ESTADO SOLIDO PROPIEDADES FISICAS Las propiedades que posee un slido y que por tanto limita sus aplicaciones

son, su composicin, su estructura y el enlace. 1.1.- Niveles estructurales Dentro de la estructura en s podemos distinguir tres niveles estructurales:

estructura cristalina de slidos perfectos o ideales estructura de defecto textura de slidos policristalinos: un slido inorgnico est constituido por granos, estos granos en su interior tienen una estructura ideal o ,mucho mas frecuente, defectuosa. Los granos son de distinto tamao y forma, adems la orientacin cristalogrfica difiere de la del grano adyacente. (Zona entre granos = limite de grano) Propiedades condicionadas por la estructura cristalina ideal; es el caso de la propiedad dureza en el carbono, C, si este tiene estructura cristalina ideal tipo diamante. En cambio si posee estructura ideal tipo grafito el carbono es blando, por lo que podemos concluir que la estructura condiciona la propiedad mecnica dureza. Propiedades condicionadas por la estructura real y la defectuosa; es el caso del silicio y del arseniuro de galio, AsGa. Ambas sustancias son semiconductores, esta propiedad viene determinada por la estructura cristalina ideal de ambas sustancias ( estructura tipo diamante), y por su estructura defectuosa consecuencia del dopado de estas sustancias. Influencia de la textura; este nivel estructural influye en la dureza, ya que cuanto mayor es el nmero de granos en el slido y ms pequeos sean estos granos, habr un mayor lmite de grano, por tanto ese slido ser ms duro que otro con menos granos y ms grandes, esto es consecuencia de la mayor zona de frenado para las dislocaciones.

La textura tambin condiciona propiedades electrnicas como podemos observar en el caso del cermico titanato de bario, BaTiO3, al igual que la mayora de los cermicos es una sustancia aislante, al doparlo con por ejemplo La, entonces el TiBaO3 ser semiconductor. A este semiconductor lo podemos encontrar de dos formas como un monocristal (un solo grano) o como policristal. Mientras que el monocristal no presenta efecto PTCR, si lo hace el policristal.

PTCR es el acrnimo de Resistencia con coeficiente de temperatura positivo, consiste en que el material a bajas temperaturas es semiconductor, a partir de una cierta temperatura, temperatura de Curie, pasa de ser semiconductor a ser aislante. Para el BaTiO3 policristalino, esta Tc es ~125C y pasa de tener una resistencia de 10 a una de 10-8 ohmios, . Adems a est temperatura pasa de ferroelctrico a paraelctrico y pasa de estructura de perovskita tetragonal a perovskita cbica. Este mismo cambio en la estructura y en el ferromagnetismo se da en el titanato de bario monocristal, pero sin embargo no presenta efecto PTCR, por lo que podemos deducir que el efecto PTCR se relaciona con la textura de grano, ya que en el monocristal no existe. Esta propiedad de algunos materiales, se utiliza para impedir que se quemen los motores, ya que al sobrecalentarse los alrededores de este, el material pasara a ser aislante y se cortara la corriente elctrica (secadores de pelo, batidoras,...) Definicin de defecto, justificacin de su presencia, cantidad y tipo. Un slido ideal es aquel que tienen todos los tomos o iones que le corresponden, que estos estn en sus sitios correctos y que adems estn quietos, por lo que los slidos ideales solo existen en el cero absoluto, por encima de este valor de temperatura tendremos slidos reales debido a que ya los tomos o iones estn vibrando y al vibrar puede que se pierda alguno, apareciendo vacantes o incluso que se ocupen los intersticios. Entonces las caractersticas de un slido cristalino ideal son la regularidad y la periodicidad. Definimos defecto como una variacin en el reordenamiento peridico y regular de los tomos o molculas en el cristal.

Vamos a justificar la presencia de defectos en los slidos cristalinos, viendo que pasara al introducir una vacante catinica en un cristal donde hay un mol de cationes, es decir 1023 sitios con cationes. Para crear una vacante tenemos que quitar un catin para ello debemos suministrar una energa al cristal, la entalpia de formacin de la vacante ( H), en el momento en que creamos la vacante en el cristal se genera desorden y por tanto entropa que trae como consecuencia la emisin de esta energa por el cristal. La entropa tiene distintos componentes: - entropa de configuracin: es la entropa resultante del hecho de que la vacante puede estar en 1023 sitios distintos. - entropa de cambio: entropa consecuencia de la distorsin producida en la red a causa del hueco ( todo el entorno de este hueco esta perturbado).

