UNIVERSIT DE MONTRAL

MODLISATION ET CARACTRISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE HTROJONCTION

LOUAY DEGACHI DPARTEMENT DE GNIE LECTRIQUE COLE POLYTECHNIQUE DE MONTRAL

THSE PRSENTE EN VUE DE LOBTENTION DU DIPLME DE PHILOSOPHIAE DOCTOR (Ph.D.) (GNIE LECTRIQUE) FVRIER 2007

Louay Degachi, 2007.

UNIVERSIT DE MONTRAL COLE POLYTECHNIQUE DE MONTRAL

Cette thse intitule :

MODLISATION ET CARACTRISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE HTROJONCTION

prsente par : DEGACHI Louay en vue de lobtention du diplme de : Philosophiae Doctor a t dment accept par le jury dexamen constitu de :

M. KASHYAP Raman, Ph.D., prsident M. GHANNOUCHI Fadhel M., Ph.D., membre et directeur de recherche M. AKYEL Cevdet, Ph.D., membre M. BIRAFANE Ahmed, Ph.D., membre

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REMERCIEMENTS

Je tiens remercier sincrement le professeur Fadhel Ghannouchi pour avoir accept de diriger mes travaux de recherche. Je tiens lui exprimer ma reconnaissance pour toutes les ressources techniques, matrielles et financires quil a mises ma disposition tout le long de mes tudes.

Mes remerciements vont aussi Slim Boumaiza, Oualid Hammi et Mohamed Helaoui pour leurs rponses pertinentes toutes mes questions.

Je tiens remercier les professeurs Raman Kashyap, Cevdet Akyel et Ahmed Birafane pour avoir accept de juger ma thse.

RSUM

Cette thse prsente une nouvelle approche de modlisation des transistors bipolaires htrojonction (HBTs). Lapproche propose inclut un modle relativement avanc, pouvant assurer une description prcise du composant, ainsi quune technique dextraction permettant la dtermination des paramtres du modle partir de mesures lectriques DC et RF effectues sur le transistor. Lobjectif principal est de fournir au concepteur de circuits bases de HBT, une procdure de modlisation prcise et rapide, couvrant une grande varit de transistors et ncessitant le minimum dintervention humaine.

Le modle adopt est bas sur celui de Gummel-Poon, mais certaines caractristiques des modles avancs HICUM et MEXTRAM, ont t incluses afin de tenir compte de certains effets tels que lauto-chauffement, laccumulation de courant et leffet de la jonction externe base-collecteur. Linclusion de tels effets permet dtendre le champ dapplication du modle une large bande de frquence et de conditions de polarisation.

Une technique systmatique et rigoureuse a t dveloppe pour lextraction des paramtres intrinsques et extrinsques du modle petit-signal, partir de mesures RF. Cette technique utilise exclusivement les mesures de paramtres S. Des expressions analytiques rigoureuses ont t labores, permettant de relier les paramtres du modle linaire des grandeurs directement mesurables.

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Les rsultats de lextraction petit-signal, combins avec des mesures DC, ont t utiliss afin de caractriser le comportement statique du transistor en mode dopration actif. Cette procdure assure la consistance entre les simulations RF et DC. Elle montre, par ailleurs, que ltude du comportement petit-signal est une importante source dinformation sur le comportement statique du transistor.

La validation de lapproche a t effectue sur des transistors provenant de deux fonderies diffrentes. Un bon accord est obtenu entre les mesures et les simulations RF et DC.

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ABSTRACT

A new HBT modelling approach is presented in this thesis. It includes a relatively advanced equivalent-circuit model as well as an extraction procedure allowing for the determination of the model parameters from DC and RF measurements performed on the component. The proposed approach is intended as an easy and efficient modelling tool for the designers of HBT-based circuits.

The adopted circuit topology is based on the Gummel-Poon model, but presents certain features of the advanced models HICUM and MEXTRAM, which allows accounting for some effects such as self-heating, current crowding and the effects of the external basecollector junction.

A rigorous procedure was developed for the extraction of small-signal model parameters, from S-parameter measurements. The results of small-signal extraction are used in conjunction with DC measurements to characterize the static behaviour of the transistor. Such a procedure ensures consistency between small-signal and DC simulations.

The proposed model is implemented and simulated using ADS softaware from Agilent Technologies. Three HBTs from different foundries were used to validate the proposed approach. DC and RF measurements are performed at the ambient temperature 25C.

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Excellent agreement is observed between measured Ic-Vce curves and multi-bias Sparameters up to 20 GHz.

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TABLE DES MATIRES

REMERCIEMENTS .........................................................................................................iv RSUM ...........................................................................................................................v ABSTRACT.................................................................................................................... vii TABLE DES MATIRES ................................................................................................ix LISTE DES ANNEXES................................................................................................. xiii LISTE DES TABLEAUX...............................................................................................xiv LISTE DES FIGURES.....................................................................................................xv LISTE DES SIGLES ET ABRVIATIONS ................................................................ xvii INTRODUCTION GNRALE .......................................................................................1 1. GNRALITS SUR LES HBTs .............................................................................7 1.1 Introduction..............................................................................................................7 1.2 Principaux phnomnes physiques dans les HBTs ..................................................8 1.2.1 Injection de porteurs..........................................................................................9 1.2.2 Phnomnes de recombinaison .........................................................................9 1.2.3 Capacits .........................................................................................................10 1.3 Autre phnomnes dans les HBT...........................................................................11 1.3.1 Rsistance intrinsque et accumulation de courant.........................................11 1.3.2 Auto-chauffement..........................................................................................11 1.3.3 Effets distribus...............................................................................................13 1.4 Performances en frquence ....................................................................................13

1.4.1 Frquence de transition fT................................................................................14 1.4.2 Frquence maximale doscillation fmax ............................................................14 1.5 Avantage des HBTs par rapport aux BJTs.............................................................15 1.6 Comparaison entre les HBTs et les transistors effet de champ ...........................17 1.7 Technologies des HBTs .........................................................................................19 1.8 Potentialit des HBTs pour lamplification en puissance ......................................19 1.9 Modlisation et caractrisation des HBTs..............................................................20 2. REVUE CRITIQUE DE LA LITTRATURE ........................................................24 2.1 Modlisation grand-signal......................................................................................24 2.2 Modlisation petit-signal........................................................................................27 3. MODLISATION ET CARACTRISATION DES HBTs ....................................32 3.1 Modle grand-signal ..............................................................................................32 3.1.1 Circuit intrinsque...........................................................................................33 3.1.2 lments extrinsques.....................................................................................36 3.1.3 lments parasites...........................................................................................37 3.2 Modle petit-signal ................................................................................................38 3.2.1 Rsistances dynamiques Rbe, Rbc et Rcx ...........................................................39 3.2.2 Transconductance............................................................................................40 3.2.3 Le temps de transit ..........................................................................................40 3.3 Corrlation entre le modle petit-signal et le modle statique...............................41 3.4 Extraction des lments parasites...........................................................................42 3.4.1 Extraction des capacits parasites ...................................................................42

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3.4.2 Extraction des inductances parasites...............................................................46 3.5 Extraction des rsistances extrinsques .................................................................47 3.5.1 Rsistance dmetteur Re .................................................................................47 3.5.2 Rsistance de base Rb ......................................................................................48 3.5.3 Rsistance de collecteur Rc .............................................................................51 3.6 Extraction petit-signal ...........................................................................................52 3.6.1 De-embedding .................................................................................................53 3.6.2 Extraction des lments intrinsques et extrinsques .....................................56 3.7 Extraction des paramtres du modle statique en mode actif ................................63 3.8 Validation de la technique......................................................................................66 3.8.1 Banc de mesures..............................................................................................66 3.8.2 Extraction des rsistances ...............................................................................67 3.8.3 Extraction des capacits et inductances parasites ...........................................68 3.8.4 Implantation du modle petit-signal................................................................69 3.8.5 Implantation du modle grand-signal..............................................................75 4. DISCUSSION GNRALE ....................................................................................79

CONCLUSION ET RECOMMANDATIONS ................................................................83 REFRENCES.................................................................................................................85 ANNEXES .....................................................................................................................101 ARTICLE I: Systematic and Rigorous Extraction Method of HBT Small-Signal Model Parameters ......................................................................................................102

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ARTICLE II: Simple Technique for a Quick Evaluation of HBT TemperatureDependant DC Model Parameters in Forward Active Regime..................................110 ARTICLE III: Characterization of AC Emitter Current Crowding and Consequences on Small-Signal Extraction. .......................................................................................115

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LISTE DES ANNEXES

ANNEXES .....................................................................................................................101 ARTICLE I: Systematic and Rigorous Extraction Method of HBT Small-Signal Model Parameters ......................................................................................................102 ARTICLE II: Simple Technique for a Quick Evaluation of HBT TemperatureDependant DC Model Parameters in Forward Active Regime..................................110 ARTICLE III: Characterization of AC Emitter Current Crowding and Consequences on Small-Signal Extraction. .......................................................................................115

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LISTE DES TABLEAUX

Tableau 1-1 : Conductivits thermiques de certains matriaux .......................................12 Tableau 1-2 : Comparaison entre les BJTs et les HBTs. .................................................16 Tableau 1-3 : Comparaison entre le HBT, MESFET et HEMT.......................................18 Tableau 3-1 : Valeurs des rsistances extrinsques .........................................................67 Tableau 3-2 : Valeurs des capacits parasites ..................................................................68 Tableau 3-3 : Valeurs des inductances parasites..............................................................68 Tableau 3-4 : Rsultats de lextraction pour le transistor 2 x 20 .....................................70 Tableau 3-5 : Rsultats de lextraction pour le transistor 1 x 100, ..................................72 Tableau 3-6 : Rsultats de lextraction pour le transistor 1 x 100, ..................................74

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LISTE DES FIGURES

Figure 1-1 : Coupe transversale dun HBT ........................................................................8 Figure 1-2 : Illustration des effets distribus....................................................................13 Figure 2-1 : Modle dEbers-Moll ...................................................................................24 Figure 2-2 : Modle Gummel-Poon .................................................................................25 Figure 2-3 : Modle en T .................................................................................................28 Figure 2-4 : Modle en ..................................................................................................28 Figure 3-1 : Circuit grand signal ......................................................................................33 Figure 3-2 : Modle petit-signal.......................................................................................38 Figure 3-3 : Modle statique ............................................................................................41 Figure 3-4 : Modle petit-signal en mode cut-off. ...........................................................43 Figure 3-5 : Modle petit-signal en mode collecteur ouvert............................................46 Figure 3-6 : Flyback pour la mesure de Re .......................................................................48 Figure 3-7 : Dtermination de Re .....................................................................................49 Figure 3-8 : Flyback pour la mesure de Rb .......................................................................49 Figure 3-9 : Dtermination de Re + Rb .............................................................................50 Figure 3-10 : Flyback pour la mesure de Rc .....................................................................51 Figure 3-11 : Dtermination de Re + Rc ...........................................................................52 Figure 3-12 : tapes de de-embedding.............................................................................55 Figure 3-13 : Circuit final aprs de-embedding ...............................................................56 Figure 3-14 : Transformation T- ...................................................................................57

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Figure 3-15 : Circuit final aprs la transformation T-...................................................58 Figure 3-16 : Circuit statique en mode actif ....................................................................64 Figure 3-17 : Schma ADS du modle petit-signal .........................................................69 Figure 3-18 : Comparaison entre les paramtres S mesurs (o) et simuls (-) pour HBT 2 x 20, (Vce = 2 V, Ib = 240 A, Ic = 19.302 mA) ....................................................71 Figure 3-19 : Comparaison entre les paramtres S mesurs (o) et simuls (-) pour HBT 1 x 100, (Vce = 5 V, Ic = 45 mA, Ib = 326.97 A) ....................................................73 Figure 3-20 : Comparaison entre les paramtres S mesurs (o) et simuls (-) pour HBT 1 x 100, (Vce = 2 V, Ib = 215.742 A, Ic = 30 mA) ..................................................75 Figure 3-21 : Implantation ADS du modle grand signal................................................76 Figure 3-22 : Comparaison entre les paramtres S mesurs (o) et simuls (-) pour HBT 1x10 , (Vce = 2 V, Ic = 5 mA, Ib = 24.5 A) .............................................................77 Figure 3-23 : volution de la puissance de sortie en fonction de la puissance dentre la fondamentale, 2e et 3e harmonique (Vce = 3V et Ib = 29.55 A) ..........................77 Figure 3-24 : volution du gain en fonction de la puissance dentre.............................78 Figure 3-25 : Spectre de la puissance de sortie ................................................................78

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LISTE DES SIGLES ET ABRVIATIONS

ADS : Advanced Design System BJT : Transistor bipolaire homojonction (Bipolar junction transistor) CAD : Conception assiste par ordinateur (Computer assisted design) Cbe, Cbc, Ccx : Capacits de jonctions Cpbe, Cpbc, Cpce : Capacits parasites DC : Courant continu (Direct current) FET : Transistor effet de champs (Field effect transistor) fmax : Frquence maximale doscillation fT : Frquence de transition GaAs : Arsniure de Gallium (Gallium arsenide) Gm : Transconductance HBT : Transistor bipolaire htrojonction (Heterojunction bipolar transistor) Is : Courant de saturation K : Constante de Boltzman Le, Lb, Lc : Inductances parasites MBE : pitaxie par jet molculaire (Molecular Beam Epitaxy) MOCVD : pitaxie en phase vapeur (Metal-organic chemical vapor deposition) N : Coefficient dmission Pdiss : Puissance dissipe Pin : Puissance dentre

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Pout : Puissance de sortie q : Charge lmentaire RF : Radio-frquence Rb, Rc, Re : Rsistances extrinsques Rbi : Rsistance intrinsque de la base Rbe, Rbc, Rcx : Rsistances dynamiques des jonctions Rth: Rsistance thermique SDD: Symbolically defined device To : Temprature ambiante Tj : Temprature de jonction : Temps de transit Vbe, Vbc : Tensions des jonctions internes Vbcext : Tension de la jonction externe base-collecteur Vth : Voltage thermique

INTRODUCTION GNRALE

Les systmes de communications sans fil et par satellite connaissent depuis les deux dernires dcennies une importante volution qui se traduit, entre autres, par un besoin incessant de mettre au point de nouvelles composantes actives offrant de meilleures performances en frquence et en puissance. Les transistors bipolaires htrojonction (HBTs) sont des composantes potentielles, ayant suscit beaucoup dintrt dans le domaine des circuits analogiques et numriques oprant aux ondes centimtriques et millimtriques [1]-[4].

