Diodo

Es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.

Smbolo:

Caractersticas: consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de

potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.

Funcionamiento: se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos

capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua.

Aplicacin:

Rectificador de media onda Rectificador de onda completa Rectificador en paralelo

MOSFET
Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los procesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.

Smbolo:

Caractersticas: Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la

estructura MOS.

Funcionamiento: Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material

semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Las reas de difusin se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el conductor entre ellos es la puerta(gate).

Aplicacin:

Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

FET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en elcampo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.

Smbolo:
P-canal N-canal

Caractersticas:

Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M). No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor). Hasta cierto punto es inmune a la radiacin. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

Funcionamiento: la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT,

donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.

Aplicaciones: circuitos integrados o chips digitales.

BJT
es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Smbolo:

Caractersticas: Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones

PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

Funcionamiento: En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza

en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisorbase y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.

Aplicacin: circuitos digitales integrados.

Tiristor
Es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia elctrica.

Smbolo:

Caractersticas: El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las

uniones son de tipo PNPN entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y NPN, por eso se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la unin J2 (unin NP).

Funcionamiento: El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el

equivalente electrnico de los interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en el diodo Shockley.

Aplicacin: electrodomsticos (iluminacin, calentadores, control de temperatura,

activacin de alarmas, velocidad de ventiladores), herramientas elctricas (para acciones controladas tales como velocidad de motores, cargadores de bateras), equipos para exteriores (aspersores de agua, encendido de motores de gas, pantallas electrnicas).

SCR
(En ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y Transistor.

Smbolo:

Caractersticas: Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta).

La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo.

Funcionamiento: Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado,

permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.

Aplicacin: Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia, en el

campo del control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como interruptor de tipo electrnico.

TRIAC
Es un dispositivo semiconductor, de la familia de los transistores.

Smbolo:

Caractersticas:

diferencia con un tiristor convencional es que ste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
La

Funcionamiento: Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la

denominacin de nodo y ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.

Aplicacin:

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels. Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila.