Manual Dispositivos 1 2010

Manual de pr ct i cas de l abor at or i o
Di sposi t i vos El ect r ni cos I c/ l ab

Departamento de Ingeniera Elctrica y
Electrnica

Actualizacin del manual para
plan 2002

Ci udad, Sonor a; Di ci embr e de 2010

ITSON Instituto Tecnolgico de Sonora
5 de Febrero 818 Sur. C.P. 85000
Ciudad Obregn, Sonora, Mxico.

Manual de laboratorio
Dispositivos electrnicos I c/lab

Este ejemplar es una actualizacin del manual registrado en septiembre de 2006.

Autores versin 2006.
M.C. Javier Prez Ramrez
Dr. Jos Antonio Beristin Jimnez
Ing. Jos Juan Sols Granados

Las modificaciones e integracin de nuevas prcticas desarrolladas son avaladas por la
academia de dispositivos electrnicos.
Responsable de la academia: Gonzlez D. C. Griselda.
Miembros de la academia: Beristin J. Jos A., Garca G. Silvia L., Garca S. Fernando J.
NDICE

Prctica 1. Utilizacin del equipo bsico de medicin para el laboratorio de dispositivos
electrnicos I ..

1
Prctica 2. Rectificacin y filtrado capacitivo
9
Prctica 3. Zener: Regulacin de voltaje .........
15
Prctica 4. Circuitos con diodos .
19
Prctica 5. Caractersticas del diodo semiconductor .........
23
Prctica 6. Curvas caractersticas del transistor bipolar en configuracin emisor comn
27
Prctica 7. Polarizacin de transistores de unin bipolar ..
32
Prctica 8. Medidas de bondad de amplificadores con transistores de unin bipolar a
frecuencias medias ..................................................................................................................

38
Prctica 9. Diseo de amplificador emisor comn .........
44
Prctica 10. Diseo de amplificador colector comn .........
50
Prctica 11. Curvas caractersticas del transistor de efecto de campo (FET)
55
Prctica 12. Polarizacin y comportamiento en pequea seal de amplificadores con
transistor de efecto de campo (FET) .
59
Prctica 13. Diseo del amplificador fuente comn ...
65

iii
PRLOGO
El manual de laboratorio de dispositivos electrnicos I tiene como principal objetivo
reforzar los conocimientos en la materia de Dispositivos Electrnicos I, del plan de estudios
2002, del programa de Ingeniera Electrnica. En ste se presentan prcticas demostrativas
en las cuales el estudiante va conociendo de manera fsica los dispositivos vistos en clase
de teora adems de ir reconociendo los rangos de voltaje y corriente en que dichos
dispositivos operan.
El manual que a continuacin se presenta es una actualizacin del manual liberado en
septiembre de 2006, el cual fue actualizado con el fin de adecuarse a las necesidades de
cambio de la materia, as como para integrar tambin prcticas de diseo de amplificadores
de una etapa a frecuencias medias con transistores de unin bipolar y transistores de efecto
de campo.
La tabla 1 plasma el contenido de este manual y estipula en qu semana del semestre se
deber realizar cada una de las prcticas contenidas en el mismo, as tambin se puede ver
que son cuatro las prcticas asignadas al manejo del diodo, cinco al manejo del transistor de
unin bipolar (BJT) y tres para el transistor de efecto de campo (FET).
Tabla 1. Asignacin de tiempos para prcticas del manual de laboratorio de dispositivos
electrnicos I.
Semana Prcticas
1
Prctica 1. Utilizacin del equipo bsico de medicin para el laboratorio de
dispositivos electrnicos I
2
Prctica 1. Utilizacin del equipo bsico de medicin para el laboratorio de
dispositivos electrnicos I
3
Prctica 2. Rectificacin y filtrado capacitivo
4
Prctica 3. Zener: Regulacin de voltaje
5
Prctica 4. Circuitos con diodos
6
Prctica 5. Caractersticas del diodo semiconductor
7
Prctica 6. Curvas caractersticas del transistor bipolar en configuracin emisor
comn
8
Prctica 7. Polarizacin de transistores de unin bipolar
9
Prctica 8. Medidas de bondad con amplificadores de unin bipolar a frecuencias
medias
10
Prctica 8. Medidas de bondad con amplificadores de unin bipolar a frecuencias
medias
11
Prctica 9. Diseo de amplificador emisor comn
12
Prctica 10. Diseo de amplificador colector comn
13
Prctica 11. Curvas caractersticas del transistor de efecto de campo (FET)
14
Prctica 12. Polarizacin y comportamiento en pequea seal de amplificadores
con transistor de efecto de campo (FET)
15
Prctica 13. Diseo del amplificador fuente comn

PRCTICA I

UTILIZACIN DEL EQUIPO BSICO DE
MEDICIN PARA EL LABORATORIO DE
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS I

OBJETIVOS:
-Medir voltaje y corriente con el multmetro.
-Medir amplitud y frecuencia de una seal de voltaje con el osciloscopio.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

2
ANTECEDENTES TERICOS

MULTMETRO
El multmetro es un instrumento que permite medir, en su forma ms elemental, los siguientes
parmetros en un circuito elctrico: Resistencia, Voltaje de AC y de CD, Corriente de AC y de
CD. Actualmente existen multmetros que tienen la capacidad de hacer algunas otras pruebas
como: medicin de temperatura, medicin de frecuencia, prueba de continuidad, prueba de
diodos, medicin de beta de transistores bipolares, medicin de capacitancia, medicin de ancho
de pulso entre otras.
En este caso se realizarn mediciones slo de resistencia, corriente y voltaje.

1. Medicin de Resistencias
Precaucin
Para evitar la posibilidad de causar daos al medidor o al equipo sometido a prueba,
desconecte el suministro elctrico del circuito y descargue todos los condensadores de alta
tensin antes de medir la resistencia.
La resistencia es una oposicin al flujo de corriente. La unidad de resistencia es el Ohm (). El
medidor mide la resistencia al enviar una pequea corriente a travs del circuito. Los rangos de
resistencias del medidor pueden ir desde 500,00 , 5,0000 k, 50,000 k, 500,000 k, 5,000 M
y 30,000 M. Para medir la resistencia, configure el medidor tal como se muestra en la figura 1.1.

Figura 1.1 Medidor de resistencia.
Tenga en cuenta lo siguiente al medir la resistencia:
- Dado que la corriente de prueba del medidor fluye a travs de todos los caminos posibles
entre las puntas de las sondas, el valor medido de una resistencia en un circuito
frecuentemente es diferente al valor nominal de la resistencia.
- Los conductores de prueba pueden agregar un error de 0.1 a 0.2 en las mediciones de
resistencia. Para probar los conductores, junte las dos puntas de las sondas entre si y lea la
resistencia de los conductores. Si es necesario, puede pulsar el botn REL para restar
automticamente este valor.
- La funcin de resistencia puede producir suficiente tensin para polarizar directamente las
uniones de diodos de silicio o de transistores, hacindolas conductoras. Para evitar esto, no
utilice el rango de 30 M para las mediciones de resistencia en el circuito.
2. Medicin de tensin
La tensin es la diferencia de potencial elctrico entre dos puntos. La polaridad de la tensin de c.a.
(corriente alterna) varia con el tiempo, mientras que la polaridad de c.d. (corriente continua) es
constante con el tiempo.

3
Al medir tensin, el medidor acta aproximadamente como una impedancia de 10 M (10,000,000
) en paralelo con el circuito. Este efecto de carga puede causar errores de medicin en circuitos de
alta impedancia. En la mayora de los casos, el error es despreciable (0.1 % o menos) si la
impedancia del circuito es de 10 k (10,000 ) o menos.
3. Medicin de tensin c.a.
El medidor presenta los valores de tensin c.a. como lecturas rms (raz cuadrada de la media de los
cuadrados, valor eficaz). El valor rms es la tensin c.d. equivalente que disipara la misma cantidad
de calor en una resistencia que la tensin medida. El medidor realiza lecturas de valor eficaz (rms)
real, que son exactas para ondas sinusoidales y otras formas de ondas (sin compensacin en c.d.),
tales como ondas cuadradas, ondas triangulares, y ondas escalonadas para en el caso de tensin CA
con compensacin de c.d., utilice ac+dc =V.
4. Medicin de tensin c.d.
Configure el medidor para medir tensin c.d. tal como se muestra en la figura 1.2. Todas las
funciones o modos de los botones pulsadores estn disponibles para la lectura estndar de tensin
c.d.

Figura 1.2. Forma de medir tensin en AC y en CD
5. Medicin de corriente
Precaucin Para evitar la posibilidad de daos al medidor o al equipo sometido a prueba,
verifique los fusibles del medidor antes de medir la corriente. Utilice las terminales, la funcin
y el rango apropiados para las mediciones. No coloque nunca las sondas a travs de (en
paralelo con) cualquier circuito o componente cuando los conductores estn enchufados en las
terminales de corriente.
La corriente es el flujo de electrones a travs de un conductor. Para medir corriente, debe abrir el
circuito sometido a prueba y luego colocar el medidor en serie con el circuito.
Para medir la corriente alterna o continua, proceda como sigue:
a) Desconecte el suministro elctrico al circuito. Descargue todos los condensadores de alta
tensin.
b) Inserte el conductor de prueba negro en la terminal COM. Inserte el conductor de prueba rojo
en la terminal de entrada apropiado para el rango de medicin.

Nota: Para evitar fundir el fusible de 440 mA del medidor, utilice la terminal mA/A solamente si
est seguro que la corriente es mayor que 400 mA.
a) Si est utilizando la terminal A, situ el selector giratorio en mA/A. Si est utilizando la
terminal mA/A site el selector giratorio en A para valores de corriente menores de 5000 A
(5mA) o en mA/A para valores de corriente superiores a 5000 A.
b) Abra el circuito que desea probar. Toque la sonda roja al lado ms positivo de la interrupcin;
toque la sonda negra al lado ms negativo de la interrupcin. La inversin de los conductores
producir una lectura negativa, pero no causar daos al medidor.

4
c) Conecte el suministro elctrico al circuito y luego lea la pantalla.

El colocar sondas a travs de (en paralelo con) un circuito alimentado elctricamente, con un
conductor enchufado en la terminal de corriente, puede causar daos al circuito que se est
probando y fundir el fusible del medidor. Esto puede suceder porque la resistencia a travs de las
terminales de corriente del medidor es muy baja, de modo que el medidor acte como corto circuito.

6. Medicin de corriente alterna
Para medir corriente alterna, configure el medidor tal como se muestra en la figura 1.3.

Figura 1.3 Medicin de corriente.
7. Medicin de corriente continua
Para medir corriente continua, configure el medidor tal como se muestra en la figura 1.4.

Figura 1.4 Medicin de corriente.
8. OSCILOSCOPIO
El osciloscopio es bsicamente un dispositivo de visualizacin grfica que muestra seales
elctricas variables en el tiempo. El eje vertical Y, representa el voltaje; mientras que el eje
horizontal X, representa el tiempo. Si se tiene una seal con un nmero n de cuadros de pico a
pico y el conmutador V/DIV en una escala determinada el valor de la seal ser el resultado de
multiplicar la escala del conmutador por el nmero de cuadros.
Vpp= n x V/Div
Bsicamente se puede hacer lo siguiente con el osciloscopio:
Determinar directamente el periodo y el voltaje de una seal.
Determinar indirectamente la frecuencia de una seal.
Determinar que parte de la seal es c.d. y cual c.a.
Localizar averas en un circuito.
Medir la fase entre dos seales.