Pour pouvoir concevoir un circuit intgr base dun HBT, il faut disposer pralablement dune description prcise du comportement lectrique du transistor. Plus prcisment, le concepteur doit disposer dun modle sous forme dun circuit quivalent constitu dlments lectriques localiss et pouvant reproduire le fonctionnement du transistor dans le rgime dopration dintrt. La disponibilit dun tel modle est un lment essentiel pour lutilisation des simulateurs, outils indispensables dans la conception assiste par ordinateur (CAD). Un modle lectrique fiable doit tenir compte des principaux phnomnes physiques ayant lieu au sein du transistor. ventuellement, le modle doit inclure les effets parasites dus aux lignes daccs et aux interconnexions utilises au cours de la caractrisation exprimentale du composant.

Ayant adopt un modle pour le HBT, il faut disposer dune technique permettant une extraction systmatique des paramtres du circuit quivalent, partir des mesures effectues sur le transistor. La technique dextraction est dautant plus difficile laborer que le nombre de paramtres est grand.

Alors quune grande varit de modles existe actuellement, permettant de tenir compte de tous les aspects de fonctionnement pour les transistors base de matriaux III-V ainsi que ceux base de SiGe, les procdures dextraction sont souvent complexes, ncessitant plusieurs itrations. Par ailleurs, plusieurs techniques dextraction souffrent de problme de non-convergence et de multiplicit de solutions.

Lobjectif de ce projet est de dvelopper une approche systmatique de modlisation des HBTs. Lapproche devrait inclure un modle non-linaire, ainsi quune technique dextraction systmatique et donc facilement automatisable. Laspect dautomatisation, trs peu abord dans les travaux prcdents, sera dune importance capitale dans ce projet. Lobjectif final est de fournir au concepteur de circuits, un outil de modlisation fiable et facile utiliser.

La ralisation de cet objectif est effectue selon les tapes suivantes : Un modle non-linaire est adopt. Le choix du modle est un compromis entre la simplicit requise pour llaboration dune technique dextraction, et la complexit ncessaire pour assurer une description prcise du HBT.

Une technique dextraction est labore, permettant la caractrisation du transistor, dans le cadre du modle choisi. En une premire tape, les paramtres du modle petit-signal sont dtermins, essentiellement partir de mesures RF. Les valeurs des paramtres obtenus, combins avec des mesures DC, sont utilises pour la caractrisation du comportement statique du transistor.

Finalement, la validation de la technique dextraction est effectue sur des transistors provenant de deux fonderies diffrentes.

La contribution principale de ce projet consiste en llaboration dune technique dextraction offrant les avantages suivant : La procdure dextraction petit-signal, au meilleur de notre connaissance, semble tre suprieure toutes les techniques dj publies. En effet, cette procdure traite un modle relativement avanc dune manire rigoureuse. Aucune approximation nest utilise. Ceci permet, dune part, de garantir sa validit sur une bande large de frquences et de conditions de polarisations, et dautre part, dassurer son automatisation et implantation pratique. Ainsi, lapplication de cette technique ncessite le minimum dintervention humaine, et permet une caractrisation rapide et fiable du composant. Il est possible de suivre tape par tape le droulement de lextraction petitsignal, ce qui permet de vrifier sa consistance interne. Lutilisation des paramtres du modle petit-signal, conjointement avec les mesures DC, pour lextraction des paramtres du modle statique assure la

consistance entre les simulations DC et petit-signal. notre connaissance, cette approche est la premire faire usage du comportement petit-signal comme source dinformation sur le comportement statique du transistor.

Les travaux raliss dans cette thse ont t publis en grande partie dans des journaux avec comit de lecture. Dautres rsultats sont soumis pour publication. Les articles sont numrs dans liste suivante :

Articles dans des journaux avec comit de lecture :

Louay Degachi, Fadhel M. Ghannouchi, Systematic and Rigorous Extraction Method of HBT Small-Signal Model Parameters, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 54, no 2, Part 1, pp. 682 688, 2006.

Louay Degachi, Fadhel M. Ghannouchi, Simple Technique for a Quick Evaluation of HBT Temperature-Dependant DC Model Parameters in Forward Active Regime, International Journal of Microwave and Optical Technology, vol. 2, no 1, pp. 14 17, 2007.

Louay Degachi, Fadhel M. Ghannouchi, Characterization of AC emitter current crowding and consequences on small-signal extraction, International Journal of

Microwave and Optical Technology, (soumis le 26 Janvier 2007, no. de rfrence IJMOT-2007-1-233).

Article de confrence:

Louay Degachi, Fadhel M. Ghannouchi, Novel and simple table-based HBT large-signal model, 50th IEEE Midwest Symposium on Circuits and Systems, (soumis le 13 Fvrier 2007).

Le premier chapitre prsente, dune part, certaines gnralits sur les HBTs, telles que la structure physique, le principe de fonctionnement, les performances des HBTs compares dautres composantes comme les BJTs et les FETs, etc. Et dautre part, ce chapitre aborde le problme de modlisation et de caractrisation, mettant en place, un contexte gnral pour le sujet trait dans cette thse.

Le deuxime chapitre prsente une revue critique des travaux les plus importants, effectus au cours des deux dernires dcennies, dans le domaine de la modlisation et caractrisation des HBTs. Un intrt particulier est rserv la modlisation en rgime petit-signal.

Le troisime chapitre est ddi une synthse de lensemble des travaux raliss. Dune part, le cadre gnral de la recherche est prsent, ainsi que certains aspects nayant pas

t traits dans les articles soumis ou publis. Et dautre part, ce chapitre prsente une description sommaire des travaux raliss et dont les dtails se trouvent dans les articles prsents en annexes, conformment aux normes de prsentation de thse par article.

Le quatrime chapitre prsente une discussion gnrale sur lensemble de la thse, en particulier sur la porte de certains rsultats, et sur certains aspects mthodologiques.

Finalement, une conclusion achve la thse, avec quelques recommandations pour des travaux futures.

1. GNRALITS SUR LES HBTs

1.1 Introduction

Les HBTs diffrent des transistors bipolaires classiques homojonction (BJTs) par la prsence dune htrojonction, i.e. une interface entre deux semi-conducteurs diffrents. La figure 1.1 illustre une coupe transversale typique dun HBT npn. Lide dutiliser une htrojonction afin damliorer les performances du composant, a t initialement propose par Shockley en 1951 [5], et plus tard, dveloppe par Kroemer [6]-[7]. Cependant, le dveloppement pratique des HBTs a commenc dans les annes 80 avec lavnement de nouvelles techniques de croissance pitaxiale telles que lpitaxie par jet molculaire (MBE) et lpitaxie en phase vapeur (MOCVD), ayant permis de raliser des htrostructures de trs hautes qualits.

La structure de la figure 1.1 comprend essentiellement cinq niveaux : Un metteur faiblement dop (n GaAlAs ou n InGaP) Une base de faible paisseur fortement dope (p+ GaAs). Un collecteur faiblement dop (n- GaAs) Un sous-collecteur fortement dop (n+ GaAs) Un substrat semi-isolant (GaAs)

Figure 1-1 : Coupe transversale dun HBT

Dans la figure 1.1, les lignes en pointill sparent le transistor en une partie intrinsque ( lintrieur des lignes) et une partie extrinsque ( lextrieur des lignes). Cette dernire na aucun effet utile sur le fonctionnement du transistor, mais plutt, dtriore le gain en puissance et la frquence maximale doscillations.

1.2 Principaux phnomnes physiques dans les HBTs

Les phnomnes physiques dans les HBTs incluent principalement linjection de porteurs, les phnomnes de recombinaison, et les phnomnes de capacitance au niveau des jonctions base-metteur et base-collecteur.

1.2.1 Injection de porteurs

Linjection dlectrons de lmetteur vers le collecteur, travers la rgion de base, constitue leffet fondamental des transistors bipolaires. En mode dopration actif, la jonction base-metteur est polarise en direct, alors que la jonction base-collecteur est polarise en inverse. Un courant dlectrons est inject de lmetteur vers la base. Leffet transistor est ralis lorsque la majorit des lectrons injects traversent la base sans subir de recombinaison, atteignant ainsi la jonction base-collecteur o rgne un champ lectrique assurant leur transit vers la rgion quasi-neutre du collecteur. Linjection inverse des trous de la base vers lmetteur et le collecteur, est considr comme un courant de fuite et constitue un effet indsirable.

1.2.2 Phnomnes de recombinaison

Les phnomnes de recombinaison ont lieu dans les zones de charges despace et au niveau de la surface du transistor. Diffrents mcanismes de recombinaison existent : La recombinaison Shockley-Red-Hall (SRH), tant le mcanisme le plus important. La recombinaison Auger, tant dautant plus importante que le niveau de dopage est lev.

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La recombinaison radiative, ayant lieu principalement dans les semi-conducteurs gap direct.

Notons quen rgime de fonctionnement actif, la recombinaison dlectron est ngligeable dans la rgion de charge despace base-collecteur, vu la prsence dun champ lectrique lev rgnant dans cette rgion et rduisant le temps de transit travers celle-ci.

1.2.3 Capacits

Il existe deux types de capacits au niveau des deux jonctions base-metteur et basecollecteur : La capacit de transition, localise au niveau de la zone de charge despace et reprsentant la partie prpondrante de la capacit totale, lorsque la jonction est polarise en inverse. La capacit de diffusion, localise au niveau des rgions quasi-neutre. Cette capacit constitue une contribution significative lorsque la jonction est polarise en direct.

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1.3 Autre phnomnes dans les HBT

1.3.1 Rsistance intrinsque et accumulation de courant

La rgion intrinsque de la base prsente une rsistance latrale. Cette rsistance entrane la variation de la tension travers la base. Cette variation entrane une variation de la densit du courant dmetteur, puisque cette densit dpend exponentiellement de la tension locale base-metteur. Cet effet est minimal au centre de la jonction basemetteur, et augment fortement vers les bords o le courant saccumule.

1.3.2 Auto-chauffement

Lauto-chauffement se traduit par une augmentation de la temprature de la jonction base-metteur Tj, donne par :

T j = T0 + Rth (T j ) Pdiss

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o T0 est la temprature ambiante, Pdiss est la puissance dissips, et Rth est la rsistance thermique du matriau donne par :

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Rth (T ) =

e (T ) S

o e, S et reprsentent respectivement lpaisseur, la surface et la conductivit thermique du matriau. Le tableau 1.1 donne les valeurs des conductivits thermiques de certains matriaux, la temprature 300 K [8] :

Matriau Germanium (Ge) Silicium (Si) Arsniure de Gallium (GaAs) Phosphure dindium (InP)

(W/C.cm) 0.586 1.465 0.44 0.65

Tableau 1-1 : Conductivits thermiques de certains matriaux

La variation de Tj est due dune part la variation de la temprature ambiante et dautre part la puissance dissipe. A temprature ambiante constante, le phnomne dautochauffement peut tre caractris par la temprature de jonction, ou dune faon quivalente, par la puissance dissipe.

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1.3.3 Effets distribus

La nature distribue des jonctions base-metteur et base-collecteur est illustre la figure 1.2.

Emetteur

Base Collecteur

Figure 1-2 : Illustration des effets distribus

Les effets distribus de la jonction base-collecteur sont prpondrants et affectent le comportement du transistor dans le rgime des hautes frquences.

1.4 Performances en frquence

Les performances en frquences sont caractrises par la frquence de transition et la frquence maximale doscillation.

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1.4.1 Frquence de transition fT

La frquence de transition fT reprsente la frquence laquelle le gain dynamique en courant est gal 1. fT caractrise la rapidit du composant. Elle est relie au temps de transit metteur-collecteur ec par lexpression suivante :

fT =

1 2 ec

1.4.2 Frquence maximale doscillation fmax

La frquence maximale doscillation fmax caractrise ltendue de la largeur de bande utile du composant. Elle est relie la frquence de transition par la relation suivante :

f max =

fT 8 Rb Cbc

o Rb et Cbc reprsentent respectivement la rsistance de base et la capacit de la jonction base-collecteur. Il est clair quil faut rduire Rb et Cbc afin dlargir la bande dutilisation du transistor.

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1.5 Avantage des HBTs par rapport aux BJTs

Les HBTs jouissent de certains avantages par rapport aux transistors bipolaires homojonction. En effet, la diffrence des largeurs de bande entre lmetteur et la base, permet de contrler indpendamment leurs niveaux de dopage, tout en maintenant une excellente efficacit dinjection. Ainsi, il est possible daugmenter le niveau de dopage de la base, et de rduire celui de lmetteur, cette opration ne pouvant tre ralise dans les BJTs sans en altrer lefficacit dinjection. Les avantages des HBTs par rapport aux BJTs sont les suivants : Laugmentation du niveau de dopage de la base entrane la rduction de sa rsistance grce une forte concentration des porteurs de charge. Cette rduction se traduit par un gain en puissance lev. Grce au fort niveau de dopage de la base, il est possible de concevoir des structures avec des couches de base trs minces, rduisant ainsi le temps de transit travers celle-ci, cette possibilit tant trs limite dans les BJTs cause de leffet de percement de base (base-punchthrough). Grce au fort niveau de dopage de la base, la conductance de sortie est faible, ce qui rduit la modulation de base et rsulte en une bonne linarit et une faible distorsion harmonique. La forte mobilit des lectrons rduit davantage le temps de transit.

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la rduction du niveau de dopage de lmetteur permet de rduire la capacit de la jonction base-metteur, amliorant ainsi les performances en frquence du composant (fT et fmax leves).

Lutilisation dun substrat semi-isolant permet de rduire les effets parasites des connexions, facilitant ainsi lintgration du composant.

Laugmentation du niveau de dopage de la base permet daugmenter la tension Early et dattnuer les effets de forte injection.

Cependant, les HBTs souffrent de leffet dauto-chauffement, due la faible conductivit thermique des matriaux utiliss (tels que les matriaux III-V), un tel effet tant ngligeable dans les BJTs en silicium. Le tableau 1.2 prsente une comparaison entre les BJTs et les HBTs.

Caractristiques Rapidit (fT) Densit de courant Variation de Vseuil Transconductance Conductance de sortie

HBTs 50-200 GHz 50 KA/cm2 VBE ~ 1 2 mV 5-20 S/mm 0.2 mS/mm

BJTs 20-40 GHz 2-5 fois plus faible Comparable Comparable 10-20 fois plus grande

Tableau 1-2 : Comparaison entre les BJTs et les HBTs.

