente
migliorabile con lintroduzione di due ingressi ausiliari.
Amplicatore da strumentazione completo

+ V
1
R
a
R
3
R
4

+
V
2
R
b
R
R
1

+
R
2
V
u

+ REF
SENSE
Figura 2.21: Un amplicatore da strumentazione con laggiunta dei terminali
SENSE e REF.
Nellinstrumentation amplier di gura 2.21 sono stati aggiunti altri due
ingressi collegati a dei voltage follower: il terminale SENSE e quello REF. Gli
amplicatori da strumentazione integrati presenti in commercio dispongono nor-
malmente di un numero di ingressi che non si limita a quelli corrispondenti ai
terminali di alimentazione, ingresso, uscita e resistenza di regolazione. Nella sua
forma pi completa, dunque, un amplicatore da strumentazione si rappresenta
con il simbolo di gura 2.22.
Terminale di SENSE
Supponendo di dover applicare in serie a V
u
un semplice amplicatore per au-
mentare la potenza del segnale di uscita, possibile ridurre le distorsioni in-
trodotte da tale stadio inserendo il medesimo nella rete di reazione dellam-
plicatore da strumentazione, modicando il collegamento della resistenza R
2
dellamplicatore dierenziale (g. 2.23).
Se si collegasse luscita dellamplicatore da strumentazione allingresso dello
stadio di potenza mantenendo la retroazione del terzo op-amp (amplicatore dif-
105
R
V
1
V
2
SENSE
V
u
V
REF
Figura 2.22: Simbolo dellamplicatore da strumentazione.
inamp amp classe B
R
V
1
V
2
SENSE
V
u
V

u
Figura 2.23: Sistema di amplicazione composto da un amplicatore da stru-
mentazione e uno di potenza. Per ridurre le distorsioni si utilizza la retroazione
collegando il terminale di uscita di potenza con il SENSE dellin-amp.
ferenziale) collegata tra i suoi stessi terminali di uscita e invertente, le distorsioni
dellamplicatore di potenza si ritroverebbero sulluscita del sistema.
Se invece di collegare la resistenza di retroazione R
2
sulluscita V

u
la su col-
lega su V
u
(2.23, uscita dellamplicatore di potenza, si ottiene che concettual-
mente lamplicatore dierenziale e quello di potenza diventano un solo blocco
modellabile come un solo operazionale. Quindi lanalisi del modello risultante
(analogo a quello di un amplicatore dierenziale) descritto da unequazione
che lega direttamente le tensioni provenienti dagli stadi di preamplicazione e
luscita di sistema.
V
u
= K(V
1
V
2
)
Dal punto di vista pratico scompaiono le distorsioni, che vengono ridotte a
livelli impercettibili dalla retroazione.
Disaccoppiamento delle impedenze Se si collegassero direttamente me-
diante una resistenza luscita dello stadio di potenza e il terminale invertente
dellamplicatore dierenziale si otterrebbe la retroazione che stata descrit-
ta nel paragrafo precedente. Tuttavia eventuali resistenze parassite presenti nel
collegamento tra luscita dellamplicatore di potenza e R
2
sarebbero percorse
dalla corrente che scorre nella rete di reazione e varierebbero il guadagno K del
sistema.
106
Anche in questo caso conveniente impiegare un voltage follower che presenti
unimpedenza elevata dalla parte del carico, in modo da non permettere cadute
di tensione sui collegamenti esterni e fornire bassisima impedenza alla rete di
reazione.
Terminale REF
Lintroduzione del terminale REF consente di sommare una tensione costante
alluscita dellamplicatore da strumentazione, la quale pu essere estremamen-
te utile e vantaggiosa in unampia gamma di applicazioni. Consente di realizzare
una funzione di trasferimento lineare con la disponibilit di parametri di pro-
getto corrispondenti alla pendenza m e allintercetta q di una retta del tipo
y = mx +q dove si possono fare le seguenti corrispondenze.
y = V
u
la tensione di uscita dellin-amp.
x = V
1
V
2
la tensione dierenziale in ingresso.
m = A
d
(R) lamplicazione dierenziale, funzione della resistenza R.
q = V
REF
il valore delluscita quando x = 0.
semplice determinare il meccanismo secondo cui agisce la tensione di ri-
ferimento V
REF
studiando i contributi sulluscita con la sovrapposizione degli
eetti. Si tenga presente che sempre valida la relazione sulle resistenze che
massimizza il CMRR.
V
u
|
VREF
= V
REF

R
3
R
3
+R
4

_
1 +
R
2
R
1
_
R
1
+R
2
= R
3
+R
4
= V
u
|
VREF
= V
REF
Allora la transcaratteristica nale dellamplicatore da strumentazione :
V
u
=
R
2
R
1

R
a
+R +R
b
R
(V
1
V
2
) +V
REF
Considerazioni conclusive
Lamplicatore da strumentazione viene realizzato integrando gli operazionali e
le resistenze nello stesso package, lasciando raggiungibili dallesterno i terminali
di alimentazione, ingressi, uscite, resistenza R, riferimento e retroazione.
Inne il nome di amplicatore da strumentazione deriva dal fatto che trova
largo impiego in tutti i sistemi di misura o di amplicazione di segnali pro-
venienti da trasduttori che richiedano unelevata reiezione del rumore (o della
componente di segnale)di modo comune.
Un esempio di integrato di questo tipo lINA114, in-amp generico che pu
fornire un guadagno 1 < G < 10
4
volte, presenta CMRR = 115 dB @G = 1000.
La regolazione del guadagno semplicemente calcolabile dalla formula che
stata ricavata precedentemente (eq.2.4).
G = 1 +
50 k
R
107
2.5.4 Amplicatore a due operazionali
Esiste unaltra congurazione in grado di funzionare come amplicatore da stru-
mentazione, basata su due soli amplicatori operazionali. Vedremo che que-
sta congurazione ha prestazioni inferiori a quella presentata sopra, ma la sua
maggiore semplicit porta a sceglierla in diverse occasioni.
Lo schema iniziale visibile in gura 2.24 Ricaviamo quali sono le condizioni

+
V
2
R
4
R
3
V
REF
R
1
R
2
V
u1
V
1
V
u
Figura 2.24: Un amplicatore da strumentazione con due operazionali (schema
iniziale).
anch questa congurazione si comporti come un amplicatore dierenziale.
La transcaratteristica :
V
u
= V
1

_
1 +
R
2
R
1
_
V
2

_
1 +
R
4
R
3
_

R
2
R
1
+V
REF

R
4
R
3

R
2
R
1
Per avere un amplicatore dierenziale i guadagni relativi ai due segnali V
1
e V
2
devono essere identici, cio:
1 +
R
2
R
1
=
R
2
R
1
+
R
4
R
3

R
2
R
1
La scelta normale consiste in:
R
4
= R
1
, R
3
= R
2
Che porta inne a:
V
u
= (V
1
V
2
)
_
1 +
R
2
R
1
_
+V
REF
Compariamo questo schema con quello ricavato per lamplicatore con tre ope-
razionali:
entrambi gli schemi orono impedenza molto elevata su entrambi gli in-
gressi;
ad entrambi possibile sommare una tensione di riferimento V
REF
per
traslare luscita e questa tensione riportata in uscita con guadagno
unitario;
in questo schema non si pu variare il guadagno dierenziale agendo su
una sola resistenza.
108

+
V
2
R
4
R
3
V
REF
R
1
R
2
V
u1
V
1
V
u
R
5
I
Figura 2.25: Un amplicatore da strumentazione con due operazionali (schema
nale).
Possiamo facilmente modicare il circuito in modo da risolvere anche lultimo
punto.
Nello schema di g. 2.25 stata aggiunta la resistenza R
5
. Valutiamone gli
eetti. I due capi della resistenza si trovano rispettivamente a tensione V
1
e V
2
.
Dunque la corrente che scorre in R
5
vale I = (V
1
V
2
)/R
5
. I due nodi tra cui
scorre la corrente si trovano a massa virtuale. Per tenere conto in modo semplice
di questa corrente aggiuntiva possiamo ragionare su un circuito equivalente a
quello dato, visibile in g. 2.26, in cui nei due nodi a massa virtuale entra la
stessa corrente I trovata sopra.

+
V
2
R
1
R
2
V
REF
R
1
R
2
V
u1
V
1
V
u
R
5
(V
1
V
2
) (V
2
V
1
)
R
5
Figura 2.26: Circuito equivalente dellamplicatore da strumentazione con due
operazionali.
Possiamo ulteriormente semplicare i conti osservando che, essendo R
5
in-
uente solo sul modo dierenziale, le condizioni trovate sopra per le altre resi-
stenze continuano ad essere valide, quindi la transcaratteristica diventa:
V
u
= (V
1
V
2
)
_
1 +
R
2
R
1
_
+ (V
1
V
2
)
R
2
R
1
R
1
R
5
(V
2
V
1
)
R
2
R
5
+V
REF
Con le opportune semplicazioni si ottiene inne:
V
u
= (V
1
V
2
)
_
1 +
R
2
R
1
+ 2
R
2
R
5
_
+V
REF
109
In conclusione, anche questo circuito permette di modicare il guadagno dif-
ferenziale agendo su una sola resistenza. La limitazione pi grossa di questo
sistema risiede nel comportamento in frequenza: i due segnali di ingresso so-
no applicati in punti del circuito che presentano un cammino elettrico diverso
rispetto alluscita. Infatti il segnale V
2
viene elaborato da due amplicatori ope-
razionali, mentre V
1
viene applicato al secondo e confrontato con luscita del
primo. Questo causa dei problemi in alta frequenza, quando lo sfasamento ope-
rato dal primo operazionale rispetto al comportamento in continua non pi
trascurabile. Questa soluzione utilizzata solo per segnali a bassa frequenza.
2.6 Amplicatori audio
Tutti gli utilizzi studiati nora dellamplicatore operazionale (tranne il deriva-
tore) prevedono che la banda passante del circuito comprenda la continua.
Esistono per molte applicazioni in cui non richiesto amplicare la conti-
nua, anzi opportuno eliminare la componente continua del segnale dingresso,
che potrebbe causare limitazioni nella dinamica di ingresso/uscita del circuito.
In generale si chiamano amplicatori audio quei circuiti che lavorano su una
banda di frequenze che non include la continua ma non cos ampia da essere
classicata radiofrequenza. La banda audio nominale comprende le frequenze
tra 20 Hz e 20 kHz, se si intende riprodurre musica ad alta fedelt, da 300 Hz a
3200 Hz se si vuole gestire un segnale telefonico, ma le tecniche e gli schemi pos-
sono essere utilizzati anche per segnali a frequenza pi alta o pi bassa rispetto
a questi limiti, con i dovuti aggiustamenti delle costanti di tempo.
Leliminazione della continua si ottiene come gi fatto in corsi precedenti
per i circuiti amplicatori a singolo transistor, ma occorre prestare attenzio-
ne ad alcune regole base, che verranno illustrate nel seguito lavorando su un
amplicatore non invertente per banda audio.
V
i
C
3
R
3
C
1
R
1

+
R
2
V
u
C
2
Figura 2.27: Schema circuitale dellamplicatore audio.
110
Lo schema del circuito riportato in g. 2.27. Rispetto allanalogo circuito
che amplica anche la continua sono stati aggiunti tre condensatori ed impor-
tante notare la presenza della resistenza R
3
. Analizziamo la funzione di ciascuno
di questi componenti, partendo dallingresso.
Sul terminale dingresso sono presenti R
3
e C
3
. La funzione del condensa-
tore ovvia: serve ad eliminare una possibile componente continua dal segnale
dingresso. Per quanto riguarda R
3
, il suo inserimento necessario. Infatti ri-
cordiamo che negli ingressi dellamplicatore operazionale deve poter scorrere la
corrente di polarizzazione, quindi necessario un percorso in continua per tale
corrente verso lalimentazione. I due componenti introducono inoltre uno zero
nellorigine e un polo a bassa frequenza, utile per denire il limite inferiore della
banda passante del sistema.
Il condensatore C
1
stato inserito per disaccoppiare il comportamento in
frequenza dellampicatore dal comportamento in continua. Infatti in continua
C
1
un circuito aperto e il guadagno dellamplicatore unitario. Ma perch ci
interessa il guadagno dellamplicatore per la continua, se abbiamo la appena
eliminata tramite il condensatore C
3
? La risposta di nuovo relativa ai para-
metri parassiti dellamplicatore operazionale: la tensione di oset di ingresso
V
off
si ritrova in uscita amplicata di un fattore pari al guadagno in continua
dellamplicatore, che in questo modo minimizzato. Sempre per gli oset, il
valore ottimale di R
3
sar R
3
= R
2
in quanto R
1
in continua non fa parte della
rete di reazione. C
1
, R
1
e R
2
introducono una coppia zero-polo nella funzione di
trasferimento ed bene che la frequenza del polo sia almeno una decade sotto
il limite inferiore della banda passante, determinato da R
3
e C
3
.
Il condensatore C
2
inne interviene ad alta frequenza introducendo un polo
che limita la banda dellamplicatore. Anche questo polo si aggiunge per mi-
gliorare le caratteristiche del sistema, questa volta relativamente al rumore. Se
la banda passante dellamplicatore risultasse superiore al necessario, il sistema
amplicherebbe anche eventuali componenti di rumore fuori banda, che potreb-
bero nuocere agli stadi successivi. C
2
inserisce anche uno zero a frequenza pi
alta del polo. Quando C
2
si comporta come un cortocircuito, lamplicatore ha
guadagno unitario.
Esempio 3. Si dimensioni un amplicatore audio non invertente che risponda
alle seguenti speciche:
banda passante a 3 dB: da 20 Hz a 20 kHz;
guadagno a centro banda: 10 10%;
utilizzo di componenti normalizzati della serie E12;
amplicatore operazionale: LM741;
impedenza di ingresso: 100 10 k;
tensione di alimentazione: 15 V.
Le speciche di progetto in banda passante sono simili a quelle di un ampli-
catore non invertente standard. La psecica sullimpedenza dingresso ssa il
valore di R
3
a 100 k. Poich per gli oset la resistenza R
1
non conta, R
2
= R
3
.
111
A questo punto possiamo ssare il guadagno denendo R
1
e quindi assegnare
alle resistenze i seguenti valori:
_
_
_
R
2
= 100 k
R
1
= 10 k
R
3
= 100 k
Con questa selezione il guadagno nominale in banda vale 11, comunque allin-
terno delle speciche.
Occorre ora assegnare un valore ai condensatori. Poich C
2
sar dimensio-
nato per intervenire a frequenze molto pi alte di C
3
e C
1
, possiamo consi-
derare separatamente i suoi eetti, sostituendo gli altri condensatori con dei
cortocircuiti.
La funzione di trasferimento in alta frequenza ha la seguente espressione:
V
u
V
i
=
R
1
+R
2
R
1

s(R
1
//R
2
)C
2
+ 1
sR
2
C
2
+ 1
da cui la frequenza del polo :
f
p2
=
1
2R
2
C
2
= C
2
=
1
2 20 kHz 100 k
= 80 pF
Si pu scegliere il valore normalizzato C
2
= 68 pF.
Occorre ora dimensionare i due condensatori responsabili del comportamento
in bassa frequenza. Essi non si inuenzano a vicenda, nel senso che le frequenze
dei due poli sono indipendenti, ma i loro eetti si sommano sulla funzione di tra-
sferimento. Consideriamo dapprima C
1
, valutando la funzione di trasferimento
che si avrebbe se C
3
non fosse presente e lingresso fosse collegato direttamente
al morsetto non invertente delloperazionale.
In questo caso la funzione di trasferimento sarebbe:
V
u
V
+
=
s(R
1
+R
2
)C
1
+ 1
sR
1
C
1
+ 1
Dunque la frequenza del polo introdotto da C
1
vale:
f
p1
=
1
2R
1
C
1
Per quanto riguarda C
3
, possiamo trascurare il carico sul partitore dovuto
allingresso delloperazionale in quanto la resistenza di ingresso dellamplicatore
estremamente elevata. Dunque la tensione sullingresso non invertente sar
semplicemente:
V
+
V
i
=
sR
3
C
3
sR
3
C
3
+ 1
di conseguenza il polo introdotto da C
3
vale:
f
p3
=
1
2R
3
C
3
Ora dobbiamo decidere quale polo piazzare al limite inferiore della banda
passante dellamplicatore: laltro polo sar posizionato una decade pi sotto
in modo da non aumentare la pendenza della caratteristica intorno al limite
112
inferiore della banda e quindi non alterare il valore della frequenza a 3 dB.
Dato che la resistenza R
3
pi grossa di R
1
, conviene assegnarla al polo a
frequenza pi bassa, in modo da ridurre il valore del condensatore associato.
Possiamo quindi scrivere:
C
1
=
1
2 20 Hz 10 k
= 800 nF
C
3
=
1
2 2 Hz 100 k
= 800 nF
Quindi C
1
e C
3
saranno due condensatori uguali di valore normalizzato pari
a 820 nF.
A questo punto possiamo ricalcolare le frequenze dei poli con i valori nor-
malizzati dei condensatori, aggiungere le frequenze degli zeri e disegnare il
diagramma di Bode della funzione di trasferimento:
f
z1
= 1.8 Hz; f
p3
= 1.9 Hz; f
p1
= 19 Hz; f
p2
= 23 kHz; f
z2
= 260 kHz.

Vu
Vi

f
10 Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz 100 kHz
f
z2
f
p2
f
p1
f
p3
f
z1
0 dB
20.8 dB
Figura 2.28: Diagramma di Bode del modulo della funzione di trasferimento
dellamplicatore audio.
Il modulo della funzione di trasferimento riportato in g. 2.28.
2.7 Circuiti ad alimentazione singola
Finora lamplicatore operazionale stato alimentato con tensioni simmetriche,
ossia con una tensione V
AL
e la sua opposta V
AL
, ma a meno di particolari
applicazioni che richiedano questa soluzione, spesso i sistemi vengono alimen-
tati soltanto con una tensione mentre il secondo morsetto viene collegato al
potenziale di riferimento.
113
I circuiti descritti precedentemente possono essere alimentati con una singola
tensione, al costo di ridurre la loro dinamica di ingresso: ad esempio utilizzando
V
AL
= 15 V invece della coppia di alimentazioni V
AL
= 15 V, loperazionale
pu funzionare comunque, ma dal momento che la dinamica di alimentazione
dimezzata (si perdono tutte le tensioni negative), anche quella di ingresso
subisce almeno un dimezzamento.
Se vengono perse le tensioni di alimentazione negative rispetto agli 0 V di
riferimento, neanche il segnale di uscita pu pi assumere valori al di sotto
dello zero. Tuttavia il funzionamento corrispondente a segnali positivi non varia
sensibilmente, purch siano appunto rispettate le dinamiche di ingresso e uscita.
Il circuito pu accettare segnali negativi in ingresso in due casi:
se la banda passante non prevede la continua, allora si pu disaccoppiare il
segnale dingresso tramite un condensatore e polarizzare opportunamente
lo stadio;
nel caso di amplicatore invertente, possibile applicare segnali di in-
gresso negativi eventualmente aggiungendo dei circuiti di protezione che
intervengano in caso di mancanza di alimentazione.
Nel seguito esamineremo due esempi di circuiti con alimentazione singola.
Esempio 4. Si progetti un amplicatore che risponda alle speciche seguenti:
Dinamica segnale di ingresso: 1 V2 V;
Tensione duscita V
u
= 0.5 V quando V
i
= 1 V;
Tensione duscita V
u
= 4.5 V quando V
i
= 2 V;
V
AL
= 5 V, V
AL
= 0 V;
Amplicatore operazionale rail-to-rail tipo LMH6645;
Si scelgano per le resistenze valori normalizzati nella serie E96.
Il primo passo consiste nel determinare gracamente la transcaratteristica del
circuito, la quale un segmento di retta dato che landamento lineare (gura
2.29).
Lespressione della retta su cui giace il segmento della caratteristica si ricava
dalle coordinate di due punti che vi appartengono.
V
u
= 4(V
i
0.875 V) = 4V
i
3.5 V
Al ne di realizzare la tensione di riferimento costante di 3.5 V, si collega
sullingresso invertente un segnale derivato dallalimentazione che eettua una
traslazione della caratteristica (g.2.30).
V
AL
collegata al morsetto di alimentazione dellintegrato ma anche allin-
gresso invertente dellamplicatore operazionale tramite R
4
. In questo modo la
transcaratteristica pu essere determinata con la sovrapposizione degli eetti.
V
u
= V
i
_
1 +
R
2
R
1
//R
4
_
V
AL

R
2
R
4
Il rapporto R
2
/R
4
si impone considerando che:
114
V
u
V
i
1 V 2 V 3 V
1 V
2 V
3 V
4 V
Figura 2.29: Transcaratteristica circuitale dalle speciche dellesempio 4.

+ V
i
R
3
R
1
V
AL
R
4
R
2
V
u
Figura 2.30: Circuito dellamplicatore dellesempio 4.
V
AL

R
2
R
4
= 3.5 V =
R
2
R
4
=
3.5 V
5 V
= 0.7
Laltra condizione :
1 +
R
2
R
1
//R
4
= 4
Per il dimensionamento delle resistenze possiamo notare che la tensione di
oset tipica delloperazionale vale 1 mV, mentre la corrente di oset tipica di
1 nA. Dunque
R
2
<<
A
V
V
off
I
off
=
4 1 mV
1 nA
= 4 M
Fissiamo allora R
2
= 100 k. Questo porta a R
4
= 143 k (valore che com-
pare nella serie E96). Sostituendo i valori trovati nellespressione contente R
1
si ottiene R
1
= 43.5 k. Il valore normalizzato pi vicino nella serie E96
R
1
= 43.2 k. Rimane da calcolare R
3
che pari al parallelo delle altre tre
resistenze. Il calcolo porta a R
3
= 24.9 k, che esiste nella serie E96.
Esempio 5. Si realizzi un amplicatore invertente per un segnale in banda audio
(da 20 Hz a 20 kHz) con A
V
= 1010% e V
AL
= 5 V. Si utilizzi un amplicatore
operazionale LM324 e resistenze normalizzate della serie E12.
115
R
3
R
4
R
1
R
2
V
u
V
i
V
AL
C
1
C
2
C
3
Figura 2.31: Amplicatore corrispondente allesempio 5.
Lo schema di riferimento riportato in g. 2.31. I due condensatori C
1
e
C
2
limitano la banda passante rispettivamente per basse ed alte frequenze. Le
resistenze R
3
e R
4
forniscono la polarizzazione al segnale per massimizzare la di-
namica duscita. Il condensatore C
3
serve a ridurre il rumore iniettato sul segnale
dalla tensione di alimentazione collegata allingresso non invertente tramite R
3
.
Per prima cosa occorre valutare la dinamica di ingresso e di uscita dellam-
plicatore operazionale. Nel caso dellLM324 alimentato a 5 V la dinamica di
ingresso di modo comune il campo 0 V3.5 V. La dinamica duscita ha valori
simili, ma, come sempre, dipende dal carico.
La rete di polarizzazione formata da R
3
e R
4
determina il valor medio del
segnale duscita. Si noti che per la continua il guadagno dellamplicatore vi-
sto dal morsetto non invertente vale A
DC
= 1, quindi la tensione presente sul
morsetto non invertente si ritrover anche alluscita dellamplicatore. Dato che
la dinamica duscita e di ingresso sono praticamente coincidenti, ha senso de-
nire come valor medio di uscita la met della dinamica, cio 1.75 V. Allora
lequazione che denisce il rapporto tra le due resistenze vale:
V
AL

R
4
R
3
+R
4
= 1.75 V
Da cui R
3
/R
4
= 1.86. Per minimizzare gli oset il parallelo di queste resistenze
deve essere pari alla resistenza vista dal morsetto invertente in continua. Da-
to che il condensatore C
1
esclude in continua il contributo di R
1
, si ha che
R
3
//R
4
= R
2
.
Il guadagno in banda vale A
V
= R
2
/R
1
. Per dimensionare R
2
si possono
fare le solite considerazioni sugli oset, vericando dal data sheet i parame-
116
tri parassiti dellamplicatore: la tensione di oset tipica delloperazionale vale
2 mV, mentre la corrente di oset tipica di 5 nA.
R
2
<<
A
DC
V
off
I
off
=
1 2 mV
5 nA
= 400 k
Possiamo scegliere allora R
2
= 39 k. Questa condizione produce R
4
=
60 k. La resistenza della serie E12 pi vicina R
4
= 56 k. Allora R
3
= 56 k
1.86 = 104 k che viene normalizzata a R
3
= 100 k. Rimane da dimensionare la
resistenza R
1
, che per denisce il guadagno in banda e quindi vale R
1
= 3.9 k.
A questo punto si possono ricavare i valori dei condensatori. Essendo le
due costanti di tempo separate da pi di una decade possibile considerarli
separatamente. Di fatto abbiamo gi calcolato i contributi dei condensatori in
circuiti analoghi, nella sezione 2.1.1 per C
2
e in 2.1.2 per C
1
. I due poli sono
quindi piazzati in:
f
p2
=
1
2R
2
C
2
= C
2
=
1
239 k 20 kHz
= 204 pF
f
p1
=
1
2R
1
C
1
= C
1
=
1
23.9 k 20 Hz
= 2.04 F
I valori normalizzati pi vicini sono C
2
= 180 pF e C
1
= 2.2 F (si sceglie il
valore normalizzato in modo da garantire che la banda passante non sia mai pi
piccola delle speciche).
Rimane da dimensionare C
3
. Questo condensatore non a priori necessario,
ma molto utile per evitare di iniettare sul segnale del rumore proveniente
dalla tensione di alimentazione. In eetti V
AL
non distinguibile da un segnale
applicato sul morsetto non invertente delloperazionale, il quale viene amplicato
di un fattore pari a:
A
VAL
=
1.75
5
(1 +A
V
) = 3.85
A seconda dellalimentatore utilizzato e dei disturbi iniettati sullalimentazione
dai vari carichi collegati, si possono avere diversi tipi di rumore. Il pi impor-
tante per la banda trattata dal nostro amplicatore quasi sempre un residuo
di ondulazione (ripple) a frequenza doppia rispetto a quella della rete di di-
stribuzione dellenergia elettrica. Questo ripple pu anche raggiungere qualche
decina di millivolt e rappresentare dunque un disturbo molto importante. Si pu
agevolmente trovare che la frequenza del polo vale:
f
p3
=
1
2(R
3
//R
4
)C
3
Possiamo imporre f
p3
= 2.5 Hz. In questo modo un eventuale rumore a 100 Hz
sullalimentazione sar riportato in uscita attenuato di circa 20 dB nonostante
lamplicazione che abbiamo considerato sopra. Facendo i conti si ottiene C
3
=
51 F. Il valore normalizzato pi prossimo C
3
= 47 F. Si pu utilizzare un
condensatore elettrolitico, in quanto la tensione ai capi ha sempre lo stesso
segno.
117
Capitolo 3
Filtri attivi
Indice
3.1 Filtri del primo ordine . . . . . . . . . . . . . . . . 120
3.1.1 Integratore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
3.1.2 Passa-basso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3.1.3 Derivatore e passa-alto . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
3.1.4 Passa-banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
3.1.5 Rotatore di fase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
3.2 Filtri del II ordine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
3.2.1 Passa-basso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
3.2.2 Passa-alto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
3.2.3 Passa-banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
3.2.4 Elimina-banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
3.2.5 Passa tutto o giratore . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
3.3 Circuiti per ltri del II ordine . . . . . . . . . . . . 132
3.3.1 Celle a guadagno nito . . . . . . . . . . . . . . . . 133
3.3.2 Celle a guadagno innito . . . . . . . . . . . . . . . 139
3.3.3 Celle basate su amplicatori operazionali multipli . . 142
3.4 Filtri di ordine superiore al II . . . . . . . . . . . . 146
3.4.1 Maschera di progetto . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
3.4.2 Risposte standard . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
3.4.3 Progetto di un ltro passa basso . . . . . . . . . . . 148
3.4.4 Circuito di simulazione di uninduttanza . . . . . . . 149
3.4.5 Dati per il progetto di ltri passa-basso . . . . . . . 151
3.5 Filtri a capacit commutate . . . . . . . . . . . . . 158
3.5.1 Principio di funzionamento . . . . . . . . . . . . . . 158
3.5.2 Integratore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
3.5.3 Limiti di frequenza di clock . . . . . . . . . . . . . . 162
3.5.4 Eetti delle capacit parassite . . . . . . . . . . . . 163
3.5.5 Integratori stray insensitive . . . . . . . . . . . . . . 164
3.5.6 Comportamento in frequenza . . . . . . . . . . . . . 165
3.5.7 Filtro del secondo ordine con cella biquadratica . . . 167
3.5.8 Approfondimenti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
U
n filtro un qualunque doppio bipolo (sistema con una porta di ingresso
ed una di uscita) la cui funzione di trasferimento non indipendente dalla
frequenza. I ltri hanno applicazioni innumerevoli in elettronica e nei sistemi di
118
telecomunicazioni. La realizzazione di ltri pu essere eettuata con molte tecni-
che diverse, a seconda del campo di frequenza ed in generale delle caratteristiche
e speciche del sistema di cui il ltro deve fare parte. Le tecniche di realizza-
zione possono prevedere luso di soli componenti passivi, oppure di componenti
attivi e passivi, di sistemi campionati, di sistemi numerici. In questo capitolo
ci si limita allo studio dei ltri attivi, cio dei ltri costituiti da componenti
passivi (resistenze e condensatori) e da amplicatori operazionali. Rispetto ai
ltri che impiegano solo componenti passivi, i ltri attivi hanno il sostanziale
vantaggio di non richiedere luso di induttanze, che sono, tra i componenti pas-
sivi, quelli pi problematici da realizzare, soprattutto per applicazioni in bassa
frequenza, in quanto dicilmente miniaturizzabili, imprecise, pesanti e gravate
da molti parametri parassiti. Tali componenti nei ltri attivi sono sostituiti da
amplicatori operazionali (componenti attivi quasi ideali). A bassa frequenza
le induttanze trovano ormai impiego solo quando necessario ltrare segnali
ad alta potenza. possibile progettare ltri che approssimino, con una data
tolleranza, qualunque funzione di trasferimento sicamente realizzabile. Le tec-
niche di progettazione risultano per di complessit non arontabile in un corso
generale di elettronica applicata. Inoltre esistono ormai sistemi di CAD per la
progettazione di ltri che rendono obsolete le tecniche di progettazione classiche
per ltri generici. Ci si limiter di conseguenza allo studio dei soli ltri notevoli:
passa basso, passa alto, passa banda, elimina banda e giratori (o passatutto,
che cambiano solo la fase). Per ognuno di questi ltri esiste una funzione di
trasferimento ideale, detta funzione a gradino, riportata, per i primi quattro
tipi elencati, in gura 3.1. Ogni ltro notevole denisce un campo di frequenze
in cui il segnale di ingresso passa inalterato attraverso il ltro ed un campo di
frequenze per cui il ltro non trasmette il segnale in uscita. Tali campi sono
denominati rispettivamente banda passante e banda attenuata del ltro.
Figura 3.1: Funzione di trasferimento ideale dei ltri notevoli
119
Funzioni di trasferimento del tipo riportato in gura 3.1 non sono sica-
mente realizzabili, occorre dunque eettuare delle approssimazioni in modo da
esprimere tali funzioni nella forma:
H(s) =
N(s)
D(s)
In questa formula, N(s) e D(s) sono dei polinomi in s. Lapprossimazione tanto
migliore quanto pi elevato il grado del denominatore, che denisce lordine del
ltro. Un rapporto tra polinomi pu essere scomposto nel prodotto di rapporti
tra polinomi in cui il grado del denominatore del primo o del secondo ordine.
N(s)
D(s)
=
N

