VL Schaltungstechnik Kapitel 3

Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 1
Vorlesung Schaltungstechnik
Kapitel 0
Berlin, Sommersemester 2011
Roland Thewes
TU Berlin
Fakultt IV, Elektrotechnik und Informatik
Fachgebiet Sensorik und Aktuatorik
Berlin
roland.thewes@tu-berlin.de
Kapitel 3:
Schaltungstechnische
Grundkonfigurationen
Teil I: Allgemeine Einfhrung
1. Diskret und integriert aufgebaute Schaltungen
2. Bauelemente und deren Modellierung
3. Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Teil II: Analoge Schaltungen
4. Analoge Grundschaltungen
5. Operationsverstrker
6. Rauschen und Parametervariationen
Teil III: Digitale Schaltungen
7. Logische Funktionen
8. Statische CMOS-Logik
9. Weitere Logik-Familien
10. Laufzeiten in Logikschaltungen
11. Einfache Schaltwerke
Vorlesung und bung Schaltungstechnik
Gesamtgliederung Vorlesung Schaltungstechnik
Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.2 Source- und Emitterschaltung
3.3.1 Sourceschaltung
3.3.2 Emitterschaltung
3.3.3 Miller-Effekt
3.3 Drain- und Kollektorschaltung
3.4 Gate- und Basisschaltung
3.5 Vergleich der Grundschaltungen
3.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen mit
komplementren Bauelementen
3.7 Bandbreite
Allgemeines
Einfhrung
Source bzw. Emitter dienen bei analytischer Beschreibung des MOSFETs bzw.
des Bipolar-Transistors blicherweise als Bezugs-Knoten.
Source bzw. Emitter sind in Schaltungen jedoch nicht notwendigerweise das
schaltungstechnisch kleinsignalmig relevante Bezugspotential.
Die Schaltungskonfigurationen
- Source-, Drain- und Gateschaltung fr den MOSFET
bzw.
- Emitter-, Kollektor- und Basisschaltung fr den Bipolartransistor
sind benannt nach demjenigen Transistoranschluss, der in der entsprechenden
Schaltung das kleinsignalmige Bezugspotential mit Kleinsignalspannung = 0
darstellt.
Diese generischen Betrachtungen sind historisch geprgt aus der Zeit der
Bipoltransistor-Schaltungstechnik, bei welcher als Lastelement hufig ohmsche
Widerstnde eingesetzt wurden.
Sie sind jedoch ebenso anwendbar in der MOS-Schaltungstechnik sowie bei
Schaltungstechniken, die als Lastelemente keine ohmschen sondern auch aktive
Bauelemente (heute blich: komplementre Transistoren) verwenden.
Allgemeines
Gleichspgs.-/stromquellen in Kleinsignal-Betrachtungen
Quelle im Schaltbild: im Kleinsignalersatzschaltbild:
Gleichspannungsquelle Kurzschluss
Betriebsspannung Masse
(Spannungsquelle gegen Masse)
Spannung zur Einstellung
des Arbeitspunktes eines Masse
aktiven Bauelementes
Gleichstromquelle Unterbrechung
(entfllt im Kleinsignalersatzschaltbild)
Allgemeines
Gleichspgs.-/stromquellen in Kleinsignal-Betrachtungen
Schaltbild:
Schaltung
Betriebsspannung
Gleichspannungsquelle(n) fr
die Arbeitspunkteinstellung
aktiver Bauelemente in der
Schaltung
Gleichstromquelle(n) fr die Arbeitspunkt-
einstellung aktiver Bauelemente in der Schaltung
Kleinsignal-
Ersatzschaltbild:
Schaltung nach
Ersatz aller aktiven
Bauelemente durch
deren Kleinsignal-
ersatzschaltbilder
Kurzschluss gegen Masse
Unterbrechung
Allgemeines
Verstrkerschaltungen
Jede Verstrkerschaltung wird eingangsseitig durch eine Signalquelle gespeist
und treibt ausgangsseitig eine Last.
Die Signalquelle wird durch den Eingangswiderstand der Schaltung belastet, d.h.
eingangsseitig wirkt eine Verstrkerschaltung selbst als Last fr die Signalquelle.
Ausgangsseitig kann eine Verstrkerschaltung als eine mit einem
Innenwiderstand behaftete Quelle interpretiert werden.
Diese Betrachtungen gelten nicht nur fr lineare Verstrkerschaltungen, sondern
auch fr digitale Schaltungen (z.B. Logikgatter whrend des bergangs zwischen
zwei Schaltungszustnden).
Im folgenden werden die Grundschaltungen Sourceschaltung, Drainschaltung und
Gateschaltung bzw. Emitterschaltung, Kollektorschaltung und Basisschaltung
jeweils mit Ein- und Ausgangskondensator dargestellt, so dass eine reine
Wechselgren-Betrachtung durchgefhrt werden kann und Rckwirkungen auf
den Arbeitspunkt der Bauelemente ber Ein- oder Ausgang ausbleiben.
Ein- und Ausgangskondensator mgen so gro dimensioniert sein, dass sie fr
Wechselgren durch Kurzschlsse ersetzt werden knnen.
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.3.3 Miller-Effekt
3.7 Bandbreite
U
G
R
G
R
D
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Source- und Emitterschaltung
Sourceschaltung mit n-MOSFET
Source als Bezugsgre
auf Masse
R
G
und U
G
dienen der
Arbeitspunkteinstellung
(in der Praxis: Gate-
erfolgt blicherweise
durch vorausgegangene
Stufe)
R
D
dient zum einen der
und ist zum anderen
Lastelement fr Wechsel-
bzw. Kleinsignalgren
(in der Praxis hufiger:
aktive Lastelemente)
Konfiguration
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
U
G
R
G
R
D
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Spannungsverstrkung
(Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr nicht zu groe Frequenzen)
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
Berechnung der Verstrkung:
Stromsumme am Drainknoten = 0
=
D DS
aus
ein m
R r
u
u g +
D DS
D DS
ein m aus
R r
R r
u g u
+
=
mit r
DS
= 1 / g
DS
Spannungsverstrkung
Abschtzung der Beitrge
von r
DS
und R
D
:
Betrachtung Ausgangskennlinie
und Lastkennlinie
Spannungsabfall an R
D
: I
D
R
D
I
D
U
DS
U
DD
Steigung
= -1 / R
D
Steigung
= 1 / r
DS
DS D
r R
1 1
>> r
DS
>> R
D
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
U
G
R
G
R
D
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Spannungsverstrkung
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
Stromsumme am Drainknoten = 0
=
D DS
aus
ein m
R r
u
u g +
D DS
D DS
ein m aus
R r
R r
u g u
+
=
Mit r
DS
>> R
D
:
D m
ein
aus
R g
u
u