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1.6 Comparaison entre les HBTs et les transistors effet de champ

Les avantages des HBTs par rapport aux transistors effet de champs (FETs) sont les suivants : Les HBTs sont dots dune structure verticale. Ainsi, le temps de transit, paramtre principal caractrisant la rapidit des HBTs, dpend des paisseurs des couches pitaxiales, ces paisseurs tant trs bien contrles par les procds modernes de croissance pitaxiale. Par contre, les FETs sont dots dune structure latrale. Le temps de transit est alors dfini par la longueur de grille. Ainsi, pour obtenir des performances comparables celles des HBTs, il est ncessaire dutiliser une lithographie submicronique complexe. La frquence de coupure fT du HBT est beaucoup plus leve, essentiellement grce la faible rsistance de base et la faible capacit de la jonction basemetteur. La transconductance gm du HBT est trs leve, compare celle du MESFET. Ceci est du la variation exponentielle du courant de sortie en fonction de la tension dentre. Une valeur de gm leve permet doprer avec des tensions dentrs faibles. La conductance de sortie go est trs faible grce au fort dopage de la base. La tension de seuil du HBT (turn-on voltage), tant dpendante de la largeur de bande interdite du matriau, est facilement contrlable par les procds de

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croissance pitaxiale. Une faible tension de seuil permet de rduire le temps de commutation, ce qui tend le domaine dutilisation des HBTs aux circuits intgrs ultra-rapides. Les densits de puissances de sortie sont trs leves compars celles obtenues par les FETs la mme frquence [9].

Le tableau 1.3 compare les performances du HBT et celles du MESFET et HEMT [10][11].

Paramtres fT

MESFET HEMT HBT F M G

Conclusion Le HBT est plus rapide Le HBT a une bande dutilisation plus

fmax Gain x BP

F M

M G

G G

tendue Le HEMT est plus efficace en large bande Le HBT est meilleur pour les

Gm/go Densit de puissance

amplificateurs hautement linaires Le HBT est potentiellement meilleur pour

les composantes de puissance

Tableau 1-3 : Comparaison entre le HBT, MESFET et HEMT

19

1.7 Technologies des HBTs

Il existe diffrents types dhtrostructures, en particulier AlGaAs/GaAs et GaInP/GaAs, pour les HBTs base de GaAs, InP/InGaAs, InAlAs/InGaAs, pour les HBTs base dInP, Si/SiGe pour les HBTs base de Si, et AlGaN/GaN pour les HBTs base de GaN. L`htrostructure la plus utilise est AlGaAs/GaAs, du fait que AlGaAs et GaAs ont des constantes de maille et des coefficients dexpansion thermique trs similaires. Ceci permet dliminer les problmes de dsaccord de maille, et de rupture thermique pendant la fabrication. Les HBTs base dInP peuvent oprer des frquences plus leves que ceux base de GaAs, grce une plus grande mobilit des porteurs. La technologie en silicium est relativement limite dans les applications en hyperfrquence. Cependant, afin de tirer profit de sa maturit technologique, des efforts ont t dploys afin dlargir son champ dapplication. Ainsi, les performances du Si ont t amliores en augmentant le contenu en Germanium. Les HBTs base de GaN reprsentent une nouvelle technologie prometteuse pour des applications hautes puissance, haute temprature et hautes frquences.

1.8 Potentialit des HBTs pour lamplification en puissance

La plupart des applications des HBTs sont dj ralises par les BJTs en silicium. Lobjectif est dobtenir de meilleures performances des frquences plus leves, tirant

20

profit de l`htrostructure du composant. En particulier, les HBTs sont capables de gnrer de fortes densits de puissance de sortie, permettant ainsi de saffranchir des structures complexes de circuits plusieurs transistors [12]. Lobtention dune forte densit de puissance est possible du fait que les HBTs peuvent supporter de fortes densits de courant, et des tensions de claquages leves. Par ailleurs, des rsultats rapports dans la littrature montrent des RPAs (rendements en puissance ajout) intressants pour un HBT fonctionnant en classe B [13], [14]. En effet, le courant collecteur parasite est nul pendant la priode de non-conduction. Ceci nest pas le cas pour les FETs puisque dune part, le courant de grille nest pas nul pendant cette priode, et dautre part, la tension de claquage dpend de la tension dentre.

Le problme principal des HBTs dans les applications en puissance est le phnomne dauto-chauffement du la forte dissipation de puissance dans ces composantes base de matriaux de faible conductivit thermique. Lauto-chauffement entrane la dgradation des performances en frquence telle que la frquence de transition du transistor [15].

1.9 Modlisation et caractrisation des HBTs

Alors que la conception assiste par ordinateur (CAD) est un lment indispensable la ralisation de circuits micro-ondes base de HBTs, son efficacit dpend, entre autres,

21

de la disponibilit dun modle fiable pouvant reproduire le comportement non-linaire du transistor. Les modles non-linaires des HBTs diffrent de ceux des BJTs essentiellement par la prise en compte des phnomnes dauto-chauffement et des effets distribus.

La modlisation en rgime petit-signal est dune importance particulire, tant une source indispensable dinformation sur le comportement dynamique du transistor. Les modles linaires sont groups en deux configurations : la topologie en T et la topologie en , le choix de lune ou lautre tant dpendant du point de vue physique adopt pour la modlisation des HBTs. Notons que dans le cas des FETs, une seule configuration existe [16].

Gnralement, lextraction des lments du modle linaire comporte trois grands sujets : Lextraction des lments parasites reprsentant les effets des lignes daccs et des interconnexions. Lextraction des lments reprsentant la partie extrinsque du transistor, et incluant particulirement les effets rsistifs des matriaux et les effets distribus. Lextraction des lments intrinsques reprsentant les phnomnes intrinsques au fonctionnement du transistor.

22

Diffrentes techniques dextraction on t proposes pour les modles linaires. On peut distinguer essentiellement deux grandes catgories : les techniques par optimisation numrique [45]-[54], et les techniques analytiques [55]-[60], [64]-[66]. Les techniques par optimisation numrique consistent minimiser lcart entre les performances calcules et celles mesures. Gnralement, trois tapes majeures sont requises : 1. Choix de valeurs initiales pour les paramtres du modle. 2. Choix de la fonction derreur minimiser. 3. Choix dun algorithme fiable pour les itrations numriques. La fonction derreur possde gnralement plusieurs minimums locaux, en plus dun minimum global correspondant la solution du problme. La convergence de lalgorithme vers lun ou lautre des minimums dpend du choix des valeurs initiales. Ceci engendre les problmes suivants : Multiplicit des solutions Convergence vers des solutions non-physiques Non-convergence

Au cours de la dernire dcennie les techniques par optimisations ont commenc cder de la place au profit des techniques analytiques. Celles-ci sont plus prcises mais plus difficiles laborer. Elles consistent tablir des quations reliant les paramtres du modle des grandeurs mesurables. Ces quations sont dautant plus complexes que le nombre dlments est lev. Ainsi, certains auteurs adoptent des techniques hybrides combinant lapproche analytique avec loptimisation numrique [61]-[63].

23

Diffrentes techniques sont utilises pour lextraction des lments parasites. Certains auteurs utilisent des structures de tests particulires [17]. Dautres auteurs utilisent des mesures des paramtres S, effectus dans des conditions particulires de polarisation [18]. Dans plusieurs techniques, les lments parasites sont dtermins analytiquement ou par optimisation, conjointement avec les lments extrinsques et intrinsques.

24

2. REVUE CRITIQUE DE LA LITTRATURE

2.1 Modlisation grand-signal

Les BJTs et les HBTs partagent les mmes principes fondamentaux dopration. Ainsi, les premiers travaux de modlisation des HBTs ont fait usage des modles conventionnels des BJTs, particulirement le modle de Gummel-Poon (G-P), et rarement le modle dEbers-Moll (E-M). Ce dernier, introduit en 1954 [19], fut le premier modle propos pour les transistors bipolaires (voir figure 2.1).

Figure 2-1 : Modle dEbers-Moll

25

Figure 2-2 : Modle Gummel-Poon

En 1970, Gummel et Poon ont introduit leur modle bas sur le concept de contrle de charge [20]. Ce modle, illustr la figure 2.2, a t considr comme standard pour les transistors bipolaires. Le modle G-P, bien que populaire chez les industriels, souffre de certaines insuffisances. Ainsi, dautres modles ont t dvelopps pour palier ces difficults. En particulier, le modle VBIC, introduit en 1995 [21]-[23], a t propos comme nouveau standard par un groupe reprsentatif de lindustrie des circuits intgrs et des transistors bipolaires. Ce modle tient compte deffets non inclus dans le modle G-P, tels que leffet substrat, la quasi-saturation, et leffet davalanche. Cao et al. [24] ont procd une comparaison entre les deux modles afin de mettre en vidence les caractristiques avances du modle VBIC. Dans le cas des HBTs de puissance base

26

de GaAs, et plus gnralement les transistors base de matriaux III-V, leffet substrat est ngligeable [25]. Dautre part, la densit maximale du courant dopration est limite par les proprits thermiques du transistor. Ainsi, le domaine dopration du composant se trouve confin une rgion o certains effets tels que la quasi-saturation sont ngligeables [26]. Par consquent, le modle VBIC est souvent rduit une architecture proche de celle du modle G-P : Cest lune des raisons pour lesquelles, le modle G-P est encore largement utilis pour les transistors base de GaAs, bien que le modle VBIC soit disponible dans plusieurs simulateurs commerciaux.

Dautres modles avancs ont t dvelopps par certaines fonderies afin de simuler des transistors de technologies particulires. Le modle MEXTRAM a t labor par Phillips en 1985 [27]-[29], et le modle HICUM a t propos par le professeur Schroter en 1987 [30]-[32].

Rcemment, le modle UCSD a t dvelopp. Il est disponible dans certains simulateurs commerciaux tels quADS. Ce modle est plus complet mais il est dune norme complexit, tant constitu dun grand nombre dlments.

En plus des modles mentionns ci-haut, la littrature disponible prsente une grande varit de modles [33]-[43], dont la plupart sont bass sur le modle G-P, mais prsentant certaines caractristiques des modles avancs. Par exemple, Schroter et al. [33] ont introduit un modle combinant la simplicit du modle G-P avec certaines

27

caractristiques du modle HICUM. Les modifications apportes permettent de tenir compte de certains effets comme lauto-chauffement, laccumulation de courant, les effets de forte injection de porteurs, etc.

Il existe galement certaines versions modifies du modle Ebers-Moll, bien que rares [34]-[36].

2.2 Modlisation petit-signal

La modlisation des HBTs en rgime petit-signal a suscit beaucoup dintrts [44]-[71]. Deux types de topologies sont utiliss pour les modles linaires : la topologie en T (voir figure 2.3) et la topologie en (voir figure 2.4). Les modles en T sont directement relis la physique du transistor, et par consquent, ils sont prfrs par les fabricants des composantes. Les modles en sont prfrs par les concepteurs de circuits, et les modles les plus populaires (G-P, VBIC, MEXTRAM, HICUM) se rduisent une architecture en , dans le rgime petit-signal. Teeter et al. [44] ont dmontr la possibilit dtablir une quivalence entre les paramtres des deux topologies, mais au prix de considrer les paramtres du modle en comme dpendant de la frquence, une dpendance dautant plus prononce que la frquence est leve.

28

Cbc

.Ie

Ce

Re

Rbc

Ie

Figure 2-3 : Modle en T

Figure 2-4 : Modle en

29

Une grande varit de techniques dextraction a t propose pour les modles linaires [45]-[71]. Les techniques par optimisation sont les plus populaires du fait de leurs simplicits [45]-[54]. Cependant, elles souffrent de problmes de non-convergence, multiplicit de solutions et de convergence vers des solutions non-physiques. Ceci est du la sensibilit de ces techniques au choix des valeurs initiales [47]. Certains auteurs ont tent de remdier ces problmes. Bilbro et al. [50] ont introduit une technique appele Tree Annealing permettant dviter la convergence vers les minimums locaux. Trew et al. [51] ont propos une technique utilisant une quation du temps de transit metteurcollecteur, comme contrainte supplmentaire la procdure doptimisation, forant ainsi les valeurs des paramtres voluer, au cours de loptimisation, dune manire consistante avec le fonctionnement physique du transistor. Menozzi et al. [48]-[49] ont dvelopp un algorithme minimisant la sensibilit de la procdure dextraction au choix des valeurs initiales. Dautres auteurs ont tent de rduire le nombre de paramtres inconnus travers la dtermination exprimentale pralable de certains lments

parasites, utilisant diffrentes techniques. Par exemple, Lee et al. ont utilis des structures de tests particulires, ainsi quun modle lectrique reprsentant ces effets [52]. Dans une autre publication, Lee et al. ont propos une nouvelle technique utilisant des mesures sur des transistors, polaris en mode cut-off [53], [54].

Costa et al. [55]-[56] ont propos la premire technique permettant lextraction analytique des lments intrinsques. Les lments parasites sont dtermins par des structures de tests particulires. Cependant, la rsistance intrinsque est considre

30

comme un lment parasite indpendant du point de polarisation. Et dautre part, la dtermination des lments parasites ncessite trois structures pour chaque composant. Wei et al. [57] ont dvelopp la premire technique nutilisant ni optimisation numrique, ni des structures de tests particulires. Tous les lments intrinsques, extrinsques et parasites ont t dtermins analytiquement partir de mesures sous diffrentes conditions de polarisation. Pehlke et Pavlidis [58] ont propos une autre technique analytique permettant lvaluation directe des paramtres. Cependant, certains lments ont t dtermins par optimisation, cet inconvnient ayant t trait ultrieurement par Sotoodeh et al [60]. Et dautre part, le caractre distribu de la rsistance de base et de la capacit de jonction base-collecteur, na pas t pris en compte, cet inconvnient ayant t corrig par Spiegel et al. [61] qui ont propos une technique combinant lapproche analytique avec loptimisation numrique. Schaper et al. [62] ont galement propos une technique hybride utilisant certaines hypothses et optimisations locales. Rios et al. [63] ont propos une technique utilisant certaines contraintes afin de minimiser le nombre de paramtres inconnus qui sont valuer par optimisation numrique. Li. B et al. [64] ont propos une technique base sur des expressions appropries des paramtres Z. Ouslimani et al. ont suivi un principe similaire celui de Li et ont propos une technique plus sophistique pour lextraction [65]. Kameyama et al. [66] ont adopt une approche similaire pour extraire les lments du circuit pour un transistor pnp, tout en affirmant que lapproche demeure applicable pour les transistors npn. Ghaddab et al. ont dvelopp une technique utilisant une

31

approche statistique [67], cette technique ayant t amlior par Tseng et al. [68] qui ont propos une version purement analytique.