(s)
D

(s)

N

(s)
D

(s)
...
N
(n)
(s)
D
(n)
(s)
Questo permette di scomporre la funzione di trasferimento da realizzare nel
prodotto di pi funzioni di trasferimento del primo o del secondo ordine, proget-
tando quindi il ltro come una serie di ltri pi semplici in cascata. Si studie-
ranno dunque dapprima i ltri del primo ordine, poi quelli del secondo ordine
ed inne le tecniche che permettono di progettare ltri di ordine superiore.
3.1 Filtri del primo ordine
I ltri attivi del primo ordine possono essere realizzati a partire dalla genera-
lizzazione dello stadio amplicatore invertente ad amplicatore operazionale.
Abbiamo gi studiato questa congurazione nel capitolo precedente (in realt
abbiamo gi studiato, senza chiamarli cos, quasi tutti i ltri del primo ordine).
Figura 3.2: Amplicatore invertente
Si consideri il circuito riportato in gura 3.2, in cui Z
1
e Z
2
sono impedenze
qualsiasi. La funzione di trasferimento analoga a quella con rete di reazione
resistiva, si ha cio :
V
u
= V
e
Z
2
Z
1
A seconda di quali componenti si sostituiscono a Z
2
e Z
1
, si ottengono diverse
funzioni ltranti del primo ordine.
120
Figura 3.3: Integratore invertente
3.1.1 Integratore
Se si sostituisce a z
2
un condensatore e a z
1
una resistenza si ottiene il circuito
di gura 3.3
Abbiamo gi detto molte cose relativamente a questo circuito, ribadiamo qui
la sua funzione di trasferimento nellottica dei ltri.
V
u
V
e
=
1
sRC
antitrasformando si ottiene:
V
u
= V
u
(0)
_
t
0
v
e
(t)
RC
dt = V
u
(0)
1
RC
_
t
0
v
e
(t)dt
Supponendo di usare un operazionale ideale, il diagramma di Bode ri-
portato in gura 3.4. La funzione di trasferimento pu essere scritta in forma
normalizzata come
H(jf) =
1
j(
f
f0
)
dove f
0
= 1/(2RC) la frequenza per cui il guadagno dellintegratore
unitario.
Figura 3.4: Diagramma di Bode dellintegratore invertente
Questa lapprossimazione pi grossolana possibile di un ltro passa basso:
eettivamente le frequenze basse vengono amplicate di pi delle frequenze alte,
ma non esiste un campo di frequenze in cui lamplicazione sia costante. Dal
punto di vista applicativo bisogna poi riferirsi a quanto studiato nel capitolo
precedente sulla stabilit e sulla banda passante del circuito.
121
3.1.2 Passa-basso
Lintegratore, pur avendo un comportamento di tipo passa-basso, ha dei gravi
limiti di utilizzo dato il comportamento in continua e la mancanza della zo-
na piatta (banda passante) presente nella funzione di trasferimento ideale. Si
pu cercare allora di migliorare le prestazioni in bassa frequenza del circuito.
La modica pi semplice consiste nellaggiungere una resistenza in parallelo al
condensatore C, ottenendo il circuito di gura 3.5.
Figura 3.5: Filtro passa-basso del I ordine
Si pu ricavare la funzione di trasferimento di questo circuito lavorando nel
campo delle trasformate di Laplace:
Z
2
=
R
2
1 +sR
2
C
V
u
V
e
=
R
2
R
1
1
1 +sR
2
C
Questa funzione di trasferimento pu essere ricondotta ad un formato stan-
dard (anche detto forma canonica), relativo ad un ltro con guadagno unitario
in banda passante e con frequenza di taglio unitaria, modicando opportuna-
mente lespressione per tenere conto di guadagno reale e frequenza di taglio
reale. Il diagramma di Bode della funzione di trasferimento standard di un ltro
passa basso del primo ordine riportato in gura 3.6
|H|
dB
0
-10
-20
0.1 1 10 f/f
0
H
0.1 1 10
0
-22.5
-45
-90
f/f
0
-67.5
0.01 100
Figura 3.6: Funzione di trasferimento standard di un ltro passa basso del primo
ordine
122
La generica H(jf) quindi:
H(jf) = H
0
1
1 +j
f
f0
dove H
0
la funzione di trasferimento in continua o guadagno in continua
mentre f
0
la frequenza di taglio, denita come la frequenza per cui il guadagno
del ltro di 3 dB inferiore rispetto a quello in continua. Nel nostro caso ci si
pu ricondurre allespressione canonica ponendo
f
0
=
1
2R
2
C
e H
0
=
R
2
R
1
Di conseguenza, sostituendo nel circuito base di gura 3.2 a Z
2
un condensa-
tore con in parallelo una resistenza e a Z
1
una resistenza, si ottiene una funzione
di trasferimento di tipo passa basso di cui possibile controllare facilmente i
parametri dimensionando opportunamente i componenti. Nel ltro passa basso
del primo ordine si hanno due parametri su cui giocare: H
0
e f
0
.
3.1.3 Derivatore e passa-alto
Si consideri nuovamente il circuito dellintegratore e si scambino tra loro resi-
stenza e condensatore. Si ottiene il circuito di gura 3.7.
Figura 3.7: Derivatore invertente
In questo caso, la funzione di trasferimento diventa
V
u
V
e
= sRC , v
u
(t) = RC
dv
e
(t)
dt
Questo circuito quindi un derivatore invertente, che rappresenta la forma
pi semplice di ltro passa-alto. Anche questo circuito gi stato studiato nel
capitolo sulle applicazioni, dova abbiamo evidenziato i problemi di stabilit.
Per ottenere un ltro passa-alto stabile si deve diminuire il guadagno alle
alte frequenze cio si deve fare in modo che alle alte frequenze non ci sia un
corto circuito tra V
e
e lingresso invertente. Se allora si inserisce una resistenza
in serie a C si ottiene il circuito riportato in gura 3.8. Per questo nuovo circuito
la funzione di trasferimento vale:
Z
1
=
sR
1
C + 1
sC
,
V
u
V
e
=
sR
2
C
sR
1
C + 1
123
Figura 3.8: Filtro passa-alto del I ordine
Si nota uno zero nellorigine e un polo a frequenza 1/(2R
1
C). La funzione
di trasferimento dunque riconducibile a quella di un ltro passa-alto del primo
ordine.
Il diagramma di Bode della funzione di trasferimento standard passa-alto
del primo ordine riportato in gura 3.9. La sua forma canonica la seguente:
H(jf) = H
0
j
f
f0
1 +j
f
f0
dB
0
-10
-20
0.1 1 10
|H|
f/f
0
H
0.1 1 10
0
22.5
45
90
f/f
0
67.5
0.01 100
Figura 3.9: Funzione di trasferimento standard di un ltro passa-alto del I ordine
Confrontando questa espressione con la funzione di trasferimento ottenuta
sopra, si ricava che f
0
= 1/(2R
1
C) e H
0
= R
2
/R
1
.
3.1.4 Passa-banda
possibile mescolare le due funzioni di trasferimento gi viste per ottenere
un comportamento di tipo passa-banda. Questa congurazione riportata in
gura 3.10. Si ottiene cos un sistema che formalmente del secondo ordine ma
costituito da due sistemi del primo ordine concatenati, in quanto il denominatore
della funzione di trasferimento ha due radici reali, al pi coincidenti.
La funzione di trasferimento del ltro :
V
u
V
e
=
sR
2
C
1
(sR
2
C
2
+ 1)(sR
1
C
1
+ 1)
124
Figura 3.10: Filtro passa-banda a banda larga
Dato che la funzione di trasferimento ha uno zero nellorigine e due poli, si
tratta di un ltro passa banda del secondo ordine, detto a banda larga in quanto
i due poli sono reali.
La forma canonica la seguente:
H(jf) = H
0
j
f
f1
1 +j
f
f1
1
1 +j
f
f2
Landamento di H(jf) riportato in gura 3.11 nel caso in cui f
1
= 1,
f
2
= 10, H
0
= 1.
dB
0
-10
-20
0.1 1 10 100
|H|
90
0
-90
0.1 1 10 100
H
f/f
0
f/f
0
Figura 3.11: Funzione di trasferimento standard del ltro passa-banda a banda
larga
Confrontando lespressione canonica con la funzione di trasferimento del l-
tro si ricava: f
1
= 1/(2R
1
C
1
), f
2
= 1/(2R
2
C
2
) e H
0
= R
2
/R
1
. Questo tipo
di ltro non permette un ltraggio molto selettivo intorno ad una data frequenza
(neppure se si pone f
1
= f
2
). Per ottenere prestazioni pi spinte occorrono altre
soluzioni che permettono di ottenere funzioni di trasferimento con poli complessi
coniugati. Questi circuiti saranno trattati pi avanti.
3.1.5 Rotatore di fase
I ltri trattati in precedenza modicano sia il modulo, sia la fase della tensione
di uscita in funzione della frequenza. Esiste unaltra funzione di trasferimento
125
notevole del primo ordine che non ha eetti sullampiezza del segnale ma solo
sulla fase. Il circuito che la realizza riportato in gura 3.12.
Figura 3.12: Filtro rotatore di fase
dB
0
-10
-20
0.1 1 10
f/f
0
|H|
0
-45
-135
-180
H
0.1 1 10 f/f
0
0.01 100
-90
Figura 3.13: Funzione di trasferimento del ltro rotatore di fase
Se si considera il condensatore un circuito aperto, cio se si analizza il circuito
per frequenze basse, in R
1
non scorre corrente, quindi lingresso non invertente si
trova a tensione V
e
, dunque non scorre corrente neanche nelle resistenze R
2
e la
tensione di uscita pari alla tensione di ingresso, ottenendo lequivalente di un
voltage follower. Per alte frequenze il condensatore un cortocircuito, dunque
lingresso invertente alla tensione di riferimento e il circuito si comporta come
un amplicatore invertente a guadagno unitario. A frequenze intermedie si ha
una transizione graduale tra il primo e il secondo tipo di comportamento.
Per studiare il circuito pi in dettaglio, si pu osservare che la tensione
allingresso non invertente vale:
V
+
= V
e
1
sR
1
C + 1
Si possono considerare indipendentemente i termini di guadagno dovuti alle
tensioni applicate allingresso invertente ed allingresso non invertente, usando
la sovrapposizione degli eetti, ottenendo:
V
u
= V
e
1
1 +sR
1
C
(1 +
R
2
R
2
) V
e
R
2
R
2
= V
e
1 sR
1
C
1 +sR
1
C
H(jf) =
1 j
f
f0
1 +j
f
f0
, f
0
=
1
2R
1
C
126
La funzione di trasferimento riportata in gura 3.13. Il modulo di H(jf)
unitario indipendentemente da f in quanto la funzione il rapporto di due
numeri complessi coniugati. Per la fase, si nota che la funzione ha uno zero nel
semipiano di destra ed un polo in quello di sinistra, alla stessa frequenza. Dato
che uno zero a destra si comporta come uno zero a sinistra, dal punto di vista
del modulo, annullando leetto del polo coincidente, e come un polo a sinistra,
dal punto di vista della fase, per questultima la situazione analoga ad avere
due poli coincidenti. La funzione di trasferimento compie una rotazione di fase
di 180

nel giro di due decadi centrate in f

0
.
3.2 Filtri del II ordine
Lo studio dei ltri del II ordine verr arontato in due fasi: per ogni tipo di
ltro si esaminer la forma standard assunta dalla corrispondente funzione di
trasferimento ed il signicato dei parametri in gioco. In seguito si studieranno
dei circuiti in grado di realizzare il ltro.
3.2.1 Passa-basso
Nel dominio della frequenza, un ltro passa basso del secondo ordine ha una
funzione di trasferimento data da
H(jf) = H
0
lp
H
lp
dove H
0
lp
il guadagno in continua e H
lp
la funzione di trasferimento
standard a guadagno unitario, denita come:
H
lp
_
j
f
f
0
_
=
1

_
f
f0
_
2
+
j
Q
f
f0
+ 1
Questa espressione, nel dominio della frequenza, ha una formulazione equi-
valente nel dominio della trasformata di Laplace:
H
lp
(s) =

2
0
s
2
+ 2
0
s +
2
0
oppure
H
lp
(s) =

2
0
s
2
+
0
Q
s +
2
0
Tutte queste espressioni sono funzione di due parametri, in contrasto con
quanto visto per i ltri del I ordine. La prima espressione funzione di f
0
e
Q, la seconda invece di
0
e . E immediato vericare, esprimendo la seconda
espressione in trasformata di Fourier, che le due espressioni sono equivalenti se
si pone:
f
0
=

0
2
e Q =
1
2
I parametri f
0
e
0
sono denominati rispettivamente frequenza e pulsazione
caratteristica, Q e prendono invece nome di fattore di merito e smorzamento.
127
Nel seguito saranno presentati i graci degli andamenti normalizzati dei ltri.
Per disegnarli ci si rif allespressione in f/f
0
. Poich per nei corsi di elettronica
si lavora spesso nel dominio delle pulsazioni , risulta pi agevole ora utilizzare
lultima espressione vista sopra, riportata nel dominio di Fourier:
H
lp
(j) =

2
0
(
2
) +j
0
Q
+
2
0
Analizziamo dunque la funzione H
lp
in funzione di . Il graco di modulo e
fase riportato in gura 3.14.
dB
Q
Q
0
-40
-80 -180
0
-90
0.01 0.01 0.1 0.1 1 1 10 10 100 100
f/f
0
f/f
0
|H|
H
Figura 3.14: Funzione di trasferimento standard del ltro passa-basso del II
ordine in funzione di Q
per che tende a 0, H
lp
tende a 1, quindi sul diagramma di Bode si ha
un comportamento asintotico in bassa frequenza rappresentabile con un
segmento orizzontale coincidente con lasse a 0 dB, fase nulla.
per che tende a innito predomina il termine del secondo ordine; la
funzione approssimabile con
0
2
/(
2
): sul diagramma di Bode (quindi
su asse logaritmico) una retta con pendenza di 40 dB per decade e fase
costante pari a 180

.
Dunque, se si molto distanti dal punto =
0
, abbiamo, per frequenze basse,
una trasmissione completa del segnale, per frequenze alte unattenuazione con
pendenza di 40 dB per decade. In questi campi di frequenza il comportamento
non inuenzato dal fattore di merito del ltro. I due asintoti si incrociano nel
punto =
0
.
Per studiare linuenza del parametro Q sulle caratteristiche del ltro si
osserva che cosa accade per =
0
:
H
lp
(j
0
) = jQ |H
lp
|
dB
= 20 log
10
Q
Per Q alti, la funzione ha valore superiore agli asintoti in tale punto. Occorre
dunque aspettarsi che la funzione, almeno per un certo campo di valori di Q,
abbia un massimo nellintorno di
0
. Si pu vericare questo derivando H
lp
e
studiando gli attraversamenti per lo zero della derivata. Si ottiene che eet-
tivamente la funzione ha un massimo se Q >

2/2. La posizione del picco

in:
128

pk
=
0

_
1
1
2Q
2
mentre il valore della funzione nel picco :
|H
lp
|
max
=
Q
_
1
1
4Q
2
Per valori alti di Q la posizione del picco tende a coincidere con
0
ed il suo
valore tende a Q.
Fra i ltri che non presentano picco, il ltro con Q =

2/2 quello che passa

pi rapidamente dallasintoto a 0 dB allasintoto a 40 dB/decade. La risposta
in frequenza di tale ltro detta risposta massimamente piatta o risposta alla
Butterworth.
3.2.2 Passa-alto
La funzione di trasferimento passa-alto del II ordine pu essere espressa come:
H(jf) = H
0hp
H
hp
H
hp
(s) =
s
2
s
2
+ (
0
/Q)s +
0
2
Si osserva che il denominatore uguale a quello del ltro passa-basso, per-
ch caratteristico di tutte le funzioni del II ordine. Il numeratore denisce
uno zero doppio in continua. Una propriet interessante di questa funzione di
trasferimento che pu essere ricavata dalla funzione passa-basso mediante un
cambio di variabile: se si esegue una trasformazione s 1/s e si ricava la fun-
zione di trasferimento nella nuova variabile 1/s, dalla H
lp
ci si riconduce alla
H
hp
. La funzione di trasferimento del ltro passa-alto pu essere vista su di un
diagramma di Bode come la funzione del corrispondente ltro passa-basso ribal-
tata rispetto al punto =
0
. Questa osservazione pu essere sfruttata anche
in fase di sintesi del ltro.
dB
Q
Q
0
-40
-80
180
0
90
0.01 0.01 0.1 0.1 1 1 10 10 100 100
f/f
0
f/f
0
|H| H
Figura 3.15: Funzione di trasferimento standard del ltro passa-alto del II ordine
in funzione di Q
Con riferimento alla gura 3.15, le caratteristiche della funzione sono dunque:
per frequenze alte la funzione di trasferimento asintotica allasse a 0 dB.
129
per frequenze basse ha per asintoto una retta con pendenza di 40 dB/dec.
che incrocia lasse a 0 dB nel punto =
0
Analogamente a quanto studiato per il ltro passa-basso, se Q <

2/2 la fun-
zione non ha picchi e raggiunge il valore massimo per tendente a innito,
se Q >

2/2 la funzione ha un picco. Il ltro con Q =

2/2 caratterizzato
dalla massima rapidit di passaggio tra banda passante e banda attenuata senza
presentare picchi in banda passante (risposta passa-alto alla Butterworth).
3.2.3 Passa-banda
La funzione di trasferimento standard di tipo passa-banda la seguente:
H(jf) = H
0bp
H
bp
H
bp
(s) =
(
0
/Q)s
s
2
+ (
0
/Q)s +
0
2
dB
Q
0
-40
-60
+90
-90
0
0.01 0.01 0.1 0.1 1 1 10 10 100 100
f/f
0
f/f
0
H |H|
-20
Q
Figura 3.16: Funzione di trasferimento standard del ltro passa-banda del II
ordine in funzione di Q
La funzione diagrammata in gura 3.16. Per tendente a 0, il ltro tende
a una risposta asintotica pari a (j/Q)(/
0
), cio , sul diagramma di Bode,
ad una retta con pendenza di 20 dB/decade, che in =
0
vale |j/Q|
dB
, cio
20 log
10
Q.
Con frequenze molto alte domina al denominatore il termine quadratico, per
cui la funzione tende asintoticamente a (j/Q)(
0
/), quindi sul diagramma di
Bode si ha una retta con pendenza di 20 dB per decade, che passa nello stesso
punto di prima per =
0
.
In =
0
, H
bp
vale 1, cio 0 dB, indipendentemente dal Q. Le curve del ltro
passa banda sono simmetriche sul diagramma di Bode rispetto alla frequenza
f = f
0
che perci anche detta frequenza centrale o frequenza di risonanza o
frequenza del ltro (corrisponde al valore di picco della funzione di trasferimen-
to). Se si valuta il comportamento del ltro intorno alla frequenza di risonanza,
si pu osservare che pi il Q alto pi elevata la pendenza intorno alla fre-
quenza f
0
(dato che gli asintoti si spostano verso il basso) ed in particolare
diventa molto maggiore della pendenza dei due asintoti. Al contrario pi il Q
basso pi la curva di risposta del ltro si appiattisce nellintorno di f
0
. Il Q
in pratica denisce qual la banda di frequenza del ltro: pi il Q alto pi
la banda stretta, pi il Q basso pi la banda ampia. Il Q allora si chiama
anche selettivit del ltro ed indica la larghezza di banda intorno alla frequen-
za di risonanza. possibile denire la banda passante del ltro come banda
130
a 3 dB, cio lampiezza della banda di frequenza per cui la curva di risposta
del ltro si mantiene al di sopra della retta a 3 dB. Dallintersezione delle due
curve si individuano due frequenze: f
L
limite inferiore della banda passante, f
H
limite superiore della banda passante; analiticamente, se si risolve lequazione
|H
bp
(j)| =

2/2 si ha che:
f
L
f
0
=
_
1 +
1
4Q
2

1
2Q
f
H
f
0
=
_
1 +
1
4Q
2
+
1
2Q
Da queste due espressioni si ottiene anche che:
f
0
=
_
f
L
f
H
Cio f
0
la media geometrica di f
L
ed f
H
. Inoltre, chiamando la larghezza di
banda BW, cio ponendo BW = f
H
f
L
si ottiene che Q = f
0
/BW. Da questa
espressione risulta evidente che la selettivit indica quanto stretta la banda
passante rispetto la frequenza centrale del ltro. Ad esempio una larghezza di
banda di 10 Hz con una frequenza centrale di 100 Hz indica un ltro che ha una
discreta selettivit , invece la stessa larghezza di banda con f
0
= 1 MHz indica
un ltro molto selettivo. Guardando il Q evidente che nel secondo caso il Q
molto pi grande. Se si osserva il Q del ltro realizzato combinando un ltro
passa basso e un ltro passa alto del primo ordine, descritto nella sezione 3.1.4, si
nota che il valore massimo che pu assumere vale 0.5, che un valore abbastanza
basso; per questa ragione il ltro detto a larga banda.
3.2.4 Elimina-banda
La funzione di trasferimento standard di un ltro elimina-banda :
H(jf) = H
0n
H
n
H
n
(s) =

0
2
+s
2
s
2
+
0
Q
s +
0
2
Analizzando la funzione di trasferimento, si vede che per =
0
il ltro
elimina-banda ha un buco, cio vale 0 ( sul piano di Bode), mentre per
frequenze sucientemente distanti dalla frequenza centrale la curva di risposta
va a 0 dB. Si pu anche notare che valgono due relazioni:
1. H
n
= H
lp
+H
hp
2. H
n
= 1 H
bp
Nel caso 1), se si ha gi a disposizione un ltro passa alto e un ltro passa
basso con una certa
0
e un certo Q, possibile ricavare un ltro elimina banda
collegando i due ltri allo stesso ingresso e mandando le uscite a un sommatore.
Nel caso 2), possiamo sottrarre al segnale una risposta di tipo passa banda. Il
ltro elimina banda si realizza in genere proprio partendo da ltri passa basso
e passa alto o passa banda.
La gura 3.17 riporta gli andamenti del modulo e della fase della funzione
di trasferimento del ltro in funzione di Q. Si pu notare che allaumentare di
Q aumenta la ripidit della curva nellintorno di
0
.
131
dB
Q
0
-40 -90
0
0.01 0.1 0.1 1 1 10 10 100
f/f
0
f/f
0
|H|
-20
Q
90
H
Figura 3.17: Funzione di trasferimento standard del ltro elimina-banda del II
ordine in funzione di Q
3.2.5 Passa tutto o giratore
Il ltro rotatore di fase del secondo ordine ha la seguente espressione:
H
ap
(s) =
s
2

0
Q
s +
0
2
s
2
+
0
Q
s +
0
2
Come per i ltri del primo ordine, al numeratore si hanno zeri a destra.
evidente che il numeratore e il denominatore sono complessi coniugati, per cui
se si fa il rapporto tra i moduli si ottiene sempre 1. La rotazione di fase la
somma di quella dovuta al polo del II ordine (180

) e quella dovuta allo zero a

destra del II ordine, per un totale di (360

), come evidenziato in gura 3.18

Q
-360
0
0.01 0.1 1 10 100
f/f
0
-180
H
Figura 3.18: Fase della funzione di trasferimento standard del ltro giratore del
II ordine in funzione di Q
3.3 Circuiti per ltri del II ordine
Come gi notato, i ltri possono essere costruiti utilizzando solo componenti
passivi. Il vantaggio dato dalluso di un amplicatore operazionale in un ltro del
primo ordine sta nel poter avere guadagno superiore allunit e nella separazione
tra ltro e carico dovuta alla bassa impedenza di uscita del circuito. Per ltri
del II ordine, possibile dimostrare che non sono realizzabili ltri passivi con
Q elevato senza ricorrere alluso di induttanze. In questo caso, lamplicatore
132
operazionale pu sostituire linduttanza per realizzare ltri con Q elevato, oltre
a rendere realizzabili ltri con guadagno superiore ad uno e separare il carico
dal ltro come per i ltri del I ordine.
Esistono parecchie tipologie di circuito che realizzano una funzione di trasfe-
rimento del secondordine, basate su uno o pi amplicatori operazionali. Come
si vedr pi avanti, questi circuiti servono anche come blocchetti per costruire
ltri di ordine superiore al secondo. Per questo, normalmente un ltro del se-
condordine di tipo standard si chiama anche cella del secondordine. Le celle
del secondordine che verranno considerate nel seguito possono essere catalogate
in funzione della congurazione assunta dalloperazionale o dagli operazionali
utilizzati. Le congurazioni esaminate saranno:
celle a guadagno nito, cosiddette perch sono basate su un circuito reatti-
vo che forma una reazione aggiuntiva ad un un circuito amplicatore con
un guadagno denito, indipendente dalla frequenza. Queste celle a loro
volta sono divisibili in celle a guadagno unitario e a guadagno diverso da
uno;
celle a guadagno innito, in cui nel circuito non sono evidenziabili due
reazioni distinte, per la continua e in frequenza, ed il cui funzionamento
basato sul presupposto che il guadagno dellamplicatore tenda ad innito
nella banda di frequenza utile;
celle basate su pi amplicatori operazionali. Normalmente queste celle
producono pi funzioni di trasferimento contemporaneamente, a seconda
delluscita considerata, ad esempio passa-basso e passa-banda, e possono
essere usate, in versione integrata, come ltri universali congurabili con
resistenze esterne di precisione.
3.3.1 Celle a guadagno nito
Esamineremo due tipi di ltro attivo basati su di un amplicatore a guadagno
nito. La prima conosciuta come cella di Sallen-Key ed basata su di un
inseguitore di tensione, la seconda, nota come k-RC, una variante della prima,
in cui si sostituisce il voltage follower con un amplicatore con guadagno pari a
k.
Cella di Sallen-Key
La cella di Sallen-Key basata sulla congurazione circuitale riportata in gu-
ra 3.19, dove Y
1
, Y
2
, Y
3
, Y
4
sono ammettenze generiche. Ognuna di queste pu
essere una resistenza o un condensatore. A seconda della posizione di resistenze
e condensatori si ottiene una funzione di trasferimento di tipo diverso.
Per capire dove inserire gli elementi reattivi si pu ricavare lespressione gene-
rica della funzione di trasferimento. A tale scopo suciente scrivere lequazione
al nodo V
x
, tenendo conto che la tensione sul morsetto positivo delloperazionale
pari a V
u
:
(V
e
V
x
)Y
1
= (V
x
V
u
)(Y
2
+Y
3
)
Si pu trovare una relazione tra V
x
e V
u
, tenendo conto che la corrente che
scorre in Y
2
la stessa che scorre in Y
4
.
133
V
e
V
u Y
4
V
u
Y
3
Y
2
Y
1
V
X
Figura 3.19: Congurazione circuitale della cella di Sallen-Key
V
x
= V
u
_
1 +
Y
4
Y
3
_
Sostituendo questa espressione nella prima, si ricava lespressione della fun-
zione di trasferimento:
V
u
V
e
=
Y
1
Y
3
Y
4
(Y
1
+Y
2
+Y
3
) +Y
1
Y
3
Verranno analizzate nel seguito le congurazioni Sallen-Key passa-basso e
passa-alto.
Sallen-Key passa-basso
Per ottenere una funzione di trasferimento passa-basso occorre che il numeratore
sia di grado 0 e il denominatore sia di secondo grado. Analizzando la funzione di
trasferimento generica ricavata sopra, si vede che si ottiene un passa-basso se Y
1
e Y
3
sono resistenze e Y
2
e Y
4
sono condensatori. Si usa denominare Y
3
= 1/R,
Y
1
= 1/mR, Y
4
= C, Y
2
= nC. Lo schema elettrico riportato in gura 3.20.
V
u
R
V
e
mR
C
nC
V
X
V
u
Figura 3.20: Schema della cella di Sallen-Key passa-basso
Sostituendo nellespressione generica tali valori, si ottiene, nel dominio della
trasformata di Laplace:
V
u
V
e
=
1
s
2
mnR
2
C
2
+sRC(m+ 1) + 1
Comparando questa espressione con quella della funzione passa-basso stan-
dard del secondordine, si ottiene:
V
u
V
e
= H
lp
=

2
0
s
2
+
0
Q
s +
2
0
134
se si pone f
0
= 1/(2

mnRC) e Q =

mn/(m + 1). A seconda del valore
assunto da m, n, R e C possibile realizzare qualunque valore di Q e f
0
.
La cella di Sallen-key, come possiamo notare, molto semplice, ma questo
vantaggio annullato dalla dicolt di taratura di frequenza, come spiegato
sotto, e dalla dispersione dei valori di capacit , che cresce in modo quadratico
con Q. Infatti se consideriamo m = 1 otteniamo n = 4Q
2
. Poich avere con-
densatori precisi di valore molto diverso tra loro spesso un problema, questo
limita luso di tale circuito per ltri con Q elevato.
In situazioni in cui il ltraggio deve essere estremamente preciso, occorre
generalmente eseguire una procedura di taratura del sistema, variando in modo
ne, generalmente tramite potenziometri, il valore di alcuni componenti in modo
da portare la caratteristica reale del ltro a coincidere con quella desiderata. Se
si osservano le espressioni di Q e f
0
, si nota che entrambe dipendono o dai valori
assoluti dei quattro componenti passivi o dal rapporto tra di essi. Questo vuol
dire che variando il valore di un componente qualsiasi, cambiano entrambi i
parametri. Non dunque possibile eettuare una taratura indipendente dei due
parametri, per cui in questi casi si ricorre a soluzioni circuitali pi complesse
che garantiscono per procedure di taratura semplici.
Esempio 6. Progettare una cella di Sallen-Key corrispondente a un
ltro passa-basso che abbia le speciche f
0
= 2 kHz e fattore di qualit
Q = 2.
Si ricordi che Q e f
0
sono tra di loro interdipendenti e dipendenti a loro
volta da tutti i parametri. Per prima cosa si scegliono i valori degli elementi
circuitali pi problematici del ltro, cio i condensatori. Sono problematici nel
senso che, mentre per le resistenze non dicile trovare valori della serie E96, i
condensatori, anche di precisione, sono generalmente disponibili solo nella serie
E12 (con 12 valori per decade, ossia: 1,0; 1,2; 1,5; 1,8; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6;
6,8; 8,2).
Al ne di ssare i valori dei condensatori, a partire da valori sensati delle
resistenze, decidiamo che:
m = 1: abbiamo due resistori tra loro uguali;
R nel campo 10 k100k (al ne di avere una discreta dinamica)
Scegliendo ad esempio R = 22 k uno dei valori normalizzati per la E12, si
sostituiscono i valori stabiliti per m e R nelle espressioni di
0
e Q e si ricava
C.

