TRANSPORTE TERMOELECTRICO

EN NANOESTRUCTURAS.
Samuel Baltazar , Daniel Montofr
Depto. de Fsica, Facultad de Ciencias,
Universidad de Santiago de Chile
( )
1
2
0
0 0
D
E t
E H t E t
c
c
+
| | | |
| |
+ = + =
| |
| |
\ .\ .
( )
1 1
0
q q q
t E t c
+
+ + + + =
Hamiltoniano Tight-Binding para dispositivo 1-D
El Hamiltoniano de un sistema unidimensional (en principio la misma
metodologia es vlida para sistemas de 2-D 3-D) , uniformemente espaciado
con un potencial por sitio () constante y considerando solo interaccin a
primeros vecinos (t) esta dado por:
Left contact Right contact Device
Ecuacin a resolver
para cada sitio
Influencia de los contactos
Hamiltoniano del dispositivo
aislado
Hamiltoniano del dispositivo
acoplado a los leads.
( )
1 1
0
q q q
t E t c
+
+ + + + =
( )
( )
1
1 , , 1 1,2 2 ,
2 sin
l
ik a
d l l l d d l l
E t e t t t it k a c
+
+ + =
( )
1
1, 1 , ,
0
l
ik a
n n n n d r r r d n
t E t e t t c
+

+ + + =
Sitio 1
Sitio n
La influencia de los contactos ha sido almacenada en los puntos 1 y n del
dispositivo .
Ahora solo en necesario resolver la matriz n-dimensional en vez de una
matriz infinita.
Non-equilibriumGreen function (NEGF)
La conductancia lineal de un sistema de con nivel de Fermi F est
determinada por el propagador (funcin de Green) que va desde el
sitio 1 hasta el sitio N [1].
( ) ( ) ( ) ( )
1 , 1 1, 1, , 1
2
2
n n
q q q q q q q q q q
ie dE
J Tr T E G E T E G E
t
+ + + + +
(
=
}
( ) ( ) ( )
2 2 2
2( 1)
0 ,1 0 , ,
N
R R R
F L R N F F L R i i j j
j i
G G G G G V G g c c c

=
= I I = I I
[
Ecuacin de Dyson
Quantum de
conductancia
Funciones de ensanchamiento
Mientras que la densidad de corriente entre los sitios q y q+1 est
dada por:
Trmino de interaccin
entre sitos
Funcin de correlacin
electrnica
[1] M.G. Pala et al. Local density of states in mesoscopic samples from scanning gate microscopy. Phsys. Rev. B 77, 125310 (2008)
Analoga con el caso trmico
La metodologa de las funciones de Green tambin es
aplicable al caso de transporte trmico y, eventualmente,
termoelctrico [2].
( )( )
, :
2
L R
d
J T f f f distribucin B E
e
e e
t
+

=
}
( ) ( )
, ,
T T
L LC C C CR R
ph n
L C R
H H u V u u V u V
o
o=
= + + +

[2] J.S. Wang et al. Quantum thermal transport in nanostructures. Eur. Phsys. J.B 62, 381-404 (2008)
Hamiltoniano
phononico.
Transmitancia
phononica
Flujo de calor
Lmite de bajas temperaturas
Modos de
vibracin
( )
2 2
0
0
4
2 3
B
m m m
k d f
T N N N
h
t e
e o e
t

c
~ = = =
c
}
T
T
Pasos a seguir :
Definir el tipo de sistema (perfil de potencial,
dimensionalidad del sistema, grid, etc).
Calculo de las auto energas del sistema mediante la
ecuacin de Schrdinger.
Calculo de la funcin de Green de los sitios del canal
conductor que estn en contacto con los leads (trminos ).
Calculo iterativo (ecuacin de Dyson) de la funcin de
Green total que une los dos extremos del canal.
Calculo de las propiedades del sistema (LDOS, densidad de
carga n, densidad de corriente J, conductancia G).
Suponer un perfil para el potencial
Input: Geometra del dispositivo, perfil del
potencial
Output: n, G, Gn, Gp
Input: potencial de deformacin elec-phon
Output: tasa de scattering, auto energas
Input: densidad de carga, cond. de borde
Output: perfil del potencial
Converge?
Densidades electrnica y de corriente, tasa de scattering
Iteracin
Si
No
D
I
A
G
R
A
M
A

D
E

F
L
U
J
O

P
A
R
A

C
A
L
C
U
L
A
R

n

y

J
Ecuacin de Poisson
Resultados preliminares
Configuracin del potencial usado en la
simulacin de la conductancia de un sistema
2-D, con espaciamiento uniforme de un
nanmetro entre cada sitio a lo largo de
ambas direcciones. La zona negra
representa la seccin libre de potencial
donde el fenmeno de transporte toma lugar,
a lo largo de la direccin del eje X.
Grfico de Transmitancia versus energa .
Se observa un aumento tipo escaln de la
transmitancia , esto se debe a que a ciertos
valores de energa un nuevo canal se activa
y comienza a conducir, lo que produce cada
salto en el valor de la transmitancia. El
numero de canales que pueden ser
activados para conducir depende de las
dimensiones del sistema.