La plupart des techniques analytiques dextraction proposes dans la littrature utilisent des approximations pour driver des expressions analytiques. Ceci limite la possibilit de leur automatisation et implmentation pratique, et par consquent, leurs utilits industrielles. Shienman et al. [69] ont propos une technique permettant une extraction rigoureuse des lments intrinsques dun modle linaire en T. Bousnina et al [70] ont aussi propos une technique rigoureuse pour un modle en . Cependant, cette technique ncessite la connaissance pralable de certains paramtres du modle statique, tels que le coefficient dmission et la temprature de la jonction base-metteur. Et dautre part, la capacit de la jonction est dtermine comme solution dune quation du second degr. Une telle quation possde gnralement deux solutions et ncessite donc des arguments supplmentaires afin de slectionner la bonne solution. Dans une autre publication Bousnina et al. [78] ont propos une nouvelle technique base sur une simulation lectromagntique et permettant llimination des effets parasites des mesures RF.

32

3. MODLISATION ET CARACTRISATION DES HBTs

3.1 Modle grand-signal

Une version modifie du modle de Gummel-Poon a t adopte. Certaines caractristiques des modles avancs HICUM et MEXTRAM ont t incluses dans le modle choisi. Le circuit grand-signal correspondant est illustr la figure 3.1. Les principales modifications par rapport la version originale du modle G-P reprsentent : La rsistance intrinsque de la base. Le phnomne daccumulation du courant Les effets de la jonction externe base-collecteur. Leffet dauto-chauffement.

Le circuit est subdivis en trois parties : Le circuit intrinsque illustr lintrieur des lignes en pointill et reprsentant la partie intrinsque du transistor. Les lments reprsentant la partie extrinsque du transistor. Les effets parasites reprsents laide dun rseau dinductances et de capacits.

33

Figure 3-1 : Circuit grand signal

3.1.1 Circuit intrinsque

Le circuit intrinsque comprend des sources de courant non-linaires modlisant leffet fondamental du transistor, des diodes reprsentant les courants de fuite lis essentiellement aux phnomnes de recombinaison et dinjection de trous au niveau des jonctions base-metteur et base-collecteur, des capacits modlisant les effets

34

daccumulation de charge, une rsistance intrinsque reprsentant la rsistance latrale de la base et une capacit modlisant leffet daccumulation de courant.

Ibe reprsente les phnomnes de recombinaison au niveau de la jonction base-metteur, linjection inverse des trous de la base vers lmetteur tant ngligeable cause de lhtrojonction. Le courant Ibe est donn par :

V I be = I sbe exp be 1 N be Vth

(1)

o Isbe est le courant de saturation, Vbe est la tension travers la jonction interne basemetteur, Nbe est le coefficient d`idalit de la jonction base-metteur et Vth est le voltage thermique donn par :

Vth =

K Tj q

(2)

o K est la constante de Boltzman, Tj est la temprature de jonction et q est la charge lmentaire.

35

Ibc reprsente la recombinaison de porteurs au niveau de la jonction base-collecteur, et linjection inverse des trous de la base vers le collecteur. Le courant Ibc est donn par lexpression suivante :

V I bc = I sbc exp bc 1 Nbc Vth

(3)

Isbc et Nbc reprsentent respectivement le courant de saturation et le coefficient didalit. Vbc est la tension travers la jonction interne base-collecteur.

Icf reprsente le courant de transfert direct. Il est donn par lexpression suivante :

V I cf = I scf exp be N V cf th

(4)

Iscf et Ncf reprsentent respectivement le courant de saturation et le coefficient didalit. Icr reprsente le courant de transfert inverse. Il est donn par lexpression suivante :

V I cr = I scr exp be 1 N cr Vth

(5)

36

Iscr et Ncr reprsentent respectivement le courant de saturation et le coefficient didalit. Les courants Icf et Icr sont contrls par la tension interne Vbe. La somme des deux courants reprsente le courant de transfert total donn par :

I cT = I cf + I cr

Les courants de saturation et les coefficients dmission sont considrs comme fonctions de la puissance dissipe ou de la temprature de jonction. Ceci permet de tenir compte de leffet dauto-chauffement. En mode dopration actif, qui est le mode le plus intressant dans les applications micro-ondes, les courants Ibe et Icf reprsentent les non-linarits les plus dominantes.

Cbe reprsente la capacit de la jonction interne base-metteur, tandis que Cbc reprsente la capacit de la jonction interne base-collecteur.

Rbi reprsente la rsistance de base intrinsque. La capacit Cbi modlise leffet daccumulation de courant (current crowding).

3.1.2 lments extrinsques

37

Icx reprsente les courants de fuite au niveau de la jonction externe base-collecteur. Le courant Icx est donn par lexpression suivante :

V I cx = I scx exp cx 1 N cx Vth

(6)

Iscx et Ncx reprsentent respectivement le courant de saturation et le coefficient didalit. Ccx reprsente la capacit de la jonction externe base-collecteur. Elle permet, conjointement avec la diode Icx, de tenir compte de la nature distribue de la jonction base-collecteur.

Rb, Rc et Re reprsentent les rsistances extrinsques des rgions quasi-neutres de la base, du collecteur et de l'metteur, respectivement.

3.1.3 lments parasites

Le modle propos tient compte des effets parasites des lignes daccs et des interconnexions. Les capacits Cpce, Cpbe et Cpbc reprsentent les effets capacitifs interlectrodes, tandis que les inductances Le, Lb et Lc reprsentent les effets inductifs dus aux longueurs des lignes daccs.

38

3.2 Modle petit-signal

Le modle petit-signal reprsente le comportement dynamique du transistor lorsque le signal dexcitation est de trs faible amplitude, compar au signal DC de polarisation. Dans ce rgime linaire, le modle grand signal se rduit au circuit illustr la figure 3.2. Les sources de courant et les diodes sont remplaces par des lments reprsentant la linarisation de leurs caractristiques courant-tension, autour du point de polarisation.

Cpbc Ccx

Rcx Lb Rb Rbi Cbe

Vbe

Cbc Lc

Rbc Rbe

Rc Gm.Vbe

Cpbe Re Le

Cpce

Gm=Gmo.exp(-i )

Figure 3-2 : Modle petit-signal

39

3.2.1 Rsistances dynamiques Rbe, Rbc et Rcx

En rgime petit-signal, la diode Ibe est remplace par la rsistance dynamique Rbe donne par lexpression:

I 1 = be Rbe Vbe

(7)

De mme, la rsistance dynamique Rbc remplace la diode Ibc. Elle est donne par lexpression:

I 1 = bc Rbc Vbc

(8)

Finalement, la rsistance dynamique Rcx remplace la diode Icx. Elle est donne par lexpression:

I cx 1 = Rcx Vbcext

(9)

Vbe et Vbc reprsentent les tensions travers les jonctions internes base-metteur et base collecteur, respectivement. Vbcext reprsente la tension travers la jonction externe base-

40

collecteur. Notons que les rsistances Rbc et Rcx sont gnralement trs leves. Et par consquent, leurs effets peuvent tre ngligs.

3.2.2 Transconductance

La source du courant de transfert est remplace par Gm Vbe o Vbe est la tension travers la jonction interne base-metteur, et Gm est la transconductance petit-signal donne par :

Gm = Gmo e i

(10)

o Gmo est la transconductance DC et est le temps de transit. La transconductance Gmo est donne par lexpression :

Gmo =

I c Vbe

(11)

3.2.3 Le temps de transit

Lapproximation quasi-statique est valable pour f << fT. Ainsi, pour tenir compte des effets de propagation, il est ncessaire dadopter un point de vue non-quasi-statique [72]. Lapproche choisie consiste ajouter un terme de phase la transconductance,

41

permettant de modliser le retard du au temps de transit des lectrons travers les rgions quasi-neutres.

3.3 Corrlation entre le modle petit-signal et le modle statique

En rgime statique, le modle grand signal est rduit celui de la figure 3.3.

C Icx B * B Rb Rbi Ibe E Ibc Icf Rc

Icr

Re
Figure 3-3 : Modle statique

Les modles petit-signal et statique reprsentent deux aspects dun mme problme. Et par consquent, une corrlation doit exister entre les paramtres des deux modles. En particulier, la rsistance Rbe et la source Gm Vbe reprsentent les linarisations des caractristiques courant-tension de la diode Ibe et de la source du courant de transfert, respectivement. On peut tablir les relations suivantes [73] :

42

N cf Vth =

I cf Gmo

(12) (13)

N be Vth = Rbe I be

3.4 Extraction des lments parasites

Il est ncessaire de dterminer les paramtres reprsentant les effets parasites afin de les liminer des mesures des paramtres S, avant de procder lextraction des lments intrinsques et extrinsques du circuit.

3.4.1 Extraction des capacits parasites

La technique dextraction des capacits parasites a t propose initialement par Dambrine et al. [74] dans le cas des FETs, puis applique aux HBTs par Belquin et al. [75]. Cette technique est constitue des tapes suivantes :

1. Le transistor est polaris en mode cut-off. Une tension ngative est applique la base (Vbe < 0), tandis que le collecteur est court-circuit (Vce = 0). Les jonctions base-metteur et base-collecteur sont bloques, et les courants sont nuls. Ainsi, les effets rsistifs deviennent ngligeables.

43

2. Les paramtres S sont mesurs basses frquences, o les effets inductifs sont ngligeables. Dans ces conditions, le circuit petit-signal se rduit celui de la figure 3.4.

Cpbc Ccx

Cbc Cpbe Cbe Cpce

Figure 3-4 : Modle petit-signal en mode cut-off.

3. Les paramtres S sont transforms en paramtres Y selon les quations suivantes :

Y11 =

1 (1 S11 ) (1 + S 22 ) + S12 S 21 50 Ys

(14)

44

Y21 =

1 2 S21 50 Ys 1 2 S12 50 Ys

(15)

Y12 =

(16)

Y22 =

1 (1 + S11 ) (1 S 22 ) + S12 S 21 50 Ys

(17) (18)

o Ys = (1 + S11 ) (1 + S 22 ) S12 S 21

4. Les paramtres Y sont exprims en fonction des lments constituant le circuit de la figure 3.4. On trouve ainsi les relations suivantes :

Im [Y11 ] = ( C pbe + C pbc + Ccx + Cbc + Cbe ) Im [Y12 ] = Im [Y21 ] = ( C pbc + Ccx + Cbc ) Im [Y22 ] = ( C pce + C pbc + Ccx + Cbc )

o "Im" dnote la partie imaginaire. En combinant les quations prcdentes, on obtient :

C pbe + Cbe =

Im [Y11 + Y12 ]

(19)

C pce =

Im [Y22 + Y12 ]

(20)

45

C pbc + Ccx + Cbc =-

Im [Y12 ] Im [Y11 Y22 ]

(21)

C pbe + Cbe C pce =

(22)

Lquation (15) permet de trouver directement la capacit Cpce. Pour trouver les deux autres capacits parasites Cpbe et Cpbc, il faut procder une tude de la variation de (Cpbe+ Cbe) et (Cpbc+ Ccx+ Cbc) en fonction du point de polarisation, permettant ainsi de sparer les capacits parasites indpendantes de la polarisation, des capacits de jonctions (Cbe, Ccx et Cbc) qui dpendent des tensions appliques leurs bornes, selon les quations suivantes :

Cbe =

Cbeo Vbe 1 be Cbco Vbc 1 bc Ccxo Vbcext 1 cx

mcx mbc mbe

(23)

Cbc =

(24)

Ccx =

(25)

o be, bc et cx reprsentent les potentiels des jonctions, mbe, mbc et mcx sont des coefficients rendant compte de la nature de la jonction (m = 1/2 pour une jonction

46

abrupte, m = 1/3 pour une jonction graduelle). Lquation (17) semble redondante. Cependant, elle permet de vrifier les rsultats des quations prcdentes.

3.4.2 Extraction des inductances parasites

Les inductances parasites sont dtermines laide des paramtres S mesurs lorsque le transistor est polaris en mode de collecteur ouvert, i.e. Ic = 0 A. Dans cette condition de polarisation, les jonctions base-collecteur et base-metteur sont polarises en direct cause des fortes densits de courant de base [16], [57], [76]. Ainsi, les capacits des jonctions sont court-circuites par les rsistances dynamiques Rbe, Rbc et Rcx de faibles valeurs. Dans ces conditions le circuit de la figure 3.1 est rduit celui de la figure 3.5.

Figure 3-5 : Modle petit-signal en mode collecteur ouvert

47

Les inductances sont alors dtermines laide des expressions suivantes :

Lc = imag ( Z 22 Z 21 ) Le = imag ( Z12 ) Lb = imag ( Z11 Z12 )

(26) (27) (28)

3.5 Extraction des rsistances extrinsques

La technique du fly-back a t utilise pour extraire les rsistances extrinsques Re, Rb et Rc [77].

3.5.1 Rsistance dmetteur Re

La rsistance Re est dtermine en mesurant la tension Vce en fonction du courant Ib Cette mesure est appele Re-Flyback. Le transistor est mont en metteur commun et collecteur ouvert tel quillustr la figure 3.6.

48

Figure 3-6 : Flyback pour la mesure de Re

Re reprsente la drive de Vce par rapport Ib, value haute valeur de courant de base (voir figure 3.7), i.e.

Re =

Vce I b

(29)
Ib

3.5.2 Rsistance de base Rb

La rsistance Rb est dtermine en mesurant Vbe en fonction du courant Ib. Le transistor est toujours mont en metteur commun et collecteur ouvert tel quillustr la figure 3.8.

49

Vce = f(Ib) , Ic = 0 A 0.28

0.26

0.24

0.22 Vce(V)

0.2

0.18

0.16

0.002 0.004 0.006 0.008

0.01 Ib(A)

0.012 0.014 0.016 0.018

0.02

Figure 3-7 : Dtermination de Re

Ic = 0

Ib Vce Vbe

Figure 3-8 : Flyback pour la mesure de Rb

50

La somme Re + Rb reprsente la drive de Vbe par rapport Ib, value haute valeur de courant de base (voir figure 3.9), i.e. :

Rb =

Vbe I b

Re
Ib

(30)

Vbe = f(Ib), Ic = 0 A 1.65 1.6 1.55 1.5 Vbe (V) 1.45 1.4 1.35 1.3 1.25

0.002 0.004 0.006 0.008

0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 Ib (A)

0.02

Figure 3-9 : Dtermination de Re + Rb

51

3.5.3 Rsistance de collecteur Rc

La rsistance Rc est dtermine lorsque le courant de base Ib est constant, tel quillustr la figure 3.10.