0
=
1

mnRC
= C =
1

mnR
0
=
1
2

n22 k f
0
Q =

mn
m+ 1
=

n
2
= 2 = C =
1
4Qf
0
R
=
1
4 2 22 k 2 kHz
= 904 pF
Non essendo 904 pF un valore normalizzato secondo la serie E12, si sce-
glie quello pi vicino C = 1 nF, approssimando per eccesso; a questo punto
possibile ricavare anche la capacit del secondo condensatore nC.
n = 4Q
2
= nC = 4Q
2
C = 16 nF 18 nF
135
Una volta che sia n che C sono ssati a partire dai valori iniziali di m e R,
si procede con una seconda iterazione per determinare i valori denitivi di m e
R assumendo ssati quelli di n e C.
n = 18; Q =

mn
m + 1
= 2 = m
2

_
n
Q
2
_
m+ 1 = 0 = m = 2
Questo risultato si ottiene risolvendo lequazione di secondo grado e consi-
derando come valida la sola radice positiva che ha un senso sico. Per quanto
riguarda R si utilizza laltra relazione di progetto.
R =
1
2f
0

mnC
= 13.3 k = m R = 26.6 k 27 k
Si osservi che il valore della resistenza R non ha subito una grande variazione
rispetto al valore scelto inizialmente mentre m raddoppiato. Per riassumere,
il processo utilizzato per il progetto del circuito composto da due iterazioni.
1. Fissati dei valori casuali delle resistenze, sensati rispetto alle caratteri-
stiche dellamplicatore operazionale, si calcolano i parametri capacitivi,
ossia n e C;
2. A partire dai valori capacitivi determinati nella prima fase, si ricalcolano
i parametri m e R, completando il progetto.
Sallen-Key passa-alto
Per ottenere una funzione di tipo passa-alto occorre avere numeratore e denomi-
natore della funzione di trasferimento entrambi del secondordine. Esaminando
la funzione generica, si vede che si pu ottenere questo risultato se si sostituisco-
no Y
1
e Y
3
con condensatori e i restanti componenti con resistenze. Lo schema
relativo riportato in gura 3.21.
V
u
R
V
e
mR
C nC
V
X
V
u
Figura 3.21: Schema della cella di Sallen-Key passa-alto
Come per la versione passa-basso, esiste una convenzione per cui Y
1
= C,
Y
3
= nC, Y
2
= 1/R, Y
4
= 1/(mR). Lespressione della funzione di trasferimento
diventa:
V
u
V
e
=
s
2
mnR
2
C
2
s
2
mnR
2
C
2
+sRC(n + 1) + 1
da cui si vede facilmente che
V
u
V
e
= H
hp
= H
hp
(s) =
s
2
s
2
+ (
0
/Q)s +
0
2
136
se si pone f
0
= 1/(2

mnRC) e Q =

mn/(n + 1)
Le considerazioni fatte sulle dicolt di taratura valgono ovviamente anche
per il passa-alto.
Cella KRC
Le congurazioni viste sopra sono in realt un caso particolare di una cella com-
posta dagli stessi componenti passivi, ma in cui linseguitore di tensione viene
sostituito da un amplicatore non invertente con guadagno K, indipendente
dalla frequenza. La congurazione cos ottenuta si chiama KRC ed riportata
in gura 3.22.
V
u
/K
V
u
V
e
V
u
Y
4
K
V
u
/K
Y
3
Y
2
Y
1
R
A
R
B
K=1+R /R
B A
Figura 3.22: Schema generico della cella KRC.
Come evidenziato in gura, lamplicatore con guadagno K si realizza con
un amplicatore operazionale in congurazione non invertente, con guadagno
K = 1 + R
B
/R
A
. La complessit maggiore della cella compensata dal mag-
gior numero di gradi di libert lasciati al progettista nella scelta dei valori dei
componenti.
La funzione di trasferimento della cella generica si ottiene con un procedi-
mento del tutto analogo a quello seguito per la cella di Sallen-Key, tenendo con-
to della diversa tensione sul morsetto positivo dellamplicatore operazionale.
Svolgendo i conti si ottiene:
V
u
V
e
=
KY
1
Y
3
Y
4
(Y
1
+Y
2
+Y
3
) + (1 K)Y
2
Y
3
+Y
1
Y
3
che ovviamente si riduce alla formula trovata precedentemente per K = 1.
Cella KRC passa-basso
Eettuando la stessa scelta di componenti che aveva portato alla cella Sallen-
Key passa-basso, anche per la congurazione KRC si ottiene una funzione di
trasferimento di tipo passa-basso. Lo schema elettrico corrispondente riportato
in gura 3.23.
Con la stessa scelta per i nomi dei componenti (Y
3
= 1/R, Y
1
= 1/mR,
Y
4
= C, Y
2
= nC), si ottiene, nel dominio di Laplace:
V
u
V
e
=
K
s
2
mnR
2
C
2
+sRC[m+ 1 + (1 K)mn] + 1
Comparando questa espressione con quella della funzione passa-basso stan-
dard del secondordine, si ha:
137
V
u
V
e
C
nC
V
u
R
mR
R
A
R
B
V
X
/K
Figura 3.23: Schema della cella KRC passa-basso
V
u
V
e
= H
0
H
lp
= H
0

2
0
s
2
+
0
Q
s +
2
0
con
H
0
= K; f
0
=
1
2

mnRC
; Q =

mn
m+ 1 + (1 K)mn
Esaminando le espressioni, si vede che f
0
non dipende da K, mentre Q
dipende da K. Per quanto riguarda le procedure di taratura, allora possibile
tarare prima f
0
agendo su una resistenza a scelta tra R
3
= R o R
1
= mR , e
poi Q agendo su R
A
o R
B
. In questo modo varia anche il guadagno in continua,
ma questo parametro normalmente non critico, in quanto si pu tarare in altri
punti del circuito.
Si pu notare che in questo circuito ci possono essere dei problemi di forte
dipendenza dalle tolleranze. Per esempio, se si sceglie di realizzare un ltro
con m = n = 1, le formule si semplicano: H
0
= K, f
0
= 1/(2RC) e Q =
1/(3 K). In questo caso, per , valori di Q da dieci ad innito si ottengono
per una variazione di K da 2.9 a 3. Quindi, per valori di Q alti, una piccola
variazione di K dovuta a tolleranze delle resistenze porta ad una variazione
molto elevata di Q e questa situazione sempre da evitarsi.
Altre congurazioni KRC
Il ltro passa-alto KRC si ricava dallomologo di Sallen-Key in modo stret-
tamente analogo a quanto fatto per il passa-basso. La sua trattazione viene
lasciata per esercizio.
La congurazione passa-banda a partire dalla topologia a guadagno unitario
di gura 3.19 non realizzabile, mentre utilizzando quella a guadagno K si
ottiene una dipendenza di tutti i parametri del ltro da tutti i componenti.
Si preferisce normalmente allora aggiungere una quinta ammettenza Y
5
tra V
x
e massa alla congurazione KRC di gura 3.22. In questo modo possibile
realizzare un passa-banda se Y
5
= sC
5
e Y
3
= sC
3
, mentre gli altri componenti
sono resistenze. Lanalisi di questo circuito anchessa lasciata come esercizio.
In questo caso f
0
non dipende da K mentre Q dipende da K, con i vantaggi gi
evidenziati nei casi precedenti.
La congurazione base studiata nei paragra precedenti non ovviamente
lunica possibile per celle a guadagno nito, anche se la pi usata. Esistono altre
138
congurazioni che permettono ad esempio la realizzazione di ltri elimina-banda,
per queste si rimanda a testi specici.
3.3.2 Celle a guadagno innito
Anche per le celle a guadagno innito analizzeremo una congurazione generica
costituita da una topologia di ammettenze in reazione ad un amplicatore ope-
razionale. La topologia studiata riportata in gura 3.24 ed appartiene ad una
classe di circuiti detti a reazioni multiple.
V
e
V
u
Y
4
V
x
Y
3
Y
2
Y
1
Y
5
Figura 3.24: Schema base della congurazione a reazioni multiple
Il metodo di analisi lo stesso seguito nel caso delle congurazioni a gua-
dagno nito: si scrive lequazione al nodo V
x
, tenendo conto del nodo a massa
virtuale cui connessa Y
3
(V
e
V
x
)Y
1
= (V
x
V
u
)Y
2
+V
x
(Y
3
+Y
4
)
si ricava poi V
x
osservando che la corrente che scorre in Y
3
la stessa che
scorre in Y
5
V
x
Y
3
= V
u
Y
5
combinando le due espressioni si ottiene la funzione di trasferimento
V
u
V
e
=
Y
1
Y
3
Y
5
(Y
1
+Y
2
+Y
3
+Y
4
) +Y
2
Y
3
Questa topologia pu essere utilizzata per ltri passa-basso, passa-alto o
passa-banda. Non tutte le combinazioni di componenti possibili sono utilizzabili
in pratica, perch bisogna tenere conto delle caratteristiche degli amplicatori
operazionali reali. In pratica non possibile avere dei condensatori contempora-
neamente come Y
3
e Y
5
in quanto non ci sarebbe un cammino in continua per la
corrente di polarizzazione del morsetto negativo dellamplicatore operazionale.
Filtro passa-banda a reazioni multiple
Se si vuole ottenere un ltro passa-banda dal generico circuito di gura 3.24,
bisogna sostituire ad esempio Y
2
e Y
3
con dei condensatori. Si ottiene cos il
circuito di gura 3.25.
Inserendo questi componenti nella funzione di trasferimento generica si ha:
139
V
e
V
u
C
2
R
1
R
5
R
4
C
3
Figura 3.25: Filtro passa-banda a reazioni multiple
V
u
V
e
=
sC
3
/R
1
1/R
5
(1/R
1
+sC
2
+sC
3
+ 1/R
4
) +s
2
C
2
C
3
che semplicata diventa:
V
u
V
e
=
sC
3
R
4
R
5
s
2
C
2
C
3
R
1
R
4
R
5
+sR
1
R
4
(C
2
+C
3
) +R
1
+R
4
Si ricava lespressione di f
0
, di Q e di H
0
.
f
0
=
1
2
_
C
2
C
3
R
5
(R
1
R
4
)
Q =
_
C
2
C
3
R
5
(R
1
R
4
)
(R
1
R
4
)(C
2
+C
3
)
H
0
=
C
3
R
5
(C
2
+C
3
)R
1
La resistenza R
4
potrebbe in realt essere eliminata, visto che se R
4
fosse
innita, il ltro sarebbe lo stesso un passa-banda. Eliminando R
4
e ponendo
C
3
= C
2
= C le formule si semplicano notevolmente:
f
0
=
1
2C

R
5
R
1
Q =
1
2

_
R
5
R
1
H
0
=
R
5
2R
1
Come si pu notare, leliminazione di R
4
crea un problema in quanto lam-
plicazione in banda passante risulta legata a Q dalla relazione:
H
0
= 2Q
2
Per cui in ltri con Q elevato la dinamica di ingresso risulta notevolmente
ridotta. In questo caso opportuno reintrodurre R
4
, la cui funzione proprio
quella di partitore in ingresso insieme ad R
1
.
Nella versione senza R
4
questa congurazione permette di realizzare ltri
passa-banda con solo quattro componenti passivi, cio con un livello di comples-
sit paragonabile a quello della congurazione Sallen-Key per i ltri passa-basso
e passa-alto.
140
Filtro passa-basso a reazioni multiple
Il ltro di tipo passa-basso si ottiene con il circuito di gura 3.26
V
e
V
u
R
1
C
4
C
5
R
2
R
3
Figura 3.26: Filtro passa-basso a reazioni multiple
Con questa congurazione la funzione di trasferimento vale:
V
u
V
e
=
1/(R
1
R
3
)
sC
5
(1/R
1
+ 1/R
2
+ 1/R
3
+sC
4
) + 1/(R
2
R
3
)
che semplicata diventa:
V
u
V
e
=
R
2
/R
1
s
2
C
4
C
5
R
2
R
3
+sC
5
(R
2
R
3
+R
1
R
3
+R
1
R
2
)/R
1
+ 1
Anche qui si pu ricavare lespressione di Q, f
0
e H
0
.
f
0
=
1
2

C
4
C
5
R
2
R
3
Q =
R
1
(R
2
+R
3
)[R
2
R
3
+R
1
]
_
C
4
C
5
R
2
R
3
H
0
=
R
2
R
1
Anche in questo caso le espressioni si semplicano molto se si pone R
1
=
R
2
= R e C
4
= C
5
= C:
f
0
=
1
2RC
Q =
R
1
R + 2R
1
H
0
=
R
R
1
141
3.3.3 Celle basate su amplicatori operazionali multipli
I ltri del secondo ordine incontrati sin qui sono costituiti da circuiti relati-
vamente semplici che arrivano al loro scopo con un minimo di componenti.
Tuttavia, la semplicit non si ottiene senza sacricare qualcosa e questi cir-
cuiti, bench godano di larga diusione, sono spesso dicili da accordare e in
alcuni casi sono troppo sensibili alle non idealit dei componenti, in particolare
al prodotto banda-guadagno degli amplicatori operazionali, che limitano il Q
ottenibile. Inoltre la riduzione del numero di componenti, soprattutto operazio-
nali, era una preoccupazione quando questi dispositivi erano costosi. Ora i costi
sono scesi drasticamente e questi dispositivi hanno un prezzo competitivo con
quello dei componenti passivi. Si possono inoltre integrare diversi amplicatori
in un unico chip, assieme ad alcuni componenti passivi, riducendo lingombro a
quello di un ltro con un solo operazionale.
Si pone quindi la domanda se la versatilit e le prestazioni dei ltri possano
essere migliorati inserendo pi componenti attivi. La risposta data dai ltri
ad amplicatori operazionali multipli del tipo a variabili di stato e biquadratici
che inoltre possono fornire pi di una risposta simultaneamente e sono pi facili
da accordare e meno sensibili alle non idealit dei componenti.
Filtri a variabili di stato
Il ltro a variabili di stato stato progettato a partire dalla teoria dei controlli
automatici. Fornisce contemporaneamente unuscita passa-alto, una passa-basso
e una passa-banda. il concetto che sta dietro questi circuiti semplice: prendendo
un blocco passa-alto con una funzione di trasferimento del tipo:
F(s) =
s
2
s
2
+ (
0
/Q)s +
2
0
integrando questa funzione, cio nel dominio di Laplace moltiplicando per
1/s, si ottiene un passa-banda. Integrando poi questultimo, si ottiene un passa-
basso. La funzione passa alto si pu ottenere come combinazione lineare delle
uscite passa-basso, passa-banda e dellingresso. Lo schema a blocchi diun sistema
di questo tipo disegnato in g. 3.27.
Dalle tre equazioni che possono essere scritte per il blocco sommatore che
legano i suoi tre ingressi V
0,1
e V
i
, si pu ricavare il prodotto A
2
V
A
.
A
2
V
A
= (V
i
V
0
V
1
)
V
1
= V
A

1
s
A
1
V
0
= V
A

1
s
2
A
0
= A
2
V
A
=
_
V
i

V
A
A
1
s

V
A
s
2
A
0
_
Il prodotto A
2
V
A
solo funzione dellingresso del sistema V
i
, quindi possi-
bile ricavare la funzione di trasferimento V
A
/V
i
.
142
V
i
V
A
V
0
V
1
V
A
A
2
A
0
A
1
B
0
B
1
B
2
_ _

1
A2
V
LP
V
BP
V
HP
1
Figura 3.27: Schema a blocchi del ltro di secondo ordine a variabili di stato.
143
V
A

A
2
s
2
+A
1
s +A
0
s
2
= V
i
=
V
A
V
i
=
s
2
A
2
s
2
+A
1
s +A
0
(3.1)
Si osserva facilmente che le tensioni di uscita etichettate con i pedici dei tipi
di ltri elementari sono funzione di V
A
e quindi le loro funzioni di trasferimento
si ricavano in modo semplice dalla equazione 3.1.
V
HP
=
B
2
s
2
A
2
s
2
+A
1
s +A
0
V
BP
=
B
1
s
A
2
s
2
+A
1
s +A
0
V
LP
=
B
0
A
2
s
2
+A
1
s +A
0
Questo diagramma a blocchi pu essere realizzato in pratica con degli am-
plicatori operazionali congurati come sommatore o integratore. Una realizza-
zione pratica visibile in gura 3.28.
V
e
R
3
R
5
R
6
C
1
R
4
R
7
C
2
V
BP
R
2
R
1
V
LP
V
HP
Figura 3.28: Filtro a variabili di stato
Applicando la sovrapposizione degli eetti si ha:
V
HP
=
R
5
R
3
V
e

R
5
R
4
V
LP
+
_
1 +
R
5
R
3
R
4
__
R
1
R
1
+R
2
_
V
BP
V
BP
=
1
sC
1
R
6
V
HP
V
LP
=
1
sC
2
R
7
V
BP
Sostituendo nella prima equazione si ottiene:
V
HP
V
e
=
R
5
R
3
R
4
R
6
R
7
C
1
C
2
R
5
s
2
R
4
R
6
R
7
C
1
C
2
R
5
s
2
+
R
4
R
7
C
2
_
1 +
R
5
R
3
+
R
5
R
4
_
_
1 +
R
2
R
1
_
R
5
s + 1
144
Dallultima formula si vede che
H
0HP
=
R
5
R
3
f
0
=
1
2
_
R
5
/R
4

R
6
R
7
C
1
C
2
Q =
(1 +R
2
/R
1
)
_
(R
5
R
6
C
1
)/(R
4
R
7
C
2
)
1 +R
5
/R
3
+R
5
/R
4
Per le altre due funzioni di trasferimento V
BP
e V
LP
si ha lo stesso f
0
e lo
stesso Q, ma cambia il guadagno in banda che
H
0LP
=
R
4
R
3
H
0BP
=
1 +R
2
/R
1
1 +R
3
/R
4
+R
3
/R
5
Nellimplementazione pratica di questi ltri di solito si scelgono C
1
= C
2
=
C, R
6
= R
7
= R e R
4
= R
3
= R
5
e questo semplica notevolmente le formule
trovate. Si ottiene infatti
f
0
=
1
2RC
Q =
1 +R
2
/R
1
3
Esistono dei circuiti integrati che hanno allinterno da una a quattro celle
di questo tipo, che includono gli operazionali e i condensatori degli integratori.
Utilizzando alcune resistenze esterne di precisione e collegando opportunamente
tra loro i piedini degli integrati possibile congurarli in modo da ottenere ltri
di tipo e ordine desiderato.
Cella biquadratica
Noto anche come ltro risonante o ltro di Tow-Thomas, il ltro biquadratico
della gura 3.29 consiste in due integratori e in un terzo amplicatore operazio-
nale invertente ad amplicazione unitaria il cui scopo di invertire la polarit
.
Nel caso in cui riuscissimo a realizzare uno degli integratori di tipo non inver-
tente, lamplicatore invertente non servirebbe pi e il circuito sarebbe quindi
realizzato con solo due amplicatori operazionali. Realizzare un integratore non
invertente non per semplice e ci sono molti problemi di stabilit , quindi la
cella biquadratica si realizza con tutti e tre gli stadi descritti. Per analizzare
il circuito si osserva che lamplicatore operazionale pi a sinistra pu essere
considerato come un integratore di tre segnali distinti in ingresso: V
e
,V
LP
e
V
BP
. Quindi:
V
BP
=
1
sR
1
C
1
V
e

1
sR
5
C
1
V
LP

1
sR
2
C
1
V
BP
Inoltre si ha che:
145
V
e
C
1
C
2
R
2
R
1
R
5
R
4
R
3
R
3
V
BP
V
LP
-V
LP
Figura 3.29: Cella biquadratica
V
LP
=
1
sC
2
R
4
V
BP
Eliminando V
LP
si trova:
V
BP
V
e
=
R
2
R
1
sR
4
R
5
C
2
/R
2
s
2
R
4
R
5
C
1
C
2
+sR
4
R
5
C
2
/R
2
+ 1
e si vede che
f
0
=
1
2

R
4
R
5
C
1
C
2
Q =

R
2
2
C
1
R
4
R
5
C
2
H
0BP
=
R
2
R
1
H
0LP
=
R
5
R
1
Si pu notare che la taratura di pu avvenire in modo indipendentemente.
A dierenza del circuito a variabili di stato, quello biquadratico fornisce solo
due delle tre risposte di ltro; tuttavia esso presenta il vantaggio di avere tutti
i parametri f
0
, Q e H
0
regolabili autonomamente, senza richiedere lunghe ite-
razioni. Infatti si pu ad esempio regolare R
5
per ottenere il valore richiesto di
f
0
, poi regolare R
2
per ottenere il valore di Q e inne R
1
per ottenere il valore
richiesto per H
0BP
o H
0LP
.
3.4 Filtri di ordine superiore al II
Tutti i ltri di ordine superiore al secondo possono essere realizzati come cascata
di celle del secondo ordine: un qualunque polinomio in s pu essere composto
nel prodotto di una serie di radici reali o complesse coniugate. Le radici reali
generano celle del primo ordine, le radici complesse coniugate generano celle
146
del secondo ordine. Esistono per dei metodi di realizzazione dei ltri di ordine
superiore al secondo che, in certi casi, generano ltri migliori di quelli che si
otterrebbero operando la scomposizione.
3.4.1 Maschera di progetto
La maschera di progetto denisce i limiti superiore ed inferiore entro cui deve
essere compresa la funzione di trasferimento del ltro. Un esempio di maschera
riportato in g. 3.30.
| | H
f
s
f
c
f
Figura 3.30: Maschera di progetto
Se la funzione di trasferimento passa basso, passa alto o passa banda, il
problema di stare allinterno di una maschera gi stato risolto da ltri standard.
Invece se la maschera qualsiasi il problema pi complesso, per esistono
metodi numerici per trovare il polinomio di grado minimo che soddisfa tale
maschera. Ci occuperemo solo di risposte standard passa basso. Esistono delle
risposte passa basso che godono di particolari propriet : in base alle speciche
che vengono date si potr attingere da una lista di ltri di questo tipo.
3.4.2 Risposte standard
Butterworth di ordine N
I ltri di Butterworth sono caratterizzati dal seguente andamento del modulo
della funzione di trasferimento:
|H| =
1
_
1 +
_
f
fc
_
2n
in cui f
c
la frequenza per cui |H| ha unattenuazione di -3dB rispetto al
valore massimo che si ha in f=0. La risposta non ha ondulazione (ripple) in
banda passante e scende con una pendenza pari a 20ndB per decade in banda
attenuata. Tra i ltri privi di ondulazione in banda, il ltro di Butterworth
quello che ha la transizione pi ripida fra banda passante e banda attenuata.
Per tale motivo chiamato massimamente piatto. Le caratteristiche dei ltri di
Butterworth sono riportate nelle gg. 3.36 e 3.37, i dati per il progetto con celle
in cascata invece si trovano in tab. 3.2.
147
Chebyshev di ordine N
Questo ltro prevede che si rilassi la condizione di piattezza in banda passante e
si denisca il valore massimo delle oscillazioni in banda passante. Ammettendo
un certo ripple in banda passante si ha il vantaggio di una pi ripida transizione
del ltro nel passaggio alla banda attenuata, a parit di grado del polinomio e
quindi di complessit del ltro. f
c
la frequenza di spigolo, cio la frequenza in
cui il ltro esce per la prima volta dal limite di ondulazione ssato per la banda
passante. I dati di progetto per ltri di Chebishev con 1dB di ondulazione
in banda sono riportati in tab. 3.3, landamento del modulo della funzione di
trasferimento riportato nelle gg. 3.38, 3.39 e 3.40. I dati relativi a ltri con
0.5dB di ondulazione in banda invece sono riportati in tab. 3.4. Per landamento
del modulo in banda passante suciente scalare opportunamente lasse y delle
gg. 3.38 e 3.39, landamento in banda attenuata invece visibile in g. 3.41.
Filtri Ellittici
In questo caso si rilassa la condizione di banda attenuata, utilizzando una ca-
scata di celle di tipo passa-basso ed elimina-banda. Questi ltri hanno una
transizione molto marcata tra banda passante e banda attenuata. Sono anche
chiamati ltri di Cauer.
Filtri di Bessel
I ltri di Bessel hanno prestazioni in modulo peggiori di quelle dei ltri di
Butterworth ma hanno la particolarit di mantenere un ritardo di fase lineare.
Questo permette di mantenere le relazioni di fase tra componenti del segnale a
frequenza diversa, e quindi non introducono distorsione di fase in segnali non
sinusoidali. I dati per il progetto di ltri di Bessel sono riportati in tab. 3.1,
landamento del modulo nelle gg. 3.34 e 3.35.
Comparazione tra i diversi tipi di ltro
Sul diagramma di Bode landamento asintotico del modulo della funzione di
trasferimento di tutti i ltri passa-basso di ordine n in banda attenuata rap-
presentato da una retta con pendenza 20ndB/decade. A seconda dei vincoli
posti per landamento in banda passante per la transizione tra banda passante
e banda attenuata avviene in modo diverso. A titolo di esempio, in g. 3.42
sono riportate le caratteristiche di quattro ltri di ordine 5, tutti con identica
frequenza a 3dB, dierenziati per il comportamento in banda passante. E
evidente come, rilassando i requisiti in banda passante, si abbia un pi rapido
passaggio in banda attenuata. La scelta di eettuare la comparazione mante-
nendo la stessa frequenza a 3dB puramente arbitraria: per eettuare una
comparazione corretta bisogna attenersi alle richieste riportate nella maschera
di progetto.
3.4.3 Progetto di un ltro passa basso
Dalle speciche di banda passante, banda attenuata ed, eventualmente,
fase, si decide quale tipo di risposta in frequenza standard meglio si adatta
al caso in esame.
148
Si riportano sui graci i limiti del progetto. Se ad esempio il ltro deve
tagliare a 1kHz e deve raggiungere i -40dB a 4KHz, si utilizza una norma-
lizzazione per cui f
c
= 1kHz e si sceglie il grado del ltro cercando quale
dei ltri appartenenti alla famiglia ha unattenuazione, alla frequenza 4f
c
,
superiore a -40dB. Tra i ltri che soddisfano la specica si sceglier quello
di grado minore.
Dalle tabelle si ricavano le speciche delle celle. Dai valori di frequenza
normalizzata delle tabelle si ricavano le frequenze reali, moltiplicando i
valori letti per f
c
.
si progetta ogni cella in modo indipendente dalle altre e si collega in cascata
luscita di ogni cella allingresso della successiva.
Questo modo di procedere funziona solo con ltri attivi, perch , se si proget-
tassero celle del primo e del secondo ordine con soli componenti passivi, dopo
averle collegate insieme, limpedenza di uscita di ogni cella modicherebbe le
caratteristiche della cella successiva. La funzione di trasferimento risulterebbe
quindi diversa da quella progettata (le varie celle interagirebbero tra di loro).
Questi eetti non esistono utilizzando ltri attivi in cui luscita di ogni cella
corrisponde con luscita di un amplicatore operazione, cio con un punto di
bassa impedenza.
3.4.4 Circuito di simulazione di uninduttanza
Un altro modo per realizzare ltri attivi progettare i ltri come se fossero ltri
passivi RLC, sostituendo le induttanze con dei componenti attivi. Si pu infatti
simulare il comportamento di uninduttanza con una coppia di operazionali. Ora
si vedr solo il caso di uninduttanza con un capo a massa.
V
x
V
x
V
x
I
x
V
a1
V
a2
Z
5
Z
4
Z
3
Z
2
Z
1
A
1
A
2
Figura 3.31: Convertitore di impedenza generalizzato
Si vuole ottenere che tra il nodo pi in alto della gura 3.31 (che chiameremo
punto A) e massa si veda unimpedenza che sia sostanzialmente uninduttan-
za. Questo circuito per a seconda di quello che si sostituisce a Z
1
, ...Z
5
pu
simulare, oltre che uninduttanza, anche altri elementi. Per capire che tipo di
149
componenti occorre inserire per ottenere lequivalente di uninduttanza, colle-
ghiamo nel punto A un generatore di prova V
x
e calcoliamo I
x
in funzione di
V
x
.
I
x
=
V
x
V
A1
Z
1
Sappiamo che la corrente che scorre in Z
2
la stessa che scorre in Z
3
e la
corrente che scorre in Z
4
la stessa che scorre Z
5
, quindi
V
A1
V
x
Z
2
=
V
x
V
A2
Z
3
V
A2
V
x
Z
4
=
V
x
Z
5
Da questo si ricava che
V
x
I
x
=
Z
1
Z
3
Z
5
Z
4
Z
2
Allora se:
Z
1
, Z
3
, Z
4
, Z
5
sono resistenze e Z
2
un condensatore
Z =
V
x
I
x
= s
R
1
R
3
R
5
C
2
R
4
= sL
Se Z
1
e Z
5
sono condensatori e il resto resistenze:
Z =
1
s
2
R
3
R
2
R
4
C
1
C
5
=
1
s
2
D
Questultima scelta porta alla denizione di un componente equivalente con
impedenza reale negativa e dipendenza quadratica dalla frequenza. Il termi-
ne (R
2
R
4
C
1
C
5
/R
3
) prende il nome di elemento D (o FDNR, per frequency-
dependent negative resistance) e pu essere utilizzato per la realizzazione di
ltri.
Esempio: Cella del 2
o
ordine posta su induttanza simulata
V
e
V
u
Figura 3.32: Risonatore parallelo a componenti passivi
Lesempio pi semplice di ltro RLC realizzabile con un simulatore di in-
duttanza il risonatore parallelo riportato in gura 3.32. Il circuito si studia in
elettrotecnica ed una semplice analisi porta a riconoscere un ltro passa-banda
le cui caratteristiche sono: frequenza centrale f
0
= 1/(2