Eingangswiderstand
Eingangswiderstand:
Anmerkung:
Da in der Praxis zumindest in integrierten Schaltungen - die Gate-
Arbeitspunkteinstellung blicherweise durch eine direkt vorausgegangene Stufe
erfolgt und nicht ber eine ber einen ohmschen Widerstand angeschlossene
Spannungsquelle gilt in solchen Schaltungen fr niedrige Frequenzen:
r
ein
=
Beispiele folgen in spteren Kapiteln.
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
G
ein
ein
ein
R
i
u
r = =
Ausgangswiderstand
Vorstellung:
Am Ausgang wird eine Quelle angelegt, die eine Spannung an diesen anlegt
oder einen Strom einprgt.
Nherungslsung:
Wegen R
D
<< r
DS
folgt: r
aus
R
D
r
aus
ist ein Ma fr den Strom- oder Spannungsquellencharakter der Schaltung.
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
Ausgangswiderstand:
D DS
D DS
u
aus
aus
aus
R r
R r
i
u
r
ein
+
= =
=0
fr hhere Frequenzen
(Transistor in Inversion)
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
C
GD
C
GS
U
G
R
G
R
D
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.3.3 Miller-Effekt
3.7 Bandbreite
U
B
R
B
R
C
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Emitterschaltung mit npn-Transistor
Emitter als Bezugsgre
auf Masse
R
B
und U
B
dienen der
R
C
dient zum einen der
und ist zum anderen
Konfiguration
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
U
B
R
B
R
C
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Spannungsverstrkung
Stromsumme am Kollektorknoten = 0
C CE
aus
ein m
R r
u
u g +
=
( )
C CE ein m aus
R r u g u =
C CE
C CE
ein m aus
R r
R r
u g u
+
=
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
Spannungsverstrkung
Abschtzung der Beitrge
von r
CE
und R
C
:
Betrachtung Ausgangskennlinie
und Lastkennlinie
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
U
B
R
B
R
C
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Spannungsabfall an R
C
= I
C
R
C
I
C
U
CE
U
DD
Steigung
= -1 / R
C
Steigung
= 1 / r
CE
CE C
r R
1 1
>> r
CE
>> R
C
Spannungsverstrkung
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
Nherungslsung fr Verstrkung mit r
CE
>> R
C
:
C CE
C CE
m
ein
aus
R r
R r
g
u
u
+
=
Arbeitspunktabhngigkeit :
mit
q kT
I
g
C
m