Ic

Ib = cst Vce

Figure 3-10 : Flyback pour la mesure de Rc

Dans ce cas, la somme Rc+ Re reprsente la drive de Vce par rapport Ic, value haute valeur de courant de collecteur (voir figure 3.11), Do :

52

Rc =

Vce I c

Re
Ib = cst

(31)

Vce = f(Ic ), Ib = const 0.5

0.45

0.4

0.35 Vce(V)

0.3

0.25

0.2

0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 Ic (A)

0.01

Figure 3-11 : Dtermination de Re + Rc

3.6 Extraction petit-signal

Lextraction des lments du modle linaire se fait en deux tapes :

53

1- Les valeurs des lments parasites et des rsistances extrinsques sont limines des mesures de paramtres S. Une telle procdure est appele de-embedding. 2- Les valeurs des lments intrinsques et extrinsques (autres que les rsistances Rb, Rc et Re) sont dtermines analytiquement.

3.6.1 De-embedding

Deux techniques peuvent tre utilises pour effectuer le de-embedding. La premire technique consiste soustraire les valeurs trouves des lments parasites et des rsistances extrinsques, partir des mesures des paramtres S, selon les tapes suivantes : 1. Les paramtres S sont transforms en paramtres Y selon les quations (14)-(18) 2. Les capacits parasites sont limines des paramtres Y selon les quations suivantes :

' Y11 = Y11 i ( C pbe + C pce )

' Y21 = Y21 + i C pbc ' Y12 = Y12 + i C pbc

' Y22 = Y22 i ( C pbc + C pce )

54

3. Les nouveaux paramtres Y sont transforms en paramtres Z selon les quations suivantes :

' Y22 Z11 = DY ' Y21 DY ' Y12 DY

Z 21 = Z12 = Z 22 =

' Y11 DY

' ' ' ' o DY = Y11 Y22 Y12 Y21

4. Les rsistances extrinsques et les inductances parasites sont limines des paramtres Z selon les quations suivantes :

' Z11 = Z11 Re Rb i ( Le + Lb )

' Z 21 = Z 21 Re i Le ' Z12 = Z12 Re i Le

' Z 22 = Z 22 Re Rc i ( Le + Lc )

55

5. Finalement, les nouveaux paramtres Z sont transforms en paramtres Y selon les quations suivantes :

'' Y11 =

' Z 22 DZ ' Z 21 DZ ' Z12 DZ

'' Y21 =

'' Y12 =

'' Y22 =

' Z11 DZ

' ' ' ' o DZ = Z11 Z 22 Z12 Z 21

Le de-embedding est illustr schmatiquement la figure 3.12. Le circuit final se rduit celui de la figure 3.13.

Figure 3-12 : tapes de de-embedding

56

Ccx

Cbi

Rcx

Cbc

Rbi Cbe Vbe Rbe

Rbc Gm.Vbe

Gm=Gmo.exp(-i )

Figure 3-13 : Circuit final aprs de-embedding

La deuxime technique de de-embedding est base sur une simulation lectromagntique qui ncessite la connaissance pralable du layout du transistor [78].

3.6.2 Extraction des lments intrinsques et extrinsques

Les lments intrinsques et extrinsques (autre que les rsistances Rb, Rc et Re) sont dtermins analytiquement partir des paramtres Y du circuit de la figure 3.13. La procdure dextraction est dcrite en dtail dans les annexes I et III. On se contente de prsenter une brve description des principales tapes de la procdure.

Au dpart, on applique la transformation T- tel quillustr la figure 3.14.

57

Figure 3-14 : Transformation T-

Les paramtres Z1, Z2 et Z3 sont donns par [79]:

Z1 =

D Zbc D Zbe D Zbi

(32)

Z2 =

(33)

Z3 =
o
Z bi =

(34)

Rbi 1 + i Rbi Cbi

(35)

Z bc =

Rbc 1 + i Rbc Cbc

(36)

58

Z be =

Rbe 1 + i Rbe Cbe

(37) (38)

D = Z bi Z bc + Z be Z bc + Z bi Z be

Le circuit final est montr la figure 3.15, o

Z4 =

Z 2 Z cx Z 2 + Z cx Rcx 1 + i Rcx Ccx

(39)

Z cx =

(40)

Z4 Z1 Z3 Gm.Vbe

Figure 3-15 : Circuit final aprs la transformation T-

59

On peut montrer que les paramtres Z1, Z3, et Z4 sont relis aux paramtres Y selon les quations suivantes [80]

Z1 =

1 Y11 + Y12
Y21 + Y11 (Y11 + Y12 ) (Y22 + Y12 )

(41)

Z3 =

(42)

Z4 =

1 Y12

(43)

On dfinit par ailleurs, le paramtre suivant :

X = B Gmo exp ( i )

(44) (45)

B=

Z1 Z1 + Z 2 + Z3

Le paramtre X est reli aux paramtres Y selon lquation suivante [81]:

X = (Y22 + Y12 )

Y21 Y12 Y21 + Y11

(46)

ce point, lextraction se droule selon la procdure suivante :

1. Extraction de la constante de temps Tbi

60

On dfinit la fonction Fbi et la constante Tbi selon les quations suivantes :

Fbi

imag( Z1 / Z 3 )

(47)

Tbi = Rbi Cbi

(48)

On montre que Fbi est fonction linaire de 2 [79], i.e.

Fbi = A0 + 2 B0

(49)

La constante de temps Tbi est alors donne par

Tbi =

B0 A0

(50)

La constante de temps Tbi permet de caractriser le phnomne daccumulation de courant, tant directement relie la capacit Cbi.

2. Dtermination de Rbi /Rbc et Rbi x Cbc

61

On peut dterminer Rbi /Rbc et Rbi x Cbc laide des relations suivantes :

Z R real 1 (1 + i Tbi ) = bi Z3 Rbc Z imag 1 (1 + i Tbi ) = Rbi Cbc Z3

(51)

(52)

3. Dtermination de Tbe

On dfinit la fonction F1 et la constante Tbe selon les quations suivantes :

F1

imag ( Z1 (1 + i Tbi ) )

(53) (54)

Tbe = Rbe Cbe

On montre que F1 est fonction linaire de 2 [79], i.e.

F1 = A + 2 B

(55)

La constante de temps Tbe est alors donne par

62

Tbe =

B A

(56)

4. Dtermination de R et R x T

On dfinit la fonction F2 par la relation :

F2

Z1 (1 + i Tbe )(1 + i Tbi ) = R (1 + i T )

(57)

On montre alors que imag (F2) est fonction linaire de , et que real (F2) est constante. On introduit alors les constantes R et T telles que :

real ( F2 ) = R imag ( F2 ) = R T

(58) (59)

5. Dtermination de Rbe et Rbi

Les rsistances Rbe et Rbi sont dtermines laide de la relation suivante :

Rbi 1 R Rbe 1 + Rbc = RT Rbi T + R C Tbe bi bc bi

(60)

63

6. Dtermination de Rbc, Cbc, Cbe et Cbi

Connaissant Rbe et Rbi, on dtermine Rbc, Cbc, Cbe et Cbi directement partir de Rbi/Rbc, Rbi x Cbc, Rbe x Cbe (= Tbe) and Rbi x Cbi (= Tbi).

7. Dtermination de Ccx, Rcx, Gmo et

On dtermine Ccx, Rcx, Gmo et , laide des quations suivantes :

1 1 Ccx = imag Z4 Z2 1 1 1 = real Rcx Z4 Z2

(61)

(62)

Gmo =

X B

(63)

X = phase Gmo B

(64)

3.7 Extraction des paramtres du modle statique en mode actif

64

Lextraction des paramtres caractrisant le mode de fonctionnement direct est dcrit en dtail dans lannexe II. Dans cette section, on se contente de prsenter les principaux rsultats.

En mode de fonctionnement directe, le circuit statique se rduit celui de la figure 3.16.

Figure 3-16 : Circuit statique en mode actif

Le courant Ibe didentifie au courant de base Ib, et le courant Icf sidentifie au courant de collecteur Ic. Ainsi, les relations (1), (4), (12) et (13) deviennent

V I b = I sbe exp be 1 Nbe Vth

V I c = I scf exp be 1 N V cf th

(65)

(66)

65

N cf Vth =

Ic Gmo

(67) (68)

Nbe Vth = Rbe I b

Rbe et Gmo ont t dtermins au cours de lextraction petit-signal. Ainsi, laide des quations (67) et (68), on peut dterminer Ncf Vth et Nbe Vth en fonction du point de polarisation.

Lorsque la temprature ambiante est constante, Ncf Vth et Nbe Vth dpendent uniquement de la puissance dissipe Pdiss, dfinie comme

Pdiss = I c Vce + I b Vbe

(69)

Ainsi, on peut dfinir deux fonctions f et h telles que :

f ( Pdiss ) = N cf Vth
h( Pdiss ) = N be Vth

(70) (71)

En utilisant les quations (1) et (4), on peut dterminer les courants de saturation Iscf et Isbe comme fonctions de la puissance dissipe, selon les quations suivantes :

66

I scf =

Ic V exp be 1 N V cf th

exp

Ic Vbe 1 f ( Pdiss )

(72)

I sbe =

Ib V exp be N be Vth

Ib V exp be 1 h( Pdiss )

(73)

Ainsi, le fonctionnement du HBT en mode actif est compltement caractris par quatre fonctions de la puissance dissipe.

3.8 Validation de la technique

3.8.1 Banc de mesures

Des transistors un doigt dmetteur, provenant de deux fonderies diffrentes ont t utiliss pour valider le modle et la technique dextraction. Le premier transistor est un HBT AlGaAs/GaAs sur tranche (on wafer), une surface dmetteur 2 x 20 m2. Les autres transistors sont des HBTs GaInP/GaAs, fabriqus par Nortel et dont les surfaces dmetteurs sont 1 x 10 m2 et 1 x 100 m2.

67

Les mesures DC ont t effectues laide dun mesureur de prcision programmable HP 4142. Les mesures de paramtres S ont t effectues laide dun analyseur de rseaux vectoriel HP 8510, associ une station de mesures sous pointes, quipe dun support thermique permettant de contrler la temprature ambiante. Les conditions de polarisation sont assures par le mesureur HP 4142.

3.8.2 Extraction des rsistances

Les valeurs des rsistances, dtermines laide de la technique du Fly-back, sont rsumes au tableau suivant :

Transistor 1 x 10 2 x 20 1 x 100

Re (Ohm) 3.68 1.275 0.52

Rc (Ohm) 11.92 1.439 1.46

Rb (Ohm) 1.71 1.6 0.93

Tableau 3-1 : Valeurs des rsistances extrinsques

68

3.8.3 Extraction des capacits et inductances parasites

Dans le cas des transistors 1 x 10 et 1 x 100, le de-embedding a t effectu en utilisant la technique de la simulation lectromagntique.

Dans le cas du transistor 1 x 20, les valeurs des capacits et inductances parasites ont t dtermines laide des techniques dcrites dans les paragraphes 3.4.1 et 3.4.2. Les capacits parasites sont donnes au tableau 3.2. Les inductances parasites sont donnes au tableau 3.3.

Cpce (fF) Cpbe (fF) Cpbc (fF)

33.22 1.3 6

Tableau 3-2 : Valeurs des capacits parasites

Le (pH) Lc (pH) Lb (pH)

22.39 8.7 17

Tableau 3-3 : Valeurs des inductances parasites

69

3.8.4 Implantation du modle petit-signal

Le logiciel de simulation ADS a t utilis pour limplantation du circuit petit-signal, tel que montr la figure 3.17.

C Cpbc C=Cpbc f F

C Ccx C=Ccx f F

R Rbc R=Rbc Ohm

L Lb L=Lb pH R=

R Rb R=Rb Ohm

R Rbi R=Rbi Ohm

C Cbc C=Cbc f F

R Rc R=Rc Ohm

L Lc L=Lc pH R=

C Cbe C=Cbe f F

VCCS SRC2 G=gmo S T=td psec R1=Rbe Ohm R2=(1/go) Ohm C Cpce C=Cpce f F

C Cpbe C=Cpbe f F

R RE R=RE Ohm

L Le L=Le pH R=

S2P SNP17 File="Q2A202D2_VCE2V_IB240uA.s2p"

1 2

S-PARAMETERS
S_Param SP1 Start=0.1 GHz Stop=20 GHz Step=0.199 GHz

Var Eqn

Term Term1 Num=1 Z=50 Ohm

Ref

Term Term2 Num=2 Z=50 Ohm

VAR VAR154 Rb=1.6 RE=1.275 Rc=1.439 gmo=0.755 go=1e-90 Rbi=1.97 Rbe=115.97 Rbc=3.39e4 Cbe=2849 Cbc=6.335 Ccx=52.28 td=1.71

Var Eqn

VAR VAR155 Cpbe=1.3 Cpce=33.22 Cpbc=6 Le=22.39 Lc=8.7 Lb=17

Figure 3-17 : Schma ADS du modle petit-signal

70

On prsente des exemples de simulation pour les transistors 2x20 et 1x100. Les paramtres S sont illustrs sur labaque de Smith, sur une bande de frquences de 1 20 GHz.

1er exemple : HBT 2 x 20, polaris au point Vce = 2 V, Ib = 240 A, Ic = 19.302 mA

Les rsultats de lextraction sont donns au tableau 3.4. La simulation est montre sur labaque de Smith la figure 3.18.

lment Rbi [ohm] Rbe [ohm] Rbc [ohm] Rcx [ohm] Cbi [fF] Cbe [fF] Cbc [fF] Ccx [fF] Gmo [S] [ps]

Valeur 1.97 115.87 3.39 x 104 Trs leve 0 2849 6.335 52.28 0.755 1.71

Tableau 3-4 : Rsultats de lextraction pour le transistor 2 x 20

71

S(2,1) / 15

S(1,2) X 25

S(2,2)

S(1,1) X 2

Figure 3-18 : Comparaison entre les paramtres S mesurs (o) et simuls (-) pour HBT 2 x 20, (Vce = 2 V, Ib = 240 A, Ic = 19.302 mA)

2e exemple : HBT 1x100, polaris au point Vce = 5 V, Ib = 326.97 A, Ic = 45 mA

Les rsultats de lextraction sont donns au tableau 3.5. La simulation est montre sur labaque de Smith la figure 3.19.