LC) e Q = R
_
C/L.
In gura 3.33 mostrata la realizzazione del risonatore tramite uninduttanza
simulata.
150
V
e
V
u
V
u
R
5
R
4
R
3
C
2
C
R
1
R
A
1
A
2
Figura 3.33: Risonatore parallelo con induttanza simulata
E da notare che luscita V
u
analoga a quella del ltro a componenti passivi,
cio non un punto a bassa impedenza. Occorre dunque prestare attenzione alle
modiche introdotte sullimpedenza del circuito per eetto del carico. In questo
caso per si pu notare che luscita indicata con V
u

in relazione con V
u
tramite
lequazione:
V
u

= V
u
_
1 +
R
4
R
5
_
Prendendo luscita su A
2
dunque limpedenza bassa e si mantengono i
vantaggi di disaccoppiamento tra ltro e carico propri dei ltri attivi.
3.4.5 Dati per il progetto di ltri passa-basso
Le tabelle che seguono permetto il progetto di ltri passa-basso di ordine com-
preso tra 2 e 10, di Bessel, Butterworth, Chebyshev 1dB e Chebyshev 0.5dB.
n. cella 1 cella 2 cella 3 cella 4 cella 5
poli Q f
0
Q f
0
Q f
0
Q f
0
Q f
0
2 0.577 1.732
3 I ord. 2.322 0.691 2.542
4 0.522 3.023 0.806 3.389
5 I ord. 3.647 0.564 3.778 0.917 4.261
6 0.510 4.336 0.611 4.567 1.023 5.149
7 I ord. 4.972 0.532 5.066 0.661 5.379 1.126 6.050
8 0.506 5.655 0.560 5.825 0.711 6.210 1.226 6.959
9 I ord. 6.297 0.520 6.371 0.589 6.607 0.760 7.056 1.322 7.877
10 0.504 6.976 0.538 7.112 0.620 7.405 0.810 7.914 1.415 8.800
Tabella 3.1: Filtri di Bessel, normalizzati in modo da avere ritardo di fase
unitario in f = 1
151
n. cella 1 cella 2 cella 3 cella 4 cella 5
poli Q f
0
Q f
0
Q f
0
Q f
0
Q f
0
2 0.7071 1.0000
3 I ordine 1.0000 1.0000 1.0000
4 0.5412 1.0000 1.3066 1.0000
5 I ordine 1.0000 0.6180 1.0000 1.6180 1.0000
6 0.5176 1.0000 0.7071 1.0000 1.9319 1.0000
7 I ordine 1.0000 0.5550 1.0000 0.8019 1.0000 2.2470 1.0000
8 0.5098 1.0000 0.6013 1.0000 0.9000 1.0000 2.5629 1.0000
9 I ordine 1.0000 0.5321 1.0000 0.6527 1.0000 1.0000 1.0000 2.8794 1.0000
10 0.5037 1.0000 0.5612 1.0000 0.7071 1.0000 1.1013 1.0000 3.1962 1.0000
Tabella 3.2: Filtri di Butterworth, normalizzati in modo da avere attenuazione
pari a 3dB in f = 1
n. cella 1 cella 2 cella 3 cella 4 cella 5
poli Q f
0
Q f
0
Q f
0
Q f
0
Q f
0
2 0.9565 1.0500
3 I ordine 0.4942 2.0177 0.9971
4 0.7845 0.5286 3.5590 0.9932
5 I ordine 0.2895 1.3988 0.6552 5.5565 0.9941
6 0.7609 0.3531 2.1980 0.7468 8.0037 0.9954
7 I ordine 0.2054 2.6169 0.4801 3.1559 0.8084 10.8987 0.9963
8 0.7530 0.2651 1.9564 0.5838 4.2661 0.8506 14.2406 0.9971
9 I ordine 0.1593 1.2600 0.3773 5.5266 0.6622 5.5266 0.8806 18.0287 0.9976
10 0.7495 0.2121 1.8645 0.4761 3.5605 0.7215 6.9367 0.9025 22.2628 0.9980
Tabella 3.3: Filtri di Chebyshev con 1dB di ripple in banda passante, norma-
lizzati in modo da avere attenuazione pari allestremo inferiore della banda di
oscillazione per f = 1
n. cella 1 cella 2 cella 3 cella 4 cella 5
poli Q f
0
Q f
0
Q f
0
Q f
0
Q f
0
2 0.8637 1.2313
3 I ordine 0.6265 1.7062 1.0689
4 0.7051 0.5970 2.9406 1.0313
5 I ordine 0.3623 1.1778 0.6905 4.5450 1.0177
6 0.6836 0.3962 1.8104 0.7681 6.5128 1.0114
7 I ordine 0.2562 1.0916 0.5039 2.5755 0.8227 8.8418 1.0080
8 0.6766 0.2967 1.6107 0.5989 3.4657 0.8610 11.5308 1.0059
9 I ordine 0.1984 1.0604 0.3954 2.2131 0.6727 4.4780 0.8885 14.5794 1.0046
10 0.6734 0.2372 1.5347 0.4878 2.8913 0.7293 5.6114 0.9087 17.9872 1.0037
Tabella 3.4: Filtri di Chebyshev con 0.5dB di ripple in banda passante, norma-
lizzati in modo da avere attenuazione pari allestremo inferiore della banda di
oscillazione per f = 1
152
0.1 0.5 1
0
-1
-2
dB
f
2
3
4
5
6
7
Figura 3.34: Filtri di Bessel: comportamento in banda passante
1
0
-10
-20
-30
-40
-50
5 10 f
dB
2
3
4 5
6
7 8 9 10
Figura 3.35: Filtri di Bessel: comportamento in banda attenuata
153
0.1 0.5 1
0
-1
-2
-3
dB
f
2 3 4 10 5
Figura 3.36: Filtri di Butterworth: comportamento in banda passante
0
-20
-40
-60
-80
1 5 10 f
dB
2
3
4
5 6 7 8 9 10
Figura 3.37: Filtri di Butterworth: comportamento in banda attenuata
154
2
3
6
7
10
0.1 0.5 1 f
dB
0
1
-1
Figura 3.38: Filtri di Chebyshev con 1dB di ondulazione in banda:
comportamento in banda passante (ord: 2, 3, 6, 7, 10)
4
5
8
9
1
0
-1
dB
0.1 0.5 1 f
Figura 3.39: Filtri di Chebyshev con 1dB di ondulazione in banda:
comportamento in banda passante (ord: 4, 5, 8, 9)
155
0
-20
-40
-60
-80
dB
1 5 10 f
2
3
4 5 6 7 8 9 10
Figura 3.40: Filtri di Chebyshev con 1dB di ondulazione in banda:
comportamento in banda attenuata
1
5
10 f
2
3
4
5 6 7 8 9 10
0
-20
-40
-60
-80
dB
Figura 3.41: Filtri di Chebyshev con 0.5dB di ondulazione in banda:
comportamento in banda attenuata
156
0
-40
-80
-120
dB
0.1 1 10 f
B
e
s
s
e
l
B
u
t
t
e
r
w
o
r
t
h
C
h
e
b
y
s
h
e
v

0
.
5
d
B
C
h
e
b
y
s
h
e
v

1
d
B
Figura 3.42: Confronto tra le caratteristiche di quattro ltri di ordine 5, con
identica frequenza a 3dB
157
3.5 Filtri a capacit commutate
La creazione di resistenze su di un circuito integrato in silicio, mediante processi
di fabbricazione ideati per la realizzazione di sistemi prevalentemente digitali,
pone diversi problemi, sia dal punto di vista dellingombro del singolo componen-
te, sia dal punto di vista della precisione e della stabilit del valore di resistenza.
Di conseguenza, si cerca di evitare di utilizzare i resistori nei circuiti che devono
essere integrati su silicio. Siccome gli elementi base della tecnologia di integra-
zione VLSI sono i transistori MOS e le capacit MOS, conveniente cercare
realizzazioni di circuiti analogici che prevedano lutilizzo solo di questi elementi.
Il problema quello di sviluppare simultaneamente funzioni di tipo analogico e
digitale nello stesso circuito integrato, con componenti tradizionalmente digitali
(appunto transistori e capacit MOS).
Una tecnica che permette di realizzare circuiti analogici, principalmente ltri
attivi, senza utilizzare resistenze integrate, sfrutta un principio, detto delle ca-
pacit commutate, che permette di sostituire le resistenze con capacit di valori
limitati (tipicamente da 1 a 100 pF) pilotate da opportuni segnali.
Come si comprender in seguito, i circuiti che utilizzano la tecnica delle
capacit commutate (Switched Capacitor) sono sistemi analogici a dati campio-
nati, poich linformazione viene elaborata ad intervalli di tempo niti, non con
continuit . Questa caratteristica limita il loro impiego in alcuni sistemi oltre ad
introdurre delle dierenze notevoli nel funzionamento stesso dei circuiti rispetto
agli analoghi tempo-continui.
3.5.1 Principio di funzionamento
Si supponga di avere due generatori di tensione ed una resistenza come in
gura 3.43a. La corrente che circola su R
Figura 3.43: Circuito base: a) con resistenza; b) equivalente con capacit
commutata
I =
V
2
V
1
R
Si prendano adesso gli stessi generatori e li si colleghi nella congurazione
riportata in gura 3.43b.
Tenendo S2 chiuso e S1 aperto, la carica su C sar Q = CV
2
. A questo punto
si chiuda S1 e si apra S2. La carica su C diventa Q = CV
1
. Il risultato di questa
operazione di trasferire della carica dal generatore V
2
al generatore V
1
. Sul
condensatore si vericata una variazione di carica pari a
Q = C(V
2
V
1
)
158
Se si ripetesse questo ciclo ogni T secondi si avrebbe che ad ogni secondo
una carica Q/T viene trasferita da un generatore allaltro. Leetto medio
quello di trasferire della carica per unit di tempo e quindi di aver generato una
corrente:
I =
Q
T
=
C
T
(V
2
V
1
) = f
clk
C(V
2
V
1
) (f
clk
=
1
T
)
Confrontando questa espressione con quella ottenuta nel caso del resistore
R, si pu vericare che in entrambi i casi vi proporzionalit tra la corrente che
scorre nel circuito e la dierenza di potenziale tra i generatori. Si pu dunque
denire la resistenza equivalente del circuito R
eq
= 1/(Cf
clk
).
Questo tipo di equivalenza pu essere sfruttato solo se la tensione dei due
nodi tra cui commutata la capacit non varia per eetto del trasferimento di
carica, cio se la capacit commutata inserita fra punti a bassa impedenza, co-
me in questo caso. Si comprende inoltre che per poter considerare come corrente
i pacchetti di carica nellunit di tempo (Q/T), la frequenza di transizione
della carica (f
clk
) deve essere molto pi grande rispetto delle frequenze in gioco
nel circuito. Nei casi in cui una delle due assunzioni esposte sopra non siano
vericate (alta impedenza o alta frequenza), per studiare in modo corretto la
funzione di trasferimento occorre ricorrere alla trasformata Z, utilizzando op-
portuni circuiti equivalenti. Un esempio di analisi in trasformata Z presentato
pi avanti. Nel corso di questa trattazione ci si limiter per il resto ad ana-
lizzare circuiti che possano essere trattati ricorrendo al concetto di resistenza
equivalente, analizzandone il comportamento nel dominio della trasformata di
Laplace.
Nel circuito di gura 3.43 si sostituiscano gli interruttori S
1
e S
2
con dei
MOS, come in gura 3.44. I comandi di pilotaggio
1
e
2
(detti segnali di
clock) vengono applicati a questi due MOS, che fungono appunto da interruttori
(analog switch), e devono soddisfare delle speciche ben precise che saranno
analizzate di seguito.
Figura 3.44: Circuito base con interruttori MOS
Innanzitutto, se
1
HIGH,
2
deve essere LOW, come chiaramente si
evince dal funzionamento stesso del circuito. Inoltre, ci possono essere degli
istanti in cui entrambi i segnali sono bassi, mentre non dovr mai accadere che
entrambi siano alti, in quanto si metterebbero in corto circuito i due generatori
(a meno della r
ON
dei due MOS). Questultima caratteristica dei segnali piloti
molto importante. Segnali che obbediscono a questi vincoli sono componenti
di un sistema di clock a due fasi non sovrapposte, o, in inglese, not overlapping
2-phase clock. La generazione dei due segnali di temporizzazione avviene tramite
circuiti basati su latch set-reset che permettono di ricavare, da un singolo segnale
di clock, due segnali non sovrapposti fra loro. Il pi semplice di questi circuiti
riportato in gura 3.45, assieme alle temporizzazioni relative.
Si dunque visto che tramite un condensatore e due interruttori possibile
simulare il comportamento di una resistenza, il cui valore non dipende soltanto
159
Figura 3.45: Generatore di clock a due fasi non sovrapposte
dalla capacit del condensatore ma anche dalla velocit con cui commutano
gli interruttori, cio dalla frequenza di clock. Questa caratteristica essenziale
nel progetto dei ltri, perch rende realizzabili dei ltri con frequenza di taglio
funzione della frequenza di clock.
Si pu vericare questa aermazione inserendo una capacit commutata al
posto della resistenza nel pi semplice circuito ltrante studiato nel capitolo
relativo ai ltri attivi: lintegratore.
3.5.2 Integratore
Lo schema di un integratore a capacit commutate riportato in gura 3.46.
Figura 3.46: Integratore a capacit commutate
La funzione di trasferimento ricavabile da quella dellintegratore con capa-
cit e resistenza, sostituendo ad R il valore di resistenza equivalente calcolato
nel paragrafo precedente:
V
u
V
e
=
1
j
f
f0
dove f
0
=
1
2C
2
f
clk
C
1
=
C
1
2C
2
f
clk
Si nota che il valore di f
0
dipende dal rapporto delle due capacit . Il fatto
di avere un rapporto fra condensatori molto importante: infatti le capacit
integrate che si riescono a costruire non sono molto precise, in particolare si
hanno variazioni anche da una realizzazione allaltra del circuito integrato, a
160
seconda dei valori assunti dalle variabili di processo durante la fabbricazione.
Pu accadere ad esempio che lo spessore dellossido che si deposita sul silicio per
creare i condensatori possa cambiare, facendo alterare il valore assoluto del con-
densatore. Se per si considerano due condensatori realizzati vicini nello stesso
chip, si pu assumere che i parametri di fabbricazione siano gli stessi, per cui
i valori delle due capacit variano allo stesso modo; il loro rapporto dipende
a questo punto unicamente dalla relazione fra le aree dei condensatori, quindi
esclusivamente da un fattore di tipo geometrico. Allora se il processo fotograco,
oppure laser, che stato utilizzato per denire quali sono le aree ha una buona
precisione, il rapporto tra i due condensatori avr la stessa precisione indipen-
dentemente dalle variabili di processo. Se il valore assoluto dei due condensatori
ha per esempio una tolleranza del 10%, il rapporto fra i valori ha facilmente delle
tolleranze inferiori al 1%. Supponendo inoltre di voler realizzare un integratore
con una frequenza di guadagno unitaria pari ad 1 kHz, se si realizzasse questo
circuito con la tecnica RC si avrebbe:
f
0
= 1 10
3
Hz =
1
2RC
C =
1
2R 1 10
3
F
Se si usa per R un valore compreso tra 10 k e 100 k, si dovrebbe utiliz-
zare un condensatore dellordine dei nF, ma condensatori di questo ordine di
grandezza sono dicilmente integrabili. Usando invece la tecnica delle capaci-
t commutate la frequenza di guadagno unitario dipende non pi da un valore
assoluto di capacit ma da un rapporto, quindi, se si usa per f
clk
= 100 kHz, si
ottiene:
f
0
= 1 10
3
Hz =
1
2
100 10
3
Hz
C
1
C
2

C
1
C
2

1
16
ovvero si riesce a realizzare un integratore equivalente a quello RC, con due
condensatori di valore molto pi basso, ad esempio C
1
= 1 pF, C
2
= 16 pF.
Altri integratori, cio con diverse frequenze di taglio, possono essere realizzati
semplicemente variando la frequenza f
clk
. La frequenza caratteristica del ltro
proporzionale alla frequenza di temporizzazione f
clk
, rendendo i ltri a ca-
pacit commutate intrinsecamente di tipo programmabile. Uno stesso circuito
pu dunque presentare frequenza di guadagno unitario diversa a seconda della
frequenza con cui commutano gli interruttori; sfruttando questa caratteristica,
in commercio sono dunque presenti ltri universali che hanno una frequenza
di taglio programmabile ad un valore pari, per esempio, ad 1/100 della frequen-
za di clock. Ovviamente il campo di variazione della frequenza di clock non
illimitato, esiste per unampia banda di frequenza in cui possibile utiliz-
zare il circuito in modi diversi, semplicemente variando la f
clk
. I limiti sono
sostanzialmente due:
sulla frequenza di clock;
sulla frequenza del segnale di ingresso.
Questultimo problema evidente se si pensa che si approssimato ad una
corrente lo scambio di pacchetti di carica tra due generatori di tensione. Esistono
per dei casi in cui questa approssimazione non accettabile, in particolare per
frequenze superiori a f
clk
/2. Infatti il circuito in realt un sistema campionato
con un clock a frequenza f
clk
, quindi, per il teorema di Nyquist, si pu ricostruire
161
un segnale in uscita da tale sistema se e solo se la banda del segnale stesso
limitata a met della frequenza di campionamento.
3.5.3 Limiti di frequenza di clock
La realizzazione di un circuito a capacit commutate su singolo chip di sili-
cio viene eettuata impiegando componenti non ideali, che presentano cio dei
parametri parassiti che possono inuire, anche con una certa importanza, sul
comportamento del dispositivo, introducendo alcuni importanti limiti di funzio-
namento. Gli elementi da considerare sono: gli interruttori, realizzati come gi
visto con dei transistor MOS; gli amplicatori operazionali; i condensatori. Per
conoscere il limite superiore alla frequenza di clock applicabile al circuito si deve
analizzare il comportamento in alta frequenza di tutti gli elementi. Per quanto
riguarda linterruttore, esso presenta una resistenza r
on
il cui valore tipico
di 1 k. Utilizzando tale interruttore con una capacit commutata il cui valore
tipico di 10 pF, si ha un circuito equivalente del tipo riportato in gura 3.47.
Figura 3.47: Eetto della r
on
degli interruttori
La carica del condensatore non dunque istantanea, ma si ha una costante di
tempo = r
on
C
1
= 1 10
3
1 10
11
F = 1 10
8
s = 10 ns. Se si desidera
ottenere una determinata precisione nel funzionamento del circuito, necessario
tener presente tale costante di tempo che limita la velocit con cui si carica
il condensatore introducendo un limite alla frequenza di commutazione. Se si
considera carico il condensatore quando il valore di tensione ai capi raggiunge
il valore nale a meno di un fattore 1/1000 (quindi con un errore pari a 0.1%),
occorre mantenere chiuso linterruttore per un tempo pari a circa sette volte
la costante di tempo (si ha infatti che e
7
10
3
) quindi devono trascorrere
circa 7 = 7 10
8
s = 70 ns per raggiungere la tensione nale v
1
(o zero). In
realt , poich il ciclo completo prevede la chiusura prima di S
1
e poi di S
2
,
si avr un periodo di commutazione pari a 2 70 ns = 140 ns per ogni periodo.
Questo fa s che f
clkmax
7 MHz, che rappresenta un limite superiore. Anche
le caratteristiche di banda e di slew-rate dellamplicatore operazionale devono
essere tali da garantire il corretto funzionamento del circuito alla frequenza di
commutazione di S
1
e S
2
.
Per quanto riguarda invece la minima frequenza di clock, il limite principale
viene introdotto dallamplicatore operazionale, in particolare dalla presenza di
correnti di polarizzazione degli ingressi, che modicano la tensione presente sui
condensatori, rappresentando un termine di errore di ampiezza inversamente
proporzionale alla frequenza di commutazione degli interruttori. Il valore di
tali correnti pari a circa 1 pA a temperatura ambiente per gli amplicatori
operazionali MOS normalmente usati nei circuiti a capacit commutate. Con
riferimento alla gura 3.47, considerando il caso in cui S
2
chiuso e S
1
aperto,
162
si pu notare che la corrente di polarizzazione passa in C
1
caricandolo a corrente
costante, quindi si avr una variazione della tensione ai suoi capi. Si consideri
un condensatore di 10 pF e una corrente di 1 pA che lo attraversi, supponendo di
accettare una variazione della tensione ai capi pari ad esempio a 1 mV durante il
periodo di chiusura di S
2
, si pu ricavare qual il massimo intervallo di tempo
in cui S
2
pu rimanere chiuso.
V
C1
=
I
C
1
T T =
CV
C1
I
= 1 10
2
s
Questo signica che frequenze intorno ai 100 Hz (per questo operazionale e
per questo condensatore) sono le pi basse frequenze di clock che si possano
usare senza avere problemi. Il campo di azione per la f
clk
si estende quindi dalle
centinaia di Hertz alle decine di Megahertz.
3.5.4 Eetti delle capacit parassite
Lo schema visto nora per lintegratore a capacit commutate molto semplice,
ma non il migliore. Ogni transistor MOS infatti ha delle capacit parassite che
inuenzano in modo considerevole il funzionamento del circuito. Tali capacit ,
intrinseche e non eliminabili, sono evidenziate in gura 3.48.
Figura 3.48: Capacit parassite presenti in un transistor MOS
La C
gd
e la C
gs
introducono uniniezione di carica sul condensatore durante
la commutazione del MOS, che porta al fenomeno detto di clock feedthrough,
cio alla comparsa nello spettro del segnale di uscita di una componente alla
frequenza di clock. Il problema normalmente non comporta gravi conseguenze,
in quanto la frequenza di clock generalmente molto al di sopra della banda
di segnale utile delluscita. Anche leetto della C
ds
di solito trascurabile, in
quanto porta ad un non perfetto isolamento dellinterruttore, quando aperto,
alle alte frequenze. Le altre capacit parassite modicano invece il circuito reale
dell integratore a capacit commutate, come riportato in gura 3.49.
Osservando il circuito, si nota che il condensatore C
12
in parallelo ad un
generatore di tensione. Quando il generatore varia la tensione ai suoi capi di una
certa quantit , deve fornire un po pi di corrente, assorbita dal condensatore
parassita, per avere la stessa escursione di tensione rispetto al caso in cui non
ci fosse la capacit , ma ci non va ad inuenzare il funzionamento nale del
ltro, quindi C
12
pu essere trascurato. Il condensatore C
22
collegato fra una
massa e una massa virtuale quindi avendo una tensione ai capi costante non
ha eetti. Per quanto riguarda C
11
e C
21
si nota che questi sono in parallelo
al condensatore C
1
e quindi non sono trascurabili ma rappresentano per C
1
un
163
Figura 3.49: Circuito dellintegratore con evidenziate le capacit parassite degli
interruttori
termine di errore. Se si avesse la possibilit di conoscere questi due condensatori
non si avrebbero problemi nelle realizzazioni pratiche, ma il valore dipende dal
processo e dalla tensione applicata, ed inoltre non si ha nessun legame con il
rapporto tra C
1
e C
2
. Queste capacit parassite hanno leetto di alterare la
risposta in frequenza del circuito in modo non noto a priori.
3.5.5 Integratori stray insensitive
Una realizzazione alternativa di un integratore il cui comportamento non
inuenzato dalle capacit parassite dei MOS riportata in gura 3.50.
Figura 3.50: Integratore invertente stray insensitive
Questo circuito realizza ancora un integratore. Infatti, nel periodo di tempo
in cui la fase di clock
2
attiva, i due deviatori sono collegati entrambi a massa
e la carica sul condensatore C
1
nulla. Nel momento in cui il condensatore
viene collegato tra la V
e
di ingresso e il punto di massa virtuale, C
1
assorbe una
carica fornitagli sia da V
e
che dalluscita delloperazionale tramite una corrente
che attraversa C
2
. La quantit di carica quindi la stessa che veniva scambiata
nel caso precedente. In particolare se la V
e
positiva si produce una variazione
di tensione negativa sul condensatore C
2
. Si ha quindi lo stesso funzionamento
dello schema precedente, ma un diverso comportamento delle capacit parassite.
Introducendo esplicitamente tali capacit , come in gura 3.51, si pu notare
che queste non si presentano pi in parallelo a C
1
.
Analizzando la gura, dove si sono omesse C
12
e C
22
per i motivi preceden-
temente esposti, si possono notare le due capacit parassite C
11
e C
21
relative
rispettivamente ai MOS M
1
, M
2
e M
3
, M
4
. In questo caso per il condensatore
C
21
pu essere eliminato poich , come si evince dallo schema, ha un morsetto
(quello sso) a massa e laltro che uttua tra una massa virtuale durante
1
e
unaltra massa durante
2
, quindi non cambia mai la tensione ai suoi capi. La
164
Figura 3.51: Capacit parassite nellintegratore stray insensitive
capacit C
11
, invece, quando attivo
2
, si trova collegata a massa, dunque la
sua carica si esaurir proprio verso massa e non andr ad inuenzare luscita.
Durante la fase
1
il condensatore C
11
si trova in parallelo ad un generatore
di tensione, la carica quindi viene fornita dalla V
e
, ma di nuovo il circuito si
chiude fra V
e
e C
11
e non ha alcun eetto sulluscita. Si pu dunque concludere
che con questa congurazione possibile realizzare un circuito integratore in-
vertente immune da eetti parassiti. Tale schema prende il nome di integratore
Stray-insensitive.
Invertendo la connessione di
1
e
2
solo nella seconda coppia di MOS,
e procedendo ad unanalisi analoga alla precedente, si pu dimostrare che si
ottiene un integratore non invertente (si veda la gura 3.52).
Figura 3.52: Integratore non invertente
Con il metodo delle capacit commutate dunque molto semplice passare da
un integratore invertente ad uno non invertente, poich suciente scambiare
la fase di un deviatore.
3.5.6 Comportamento in frequenza
I ltri a capacit commutate sono dei sistemi tempo-discreti a dati campionati.
Di conseguenza, lipotesi fatta inizialmente di vedere la carica trasferita in pac-
chetti come un usso continuo, cio di mediare i pacchetti di carica ed assimilarli
ad una corrente che uisce continuamente, valida solo quando si considerano
segnali con banda decisamente pi bassa della frequenza di campionamento. Se
si vuole analizzare il comportamento in frequenza di tali circuiti per frequen-
ze di ingresso pi elevate, allora occorre ricorrere a strumenti di indagine pi
appropriati, quali la trasformata Z, e tenere conto del teorema di Shannon e
del conseguente fenomeno dellaliasing. Entrambi i fenomeni, trasferimento di
pacchetti di carica ed aliasing, concorrono in modo diverso a creare notevoli
dierenze nella risposta in frequenza tra i sistemi tempo-continui di riferimento
165
e i ltri a capacit commutate da essi ricavati. Non si eseguir in questa sede
una analisi rigorosa nel dominio della trasformata Z, esiste molta letteratura in
merito. Ci occuperemo invece in modo qualitativo dellaliasing.
Aliasing
I ltri a capacit commutate sono, come gi pi volte notato, dei sistemi a dati
campionati. Il campionamento eettuato sul segnale di ingresso produce quindi,
come ben noto, una serie innita di repliche nello spettro del segnale, centrate
intorno ai multipli della frequenza di clock. Nel segnale di uscita da un ltro
a capacit commutate saranno dunque sempre presenti, oltre alle componenti
spettrali del segnale di ingresso, anche quelle dovute alle repliche create dal
campionamento, anche se attenuate sia dalla risposta in frequenza degli elementi
che compongono il ltro, sia dal fatto che il segnale di uscita dal ltro non
un treno di impulsi, ma un segnale campionato e mantenuto, cosa che altera
il contenuto spettrale del segnale di uscita secondo una nota formula del tipo
sin(x)/x.
Una trattazione rigorosa dei fenomeni correlati pu essere eettuata nel do-
minio della trasformata Z, ma analiticamente complessa e non verr espo-
sta nel seguito. E possibile per trarre alcune interessanti conclusioni anche
mediante considerazioni pi intuitive.
Anche in assenza di aliasing, occorre considerare la presenza di componenti in
frequenza in uscita diverse da quelle del segnale di ingresso. Se consideriamo un
segnale sinusoidale in ingresso al ltro a frequenza f
in
, la componente dovuta al
campionamento a frequenza pi bassa vale f
1
= f
clk
f
in
. Tale frequenza viene
trattata dal ltro come se appartenesse al segnale in ingresso al ltro stesso. Se
la frequenza f
in
molto minore di f
clk
, allora f
1
, essendo prossima a f
clk
, non
pone problemi in quanto fuori dalla banda di interesse del segnale di uscita. Al
contrario, se il segnale di ingresso prossimo a f
clk
/2, f
1
sar non molto diversa
dalla frequenza del segnale di ingresso e quindi dicilmente separabile da essa.
Una conseguenza non ovvia dellaliasing poi la seguente, pi facilmen-
te comprensibile mediante un esempio. Supponiamo di avere un integratore con
f
clk
= 100 kHz e f
0
= 1 kHz. Una sinusoide in ingresso con frequenza f
in
= 1 kHz
ed ampiezza di 1 V, produrr in uscita almeno due componenti, una ad 1 kHz
ed ampiezza 1 V, laltra a 99 kHz, decisamente attenuata. Se ora consideriamo
invece un segnale in ingresso a frequenza di 99 kHz ed ampiezza 1 V, otterre-
mo di nuovo in uscita due componenti, una a 99 kHz ed una ad 1 kHz, a causa
dellaliasing. Per quanto riguarda lampiezza delle due componenti, questa pra-
ticamente identica al caso precedente, cio la componente a 1 kHz ha ampiezza
pari ad 1 V, mentre quella a 99 kHz risulta molto attenuata. Questo spiegabile
poich il campionamento viene eettuato dal circuito sul segnale di ingresso,
quindi un segnale ad 1 kHz ed uno a 99 kHz risultano indistinguibili tra loro.
La conseguenza di questa analisi che quando si utilizzano ltri a capaci-
t commutate occorre sempre prestare molta attenzione al tipo di segnale che
il ltro deve trattare. Al di l delle considerazioni sulla dierenza tra funzio-
ne di trasferimento tempo-continua e tempo-discreta allaumentare della fre-
quenza, i problemi spettrali dovuti al campionamento suggeriscono lutilizzo
dei ltri, se possibile, solo con segnali a frequenza molto pi bassa di quella di
campionamento.
166
In caso il segnale o il rumore presenti allingresso del ltro abbiano com-
ponenti in alta frequenza, consigliabile inserire, a monte del ltro a capacit
commutate, un ltro passa-basso tempo-continuo. Tale ltro sar normalmente
molto semplice, ad esempio un gruppo RC. Molti ltri a capacit commuta-
te recenti integrano un ltro di questo tipo in ingresso. Qualora poi non siano
tollerabili le componeti in alta frequenza generate dal ltro per eetto del cam-
pionamento, un altro semplice gruppo RC posto in uscita pu normalmente
eliminare il problema.
3.5.7 Filtro del secondo ordine con cella biquadratica
La cella biquadratica qui analizzata viene realizzata con solo due amplicatori
operazionali a dispetto di quanto succedeva nel caso visto nel capitolo preceden-
te dove ne erano necessari tre. Questo dovuto al fatto che possibile costruire
un integratore non invertente con un unico operazionale. Occorre ribadire che
non tutte le soluzioni circuitali valide utilizzando resistenze e condensatori sono
direttamente convertibili in circuiti a capacit commutate. Infatti, se la resi-
stenza non si trova tra due punti di bassa impedenza, la sostituzione con una
capacit commutata pi complessa e non viene trattata in questo corso.
Il circuito del ltro riportato in gura 3.53. Il primo stadio un ltro del
primo ordine che agisce sulla somma dei segnali V
e
e V
L
P, mentre il secondo
stadio lavora da integratore non invertente.
Figura 3.53: Filtro del 2

ordine con cella biquadratica

Le relazioni fra le varie grandezze sono:
V
BP
V
e
= QH
BP
e
V
LP
V
e
= H
LP
con f
0
=
1
2
C
1
C
2
f
clk
e Q =
C
1
C
3
Si nota subito che Q e f
0
sono indipendenti tra loro: f
0
modicabile tramite
la f
clk
, C
1
e C
2
, mentre il Q regolabile con C
3
. Un ltro integrato ha dunque la
possibilit di avere una frequenza di taglio ssa rispetto alla frequenza di clock
(
f0
f
clk
), programmata da C
1
e C
2
e nello stesso tempo il Q variabile. Questo
molto importante poich permette al ltro di avere unelevata essibilit ,
semplicemente agendo su un solo componente.
167
Uno degli impieghi tipici delle capacit commutate, come facilmente intui-
bile da quanto detto no ad ora, proprio quello di generare ltri universali.
La cella base utilizzata non normalmente quella biquadratica, ma una con-
gurazione pi complessa che permette limplementazione di tutte le funzioni di
trasferimento standard (passa basso, passa alto, passa banda, ecc), derivata dal
ltro a variabili di stato. I ltri universali si programmano generalmente connet-
tendo opportunamente dei piedini di ingresso/uscita e tarando le caratteristiche
del ltro mediante resistenze di precisione esterne. Luso di resistenze per la
taratura del ltro non in contrasto con la teoria delle capacit commutate. In-
fatti, se internamente ad un circuito integrato dicile realizzare resistenze di
precisione, tali componenti sono invece reperibili a basso costo come componenti
discreti.
3.5.8 Approfondimenti
Largomento dei ltri o pi in generale dei circuiti a capacit commutate
molto vasto. Una trattazione organica richiederebbe molto pi spazio di quello
disponibile in un corso di base di elettronica e coinvolge ambiti diversi che
spaziano dallelettrotecnica alle telecomunicazioni.
Ulteriori approfondimenti possono essere ricercati nella vasta letteratura esi-
stente, applicativa e teorica. Per quanto riguarda la prima, possibile reperire
in rete moltissime informazioni, data-sheet, esempi, dai siti dei produttori di
ltri, ad esempio la Linear Technology, www.linear-tech.com. Una pubblicazio-
ne disponibile su questo sito, particolarmente interessante per una introduzione
agli aspetti pratici del progetto di ltri a capacit commutate, la AN40 Take
the Mystery Out of the Switched Capacitor Filter: The System Designers Filter
Compendium. Per la seconda, un testo molto completo : P.V. Ananda Mohan,
V. Ramachandran, M.N.S. Swamy, Switched capacitor lters : theory, analysis
and design, Prentice-Hall, 1995. Tale testo tratta in modo rigoroso la teoria dei
ltri a capacit commutate e contiene inoltre moltissimi riferimenti bibliograci
su aspetti specici.
168
Capitolo 4
Amplicatori non lineari
Indice
4.1 Amplicatore logaritmico . . . . . . . . . . . . . . 169
4.1.1 Eliminazione della dipendenza da . . . . . . . . . . 170
4.1.2 Riduzione della dipendenza dalla temperatura . . . . 171
4.1.3 Disaccoppiamento delle impedenze . . . . . . . . . . 172
4.1.4 Esempio pratico di progetto . . . . . . . . . . . . . . 172
4.2 Raddrizzatore a singola semionda (diodo ideale) . 177
4.2.1 Prima ipotesi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
4.2.2 Circuito corretto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
4.2.3 Traslazione della caratteristica . . . . . . . . . . . . 181
4.3 Raddrizzatore a doppia semionda . . . . . . . . . . 182
4.3.1 Raddrizzatore a doppia semionda generalizzato . . . 186
4.3.2 Esempio di Progetto . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
4.3.3 Comportamento in frequenza . . . . . . . . . . . . . 191
4.3.4 Scambio dei diodi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
I
circuiti analizzati in questo capitolo impiegano elementi non lineari (dio-
di e transistori) nella rete di retroazione, sebbene gli amplicatori operazio-
nali operino in regime lineare e quindi continuino a valere le due equazioni
costitutive della.o. ideale (v
d
= 0 e i
+
= i