5
Determinar qu parte de la seal es ruido y como vara ste en el tiempo.

Los osciloscopios tambin pueden ser analgicos digitales. Los primeros trabajan directamente
con la seal aplicada, sta una vez amplificada desva un haz de electrones en sentido vertical
proporcionalmente a su valor. En contraste los osciloscopios digitales utilizan previamente un
conversor analgico-digital (A/D) para almacenar digitalmente la seal de entrada, reconstruyendo
posteriormente esta informacin en la pantalla.
Los mandos ms usuales del osciloscopio son el On/Off, control de intensidad del haz de electrones,
el enfoque, centrado horizontal y vertical, amplitud vertical y horizontal, selector de base de
tiempos y sincronismo exterior o interior.
CONTROLES
En la figura 1.5 se presenta un osciloscopio bsico.

Figura 1.5. Osciloscopio bsico.
Este es un osciloscopio de dos trazos. Igualmente la mayora de la informacin explicada aqu
puede ser aplicada a uno de un trazo. Los controles bsicos son:
BRIGHT: Girando esta perilla se ajusta la intensidad de la pantalla.
FOCUS: Girando esta perilla se ajusta el foco del trazo sobre la pantalla.
GRAT: Ilumina una cuadrcula o grilla que facilita la visualizacin de la seal.
TRACE: Selecciona la seal a trazar en la pantalla.
TRIGGER: Selecciona la fuente de disparo.
TRIGGER LEVEL: Selecciona el punto de la onda utilizado para disparar.
TIMEBASE: Selecciona la velocidad con la que el trazo se desplaza en la pantalla.
INPUT LEVEL: Ajusta el nivel de la entrada.
POS (Position): Establece la posicin del trazo en la pantalla.
BRIGHT
Controla la intensidad lumnica (o brillo) de la pantalla. Esto es muy til ya que los osciloscopios (a
diferencia de las computadoras) no disponen de protector de pantalla. Entonces, si deja un trazo
brillante en la pantalla durante tiempos muy largos, puede suceder que esa imagen quede
"quemada" sobre la superficie fluorescente del tubo quedando permanentemente visible, incluso con
el instrumento apagado. Si desea (o necesita) dejar el instrumento conectado mucho tiempo con una
seal esttica ser necesario bajar el brillo del trazo al mnimo para evitar este inconveniente. Cabe
aclarar que la superficie quemada est en el interior del tubo, no pudiendo ser reparado de ninguna
forma.
FOCUS
Este mando permite ajustar la definicin del trazo. Un trazo fuera de foco se ve difuso y poco
definido, mientras que un trazo enfocado correctamente permite una clara y rpida visualizacin.
GRATICULE
Este control permite iluminar una escala (o grilla) que facilita la medicin de la seal visualizada.
Usualmente es una pelcula plstica colocada sobre la superficie del tubo la cual est dibujada con

6
una matriz de cubos de 1 cm
2
, generalmente con lneas punteadas. Comparando la matriz con la
forma de onda, es posible efectuar la medida tanto de tensin como de frecuencia. Si el control se
apaga la grilla no ser visible.
TRACE
Tambin llamado "CHANNEL" este mando permite seleccionar el trazo a mostrar en la pantalla.
Estas son las opciones ms usuales junto con su explicacin:
A: Slo se muestra el trazo de la seal A.
B: Slo se muestra el trazo de la seal B.
A+B: Se muestran tanto la seal A como la seal B (en dos trazos).
ADD: Las dos entradas de seal son sumadas y mostradas en un nico trazo.
TRIGGER LEVEL
Un trazo que exhibe una forma de onda sin el uso del TRIGGER (o disparador) se desplaza de
forma similar que lo hace un sistema de TV cuando su sistema de traba horizontal est desajustado.
El trigger detiene el trazo de una seal, hasta que una determinada parte de la forma de onda
aparezca. Esto produce que el tubo se borre exactamente en el punto adecuado de la forma de onda
para que sta parezca estacionaria o quieta en un mismo lugar, facilitando su comprensin. Este
control, por consiguiente, permite establecer el punto de la forma de onda donde debe actuar.
TRIGGER SELECTOR
Selecciona el origen de la seal de disparo. La mayora de los instrumentos de dos trazos pueden ser
disparados tanto desde el canal A como el B. Algunos ms complejos, disponen de la facilidad de
disparar desde una seal externa, en cuyo caso un conector (usualmente rotulado TRIGGER)
permite ingresar dicho impulso.
TIMEBASE
La velocidad con la que se dibuja un trazo en la pantalla del tubo puede ser ajustada con el control
TIMEBASE. ste est calibrado en segundos (s), milisegundos (ms = 0.001 segundos) o
microsegundos (s = 0.000001 segundos).
INPUT LEVEL
Ajusta el nivel de entrada de cada canal permitiendo que el trazo complete la totalidad de la
pantalla. Este es un selector calibrado en Voltios por centmetro (V/cm). Dado que este mando se
ajusta de acuerdo a la magnitud de la seal de entrada, un ajuste sobre el rango har que la seal
mostrada sea imperceptible, pero ajustarlo bajo la escala puede daar los circuitos de entrada del
instrumento. De todas formas los equipos actuales disponen de proteccin contra este tipo de
inconvenientes.
POSITION
Establece la posicin vertical del trazo en la pantalla permitiendo facilitar la lectura de la seal. Por
ejemplo, puede establecer de cero voltios a la posicin central de la grilla para medir c.a., o al pi de
la pantalla para medir c.d.

MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO:
1 Fuente de c.d.
1 Osciloscopio
1 Multmetro
1 Generador de funciones
1 Tableta experimental
- Resistencias (1 k (1), 1.5 k (1), 2 k (1))
1 Capacitor 10nF

7
DESARROLLO EXPERIMENTAL
1. MEDICIONES CON EL MULTMETRO
1.1 Mediciones con el hmetro.
1.1.1 Conecte 3 resistencias en serie de cualquier valor y compruebe que la resistencia total
es la suma de las 3 resistencias.
1.1.2 Ahora conecte las mismas resistencias en paralelo y compruebe que la resistencia
total es
R
1
R
1
R
1
1
R
3 2 1
TOTAL
+ +
=
1.2. Mediciones de corriente
1.2.1. Alimente 3 resistencias en paralelo con una fuente de voltaje de c.d. y entonces compruebe la
ley de corrientes de Kirchhoff.
1.2.2 Coloque el generador de funciones en una seal senoidal a una frecuencia de 1 KHz y
con voltaje de 1.41 VRMS aydese del multmetro para realizar esta actividad.
1.2.3 Alimente 3 resistencias en paralelo con una fuente de voltaje de c.a. con las
caractersticas del punto 1.2.2 y entonces compruebe la ley de corrientes de Kirchhoff para
valores eficaces de corriente.
1.2.4 Arme un circuito RC en paralelo; mida los valores de la resistencia y del capacitor. Use la
fuente del punto 1.2.2 y con los valores medidos calcule los valores de corriente en cada elemento.
Ponga a funcionar el circuito y mida dichas corrientes. Compare los valores medidos contra los
calculados y saque sus conclusiones.
1.3. Mediciones de voltaje
1.3.1 Alimente 3 resistencias en serie con una fuente de voltaje de c.d. y compruebe la ley de
voltajes de Kirchhoff.
1.3.2 Alimente 3 resistencias en serie con una fuente de voltaje de c.a. (con las caractersticas del
inciso 1.2.b) y compruebe la ley de voltajes de Kirchhoff para valores eficaces de voltaje.
1.3.3 Arme un circuito RC en serie; mida los valores de la resistencia y del capacitor. Use
la fuente del punto 1.2.2 y con los valores medidos calcule los valores de voltaje en cada
elemento. Ponga a funcionar el circuito y mida dichos voltajes. Compare los valores
medidos contra los calculados y saque sus conclusiones.

2. MEDICIONES CON EL OSCILOSCOPIO
2.1. Calibracin del osciloscopio (Para esta actividad pida apoyo al instructor).
2.2. Haciendo uso del generador de funciones haga que se visualice en el osciloscopio: a) Una seal
cuadrada de 5 Vpp a una frecuencia de 10 kHz b) Una seal senoidal de 20 mVpp a 10 Hz y c) una
seal triangular de 2 Vpp a 1 MHz. d) Anote sus observaciones
2.3. Arme un circuito RC como el que se muestra en la figura 1.8.

8
Frecuencia
(Hz)
V
in
(Volts) V
o

(Volts)
ngulo
(Grados)
Ganancia
(dB)
100
300
500
700
1K
3K
5K
7K
10K
30K
50K
70K
100K
300K
500K
700K
1M

Figura 1.8 Circuito RC
2.4. Con el canal 1 del osciloscopio en la fuente de excitacin y con el canal 2 en el capacitor haga
un barrido en frecuencia comenzando desde 100 Hz hasta 1 MHz y anote que le pasa a la magnitud
y a la fase del voltaje en el capacitor. Llene la tabla I sin cambiar la amplitud del voltaje del
generador.
Tabla I. Respuesta en frecuencia del filtro RC
2.5. A partir de los datos obtenidos en la tabla I construya las grficas de Bode de Magnitud y Fase
y anote sus observaciones.

PRCTICA II

RECTIFICACIN Y FILTRADO CAPACITIVO

OBJETIVOS:
- Comprobar el funcionamiento del rectificador de media onda.
- Comprobar el funcionamiento del rectificador de onda completa.
- Comprobar el funcionamiento del filtrado capacitivo.

PRE- REPORTE:
- Realizar la prctica mediante simulacin.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

10
La rectificacin es el proceso de convertir una seal alterna (c.a.) en una que est
restringida en una sola direccin (c.d.).
Dependiendo de las caractersticas de la alimentacin en corriente alterna que emplean, la
rectificacin se clasifica en:
- monofsicos: cuando estn alimentados por una fase de la red elctrica
- trifsicos: cuando se alimentan por tres fases.
Por otro lado se pueden clasificar como:
- media onda: cuando slo se utiliza uno de los semiciclos de la corriente.
- onda completa: cuando ambos semiciclos son aprovechados.
El tipo ms bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda, constituido
por un nico diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la carga, ver figura 3. Existen
distintas configuraciones para rectificadores de onda completa, tal como: el rectificador de
onda completa con puente y el rectificador de onda completa con derivacin central. La
figura 4 muestra un rectificador de onda completa con derivacin central.
La figura 2.1 muestra el comportamiento de los rectificadores de media onda y onda
completa con derivacin central.
(a)
(b)
Figura 2.1 Seales en el circuito rectificador (a) media onda (b) onda completa.