Ests entropas hacen que la energa emitida por el sistema, T S (termino entrpico), sea mayor que la energa que nosotros hemos suministrado, con lo cual disminuir la energa libre, G, del sistema , lo que har que el sistema se estabilice. Por tanto si la creacin de un defecto estabiliza, se deduce que todos los slidos orgnicos e inorgnicos sern imperfectos. El sistema solo se estabiliza con los primeros defectos, a partir de un cierto nmero de defectos, la creacin de nuevos, hace aumentar G ya que para introducir ese defecto es necesario administrar gran cantidad de entalpa debido a que ahora la vacante tiene menos sitio para colocarse y el trmino entrpico es menos negativo y por tanto aumenta la energa libre. El limite mximo de defectos que hace mnima la energa libre depende de:

La temperatura: supongamos que la temperatura no influye en los valores de H ni de S, por tanto si hacemos el clculo de la energa libre para dos temperaturas, T1 baja y T2 alta, obtenemos que la entalpa es comn para los dos casos; la entropa tambin sera la misma para los dos casos, pero no el trmino entlpico, que depende de la temperatura. Cuando calculamos la energa libre obtenemos una curva para cada caso. La cantidad de defectos admisibles es mayor en T2 que en T1. Por tanto un aumento de la temperatura determina que aumente la concentracin de defectos que hacen mnima la energa del sistema. Tipo de defecto: aquel defecto que sea fcil de formar y cree mucho desorden existir en mayor proporcin en el sistema que aquel que sea necesario suministrarle mucha energa y no cree tanto desorden. Por ejemplo en el NaCl un defecto que est muy presente es el defecto Schottky mientras que en el AgCl es el defecto FrenKel

Defectos puntuales. Los defectos puntuales involucran uno o varios tomos o iones. Vacante: hueco que aparece en una red covalente o metlica, estas vacantes pueden ser intrnsecas o extrnsecas y son siempre no estequiomtricas. Las vacantes intrnsecas se producen siempre durante la solidificacin, mientras que las extrnsecas se producen a altas temperaturas al ser procesado el slido. A T ambiente hay menos vacantes que a altas temperaturas, por tanto podemos decir que la formacin de vacantes es un fenmeno trmicamente activado, con lo que se ajustar a una ecuacin de Arrenius, donde H es la energa que suministramos para crear el hueco.

Defectos intersticiales y autointersticiales: aparecen en redes metlicas o covalentes, y se producen al insertar un tomo propio o extrao en un intersticio de la red, debido al pequeo tamao del intersticio al ser ocupado por un tomo la red se distorsiona. Al igual que en el caso de las vacantes al aumentar la T, tambin lo hace el nmero de defectos pero en este caso no se ve afectado tanto por la T, por lo que no sigue una ecuacin de Arrenius. (extrnseco)

Def. sustitucional: (en redes metlicas y covalentes) un tomo de la red es sustituido por otro tomo, es un proceso relativamente independiente de la T. En algunas ocasiones es de tipo intrnseco. Def. Schottky: afecta a cristales inicos, fundamentalmente a haluros alcalinos como el NaCl. Es un defecto de tipo intrnseco, que consiste en la aparicin de una vacante aninica y otra catinica, pudiendo estar estas juntas o separadas, para que se formen las vacantes mencionadas tanto como el catin como el anin deben irse a la superficie del slido.

La presencia de los pares vacantes crean inestabilidad en la red, ya que son huecos tanto + como - y atraen a los iones de su alrededor distorsionando la red, los desplazamientos creados alrededor de las vacantes son del orden de 0.2. Estos defectos condicionan propiedades de tipo ptico y electrnico, pudiendo afectar tambin a propiedades mecnicas en menor medida. Podemos detectar este tipo de defecto por microscopia electrnica de alta resolucin HREM.

Def. Frenkel: afecta a cristales inicos. Es un defecto de tipo intrnseco, donde un ion se mueve desde su posicin en la red hasta un intersticio, ese ion puede ser tanto anin como catin. Por ejemplo en el AgCl, se mueve el Ag+, mientras que en el CaF2 el que se mueve es el F-.