= 0). Quando un operazionale fun-

ziona in modo lineare la f.d.t. del sistema determinata dalla rete di retroazione,
quindi se si introducono elementi non lineari si possono ottenere caratteristiche
V
u
/V
i
non lineari.
4.1 Amplicatore logaritmico
Lo schema riportato nella gura 4.1 rappresenta un circuito in grado di fornire
una caratteristica con andamento logaritmico; per poterla determinare con-
veniente partire osservando che loperazionale si trova in stato di linearit. La
caduta di tensione sul diodo viene indicata con V
D
.
V

= V
+
= 0 = V
u
= V
D
In polarizzazione diretta il legame esponenziale tra la corrente sul diodo I
D
e
la V
D
, come gi visto nel capitolo sulla struttura degli amplicatori operazionali,
169
V
i
R

+
V
D
I
D
V
u
Figura 4.1: Amplicatore logaritmico con reazione a diodo.
:
I
D
= I
S

_
e
VD/(VT )
1
_
I
S
e
VD/(VT )
dove:
V
T
lequivalente in tensione della temperatura, V
T
= kT/q;
detto fattore di idealit, ed un fattore dipendente dal processo di
fabbricazione e dal materiale semiconduttore: 1 < < 2;
I
S
la corrente di saturazione inversa, fortemente variabile con la tempe-
ratura T (in prima approssimazione I
S
raddoppia ogni 10 K di incremento
di T).
possibile risolvere lequazione rispetto alla V
D
per ottenere V
u
= V
D
(I
D
).
_
I
D
= I
S
e
VD/(VT )
I
D
= V
D
/R
= V
u
= V
T
ln
_
V
i
R I
S
_
Quindi luscita proporzionale al logaritmo naturale della tensione di in-
gresso: lamplicatore ha funzione di trasferimento con andamento loga-
ritmico.
4.1.1 Eliminazione della dipendenza da
Per eliminare la dipendenza della tensione di uscita dal parametro , fortemente
dipendente da diodo a diodo, si pu passare allutilizzo di un transistore bipolare
a giunzione, il quale ha un funzionamento molto simile.
Si ricordi che nella caratteristica del BJT non compare il parametro e col-
legando il dispositivo come nella gura 4.2 si utilizza il transistore nel cosiddetto
modo di funzionamento a diodo perch sono cortocircuitati virtualmente base
e collettore
1
perch la prima collegata direttamente a 0 V mentre il secondo
collegato al terminale invertente delloperazionale.
La giunzione base-emettitore pn si comporta in modo analoga a quella
del diodo del circuito precedente e quindi la caratteristica continua ad essere
logaritmica.
1
Un altro esempio di BJT collegato a diodo si ha nel lato debole di uno specchio di corrente,
nel quale base e collettore sono direttamente cortocircuitati.
170
V
i
R

+
V
u
T
1
Figura 4.2: Amplicatore logaritmico con reazione a BJT.
V
i
R

+
V
u
T
1
I
0
V
AL
V

u
T
2
Figura 4.3: Amplicatore logaritmico a BJT con due transistori.
V
u
= V
T
ln
_
V
i
R I
S
_
4.1.2 Riduzione della dipendenza dalla temperatura
Sfruttando le propriet matematiche del calcolo del logaritmo si pu elimi-
nare la dipendenza della caratteristica dalla I
S
introducendo un transistore
supplementare collegato ad una sorgente di corrente.
Dato che la dierenza di logaritmi pari al logaritmo del rapporto degli
argomenti, si pu ottenere la semplicazione di termini uguali nel rapporto se
si utilizza un collegamento appropriato.
In riferimento allo schema di gura 4.3, si pu scrivere una equazione alla ma-
glia nella quale compaiono le due tensioni tra base ed emettitore (ad andamento
logaritmico) e la tensione V
u
di uscita.
171
I
0
= I
S2
e
VBE
2
/VT
= V
BE2
= V
T
ln
_
I
0
I
S2
_
V

u
= V
u
+V
BE2
= V
T
ln
_
V
i
RI
S1
_
+V
T
ln
_
I
0
I
S2
_
Realizzando su di un unico circuito integrato i due transistori, assumendo che
ogni punto dellintegrato sia alla stessa temperatura e che i transistori abbiano la
stessa area, le due correnti di saturazione possono essere considerate identiche:
V

u
= V
T
ln
_
V
i
I
S2
RI
0
I
S1
_
= V
T
ln
_
V
i
RI
0
_
In conclusione la dipendenza dalla corrente di saturazione inversa stata
eliminata introducendo quella dalla corrente I
0
proveniente da un generatore
generico. Esso pu essere realizzato semplicemente collegando il collettore del
secondo transistore T
2
a V
AL
tramite una certa resistenza R
0
, il che porta ad
una corrente:
I
0
=
V
AL
(V
BE2
V
BE1
)
R
0

V
AL
R
0
4.1.3 Disaccoppiamento delle impedenze
Luscita V

u
non un nodo a bassa impedenza, quindi se vi si collegasse un
carico si avrebbe una dipendenza della funzione di trasferimento dalla corrente
assorbita. Si pu risolvere il problema collegando sulluscita un amplicatore
non invertente, che ha anche il vantaggio di permettere di regolare il guadagno
del sistema oltre a disaccoppiare il carico (g. 4.4).
Nello schema si notano alcuni componenti aggiuntivi: V
REF
e R
3
permettono
di traslare la caratteristica duscita, mentre un discorso a parte merita R
4
. La
resistenza R
4
non concorre alla funzione di trasferimento del sistema, ma il suo
eetto quello di stabilizzare il circuito rispetto alle variazioni dei parametri di
funzionamento di T
1
. Infatti la resistenza equivalente vista sullemettitore del
transistor dipende dalla corrente che lo attraversa e al limite pu anche diventare
negativa, generando uno zero nel semipiano di destra del piano complesso e
rendendo il sistema instabile. La resistenza R
4
si pone in serie alluscita del
transistor e diminuisce il guadagno danello.
Ricordando che I
0
pari a V
AL
/R
0
, si pu ricavare la transcaratteristica
nale del circuito.
V
u
= V
T
_
1 +
R
2
R
1
R
3
_
ln
_
V
i
R

R
0
V
AL
_
V
REF

R
2
R
3
4.1.4 Esempio pratico di progetto
Si richiede di progettare un amplicatore logaritmico a partire dalle speciche
seguenti:
la caratteristica deve passare per i punti (V
i
, V
u
): (0.1 V, 10 V), (10 V, 0 V);
dinamica di ingresso: 0.1 V10 V;
amplicatore operazionale tipo LM741;
172
V
i
R

+
R
4
T
1
R
0
I
0
V
AL
T
2

+
R
3
V
REF
R
1
R
2
V
u
Figura 4.4: Amplicatore logaritmico a BJT nella versione migliorata.
tensione di alimentazione 15 V.
La transcaratteristica, disegnata su un piano semi-logaritmico, riportata
in g. 4.5.
Lo schema di riferimento quello della gura 4.4.
Per comodit notazionale si introduce la tensione V
+
al morsetto non inver-
tente delloperazionale del secondo stadio del sistema:
V
+
= V
T
ln
V
i
R I
0
necessario dimensionare i parametri del circuito precedentemente presen-
tato e la prima scelta da fare quella del punto centrale della transcaratteristica,
ossia il punto di lavoro del sistema nel senso un po diverso da quello dei sistemi
lineari. Trattandosi di un amplicatore logaritmico, il punto di lavoro si impone
attraverso i parametri contenuti nellargomento del logaritmo.
Deriva termica
Il punto pi importante da considerare proprio quello in cui la deriva termica si
annulla: esiste un punto della caratteristica nel quale si ha la minima variazione
delluscita al variare della temperatura. Poich la dipendenza dalla temperatura
rappresentata dalla tensione V
T
, il punto a deriva nulla quello in cui il
logaritmo si annulla, ossia in cui largomento ha valore unitario.
V
+
V
T
= ln
V
i
R I
0
=
V
+
V
T
= 0
V
i
R I
0
= 1
173
V
u
V
i
0.1 V 1 V 10 V
2 V
4 V
6 V
8 V
10 V
0 V
Figura 4.5: Transcaratteristica richiesta nellesempio di progettazione 4.1.4.
A seconda di come si posiziona il punto di deriva termica nulla si ottengono
diverse caratteristiche V
+
/V
T
.
Dato che V
T
moltiplica il termine logaritmico, a seconda della temperatura
queste caratteristiche saranno rette con pendenza diversa, se rappresentate su
di un piano semi-logaritmico come abbiamo fatto sopra per le speciche.
La tensione duscita ottenuta da V
+
moltiplicandola per un termine di
guadagno K = 1 + [R
2
/(R
1
R
3
)] e sommando un termine di traslazione
q = V
REF
R
2
/R
3
.
Si possono ricavare q e K osservando che la tensione duscita deve valere
V
u
= q ponendo V
i
pari al valore per cui si annulla il termine logaritmico,
mentre utilizzando qualunque altra coppia di valori assegnata si pu ricavare K
da:
K =
V
u
q
V
T
ln[V
i
/(R I
0
)]
A seconda di come si posiziona il punto a deriva nulla si ottengono diversi
valori del parametro q, mentre K non dipende dalla scelta fatta per R I
0
, infatti
la funzione di trasferimento si pu anche scrivere come:
V
u
= K V
T
ln(V
i
) +K V
T
ln(R I
0
) +q
Essendo assegnata la pendenza della caratteristica, diversi valori di R I
0
pro-
vocano solo variazioni di q.
Ad esempio, ponendo R I
0
= 10 V, si ottiene q = 0 V e
K =
10 V
26 10
3
V ln(0.1 V/10 V)
= 83.518
mentre ponendo R I
0
= 1 V si ha q = 5 V.
Esistono quindi molte possibilit di ottenere la stessa funzione di trasferi-
mento globale, ma qual la migliore?
Se analizziamo le due soluzioni trovate sopra al variare della temperatura,
scopriamo che il comportamento nei due casi diverso. In gura 4.6 sono ri-
portate le curve ottenute a 0

C in verde, a 25

C in blu e a 50

C in rosso, a
174
V
u
V
i
0.1 V 1 V 10 V
2 V
4 V
6 V
8 V
10 V
0 V
V
u
V
i
0.1 V 1 V 10 V
2 V
4 V
6 V
8 V
10 V
0 V
Figura 4.6: Eetto della temperatura sulla caratteristica per le due soluzioni
proposte.
sinistra per R I
0
= 10 V, a destra per R I
0
= 1 V. Si vede chiaramente che la
seconda soluzione migliore della prima in quanto il massimo scostamento dalla
curva blu decisamente pi contenuto. In pratica la scelta migliore consiste nel
piazzare il punto a deriva termica nulla al centro della caratteristica, cio in:
V
i
=
_
V
iMAX
V
iMIN
Questo equivale a imporre:
R I
0
=
_
V
iMAX
V
iMIN
Scelta della resistenza R
La resistenza R rappresenta limpedenza di ingresso del circuito. Inoltre denisce
la corrente che scorre nel transistor T
1
e nelluscita del primo amplicatore
operazionale in funzione della tensione dingresso. Per il suo dimensionamento
occorrer dunque da un lato assicurare che la corrente che scorre in R non superi
mai la massima corrente fornibile dalloperazionale, dallaltro che questa stessa
corrente sia sempre decisamente superiore alla massima corrente di oset.
In pratica, con tensione dingresso massima deve essere:
V
iMAX
R
< I
u1MAX
I
0
con I
u1MAX
pari alla massima corrente duscita delloperazionale. Se si sceglie
I
0
tale da portare il punto a deriva termica nulla al centro della caratteristica,
allora normalmente il contributo di I
0
trascurabile (nel nostro caso pari al
10% della massima corrente dingresso del circuito). Per lLM741 si ha:
R >
10 V
5 mA
= 2 k
Con tensione dingresso minima si ha invece:
V
iMIN
R
I
b
+
I
off
2
175
Inserendo i valori massimi delle correnti di polarizzazione del LM741 si
ottiene:
R
0.1 V
0.6 A
= 167 k
Impostiamo allora R = 15 k.
Corrente I
0
Dalle condizioni viste sopra per la deriva termica possiamo ssare il valore di
I
0
:
I
0
=
1 V
15 k
= 67 A
Per generare tale corrente nel modo pi semplice possibile si ricorre al
collegamento di una resistenza R
0
tra il collettore di T
2
e lalimentazione V
AL
.
Possiamo considerare semplicemente I
0
= V
AL
/R
0
in quanto la tensione
sul collettore di T
2
sempre molto prossima a 0 V (per la precisione pari a
V
BE1
+V
BE2
). Allora possiamo imporre:
R
0
=
15 V
67 A
= 225 k
Il valore normalizzato pi vicino 220 k.
Resistenza di stabilizzazione
Per quanto riguarda R
4
, sappiamo che essa deve essere pi grande possibile con
la condizione di mantenere comunque in linearit loperazionale. Un capo di
R
4
si trova alla tensione V
BE1
, mentre laltro sulluscita delloperazionale.
Quando la tensione dingresso massima la tensione sulluscita delloperazionale
non deve scendere al di sotto di 10 V. Dunque in queste condizioni si pu
pensare di non ammettere su R
4
una caduta di tensione superiore ai 9 V. La
corrente che scorre in R
4
la somma tra quella che scorre nellingresso del
circuito e I
0
. Si ha quindi:
_
V
iMAX
R
+I
0
_
R
4
< 9 V
cio:
R
4
<
9 V
10 V + 1 V
15 k = 12.3 k
Allora R
4
= 10 k rispetta le condizioni imposte anche tenendo conto della
tolleranza della resistenza.
Tensione di riferimento
Sappiamo che la nostra scelta del punto a deriva termica nulla richiede una
traslazione della caratteristica di 5 V (termine q calcolato sopra). Si ha quindi:
q = V
REF

R
2
R
3
= 5 V
176
Occorre scegliere dunque una V
REF
negativa. Lalternativa pi semplice
usare lalimentazione del circuito, cio V
REF
= 15 V. Da questo si ricava il
rapporto tra le resistenze:
R
2
R
3
=
5 V
15 V
=
1
3
Resistenza R
1
Abbiamo gi calcolato K = 1+[R
2
/(R
1
R
3
)] nella sezione sulla deriva termica,
K = 83.518.
Conoscendo la relazione che lega R
2
ed R
3
si pu calcolare il rapporto tra
R
2
e R
1
. Si ottiene:
R
2
R
1
= 82.185
Utilizzando resistenze della serie E12 si possono ssare R
2
= 82 k, R
1
=
1 k e R
3
= 270 k.
1 10
2
2 10
2
3 10
2
4 10
2
2
4
6
8
10
t
V
u
Figura 4.7: Risposta allonda triangolare del circuito progettato.
Si pu vericare la bont del progetto mediante una simulazione Spice del
comportamento del circuito. In g. 4.7 riportata la risposta del circuito ad un
ingresso triangolare di ampiezza pari alla dinamica di ingresso.
4.2 Raddrizzatore a singola semionda (diodo idea-
le)
Il raddrizzatore a singola semionda ideale un circuito che riproduce in uscita,
amplicato e invertito, il segnale presente al suo ingresso V
i
se esso positivo,
mentre presenta uscita nulla quando V
i
< 0 V. In altre parole esso in grado di
eliminare la parte negativa del segnale di ingresso. (g. 4.8).
177
t
V
u
Figura 4.8: Segnale prodotto dal raddizzatore a singola semionda (in blu) a
partire da una tensione sinusoidale (in rosso).
Non bisogna confondere questo circuito con quelli utilizzati in ambito di
potenza, cio con segnali ad elevata tensione e/o corrente. Il circuito che ana-
lizzeremo ora non trasferisce potenza dal segnale dingresso al carico, i suoi usi
sono nel campo dei sistemi di misura o di elaborazione del segnale. Lobiettivo
ottenere un segnale raddrizzato non aetto dallerrore dovuto alla tensione di
soglia dei diodi al silicio.
V
i
R
1

+
R
2
V
D
I
D
V
u
V

u
Figura 4.9: Primo schema del raddrizzatore a singola semionda.
4.2.1 Prima ipotesi
A partire dallamplicatore invertente, proviamo a denire un circuito attivo in
grado di svolgere questo tipo di operazione (g. 4.9). Quando V
i
positiva, la
corrente su R
2
scorre nel verso indicato e la tensione di uscita proporzionale
a quella di ingresso (cambiata di segno) a meno della V

sul diodo; quando V

i
negativo, I
R2
= 0 perch non pu scorrere corrente di retroazione nel diodo
polarizzato inversamente. Ma allora:
V
i
> 0 = V
u
=
R
2
R
1
V
i
V

178
Dove V

la tensione di soglia di accensione del diodo, ossia la caduta di

tensione ai capi del diodo quando esso in conduzione diretta. La transcaratte-
ristica di questo circuito non ha landamento desiderato. Questo chiaramente
visibile in g. 4.10, ottenuta da una simulazione di questo circuito con Spice
(LM741 alimentato a 15 V, R
1
= R
2
= 22 k). Dunque per ingresso positivo
non otteniamo esattamente la caratteristica che ci proponevamo, perch al posto
di cancellare la V

la abbiamo aggiunta alluscita.

10 5 5 10
10
5
5
10
V
i
V
u
Figura 4.10: Transcaratteristica del circuito di g. 4.9. In rosso la caratteristica
desiderata.
Per V
i
< 0 il comportamento ancora pi problematico! Infatti se il diodo
non lascia passare corrente in R
2
, elimina anche la retroazione dellamplicatore
operazionale, per cui V
u
satura alla massima tensione duscita delloperazionale.
Questo spiega landamento della gura 4.10 per tensioni di ingresso negative.
Si potrebbe pensare di eliminare la dipendenza delluscita dalla V

sempli-
cemente prelevando il segnale dallanodo (V

u
) invece che dal catodo del diodo.
Infatti la caduta di tensione sulla resistenza R
2
(lineare) viene prelevata cos
com senza sommare la caduta di tensione del diodo (non lineare). Rimane il
problema della mancanza di retroazione per tensioni di ingresso negative, che
fa s che con tensioni negative lingresso delloperazionale non sia pi a massa
virtuale. Si ottiene quindi una caratteristica di uscita molto diversa da quella
desiderata anche su V

u
(g. 4.11).
4.2.2 Circuito corretto
Mediante lintroduzione del diodo aggiuntivo (g. 4.12) si risolve il problema
dellapertura del feedback: in questo circuito, quando il segnale di ingresso po-
sitivo non si hanno sostanziali variazioni di funzionamento rispetto al circuito
precedente. Quando il segnale di ingresso negativo, invece, il diodo D
2
en-
tra in stato di conduzione e chiude lanello di retroazione, mantenendo lo 0 V
virtuale allingresso invertente delloperazionale, quindi si avr V

u
= 0 V. La
transcaratteristica nalmente corretta (g. 4.13).
179
10 5 5 10
10
8
6
4
2
2
V
i
V

u
Figura 4.11: Transcaratteristica del circuito di g. 4.9 misurata su V

u
. In rosso
la caratteristica desiderata.
Impedenza duscita
Questo circuito ha ancora un problema. Per evidenziarlo, proviamo a valutare
limpedenza vista da V

u
. Quando il segnale di ingresso positivo, V

u
allin-
terno dellanello di reazione dellamplicatore operazionale. Di conseguenza, se
calcolassimo limpedenza mediante generatore di prova, otterremmo lo stesso
risultato gi visto per lamplicatore non invertente nel primo capitolo, sempli-
cemente sostituendo a r
o
la serie di tale resistenza e della resistenza dierenziale
del diodo. Possiamo quindi concludere che in tali condizioni limpedenza vista
da V

u
molto bassa.
Se rifacciamo i conti con segnale dingresso negativo, otteniamo invece un
risultato completamente diverso. In queste condizioni il diodo D
1
interdetto e
R
2
non pi inserita nellanello di reazione delloperazionale. Lingresso inver-
tente si mantiene e massa virtuale grazie a D
2
e quindi inserendo il generatore
di prova otterremmo che limpedenza vale R
2
!
Se si vuole collegare un carico sulluscita V

u
bisogna allora utilizzare obbli-
gatoriamente una congurazione come quella riportata in g. 4.12. Il carico
rappresentato da R
L
ed connesso tra uscita e 0 V. In questo caso, poich con
tensione di ingresso negativa la tensione di uscita nulla, nel carico non scorre
corrente indipendentemente dal valore dellimpedenza di uscita del circuito.
Se invece provassimo ad utilizzare un carico riferito ad unaltra tensione
(rappresentabile cio come resistenza con in serie un generatore di tensione
non nulla), quando la tensione dingresso negativa in uscita si otterrebbe una
tensione diversa da 0 e quindi la caratteristica del circuito dipenderebbe sia dalla
resistenza di carico sia dal valore di tensione equivalente cui tale resistenza
riferita.
Questa osservazione valida anche quando luscita del circuito sia collegata
allingresso di un ulteriore stadio di amplicazione: tale stadio deve essere riferito
a 0 V, cio essere per esempio un amplicatore invertente in cui il morsetto non
invertente sia collegato a 0 V. Altre congurazioni provocano una variazione
della caratteristica duscita del diodo ideale.
180
V
i
R
1

+
R
2
D
1
V

u
D
2
R
L
Figura 4.12: Introduzione di un diodo aggiuntivo per chiudere la reazione
durante la semionda negativa.
4.2.3 Traslazione della caratteristica
possibile modicare il circuito per spostare il punto angoloso dallorigine, cio
fare in modo che la tensione di uscita V
u
sia nulla per tensioni di ingresso V
i
inferiori ad una tensione di soglia diversa da 0 V, che chiameremo V
PA
. Analiti-
camente questa funzione si pu descrivere denendola a tratti con le espressioni
4.1 che corrispondono al graco 4.15.
V
u
=
_
(R
2
/R
1
) (V
i
V
PA
), V
i
> V
PA
0, V
i
< V
PA
(4.1)
Per ottenere leetto desiderato necessario introdurre una tensione aggiun-
tiva V
REF
da sovrapporre allingresso invertente delloperazionale mediante R
3
(g.4.14).
Luscita V

u
nulla se D
2
conduce tutta la corrente proveniente dagli ingressi
. Viceversa V

u
negativa se la resistenza R
2
attraversata da corrente prove-
niente da V
i
e V
REF
, in questa situazione D
1
polarizzato direttamente e D
2
inversamente.
La corrente I
R2
scorre su R
2
se e solo se I
2
> 0 (utilizzando la convenzione
del disegno). Questultima la somma delle correnti che scorrono su R
1
e R
3
,
dal momento che lamplicatore operazionale in stato di linearit e quindi non
assorbe corrente in ingresso.
I
1
+I
3
> 0 =
V
i
R
1
+
V
REF
R
3
> 0 (4.2)
Nel momento in cui la somma delle correnti diventa negativa il diodo D
2
passa in polarizzazione diretta. Quando la somma delle correnti si annulla si ha
la situazione di transizione corrispondente al punto angoloso della caratteristica
graca.
Daltra parte il punto angoloso della caratteristica graca ha come coordinate
elettriche (V
i
= V
PA
, V
u
= 0). Imponendo leq. 4.2 uguale a zero e risolvendo
rispetto a V
i
= V
PA
si trova la relazione V
PA
(V
REF
).
181
10 5 5 10
10
8
6
4
2
2
V
i
V

u
Figura 4.13: Transcaratteristica del circuito di g. 4.12: V

u
in rosso, uscita
delloperazionale in blu.
V
i
R
1
=
V
REF
R
3
= V
i
= V
PA
=
R
1
R
3
V
REF
V
PA
= V
REF
R
1
R
3
(4.3)
V

u
V
i

Vi>VPA
=
R
2
R
1
(4.4)
Questo circuito ha un comportamento analogo a quello di un diodo ideale e
pertanto viene spesso chiamato per questo superdiodo.
4.3 Raddrizzatore a doppia semionda
In molte applicazioni necessario disporre di un circuito in grado di raddrizzare
nel dominio del tempo la componente negativa di un segnale lasciando inalte-
rata quella positiva. Un sistema in grado di compiere questa operazione detto
raddrizzatore a doppia semionda ed dotato di una caratteristica V
u
/V
i
come
quella rappresentata in gura 4.16. Come sopra, occorre prestare attenzione al
fatto che il circuito che analizziamo ora non un raddrizzatore di potenza, ma
serve per elaborare dei segnali, normalmente a scopi di misura.
Matematicamente il circuito rappresenta la funzione valore assoluto. Circui-
talmente il comportamento analogo a quello del diodo ideale invertente ma
complessivamente il sistema devessere composto da due stadi: il raddrizzatore
a singola semionda precedentemente introdotto pi un secondo stadio, in grado
di modicare il segnale per ottenere la funzione richiesta; il circuito riportato
nello schema 4.17.
Il superdiodo inverte la componente positiva di V
i
e la passa allamplicatore
invertente producendo la parte positiva (negata due volte) delluscita. La parte
negativa di V
i
non pu passare attraverso il raddrizzatore, ma viene semplice-
mente invertita dal secondo stadio e perci raggiunge anchessa luscita con un
segno positivo.
182
V
i
R
1
V
REF
R
3

+
R
2
D
1
V

u
D
2
R
L
Figura 4.14: Variante del raddrizzatore a singola semionda con una tensione di
riferimento aggiuntiva.
V
REF
R1
R3

R2
R1
V
i
V

u
Figura 4.15: Transcaratteristica della variante del raddrizzatore a singola
semionda con una tensione di riferimento aggiuntiva.
Analisi quantitativa
Lanalisi del circuito pi semplice se si considera la tensione V
1
di uscita
del primo stadio. Se V
1
negativa si pu determinare luscita V
u
mediante
sovrapposizione degli eetti.
V
u
= V
1
R
4
R
3
V
i
R
4
R
5
In realt V
1
funzione di V
i
. Se V
i
> 0 allora il diodo D
1
conduce e luscita
del primo stadio quella di un amplicatore invertente.
V
i
> 0 = V
1
= V
i
R
2
R
1
= V
u
= V
i
_
R
2
R
1

R
4
R
3

R
4
R
5
_
Quando invece V
i
< 0, D
1
non conduce e dunque V
1
= 0 V. Perci se V
1

nulla allora V
u
solo funzione dellingresso collegato a V
i
tramite R
5
.
V
i
< 0 = V
1
= 0 = V
u
= V
i
R
4
R
5
> 0
183
4 2 2 4
2
4
V
i
V
u
Figura 4.16: Transcaratteristica corrispondente alla funzione valore assoluto di
V
i
.
Si osservi che a seconda del dimensionamento delle resistenze possibile
ottenere qualsiasi pendenza dei due segmenti della caratteristica imponendo
prima il rapporto tra R
4
e R
5
per V
i
< 0 e poi quello tra R
2
e R
1
per V
i
> 0.
Il seguente esempio utile per vericare numericamente come procedere nel
progetto.
Esempio 7. Si suppone di voler realizzare un raddrizzatore tale da riportare in
uscita inalterate le componenti positive e semplicemente ribaltare quelle negative
(pendenze entrambe unitarie), ossia con la transcaratteristica di g. 4.16.
Come stato ricavato dallanalisi precedente, la tensione di uscita quando
lingresso negativo determinata solo dal rapporto tra R
4
e R
5
e anch
la derivata V
u
/V
i
sia unitaria necessario che tali resistenze siano di ugual
valore.
V
u
=
_
V
i
(R
4
/R
5
), V
i
< 0
V
i
[(R
4
/R
3
) (R
2
/R
1
) (R
4
/R
5
)] V
i
> 0