La tabla I muestra el comportamiento en voltaje y corriente para los rectificadores de media
onda y onda completa, considerando el modelo de cada de voltaje constante.
El valor del voltaje pico inverso (PIV) en el diodo es muy importante en el diseo de
rectificadores, se define al PIV como la mxima cada de voltaje entre nodo y ctodo
cuando el diodo se encuentra en estado de no conduccin. El voltaje inverso que soporten
los diodos utilizados en el rectificador debe ser mayor a ste, con el fin de que no entre en
la regin de avalancha zener.
V
m

V
L

- V
m

V
m

V
a

- 2V
m

V
r

Seal en el secundario con respecto a la derivacin central
Seal rectificada (onda completa) en la carga
Seal pico inversa en el diodo
- V
m

V
a

- V
m

V
r

V
m

V
L

Seal en el secundario del transformador
Seal rectificada (media onda) en la carga
Seal pico inversa en el diodo

11
Tabla I. Comportamiento en voltaje y corriente de rectificador de media onda y onda
completa.
Media Onda Onda completa
V
L(rms)
V
m
/2 V
m
/2
I
L(rms)
V
L(rms)
/R
L
V
L(rms)
/R
L

V
L(DC)
0.318(V
m
-V
T
) 0.636(V
m
-V
T
)
I
L(DC)
V
L(DC)
/R
L
V
L(DC)
/R
L
Nota: V
T
es el voltaje umbral del diodo.

La salida de un rectificador es una seal de c.d. pulsante, la cual al ser pasada por un filtro
tiende a mantenerse en un nivel de c.d. constante. Existen diversos tipos de filtro:
capacitivo, inductivo, inductivo-capacitivo.
A la forma de onda debida al proceso de carga y descarga del capacitor se conoce como
voltaje de rizo, el cual depende del valor de la constante de tiempo (RC).

INFORMACIN IMPORTANTE
Siempre que se desee observar en el osciloscopio una seal no referenciada a tierra fsica se
deber flotar el osciloscopio. Flotar un osciloscopio significa que dicho instrumento no se
ha conectado a la tierra comn del sistema, para ello se deber eliminar con un adaptador
tres a dos, la conexin a la tercer terminal del tomacorrientes.
Si desea observar dos seales simultneamente asegrese que el punto de referencia de
ambas terminales de prueba del osciloscopio est conectado al mismo punto, adems de
haber flotado el osciloscopio.

1 Transformador 110 a 24 V
rms
, 0.5 A.
1 Osciloscopio
1 Multmetro
2 diodos 1N4007
- Resistencias (520O (1), 680O (1), 1 kO (1), 1.5 kO (1))
- Capacitores a 25 Volts (470 F (1), 1000 F (1))

1. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
1.1 Alimentar el transformador con el voltaje de lnea de acuerdo a la figura 2.2. Utilizando
el multmetro medir la tensin alterna del primario y del secundario de los puntos sealados
en la tabla II. Anote sus resultados y calcule la relacin de transformacin.
NOTA: Asegrese utilizar la escala adecuada de voltaje en la medicin de tensin.

12

Figura 2.2 Circuito de alimentacin del transformador
Tabla II. Voltajes rms en el transformador sin carga
V
i
(voltaje rms en el primario)
V
a
(voltaje rms en una parte del secundario)
V
b
(voltaje rms en una parte del secundario)
V
ab
(voltaje rms en secundario)
Relacin de transformacin

1.2 Ver en el osciloscopio las seales V
a
, V
b
y V
ab
en el secundario del transformador de la
figura 2.2 y anotar los valores pico de voltaje en la tabla III.
NOTA: No tocar la lnea de 120 V
ac
durante la medicin.
Tabla III. Voltajes pico en el secundario del transformador sin carga
V
a
(voltaje pico entre el punto A y tierra)
V
b
(voltaje pico entre el punto B y tierra)
V
ab
(voltaje pico en secundario entre los puntos A-B)

1.3 Arme el circuito de la figura 2.3 en la tableta experimental.
1.4 Vea en el osciloscopio las seales V
a
y V
L
, grafique estas seales. Existe una
diferencia en forma y amplitud en las seales de voltajes V
a
y V
L
?, A qu se debe esta
diferencia?
NOTA: No tocar la lnea de 120 V
ac
durante la medicin.
1.5 Calcule el voltaje y corriente de CD en la carga a partir de los valores picos antes
medidos. Mida con el multmetro la corriente y voltaje de CD en la carga, compare los
valores arrojados por las mediciones con los datos calculados.
1.6 Vea en el osciloscopio la seal de voltaje en el diodo de la figura 2.3. Asegrese que
solo se est utilizando una punta de prueba del osciloscopio. A qu se debe la forma de
esta seal?
120 VAC 1 K
Va
VL
+
-
+
-

Figura 2.3 Circuito rectificador de media onda

13
2. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
2.2 Vea en el osciloscopio la seal de voltaje en V
L
, grafique esta seal. Qu diferencia
hay entre las seales V
L
de la figura 2.3 y de la figura 2.4?, Cundo conduce el diodo D1 y
cundo conduce el diodo D2, con respecto a V
a
, V
b
, y V
i
?
2.3 Vea en el osciloscopio las seales de voltaje en los diodos de la figura 2.4. Asegrese
que solo se est utilizando una punta de prueba del osciloscopio. A qu se debe la forma
de estas seales?
120 VAC
1 K
Va
VL
D1
D2
+
-
-
+
Vb
+
-
Vi
+
-

Figura 2.4 Circuito rectificador de onda completa

2.4 Agregue un capacitor de 470 F en paralelo a la carga, tal como se muestra en la figura
2.5, mida el voltaje rizo pico a pico V
rpp
y la corriente de la carga I
L
.
2.5. Vare la resistencia de carga R de acuerdo a lo especificado en la tabla IV. Mida para
cada caso el voltaje de rizo pico a pico V
rpp
y la corriente de carga I
L
.
2.6 Evale el valor terico de V
rpp
de acuerdo con la siguiente ecuacin
fCR
V
V
p
rpp
= ,
donde: 7 . 0 2 * 12 = Vp y f=120 Hz (rectificador de onda completa) y compare sus
resultados.
2.7. Repita los pasos 1.10 y 1.11 sustituyendo el capacitor de 470 F por uno de 1000 F.
Anote sus resultados en la tabla IV.
2.8. Haga un anlisis cuantitativo y cualitativo de las diferencias entre los resultados
tericos y prcticos y trate de justificarlas cientficamente. Comente al respecto.

Figura 2.5. Fuente de CD no regulada

14

Tabla IV. Voltaje de rizado y corriente de carga de la fuente sin regulacin
1 k 1.5 k 820 560
C

R
Valor
Terico
Valor
Medido
Valor
Terico
Valor
Medido
Valor
Terico
Valor
Medido
Valor
Terico
Valor
Medido
V
rpp

470uF
I
L

V
rpp

I
L

1000uF
V
L

PRCTICA III

ZENER: REGULACIN DE VOLTAJE

OBJETIVOS:
Obtener la curva caracterstica del diodo Zener.
Utilizar el diodo zener como regulador de voltaje.

PRE- REPORTE:
Simulacin de los circuitos contenidos en la prctica.
Realizar tablas I y II mediante datos simulados.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

16
El diodo zener es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de
rupturas, tambin es llamado diodo de avalancha o de ruptura, son la parte esencial para
lograr la regulacin de tensin. La figura 3.1 muestra el smbolo de este elemento.

Figura 3.1 Smbolo del diodo zener.
La figura 3.2 muestra la curva caracterstica del diodo zener, en donde observar en la parte
derecha su comportamiento en polarizacin directa y en la parte izquierda su
comportamiento en polarizacin inversa. Son tres las caractersticas que diferencian a los
diversos diodos zener entre si:
a) Tensin de polarizacin inversa, conocida como tensin zener (V
z
), que es la tensin a
la que el zener va a mantenerse constante.
b) Corriente mnima de funcionamiento (I
z(mn)
), es la corriente mnima requerida para
asegurar que la tensin zener se mantenga constante.
c) Potencia mxima de disipacin, puesto que la tensin es constante, nos indica el
mximo valor de la corriente (I
z(mx)
), que puede soportar el Zener.

Figura 3.2 Curva caracterstica del diodo zener.

1 Fuente de c.d.
1 Transformador 110 a 24 V
rms
, 0.5 A.
1 Multmetro
1 Termmetro digital
1 Secadora
2 Diodos 1N4001

17
1 Diodo Zener 1N4732A (4.7 volts, 1 Watt)
1 Diodo Zener 1N4742A (12 Volts, 1Watt)
- Resistencias a 1W (68O (1), 150O (1), 220O (1), 330O (1), 470O (1), 560O (1), 1KO (1))
- Capacitores a 25 Volts (1000F (1))

1. Implemente el circuito de la figura 3.3 utilizando el diodo 1N4732A y evale la
caracterstica I
DZ
vs V
DZ
utilizando como referencia los datos propuestos en la tabla I.
Grafique sus resultados y compare el comportamiento del diodo zener con el del diodo
rectificador. Son semejantes en polarizacin directa? En qu difieren en polarizacin
inversa?

a)

b)
Figura 3.3 Circuito para obtener la curva caracterstica del diodo zener. a) Polarizacin inversa.
b) Polarizacin directa.

NOTA: Para polarizar inversamente el diodo deber conectar la terminal positiva de la fuente de
c.d. variable a la resistencia y la terminal negativa al nodo del diodo, como muestra la figura 3.3a),
esto le ayudar a tomar las lecturas de voltaje para corriente negativas de la tabla I. Para medir la
corriente coloque en serie el multmetro entre la resistencia y el diodo, poniendo la punta positiva
hacia la resistencia y la negativa hacia el diodo.
Para polarizar directamente el diodo deber conectar la terminal negativa de la su fuente de c.d.
variable a la resistencia y la positiva al nodo del diodo, como muestra la figura 3.3b). La
polarizacin directa la utilizar para medir los voltajes y corrientes positivos en el diodo.

Tabla I. Datos para construir la curva caracterstica del diodo Zener
V
DZ
(V)

0.3 0.4
I
DZ
(mA)

-15 -10 -5 -4 -3 -2 -1

-0.5 -0.2 0 0.5 1 2 5 10 15
2. Ajuste la corriente en polarizacin inversa del diodo Zener a -10 mA y mida el voltaje
correspondiente V
DZ
. Caliente el diodo Zener con una secadora de cabello y observe cmo
vara la corriente cuando se mantiene constante V
DZ
. Comente al respecto.
3. Arme el circuito de la figura 3.4 en la tableta experimental (utilice el diodo zener de
12V, 1W). Mida el voltaje de salida V
L
y la corriente en el diodo zener para cada uno de los
valores propuestos de R
L
en la tabla II.

18
4. Verifique que el circuito regule, esto es, que el voltaje de salida permanezca
aproximadamente constante. Calcule para cada caso la corriente en la carga y la corriente a
travs de R
S
cmo es el valor de esta corriente?
5. Evale la resistencia dinmica del diodo zener en la zona de regulacin, as como el
porcentaje de regulacin para variaciones de la carga para las corrientes mnima y mxima
de dicha carga. Es un buen regulador? Cul es la corriente mxima de carga para la cual
el circuito regula?
120 : 24 V
RMS
R
S
=68 W
C
s
=1000uF
R
L
+
_
V
L
I
L
I
Z I
Rs

Figura 3.4 Fuente de CD regulada con diodo zener

Tabla II. Voltaje de carga y corriente zener de la fuente regulada
R
L
150 220 330 470 560
V
L

I
Z

I
L
= V
L
/ R
L

I
Rs
= I
Z
+ I
L

PRCTICA IV

CIRCUITOS CON DIODOS

OBJETIVOS:
- Armar y probar circuitos con diodos, como los son: circuito cortador, circuito
fijador y circuito doblador de voltaje.