El paso de un ion de la red a un intersticio puede hacerse de dos lormas, que el ion se vaya directamente, o que un ion empuje al que migra y este se desplace al intersticio, donde se encontrar octacoordinado a 4 iones y 4 cationes. Este tipo de defecto se da en el AgCl y no en el NaCl ya que la plata es menos electropositiva que el sodio, y puede producir interacciones de tipo covalente ( entre la plata y los cloruros de alrededor), que estabilizan el defecto en el AgCl. Centros de color: son defectos extrnsecos, no estequiomtricos que aparecen sobre todo en haluros, se puede producir de dos formas:

Inters de los defectos puntuales. Estos defectos condicionan las propiedades fsicas del slido donde se encuentra, como son la conductividad tanto en su aspecto electrnico como ionico y el color. Tambin actan aumentando la reactivadad de los slidos y condicionando las propiedades mecnicas fundamentales en metales y cermicos, esto es debido a que distorsionan la red y esta distorsin impide el movimiento de dislocaciones. Defectos lineales: Dislocaciones. Se llaman defectos lineales ya que algunos se ven en el cristal como una lnea en alguna de sus caras, pero realmente el defecto se extiende por toda su profundidad. Estos efectos fueron propuestos en 1930 para explicar una serie de hechos que tenan lugar en los slidos como son:

Propiedades mecnicas de metales y cermicos: en primer lugar s vea que los metales eran ms blandos (ms fciles de deformar) de lo que en principio se deduca de clculos tericos, se supuso entonces que en los slidos haba uniones dbiles que facilitaban la deformacin asocindose estas uniones dbiles a la presencia de deformaciones. Del mismo modo explicaban el hecho de que los metales fueran dctiles y maleables, y de que al trabajar un metal este se endureciera. Crecimiento cristalino: vemos en cristales no perfectos unas disposiciones helicoidales en alguna de sus caras, la presencia de estas espirales, solo se explica con la presencia de dislocaciones, adems estas explicaban un crecimiento de cristales ms rpido de lo esperado. Reactividad en slidos: los slidos presentan una reactividad diferente en unas zonas que en otras, en las zonas ms reactivas debera de haber dislocaciones que debilitarn los enlaces y por tanto en ests zonas la reactividad es mayor.

Tipos de dislocaciones

Dislocacin de borde (cua, Taylor): es un medio plano extra en el cristal a consecuencia de este medio plano los planos laterales son paralelos en un principio hasta llegar a una zona donde se da el desplazamiento de los planos perdiendo su paralelismo, esta zona es el ncleo de la dislocacin. Llamamos lnea de dislocacin a la lnea central del cristal donde se produce la dislocacin y que se extiende hasta la cara opuesta. Donde hay ms distorsin es en el ncleo y a lo largo de los tomos que estn por encima y por debajo del plano de deslizamiento.

Para ver el efecto de esta dislocacin en las propiedades mecnicas de un cristal, aplicaremos una tensin de corte o cizalladura (que produce deformacin por

deslizamiento de planos), debido a esta tensin la zona superior del cristal, se desplaza sobre la parte inferior, pero esta tensin es bastante ms pequea de lo que en principio se calculara que se debe aplicar, ya que el desplazamiento se produce de forma progresiva, en primer lugar se rompe el enlace 3-6 y se forma el 2-6, con lo que el medio plano extra pasa a otra posicin por rotura de un solo enlace y formacin de otro, con lo que al final conseguimos el desplazamiento completo del plano, al llegar al final del cristal se produce un escaln de deslizamiento, para que sea visible este escaln a simple vista se deben de desplazar miles de dislocaciones. Este movimiento de la dislocacin se denomina deslizamiento, la dislocacin se mueve sobre el plano imaginario, plano de deslizamiento, formado por la lnea de dislocacin y la direccin de desplazamiento. Si el medio plano extra est por encima del plano de deslizamiento la dislocacin es positiva, y se representa con %, mientras que si est por debajo es negativo y se representa con %. El nmero de dislocaciones positivas y negativas en un cristal siempre es el mismo. La dislocacin de borde se representa mediante un vector, el vector de Burgers, que se simboliza como b (b minscula y negrita), el valor de este vector se calcula construyendo en la zona perfecta del cristal un circuito en el mismo sentido en el que hemos hecho la tensin de corte y la llevamos a la zona distorsionada por la dislocacin, y volvemos ha completar el circuito en esta zona encontrndonos que con este mismo camino no se llega a cerrar el circuito, el segmento que lo cierra es el vector de Burgers. Por tanto es una medida de la distorsin que produce la dislocacin, adems nos aporta la direccin y el sentido en el que se mueve la dislocacin y la distancia ms corta que hay entre dos tomos de la red. Es paralelo al plano de deslizamiento y a la direccin de deslizamiento y perpendicular a la lnea de dislocacin.