V
u
V
i

Vi<0

=
R
4
R
5
= 1 = R
4
= R
5
V
u
V
i

Vi>0
=
R
4
R
3

R
2
R
1

R
4
R
5
= 1 =
R
4
R
3

R
2
R
1
= 2 (4.5)
Possiamo soddisfare in inniti modi la condizione 4.5, per esempio R
1
= R
2
o R
3
= R
4
, in modo da rendere unitario uno dei due rapporti e semplica-
re la scelta. La scelta successiva riguarda quale dei due rapporti si intende
ottimizzare.
R
2
R
1
= 2;
R
4
R
3
= 1
R
2
R
1
= 1;
R
4
R
3
= 2
184
V
i
R
1

+

+
R
2
D
1
V
1
D
2
R
3
R
4
V
u
R
5
Figura 4.17: Schema circuitale del raddrizzatore a doppia semionda.
la scelta n

1 non del tutto insensata, per quanto raramente utilizzata

dal momento che essa ottimizza gli eetti degli oset sulluscita seppur
riducendo la dinamica del sistema: se serve un sistema preciso, estre-
mamente insensibile alle tensioni e correnti di oset, conviene impiegare
questa soluzione perch amplica in misura minore le componenti di oset
del secondo amplicatore operazionale.
se si intende massimizzare la dinamica di ingresso, scelta piuttosto
comune, conviene adottare la seconda possibilit, ossia rendere unitario il
guadagno del primo amplicatore operazionale.
Il motivo illustrabile con questo esempio: impiegando la prima soluzione con
i parametri seguenti
V
AL
= 15 V V
i
= 10 V
R
2
R
1
= 2
si uscirebbe dalla dinamica di uscita del primo stadio in quanto si dovrebbe
ottenere V
1
= 20 V, condizione chiaramente non realizzabile.
La seconda soluzione invece non crea problemi perch la tensione duscita del
primo operazionale rimane entro i limiti di dinamica, mentre il secondo si trova
s ad amplicare per due la tensione duscita del primo, ma anche a sottrarre il
valore del segnale dingresso. Poich queste operazioni sono eettuate sommando
correnti in un nodo di massa virtuale, non ci sono problemi n tanto che il
risultato non supera la dinamica duscita del secondo operazionale.
Lesempio precedente mette in evidenza il fatto che necessario prestare
grande attenzione in fase di progetto alle dinamiche di ingresso ed uscita dei
singoli stadi che compongono un circuito complesso.
185
1 2 3 4 5
1
2
3
4
V
i
V
u
Figura 4.18: Transcaratteristica lineare a tratti.
4.3.1 Raddrizzatore a doppia semionda generalizzato
A partire dal circuito analizzato nella sezione precedente possibile ottenere un
sistema in grado di fornire una caratteristica pi elaborata, introducendo delle
tensioni di riferimento che traslino le coordinate del punto angoloso e allo stesso
tempo programmando pendenze dei due segmenti diverse tra di loro.
Il sistema risultante potrebbe trovare delle applicazioni nellelaborazione di
segnali che devono essere amplicati in modo selettivo rispetto al livello di
tensione. Per esempio si potrebbe voler ottenere una transcaratteristica come
quella in g. 4.18.
Il punto di partenza il raddrizzatore a doppia semionda al quale vengono
aggiunte due tensioni di riferimento V
R1
e V
R2
(g. 4.19) che rappresentano
nuovi gradi di libert del sistema. Il principio di funzionamento analogo a
quello del diodo ideale con laggiunta di V
REF
.
Eetto della tensione V
R1
Consideriamo dapprima un sistema con la sola tensione di riferimento V
R1
. Lo
scopo della V
R1
quello di modicare la V
i
corrispondente al punto angoloso.
Anche in questo caso occorre scrivere lequazione al nodo al quale collegato il
terminale invertente del primo a.o. quando si ha D
2
in polarizzazione inversa e
quindi tutta la corrente proveniente da R
1
e R
6
circola in D
1
.
I
R2
=
V
i
R
1
+
V
R1
R
6
> 0 = V
1
< 0
V
i
> V
R1

R
1
R
6
= V
PA
= V
1
< 0
Allora quando V
i
> V
PA
il primo stadio (raddrizzatore a singola semionda)
inverte ed eventualmente amplica V
i
e V
R1
fornendo una V
1
< 0 che dipende
da questi due ingressi.
186
V
R1
R
6
V
i
R
1

+

+
R
2
D
1
V
1
D
2
R
3
R
4
V
u
R
5
R
7
V
R2
Figura 4.19: Schema circuitale del raddrizzatore a doppia semionda
generalizzato.
V
i
> V
PA
= V
1
=
_
V
i
R
1
+
V
R1
R
6
_
R
2
2 2 4 6 8
2
2
4
V
i
V
u
Figura 4.20: Traslazione dovuta a V
R1
sulluscita di un raddrizzatore a doppia
semionda. In rosso: ramo positivo della caratteristica senza V
R1
Contemporaneamente la V
R1
ha anche un eetto su V
u
quando non bloc-
cata dal raddrizzatore (cio quando V
i
> V
PA
), quindi complessivamente questa
tensione di riferimento trasla la caratteristica elementare sia rispetto a V
i
che
rispetto a V
u
(traslazione obliqua, in termini geometrici). In g. 4.20 si pu no-
tare leetto di traslazione della sola V
R1
su un raddrizzatore a doppia semionda
con guadagno 3/2 per V
i
< V
PA
e 1 per V
i
> V
PA
, con V
PA
= 2 V.
187
V
i
< V
PA
= V
u
= V
i
R
4
R
5
(4.6)
V
i
> V
PA
= V
u
= V
i
_
R
2
R
4
R
1
R
3

R
4
R
5
_
+V
R1
R
2
R
4
R
6
R
3
(4.7)
possibile determinare le coordinate elettriche del punto angoloso nel piano
V
u
/V
i
imponendo V
i
= V
PA
(V
R1
) e calcolando luscita corrispondente. Il punto
angoloso appartiene a entrambi i segmenti, ma lespressione pi semplice 4.6
permette di semplicare le sostituzioni.
V
PA
= V
R1
R
1
R
6
V
u
(V
i
= V
PA
) = V
R1
R
1
R
4
R
6
R
5
Al variare di V
R1
sia V
i
che V
u
subiscono delle variazioni come si era aermato
qualitativamente parlando di traslazione obliqua della caratteristica. Inoltre
molto importante notare che lo spostamento del punto angoloso P.A. avviene
lungo una retta con pendenza costante determinabile analiticamente.
V
u
(V
PA
)
V
i
=
R
4
R
5
In eetti il P.A. corrisponde ad una tensione di ingresso tale da portare il
raddrizzatore a singola semionda nella situazione limite in cui la sua uscita V
1
si annulli. Quando V
1
= 0 allora luscita del sistema V
u
dipende solo da V
i
come
stato aermato precedentemente. Perci la V
u
varia con V
PA
con landamento
del secondo stadio (amplicatore invertente).
Eetto della tensione V
R2
In conclusione del paragrafo precedente stato dimostrato che la V
R1
trasla
obliquamente la caratteristica V
u
/V
i
; per poter traslare il punto angoloso in una
posizione qualsiasi del piano cartesiano necessario introdurre una ulteriore
tensione di riferimento V
R2
.
La V
R2
viene introdotta nel sistema a valle del raddrizzatore a singola se-
mionda perch il suo eetto sulluscita non dipenda dal valore della V
i
a dieren-
za di quanto avviene per V
R1
. Il contributo su V
u
dovuto a V
R2
pertanto sempre
presente e quindi consente di traslare verticalmente di un valore desiderato il
graco della caratteristica.
In altre parole la prima tensione di riferimento trasla obliquamente la ca-
ratteristica e la seconda la trasla verticalmente. Leetto di V
R2
su V
u
quello
tipico di un segnale di polarizzazione introdotto in un amplicatore invertente.
V
u
|
VR2
= V
R2

R
4
R
7
Caratteristica complessiva
La caratteristica generica nale che tiene conto dei vari contributi portati dai
parametri di progetto del circuito riportata nello schema di gura 4.21.
Sono presenti ben pi gradi di libert rispetto ai circuiti precedenti, con la
possibilit di ottenere forme donda pi elaborate. Lo scopo di questo paragrafo
188
2 2 4
2
2
4
6
V
i
V
u
V
R1
e V
R2
No V
R
V
R1
V
R2
Figura 4.21: Eetti singoli e combinati delle traslazioni introdotte da V
R1
e V
R2
sulla caratteristica del circuito di g. 4.19.
di riassumere i parametri delle forme donda ottenibili con questo circuito. In
particolare si aggiunto anche il valore delluscita con ingresso nullo.
le coordinate del punto angoloso, limite tra la regione di funzionamento
come raddrizzatore e amplicatore non invertente del segnale di ingresso
V
i
, dipendono dalle tensioni di riferimento.
V
i,PA
= V
R1
R
1
R
6
V
u,PA
= V
R1
R
1
R
4
R
6
R
5
V
R2
R
4
R
7
lamplicazione del segnale a destra del punto angoloso dipende dai valori
delle resistenze R
1
, R
2
, R
3
, R
4
ed R
5
; pu essere positiva o negativa a
seconda dei valori di queste:
V
+
u
=
V
u
V
i

Vi>VPA
=
R
2
R
4
R
1
R
3

R
4
R
5
lamplicazione del segnale a sinistra del punto angoloso dipende dai valori
delle resistenze R
4
ed R
5
e ha segno negativo perch coinvolto il solo
secondo stadio che un amplicatore invertente.
V

u
=
V
u
V
i

Vi<VPA
=
R
4
R
5
189
il valore di V
u
quando lingresso nullo dipende dalle tensioni di riferi-
mento.
V
PA
< 0 = V
u
(V
i
= 0) = V
R1
R
2
R
4
R
6
R
3
V
R2
R
4
R
7
V
PA
> 0 = V
u
(V
i
= 0) = V
R2
R
4
R
7
4.3.2 Esempio di Progetto
Dimensionare il circuito raddrizzatore a doppia semionda che fornisca la trans-
caratteristica mostrata precedentemente (g. 4.18), ipotizzando V
AL
= 15 V.
Dal graco si possono facilmente ricavare le pendenze dei due segmenti cor-
rispondenti alle amplicazioni degli stadi alle quali sono legati i rapporti delle
resistenze.
V

u
=
R
4
R
5
=
1 V 4 V
2 V 0 V
=
3
2
Dallintersezione della spezzata con lasse delle ordinate si ricava il valore
delluscita in corrispondenza di ingresso nullo, a cui legata la sola tensione di
riferimento V
R2
dato che il punto angoloso ha ascissa positiva.
V
u
(V
i
= 0) = V
R2

R
4
R
7
= 4 V = V
R2
< 0
Dal momento che necessaria una V
R2
negativa, essa pu essere posta pari
alla tensione di alimentazione 15 V che disponibile da speciche, dimensio-
nando R
4
e R
7
in modo che, invece di amplicare, attenuino i 15 V portando
un contributo di 4 V richiesti sulluscita.
V
u
|
VR2=VAL
= 15 V
R
4
R
7
= 4 V =
R
4
R
7
=
4
15
Lamplicazione a destra del punto angoloso unitaria, pertanto ci si ri-
trova in una situazione analoga a quella incontrata nel corso del progetto del
raddrizzatore a singola semionda eettuato in precedenza. Supponendo di voler
massimizzare la dinamica di ingresso si impone guadagno unitario per il primo
stadio di amplicazione.
V
+
u
=
4 V 1 V
5 V 2 V
= 1
R
4
R
3

R
2
R
1

3
2
= 1 =
R
4
R
3

R
2
R
1
=
5
2
R
2
R
1
= 1 =
R
4
R
3
=
5
2
Lultimo parametro da stabilire V
R1
e per fare ci si considera lascissa del
punto angoloso. Anche in questo caso la tensione di riferimento viene imposta
uguale a V
AL
e si determina il rapporto tra R
1
e R
6
che ssi la V
i,PA
desiderata.
190
V
i,PA
= V
R1
R
1
R
6
= V
AL
R
1
R
6
= 2 V =
R
1
R
6
=
2
15
Occorre ssare il valore assoluto di almeno due resistori e ricavare gli altri,
considerando le caratteristiche di corrente ed oset dellamplicatore operazio-
nale utilizzato. Supponendo un amplicatore tipico e volenfo utilizzare solo com-
ponenti della serie E12, possiamo per esempio ssare R
2
= 27 k ed R
4
= 68 k.
Con questi valori si ricavano: R
5
= 47 k, R
3
= 27 k, R
1
= 27 k, R
6
= 220 k
ed R
7
= 270 k.
4.3.3 Comportamento in frequenza
Si nota inne che il comportamento in frequenza del raddrizzatore a doppia se-
mionda non particolarmente buono, il circuito utilizzabile solo per frequenze
molto al di sotto del prodotto banda guadagno degli amplicatori operazionali.
Questo perch il secondo operazionale somma il segnale proveniente direttamen-
te dallingresso con il segnale alluscita del primo stadio, che per da questo
ritardato. Ad alta frequenza ci porta a delle signicative distorsioni delluscita.
4.3.4 Scambio dei diodi
In tutta la trattazione precedente abbiamo sempre considerato il diodo ideale
costituito dai diodi D
1
e D
2
orientati come in gura 4.12, perch questo il caso
pi comune. Si pu ovviamente costruire un diodo ideale scambiando anodo e
catodo in entrambi i diodi. In questo modo viene amplicata e invertita la sola
parte negativa del segnale dingresso. Si pu costruire anche un raddrizzatore a
doppia semionda a partire da un diodo ideale di questo tipo.
Si lascia allo studente ricavare la caratteristica di questo circuito, che pu
ovviamente essere traslata con opportune tensioni di riferimento.
191
Capitolo 5
Amplicatore operazionale
fuori linearit
Indice
5.1 Comparatori di soglia . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
5.1.1 Comparatore invertente . . . . . . . . . . . . . . . . 193
5.1.2 Comparatore non invertente . . . . . . . . . . . . . . 194
5.1.3 Comparatori e decisione binaria . . . . . . . . . . . . 195
5.1.4 Sensibilit al rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
5.1.5 Comparatori con isteresi . . . . . . . . . . . . . . . . 195
5.1.6 Realizzazione circuitale dei comparatori di tensione . 199
5.2 Multivibratori astabili . . . . . . . . . . . . . . . . 200
5.2.1 Schema circuitale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
5.2.2 Analisi quantitativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
5.3 Generatore di onda triangolare . . . . . . . . . . . 203
5.3.1 Analisi quantitativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . 204
5.3.2 Esempio teorico/pratico di progetto . . . . . . . . . 205
5.4 Oscillatori sinusoidali . . . . . . . . . . . . . . . . . 214
5.4.1 Condizioni di Barkhausen . . . . . . . . . . . . . . . 214
5.4.2 Realizzazione pratica . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
5.4.3 Oscillatore a ponte di Wien . . . . . . . . . . . . . . 216
5.4.4 Oscillatore a sfasamento . . . . . . . . . . . . . . . . 218
5.4.5 Oscillatori a tre punti . . . . . . . . . . . . . . . . . 221
5.4.6 Oscillatori al quarzo . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224
5.5 Voltage Controlled Oscillator (VCO) . . . . . . . . 226
5.5.1 Analisi del funzionamento . . . . . . . . . . . . . . . 227
5.5.2 circuito alternativo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
L
amplificatore operazionale utilizzabile fuori dallo stato di linearit,
cio senza un anello di retroazione negativa, per ottenere circuiti molto
diversi dagli amplicatori studiati nora. Quando loperazionale non opera in
stato di linearit non sono pi valide le equazioni utilizzate nei capitoli preceden-
ti per studiare il componente ideale, cio annullamento delle correnti entranti
nei terminali di ingresso e della tensione dierenziale. In assenza di una rea-
zione negativa, il grande guadagno di tensione tra ingresso e uscita fa s che
il componente non si comporti pi come un amplicatore. Analizzeremo dap-
192
prima circuiti dove loperazionale funziona ad anello aperto, successivamente
studieremo gli eetti di un anello di retroazione positiva.
5.1 Comparatori di soglia

+
V
i
V
R
V
u
V
u
V
i
V
OH
V
R
V
OL
Figura 5.1: Schema circuitale del comparatore di soglia invertente e relativa
transcaratteristica.
Lamplicatore operazionale ad anello aperto a tutti gli eetti un compa-
ratore di soglia. La transcaratteristica rappresentata in gura 5.1. Il circuito
accetta in ingresso una coppia di segnali continui, che possono assumere ideal-
mente qualsiasi valore, e produce una uscita discreta binaria che pu assumere
solo due possibili valori.
5.1.1 Comparatore invertente
Il circuito rappresentato nella g. 5.1 detto comparatore di soglia invertente e
la tensione ssa V
R
presente sul terminale non invertente chiamata comune-
mente tensione di riferimento. Il segnale di ingresso V
i
collegato al morsetto
invertente.
Il guadagno dierenziale delloperazionale ad anello aperto elevatissimo
(ad esempio 1 10
5
) quindi un segnale dierenziale molto piccolo in ingresso
dovrebbe produrre in uscita livelli di tensione molto elevati, tuttavia la dinamica
di uscita limitata dalla tensione di alimentazione.
Quando loperazionale riceve in ingresso un segnale dierenziale di 1 mV,
idealmente dovrebbe amplicarlo no a 1 mV 1 10
5
= 100 V. Dato che la
massima tensione presentabile in uscita leggermente inferiore alla V
AL
, luscita
del circuito reale assumer tale valore, che chiameremo V
OH
.
Infatti, uscendo dai limiti di dinamica duscita, loperazionale entra in satu-
razione e luscita raggiunge e si stabilizza sui valori estremi della dinamica.
Quando la tensione dierenziale v
d
negativa, lamplicatore tende ad am-
plicarla in uscita no allestremo negativo della dinamica di uscita, indicato
193
con il simbolo V
OL
. Vice versa, quando v
d
positiva allora loperazionale satura
alla tensione massima di uscita V
OH
.
V
u
=
_
V
OH
v
d
> 0 = V
R
V
i
> 0 = V
i
< V
R
V
OL
v
d
< 0 = V
R
V
i
< 0 = V
i
> V
R
Quando la V
i
assume un valore analogo a V
R
, si pu approssimare landa-
mento della transcaratteristica V
u
(V
i
) con un segmento di retta verticale, dato
che la pendenza data dallamplicazione dierenziale A
d
.
Laggettivo invertente attribuito a questa congurazione deriva dal fatto
che: quando la tensione di ingresso superiore a quella di riferimento allora
luscita assume il valore V
u
= V
OL
; invece quando V
i
< V
R
allora V
u
= V
OH
. Il
segnale di ingresso collegato al morsetto invertente.
5.1.2 Comparatore non invertente
Se si scambiano tra loro il segnale di ingresso e la tensione di riferimento, colle-
gando il primo sul terminale non invertente e la secondo sullaltro morsetto, si
ottiene un comparatore di soglia non invertente (g. 5.2).
In questa congurazione il segnale dierenziale che comanda luscita dato
dalla dierenza v
d
= V
i
V
R
e quindi luscita alta quando V
i
superiore a V
R
.
V
u
=
_
V
OH
v
d
> 0 = V
i
V
R
> 0 = V
i
> V
R
V
OL
v
d
< 0 = V
i
V
R
< 0 = V
i
< V
R

+
V
R
V
i
V
u
V
u
V
i
V
OH
V
R
V
OL
Figura 5.2: Schema circuitale del comparatore di soglia non invertente e relativa
transcaratteristica.
Le informazioni sulla dinamica di uscita di un certo amplicatore opera-
zionale si possono ricavare dal suo datasheet. Infatti dispositivi realizzati con
tecnologie diverse possono avere dierenze di dinamica sensibili, anche se in
linea di massima le due tensioni ottenute sono prossime a V
AL
.
194
5.1.3 Comparatori e decisione binaria
Al variare della tensione di ingresso, il comparatore ha solo due possibili valori
per la tensione di uscita: V
OL
e V
OH
; esso un primo esempio di interfaccia tra
il mondo analogico e quello digitale.
Quando necessario un elemento che compia una scelta binaria (si/no)
rispetto ad uninformazione dingresso di tipo continuo, si pu impiegare un
comparatore. Esso confronta il livello dellingresso con quello di riferimento e
trasmette in uscita lesito del confronto.
Per ottenere un comportamento di questo tipo necessario utilizzare un
componente dal comportamento fortemente non lineare. Il comparatore associa
un livello di tensione di uscita unico a tutti i livelli di ingresso appartenenti a
uno dei due possibili insiemi in cui vengono divise le tensioni di ingresso V
i
.
Luscita non dipende pi dal valore specico dellingresso, ma dipende dal-
linsieme a cui esso appartiene.
5.1.4 Sensibilit al rumore
I comparatori analizzati nei paragra precedenti hanno il difetto di essere estre-
mamente sensibili al rumore quando il livello del segnale di ingresso circa
uguale a quello di riferimento.
Tutti i segnali sono soggetti al rumore indotto dallalimentazione, dallagita-
zione termica o da disturbi elettromagnetici esterni. Il rumore modellizzabile
come un segnale dalle caratteristiche casuali che si sovrappone a quello utile.
Normalmente lampiezza del segnale di rumore molto ridotta: la probabilit
che si verichi un impulso di rumore di ampiezza elevata remota. Quindi se il
segnale di ingresso ha un valore molto pi grande o molto pi piccolo di quello
di riferimento V
R
, improbabile che si verichi una commutazione delluscita
dovuta al rumore sovrapposto a V
i
.
Invece, se il segnale di ingresso ha un valore prossimo a quello di riferimento,
suciente una piccola tensione di rumore per portare il segnale totale di
ingresso oltre la soglia V
R
provocando una commutazione indesiderata perch
non dovuta a V
i
(graco superiore della gura 5.3).
Nel caso limite in cui V
i
= V
R
tutte le commutazioni sono dovute al rumore
e quindi luscita V
u
diventa funzione del rumore, rendendo casuale luscita del
sistema.
5.1.5 Comparatori con isteresi
Per migliorare le prestazioni del sistema in prossimit del valore di soglia
possibile introdurre il concetto di isteresi, in modo da creare una coppia di
livelli di riferimento invece che uno solo.
Invece di commutare ogni volta che viene attraversata una singola soglia,
si fa in modo da avere la transizione delluscita in corrispondenza di due soglie
separate per transizione in salita e in discesa, aumentando lampiezza del segnale
di rumore necessario alla commutazione e quindi diminuendo la probabilit che
essa si verichi a causa del disturbo (graco inferiore della gura 5.3).
195
t
V
i
, V
u
Comparatore senza isteresi
t
V
i
, V
u
Comparatore con isteresi
Figura 5.3: Nei graci: segnale ideale in ingresso in rosso e sommato a rumore in
verde; segnale duscita senza rumore in blu, con rumore in nero. Linee orizzontali
blu: tensioni di soglia
Comparatore invertente
Per avere unisteresi nel comportamento del circuito la commutazione deve av-
venire per valori diversi di V
i
a seconda di quale livello di uscita sia presente:
questo risultato pu essere ottenuto applicando una retroazione positiva al cir-
cuito, secondo lo schema rappresentato in gura 5.4. Il segnale di uscita viene
riportato allingresso sul terminale non invertente e perci viene sommato a V
i
.
Poich loperazionale fuori linearit non valgono pi le solite condizioni di
funzionamento: V
+
= V

. Si aggiunge per unaltra informazione: la tensione

di uscita ha natura binaria, ossia pu assumere solo uno di due valori (V
OL
e
V
OH
). Invece la resistenza di ingresso delloperazionale si pu sempre considerare
elevata, dunque si pu comunque trascurare la corrente entrante nei morsetti
delloperazionale.
Dallanalisi del circuito di gura 5.4 si pu determinare lespressione della
tensione al morsetto non invertente (V
+
(V
u
, V
R
)) e calcolare per quali valori
della tensione di ingresso V
i
si raggiunga la commutazione, a seconda del valore
presente in uscita V
u
.
V
+
= V
R

R
2
R
1
+R
2
+V
u

R
1
R
1
+R
2
196

+
V
i
V
R
R
1
V
+
R
2
V
u
V
u
V
i
V
OH
V
S1
V
S2
V
OL
Figura 5.4: Comparatore di soglia invertente con isteresi, circuito e caratteristica
Tenendo presente che lingresso collegato al terminale invertente e quindi
il comparatore invertente, conviene ipotizzare che lingresso sia a un livello di
tensione molto negativo, comunque minore della tensione V
+
, mentre luscita sia
al livello V
OH
. Con queste ipotesi possibile determinare il valore della tensione
di ingresso V
i
che eguaglia la V
+
e da la commutazione delluscita V
OH
V
OL
;
il simbolo di tale tensione di soglia V
S1
.
V
i
= V
+
|
u=H
= V
i
= V
S1
= V
R

R
2
R
1
+R
2
+V
OH

R
1
R
1
+R
2
Analogamente si pu supporre di essere nella condizione di ingresso alto
(maggiore di V
+
) e uscita bassa, imporre luguaglianza tra le tensioni di V
+
e
V
i
e ricavare la tensione di soglia V
S2
della commutazione delluscita da basso
ad alto.
V
i
= V
+
|
u=L
= V
S2
= V
R

R
2
R
1
+R
2
+V
OL

R
1
R
1
+R
2
Si noti che V
R
non coincide con il valore medio di V
S1
e V
S2
e che V
S1
> V
S2
.
Due parametri importanti del sistema sono lampiezza dellisteresi V
S1
V
S2
e il suo valore medio.
V
S1
V
S2
= (V
OH
V
OL
)
R
1
R
1
+R
2
V
S1
+V
S2
2
= V
R

R
2
R
1
+R
2
+
V
OH
+V
OL
2

R
1
R
1
+R
2
Nel caso in cui gli estremi della dinamica di uscita della.o. siano simmetrici
e quindi V
OL
e V
OH
siano uguali a meno del segno, si possono ricavare delle
espressioni semplicate sia per quanto riguarda lampiezza dellisteresi sia per
il valor medio.
V
OH
= V
OL
= V
S1
V
S2
= 2V
OH

R
1
R
1
+R
2
197
V
OH
= V
OL
=
V
S1
+V
S2
2
= V
R

R
2
R
1
+R
2
Si cos dimostrato che listeresi non centrata su V
R
, a meno di V
R
nulla,
ossia che V
R
non il valore medio dellisteresi. Il valore medio sempre inferiore
in modulo a V
R
, se |V
R
| > 0.
Comparatore non invertente

+
V
R
V
i
R
1
V
+
R
2
V
u
V
u
V
i
V
OH
V
S1
V
S2
V
OL
Figura 5.5: Comparatore di soglia con isteresi non invertente: circuito e
caratteristica
Il comparatore di soglia non invertente ha lo schema circuitale riportato
in gura 5.5; il funzionamento analogo, ma luscita alta quando lingres-
so superiore alla soglia alta. Anche in questo caso necessario determinare
lespressione che lega la tensione del terminale non invertente al livello di uscita.
V
+
= V
+
(V
i
, V
u
) = V
i

R
2
R
1
+R
2
+V
u

R
1
R
1
+R
2
Il valore della soglia quello per cui V
+
= V
R
; ci si mette nellipotesi di
avere uscita bassa V
u
= V
OL
e si cerca lentit della tensione di ingresso che
determina la soglia di transizione da basso ad alto.
V

= V
+
= V
R
= V
+
(V
i
= V
S1
, V
u
= V
OL
)
V
R
= V
S1

R
2
R
1
+R
2
+V
OL
R
1
R
1
+R
2
V
S1
= V
R

R
1
+R
2
R
2
V
OL

R
1
R
2
In maniera del tutto analoga, partendo dalla condizione di uscita alta, si
ricava lespressione della soglia corrispondente alla transizione alto-basso del
segnale duscita.
V
S2
= V
R

R
1
+R
2
R
2
V
OH

R
1
R
2
198
Le espressioni dellampiezza e del valore medio dellisteresi sono analoghe a
quelle del comparatore invertente:
V
S1
V
S2
=
R
1
R
2
(V
OH
V
OL
)
V
S1
+V
S2
2
= V
R

R
1
+R
2
R
2
(V
OH
+V
OL
)
R
1
2R
2
Nel caso di dinamica di uscita simmetrica , cio V
OL
= V
OH
, si ottengono
espressioni semplicate dei due parametri.
V
S1
V
S2
= 2
R
1
R
2
V
OH
V
S1
+V
S2
2
= V
R