PRE-REPORTE:
- Mediante simulacin obtener el voltaje de salida para los circuitos fijador,
cortador y multiplicador contenidos en la prctica.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

20
En ocasiones de acuerdo a la aplicacin es necesario acondicionar la seal, para que sta no
exceda de un nivel de voltaje determinado, para que tenga o elimine un determinado Offset
o para incrementar el nivel de voltaje. El recortador tambin conocido como limitador, es
un circuito que bsicamente es la extensin de un rectificador de media onda, en el cual una
parte la seal de salida est limitada a un voltaje. Existen dos tipos de recortadores, en
paralelo o en serie. El recortador en paralelo el diodo est conectado a travs de las
terminales de salida, mientras que en el recortador en serie el diodo forma un circuito serie
con las terminales de salida.

El circuito fijador desplaza las formas de onda de salida a un nivel de c.d. diferente, por lo
que tambin se le conoce como circuito de corrimiento de nivel, se clasifican en: de
corrimiento fijo y de corrimiento variable. Los circuitos de corrimiento fijo desplazan la
seal un nivel V
m
con respecto al nivel cero, para los de corrimiento variable se introduce
una batera para desplazar el voltaje de salida una magnitud V
m
V
1
con respecto al nivel
cero.
Un multiplicador de voltaje utiliza un circuito fijador seguido de un detector de voltajes
pico para elevar el voltaje de entrada en un factor dos, tres, cuatro o ms.

INFORMACIN IMPORTANTE
Siempre que se desee observar en el osciloscopio una seal no referenciada a tierra fsica se
deber flotar el osciloscopio. Flotar un osciloscopio significa que dicho instrumento no se
ha conectado a la tierra comn del sistema, para ello se deber eliminar con un adaptador
tres a dos, la conexin a la tercer terminal del tomacorrientes.
Si desea observar dos seales simultneamente asegrese que el punto de referencia de
ambas terminales de prueba del osciloscopio estn conectadas al mismo punto, adems de
haber flotado el osciloscopio.

1 Osciloscopio
1 Multmetro
2 Diodos 1N4001
- Resistencias (47 O (2), 1kO (1), 10 kO (2), 47 kO (1), 100 kO (1))
- Capacitores (1 F (1), 10 F (1), 100 F(2) )

1. CIRCUITO CORTADOR
1.2 Asegrese de que el osciloscopio est en c.d. para fijar el nivel de cero volts.

21
1.3 Conecte un generador con una seal de forma de onda senoidal, frecuencia de 1 kHz y
amplitudes primero de 0.2 V
p-p
, despus 0.5 V
p-p
y 10 V
p-p
. Dibuje estas formas de onda y
compare contra las que deberan salir tericamente. Anote las observaciones que crea
necesarias.
1.4 Repita el paso anterior usando R
2
=1 k y R
2
=100 k comente sobre las observaciones
hechas.
1.5 Con el voltaje de 10 V aplicado en el paso anterior, aumente la frecuencia hasta 100
kHz y grafique la forma de onda. Comente los resultados.

Figura 4.1 Circuito cortador

2. CIRCUITO FIJADOR
2.2 Conecte un generador de forma de onda senoidal con periodo T= 1 milisegundo y C= 1
F (electroltico) y R= 100 k. Grafique la forma de onda del voltaje en la salida (a travs
del diodo). Vare la amplitud de V
s
. Anote sus observaciones.
2.3 Asegrese que el osciloscopio est en c.d. para fijar el nivel de cero volts.
2.4 Repita el paso 2.2 invirtiendo el diodo. Anote sus observaciones.
2.5 Explicar por qu se le llama circuito fijador.

Figura 4.2 Circuito fijador

3. MULTIPLICADOR DE VOLTAJE
3.1 Construya el circuito de la figura 4.3. Flote el osciloscopio
3.2 Mida y anote el voltaje en la carga R
L
verificando la duplicacin de voltaje.
3.3 Grafique la forma de onda del voltaje en R
L
y mida su rizado.
3.4 Mida y grafique el voltaje de los condensadores C
1
y C
2
. Mida el rizado respectivo.
3.5 Mida la corriente efectiva (rms) a travs de los diodos.

22
+
_
V
o
=2V
m
V
s
C
1
C
2
D
1
D
2
V
s
=V
m
Sen(wt)
+
+
_
_
100F
100F
R
L
=47K
R
S
=47
R
S
=47

Figura 4.3 Circuito multiplicador

PRCTICA V

CARACTERSTICAS DEL DIODO
SEMICONDUCTOR

OBJETIVOS:
- Obtener prcticamente las curvas caractersticas del diodo rectificador.

PRE- REPORTE:
- Simulacin de los circuitos contenidos en la prctica.
- Realizar tablas I y II mediante datos simulados.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

24
El diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente elctrica en
una sola direccin, est constituido mediante la unin de dos materiales semiconductores
(tipo p y tipo n). La figura 5.1 muestra el smbolo del diodo donde la terminal positiva
recibe el nombre de nodo y la terminal negativa de nodo.

Figura 5.1 Smbolo del diodo rectificador
Idealmente se dice que el diodo se comporta como un interruptor, en donde para un voltaje
menor de cierto potencial se modela como un circuito abierto y para un voltaje mayor a ste
se modela como un corto circuito.
El diodo real tiene un comportamiento mostrado en la figura 5.2, de donde se observa que
consta de dos regiones llamadas polarizacin directa e inversa. La regin de polarizacin
directa para un pequeo incremento de voltaje, el incremento de corriente es grande;
mientras que en la regin de polarizacin inversa para un aumento de pequeo de voltaje el
incremento de la corriente inversa es pequeo.

Figura 5.2 Curva caracterstica del diodo
La relacin de la corriente y el voltaje en el diodo se establece mediante la ecuacin
) 1 (
0
=
T
D
nV
V
D
e I i ,
Donde: n factor de idealidad exponencial
V
T
voltaje trmico

Un diodo puede ser sometido a tensiones en polarizacin directa de seales de c.d. o c.a., la
relacin del voltaje entre la corriente del diodo determinarn la resistencia que ste
presente. Cuando la corriente y voltaje introducidos son niveles de corriente alterna la
resistencia suele denominarse resistencia dinmica y puede obtenerse a travs del
recproco de
D
D
dv
di
, esto es
D
T
d
i
nV
r ~ . Si la expresin
D
D
dv
di
es evaluada en el punto de
operacin se obtiene la resistencia esttica o de c.d.

25
1 Fuente de c.d.
2 Multmetros
1 Osciloscopio
1 Termmetro digital
1 Secadora
- Resistencias a W (1 kO (1), 4.7 kO (1), 10 kO (1))
1 Diodo 1N4001
1 Capacitor 10 F

1. Utilice el circuito de la figura 5.3 para evaluar la caracterstica I
D
contra V
D
del diodo
1N4001 o equivalente, utilizando como referencia los valores propuestos en la tabla I (es
probable que requiera cambiar el valor de R para tener mayor exactitud en polarizacin
directa para corrientes entre 0 y 1 mA). Utilice el circuito de la figura 5.3 b) para obtener las
primeras cuatro mediciones de corriente.

ID
+
VD
-
R=1 k

a)
ID
+
VD
-
R=1 k

b)
Figura 5.3 Circuito para obtener las curvas caractersticas del diodo semiconductor.
a)Polarizacin directa. b)Polarizacin inversa

Tabla I. Datos para construir la curva caracterstica del diodo
V
D
(V)

-20 -15 -10 -5 0 0.3 0.4 0.5
I
D
(mA)

1 2 5 10 15 20

2.- Grafique los valores de I
D
contra V
D
, ampliando la escala entre 0.4 y 0.8 Volts para
polarizacin directa, y entre 0 y 10 mA para polarizacin inversa. Cmo es la curva en
polarizacin directa?, Se parece a la de una funcin exponencial? Cmo es la curva en
polarizacin inversa y de qu valor son las corrientes?

26
3.- Grafique la curva ln(I
D
) contra V
D
en polarizacin directa nicamente. Se parece la
curva a una recta? Si lo anterior se cumple, interpole la mejor recta y, por similitud de las
ecuaciones

ln(I
D
) = ln(I
o
) + V
D
/(nV
T
) aproximacin de la ecuacin del diodo en
polarizacin directa
Y = Y
o
+ mX ecuacin de una recta

evale los parmetros I
o
y nV
T
. Utilice el valor de la temperatura ambiente (mdala) y
obtenga el valor de V
T
de la ecuacin

V
T
= KT/q donde K = 1.38x10
-23
J/K constante de Boltzman
T = 273+ T( en grados centgrados)
Q = 1.6x10
-19
C carga del electrn

Evale, de sus resultados, el factor n del diodo de Si. Es congruente con lo especificado en
sus textos? Comente al respecto.
4. Ajuste la corriente en el diodo polarizacin directa a 10 mA y mida el voltaje
correspondiente V
D
. Caliente el diodo utilizando una secadora de cabello y observe cmo
vara la corriente cuando mantiene el voltaje constante. Comente al respecto.
5.- Utilice el circuito de la figura 5.4 para evaluar la resistencia dinmica del diodo.
Para esto:
a) Ajuste la corriente de polarizacin del diodo a 2 mA, utilice para esto la fuente de cd
variable incluida en la figura 5.4.
b) Ajuste la fuente de seal a una frecuencia de 1000 Hz y una amplitud suficiente para
observar en el diodo una senoide de 20 mV
p-p
.
c) Mida el voltaje pico-pico de seal alimentada al circuito.
d) Evale la resistencia dinmica r
d
utilizando las ecuaciones de los divisores de voltaje
correspondientes.
e) Evale la resistencia dinmica a partir de la ecuacin del diodo, y a partir de la grfica
exponencial obtenida experimentalmente.
Compare los resultados obtenidos. Es congruente el modelo terico del diodo?, comente.
f) Repita para I
D
= 4 mA.

Figura 5.4 Circuito para obtener la resistencia dinmica del diodo.
F= 1 kHz
R=4.7 kO
R=10 kO
10 F

PRCTICA VI

CURVAS CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR
BIPOLAR EN CONFIGURACIN EMISOR COMN

OBJETIVOS:
- Obtener la curva caracterstica del colector del transistor bipolar, en su configuracin
emisor comn.
- Obtener la curva caracterstica de base del transistor bipolar, en su configuracin
emisor comn.

PRE-REPORTE:
- Investigar funcionamiento de BJT.
- Llevar hojas de especificaciones del BJT utilizado en la prctica.
- Realizar toda la prctica mediante simulacin.

ID
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Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

28
La notacin y smbolos utilizados para la configuracin emisor comn con transistores PNP
y NPN se muestran en la figura 6.1.

Figura 6.1 a) Transistor NPN, b) Transistor PNP.
En la figura 6.2 se observa la caracterstica de colector (salida), donde se relacionan la
corriente de colector, el voltaje colector-emisor y la corriente de base.

Figura 6.2 Caracterstica de colector
Las tres regiones bsicas de inters: activa, de saturacin y de corte se observan en la figura
6.2. Note la magnitud en microamperios de I
B
en comparacin de los miliamperios de I
C
.
En la regin activa, la unin de colector-emisor est polarizada inversamente, mientras que
la unin base-emisor est polarizada directamente. Esta regin se puede emplear para
amplificacin de corriente, voltaje o potencia.
La regin de corte se encuentra por debajo de la curva para I
B
=0, donde se observa una
corriente de colector I
CE0
.