72

lment Rbi [ohm] Rbe [ohm] Rbc [ohm] Rcx [ohm] Cbi [fF] Cbe [fF] Cbc [fF] Ccx [fF] Gmo [S] [ps]

Valeur 13.2 1562.4 2.94 x 105 2.248 x 105 0 428.6 2.969 6.705 0.1383 1.11

Tableau 3-5 : Rsultats de lextraction pour le transistor 1 x 100, (Vce = 5 V, Ic = 45 mA, Ib = 326.97 A)

73

S(2,1) / 40

S(1,2) x 35

S(2,2) S(1,1)

Figure 3-19 : Comparaison entre les paramtres S mesurs (o) et simuls (-) pour HBT 1 x 100, (Vce = 5 V, Ic = 45 mA, Ib = 326.97 A)

3e exemple : HBT 1x100, polaris au point Vce = 2 V, Ib = 215.742 A, Ic = 30 mA

Les rsultats de lextraction sont donns au tableau 3.6. La simulation est montre sur labaque de Smith la figure 3.20.

74

lment Rbi [ohm] Rbe [ohm] Rbc [ohm] Rbx [ohm] Cbi [fF] Cbe [fF] Cbc [fF] Ccx [fF] Gmo [S] [ps]

Valeur 2.05 149.31 2 x 105 Trs leve 0 3559 63.34 40.03 1.0465 1.03

Tableau 3-6 : Rsultats de lextraction pour le transistor 1 x 100, (Vce = 2 V, Ib = 215.742 A, Ic = 30 mA)

75

S(2,1) / 40 S(1,2) x 25

S(1,1)

S(2,2)

Figure 3-20 : Comparaison entre les paramtres S mesurs (o) et simuls (-) pour HBT 1 x 100, (Vce = 2 V, Ib = 215.742 A, Ic = 30 mA)

3.8.5 Implantation du modle grand-signal

Le modle grand-signal a t implant laide du logiciel ADS, tel quillustr la figure 3.21. Un SDD (symbolically defined device) a t utilis pour modliser la partie fortement non-linaire du transistor 1x10. Une comparaison de paramtres S simuls et mesurs est montre la figure 3.22. Faute de ne pas avoir de mesures de puissance, on

76

sest content deffectuer des simulations dquilibrage harmonique (Harmonic balance), afin de montrer la convergence et la cohrence du modle. Le figure 3.23 montre lvolution de la puissance de sortie en fonction de la puissance dentre, la frquence fondamentale 10 GHz, ainsi qu la deuxime et la troisime harmonique, au point de polarisation Vce = 3V et Ib = 29.55 A. La figure 3.24 montre lvolution du gain en fonction de la puissance dentre. La figure 3.25 montre le spectre de la puissance de sortie, pour un test deux tones aux frquences 9.995 GHz et 10.005 GHz, et une puissance dentre de 5 dBm.

C Ccx C=Ccx fF

C Cbc C=Cbc fF

R Rbi R=Rbi Ohm Vin DC_Block DC_Block2 R Rb R=Rb Ohm R Rc R=Rc Ohm I_Probe Icc DC_Block DC_Block1 DC_Feed DC_Feed1 Vout

C Cbe C=Cbe fF R Re R=Re Ohm

SDD2P SDD2P1 I[1,0]=Is1*(exp((_v1)/NVth1) - 1) I[2,0]=Is2*(exp((_v1)/NVth2) - 1) H[2]=exp(-j*2*pi*freq*Taud)

Figure 3-21 : Implantation ADS du modle grand signal

77

S(2,1)

S(1,2) x 200

S(2,2) x 10 S(1,1) x 5

Figure 3-22 : Comparaison entre les paramtres S mesurs (o) et simuls (-) pour HBT 1x10, (Vce = 2 V, Ic = 5 mA, Ib = 24.5 A)

50 0 Pout (dBm) -50 -100 -150 -200 -50 -40 -30 -20 Pin (dBm) -10 0 10

fo 2 fo

3 fo

Figure 3-23 : volution de la puissance de sortie en fonction de la puissance dentre la fondamentale, 2e et 3e harmonique (Vce = 3V et Ib = 29.55 A)

78

20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 -50 -40 -30 -20 -10 0 10

Gain (dB)

Pin (dBm)

Figure 3-24 : volution du gain en fonction de la puissance dentre

20 0 Pout (dBm) -20 -40 -60 -80 9.945 9.955 9.965 9.975 9.985 9.995 10.005 10.015 10.025 10.035 10.045 10.055

Frquence (GHz)

Figure 3-25 : Spectre de la puissance de sortie

79

4. DISCUSSION GNRALE

La technique dextraction propose est une technique squentielle, o les rsultats de chaque tape sont utiliss pour ltape suivante. Ceci engendre le risque de propagation derreur. ventuellement, il serait ncessaire, au cours de limplantation pratique,

dinclure des tapes doptimisations locales. Loptimisation requise est de nature diffrente de celle discute dans le chapitre I. Cette dernire reprsente une tape essentielle et prpondrante de lextraction. Dans notre cas, il sagit dune tape complmentaire dont le but est doptimiser une solution dj trouve par la technique analytique.

Dans le modle adopt, on aurait pu inclure plus dune diode par jonction, lune reprsentant la recombinaison et lautre linjection inverse. Ceci naurait aucune rpercussion sur lextraction petit-signal qui demeure valide, tout en interprtant chaque rsistance de jonction (Rbe, Rbc et Rcx) comme lquivalent de deux rsistances dynamiques en parallles, tel quillustr sur la figure suivante :

80

Lextraction DC demeure galement inaffecte puisque dune part, linjection inverse est ngligeable au niveau de la jonction base-metteur, et dautre part, en rgime direct, la recombinaison est ngligeable au niveau de la jonction base-collecteur.

Il est possible aussi dassocier une diode (i.e. un coefficient dmission) pour chaque mcanisme de recombinaison. Ceci naffecte toujours pas la validit de lextraction petit-signal, o chaque jonction est reprsente par une seule rsistance reprsentant lassociation en parallle, de plusieurs rsistances dynamiques. Cependant, au niveau de lextraction DC, il faut tenir compte de la contribution de chaque diode la rsistance Rbe. Dans ce dernier cas la relation (68) se gnralise la forme suivante :

I 1 = bei Rbe N bei Vth

o Ibei reprsente le courant traversant la ie diode, et Nbei est son coefficient dmission.

Cette relation est trs importante. Dans notre modle, elle a permis une extraction directe des paramtres de la diode base-metteur. Dans le cas dun modle plus complexe, plusieurs diodes, cette relation peut servir de contrainte supplmentaire quon peut appliquer technique par optimisation.

81

Notons que les relations (67) et (68), ont dj t utilises par dautres auteurs afin de calculer la rsistance dynamique Rbe et la transconductance Gmo [73], [76], [82]-[83]. Une telle procdure requiert la connaissance pralable des paramtres du modle statique. Cette stratgie de modlisation nest pas efficace : En effet, la modlisation en rgime statique est plus difficile quen rgime petit-signal. Ceci est du la prsence de composantes fortement linaires dans le modle statique, alors que le modle petit-signal est compos uniquement dlments linaires. Une bonne stratgie de modlisation consisterait commencer par lextraction petit-signal, puis de sen servir dans la rsolution du problme plus complexe de lextraction en rgime statique. Dans notre approche, lextraction en rgime linaire na fait usage daucun paramtre du modle statique. Rbe et Gmo ont t dtermins exclusivement laide des mesures RF de paramtres S. Ainsi, il a t possible dutiliser les relations (67) et (68) comme source dinformation supplmentaire sur le comportement statique du transistor.

En rgime petit-signal, chaque jonction a t reprsente par une seule capacit reprsentant la somme des capacits de diffusion et de jonction. Pour sparer les deux composantes, il est ncessaire de procder une tude de la capacit totale en fonction du point de polarisation.

Lextraction petit-signal a fait usage de quatre types de mesures : Mesures DC pour lextraction des rsistances Rb, Rc et Re. Mesures RF en mode cut-off pour lextraction des capacits parasites.

82

Mesures RF en mode collecteur-ouvert pour lextraction des inductances parasites.

Mesures RF en rgime normale pour lextraction des lments intrinsques et certains lments extrinsques.

La validation de lextraction petit-signal donne une preuve de la consistance interne de la procdure et de la validit du modle.

Il est possible dinclure leffet Kirk dans le modle DC, en considrant que Iscf est fonction de deux paramtres (au lieu dun seul paramtre Pdiss). Dans le cas de ce projet, il ntait pas ncessaire dinclure cet effet.

83

CONCLUSION ET RECOMMANDATIONS

Vue lamlioration des performances, en frquence et en puissance, des transistors bipolaires htrojonction, ils sont de plus en plus utilises dans les applications des circuits oprant aux ondes millimtriques et centimtriques. La disponibilit dun modle fiable, pour ces composantes, est un lment essentiel pour la conception assiste par ordinateur (CAD).

Lobjectif principal de cette thse tait de dvelopper une approche facile et fiable pour la modlisation des HBTs. Le modle adopt est relativement avanc, pouvant couvrir une bonne catgorie de transistors oprant des conditions varies de frquence et de polarisation. Une procdure entirement analytique a t dveloppe, pour la dtermination des paramtres du modle partir de mesures RF et DC. Cette procdure dextraction est systmatique et donc facilement automatisable. Il permet une caractrisation rapide et fiable du comportement statique et petit-signal du transistor.

La dtermination des lments parasites et des rsistances extrinsques a fait usage de techniques standards. La procdure dextraction des lments intrinsques et extrinsque du modle petit-signal, a t effectue laide dune nouvelle technique rigoureuse, utilisant exclusivement les mesures des paramtres S. Les rsultats de cette tape dextraction ont t utiliss conjointement avec les mesures DC, afin de caractriser le

84

comportement statique du transistor. Un bon accord a t observ entre les simulations et les mesures des paramtres S et des courbes Ic-Vce.

la lumire de ce qui a t prsent, il savre que la caractrisation en rgime petitsignal est un lment dterminant pour une modlisation systmatique et fiable du composant. Cette tape est une source dinformation sur le comportement dynamique, mais aussi le comportement statique du composant. Ainsi, il indispensable de disposer dune technique dextraction rigoureuse pour le modle linaire, quelque soit son degr de complexit. La faisabilit dune telle technique a t dmontre dans cette thse, sur un modle relativement avanc.

85

REFRENCES

[1] K. Fricke, G. Gatti, H. L. Hartnagel, V. Krozer, J. Wurfl, "Performance capabilities of HBT devices and circuits for satellite communication," IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 40, no. 6, pp. 1205-1214, 1992.

[2] P. M. Asbeck, M. F. Chang, K. -C. Wang, D. L. Miller, G. J. Sullivan, N. H. Sheng, E. Sovero, J. A. Higgins, "Heterojunction bipolar transistors for microwave and millimeter-wave integrated circuits," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 34, no. 12, pp. 2571-2579, 1987.

[3] M. B. Das, "High-frequency performance limitations of millimeter-wave heterojunction bipolar transistors," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 35, no. 5, pp. 604-614, 1988.

[4] M. E. Kim, A. K. Oki, J. B. Camou, P. D. Chow, B. L. Nelson, D. M. Smith, J. C. Canyon, C. C. Yang, R. Dixit, B. R. Allen, "12-40 GHz low harmonic distortion and phase noise performance of GaAs heterojunction bipolar transistors," in IEEE GaAs IC Symp., 1988, pp. 117-120.

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101

ANNEXES

102

ARTICLE I: Systematic and Rigorous Extraction Method of HBT Small-Signal Model Parameters

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IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 54, NO. 2, FEBRUARY 2006

Systematic and Rigorous Extraction Method of HBT Small-Signal Model Parameters

Louay Degachi and Fadhel M. Ghannouchi, Senior Member, IEEE
AbstractThis paper presents a systematic and rigorous analytical parameter-extraction method for a heterojunction bipolar transistor (HBT) small-signal equivalent-circuit model. The proposed method relies exclusively on -parameter measurements. Exact closed-form equations are used for the direct extraction of circuit elements. The method is characterized by its simplicity and ease of implementation. It is applied to predict the small-signal characteristics of transistors from different foundries. Excellent agreement between modeled and measured -parameters is observed up to 20 GHz. Index TermsHeterojunction bipolar transistor (HBT), parameter extraction, small-signal equivalent-circuit model.

I. INTRODUCTION KEY issue in heterojunction bipolar transistor (HBT) modeling is the availability of an accurate and systematic model-parameter extraction procedure. Over the last decade, several analytical methods were proposed for the parameter extraction of HBT small-signal models [1][8]. Most of these methods make use of approximations when deriving appropriate equations allowing for the direct determination of model parameters. Of particular interest is the method developed by Bousnina et al. [5], where small-signal hybrid- model parameters are extracted rigorously and no approximations are used. However, certain shortcomings are noticed. On the one hand, the derivation of the intrinsic baseemitter resistance makes use of the involving parameters such as the formula junction temperature and junction emission coefcient, thus requiring a prior dc-parameter extraction. On the other hand, the baseemitter capacitance is derived as the solution of a seconddegree equation. Such an equation generally has two roots, and additional arguments are necessary to eliminate one of them. This paper presents an improved analytical extraction method compared to [5]. The proposed method is rigorous, simple, and relies exclusively on -parameter measurements. Therefore, it is very suited for automation. In Section II, a brief description of the adopted model is given. In Section III, the extraction method is described in detail. Section IV presents the extraction results. Section V concludes this paper.

Fig. 1.

Adopted HBT small-signal equivalent-circuit model.

Fig. 2.

HBT small-signal equivalent-circuit model after deembedding.

II. MODEL DESCRIPTION The adopted HBT small-signal equivalent-circuit model is and ) shown in Fig. 1. Parasitic capacitances ( and inductances ( and ) are extracted from -parameter measurements when the transistor is biased, respectively, and in the cutoff and open-collector conditions [5]. are the series resistances and they are determined from y-back measurements. All these parasitic elements are deembedded from -parameter measurements following the procedure described by Dambrine et al. [9]. After deembedding, the circuit is the intrinsic is reduced to the one shown in Fig. 2.