Dislocacin helicoidal (de tornillo o Burgers): Se produce al cortar un cristal por la mitad pero solo hasta una cierta profundidad, producindose a continuacin un desplazamiento de la parte superior sobre la inferior. Se llama helicoidal ya que al iniciar un camino en la primera de las hileras al volver a esa misma cara estaremos en la segunda de las hileras y as sucesivamente describiendo una hlice.

La lnea de dislocacin esta situada justo donde acaba el corte y se representa por la lnea S-S. En esta dislocacin los planos cristalinos estn en posicin helicoidal respecto a la lnea de dislocacin. Esta dislocacin viene caracterizada por su vector de Burgers, para calcularlo en una zona de cristal perfecto, dibujamos el circuito por tramos en sentido contrario a la tensin que acta para producir la dislocacin. Ahora llevamos el circuito a la zona del cristal donde est la dislocacin y el segmento necesario para completar el circuito ser el vector b, que es paralelo a la lnea de dislocacin y al plano de deslizamiento y perpendicular a la direccin de deslizamiento.

En este caso con la ruptura de enlaces locales conseguimos desplazar grupos enteros de tomos, esto explica que la dureza de la materia sea inferior al valor terico.

Dislocacin mixta o de Bucle: es por una parte una dislocacin de borde y por otra una de tornillo, es el resultado del cambio de carcter de una dislocacin dentro de un cristal, debido a ello en una de las caras aparece como una de borde y en la cara contigua de tornillo. Si miramos la cara con dislocacin helicoidal vemos un escaln, sin embargo el escaln que cabra esperar en la cara opuesta no aparece. Al observar la cara con dislocacin de borde, encontramos el medio plano extra pero este no llega a la cara opuesta del cristal.

Todas las dislocaciones al entrar en un cristal deben salir por la cara opuesta, pero este fenmeno no lo observaremos en la mixta por que dentro del cristal cambia el carcter de la dislocacin, entrando como helicoidal y saliendo como cua o al contrario. Esta dislocacin que entra de una forma y sale de otra, tiene una lnea de dislocacin en forma de bucle, el vector b, para este caso se calcula en el mximo de curvatura del bucle y es un vector compatible con las dos dislocaciones. Si seguimos aplicando tensin ambas dislocaciones siguen avanzando, de forma que el escaln helicoidal se completa y el plano extra llega hasta la cara opuesta, con lo cual tendremos el escaln correspondiente en una cara y en la opuesta. La velocidad de desplazamiento del plano extra es mayor que la del avance del escaln por lo tanto la lnea de dislocacin mixta avanza de una forma asimtrica. La dislocacin mixta es la ms frecuente en los cristales, dos razones explican este hecho; la primera que la acumulacin de vacantes en una zona del cristal produce un colapso y la contraccin de la estructura, y la segunda es que al producirse una mella, muesca... en el borde del cristal esta va avanzando y creando un bucle. Dislocaciones y endurecimiento. En su uso normal y cotidiano un material esta sometido a pequeas tensiones, estas generan muescas, mellas..., esto da lugar a dislocaciones, siendo las mixtas las ms frecuentes, como las dislocaciones facilitan el ablandamiento del material, al ser usados durante un largo tiempo, cada vez hay ms dislocaciones y cada vez est ms blando el material producindose fallos catastrficos, por eso debemos seleccionar un material capaz de contrarrestar el gran numero de dislocaciones generadas por las muchas tensiones de uso, uno de estos materiales es el acero, hierro con distintas proporciones de C siempre por debajo del 2%, este carbono esta disuelto en el hierro de forma intersticial, al estar el C en los intersticios supone una gran distorsin en la red. Adems el carbono puede estar en forma de carburo de hierro (cementita) y tanto en un caso como en otro impide el libre