29
La regin de saturacin se encuentra a la izquierda del voltaje colector-emisor de
saturacin, donde se observan pequeas variaciones en el voltaje V
CE
para grandes cambios
en la corriente de colector I
C
.
En la figura 6.3 se observa la caracterstica de base (entrada) donde se muestra la corriente
de base I
B
contra el voltaje base-emisor (V
BE
) para un rango de valores de voltaje colector-
emisor. Como se observa en la figura, las variaciones en la salida V
CE
, tienen poco efecto
en la entrada (V
BE
I
B
).

Figura 6.3 Caracterstica de base
Algunas caractersticas que podemos encontrar en las hojas de datos que proporcionan los
fabricantes de transistores, las cuales tienen el objetivo de proporcionar informacin acerca
de las condiciones en las que ha de operar el dispositivo as como tambin sus
caractersticas fsicas.
Entre las especificaciones para el NPN 2N2222 ms necesarias para realizar esta prctica
son las siguientes: (ver figura 6.4)
1.- Aplicaciones: Amplificador lineal y como interruptor.
2.-Empaque (TO-18) y simbologa
3.- Ganancia de corriente directa : mnima 75 en Ic=10mA y V
CE
=10V.

Figura 6.4 Descripcin del encapsulado del 2N2222

1 Fuente de c.d.
2 Multmetros
1 Transistor 2N2222

30
- Resistencias a 1/4W (100 k (1), 560 (1))

1. CARACTERSTICAS DE SALIDA.
1.1 Arme el circuito de la figura 6.5.

Figura 6.5 Circuito para obtener la caracterstica de salida.

1.2 Ajuste la fuente de voltaje V
BB
para obtener los valores de I
B
que se muestran en la tabla
1. Para cada valor de I
B
, vare la fuente de voltaje V
CC
y mida la corriente de colector (I
C
) y
el voltaje colector-emisor (V
CE
) y antelos en la tabla I.

Tabla I. Caracterstica de la terminal de colector.
I
B1
=0 I
B2
=10 A I
B3
=20 A I
B4
=30 A I
B5
=40 A I
B6
=50 A I
B6
=60 A
V
CC
(V)
I
C
V
CE
I
C
V
CE
I
C
V
CE
I
C
V
CE
I
C
V
CE
I
C
V
CE
I
C
V
CE

0
0.2
0.5
0.7
1
2
5
8
12
15

2. CARACTERSTICAS DE BASE
2.1 Utilizando el circuito de la figura 6.5; siempre con V
BB
inicialmente en cero ajuste la
fuente de voltaje V
CC
para obtener los valores de V
CE
que se muestra en la tabla II.

31
2.2 Para cada valor de V
CE
, vare la fuente V
BB
con los valores que se observan en la tabla
II y mida la corriente de base (I
B
) y el voltaje base emisor (V
BE
) y antelos en la tabla.

Tabla II. Caractersticas de la terminal de base.
V
CE
= 1V V
CE
= 8V V
CE
= 15V V
BB
(V)
I
B
V
BE
I
B
V
BE
I
B
V
BE

0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
3.0
5.0

ACTIVIDADES COMPLEMENTARIAS
1.- Graficar la caracterstica de colector (I
C
V
CE
), para cada una de las corrientes de base
(I
B
), con los datos obtenidos en la tabla I.
2.- Identifique en la grfica, las regiones: activa, de corte y de saturacin del transistor.
3.- En la regin activa, qu ocurre con la corriente de colector (I
C
), al variar el voltaje
colector emisor (V
CE
)?.
4.- Cul es el valor de la corriente de colector (I
C
), cuando la corriente de base es cero (I
B
=
0)?.
5.- Cunto vale el voltaje colector-emisor de saturacin (V
CEsat
)?.
6.- Compare la caracterstica de colector obtenida experimentalmente, con la esperada
tericamente. Comente.
7.- Graficar la caracterstica de base (I
B
V
BE
), para cada uno de los voltajes colector
emisor (V
CE
), con los datos obtenidos en la tabla II.
8.- Compare la caracterstica de base obtenida experimentalmente con la esperada
tericamente. Comente.
9.- Tome algunos valores de I
C
con su respectiva I
B
donde el V
CE
> 0.5V y calcule la h
FE

para llenar la tabla III.

Tabla III. Valores de I
C
e I
B
para obtener la h
FE
.
I
C

I
B

h
FE

10.- Grafique h
FE
I
B
con la tabla del paso 9.

PRCTICA VII

POLARIZACIN DE TRANSISTORES DE UNIN
BIPOLAR

OBJETIVOS:
- Observar los diferentes circuitos de polarizacin de transistores de unin bipolar
(BJT).
- Obtener la recta de carga de salida.

PRE REPORTE:
- Realizar la simulacin de los tres circuitos de polarizacin y obtener las tablas
correspondientes.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

33
Debido a la gran cantidad de aplicaciones y diferentes maneras de utilizar los transistores,
sera imposible aprender cada una de las reas de aplicacin. En lugar de ello, se estudia la
operacin de circuitos ms fundamentales y una vez con este conocimiento, se puedan
analizar circuitos ms complejos. Para utilizar los transistores de unin bipolar (BJT) para
amplificacin de voltaje o corriente o como elementos de control (on - off), es necesario
primero polarizar el dispositivo. El objeto de la polarizacin es lograr una condicin de
corriente y voltaje denominada punto de operacin (punto quiescente o punto Q).
En el diseo de circuitos con transistores, se escoge un punto de operacin o reposo (Q),
para que el transistor funcione en un margen determinado y para asegurar que se cumpla la
linealidad (y a veces una excursin lineal mxima) y no sobrepase la potencia mxima.
En la figura 7.1 se muestra el circuito de polarizacin y en la figura 7.2 la caracterstica de
colector de salida, para la configuracin emisor comn. Como se observa en la
caracterstica, el punto de reposo se encuentra en la regin de mayor linealidad, con una
buena excursin simtrica.
R
C
RB
R
E
V
BB
V
CE
I
B
I
C
I
E
+
-
+
- V
BE
V
CC

Figura 7.1 Circuito de polarizacin emisor comn.

I
C
(mA)
V
CE
(volts)
Q
V
CC
V
CEQ
I
CQ
R
C
+R
E
V
CC

Figura 7.2 Caractersticas de colector.

34
MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO
1 Fuente de c.d.
2 Multmetros
2 Transistores 2N2222
1 Dcada de resistencias
- Resistencias a W (1k (1), 100 (1), 8.2k (1), 100k (1))

CIRCUITOS DE POLARIZACIN
1. Implemente el circuito de la figura 7.3.

Figura 7.3 Circuito de polarizacin emisor comn.
2. Vare el voltaje de V
BB
para obtener cada valor de I
B
mostrado en la tabla I, midiendo y
anotando la corriente I
C
y el voltaje V
CE
para cada I
B
, segn la tabla.
3. Cambie el transistor por otro del mismo tipo, y repita el paso anterior.

Tabla I. Mediciones para el circuito de polarizacin de la figura 7.3.
Q1 Q2
V
BB
I
B
(A) I
C
V
CE
h
FE
V
BB
I
C
V
CE
h
FE

0
5
10
15
20
25
30
35
40
50
60

35

Figura 7.4 Circuito de polarizacin con resistor de emisor.
5. De acuerdo a los valores de R
B
que se muestra en la tabla II, mida los valores de
corriente de base (I
B
), de colector (I
C
) y el voltaje colector-emisor (V
CE
), y antelos en la
misma tabla. V
cc
= 12 V, R
C
= 1KO, R
E
= 100O.

Tabla II. Mediciones para el circuito de polarizacin de la figura 7.4.
R
B
(KO) I
B
I
C
V
CE
h
FE

47
100
220
270
390
470
560
680
820
1000
1800


Figura 7.5 Circuito de polarizacin por medio de un divisor de voltaje.

36
7. De acuerdo a los valores que se muestra en la tabla III, mida los valores de corriente de
base (I
B
), de colector (I
C
), de voltaje colector-emisor (V
CE
), y de voltaje en R
1
(V
BB
) y
antelos en la misma tabla. V
cc
= 12 V, R
C
= 1KO, R
E
= 100O, R
2
= 8.2 kO.

Tabla III. Mediciones para el circuito de polarizacin de la figura 5.
R
1
(O) V
BB
I
B
I
C
V
CE
h
FE

470
560
680
820
1000
1200
1500
1800
2200
2700

1. Se tuvieron variaciones al cambiar de transistor?
2. En cul circuito las variaciones de I
BQ
, I
CQ
y V
CEQ
fueron menores al cambiar el
parmetro indicado en su respectiva tabla?
3. En los circuitos de polarizacin realizados, Fueron los resultados experimentales los
esperados? Comente.
4. Grafique I
C
contra V
CE
, as como h
FE
contra I
C
para los tres casos.
5. De acuerdo a los datos anotados en las tablas, cules son los valores ptimos para cada
circuito?
NOTA: Anote un punto de operacin para cada tabla.

SUGERENCIAS
Para el desarrollo de esta prctica, se puede emplear una dcada de resistencias, si se opta por usar
sta, es recomendable que se verifique que la dcada est funcionando correctamente, para ello
habr que seleccionar algn valor de resistencia, luego habr que verificar con el multmetro que el
valor seleccionado en la dcada sea muy semejante al que se est midiendo. Para realizar esta
prueba habr que tener la dcada aislada del circuito, ya que si se hace cuando la dcada este
conectada con el circuito, es muy probable que se midan valores de resistencias diferentes a los que
se seleccionen.
Es recomendable que no se midan resistencias cuando un circuito est alimentado y que se
desconecten los multmetros que estn realizando esta funcin ya que las lecturas tomadas sern
errneas, y se pueden ver afectadas otras mediciones que se estn tomando en el mismo circuito.
Se debe recordar que a travs del llenado de las tres tablas se est obteniendo la recta de carga de
salida de cada circuito de polarizacin, donde al variar el parmetro indicado en cada una de ellas se
estar pasando por las tres regiones de operacin del transistor.
Para conocer la | (h
FE
) de cada transistor, se podr hacer mediante el siguiente circuito de
polarizacin de la figura 7.6 donde la R
B
= 470 k. El cual se deber llevar a todas las prcticas que
sea necesario.

37
+
-
VCC= 12V
+
R
C
=1k
V
CE
I
B
I
E
I
C
R
B
R
E
=100
V
BE
+
-
-

Figura 7.6 Circuito de polarizacin para obtener la h
FE
.

PRCTICA VIII

MEDIDAS DE BONDAD DE AMPLIFICADORES CON
TRANSISTORES DE UNIN BIPOLAR A
FRECUENCIAS MEDIAS

OBJETIVOS:
- Comprobar el funcionamiento de las configuraciones emisor comn, base comn y
colector comn.
- Determinar parmetros hbridos.

PRE REPORTE:
- Obtener medidas de bondad de las tres configuraciones mediante simulacin.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

39
Cuando un transistor opera en la regin de activacin se comporta como un circuito lineal
por lo cual es conveniente hacer un modelo con un circuito lineal el cual nos facilita el
anlisis y diseo de los amplificadores.
El modelo ms utilizado es el de la configuracin emisor comn mostrado en la figura 8.1.

+
V
be
-
h
re
v
ce
h
ie
i
b
+
-
h
oe
+
V
ce
-
h
fe
i
b
+
V
be
-
h
ie
i
b
+
V
ce
-
h
fe
i
b
a)
b)

Figura 8.1 a) Modelo lineal completo del BJT para la configuracin emisor comn b)
Modelo simplificado.