C
C
ein
aus
R
q kT
I
u
u

C m
ein
aus
R g
u
u

r
ein
r
BE
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
Eingangswiderstand:
B BE
B BE
B BE
B
ein
ein
ein
ein
R r
R r
R r
i
u
i
u
r
+
= = = =
Abschtzung einer Nherungslsung:
-
mit kT/q = 26 mV bei Raumtemperatur
B BE
I
q
kT
r =
U
B
R
B
R
C
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
- Grenordnung von R
B
:
~ UDD / I
B
(UDD >> kT/q)
Eingangswiderstand
Ausgangswiderstand
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
Ausgangswiderstand:
Vorstellung:
C CE
C CE
u
aus
aus
aus
R r
R r
i
u
r
ein
+
= =
=0
Nherungslsung:
Wegen R
C
<< r
CE
folgt: r
aus
R
C
r
aus
fr hhere Frequenzen
U
B
R
B
R
C
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
C
BC
C
BE
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.3.3 Miller-Effekt
3.7 Bandbreite
Millereffekt
Komplexer Eingangsleitwert beim
n-MOSFET in Sourceschaltung
ein
ein
ein
u
i
y =
Komplexer Eingangsleitwert:
Berechnung:
( )
aus ein GD ein GS
G
ein
ein
u u C j u C j
R
u
i + + =
(
|
|
\
|
+ + =
ein
aus
GD GS
G
ein
u
u
C j C j
R
u 1
1

Ergebnis mit A = Verstrkung der Schaltung:
( ) [ ] A C C j
R
y
GD GS
G
ein
+ + = 1
1
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
C
GD
C
GS
Die Kapazitt zwischen Eingang und Ausgang der Schaltung, C
GD
, wird mit dem
Faktor (1-A) gewichtet, bzw., da A negativ, mit (1+A).
C
GD
(1-A) bzw. C
GD
(1- A ) wird Miller-Kapazitt genannt.
Millereffekt
Komplexer Eingangsleitwert beim
npn-Transistor in Emitterschaltung
ein
ein
ein
u
i
y =
Komplexer Eingangsleitwert:
Berechnung:
( )
aus ein BC ein BE
BE
ein
B
ein
ein
u u C j u C j
r
u
R
u
i + + + =
(
|
|
\
|
+ + + =
ein
aus
BC BE
BE B
ein
u
u
C j C j
r R
u 1
1 1