Manuscript received June 20, 2005; revised September 13, 2005. L. Degachi is with the Poly-Grames Research Center, Electrical Engineering Department, cole Polytechnique de Montral, Montral, QC, Canada H3C 3A7 (e-mail: louay.degachi@polymtl.ca). F. M. Ghannouchi is with the Electrical and Computer Engineering Department, Schulich School of Engineering, The University of Calgary, Calgary, AB, Canada T2N 1N4 (e-mail: fghannou@ucalgary.ca). Digital Object Identier 10.1109/TMTT.2005.862661

0018-9480/$20.00 2006 IEEE

DEGACHI AND GHANNOUCHI: SYSTEMATIC AND RIGOROUS EXTRACTION METHOD OF HBT SMALL-SIGNAL MODEL PARAMETERS

683

Fig. 3.

T-5 transformation.

baseemitter capacitance. and are the intrinsic and exand trinsic basecollector capacitances, respectively. are the intrinsic baseemitter and basecollector resistances, respectively. Generally has a high value and, therefore, its effect might be neglected. Nevertheless, we include it in and are the our model for the sake of completeness. is the small-signal and dc transconductances, respectively. intrinsic base resistance. is the delay time. III. PARAMETER-EXTRACTION PROCEDURE First, the well-known T- transformation is applied as deand are given by scribed in Fig. 3. The parameters (1)

Fig. 4. Final circuit after T-5 transformation.

where (10) (11) It follows that (12) (13) (14)

(2) (15) (3) where (4) (5) (6) (7) The nal circuit is shown in Fig. 4 where (17) (8) (18) (9) The parameters follows [5]: and are related to -parameters as and are determined from the least squares lines tting to and , respectively, considered as functions of the angular frequency . Equations (17) and (18) are illustrated in Figs. 5 and 6. B. Determination of Using (1) and (4)(7), can be written as or, equivalently, At this point, the circuit parameters are determined analytically as follows. A. Determination of and

From (1) and (3), it can be written that (16)

684

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 54, NO. 2, FEBRUARY 2006

Fig. 5. Plot of real(Z =Z ) versus frequency.

Fig. 7. Plot of F versus frequency.

Fig. 6. Plot of imag(Z =Z ) versus frequency.

Fig. 8.

Plot of real(F ) versus frequency.

or, equivalently, (19) where (20) (21) (22) From (19), it can be deduced that C. Determination of and

(25) (26) and are determined from the least squares line tting to , considered as function of . Equation (23) is illustrated in is then determined as Fig. 7. From (24) and (25),

From (19), it can be written that

or, equivalently, (23) where (24)

or, equivalently, (27) (28) and are determined from the least squares lines tting and , respectively, considered as functions to of . Equations (27) and (28) are illustrated in Figs. 8 and 9.

DEGACHI AND GHANNOUCHI: SYSTEMATIC AND RIGOROUS EXTRACTION METHOD OF HBT SMALL-SIGNAL MODEL PARAMETERS

685

Fig. 9.

Plot of imag(F ) versus frequency.

Fig. 11.

Plot of mag(X=B ) versus frequency.

Fig. 10.

Plot of imag(1=Z

0 1=Z ) versus frequency.

and

Fig. 12.

Plot of [- phase (X=B

1G

)] versus frequency.

D. Determination of

From (20) and (21), the following linear system can be written:

or in a matrix form

This directly gives E. Determination of Once and forward to calculate

and

. and

are determined, it becomes straightand , respectively, from and .

Fig. 13. Measured ( ) and simulated ( ) S -parameters for a 2 emitter-area HBT (V = 3 V, I = 18:728 mA, I = 240 A).

2 20 m

686

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 54, NO. 2, FEBRUARY 2006

Fig. 14. Measured ( ) and simulated ( ) S -parameters for a 2 emitter-area HBT (V = 2 V, I = 19:302 mA, I = 240 A). TABLE I EXTRACTED SMALL-SIGNAL PARAMETERS EMITTER-AREA HBT

2 20 m

Fig. 15. Measured ( ) and simulated ( ) S -parameters for a 1 emitter-area HBT (V = 2 V, I = 5 mA, I = 24:5 A).

2 10 m

FOR A

2 20 m

F. Determination of

, and

Once the values of the intrinsic elements are calculated, paand are determined from (2) and (11), respecrameters tively. From (8) and (9), it can be written that (29) From (10), it can be written that (30) phase (31)
Fig. 16. Measured ( ) and simulated ( ) S -parameters for a 1 emitter-area HBT (V = 3 V, I = 5 mA, I = 24:72 A).

2 10 m

and are then determined from the least squares and lines tting, respectively, to phase . Equations (29)(31) are illustrated in Figs. 1012, respectively. IV. RESULTS AND DISCUSSION In order to validate and assess the accuracy of the extraction procedure, three transistors from two different foundries

were investigated. Measurements were performed with a microwave probing system and a vector network analyzer (VNA) over the frequency range of 120 GHz. The extraction procedure was implemented as a MATLAB program. The rst transistor was an AlGaAs/GaAs HBT with a 2 20 m emitter area. Figs. 13 and 14 show comparisons between measured and V, simulated -parameters at the bias point mA, and A, and at the bias point V, mA, and A, respectively. Table I shows the extracted values of the different circuit elements. The second transistor was a GaInP/GaAs HBT with a 1 10 m

DEGACHI AND GHANNOUCHI: SYSTEMATIC AND RIGOROUS EXTRACTION METHOD OF HBT SMALL-SIGNAL MODEL PARAMETERS

687

TABLE II EXTRACTED SMALL-SIGNAL PARAMETERS EMITTER-AREA HBT

FOR A

2 10 m

TABLE III EXTRACTED SMALL-SIGNAL PARAMETERS EMITTER-AREA HBT

FOR A

2 100 m

Fig. 19.

Plot of R

versus I for the 1

2 10 transistor.

Fig. 17. Measured ( ) and simulated ( ) S -parameters for a 1 emitter-area HBT (V = 2 V, I = 30 mA, I = 215:742 A).

2 100 m

Fig. 20.

Plot of G

versus I for the 1

2 10 transistor.

Fig. 18. Measured ( ) and simulated ( ) S -parameters for a 1 emitter-area HBT (V = 3 V, I = 50 mA, I = 355:760 A).

2 100 m

emitter area. Figs. 15 and 16 show comparisons between meaV, sured and simulated -parameters at the bias point

mA, and A and at the bias points V, mA, and A, respectively. Table II depicts the extracted values of the different elements. The third transistor was a GaInP/GaAs HBT with a 1 100 m emitter area. Figs. 17 and 18 show comparisons between measured and simuV, mA, and lated -parameters at the bias point A and at the bias points V, mA, A, respectively. Table III depicts the exand tracted values of the different elements. Excellent agreement was obtained over the selected range of frequencies. The deat high frequencies (Figs. 1518) are viations occurring in attributable to measurement problems. As expected, the value of is very high. The evolutions with bias of and for the 1 10 transistor are given in Figs. 19 and 20, respectively.

688

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 54, NO. 2, FEBRUARY 2006

Both parameters show smooth behaviors, which further validate the proposed extraction technique. V. CONCLUSION In this paper, a simple and systematic parameter-extraction method has been presented. The main features of this method are as follows. The method relies exclusively on -parameter measurements. No dc parameter is required. The extraction of all elements is rigorously achieved by skillfully deriving a number of relations without employing any approximation. These features make the method very suited for automation. Excellent agreement is obtained between modeled and measured -parameters for three transistors from two different foundries. The results indicate the accuracy and consistency of this method. REFERENCES
[1] B. Li and S. Parsad, Basic expressions and approximations in smallsignal parameter extraction for HBTs, IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 47, no. 5, pp. 534539, May 1999. [2] A. Ouslimani, J. Gaubert, H. Hafdallah, A. Birafane, P. Pouvil, and H. Leier, Direct extraction of linear HBT-model parameters using nine analytical expression blocks, IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 50, no. 1, pp. 218221, Jan. 2002. [3] H. C. Tseng and J. H. Chou, An efcient analytical approach for extracting the emitter inductance of collector-up HBTs, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, no. 7, pp. 12001202, Jul. 2004. , A pure analytic method for direct extraction of collector-up [4] HBTs small-signal parameters, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, no. 12, pp. 19721977, Dec. 2004. [5] S. Bousnina, P. Mandeville, A. B. Kouki, R. Surridge, and F. M. Ghannouchi, Direct parameter-extraction method for HBT small-signal model, IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 50, no. 2, pp. 529536, Feb. 2002. [6] M. Rudolph, R. Doerner, and P. Heymann, Direct extraction of HBT equivalent-circuit elements, IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 47, no. 1, pp. 8284, Jan. 1999. [7] B. Sheinman, E. Wasige, M. Rudolph, R. Doerner, V. Sidorov, S. Cohen, and D. Ritter, A peeling algorithm for extraction of the HBT smallsignal equivalent circuit, IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 50, no. 12, pp. 28042810, Dec. 2002.

[8] D. Costa, W. U. Liu, and J. S. Harris, Direct extraction of the AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor small-signal equivalent circuit, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 38, no. 9, pp. 20182024, Sep. 1991. [9] G. Dambrine, A. Cappy, F. Heliodore, and E. Playez, A new method for determining the FET small-signal equivalent circuit, IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 36, no. 7, pp. 11511159, Jul. 1988.

Louay Degachi received the B.Eng. degree in engineering physics from the cole Polytechnique de Montral, Montral, QC, Canada, in 1999, and is currently working toward the Ph.D. degree at the cole Polytechnique de Montral. His research interest is the modeling of HBTs.

Fadhel M. Ghannouchi (S84M88SM93) received the B.Eng. degree in engineering physics and the M.S. and Ph.D. degrees in electrical engineering from the cole Polytechnique de Montral, Montral, QC, Canada, in 1983, 1984, and 1987, respectively. He is currently an iCORE Professor with the Intelligent RF Radio Laboratory, Electrical and Computer Engineering Department, University of Calgary, Calgary, AB, Canada, and Tier-I Canada Research Chair in Intelligent RF Radio Technology. From 1984 to 2005, he was a Professor with the Department of Electrical Engineering, cole Polytechnique de Montral. He has taught microwave theory and techniques and RF communications systems. He held several invited positions at several academic and research institutions in Europe, North America, Japan, and North Africa. He has provided consulting services to numerous microwave and wireless communications companies. He is also the founder of AmpliX Inc., Montral, QC, Canada, a company that offers linearization products and services to wireless and satellite communication equipment manufacturers. His research interests are in the areas of microwave instrumentation and measurements, nonlinear modeling of microwave devices and communications systems, design of power- and spectrum-efcient microwave amplication systems, and design of intelligent RF transceivers for wireless communications. He has authored or coauthored approximately 300 publications. He holds seven patents. Dr. Ghannouchi is a Registered Professional Engineer in the Province of Quebec, Canada. He has served on the Technical Committees of several international conferences and symposiums.

110

ARTICLE II: Simple Technique for a Quick Evaluation of HBT Temperature-Dependant DC Model Parameters in Forward Active Regime

14

INTERNATIONAL JOURNAL OF MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY,

VOL. 2, NO. 1, JANUARY 2007

Simple Technique for a Quick Evaluation of HBT Temperature-Dependent DC Model Parameters in Forward Active Regime
Louay Degachi* and Fadhel M. Ghannouchi
Poly-GRAMES Research Center, Electrical Engineering Department Ecole Polytechnique de Montreal, Montreal, QC, CANADA Tel: 1-514-340-4711; Fax: 1-514-340-5892; E-mail: louay.degachi@polymtl.ca Abstract- This paper presents a simple parameterextraction technique for an HBT temperaturedependant equivalent-circuit DC model, in the forward active regime. The proposed approach is characterized by its ease of implementation. It was applied to predict the DC characteristics of a 1x10 m2 emitter-area InGaP/GaAs HBT device. Index Terms- Heterojunction bipolar transistor, DC equivalent-circuit model, parameter extraction.

power (or the junction temperature). This technique requires small-signal extraction as a prerequisite. In fact, small-signal parameters constitute a valuable source of information about DC operation. Such procedure ensures consistency between DC and RF simulations. II. MODEL DESCRIPTION The adopted HBT intrinsic large-signal equivalent-circuit model is shown in fig. 1. Its small-signal counterpart is shown in fig. 2. A rigorous technique was developed, allowing for the extraction of small-signal parameters solely from S-parameter measurements [4]. Of particular interest are the small-signal intrinsic base-emitter resistance Rbe and the DC gain Gmo.

I. INTRODUCTION A key issue for a successful heterojunction bipolar transistor (HBT) modeling is the availability of a systematic parameter extraction technique. Of particular interest is the problem of DC extraction, where, due to self-heating effects, certain parameters are junction-temperature dependant. Despite the wealth of publications in this area, the aspect of practical implementation was rarely addressed. On the other hand, most of the published techniques presuppose particular forms for the temperature-dependent parameters, before proceeding to extraction [1]-[3]. In the present technique, no particular functions are presupposed. Instead, the emission coefficients and saturation currents are directly determined as vector functions of the dissipated

Fig.1. model.

Adopted HBT large-signal equivalent-circuit

IJMOT-2006-8-208 2007 ISRAMT

15

INTERNATIONAL JOURNAL OF MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY,

VOL. 2, NO. 1, JANUARY 2007

III. PARAMETER EXTRACTION PROCEDURE A. DC Circuit in Forward Active Regime In forward active regime, the DC equivalent circuit is reduced to the one shown in fig. 3. B. Extraction of the Current Source Parameters The collector current Ic is given by:

N cf Vth =

Ic Gmo

(2)

and the dissipated power is given by:

Pdiss = I c Vce + I b Vbe

(3)

At a fixed ambient temperature, Ncf Vth depends only on Pdiss. Then, a one-to-one vector function f can be defined such that:
f ( Pdiss ) = N cf Vth (4)

V I c = I scf exp be N cf Vth

(1)

The saturation current is determined from (1) as:

where Vth is the thermal voltage (= kT/q). At each bias point, the product Ncf Vth is given by [5]:
I scf = Ic V exp be N V cf th 1 = Ic Vbe exp 1 f ( Pdiss ) (5)

Then, a second vector function g can be defined such that: g ( Pdiss ) = I scf (6)

C. Extraction of the base-emitter current parameters The extraction is performed in an analogous manner to the last paragraph, where in this case, the current Ib is given by:

Fig.2.