El circuito equivalente de parmetros hbridos es muy til por numerosas razones: asla los
circuitos de entrada y salida, siendo considerada su interaccin por las dos fuentes
controladas; las dos partes del circuito tienen una forma tal, que es fcil distinguir los
circuitos de alimentacin y carga.
Los parmetros en general son diferentes para cada configuracin y pueden distinguirse
aadiendo una letra de identificacin como segundo ndice, por ejemplo h
oe
es la
admitancia de salida para la configuracin emisor comn.

1 Fuente de c.d.
1 Osciloscopio con 2 puntas de prueba
1 Multmetro digital
1 Tableta Experimental
2 Transistores 2N2222A
- Condensadores a 25 volts (2.2 f (1), 4.7 f (1), 330 f (1))
- Resistencias a 0.5 W: 3.9 k (3), 3.3 k (1), 10 k (1), 27 k (1), 47 k (2), 470 k (1))

EVALUACIN DE LOS PARMETROS A PEQUEA SEAL DEL
AMPLIFICADOR EN CONFIGURACIN EMISOR COMN
1.- Identifique las terminales emisor (E), base (B) y colector (C) de los transistores y
verifique, utilizando el multmetro en la posicin de prueba de diodos, que operen
correctamente (pida ayuda al instructor en caso necesario). Mida e identifique

40
cuidadosamente cada una de las resistencias a utilizar y verifique que su valor este dentro
de la tolerancia especificada. Realice lo mismo con los condensadores especificados.
2.- Implemente el circuito de la figura 8.2, mida el voltaje y la corriente de polarizacin
(I
CQ
, V
CEQ
), los cuales debern corresponder a (2.02 mA, 4.2V), anote la corriente medida
en la tabla I y corrobore sus resultados tericamente. Considere un transistor 2N2222A,
V
CC
= 20V, R
C
=R
L
=R
e
=3.9 k, R
1
=37 k=(10 k+27 k), R
2
=47 k, Ce=330 f,
C
i
=C
s
=2.2 f.

Figura 8.2. Amplificador en configuracin emisor comn
4.- Aplique seal al circuito para tener en la salida una seal de 1 V
pp
sin distorsin medida
en el osciloscopio y mida la seal en la base del transistor v
i

(coloque una resistencia R
x
de
470 k en serie con el generador para provocar un divisor de voltaje con la impedancia de
entrada del amplificador, como muestra la figura 8.3).

Figura 8.3 Circuito para reducir la seal en la base del transistor
Una vez visualizada la seal de 1V
pp
en la carga, anote en la tabla I la ganancia en voltaje
lograda, para ello utilice la ecuacin:
pp i i
o
V
v v
v
pp
V 1
= = A
Tabla I. Comportamiento de la ganancia en voltaje del amplificador emisor comn con
capacitor de desvo
R
1
R
L
I
CQ

V
Z
i
Z
o

i

37 k 3.9 k
37 k

27 k 3.9 k
10 k 3.9 k

41
5.- Quite la resistencia de carga del circuito y realice nuevamente el paso 4, calcule la
ganancia y antela en la tabla I.
6. Coloque nuevamente la resistencia de carga, haga R
1
de 27 k y realice nuevamente el
paso 4. Anote en la tabla I, la corriente de colector de polarizacin (c.d) y ganancia en
voltaje. Vuelva a hacer lo anterior con R
1
de 10k.
7.- Vuelva a colocar la resistencia R
1
de 37 k y ajuste el nivel de v
o
a 1 V
pp
. Haga R
L
=0
(cortocircutela con un cable) y mida de nuevo v
i
cuando la fuente de seal est conectada
al circuito. Desconecte ahora la fuente de seal y mida v
f
. Calcule despejando de las
ecuaciones del divisor de tensin, el valor de la impedancia de entrada de la configuracin
(Z
i
).
X f i
i
R R Z
Z
+ +
-
=
f
i
v
v
8.- Cortocircuite el condensador C
i
a tierra e inserte una resistencia de 3.9 k en serie con
el generador para alimentar al circuito por la salida, tal como muestra la figura 8.4. Aplique
seal al circuito de manera que v
c
= 2 V
pp
. Desconecte la fuente y mida v
f
. Calcule la
impedancia de salida de la configuracin.
3900 R Z
Z
f o
o
+ +
-
=
f
C
v
v

Figura 8.4 Circuito para determinar la impedancia de salida para la configuracin emisor
comn
9.- Deduzca el valor de la ganancia de corriente del circuito para cada caso de la tabla I, de
la expresin
L
i
R
Z
V i
A = A

AMPLIFICADOR EN CONFIGURACIN BASE COMN.
10.- Implemente el amplificador en configuracin base comn mostrada en la figura 8.5.
Considere un transistor 2N2222A, V
CC
= 20V, R
C
=R
L
=R
e
=3.9 k, R
1
=37 k=(10 k+27
k), R
2
=47 k.

42

Figura 8.5 Amplificador en configuracin base comn
NOTA: La resistencia R
f
de 3,300 se utiliza al evaluar la ganancia de voltaje
v
e impedancia
de entrada, para proteger a la fuente de seal (esto es por el valor tan reducido de la impedancia de
entrada de la configuracin base comn).
11.- Observe que el punto de operacin sigue siendo el mismo que para la configuracin
emisor comn. Obtenga las medidas de bondad (
v
, Z
i
, Z
o
, y
i
) siguiendo el
procedimiento realizado para la configuracin emisor comn, haciendo los cambios
pertinentes para la terminal de entrada. Anote sus resultados en la tabla II.
Tabla II. Comportamiento de la ganancia en voltaje del amplificador base comn con
capacitor de desvo
R
1
R
L
I
CQ

V
Z
i
Z
o

i

37 k 3.9 k
37 k

27 k 3.9 k

Las ecuaciones utilizadas sern:
e
o
V
v
v
= A
i f
i
Z 3300 R
Z
+ +
=
f
e
v
v ; una vez medido v
e
y v
f
despeje Z
i
.
o f
o
Z 3900 R
Z
+ +
-
=
f
c
V
V ; despeje Z
o
al evaluar v
c
= 6V y v
f
. Note que para el clculo de la
impedancia de salida nicamente se est colocando una resistencia de 3.9 k entre el
generador y el capacitor C
s
, recuerde que para obtener la impedancia de salida, deber
quitar la resistencia se 3300 y colocar hacia tierra el capacitor C
e
.
L
i
R
Z
V i
A = A

43
AMPLIFICADOR EN CONFIGURACIN COLECTOR COMN.
12.- Implemente el amplificador en configuracin colector comn mostrado en la figura
8.7. Considere un transistor 2N2222A, V
CC
= 20V, R
C
=R
L
=R
e
=3.9 k, R
1
=37 k=(10
k+27 k), R
2
=47 k.
R1 Re
Ci
R2 Rc
330 F
Vcc
RL
2.2 F
2.2 F 10 k
Co
Rf
Generador de
funciones
vf
+
Vo
-
+
-
vi

Figura 8.7 Amplificador en configuracin colector comn
13.- Observe que el punto de operacin sigue siendo el mismo que para la configuracin
emisor comn. Obtenga las medidas de bondad (
v
, Z
i
, Z
o
, y
i
) siguiendo el
procedimiento realizado para la configuracin emisor comn, recuerde hacer los cambios
pertinentes para la terminal de salida. Anote sus resultados en la tabla III.
Tabla III. Comportamiento de la ganancia en voltaje del amplificador colector comn con
capacitor de desvo
R
1
R
L
I
CQ

V
Z
i
Z
o

i

37 k 3.9 k
37 k

10 k 3.9 k
Las ecuaciones correspondientes a la configuracin colector comn son:
) R (R h h
) R (R h
L e fe ie
L e fe
+
= A
V

)) R (R h (h R Z
L e fe ie BB i
+ =
) )) R (10000 (R (h R Z
f BB ib e o
+ + =
NOTA: Observe que al evaluar la impedancia de entrada e incluso la ganancia de voltaje. Se inserta
en serie con el generador de seales una resistencia de 10 k para poder evaluar Z
i
utilizando el
principio de divisores de tensin. Cuando se evala la impedancia de salida Ro se debe poner en
serie con el generador una resistencia de 680 para evitar que sta se dae debido al valor tan bajo
que se encontrar.

PRCTICA IX

DISEO DE AMPLIFICADOR EMISOR COMN

OBJETIVOS:
- Establecer mtodos para el diseo del amplificador emisor comn.

PRE REPORTE:
- Realizar el diseo del amplificador contenido en la prctica.
- Obtencin de las medidas de bondad del amplificador mediante simulacin.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

45
Cuando se analiza un amplificador con transistores se conocen los valores de los
componentes, tal que de acuerdo a la configuracin analizada es posible determinar el
comportamiento a pequea seal del amplificador. En contraparte cuando se disea un
amplificador se parte de un comportamiento a pequea seal deseado y con base en ello se
obtienen los valores de los componentes requeridos para lograr dicho comportamiento.
Los requerimientos de diseo establecen el comportamiento deseado, el cual puede
describirse a partir de una ganancia en voltaje o corriente especfica, potencia de salida
deseada, o bien una determinada impedancia de entrada o salida; el parmetro especificado
depender de la aplicacin que se le dar al amplificador a disear. Es comn que dentro de
los requerimientos de diseo se conozca el valor de la resistencia de carga.
Una vez determinado los requerimientos que deber cumplir el amplificador a disear se
procede a determinar la configuracin de diseo y el tipo de transistor a utilizar. En cuanto
a la configuracin de diseo, cabe mencionar que la configuracin emisor comn amplifica
voltaje y corriente, la base comn slo amplifica voltaje y el colector comn slo amplifica
corriente. As tambin recordemos que con el transistor BJT es posible lograr mayores
ganancias, y por otro lado el FET tiene una muy alta impedancia de entrada y un mayor
ancho de banda.
No existe un mtodo nico de diseo, por lo que de acuerdo a configuracin a disear y
los requerimientos se puede establecer un procedimiento propio, siempre y cuando se
cumpla con las ecuaciones que establecen el comportamiento a pequea y gran seal. As
tambin podemos ver que dentro del proceso de diseo de amplificadores de baja potencia,
se calculan primero los valores de los elementos resistivos para que se cumpla un
comportamiento a pequea seal y finalmente se calculan los elementos capacitivos de
existir para que el amplificador cumpla con un determinando ancho de banda.
El proceso de diseo descrito en la presente prctica se refiere a un amplificador emisor
comn con capacitor de desvo y polarizado mediante divisor de voltaje con una sola fuente
de c.d., presentando nicamente un procedimiento para cumplir con un comportamiento a
pequea seal y considerando que se trabaja al amplificador dentro de su ancho de banda.
Este tipo de amplificador emisor comn es aplicado cuando se requiere una ganancia en
voltaje del orden de los cientos, en caso de requerir una ganancia en voltaje en orden de las
decenas o unidades se sugiere agregar una resistencia en emisor que no este desviada.

1 Fuente de c.d.
1 Osciloscopio
1 Generador de seales
1 Multmetro
1 Transistor 2N2222A
- Capacitores a 25 volts (10 F (2), 330 F (1))

46
- Resistencias de de watt segn diseo

II. DESARROLLO EXPERIMENTAL
1. Disee un amplificador emisor comn con capacitor de desvo, como el de la figura 9.1,
para una carga de 4.7 k y ganancia en voltaje de 200.