movimiento de las dislocaciones, endureciendo el material por endurecimiento por disolucin. Aparte de este endurecimiento existe otro, el endurecimiento por trabajo, en este caso endurecemos el material sometindolo a grandes tensiones (en su elaboracin y no en su uso), generando gran cantidad de dislocaciones, que empezarn a moverse encontrndose con un freno muy efectivo, los limites de grano, acumulndose las dislocaciones en una zona concreta. En este movimiento las dislocaciones tienden a irse a la superficie deformndolo, esta deformacin acta sobre el grano colindante dificultando el movimiento de la dislocacin. Adems las dislocaciones ejercen acciones repulsivas entre ellas, impidiendo su libre movimiento. Por tanto cuando sometemos a un material a latas tensiones por uno de estos tres efectos se produce un endurecimiento del material por trabajo. Podemos tambin endurecer un material disminuyendo el tamao de grano, ya que cuanto ms pequeo sea este, mayor ser la superficie de grano y habr ms zonas que se pueden deformar. Las durezas producidas tanto por trabajo como por endurecimiento de grano pueden paliarse mediante tratamiento trmico donde se alcanzan altas temperaturas y se permite la difusin y reorganizacin de tomos, en esta reorganizacin pueden eliminarse dislocaciones y adems disminuyen las deformaciones en la red a consecuencia de las tensiones que habamos aplicado. Observacin de dislocaciones. La tcnica utilizada para detectar una dislocacin es la microscopa electrnica de alta resolucin, previo ataque del material. El primer material que se estudio fue el LiF ( no se usaron los metales ya que es prcticamente imposible obtener un metal sin dislocaciones). El LiF es inerte al agua oxigenada pero cuando en el LiF hay una dislocacin aumenta la reactividad del cristal en las proximidades de la dislocacin. En la prctica la zona atacada es muy grande, es una tcnica muy destructiva ya que el efecto de la dislocacin se extiende. Con esta tcnica se detectan tanto cualitativamente como cuantitativamente las dislocaciones, pero adems podemos detectar el movimiento de estas dislocaciones. El ataque se vera aproximadamente como en la figura, donde la lnea discontinua representa la situacin de la dislocacin: Si hay muchas dislocaciones juntas, veramos algo as:

Direccin compacta: en el caso de un empaquetamiento compacto de tomos, al aplicar una tensin de corte o cizalladura sobre un cristal con dislocaciones, tal como se representa en la figura 13 a, la hilera de tomos superior se desplazar sobre la inferior, el desplazamiento sufrido por cada uno de los tomos es el dimetro de un tomo, d, la distorsin tambin se traslada d. Como el modulo del vector b es el mnimo desplazamiento: b =d y por tanto la energa asociada a este movimiento es:

Direccin no compacta: en un empaquetamiento no compacto al tensionar la hilera de tomos superior se desliza sobre la inferior, el desplazamiento que se produce es de: Su energa asociada sera pues:

Tipo de planos de deslizamiento: en el empaquetamiento compacto aparecern planos de deslizamiento compacto, en este caso la distancia entre el centro del tomo de la hilera inferior y el centro del tomo de la hilera superior es d1; en el caso del empaquetamiento no compacto la distancia sera d2, siendo d2 ms pequea que d1.

A la vista de esto se deduce que el deslizamiento ser ms fcil en el caso del empaquetamiento compacto, ya que habr menos rozamiento. (Figura 14) De forma resumida el movimiento de las dislocaciones en direcciones compactas y sobre planos de deslizamiento compacto tiene una menor energa asociada. El conjunto de un plano compacto y direcciones compactas, es a lo que se denomina sistema de deslizamiento, tambin se llama as a planos no compactos y direcciones compactas (en este caso hay una mayor energa asociada). A la vista de esto, elementos con estructura CCC como el Ni, Pt, Cu, Ag, Au, Al; sern ms fciles de deformar que los elementos con estructura CCB (V, Cr, Mo, W, Fe). Tambin sern ms fciles de deformar las CCC que las hexagonales compactas, aunque siempre hay excepciones lo que nos lleva a pensar que los sistemas de deslizamiento no son el nico parmetro a tener en cuenta.