Small-signal model

V I b = I sbe exp be 1 Nbe Vth and the product Nbe Vth is given by [5]:
Fig.3. DC model in forward active regime

(7)

N be Vth = Rbe I b

(8)

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16

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VOL. 2, NO. 1, JANUARY 2007

V. CONCLUSION

Using (8) and (9), two vector functions can be defined, as in the last paragraph. D. Determination of the Different Parameters as Functions of the Junction Temperature The thermal resistance Rth can be determined using the simple technique of Dawson et al. [6]. Then, using equation (4), together with the variable change Pdiss = (T - To)/Rth, where To is the ambient temperature, a function F can be determined such as F(T) = f((T To)/Rth). The emission coefficient is then given by
N cf = F (T ) q F (T ) = Vth k T (9)

A simple technique was developed, where four vector functions completely characterized the forward active regime of operation. This feature makes it very suited for practical implementation. The fact of using small-signal extracted parameters for DC extraction ensures consistency between DC and RF simulations. The proposed approach could be extended to cover more complex models, in which case more general relations have to be proposed in place of relations (2) and (8).
6 x 10
-3

Ic (mA)

In a similar manner, all other parameters can be determined as functions of the junction temperature. Note that if Pdiss is the chosen variable, the emission coefficient cannot be dissociated from the thermal voltage. This is not a limitation as it is the product Ncf Vth that is involved in the current equation. IV. IMPLEMENTATION AND VALIDATION OF THE EXTRACTION PROCEDURE The extraction procedure was applied to an onwafer InGaP/GaAs HBT with an emitter area of 1x10 m2 in the common emitter configuration. Excellent agreement was obtained between modeled and measured Ic-Vce curves, as illustrated in fig. 4.

-1

0.5

1.5

2.5 Vce (V)

3.5

4.5

Fig.4. Comparison between measured (o) and simulated (-) Ic-Vce characteristics at Ib = 10, 15, 20 and 25 A.

REFERENCES
[1] K. Lu, P. A. Perry, T. J. Brazil, A new largesignal AlGaAs/GaAs HBT model including selfheating effects, with corresponding parameterextraction procedure, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Vol. 43, pp. 14331445, July 1995.

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17

INTERNATIONAL JOURNAL OF MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY,

VOL. 2, NO. 1, JANUARY 2007
[2] C. M. Snowden, Large-signal microwave characterization of AlGaAs/GaAs HBTs based on a physics-based electrothermal model, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Vol 45, pp 58-71, Jan. 1997. A. Raghavan, S. Venkataraman, B. Banerjee, Y. Suh, D. Heo, J. Laskar, Direct extraction of an empirical temperature-dependent InGaP/GaAs HBT large-signal model, IEEE Journal of SolidState Circuits, Vol. 38, pp. 1443-1450, Sept. 2003. L. Degachi, F. M. Ghannouchi, Systematic and rigorous extraction method of HBT small-signal model parameters, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Vol. 54, pp. 682-688, Feb. 2006. R. Hajji, F. M. Ghannouchi, Small-signal distributed model for GaAs HBTs and Sparameter prediction at millimeter-wave frequencies, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 44, pp. 723732, May 1997. D. E. Dawson, A.K. Gupta, M.L. Salib, CW measurement of HBT thermal resistance, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 39, pp. 2235 2239, Oct. 1992.

[3]

[4]

[5]

[6]

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115

ARTICLE III: Characterization of AC Emitter Current Crowding and Consequences on Small-Signal Extraction.

INTERNATIONAL JOURNAL OF MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY,

VOL. , NO. , MONTH 2006

Characterization of AC Emitter Current Crowding and Consequences on Small-Signal Extraction

Louay Degachi* and Fadhel M. Ghannouchi
Poly-GRAMES Research Center, Electrical Engineering Department Ecole Polytechnique de Montreal, Montreal, QC, CANADA Tel: 1-514-340-4711; Fax: 1-514-340-5892; E-mail: louay.degachi@polymtl.ca

Abstract- This paper presents a simple and systematic test that allows assessing the importance of AC emitter current crowding effect in heterojunction bipolar transistors (HBTs). The consequences of this effect on small-signal extraction are accounted for through the generalization of a previously published technique, to an advanced small-signal model. Index Terms- Heterojunction bipolar transistor, parameter extraction, AC emitter current crowding, small-signal equivalent-circuit model.

model which accounts for the external basecollector junction in addition to the aforementioned AC current crowding. II. MODEL DESCRIPTION AND TRANSFORMATION The adopted HBT small-signal equivalent-circuit model is shown in figure 1. AC current crowding is accounted for through the capacitance Cbi in shunt with the spreading resistance Rbi [9]-[10]. The external base-collector junction is accounted for through the dynamic resistance Rcx in shunt with the capacitance Ccx.

I. INTRODUCTION In the last decade, many HBT small-signal models were proposed [1]-[10]. However, only few of them accounted for AC emitter current crowding [9]-[10], even though, this effect becomes significant for HBTs with low base resistance, particularly in the high frequency range [10]. In most models, AC current crowding is assumed to be negligible without any prior test for validating this assumption. The present paper proposes a simple and systematic test allowing to confirm (or disconfirm) this hypothesis. A time constant parameter will be defined and used to assess the importance of AC current crowding. It will be shown that the consequences of this effect (if any) on small-signal extraction can be accounted for through the generalization of a previously published technique, to an advanced small-signal

Fig.1. Adopted HBT small-signal equivalent-circuit model.

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Compared to the model presented in [8], the new circuit model has two additional elements, related to second order effects. First, the well-known T- transformation is applied as described in figure 2. The parameters Z1, Z2 and Z3 are given by:
Z1 = Z2 = Z3 = D Z bc D Z be D Z bi

The final circuit is shown in figure 3 where

Z4 = Z cx = Z 2 Z cx Z 2 + Z cx Rcx 1 + i Rcx Ccx

(8) (9)

(1) (2) (3)

The parameters Z1, Z3 and Z4 are related to Yparameters as follows [8]:

Y11 =

Z1 + Z 4 Z1 Z 4

Y12 =

Z + Z4 1 Y22 = 3 + X and Z4 Z3 Z 4

where
Z bi = Rbi 1 + i Rbi Cbi Rbc 1 + i Rbc Cbc Rbe 1 + i Rbe Cbe

Y21 = X

Z3 1 Z1 Z 4

(4)

where

Z bc =

(5)

X = B Gmo exp ( i )
B= Z1 Z1 + Z 2 + Z 3

(10) (11)

Z be =

(6) (7)

D = Z bi Z bc + Z be Z bc + Z bi Z be

Z4 Gm.Vbe

Cbi

Cbc

Z1
Z2 Z1 Z3

Z3

Rbi Cbe

Rbc Rbe

Fig.3. Fig.2. T- transformation

Final circuit after T- transformation.

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It follows that:
Z1 = 1 Y11 + Y12

0 =

Rbi ( Rbc Cbc Tbi ) Rbc

(20)

(12) (13) (14)

Y21 Y12 Y21 + Y11

Y21 + Y11 Z3 = (Y11 + Y12 ) (Y22 + Y12 )

Z4 = 1 Y12

Fbi is calculated from the device intrinsic Yparameters, according to (17). A0 and B0 are determined from the least-squares line fitting to Fbi, considered as function of 2. Equation (17) is illustrated in figure 4. Then, from (18) and (19), Tbi is determined as
B

X = (Y22 + Y12 )

(15)

Tbi =

B0 A0

III. CHARACTERIZATION OF AC EMITTER CURRENT CROWDING From (1) and (3), it can be written that
Z1 Rbi 1 + i Rbc Cbc = Z 3 Rbc 1 + i Rbi Cbi

(16)

In the absence of AC current crowding, Tbi = 0 (Cbi = 0), and the small-signal elements can be extracted using the procedure described in [8]. If current crowding is appreciable, then the same technique can still be applied providing it is appropriately generalized as it will be explained in the next section.

A time constant Tbi can be defined as Tbi = Rbi Cbi. This parameter, involving both Rbi and Cbi, can be used to assess the importance of AC current crowding. The determination of Tbi is performed as follows:
Fbi (rad/s)

3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 -0.5 -1

x 10

14

Measurements Fitting

From (16), it can be shown that:

Fbi = A0 + 2 B0 imag( Z1 / Z 3 )

(17)

where
1 A0 = 0

8 W 2 (rad2)

10

12

14 x 10

16
21

(18)
Fig.4. Plot of Fbi vs. 2.

B0 =

2 Tbi 0

(19)

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IV. EXTRACTION OF SMALL-SIGNAL PARAMETERS IN THE PRESENCE OF AC CURRENT CROWDING A. Determination of Rbi /Rbc and Rbi x Cbc From (16), it can be deduced that

From (19), it can be deduced that

imag ( Z1 (1 + i Tbi ) ) = 2 1 + 2 Tbe

or equivalently

Z R real 1 (1 + i Tbi ) = bi Z3 Rbc Z imag 1 (1 + i Tbi ) = Rbi Cbc Z3

B. Determination of Rbe x Cbe

(21) (22)

F1

= A + 2 B imag ( Z1 (1 + i Tbi ) )

(27)

where
1 T2 B = be A=

(28) (29) (30)

Using relations (1) and (4)-(7), Z1 can be written as:

Z1 = Rbi Rbe + 1 + i Tbi 1 + i Rbe Cbe

= R (T Tbe )

1 + i Tbc Rbi Rbe + 1 + i Tbi 1 + i Tbe Rbc

A and B are determined from the least-squares line fitting to F1, considered as function of 2. Then, from (24) and (25), Tbe is determined as
Tbe = B A

or equivalently

Z1 (1 + i Tbi ) =
where

R (1 + i T ) 1 + i Tbe

(23)

C. Determination of R and R x T From (19), it can be written that

1 1 1 + + R = Rbi Rbe Rbc Rbe Rbi C + Cbc + Cbi T = be 1 1 1 + + Rbc Rbe Rbi

(24) (25)

F2

Z1 (1 + i Tbe )(1 + i Tbi ) = R (1 + i T )

or equivalently real ( F2 ) = R imag ( F2 ) = R T (31) (32)

Tbe = Rbe Cbe

(26)

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D. Determination of Rbe and Rbi From equations (20) and (21), the following linear system can be written:
Rbi R = 1 + Rbe + Rbi Rbc R T = (Tbi + Rbi Cbc ) Rbe + Tbe Rbi

From (8) and (9), it can be written that

1 1 Ccx = imag Z4 Z2
1 1 1 = real Rcx Z4 Z2

(36) (37)

or in a matrix form
Rbi Rbe 1 + Rbc = Rbi T + R C bi bc bi 1 R RT Tbe
1

It should be noted that all relations (21)-(36) have their counterparts in [8], to which they reduce when Tbi = 0. The last relation (37) has no counterpart in [8], as it is related to an additional element. (33) V. RESULTS AND DISCUSSION A 1x100 m2 emitter area GaInP/GaAs HBT was investigated. Figs. 5 shows comparisons between measured and simulated S-parameters at the bias point Vce = 5 V, Ic = 45 mA and Ib = 326.97 A. Table 1 depicts the extracted values of the different elements.
Table 1: Extracted small-signal parameters

This gives directly Rbe and Rbi. E. Determination of Rbc, Cbc , Cbe and Cbi Once Rbe and Rbi are determined, it becomes straightforward to calculate Rbc, Cbc, Cbe and Cbi respectively from Rbi/Rbc, Rbi x Cbc, Rbe x Cbe (= Tbe) and Rbi x Cbi (= Tbi). F. Determination of Gmo, , Ccx and Rcx Once the values of the intrinsic elements are calculated, the parameters Z2 and B are determined from equations (2) and (11), respectively. From (10), it can be written that
Gmo = X B

Element

Vce = 5 V, Ic = 45 mA, Ib = 326.97A

(34) (35)

X = phase Gmo B

Rbi [ohm] Rbe [ohm] Rbc [ohm] Rcx [ohm] Cbi [fF] Cbe [fF] Cbc [fF] Ccx [fF] Gmo [S] [ps]

2.01 99.463 7.07 x 105 2.248 x 105 0 6655 52.54 20.52 1.5165 1.03

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Excellent agreement was obtained over the selected range of frequencies. The deviations occurring in S12 at high frequencies are attributable to measurement problems. AC emitter current crowding was found to be negligible in this transistor. VI. CONCLUSION A simple and systematic test was developed allowing assessing the importance of AC emitter current crowding in HBTs. The consequences of this effect on small-signal extraction were accounted for through the generalization of a previously published technique, to an advanced model. The proposed test was applied to an HBT sample, and AC current crowding was found to be negligible.

REFERENCES
[1] B. Li, S. Parsad, Basic expressions and approximations in small-signal parameter extraction for HBTs, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Vol. 47, pp. 534539, May 1999. A. Ouslimani, J. Gaubert, H. Hafdallah, A. Birafane, P. Pouvil, H. Leier, Direct extraction of linear HBT-model parameters using nine analytical expression blocks, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Vol 50, pp 218-221, Jan. 2002. H. -C. Tseng, J. -H. Chou, An efficient analytical approach for extracting the emitter inductance of collector-up HBTs, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 51, pp. 12001202, July 2004. H. -C. Tseng, J. -H. Chou, A pure analytic method for direct extraction of collector-up HBTs small-signal parameters, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 51, pp. 19721977, Dec. 2004. S. Bousnina, P. Mandeville, A. B. Kouki, R. Surridge, F. M. Ghannouchi, Direct parameterextraction method for HBT small-signal model, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Vol. 50, pp. 529-536, Feb. 2002. B. Sheinman, E. Wasige, M. Rudolph, R. Doerner, V. Sidorov, S. Cohen, D. Ritter, A peeling algorithm for extraction of the HBT small-signal equivalent circuit, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Vol. 50, pp. 2804-2810, Dec. 2002. D. Costa, W. U. Liu, J.S. Harris, Direct extraction of the AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor small-signal equivalent circuit, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 38, pp. 2018 2024, Sept. 1991. L. Degachi, F. M. Ghannouchi, Systematic and rigorous extraction method of HBT small-signal model parameters, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Vol. 54, pp. 682-688, Feb. 2006. M. Schrter, Staying current with HICUM, IEEE Circuits and devices Magazine, Vol. 18, pp. 16-25, May 2002. W. -B. Tang, C. -M. Wang, Y. -M. Hsin, A new extraction technique for the complete small-Signal equivalent-circuit model of InGaP/GaAs HBT including base contact impedance and AC current crowding effect, IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Vol. 54, pp. 3641-3647, Oct. 2006.

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

S(2,1) / 40

S(1,2) x 35

[7]

S(2,2) S(1,1)

[8]

[9] [10]

Fig.5. Measured (o) and simulated (-) S-parameters (Vce = 5 V, Ic = 45 mA, Ib = 326.97 A).

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