Figura 9.1 Amplificador emisor comn con capacitor de desvo

PROCEDIMIENTO DE DISEO
a) Para mxima transferencia de potencia haga R
C
=R
L

b) Una vez conocida la ganancia requerida y la carga, a travs de la ecuacin que
define la ganancia en voltaje de la configuracin emisor comn con capacitor de
desvo, calcule la I
CQ
requerida para que el amplificador se comporte de acuerdo a
las caractersticas de diseo descritas. Considere n = 1 y V
T
= 26 mV.
( )
L C m V
R R g = A ;
T
CQ
m
nV
I
g =
c) Considerando la amplitud de la seal de salida pico calcule el V
CEQ
, busque en las
hojas de especificaciones el V
CEsat
para la I
CQ
de diseo.
CEsat P CEQ
V V V + = ;
ca CQ p
R I V - - = 9 . 0
d) Proponga Vcc= 1.8
*
I
CQ *
R
C ,
ajustndolo al siguiente valor entero.
e) Determine R
E
mediante la siguiente ecuacin:
E C
CC
cd ca
CC
CQ
R R
V
R R
V
I
+
=
+
=
5 . 1

L C ca
R R R = y
C E cd
R R R + =
f) Ajuste R
E
al siguiente valor comercial (menor que R
E
calculada en caso de
requerirse). Con esta R
E
recalcule
CE C E CQ CC
V R R I V + + = ) (

47
g) Determine R
BB
asegurndose que el sistema sea estable, busque en las hojas de
especificaciones la del transistor utilizado.
E
R 0.1 R
min BB
= ;
tip
| | 7 . 0
min
=
h) A travs de la ecuacin de la malla de entrada encuentre V
BB

) (
|
BB
E CQ BE BB
R
R I V V + + =
i) Determine R
1
y ajstela al valor comercial mayor ms cercano, que pueda
implementar con no ms de 2 resistencias.
|
|
.
|
\
|
=
CC
BB
BB
V
V
R
R
1
1

j) Finalmente determine R
2

|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= 1
1 2
BB
CC
V
V
R R
2. Verifique experimentalmente que el punto de operacin I
CQ
, V
CEQ
corresponda al valor
de diseo.
3. Aplique seal al circuito para tener en la salida una seal de 1 Vpp sin distorsin
medida en el osciloscopio y mida la seal pico a pico en la base del transistor v
i

(es
posible que requiera colocar una resistencia en serie con el generador para provocar un
divisor de voltaje con la impedancia de entrada del amplificador, como muestra la
figura 9.2.
Determine R
X
con base en el divisor de voltaje formado por (R
X
+R
f
) y la impedancia de
entrada del amplificador; adems del nivel de seal requerido en la base.
V
f
R
f
R
X
C
i
Generador
de
funciones
Conectar a la
base del
transistor

Una vez visualizada la seal de 1 V
pp
en la carga, calcule la ganancia de voltaje del circuito
de la ecuacin:
pp
i i
o
V
v v
v
pp
V 1
= = A
4. Haga R
L
=0 (cortocircutela con un cable) y mida de nuevo v
i
cuando la fuente de seal
esta conectada al circuito. Desconecte ahora la fuente de seal y mida v
f
. Calcule el
valor de la impedancia de entrada del amplificador Z
i
, despejando de las ecuaciones del
divisor de tensin:

48
X f i
i
R R Z
Z
+ +
=
f
i
v
v
Conociendo el valor de la impedancia de entrada del amplificador encuentre h
ie.
ie BB i
h R Z =
5. Cortocircuite el condensador Ci a tierra e inserte una resistencia en serie con R
f
de 4.7
k, como muestra la figura 7.3. Aplique seal al circuito de manera que v
c
= 2 V
pp
.
Desconecte la fuente y mida v
f
.

Figura 7.3 Circuito para determinar la impedancia de salida para la configuracin emisor
comn

6. Calcule la impedancia de salida del amplificador mediante
4.7k R Z
Z
f o
o
+ +
=
f
c
v
v
Calcule la admitancia de salida del transistor h
oe
despejando de la ecuacin
) (1/h R Z
oe c o
=
7. De la expresin de ganancia de voltaje del circuito
ie
oe
L C fe
h
)
h
1
R (R h
= = A
i
o
V
v
v

y con los resultados experimentales obtenidos de
v
, h
ie
y h
oe
, evale la ganancia de
corriente a pequea seal h
fe
del transistor para este circuito. Compare su resultado con el
valor especificado por el fabricante.
8. De la expresin
BQ
I
T
V
hie
q
= ; donde
T
V = 25.8 mV, deduzca el valor de del transistor.
9. De la expresin
L
i
R
Z
V i
A = A
Deduzca el valor de la ganancia de corriente del circuito.

49
SUGERENCIAS
Para todos los diseos que se haga es recomendable se simulen antes de realizarlos prcticamente;
el paquete computacional ms adecuado para hacerlo es el Pspice para Windows.
Para verificar que el diseo funcion adecuadamente, los valores de corrientes y voltaje de
polarizacin logrados simulada y prcticamente (I
C
y V
CE
) debern ser muy parecidos a los que se
obtengan de forma terica. As tambin el comportamiento prctico a pequea seal deber estar
acorde a las especificaciones de diseo.

PRCTICA X

DISEO DE AMPLIFICADOR COLECTOR COMN

OBJETIVOS:
- Establecer mtodos para el diseo del amplificador colector comn.

PRE REPORTE:
- Elaborar diseo y comprobar su funcionamiento mediante simulacin.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

51
En general el proceso de diseo de un amplificador implica el obtener los valores
adecuados de los elementos para que este tenga un comportamiento a pequea seal
determinado segn la aplicacin. Usualmente un amplificador colector comn o tambin
llamado seguidor emisor, es aplicado para acoplar impedancias, lo que significa que su
ganancia en voltaje deseada tender a ser unitaria.
Con el requerimiento a pequea seal de
V
unitaria y el conocimiento de la resistencia de
carga, a travs del procedimiento de diseo descrito en esta prctica, se puede obtener los
valores de los elementos resistivos que constituirn el amplificador colector comn. Es
importante sealar que el diseo aqu expuesto considera que la seal de entrada estar
dentro del ancho de banda, por lo que no se dimensionan los elementos capacitivos.
La seleccin del transistor BJT a utilizar depender de la ganancia en corriente deseada y/o
potencia a disipar.

I. MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO
1 Fuente de c.d.
1 Osciloscopio
1 Generador de seales
1 Multmetro
1 Transistor 2N2222A
- Capacitores a 50 volts (2-10F)

1. Disee un amplificador colector comn, como el de la figura 10.1, para una carga de
4.7 k, tal que se tenga una salida de 10 V
pp
, y sea estable a cambios de .

Figura 10.1 Amplificador colector comn

52
a) Obtener la I
CQ
requerida para que el amplificador se comporte de acuerdo a las
caractersticas de diseo descritas. Para mxima transferencia de potencia haga R
e
=R
L
, para
la obtencin de I
CQ
utilice la ecuacin que determina la mxima amplitud pico-pico para la
configuracin
ca CQ opp
R I V - - = 8 . 1 ;
L e ca
R R R =
NOTA: el amplificador colector comn usualmente es utilizado como acoplador de
impedancias, de tal forma se desea que la ganancia en voltaje sea aproximadamente la
unidad, para ello verifique que la I
CQ
obtenida haga que la h
ie
sea por lo menos diez veces
menor que (+1)(R
e
R
L
)
b) Calcular V
CEQ
considerando que el voltaje pico es la mitad del voltaje pico-pico de
salida deseada. Busque en las hojas de especificaciones el V
CEsat
para la I
CQ
de diseo.
CEsat P CEQ
V V V + = ; V
p
=V
pp
/2
c) Calcule V
CC
mediante el anlisis de cd en la malla de salida
CEQ e CQ CC
V R I V + = ) (
d) Para que el sistema sea estable a cambios de calcule R
BB
de acuerdo a la siguiente
ecuacin
e BB
R R | 1 . 0 =
e) A travs de la ecuacin de la malla de entrada encuentre V
BB

) (
|
BB
e CQ BE BB
R
R I V V + + =
f) Determine R
1
y ajstela al valor comercial mayor ms cercano, que pueda implementar
con no ms de 2 resistencias.
|
|
.
|
\
|
=
CC
BB
BB
V
V
R
R
1
1

g) Finalmente determine R
2

|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= 1
1 2
BB
CC
V
V
R R
h) Calcule la impedancia de entrada, ganancia en voltaje y corriente obtenida para el
amplificador colector comn diseado.
| | ) R 1)(R ( h R Z
L e ie BB i
+ + =
( )
( )
L e ie
L e
R R h
R R
+
= Av

53
L
i
R
R
v i A = A
2. Verifique experimentalmente que el punto de operacin I
CQ
, V
CEQ
corresponda al valor
de diseo.
3. Aplique seal al circuito para tener en la salida una seal de 1 Vpp sin distorsin
medida en el osciloscopio y mida la seal pico a pico en la base del transistor V
i.
Una
vez visualizada la seal de 1 V
pp
en la carga, calcule la ganancia de voltaje del circuito
de la ecuacin:
pp
i
pp
i
o
V
v
V
v
v
1
= = A
4. Haga R
L
=0 (cortocircutela con un cable), y agregue una resistencia R
X
en serie a R
f
de
la magnitud de Z
i
terica calculada en el inciso h (aproxmela a un valor comercial), ver
figura 10.2. Mida de nuevo v
i
cuando la fuente de seal esta conectada al circuito.
Desconecte ahora la fuente de seal y mida v
f
. Calcule el valor de la impedancia de
entrada del amplificador Z
i
, despejando de las ecuaciones del divisor de tensin:
X f i
i
R R Z
Z
+ +
=
f
b
v
v
Conociendo el valor de la impedancia de entrada del amplificador (expresada en el inciso h)
encuentre h
ie.


5. Cortocircuite el condensador Ci a tierra e inserte una resistencia en serie con R
f
de 1
k, como muestra la figura 10.3. Aplique seal al circuito de manera que v
c
= 2 V
pp
.
Desconecte la fuente y mida v
f
.
Calcule la impedancia de salida del amplificador mediante
k R Z
Z V
V
f o
o f
c
1 + +
=
6. Con los resultados experimentales obtenidos de
v
, Z
i
deduzca la ganancia de corriente
lograda para el circuito diseado.
L
i
R
Z
- A = A
V i

54

Figura 10.3 Circuito para determinar la impedancia de salida para la configuracin colector
comn

PRCTICA XI

CURVAS CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR
DE EFECTO DE CAMPO (FET)

OBJETIVOS:
- Obtener la caracterstica de salida del transistor de efecto de campo (JFET).
- Obtener la curva de I
D
V
GS
del transistor de efecto de campo (JFET).

PRE- REPORTE:
- Investigar funcionamiento del FET.
- Llevar hojas de especificaciones del FET utilizado en la prctica.
- Realizar toda la prctica mediante simulacin.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

56
El FET es un dispositivo de tres terminales que contiene una unin bsica p-n y que puede
construirse como un FET de unin (JFET) o un semiconductor metal-xido FET
(MOSFET). Los circuitos integrados en grande y muy grande escala se construyen
principalmente utilizando transistores MOSFET. La estructura fsica y el smbolo del JFET
se muestran en la figura 11.1.