R
1
+R
2
R
2
Anche nel caso del comparatore non invertente dunque il valor medio delle so-
glie non coincide con V
R
a meno che V
R
sia nulla. In questo comparatore il valor
medio delle soglie sempre in modulo maggiore della tensione di riferimento.
5.1.6 Realizzazione circuitale dei comparatori di tensione
Sebbene qualunque amplicatore operazionale possa essere utilizzato come com-
paratore, possibile creare una versione circuitale dellamplicatore ottimizzata
per questo uso. In particolare interessa avere slew-rate elevato, bassi oset, am-
pia dinamica dingresso dierenziale, elevata impedenza dingresso, basse corren-
ti dingresso anche fuori dalla zona di funzionamento lineare. Molti amplicatori
operazionali costruiti per lavorare in linearit hanno dei diodi a protezione degli
ingressi che entrano in conduzione in caso di elevata tensione dierenziale. Tali
circuiti creano problemi in quanto le correnti di ingresso diventano molto elevate
in situazioni che non si vericano nelluso lineare ma sono normali nelluso con
reazione positiva. Inoltre il condensatore di compensazione inutile nel caso dei
comparatori e limita fortemente lo slew-rate del circuito. Altra caratteristica
richiesta unelevata velocit di uscita dalla saturazione, cosa non garantita
dagli operazionali costruiti per lavorare in linearit.
Come gi ampiamente spiegato, luscita del comparatore di soglia digita-
le, assumendo solo due possibili valori. In molti casi, luscita del comparatore
deve essere collegata allingresso di una porta logica. Uno schema comune della
porzione di uscita di un comparatore di soglia riportato in gura 5.6, in cui
si hanno due terminali collegati al collettore ed allemettitore di un BJT che
sostituisce lo stadio di potenza di uscita delloperazionale. Lemettitore col-
legato ad un riferimento di tensione di valore prossimo alla V
OL
del circuito.
Dualmente, il collettore collegato a quella che si vuole che sia V
OH
mediante
la resistenza di pull-up del circuito (R
PU
).
Questo transistore funziona da interruttore: se I
b
0, allora il BJT va in
stato di saturazione e V
C
V
E
(a meno di una piccola caduta di tensione, al
massimo nellordine dei 0, 2 V). La tensione in uscita in questo stato V
OL
, dal
momento che la tensione di emettitore sar prossima a quella di collettore; se
I
b
= 0, invece, il BJT va in stato di interdizione e la tensione di uscita sale a
V
OH
.
199
I
b
V
L
R
PU
V
H
V
u
Figura 5.6: Modello circuitale della sola parte di uscita di un comparatore di
soglia open collector.
Questo tipo di uscita detta open collector. Nei capitoli dedicati ai tran-
sistor in commutazione e alle porte logiche studieremo pi approfonditamente
il comportamento di questo stadio.
5.2 Multivibratori astabili
Una interessante applicazione dei circuiti appena studiati il multivibratore
astabile. Esso un generatore donda quadra. Il nome astabile deriva dal fatto che
il circuito ha due soli stati di funzionamento, nessuno dei quali denitivamente
stabile: luscita rimane in uno degli stati solo per un tempo denito, saltando poi
repentinamente nellaltro stato, dove si rimarr per un certo tempo, e continuare
ad oscillare tra uno e laltro.
Per ottenere la commutazione automatica ciclica da uno stato allaltro si
pu pensare di partire dal comparatore di soglia invertente con isteresi al quale
applicare un segnale di ingresso che aumenta nel tempo (quando luscita alta)
no a provocare la commutazione (portare luscita a livello basso) e poi iniziare
a scendere per provocare la transizione opposta (auto-oscillazione).
Per ottenere un andamento variabile della tensione nel tempo, possibile
impiegare degli elementi reattivi (in pratica, un condensatore) che si comportano
come accumulatori di energia. Quando la tensione ai loro capi raggiunge un
certo livello in seguito al processo di carica, si deve ottenere la commutazione: il
cambio di stato deve corrispondere al passaggio ad una fase di scarica che porti
alla commutazione inversa in un certo intervallo di tempo. Il ciclo carica-scarica
si deve ripetere continuamente per produrre la forma donda desiderata.
5.2.1 Schema circuitale
Lo schema del multivibratore astabile riportato in gura 5.7. Nellanalisi si
mantiene lipotesi di correnti nulle entranti nei morsetti di ingresso dellopera-
zionale. In questo modo gli elementi passivi R e C si trovano sostanzialmente
collegati in serie.
Si pu notare che il circuito basato su di un comparatore di soglia inverten-
te, per cui la tensione duscita pu valere solo V
OH
o V
OL
. In questo comparatore
200

+
C V
C
R
R
1
V
+
R
2
V
u
Figura 5.7: Schema circuitale del multivibratore astabile.
di soglia la tensione di riferimento 0 V. Questa soluzione rende il circuito pi
semplice da studiare ma pu essere applicata solo se lamplicatore operazionale
viene alimentato in modo bipolare. Se si utilizza una sola tensione di alimenta-
zione, allora uso comune porre la tensione di riferimento a met tensione di
alimentazione. Lestensione del circuito a questo caso lasciata come esercizio.
Allaccensione del dispositivo luscita si porta in uno dei due stati possibili
V
OL
o V
OH
; supponiamo per ipotesi che lo stato iniziale sia V
OH
e che il con-
densatore sia inizialmente scarico: il condensatore in fase di carica secondo un
transitorio di tipo esponenziale che tende al raggiungimento della tensione V
OH
come livello di regime (V

).
V
C

_
1 e
t/
_
= RC
Il fatto che V
u
sia costante e pari a V
OH
dunque porta il condensatore a cari-
carsi no a quando non viene raggiunto il livello di commutazione del compara-
tore V
C
= V
+
= V
S1
, ossia la tensione di soglia alta, che, appena raggiunta, far
commutare luscita del comparatore e del sistema da alta a bassa(V
u
= V
OL
).
Quando luscita diventa bassa, il condensatore inizia un nuovo transitorio
esponenziale in cui la nuova tensione di regime ora V

= V
OL
. Il transitorio
esponenziale del condensatore tende a raggiungere questo nuovo livello, ma al
raggiungimento della soglia V
S2
si ha una nuova commutazione del comparatore,
la cui uscita torna al livello V
OH
e il ciclo riprende dallinizio.
Complessivamente la tensione sul condensatore ha un andamento a dente di
sega (g. 5.8) a causa del susseguirsi delle fasi di carica e scarica. La forma del
segnale V
u
nel dominio del tempo unonda quadra.
Inne si osservi che il sistema non ha un ingresso: si tratta dunque di un
generatore e non di un blocco di elaborazione di segnale.
5.2.2 Analisi quantitativa
A partire dal calcolo della tensione sul condensatore v
C
(t), coerentemente con
il discorso precedente si considera t = 0 listante della seconda commutazione,
quella da livello basso a livello alto delluscita. Supponendo che le tensioni V
OH
201
V
S1
V
S2
V
OH
V
OL
t
V
C
, V
u
Figura 5.8: Andamento delle tensioni V
u
e V
C
rispettivamente in blu e rosso.
e V
OL
siano simmetriche, ovvero V
OL
= V
OH
, possiamo dire che il periodo del
multivibratore astabile il doppio di uno dei due semiperiodi del ciclo.
Dopo la commutazione le tensioni rilevanti sono: V

= V
u
= V
OH
, V
0+
=
V
S2
e limpedenza vista dalla capacit C semplicemente la resistenza R ad
essa in serie; quindi si utilizza la formula del transitorio della generica rete RC.
v
C
(t) = (V
0+
V

) e
t/
+V

_
_
_
V
0+
= V
S2
= R
eq
C = RC
V

= V
OH
= v
C
(t) = (V
S2
V
OH
) e
t/RC
+V
OH
Dopo un semiperiodo t = T/2, dove ovviamente T il periodo di oscillazione
del circuito multivibratore (nonch periodo dellonda quadra in uscita), v
C

passata dalla tensione V
S2
a V
S1
, poich il condensatore si caricato a sucienza
da provocare la commutazione di stato. Dallespressione della tensione si ricava
il periodo T.
v
C
(T/2) = V
S1
= (V
S2
V
OH
) e
T/(2RC)
+V
OH
e
T/(2RC)
=
V
S1
V
OH
V
S2
V
OH
= T = 2RCln
_
V
S1
V
OH
V
S2
V
OH
_
Usando la propriet del logaritmo e osservando che numeratore e denomina-
tore del suo argomento sono entrambi negativi, si ottiene lespressione operativa
di T.
T = 2RC ln
_
V
OH
V
S2
V
OH
V
S1
_
Possiamo ancora semplicare questa espressione ricordando il legame tra R
1
,
R
2
e le soglie del comparatore invertente. Assumiamo lulteriore ipotesi che la
dinamica di uscita sia simmetrica.
202
V
S1
= V
OH
R
1
R
1
+R
2
; V
S2
= V
OL
R
1
R
1
+R
2
; V
OH
= V
OL
V
OH
V
S1
= V
OH
_
1
R
1
R
1
+R
2
_
= V
OH
R
2
R
1
+R
2
V
OH
V
S2
= V
OH
_
1 +
R
1
R
1
+R
2
_
= V
OH
2R
1
+R
2
R
1
+R
2
= T = 2RC ln
_
_
_
_
V
OH
2R
1
+R
2
R
1
+R
2
V
OH
R
2
R
1
+R
2
_
_
_
_
= 2RC ln
_
2R
1
+R
2
R
2
_
Questultima espressione interessante perch ci dice che la frequenza del-
londa quadra non dipende dal valore di V
OH
e V
OL
, purch tali tensioni sia-
no simmetriche. Questo in pratica vuole dire che la frequenza slegata dalle
variazioni eventuali della tensione di alimentazione del circuito.
5.3 Generatore di onda triangolare
t
s(t)
Figura 5.9: Esempio di segnale triangolare nel dominio del tempo.
Il segnale triangolare (g. 5.9) costituito da due segmenti lineari di pen-
denza opposta. Viene utilizzato in molti circuiti proprio per landamento lineare
nel tempo, ad esempio nei controllori degli alimentatori switching o nei sistemi
di deessione degli oscilloscopi analogici.
Una delle propriet interessanti di tale segnale che pu essere pensato come
lintegrale dellonda quadra. Pertanto per realizzare un generatore di segnale
triangolare si possono collegare due blocchi elementari: un comparatore di soglia
che fornisce luscita costante alta o bassa tipica dellonda quadra e un integratore
che integri le tensioni costanti producendo landamento lineare a tratti.
Daltronde, se si analizza il circuito appena trattato del generatore donda
quadra, in cui londa sul condensatore in qualche modo simile ad unonda
203

+
R
1
R
2
V
Q

+
C
R
V
T
Figura 5.10: Schema circuitale del generatore di onda triangolare, composto da
un integratore e un comparatore di soglia.
triangolare, ci si accorge che la funzione del gruppo R-C proprio quella di fare
lintegrale approssimato dellonda quadra. Infatti la funzione di trasferimento
tra V
u
e V
C

V
C
V
u
=
1
1 +sRC
che approssima lintegrale (1/(sRC)) per alte frequenze. Lidea dunque di so-
stituire il gruppo R-C con un integratore, in modo da generare una vera onda
triangolare al posto della approssimazione a dente di sega. C un problema di
dettaglio, cio noi siamo capaci a progettare facilmente un integratore inver-
tente, con funzione di trasferimento 1/(sRC), mentre molto pi complicato
realizzare un integratore non invertente, ma suciente sostituire un compa-
ratore di soglia non invertente a quello invertente del circuito precedente per
ottenere il funzionamento corretto.
In conclusione, il circuito di un generatore donda triangolare (e quadra)
riportato in gura 5.10.
5.3.1 Analisi quantitativa
La gura 5.11 riporta landamento nel tempo delle forme donda alluscita del
comparatore di soglia e dellintegratore.
Allavanzare del tempo t il condensatore si carica e il suo terminale che non
collegato agli 0 V raggiunge il livello di tensione di soglia alto V
S1
, dunque
il comparatore (non invertente) commuta da V
OL
a V
OH
. Allora lintegratore
invertente inizia a caricarsi linearmente con una tensione sempre pi negativa,
no a raggiungere la tensione V
S2
, che provoca la commutazione opposta. A
questo punto il processo ciclico riprende dallinizio. Anche in questo caso lanalisi
ha inizio dallandamento temporale della tensione sullelemento reattivo.
v
T
(t) = v
T
(0)
1
RC
_
t
0
v
Q
(t)dt
Per ricavare il periodo di oscillazione, concentriamoci sul tratto della ca-
ratteristica che inizia dalla commutazione che porta la tensione V
Q
, uscita del
comparatore di soglia, al livello V
OH
. Assumendo questo istante di tempo come
origine, si ottiene:
204
V
S1
V
S2
V
OH
V
OL
t
V
T
, V
Q
Figura 5.11: Forme donda del generatore donda triangolare.
v
T
(t) = V
S1

V
OH
RC
t
Poniamo inoltre la condizione di valori simmetrici per luscita, cio V
OL
=
V
OH
; in questo caso i due tratti in discesa e in salita saranno percorsi nello
stesso tempo, cio il duty-cycle delle due forme donda sar pari al 50%. Dopo
un tempo pari a T/2 viene raggiunta V
S2
; sostituendo ed invertendo la relazione
si ricava il periodo della forma donda.
V
S2
= V
S1

V
OH
RC

T
2
= T = 2RC
V
S1
V
S2
V
OH
Dallo studio del comparatore di soglia non invertente, si pu ricavare la
formula dellampiezza dellisteresi nel caso di dinamica di uscita simmetrica.
Essa permette di semplicare ulteriormente lespressione del periodo rendendola
funzione delle sole resistenze.
V
S1
V
S2
= 2V
OH

R
1
R
2
= T = 4RC
R
1
R
2
Da questo circuito base si possono, aggiungendo pochi componenti, rica-
vare varianti con alcune funzionalit aggiuntive, come illustrato nellesempio
seguente.
5.3.2 Esempio teorico/pratico di progetto
Circuito base
Progettare un generatore di onda triangolare che soddis le speciche seguenti:
frequenza duscita f = 500 Hz;
ampiezza picco-picco dellonda triangolare V
Tpp
= 8 V;
tensione di alimentazione dellamplicatore operazionale V
AL
= 15 V;
205
amplicatore operazionale LM741. Si assuma in particolare per le tensioni
duscita: V
OH
= 12 V; V
OL
= 12 V.
Per quanto riguarda lampiezza della forma donda triangolare, essa sem-
plicemente la distanza tra le soglie.
V
S1
V
S2
= 8 V = 2V
OH

R
1
R
2
= 8 V = 24 V
R
1
R
2
= R
2
= 3R
1
Si osservi che R
1
assorbe corrente dallintegratore, mentre R
2
la assorbe dal
comparatore di soglia, quindi bisogna dimensionarle in modo che siano sucien-
temente alte ma non troppo, altrimenti si aumenta il contributo delle correnti
di bias e oset (in questo caso tali correnti falsano la soglia di commutazione del
comparatore). Un buon valore potrebbe essere R
2
= 150 k e quindi R
1
= 47 k
(normalizzando secondo la serie E12).
Una volta scelti i valori delle resistenze si pu passare alla determinazione
della capacit C e del resistore R, sfruttando il vincolo sul periodo di oscillazione
dellonda.
T =
1
f
= 2 ms = 4RC
R
1
R
2
= 2 ms =
4
3
RC = RC = 1.5 ms
Per la scelta dei valori assoluti occorre tenere presente che R deve essere al
abbastanza alta, ma anche in questo caso non devessere troppo elevata. Quindi
una scelta sensata R = 100 k. Sono ovviamente ammissibili anche valori pi
bassi, ma questa scelta ci torner utile nelle versioni successive del circuito.
R = 100 k = C = 1.5 10
3
1 10
5
F = 15 nF
Generatore di onde triangolari a frequenza variabile
Il generatore di segnale triangolare pu essere modicato aggiungendo alcu-
ne possibilit di regolazione delle caratteristiche delluscita. Quella che viene
analizzata in questa sezione riguarda la regolazione della frequenza del segnale
generato.
Modichiamo dunque la specica sulla frequenza duscita del precedente
esempio:
Frequenza dellonda triangolare regolabile tra f
min
= 50 Hz e f
MAX
=
500 Hz.
Manteniamo inalterate le altre speciche.
Dato che lequazione che fornisce il periodo pu essere invertita ad entrambi
i membri per ricavare la frequenza, si osserva che questultima varia linearmen-
te con la tensione V
OH
. Essa luscita del comparatore riportata in ingresso
allintegratore nella congurazione base del generatore che stata studiata in
precedenza.
206
T = 2RC
V
S1
V
S2
V
OH
= f =
V
OH
2RC(V
S1
V
S2
)
Proviamo allora a modicare tale tensione. Si noti che possibile cambiare
la frequenza duscita anche variando gli altri parametri, in particolare R, ma in
questo caso la relazione non lineare.
La tecnica pi semplice per modicare la tensione in ingresso allintegratore
(che chiameremo V
3
) quella di collegare un potenziometro P
1
come indicato
nella gura 5.12. Il cursore del potenziometro divide la resistenza totale del
potenziometro stesso in due parti, per cui il potenziometro equivalente a due
resistenze collegate ad un nodo centrale, con la propriet che la somma delle
resistenze costante mentre il valore di ognuna di esse dipende dalla posizione
del cursore. Esistono potenziometri lineari e logaritmici. In quelli lineari il valore
delle resistenze linearmente proporzionale alla posizione angolare del cursore.
Indichiamo con x la posizione del cursore di P
1
. x [0; 1] indica quale porzione
di P
1
compresa tra R
3
e il cursore di P
1
.
V
3
= V
OH

xP
1
+R
3
xP
1
+R
3
+ (1 x)P
1
= V
OH

xP
1
+R
3
P
1
+R
3
;
.

+
R
1
R
2
V
Q

+
C
R
3
V
3
P
1
R
V
T
Figura 5.12: Generatore di onde triangolari a frequenza regolabile mediante il
potenziometro P
1
.
Spostando il cursore del potenziometro si modicano le resistenze, quindi
il valore di tensione integrato dallintegratore, quindi la pendenza del segnale
triangolare e di conseguenza la sua frequenza.
Se x = 1, allora si ha V
3
= V
OH
e il circuito funziona come in assenza
del potenziometro; se x = 0, invece, la tensione dingresso dellintegratore
207
minima e si ha la frequenza pi bassa generabile in uscita. Pertanto bisogna far
corrispondere a questa condizione estrema la f
min
richiesta dalle speciche.
Il compito della resistenza R
3
di evitare che lingresso dellintegratore si tro-
vi a tensione nulla quando il cursore del potenziometro posizionato allestremo
inferiore.
Ricordando che f
MAX
= 500 Hz come nel progetto precedente e f
min
=
50 Hz, si possono determinare i valori relativi di P
1
e R
3
imponendo per x i
valori estremi della sua dinamica, cio zero e uno.
f
min
f
MAX
=
min V
3
max V
3
=
V
3
(x = 0)
V
3
(x = 1)
=
R
3
P
1
+R
3
50 Hz
500 Hz
=
1
10
=
R
3
P
1
+R
3
= R
3
=
P
1
9

1
10
Lapprossimazione nale permette di garantire un campo di frequenze di una
decade anche tenendo conto delle tolleranze delle resistenze.
Determinazione dei parametri di progetto I conti fatti sopra sono in real-
t approssimati: la tensione V
3
cos calcolata la tensione a vuoto del partitore
costituito da (1x)P
1
e xP
1
+R
3
, non tiene cio conto della caduta dovuta alla
corrente che scorre in R. Bisognerebbe eettuare unanalisi pi accurata tenendo
conto della resistenza equivalente Thevenin del circuito. Il circuito equivalente
corretto per quanto riguarda lintegratore riportato in gura 5.13.

+
C
R
R
eq
V
eq
V
T
Figura 5.13: Circuito equivalente dellintegratore a seguito dellintroduzione di
P
1
.
Si osserva che la resistenza R
eq
in serie a R e quindi concorre a modicare
la frequenza duscita, che tra laltro non ha pi un andamento lineare in fun-
zione della posizione del cursore del potenziometro. Per ovviare al problema, si
pu considerare R
eq
un termine derrore e fare in modo che la sua inuenza sul
comportamento del sistema sia trascurabile. Unaltra soluzione potrebbe consi-
stere nellinserimento di un voltage follower tra il cursore del potenziometro ed
R ma il circuito diventerebbe pi complesso e costoso.
Calcoliamo quindi il valore di R
eq
.
R
eq
= R
eq
(x) =
(xP
1
+R
3
)(1 x)P
1
P
1
+R
3
208
Per minimizzare il suo contributo occorre che R max R
eq
. Se si utilizzano
resistenze con tolleranza del 5 % e condensatori con tolleranza del 10%, impo-
stando R
eq
= 5%R, il suo contributo di errore confrontabile con quelli causati
dalla tolleranza degli elementi passivi.
Osservando che R
eq
(x) ha un andamento parabolico con concavit verso il
basso rispetto a x, possibile calcolare max R
eq
mediante lannullamento della
derivata e utilizzarlo per stimare il massimo valore di R
eq
. Si ottiene che
max R
eq
=
_

_
P
1
+R
3
4
se P
1
> R
3
P
1
R
3
P
1
+R
3
se P
1
R
3
inserendo la relazione gi trovata tra R
3
e P
1
, nel nostro caso si ha
max R
eq
=
11
10
P
1

1
4

1
4
P
1
=
1
4
P
1
5%R = P
1
4 5 k = 20 k
In commercio si trovano potenziometri della serie E3 con valori 1; 2.2; 4.7
per decade. Nel nostro caso possiamo scegliere P
1
= 10 k. Questo valore
soddisfa ampiamente la condizione sopra trovata e nel contempo non carica
eccessivamente luscita del comparatore di soglia.
Generatore di onde triangolari a valore medio variabile
Unaltra utile caratteristica del segnale triangolare che si vorrebbe aggiungere
rendere regolabile la sua componente continua (oset). Nel circuito base il
valor medio dellonda triangolare nullo, in quanto i valori di picco della forma
donda coincidono con V
S1
e V
S2
, a loro volta simmetriche, nellipotesi di V
OH
e V
OL
simmetriche, essendo nulla la tensione di riferimento del comparatore.
Aggiungiamo quindi una specica al nostro progetto, lasciando le altre inva-
riate:
Valor medio dellonda triangolare regolabile tra V
offset,T
min
= 4 V e
V
offset,T
MAX
= 4 V.
Da quanto detto sopra, occorre variare il valor medio delle tensioni di soglia.
Ci si realizza aggiungendo una tensione di riferimento sul morsetto dellingres-
so invertente del comparatore di soglia. Poich si desidera poter regolare tale
tensione di soglia, si introduce nel circuito un secondo potenziometro P
2
come
mostrato in gura 5.14.
V
offset,T
=
V
S1
+V
S2
2
= V
REF

R
1
+R
2
R
2
= V
REF
_
1 +
R
1
R
2
_
=
4
3
V
REF
In corrispondenza del V
offset,T
massimo si deve avere la tensione di riferi-
mento V
REF
massima e lo stesso discorso deve valere per il minimo, simmetrico
in questo caso specico.
max V
offset,T
= +4 V =
4
3
max V
REF
= 4 V = max V
REF
= 3 V
209

+
V
AL
R
5
R
4
+V
AL
P
2
R
1
R
2
V
Q

+
C
R
3
P
1
R
V
T
Figura 5.14: Introduzione di P
2
per regolare la componente continua dellonda
triangolare.
min V
offset,T
= 4 V =
4
3
min V
REF
= 4 V = min V
REF
= 3 V
Nel nostro circuito la tensione V
REF
ricavata a partire dalle due tensioni di
alimentazione mediante il partitore costituito da P
2
, R
4
e R
5
. Anche in questo
caso la tensione di riferimento sar funzione della posizione del cursore di P
2
.
Poich le speciche richiedono che le tensioni di riferimento massima e mi-
nima siano simmetriche, si avr R
4
= R
5
. La tensione di riferimento massima
corrisponder ad avere il cursore alla estrema destra in g. 5.14. Essendo le due
tensioni di alimentazione simmetriche, facile capire che il punto centrale di P
2
si trova a 0 V. Si pu allora aermare che la tensione di riferimento massima
corrisponde a:
max V
REF
=
P
2
/2
P
2
/2 +R
4
V
AL
max V
REF
= 3 V =
P
2
/2
P
2
/2 +R
4
(+15 V) =
P
2
2
=
1
5
_
P
2
2
+R
4
_
1
5
R
4
=
P
2
2

1
5
P
2

1
2
= R
4
= 2P
2
210
Si possono scegliere i valori dalla serie E12 R
4
18 k, e P
2
= 10 k uti-
lizzando quindi un potenziometro analogo a quello suggerito in precedenza per
P
1
.
Generatore di onde triangolari a duty-cycle variabile
possibile ottenere un generatore di onde triangolari con duty-cycle regolabile
introducendo unulteriore modica al circuito. Questa regolazione modica i
tempi di salita e discesa del segnale triangolare, senza per modicarne il periodo
complessivo (cio mantenendo costante la frequenza).
Aggiungiamo allora una ultima specica al nostro progetto, lasciando le altre
invariate:
Duty-cycle dellonda quadra regolabile tra DC
min
= 25% e DC
MAX
=
75%.
Nel circuito trattato nella sezione precedente (g. 5.12) si ha T
1
= T
2
=
T
2
cio abbiamo tempi di salita e discesa uguali.
Partendo dalla denizione del duty cycle DC, si nota che esso dipende dalla
durata del tempo di salita T
1
, la quale a sua volta funzione di diverse grandezze.
DC =
T
1
T
; T
1
=
V
S1
V
S2
V
OH
RC; T
2
= T T
1
Come parametro libero rimasto R, ossia la resistenza di reazione dal com-
paratore di tensione verso lintegratore. Essa stabilisce quanta corrente circoli
nella reazione e quindi la costante di tempo dellintegratore. Ovviamente impie-
gando una sola resistenza per integrare due tensioni costanti ma simmetriche
non possibile avere pendenze diverse nei due semiperiodi.
Lidea alla base della variazione del duty cycle la seguente: bisogna impie-
gare una rete in grado di mandare al condensatore correnti diverse a seconda
del verso della corrente (entrante/uscente cio carica/scarica).
Per ottenere questo risultato bisogna sostituire la resistenza R con qualcosa
di pi complicato, per esempio utilizzando dei diodi come interruttori pilotati
dalla polarit della tensione duscita del comparatore di soglia.
R
6
P
3
D
2
D
1
Figura 5.15: Schema del sotto-circuito da sostituire alla resistenza R del
generatore di onde triangolari per ottenere la regolazione del duty cycle.
Il funzionamento della rete di g. 5.15 il seguente: D
1
conduce quando
la tensione di uscita del comparatore di soglia positiva, mentre D
2
conduce
quando la tensione negativa.
A seconda del suo verso, la corrente potr scorrere solo su uno dei due
resistori regolabili che compongono il potenziometro. A seconda di come sar
211
impostato il cursore/terminale centrale di P
3
, inoltre, il condensatore in fase di
carica ed in fase di scarica vedr resistenze diverse.
Il circuito del generatore completo anche della regolazione del duty-cycle
riportato in g. 5.16.
Denendo le resistenze R
a
= yP
3
e R
b
= (1y)P
3
e sostituendo lespressione
di T
1
e T
2
modicate con lintroduzione delle resistenze variabili grazie ai diodi,
si pu scrivere unespressione del periodo totale.
T = T
1
+T
2
=
V
S1
V
S2
V
OH
C (R
a
+R
b
+ 2 R
6
)
DC =
T
1
T
1
+T
2
=
R
a
+R
6
R
a
+R
b
+ 2 R
6
Inoltre R
a
+ R
b
= P
3
; dal momento che con il cursore possibile modi-
care il valore di y, in questo modo si potr modicare la resistenza vista dal
condensatore nelle diverse situazioni, quindi regolare il duty cycle. La resistenza
R
6
serve ad evitare che, nelle due posizioni estreme del potenziometro, in uno
dei semiperiodi luscita del comparatore di soglia sia in cortocircuito con lin-
gresso invertente dellintegratore che ricordiamo essere a massa virutale. Tale
condizione porterebbe ad un funzionamento anomalo del sistema.
Introducendo P
3
e il valore di R
a
, si ottengono le espressioni nali:
T =
V
S1
V
S2
V
OH
C (P
3
+ 2 R
6
)
DC =
yP
3
+R
6
P
3
+ 2 R
6
Dimensionamento Per mantenere invariati i valori utilizzati per il progetto
di generatore eseguito in precedenza, si osserva che in questo si aveva R =
100 k. Lespressione del periodo nel primo caso valeva:
T =
V
S1
V
S2
V
OH
C 2R
mentre per il nuovo circuito:
T =
V
S1
V
S2
V
OH
C (P
3
+ 2R
6
)
Confrontando le due espressioni si vede che occorre porre 2R = P
3
+ 2R
6
.
A questo punto si supponga di voler fare in modo che il duty cycle vari dal
25% al 75%; sappiamo dunque, dalle espressioni gi viste, che il DC funzione
delle resistenze.
DC = DC(y) =
yP
3
+R
6
P
3
+ 2R
6
Se il minimo del duty cycle deve essere 25%, dal momento che il minimo si
ottiene allestremo del potenziometro tale per cui y = 0, si ha una espressione
da cui ricavare R
6
e da questa P
3
.
212

+
V
AL
R
5
R
4
+V
AL
P
2
R
1
R
2
V
Q

+
C
R
3
P
1
V
T
R
6
P
3
D
2
D
1
Figura 5.16: Generatore di onde triangolari con regolazione del duty cycle per
mezzo del potenziomentro P
3
.
min DC = DC(y = 0) =
R
6
P
3
+ 2R
6
=
1
4
= R
6
=
200 k
4
= 50 k 47 k
2R
6
100 k = P
3
+ 100 k 200 k = P
3
100 k
La congurazione adottata produce il risultato voluto se la dinamica del
DC specicata simmetrica. Infatti se il potenziometro si trova nella posizione
estrema opposta, quindi y = 1, si ricava laltro estremo dellescursione.
R
6
+yP
3
P
3
+ 2R
6

y=1
100 =
147 k
200 k
75%
Laver inserito R
6
in quella posizione costituisce un vincolo alla resistenza
minima vista dal condensatore per le correnti circolanti in entrambi i versi; il
fatto di aver inserito questo limite comune presuppone il fatto che la variazione
del duty-cycle sia simmetrica come in questo caso. Si noti che per qualunque po-
sizione del cursore del potenziometro la resistenza vista dallintegratore rimane
sucientemente elevata da non rendere rilevante linuenza di P
1
ed R
3
sulla
frequenza del segnale.
Dinamica asimmetrica del duty-cycle Potrebbe tuttavia capitare di do-
ver aver a che fare con limiti asimmetrici del duty-cycle: in tal caso, anzich
213
una sola resistenza se ne dovranno inserire due in serie ai singoli diodi D
1
e
D
2
, come in g. 5.17. In questo modo, le resistenze minime viste dal condensa-
tore saranno dierenti a seconda del verso della corrente e dunque si avranno
dierenti costanti di tempo e dierenti tempi di carica del circuito integratore.
P
3
R
6b
D
2
D
1
R
6a
Figura 5.17: Schema del sotto-circuito da sostituire alla resistenza R per ottenere
la regolazione del duty cycle con limiti asimmetrici.
A parte questa osservazione, le espressioni sono del tutto analoghe a quelle
appena arontate ma con lintroduzione di un grado di libert in pi rispetto
allesempio pratico precedente.
Considerazioni Lanalisi che stata eettuata nei paragra precedenti ap-
prossimativa perch i diodi sono stati considerati ideali. Si potrebbero studiare
espressioni pi accurate che tengano conto della caduta di tensione V

sui dio-
di quando si trovano in polarizzazione diretta. Il loro contributo trascurabile
quando il cursore di P
1
sia in posizione elevata (frequenza alta), diventa sem-
pre pi importante per valori di V
3
via via pi bassi (la frequenza pi bassa
rispetto a quella del circuito senza regolazione del duty-cycle).
5.4 Oscillatori sinusoidali
Una prima idea per ottenere un segnale sinusoidale utilizzare un generatore di
forma donda quadra o triangolare, collegarvi in cascata un ltro passa-banda
a banda molto stretta intorno alla frequenza desiderata, in modo da prelevare
idealmente una singola armonica tra tutte quelle presenti nello spettro del se-
gnale disponibile. Luscita del ltro, secondo la teoria dei segnali, il segnale
sinusoidale desiderato. A partire da unonda triangolare si pu invece lavorare
nel tempo, distorcendo luscita mediante un amplicatore con caratteristica non
lineare, in modo da approssimare a tratti la sinusoide. Questo metodo eetti-
vamente utilizzato per ricavare luscita sinusoidale in generatori di forme donda
a basso costo perch funziona per qualunque frequenza (mantenendo costante
lampiezza dellonda triangolare in ingresso allamplicatore non lineare).
Le soluzioni proposte nel seguito sono diverse perch riguardano generatori
intrinsecamente sinusoidali per la cui realizzazione sono necessarie alcune nozioni
teoriche, argomento dei prossimi paragra .
5.4.1 Condizioni di Barkhausen
Lo schema della g. 5.18 rappresenta un sistema lineare con retroazione positi-
va. Se in tale sistema viene iniettato un segnale sinusoidale, tale segnale viene
214
+
V
e
A

V
f
V
u
Figura 5.18: Schema a blocchi di un sistema con reazione positiva.
mantenuto dalla reazione se si vericano ben precise condizioni, valide solo per
una ben precisa frequenza.
Ogni volta che il segnale percorre lanello guadagna unamplicazione della
propria ampiezza pari a |T| = |A|. Questo fattore deve valere esattamente 1: se
valesse di pi, il sistema continuerebbe ad amplicare il segnale, raggiungendo
in un certo tempo la saturazione; se valesse un po di meno, il segnale sarebbe
sempre pi attenuato, estinguendosi dopo un transitorio di una certa durata.
Per permettere questo comportamento, la rete di reazione deve riportare
sullingresso il segnale perfettamente in fase (reazione positiva), ovvero la fase
del guadagno di anello del sistema retroazionato deve essere nulla: T = 0
Queste due relazioni sono dette condizioni di Barkhausen: sono con-
dizioni necessarie al mantenimento delloscillazione e devono essere entrambe
rispettate alla perfezione: in pratica questo impossibile in un sistema con com-
portamento perfettamente lineare. Gli oscillatori sono dunque sempre sistemi
non lineari e devono progettati prevedendo dei circuiti atti alla ricerca e al
mantenimento delle condizioni di Barkhausen per una specica frequenza.
5.4.2 Realizzazione pratica
Per ottenere un generatore sinusoidale funzionante si applica la seguente strate-
gia: suciente che si presenti un disturbo causale molto debole contenente la
frequenza che si vuole produrre per dare inizio al funzionamento (innesco del-
loscillazione). Tale frequenza deve essere amplicata notevolmente ed in modo
selettivo dal sistema con retroazione positiva (|T| > 1) no a raggiungere un
livello soddisfacente; quando esso viene raggiunto il guadagno della retroazione
deve diventare unitario per mantenere stabile il segnale in uscita.
Per evitare uttuazioni nel livello di segnale, occorre che (|T| < 1) nel caso
in cui il segnale assumesse per qualunque motivo un livello maggiore di quello
desiderato.
Allaccensione e per bassi livelli di segnale in uscita: |T| > 1;
Per lampiezza desiderata in uscita: |T| = 1, T = 0;
Per segnali di intensit eccessiva: |T| < 1.
215
5.4.3 Oscillatore a ponte di Wien
Consideriamo lo schema di base di un oscillatore a ponte di Wien in gura 5.19.