Ergebnis mit A = Verstrkung der Schaltung:
( ) [ ] A C C j
r R
y
BC BE
BE B
ein
+ + + = 1
1 1
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
C
BC
C
BE
Die Kapazitt zwischen Eingang und Ausgang der Schaltung, C
BC
, wird mit dem
Faktor (1-A) gewichtet, bzw., da A negativ, mit (1+A).
C
BC
(1-A) bzw. C
BC
(1- A ) wird Miller-Kapazitt genannt.
Millereffekt
Allgemeine Zusammenfassung
Eine Kapazitt zwischen Ein- und Ausgang einer invertierenden Verstrker-
schaltung wirkt eingangsseitig gewichtet mit dem Faktor (1 + ( Verstrkung( ).
Im einfachen Transistorschaltungen (n-MOSFET: Sourceschaltung,
npn-Transistor: Emitterschaltung) erfahren Gate-Drain-Kapazitt bzw.
Basis-Kollektor- Kapazitt diese Wichtung.
Miller-Kapazitten belasten die den Eingang der Verstrkerschaltung treibende
Quelle.
Es gibt spezielle Schaltungskonzepte, die unter Verwendung weiterer
Transistoren die Auswirkungen des Miller-Effektes am Einzeltransistor umgehen.
In der Regel ist der Miller-Effekt nachteilig, da er die Bandbreite von Schaltungen
begrenzt.
Er wird jedoch in bestimmten Schaltungen auch ausgenutzt, wenn z.B. mit
vorhandenen Kapazitten mit physikalisch kleineren Werten die Wirkung groer
Kapazitten in einer Schaltung erreicht werden soll.
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.3.3 Miller-Effekt
3.7 Bandbreite
Drain- und Kollektorschaltung
Drainschaltung mit n-MOSFET
Konfiguration
U
G
R
G
R
S
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
Drain als Bezugsgre
auf festem Potential
(positive Betriebsspannung
UDD)
R
G
und U
G
dienen der
(in der Praxis: Gate-
erfolgt blicherweise durch
vorausgegangene Stufe)
R
S
dient zum einen der
und ist zum anderen
(in der Praxis blicherweise
aktive Stromquelle!)
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
!
U
G
R
G
R
S
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
Kleinsignal-Ersatzschaltbild (fr nicht zu groe Frequenzen)
Kleinsignalersatzschaltbild Schaltung
Bisher:
Nach Umordnung
der Elemente:
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
U
G
R
G
R
S
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
!
Spannungsverstrkung
Berechnung Spannungsverstrkung:
Stromsumme am Sourceknoten = 0
( )
S DS
aus aus ein m
R r
u u u g
1
0 =
m ein
S DS
S DS
m aus
g u
R r
R r
g u =
|
|
\
| +
+
|
|
\
|
+ + =
S DS
m m
ein
aus
R r
g g
u
u 1 1
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
Spannungsverstrkung:
|
|
\
|
+ + =
S DS
m m
ein
aus
R r
g g
u
u 1 1
Abschtzung Nherungslsung:
mit g
m
>> 1 / R
S
, 1 / r
DS
folgt:
1
ein
aus
u
u
Anmerkung:
Die Bedingung g
m
>> 1 / r
DS
ist bei blichen MOS-Transistoren erfllt,
die Bedingung g
m
>> 1 / R
S
jedoch nicht notwendigerweise, so dass dann auch
Verstrkungen deutlich unter 1 erhalten werden knnen.
In integrierten Schaltungen wird R
S
durch eine aktive Stromquelle ersetzt und
dieses Problem tritt nicht mehr auf s. nchste Kapitel.
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
Spannungsverstrkung
Sourcefolger-Schaltung
Spannungsverstrkung u
aus
/ u
ein
1
(nicht invertierend)
Zweck der Schaltung: Impedanzwandlung, Arbeitspunktanpassung
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
Die Schaltung wird hufig auch als
Sourcefolger bezeichnet, da das
Sourcepotential (Ausgang der
Schaltung) dem Gatepotential
(Eingang der Schaltung) versetzt
um die Gate-Source-Spannung folgt.
U
G
R
G
R
S
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
Eingangswiderstand
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
Eingangswiderstand:
Anmerkung:
Da in der Praxis zumindest in integrierten Schaltungen - die Gate-
Arbeitspunkteinstellung blicherweise durch eine direkt vorausgegangene Stufe
erfolgt und nicht ber eine ber einen ohmschen Widerstand angeschlossene
Spannungsquelle gilt in solchen Schaltungen:
r
ein
=
Beispiele folgen in spteren Kapiteln.
G
ein
ein
ein
R
i
u
r = =
Ausgangswiderstand
Ausgangswiderstand:
Vorstellung:
0 =
=
ein
u
aus
aus
aus
i
u
r
r
aus
Nherung: mit g
m
>> 1 / R
S
, 1 / r
DS
folgt:
m
aus
g
r
1