En la estructura cbica centrada en las caras hay cuatro familias de planos compactos, astas familias pueden visualizarse teniendo en cuenta que son planos perpendiculares a las cuatro diagonales del cubo ( Figura 15 a) y se hallan cogiendo cada uno de los vrtices de la cara superior y unindolo a esta diagonal. Dentro de cada uno de estos planos existen tres direcciones compactas que coinciden con las diagonales de las caras. Los planos

compactos son de la familia {111}, y las direcciones de 110 . Por tanto en la estructura CCC hay 12 sistemas de deslizamiento.

En la hexagonal compacta, solo hay una familia de planos compactos, los planos basales {0001}, estos planos de empaquetamiento compacto tienen tres direcciones, 11-20 por lo tanto el numero de sistemas de deslizamiento es de 3. El plano {0001} solo ser plano de deslizamiento cuando la relacin c/a sea mayor o igual de 1.63, si esto no se cumple el plano de deslizamiento aunque no es tan compacto como el basal ser el {10-11}. (c es la distancia entre planos basales y a distancia entre el centro y el plano basal) En la estructura cbica centrada en el cuerpo (CCB), (Figura 15 c), no hay ningn plano de compacto, lo que si existen son direcciones compactas, estas se corresponden son las cuatro diagonales del cubo, cuyos ndices de Miler son 111 . Tienen planos de cierta compacidad, en concreto son tres familias, {110}, la {112} y la {123}, a estas tres familias se podra aadir el plano de la cara{100} de cierta compacidad. Teniendo en cuenta el nmero de planos de deslizamiento y las direcciones compactas que hay en ellos se consiguen un total de 48 sistemas de deslizamiento. Por eso aunque son algo difcil de deformar se comprueba que estas estructuras se deforman mejor que algunas hexagonales compactas.

Otro factor a tener en cuenta para ver la facilidad con la que se deforma un cristal es la direccin en que se aplica la tensin, con respecto a las direcciones de deslizamiento y a los planos de deslizamiento. Para verlo nos fijamos en un monocristal de Mg (Figura 16), de estructura hexagonal compacta, al que aplicamos una tensin F, inicialmente esta tensin produce deformaciones plsticas (permanentes). Esto se explica ya que: la base del monocristal forma un ngulo con el plano basal de deslizamiento, por otra parte , es el ngulo entre la direccin de la fuerza aplicada y el plano de deslizamiento. Cuando aplicamos fuerza a una superficie tenemos una tensin, la tensin es un parmetro vectorial con dos componentes de estas dos, solo la componente paralela al plano de deslizamiento es la efectiva, a esta tensin se le llama tensin de corte o cizalladura efectiva, . = Fuerza en la direccin de deslizamiento/ rea plano deslizamiento

Cuando el ngulo que forman la direccin en la que se aplica la tensin y el plano de deslizamiento son perpendiculares y cuando el ngulo entre el plano de deslizamiento y F es de 90, la tensin que aplicamos es nula, ya que en el primer caso =90 y en el segundo =90, y el coseno de 90 es igual a cero. Por tanto la situacin en la que la fuerza aplicada tiene el mximo de eficacia es cuando ambos ngulos son de 45, en este momento: = /2. Adems de la tensin efectiva, , otro parmetro de inters es la tensin efectiva crtica, c, que es la mnima tensin que hay que realizar para que se produzca deformacin en el cristal. Dada la importancia que tiene la direccin en la que se aplica la tensin, podemos entender la gran diferencia que existe entre las tensiones de deformacin de una estructura CCC y una hexagonal compacta. En el caso de las CCC como hay 12 sistemas de deslizamiento hay gran probabilidad de que la tensin que yo aplique pueda resultar efectiva. En la estructura hexagonal compacta solo hay 3 sistemas de deslizamiento y la probabilidad de aplicar la fuerza en una direccin adecuada es menor. Otro tercer factor a tener en cuenta es el valor de la relacin c/a, que se muestra en la siguiente tabla, donde podemos ver que los valores de c para CCC son pequeos y esto se debe a el elevado nmero de sistemas cristalinos, en el caso de la HC, podemos distinguir dos grupos, uno con valores de c/a mayores de 1.63 y con valores de Tc del orden de los de CCC ya que el deslizamiento se lleva a cabo a travs de los planos basales, y un segundo grupo con valores de c mas altos y relacin c/a menor de 1.63, debido a que los planos basales estn muy cerca unos de otros y estos dejan de ser planos de deslizamiento y pasan a ser planos de deslizamientos unos no compactos, siendo por tanto ms difcil de