+
R
2
R
1
V
u
R
C
C R
Z
1
Z
2
V
f
V
i
Figura 5.19: Schema di base della parte lineare delloscillatore sinusoidale a
ponte di Wien. La croce rossa indica il punto in cui si intende aprire lanello di
retroazione.
Per studiare questo tipo di circuiti conviene identicare bene i due blocchi
A e . Si valutano separatamente le funzioni di trasferimento dei due blocchi,
aprendo la reazione tra luscita del blocco e lingresso del blocco A. Si deni-
scono v
f
come uscita di e v
i
come ingresso di A. Inne si determina T come
rapporto tra i due segnali:
v
f
= v
i
A ; T :=
v
f
v
i
Nel circuito di gura 5.19, la croce rossa segnata sul disegno indica il punto
in cui si apre lanello di reazione: sopra di essa vi il segnale in ingresso allam-
plicatore v
i
, sotto il segnale retroazionato v
f
. Consideriamo inoltre, per rendere
pi comoda la notazione, le seguenti denizioni delle impedenze tratteggiate nel
disegno.
Z
1
= R +
1
sC
=
1 +sRC
sC
216
Z
2
= R
1
sC
=
R
1 +sRC
V
u
=
_
1 +
R
2
R
1
_
v
i
v
f
=
Z
2
Z
1
+Z
2
V
u
= v
f
= v
i

_
1 +
R
2
R
1
_
(R)/(1 +sRC)
(R)/(1 +sRC) + (1 +sRC)/(sC)
=
= v
i

_
1 +
R
2
R
1
_

sRC
(1 +sRC)
2
+sRC
=
= v
i

_
1 +
R
2
R
1
_

sRC
s
2
R
2
C
2
+ 3sRC + 1
Ponendo s = j passiamo dal dominio di Laplace a quello di Fourier, per
valutare landamento in frequenza del guadagno danello.
T(j) =
_
1 +
R
2
R
1
_

jRC

2
R
2
C
2
+ 3jRC + 1
Ci che desideriamo che, ad una certa pulsazione =
0
, siano vericate
le condizioni di Barkhausen.
A qualunque pulsazione il numeratore ha sempre una fase pari a 90

; per
ottenere che la fase di T sia 0

, anche il denominatore deve avere fase pari a

90

.
Il denominatore diventa un numero immaginario puro solo quando si annul-
la la parte reale; si pone dunque uguale a 0 la parte reale del denominatore
e si ricava unequazione che lega i parametri di progetto alla frequenza della
sinusoide.

2
0
R
2
C
2
1 = 0 = f
0
=
1
2RC
Per quanto riguarda il modulo suciente sostituire lespressione appena
ricavata nellequazione di partenza.
|T(j)|
=0
=
_
1 +
R
2
R
1
_

j
0
RC
3j
0
RC
Avremo un oscillatore se sar vericata la prima delle condizioni di Barkhau-
sen, cio se |T(j
0
)| = 1. Quindi
|T(j
0
)| =
_
1 +
R
2
R
1
_

1
3
= 1 =
R
2
R
1
= 2
Lo schema studiato per non pu funzionare in pratica per due motivi, de-
rivanti sulle osservazioni gi fatte sulle condizioni di Barkhausen. Da un lato,
basta una tolleranza innitesima in uno solo dei componenti passivi e il guada-
gno del circuito sar diverso da uno alla frequenza per cui la rotazione di fase
nulla, dallaltro, quandanche le condizioni di Barkhausen fossero soddisfatte
217
correttamente, come si innesca loscillazione? Bisogner allora introdurre un ele-
mento non lineare nel circuito che da un lato permetta linnesco delloscillazione,
dallaltro stabilizzi lampiezza della forma donda in uscita.
La soluzione pi famosa a questo problema fu trovata da William Hewlett
(cofondatore di HP) nel 1939. Nel suo circuito (che non prevedeva un ampli-
catore operazionale, che sarebbe stato inventato alcuni decenni dopo, ma un
amplicatore a valvole) la resistenza R
1
era sostituita da una piccola lampa-
da a lamento. Queste lampade presentano una resistenza bassa se il lamento
freddo. La resistenza aumenta in modo proporzionale alla temperatura del
lamento. Poich tale temperatura dipende dal valore RMS del segnale, allac-
censione il sistema ha guadagno molto maggiore di 1 e il rumore presente nel
circuito permette linnesco delle oscillazioni. Quando queste raggiungono lam-
piezza desiderata il guadagno si porta al valore unitario (cio R
1
= 0.5 R
2
) e il
circuito si stabilizza.
La soluzione moderna pi complessa e non univoca. Si pu ad esempio
pensare di sostituire la lampadina con un MOS che riceva sul gate una tensione di
pilotaggio inversamente proporzionale allampiezza del segnale, oppure utilizzare
dei diodi per variare il valore di R
2
in funzione dellampiezza del segnale. Anche
in questo caso esistono diverse varianti. Noi esamineremo una di queste varianti,
riportata in gura 5.20.
La nostra soluzione consiste nellutilizzo di due diodi zener in antiserie. Quan-
do il segnale di uscita negativo e sucientemente ampio, D
2
in zona zener e
subisce una caduta di tensione V
Z
; dualmente, D
1
in conduzione diretta e fa
solo cadere una tensione V

ai propri capi.
Invece quando il segnale di uscita positivo e di ampiezza suciente, V
D1
=
V
Z
e V
D2
= V

. Finch il livello del segnale di uscita tale per cui i diodi non
entrino in conduzione, il guadagno del blocco A vale 1 +R
2
/R
1
, mentre quando
D
1
e D
2
entrano in conduzione la resistenza R
2a
si pone in parallelo a R
2
e il
guadagno diventa 1+(R
2
R
2a
)/R
1
. Con opportune scelte delle resistenze si fa
in modo che il guadagno danello sia maggiore di uno nel primo caso e minore di
uno nel secondo, ottenendo la stabilizzazione dellampiezza del segnale duscita.
Questa variazione di guadagno nel tempo produce una certa distorsione della
forma donda duscita, pi marcata tanto pi i due guadagni sono diversi tra loro.
Il segnale sul morsetto non invertente delloperazionale presenta una replica del
segnale duscita ltrata dalla rete di reazione, pertanto pu essere utilizzato al
posto di quello duscita, ricordando che si tratta di un segnale ad alta impedenza
e quindi il carico inuisce sul funzionamento del circuito.
5.4.4 Oscillatore a sfasamento
Un altro circuito che realizza un oscillatore sinusoidale riportato in gura
5.21. Tale circuito viene chiamato oscillatore a sfasamento ed basato su di un
amplicatore invertente e una rete di reazione il cui compito sfasare luscita
di ulteriori 180

.
Come nel caso precedente, la sola reazione lineare non suciente a ga-
rantire linnesco e la stabilit delloscillazione. Ci concentreremo comunque sul-
la porzione lineare, tenendo presente che le modiche apportate al ponte di
Wien per garantire loscillazione possono essere applicate anche alloscillatore a
sfasamento.
218

+
R
2
R
1
D
1
D
2
R
2a
V
u
R
C
C R
Figura 5.20: Circuito completo delloscillatore a ponte di Wien.
Anche in questo caso occorre calcolare il guadagno di anello T(j), separando
lamplicatore dalla rete di reazione. In questo caso, tuttavia, lamplicatore
di tipo invertente, quindi limpedenza dingresso del blocco A bassa ed in
particolare pari a R. Anche limpedenza duscita del blocco ben diversa da
0, occorre dunque prestare attenzione a separare i due blocchi per calcolare V
f
.
Per quanto riguarda il blocco A, lespressione del guadagno la solita:
A =
v
u
v
e
=
R
2
R
Dal lato della reazione, invece, al ne di calcolare v
f
a partire dalluscita,
v
u
, bisogna risolvere la rete di gura 5.22, dove si inserita la resistenza R di
sinistra per tener conto dellimpedenza vista dalluscita del blocco . Mediante
le regole dellelettrotecnica si pu ricavare v
f
(v
u
):
=
v
f
v
u
=
s
3
R
3
C
3
s
3
R
3
C
3
+ 6s
2
R
2
C
2
+ 5sRC + 1
= T =
v
f
v
e
=
R
2
R

s
3
R
3
C
3
s
3
R
3
C
3
+ 6s
2
R
2
C
2
+ 5sRC + 1
219

+
R
2
R
V
u
C C C
V
f
V
e
R R
Figura 5.21: Schema circuitale delloscillatore a sfasamento (parte lineare).
C C C
R R R
V
f V
u
Figura 5.22: Schema del blocco del circuito di g. 5.21.
Volendo procedere come prima al ne di determinare il punto di validit
delle condizioni di Barkhausen, si studia il guadagno nel dominio di Fourier,
imponendo s = j.
T(j) =
R
2
(jR
3
C
3

3
)
R(j
3
R
3
C
3
6
2
R
2
C
2
+ 5jRC + 1)
Perch la fase si annulli, il denominatore deve essere immaginario puro e ci
si ottiene annullando, per una certa frequenza
0
la parte reale.
1 = 6
2
0
R
2
C
2

0
=
1

6RC
f
0
=
1
2

6RC
Sostituendo questo risultato intermedio in T(j), si ottiene:
T(j
0
) =
R
2
R

1
6

1
6

6
+
5

6
=
=
R
2
29R
R
2
= 29R
220
Questa la condizione di oscillazione per loscillatore a sfasamento: dimen-
sionando le resistenze secondo il criterio appena ricavato, le condizioni di Bar-
khausen sono vericate per un singolo valore di pulsazione, =
0
, quindi
esister un punto di funzionamento nel quale il circuito oscilla. Occorre, come
gi notato pi sopra, inserire una non linearit per stabilizzare le oscillazioni
allampiezza desiderata.
5.4.5 Oscillatori a tre punti
A
v
v
i
R
O
Z
3
v
f
Z
1
Z
2
V
u

+
v
i
Z
L
Figura 5.23: Modello generale delloscillatore a tre punti.
Invece di realizzare degli oscillatori basati su resistenze, condensatori e am-
plicatori operazionali, per alte frequenze si lavora con induttori, condensatori
e amplicatori a transistor (FET o bipolari). Esistono diversi schemi, alcuni dei
quali riconducibili a un circuito generico costituito da uno stadio di amplica-
zione invertente e da una rete di reazione puramente reattiva costituita da tre
elementi. Questo schema generico spesso chiamato oscillatore a tre punti.
Lo schema riportato in gura 5.23. Il triangolo tratteggiato non rappresenta
un amplicatore operazionale, ma un generico stadio amplicatore invertente
con guadagno nito A
v
. Solo in un secondo tempo si analizzer la struttura
interna dellamplicatore.
La tensione v
i
la tensione compresa tra il potenziale di riferimento, 0 V,
e lingresso dellamplicatore invertente, nel quale entra il segnale di feedback;
luscita sullimpedenza indicata come Z
2
.
Si apre come al solito lanello di reazione e si identica il segnale di feedback
v
f
come quella tensione che cade sullimpedenza Z
1
.
Dato che si considera A
v
nito, non lecito trascurare limpedenza duscita
dellamplicatore R
O
. Pertanto V
u
sar inuenzata sia dal valore di R
O
sia
dallimpedenza di carico Z
L
.
221
V
u
= V
O

Z
L
Z
L
+R
O
Z
L
= (Z
1
+Z
3
) Z
2
=
Z
2
(Z
1
+Z
3
)
Z
1
+Z
2
+Z
3
dove V
O
= A
v
v
i
la tensione di uscita a vuoto dellamplicatore.
Per quanto riguarda limpedenza di ingresso dello stadio, essa si considera
molto alta e la si trascura.
La tensione V
u
si ripartisce tra Z
3
e Z
1
; possiamo quindi in questo modo
calcolare la tensione di feedback come in un partitore.
v
f
=
Z
1
Z
1
+Z
3
V
u
= v
f
=
Z
1
Z
L
A
v
v
i
(Z
1
+Z
3
) (Z
L
+R
O
)
v
f
=
Z
1
Z
2
A
v
v
i
R
O
(Z
1
+Z
2
+Z
3
) +Z
2
(Z
1
+Z
3
)
Vogliamo utilizzare elementi puramente reattivi nella rete di reazione, quindi
possiamo assumere che Z
n
= jX
n
. Il guadagno di anello, in questi termini, avr
unespressione generale semplicata.
v
f
v
i
=
j
2
X
1
X
2
A
v
jR
O
(X
1
+X
2
+X
3
) +j
2
X
2
(X
1
+X
3
)
=
X
1
X
2
A
v
jR
O
(X
1
+X
2
+X
3
) X
2
(X
1
+X
3
)
Anch lespressione sia reale e quindi la fase sia 0

, deve esistere una certa

=
0
tale per cui si elimini la parte immaginaria del denominatore (dal
momento che, in questa funzione, il numeratore reale).
=
0
= X
1
+X
2
+X
3
= 0 = X
1
+X
3
= X
2
T(j
0
) =
X
1
X
2
A
v
X
2
2
=
X
1
X
2
A
v
Questultima espressione deve essere uguale a 1, al ne di soddisfare le
condizioni del criterio di Barkhausen.
Osserviamo ora che le reattanze di condensatori e induttanze valgono:
C
j
C
= X
C
=
1
C
; L jL = X
L
= L
Per far s che |T| possa valere 1 e T = 0

, X
1
e X
2
devono essere o
due capacit o due induttanze, mentre X
3
deve essere di tipo diverso rispetto
a X
1
e X
2
: solo in questo modo si potr avere un T positivo e al contempo
X
1
+ X
2
+X
3
= 0.
A partire da queste considerazioni sono stati inventati due tipi di oscillatori,
classicati in base alla natura degli elementi reattivi impiegati.
Oscillatore Colpitts: X
1
e X
2
capacitive, X
3
induttiva;
Oscillatore Hartley: X
1
e X
2
induttive, X
3
capacitiva.
222
Stadio di amplicazione
T
R
E
Z
C
C
E
R
1
R
2
V
cc
Figura 5.24: Stadio amplicatore con BJT npn a emettitore comune con
autopolarizzazione (self-biasing).
Un tipico stadio di amplicazione a singolo transistor rappresentato in
gura 5.24. Si tratta di uno stadio common emitter con circuito di polarizzazione
self-biasing. Per aumentare il guadagno in alta frequenza, la resistenza R
E
viene
cortocircuitata per il segnale mediante il condensatore C
E
. Il carico sul collettore
rappresentato da una generica impedenza Z
C
che deve essere una resistenza
o un cortocircuito per la continua. I due oscillatori visti sopra possono essere
costruiti attorno a questo stadio, aggiungendo la rete di reazione opportuna.
La gura 5.25 riporta la realizzazione delloscillatore Colpitts.
Il risonatore Colpitts costituito da C
1
, C
2
e L
3
, mentre il condensatore C
B
deve essere un cortocircuito alla frequenza del segnale e serve solo per separare
la rete di polarizzazione in continua. Z
C
pu essere una resistenza o un circuito
accordato, nel qual caso occorre valutare molto attentamente le interazioni con
la rete di reazione.
Dalla relazione trovata prima X
1
+ X
2
+ X
3
= 0 si ricava la frequenza di
oscillazione, che risulta pari a:
f
osc
=
1
2
_
L
3
C
1
C
2
C
1
+C
2
In realt la frequenza di oscillazione sar sempre pi bassa di quanto calco-
lato con questa formula, che non tiene conto di diversi fattori quali ad esempio
le capacit parassite del transistore.
Per quanto riguarda la seconda condizione di Barkhausen e linnesco delle
oscillazioni, occorre osservare che in uno stadio a transistore il guadagno di-
minuisce allaumentare del livello del segnale dingresso (mentre aumenta la
distorsione). Questo fenomeno molto utile negli oscillatori: si progetta il si-
stema per avere un guadagno maggiore di uno per piccolo segnale, in modo da
223
T
R
E
Z
C
C
E
R
1
R
2
V
cc
C
2
L
3
C
1
C
B
Figura 5.25: Schema circuitale delloscillatore Colpitts con lo stadio amplicatore
della gura 5.24.
permettere linnesco delle oscillazioni; allaumentare dellampiezza del segnale
il guadagno diminuisce diventando unitario per un certo valore delluscita. Ri-
sulta comunque dicile determinare con precisione questo punto e il progetto
di dettaglio di un oscillatore a transistori senzaltro al di fuori dallo scopo di
questa trattazione. Se volessimo realizzare un oscillatore Hartley, dovremmo
scambiare tra loro induttori e condensatori, come in gura 5.26. In questo caso
L
2
pu essere collegata allalimentazione al posto che al riferimento e sostituire
Z
C
. Per quanto riguarda la frequenza duscita, i calcoli sono analoghi a quelli
eettuati per loscillatore Colpitts e vengono lasciati come esercizio.
Oscillatori Meissner
Oltre ai metodi sopra visti per ottenere un oscillatore sinusoidale, in alta fre-
quenza diventa possibile anche utilizzare un trasformatore per riportare parte
del segnale duscita in ingresso, con sfasamento opportuno. E questa lidea alla
base delloscillatore Meissner: sul collettore del transistor si pone un risonatore
LC in modo da rendere lamplicatore selettivo, ma linduttanza accoppiata
con unaltra che riporta in base il segnale di collettore, creando la reazione posi-
tiva. Uno schema esemplicativo a partire dal solito amplicatore disponibile
in gura 5.27.
5.4.6 Oscillatori al quarzo
Nei sistemi elettronici digitali i segnali di clock vengono generati in modo molto
dierente rispetto a quelli descritti nei paragra precedenti.
224
T
R
E
L
2
C
E
R
1
R
2
V
cc
C
3
L
1
C
B
Figura 5.26: Schema circuitale delloscillatore Hartley con lo stadio amplicatore
della gura 5.24.
Il componente fondamentale di questi oscillatori il cristallo di quarzo, che
nei circuiti rappresentato dal simbolo di gura 5.28 insieme al suo model-
lo circuitale equivalente. Il funzionamento delloscillatore non verr trattato in
dettaglio, basti dire che la reattanza del quarzo ha una grossa discontinuit ad
una ben precisa frequenza, dovuta alle caratteristiche meccaniche del cristallo
(forma, dimensioni e orientamento degli assi cristallograci). Sfruttando que-
sta discontinuit possibile realizzare oscillatori con frequenza duscita molto
precisa e stabile nel tempo e in temperatura.
Due possibili topologie atte a realizzare un oscillatore al quarzo sono sche-
matizzate nella gura 5.29.
1. La prima topologia si basa sostanzialmente sulluso di un JFET. Esistono
diverse alternative a seconda della frequenza del quarzo e della forma
donda duscita desiderata;
2. La seconda topologia si basa sulluso di un inverter CMOS ed utilizzata
nei circuiti digitali. Linverter, che vedremo in uno dei prossimi capitoli,
viene qui usato come amplicatore invertente, polarizzandolo a met ca-
ratteristica mediante la resistenza R, di solito di valore elevato (es. 10 M).
I condensatori C
1
e C
2
sono di piccolo valore (es. 10 pF). Variando il va-
lore di uno di essi possibile ottenere piccole variazioni della frequenza di
oscillazione, caratteristica sfruttata quando sia necessaria una precisione
in frequenza maggiore di quella, gi elevata, garantita dal quarzo.
Per applicazioni digitali esistono oggi molti oscillatori al quarzo che integrano
in un unico contenitore il cristallo e il circuito delloscillatore, eventualmente
comprensivo di compensazione termica (TCXO, thermally compensated crystal
225
T
C
1
R
E
C
E
R
1
R
2
V
cc
C
B
Figura 5.27: Schema circuitale delloscillatore Meissner.
X
L R
C
1
C
2
Figura 5.28: Simbolo circuitale di un oscillatore al quarzo e modello equivalente
del dispositivo.
oscillator). Oltre agli oscillatori al quarzo si trovano dispositivi basati su ltri
ceramici o, per frequenze elevate, su ltri ad onda acustica superciale (SAW).
5.5 Voltage Controlled Oscillator (VCO)
In molte applicazioni importante avere un oscillatore o un generatore donda
quadra la cui frequenza sia proporzionale a una tensione di controllo. Si parla
in questo caso di VCO (Voltage Controlled Oscillator).
possibile realizzare sia oscillatori sinusoidali sia generatori di onda triango-
lare o quadra controllati in tensione. Per quanto riguarda gli oscillatori sinusoi-
dali, in genere si sostituisce uno dei condensatori che determinano la frequenza
di uscita con un varicap. Il varicap non altro che un diodo di cui si sfrut-
ta il fatto che in regione inversa la capacit di giunzione varia con la tensione
applicata al diodo. Non vedremo i dettagli di questi oscillatori.
226
T
R
S
C
S
R
G X
L
D
C
D
V
u
V
AL
(a)
X
C
1
C
2
R
V
u
(b)
Figura 5.29: Oscillatori al quarzo: (a) a JFET, (b) basato su inverter CMOS.
Per quanto riguarda invece i VCO ad onda quadra, studieremo una tra le
tante soluzioni possibili, derivata dal generatore di onda triangolare e quadra.
In tale generatore, la frequenza di oscillazione dipende dal tempo impiegato da
un condensatore che si carica a corrente costante per passare da un livello di
soglia ad un altro. Lidea quella di avere la corrente di carica proporzionale ad
una tensione di controllo che chiameremo V
c
. Consideriamo lo schema di gura
5.30.
5.5.1 Analisi del funzionamento
Luscita del generatore il segnale V
u
, in uscita ad un comparatore di soglia non
invertente, di cui non si riporta lo schema interno per semplicit. Il comparatore
alimentato ad alimentazione singola, per cui entrambe le tensioni di soglia V
S1
e V
S2
sono maggiori di zero. Anche le due possibili tensioni duscita, V
OH
e V
OL
saranno positive, con V
OL
prossima a 0 V. Luscita si alterna tra V
OH
e V
OL
,
generando londa quadra.
Si supponga che allaccensione del circuito il condensatore sia scarico. Allora
in uscita dal comparatore di soglia si avr un valore basso, in quanto lingresso
inferiore alla soglia inferiore del comparatore; in tali condizioni, la tensione
riportata verso T
4
molto bassa, dunque non tale da polarizzare il transistore,
che rimane interdetto. Se T
4
interdetto, allora la corrente che scorre sul suo
collettore nulla e quindi la somma delle correnti uscenti dagli emettitori di T
1
e T
2
nulla.
Se la somma delle correnti di emettitore di T
1
e T
2
nulla, allora saran-
no nulle entrambe le correnti, quindi questi due transistori sono interdetti. Il
transistore pnp T
3
, invece, polarizzato tramite il diodo, ed in uscita dal suo
collettore si avr una corrente I.
227
T
1
T
2
T
3
R
T
4
D
V
A
C
V
u
R
B
V
c
V
AL
Figura 5.30: Schema circuitale elementare di un VCO.
I
V
AL
V
EB
V
c
R
Questa corrente, dal momento che i transistori T
1
e T
2
sono interdetti, deve
passare nel diodo. Dal diodo, inne, va verso il condensatore C che si carica a
corrente costante; caricandosi, tuttavia, aumenter la tensione V
A
no a superare
la tensione di soglia V
S1
.
Superata questa tensione, il comparatore di soglia (non invertente) commu-
ta, portando luscita a livello alto V
OH
. Questo valore di tensione fa scorrere
corrente nel transistore T
4
, che va in saturazione. In questo stato, che sar trat-
tato compiutamente in un capitolo successivo, il transistor si comporta come
un interruttore chiuso verso massa, con una tensione residua tra collettore ed
emettitore chiamata V
CESAT
dellordine di 0.2 V.
Il nodo comune ai due emettitori di T
1
e T
2
sar dunque a una tensione
prossima a 0 V e vedr una bassa impedenza. In questo modo T
1
e T
2
lavora-
no come uno specchio di corrente: la corrente I che nella situazione precedente
proveniva dal collettore di T
3
, ora non pu circolare nel diodo che polarizzato
inversamente. Infatti, se sul collettore di T
4
sono presenti circa 0.2 V, assumendo
che V
BE,1
sia dellordine di 0.7 V, allora si ha una tensione di circa 0.9 V sul col-
lettore di T
1
. Il diodo si trova dunque compreso tra la tensione del condensatore
V
A
e 0, 9 V. Finch V
A
si mantiene al di sopra di 0.9 V (o meno, tenendo conto
della V

del diodo), il diodo polarizzato inversamente.

Il collettore di T
2
non pu assorbire corrente da V
AL
e quindi aspira corrente
dal condensatore, che in questo semi-ciclo in fase di scarica no a quando
228
la tensione ai suoi capi rimane superiore alla tensione di soglia inferiore del
commutatore. Superata la soglia bassa di tensione V
S2
al termine del processo
di scarica del condensatore, il ciclo ricomincia da capo: oltrepassata V
S2
, T
4
si
interdice, T
1
e T
2
si interdicono di conseguenza e la corrente quindi torna a
scorrere sul diodo ricaricando il condensatore.
Riassumendo, il transistor T
3
si comporta come generatore di corrente pro-
porzionale al valore della tensione di controllo, mentre T
1
, T
2
, T
4
e D formano un
deviatore che cambia il verso della corrente generata da T
3
in modo da caricare
o scaricare il condensatore C.
V
S1
V
S2
V
OH
V
OL t
V
c
, V
u
Figura 5.31: Andamento temporale delle tensioni del VCO (rosso: V
c
, blu: V
u
.
Controllo della frequenza Per quanticare il periodo del VCO, detto
T
2
il
tempo impiegato per passare dalla tensione V
S2
a V
S1
, si ha che lescursione della
tensione ai capi del condensatore pari allampiezza dellisteresi del comparatore
e la quantit di carica trasferita dipende dalla corrente I.
V
S1
V
S2
=
I
C

T
2
Come stato osservato precedentemente, la corrente I funzione della ten-
sione di controllo di ingresso V
c
durante la fase di carica del condensatore.
Combinando le due espressione di T e I si ricava T(V
c
).
I =
V
AL
V
EB
V
c
R
= T = 2(V
S1
V
S2
)
C
I
= 2
(V
S1
V
S2
)RC
V
AL
V
EB
V
c
= f =
V
AL
V
EB
V
c
2(V
S1
V
S2
)RC
229
Condizioni di funzionamento Anch il dispositivo abbia un funzionamen-
to come quello che stato descritto, devono essere soddisfatte alcune condizioni.
necessario che la tensione di soglia V
S2
sia maggiore di 0.9 V. Questo limite
di tensione deriva dal fatto che il collettore di T
1
si trova a circa tale potenziale
durante la fase di scarica del condensatore. Anch vi sia la scarica, il diodo
deve rimanere interdetto e quindi la tensione del catodo, uguale a quella sul
condensatore, deve essere superiore a quella dellanodo ssata a circa 0.9 V. Per
questo motivo la minima tensione raggiunta dal condensatore (V
S2
) devessere
maggiore di 0.9 V.
Per quanto riguarda invece la tensione di controllo del VCO V
c
, sono presenti
un limite superiore ed uno inferiore.
V
c,MAX
V
AL
V
EB
; supponendo che si abbia V
EBON
= 0.7 V, si pu
stimare il limite massimo della tensione V
c
come:
V
c,MAX
= V
AL
0.8 V
In questo modo si garantisce un minimo di corrente al collettore di T
3
.
V
C,min
V
S1
+V

: in questo modo si ha la garanzia mantenere il transi-

store T
3
in linearit, evitando di abbassare la tensione di base ad un valore
inferiore rispetto a quella di collettore.
5.5.2 circuito alternativo
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
D
C
V
u
R
B
V
AL
R
V
c
Figura 5.32: VCO con specchio di corrente in ingresso.
possibile migliorare la dinamica del segnale di controllo del VCO con le
modiche riportate in gura 5.32. Luso di uno specchio di corrente come gene-
ratore della corrente di carica/scarica del condensatore infatti rilassa il limite
inferiore della tensione di controllo, che svincolata dalle tensioni di soglia del
230
comparatore. Infatti la tensione sul condensatore in questo caso pu salire senza
problemi no a V
AL
V
EB
V

. Tale valore diventa il massimo possibile per la

tensione V
S1
, indipendentemente dalla dinamica di V
c
che si pu estendere no
a 0 V.
Anche in questo circuito lespressione della corrente vale:
I =
V
AL
V
EB
V
c
R
Per cui lespressione della frequenza di oscillazione formalmente analoga a
quella dello schema precedente.
231