D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
Berechnung:
aus m
DS S
aus
aus
u g
r R
u
i + =
m
DS S aus
g
r R r
1
=
Anmerkung:
g
m
>> 1 / r
DS
ist bei blichen MOS-Transistoren immer erfllt,
g
m
>> 1 / R
S
jedoch nicht notwendigerweise.
Kleinsignal-Ersatzschaltbild fr hhere Frequenzen
C
GS
Wegen u
aus
u
ein
kann C
GS
meist vernachlssigt werden
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
C
GD
Kollektorschaltung mit npn-Transistor
Konfiguration
U
B
R
B
R
E
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
Kollektor als Bezugsgre
auf festem Potential
(positive Betriebsspg. UDD)
R
B
und U
B
dienen der
R
E
dient zum einen der
und ist zum anderen
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
E
B
r
BE
R
B
U
B
R
B
R
E
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
!
Kleinsignal-Ersatzschaltbild (fr nicht zu groe Frequenzen)
U
B
R
B
R
E
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
Kleinsignalersatzschaltbild Schaltung
Bisher:
Nach Umordnung
der Elemente:
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
E
B
r
BE
R
B
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
Spannungsverstrkung
Berechnung Spannungsverstrkung:
Stromsumme am Emitterknoten = 0
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
( ) ( )
E CE
aus aus ein
BE
aus ein m
R r
u u u
r
u u g
1 1
0 + =
|
|
\
|
+ =
|
|
\
| +
+ +
BE
m ein
E CE
E CE
BE
m aus
r
g u
R r
R r
r
g u
1 1
|
|
\
| +
+ +
|
|
\
|
+ =
E CE
E CE
BE
m
BE
m
ein
aus
R r
R r
r
g
r
g
u
u 1 1
Spannungsverstrkung
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
|
|
\
| +
+ +
|
|
\
|
+ =
E CE
E CE
BE
m
BE
m
ein
aus
R r
R r
r
g
r
g
u
u 1 1
Abschtzung Nherungslsung:
1.) r
CE
>> R
E
2.) bzw.
C E
I UDD R 2 / 1 UDD I R
C E
2 1
3.) bzw.
C B BE
I
q
kT
I
q
kT
r =
q kT
I
q kT
I
r
C B
BE

=
1
4.)
q kT
I
g
C
m

Emitterfolger-Schaltung
Spannungsverstrkung u
aus
/ u
ein
1
(nicht invertierend)
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
U
B
R
B
R
E
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
Die Schaltung wird hufig auch als
Emitterfolger bezeichnet, da das
Emitterpotential (Ausgang der
Schaltung) dem Basispotential
(Eingang der Schaltung) versetzt
um die Basis-Emitter-Spannung folgt.
Zweck der Schaltung: Impedanzwandlung
Eingangswiderstand
Eingangswiderstand:
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
Kleinsignalersatzschaltbild
C
E
r
CE
u
e
i
n
R
E
B
r
BE
R
B
i
B
i
B
Kleinsignalersatzschaltbild-
Variante: hier einfacher
ein
ein
ein
i
u
r =
B
B
ein
ein
i
R
u
i + = Mit
BE
E B ein
B
r
R i u
i

=
BE
ein
BE
E
B
r
u
r
R
i =
|
|
\
|
+

1
E
ein
B
R
u
i
R
E
>> r
BE

folgt schlielich:
E
ein
B
ein
ein
R
u
R
u
i
+ =
und:
B E
B E
E B
ein
R R
R R
R R
r
+
=
|
|
\
|
+ =
1
1 1
Ausgangswiderstand
Ausgangswiderstand:
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
Vorstellung:
oder einen Strom einprgt
0 =
=
ein
u
aus
aus
aus
i
u
r
r
aus
ist ein Ma fr den Strom- oder Spannungsquellencharakter der Schaltung
Nherung:
m
aus
g
r
1
m
BE CE E aus
g
r r R r
1
=
Berechnung:
aus m
BE CE E
aus
aus
u g
r r R
u
i + =
m
BE CE E aus
aus
g
r r R u
i
+ =
1
Kleinsignal-Ersatzschaltbild fr hhere Frequenzen
C
BC
C
BE
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
E
B
r
BE
R
B
Wegen u
aus
u
ein
kann C
BE
meist vernachlssigt werden
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.3.3 Miller-Effekt
3.7 Bandbreite
Gate als Bezugsgre
auf festem Potential U
G,
,
U
G
dient der
R
S
dient der
R
D
dient zum einen der
und ist zum anderen
Lastelement fr
Wechsel- bzw.
Kleinsignalgren
Konfiguration
Gate- und Basisschaltung
Gateschaltung mit n-MOSFET
U
G
R
S
R
D
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
D
G
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
- g
m
u
ein
R
D
S
R
S
U
G
R
S
R
D
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Eigenschaften (bei nicht zu groe Frequenzen)
Eingangswiderstand:
Ausgangswiderstand:
( )
DS D
DS D
m DS D m
ein
aus
r R
r R
g r R g
u
u
+
=
m
ein
g
r
1
D aus
R r
fr hhere Frequenzen
D
G
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
- g
m
u
ein
R
D
S
R
S
C
GS
C
GD
U
G
R
S
R
D
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Basis als Bezugsgre
auf festem Potential U
B,
,
U
B
dient der
R
E
dient der
R
C
dient zum einen der
und ist zum anderen
Lastelement fr
Wechsel- bzw.
Kleinsignalgren
Konfiguration
Basisschaltung mit npn-Transistor
U
B
R
E
R
C
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
C
B
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
- g
m
u
ein
R
C
E
r
BE
R
E
U
B
R
E
R
C
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Eigenschaften (bei nicht zu groe Frequenzen)
Eingangswiderstand:
Ausgangswiderstand:
( )
CE C
CE C
m CE C m
ein
aus
r R
r R
g r R g
u
u
+
=
m
ein
g
r
1
C aus
R r
fr hhere Frequenzen
C
B
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
- g
m
u
ein
R
C
E
r
BE
R
E
C
BE
C
BC
U
B
R
E
R
C
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.3.3 Miller-Effekt
3.7 Bandbreite
Vergleich der Grundschaltungen
Grundschaltungen mit n-MOSFET
Sourceschaltung Drainschaltung Gateschaltung
Spannungs-
verstrkung
Eingangs-
widerstand
Ausgangs-
widerstand
~ - g
m
R
D
~ R
G
bzw.
~ R
D
~ 1
~ 1 / g
m
~ g
m
R
D
~ 1 / g
m
~ R
D
~ R
G
bzw.
Vergleich der Grundschaltungen
Grundschaltungen mit npn-Transistor
Emitterschaltung Kollektorschaltung Basisschaltung
Spannungs-
verstrkung
Eingangs-
widerstand
Ausgangs-
widerstand
~ - g
m
R
C
~ r
BE
~ R
C
~ 1
~ R
E
~ 1 / g
m
~ g
m
R
C
~ 1 / g
m
~ R
C
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.3.3 Miller-Effekt
3.7 Bandbreite
Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen
mit komplementren Bauelementen
UDD
Konfiguration (Beispiel)
U
ein
Schaltung:
g
m
u
e
i
n
r
DS,n
g
m
u
e
i
n
r
DS,p
Kleinsignal-Ersatzschaltbild:
Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen
mit komplementren Bauelementen
Alternative Betrachtung:
U
ein
U
ein
g
m
u
e
i
n
r
DS,n
g
m
u
e
i
n
r
DS,p
u
ein
S
D G
G
u
ein
S
D
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.3.3 Miller-Effekt
3.7 Bandbreite
Bandbreite
Wiederholung: Umwandlung verlustbehafteter Quellen
Spannungsquelle Stromquelle:
U
R
*
R
*
I = U / R
Stromquelle Spannungsquelle:
R
*
I U = I R
R
*
Bandbreite
Wiederholung: Umwandlung verlustbehafteter Quellen
Spannungsquelle mit zwei Serienwiderstnden Stromquelle:
U
*
Stromquelle mit zwei Parallelwiderstnden Spannungsquelle:
R
1
*
I
R
2
I

=

U

/

R
1
R
1
*
R
2
oder:
R
2
*
R
1
I

=

U

/

R
2 R
1
R
2
U

=

I

R
1
*
R
2
R
1
U

=

I

R
2
*
R
1
R
2
oder:
Bandbreite
g
m
r
aus
- Verstrker / Verstrkerstufen
Topologie sehr vieler Verstrker bzw. Verstrkerstufen:
r
aus
u
a
u
s
g
m
u
e
i
n
Verstrkungsberechnung unbelastete Stufe:
0 = g
m
u
ein
+ u
aus
/ r
aus
Verstrkung A = u
aus
/ u
ein
= - g
m
r
aus
bzw. A = g
m
r
aus
Bandbreite
g
m
r
aus
Kapazitiv belasteter Verstrker bzw. Verstrkerstufe:
r
aus
u
a
u
s
g
m
u
e
i
n
C
L
Nach Quellenumwandlung:
r
aus
u
a
u
s
g
m
r
a
u
s
u
e
i
n
C
L
Bandbreite
g
m
r
aus
Berechnung der Verstrkung
als Funktion der Frequenz:
r
aus
u
a
u
s
g
m
r
a
u
s
u
e
i
n
C
L
L
aus
L
ein aus m aus
C j
r
C j
u r g u
1
1
+
=
Ansatz:
L aus
aus m
ein
aus
C r j
r g
u
u
A
+
= =
1
1
) (
Ergebnis:
Verstrkung als Funktion der Frequenz in dB:
A
dB
= 20 log
10
(A())
Bandbreite
g
m
r
aus
Verstrkung als Funktion der Frequenz:
L aus
aus m
ein
aus
C r j
r g
u
u
A
+
= =
1
1
) (
Betrag der Verstrkung als Funktion der Frequenz:
( )
2
1
1
) (
L aus
aus m
C r
r g A
+
=
Phase:
( )
( )
( )
( )
L aus
C r
A
A
A
= |
\
|
= arctan
) ( Re
) ( Im
arctan ) (
Bandbreite
g
m
r
aus
Bode-Diagramm
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07 1.E+08
Kreisfrequenz [Hz]
V
e
r
s
t
r
k
u
n
g

[
d
B
]
-105
-90
-75
-60
-45
-30
-15
0
15
30
45
60
75
P
h
a
s
e

[
]
Beispiel mit:
g
m
= 1 mA/V
r
DS
= 100 k
C
L
= 100 pF
Bandbreite
Bandbreite von g
m
r
aus
Verstrkungs-Bandbreite-Produkt:
Das Verstrkungs-Bandbreite-Produkt ist definiert durch die Frequenz f
0
,
bei der der Betrag der Verstrkung = 1 (bzw. 0 dB) ist.
Hier:
In wird A()= 1 wegen g
m
/ r
aus
>> 1
erreicht fr 2 r
aus
C
L
>> 1, so dass gilt:
( )
2
2 1
1
) (
L aus
aus m
C r f
r g A
+
=
L
m
C f
g
0
2
1
=
Damit:
L m
C g f 2
0
=
Die Bandbreite bzw. das Verstrkungs-Bandbreite-Produkt
hngt nur von g
m
, nicht aber von r
aus
ab und damit auch nicht
von der Verstrkung bei niedrigen Frequenzen !
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 73 Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011
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3.1 Allgemeines
3.3.3 Miller-Effekt
3.7 Bandbreite

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Drain- und Kollektorschaltung

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