Figura 11.1 Estructura fsica y smbolo de un JFET: a) Canal n, b) Canal p
En la figura 11.2 se observan las curvas caractersticas del transistor JFET, las cuales son
un grfico de la corriente de drenador (I
D
), como una funcin del voltaje compuerta-
surtidor (V
GS
); ver figura 11.2b; as como las curvas caractersticas de salida (V
DS
-I
D
) para
diferentes valores de V
GS
; ver figura 11.2a.

Figura 11.2 Curvas caractersticas del JFET: a) De transferencia ; b) De salida
Dos puntos importantes a observar en la caracterstica de transferencia son los valores I
DSS

y V
P
, el primero se da para V
GS
= 0 y es la mxima corriente (I
D
) que puede circular por el
JFET, y el segundo cuando V
GS
= V
P
es el voltaje necesario para cerrar el canal o sea que
I
D
= 0. La ecuacin del comportamiento del JFET es:
2
) 1 (
p
GS
DSS D
V
V
I I = , siendo I
DSS
y V
P

valores constantes dados por el fabricante.

57
1 Fuente de c.d.
2 Multmetros
1 Tabla experimental
1 Resistencia a W de 2.2 k
1 Transistor JFET 2N5458

OBTENCIN DE LAS CURVAS CARACTERSTICAS PARA EL JFET.
1. Arme el circuito de la figura 11.3.

Figura 11.3 JFET de canal-n
2. Conforme los valores de la tabla I, vare el valor de la fuente V
DD
y mida los valores de
I
D
y V
DS
, para cada valor de V
GS
.

Tabla II. Mediciones para obtener las curvas caractersticas del JFET.
V
GS
=0 V
GS
=-0.5 V
GS
=-1 V
GS
=-1.5 V
GS
=-2 V
GS
=-3 V
GS
=-5
V
DD
(V)
I
D
V
DS
I
D
V
DS
I
D
V
DS
I
D
V
DS
I
D
V
DS
I
D
V
DS
I
D
V
DS

0
0.5
1
2
3
5
7
9
12
15
18
20

58
ACTIVIDADES COMPLEMENTARIAS:
1. Con los datos obtenidos en la tabla I, grafique la caracterstica de salida para el JFET de
canal n como se muestra en la figura 11.2b.
2. Identifique la regin de triodo, de corte y de saturacin en la caracterstica de salida.
3. Para un valor V
DS
constante, tome de la grfica los valores de V
GS
e I
D
y grafique la
caracterstica V
GS
I
D
como en la figura 11.2a.
4. De esta segunda grfica, obtenga los valores I
DSS
y V
P
.
5. Investigue qu parmetros proporciona el fabricante de los transistores JFET.

SUGERENCIAS:
Para el llenado de la tabla 1, recuerde que se debe de ajustar el V
GS
a voltajes negativos. Esto se
puede lograr de diferentes maneras, una de ellas es seleccionar el modo serie de la fuente de c.d.,
donde quedar una tierra comn (esta se puede tomar de la terminal positiva o negativa que quedan
adjuntas entre las fuentes variables A y B), un voltaje positivo (la terminal roja sobrante) y un
voltaje negativo (la terminal negra sobrante), para este modo de operacin se tendr el mismo
voltaje en ambas terminales pero con signo contrario, la magnitud del voltaje se controlara con la
fuente A y la fuente B habr que ponerse en cero para evitar errores (puede marcarse un corto, si la
fuente B esta en un valor mayor que A).
Otra forma de lograr un voltaje negativo con la fuente de C. D., es uniendo las terminales
adyacentes (positiva y negativa) entre las fuentes variables A y B, y seleccionando el modo
independiente en la fuente.
De esta unin se obtendr la tierra comn, en la terminal positiva sobrante habr un voltaje positivo
(V
DD
) y en la terminal negativa restante quedara un voltaje negativo (V
GG
), que ser el que se tendr
que variar para ajustar el V
GS
al valor negativo correspondiente. La cualidad de este modo de
operacin es que la magnitud de los voltajes es independiente y se ajustan con la perrilla
correspondiente.
Recuerde que con los datos de la tabla 1, se recuperar la curva de transferencia (Figura 11.2a) y las
curvas caractersticas de salida (Figura 11.2b) del JFET.

PRCTICA XII

POLARIZACIN Y PEQUEA SEAL DE
AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR DE EFECTO
DE CAMPO (FET)

OBJETIVOS:
- Observar los diferentes circuitos de polarizacin de transistores de efecto de
- campo (FET).
- Obtener la recta de carga de salida.
- Relacionar el punto de polarizacin con la respuesta a pequea seal del
amplificador.
- Visualizar el comportamiento de las configuraciones fuente comn y drenaje
comn.

PRE- REPORTE:
- Llevar hojas de especificaciones de los dispositivos utilizados.
- Realizar la prctica mediante simulacin para presentar resultados de polarizacin y
comportamiento a pequea seal.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

60
Al igual que los transistores de unin bipolar (BJT) los transistores de efecto de campo
(FET) deben contar con polarizacin en c.d., la cual permite determinar la regin de
operacin del dispositivo de acuerdo a la aplicacin requerida.
En la polarizacin de FETs se pueden emplear algunos mtodos que se utilizan en los
BJTs, sin embargo no todas resultan adecuadas ya que el funcionamiento bsico de ambos
transistores son diferentes:
El BJT es un dispositivo controlado por corriente; es decir, la corriente de salida
(I
C
) est en funcin de la corriente de entrada (I
B
) y la relacin entre ellas es lineal y
depende de la h
fe
.
El FET es un dispositivo controlado por voltaje; la corriente de salida (I
D
) depende
del voltaje de entrada (V
GS
) y la relacin entre estos parmetros no es lineal.
Tambin en el FET la recta de carga determina el punto de operacin del transistor tal como
se observa en la figura 12.1, en donde se considera la regin de corte (I
D
=0) y el nivel de
saturacin (I
D
=I
DSS
/2).

Figura 12.1 Curva de transferencia y recta de carga de c.d.
Tanto en el BJT como en el FET, el punto de polarizacin, especficamente la corriente de
salida, fija la transconductancia (g
m
) del dispositivo, lo que determinar el comportamiento
a pequea seal segn la configuracin utilizada. La transconductancia es una medida del
cambio en la corriente de drenaje para un cambio en la tensin compuerta-fuente, esta vara
de acuerdo al punto de polarizacin y se puede obtener a travs de:
)
V
V
(1
V
2I
g
P
GS
p
DSS
m

=

1 Fuente de c.d.
1 Osciloscopio con 2 puntas de prueba
2 Multmetros

61
1 Transistores 2N5458
1 Dcada de resistencias
- Resistencias a W (2.2 k (1), 4.7 k (3), 470 k (1), 1M (1), 1.5M (1), 2.2 M (1))
- Condensadores a 25V (1F (1), 4.7f (2))

DESARROLLO EXPERIMENTAL:
1. Identifique las terminales fuente (S), drenaje (D) y compuerta (G) del transistor y
verifique, utilizando el multmetro en la posicin de prueba de diodos, que opere
correctamente (pida ayuda al instructor en caso necesario).
2. Implemente el circuito de la figura 12.2. utilizando R
D
=2.2 k, V
DD
=15V y V
GG
para lograr
los valores de V
GG
mostrados en la tabla I.

Figura 12.2 Circuito de polarizacin mediante polarizacin fija
3. Mida y anote la corriente I
D
y el voltaje V
DS
correspondiente a cada V
GS
.
Tabla I. Mediciones para el circuito de la figura 12.2
V
GS
I
D
V
DS
R
DS

0
-0.5
-0.8
-1.0
-1.2
-1.5
-1.8
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0

62
4. Implemente el circuito polarizado mediante divisor de voltaje de la figura 12.3.,
coloque R
D
=R
S
=4.7 k, R
2
=470 k, V
DD
=25V, R
1
=dcada de resistencias. Observe en la
tabla II los valores que debe tomar R
1
.
RD
VDD
+
-
VD
ID
G
D
S
RS R1
R2
VG
+
-
+
-
VS

Figura 12.3 Circuito de polarizacin mediante divisor de voltaje
5. De acuerdo a los valores de R
1
que se muestran en la tabla II, mida los valores de
voltaje V
GS
, V
DS
y la corriente de salida I
D
. Calcule la resistencia esttica del transistor R
DS
.
D
DS
DS
I
V
R =
Tabla II. Mediciones para el circuito polarizado mediante divisor de voltaje
R
1
(k) V
GS
I
D
V
DS
R
DS

4.7
6.8
8.2
10
56
82
100
390
560
820
1000
1500
2200

6. Complemente el circuito anterior para trabajarlo a pequea seal de acuerdo a la figura
12.4, la seal v
i
deber ser una seal senoidal proporcionada por el generador de funciones
a una frecuencia de 1 kHz y amplitud de 200 mV. Adems R
L
=4.7 k, C
i
=C
o
=1F,
C
D
=4.7F.

63

Figura 12.4 Amplificador fuente comn con capacitor de desvo.
7. Obtenga la ganancia en voltaje para valores de R
1
de 4.7 k, 100 k y 2200 k,
antelos en la tabla III. Prcticamente la ganancia en voltaje es la relacin del voltaje de
salida v
o
y el voltaje de entrada v
f
.
8. Qu sucede con la ganancia en voltaje del amplificador al variar R
1
?, Note como
cuando V
GS
disminuye, la transconductancia aumenta y por lo tanto la ganancia en voltaje
del amplificador aumenta. Compare la ganancia terica con la obtenida prcticamente, y a
partir de ello calcule r
d
.
) R R (r g
L D d m
= A
V

9. Por qu para R
1
de 2200 k en vez de amplificar el circuito atena?, relacione su
respuesta con la impedancia de salida del transistor (r
d
).
10. En el circuito de la figura 12.4, coloque en R
1
la resistencia de 4.7 k y quite la
resistencia de carga. Obtenga el valor de la ganancia de voltaje, concluya qu sucede.
Tabla III. Comportamiento de la ganancia en voltaje del amplificador fuente comn con
capacitor de desvo
R
1
V
GS
g
m

V
r
d

4.7 k
100 k
2200 k

11. Implemente el amplificador drenaje comn de la figura 12.5. Utilizando R
D
=R
S
=4.7
k, R
2
=470 k, V
DD
=25V. Ajuste el generador de seales para proveer una seal senoidal
de amplitud igual a 1 V
p
a 1 KHz. Vare R
1
de acuerdo a la tabla IV.
12. Obtenga la ganancia en voltaje de esta configuracin para las diferentes R
1
y antelas
en la tabla IV.
13. Concluya con respecto a su comportamiento.
) ( 1
) (
L S m
L S m
R R g
R R g
v
+
= A

64
RD
VDD
+
-
vo
G
D
S
RS R1
R2
RL
Co
Ci
Rf
Generador
de
funciones
vf
+
-
CD
vGS

Figura 12.5 Amplificador drenaje comn con capacitor de desvo.

Tabla IV. Comportamiento de la ganancia en voltaje del amplificador drenaje comn con
capacitor de desvo
R
1

V

4.7 k
100 k
2200 k

1. Consulte los manuales para obtener el valor de I
DSS
y V
P
que proporciona el fabricante de
acuerdo al FET utilizado en la prctica.
2. Grafique la curva de transferencia para cada circuito de polarizacin.
3. De acuerdo a las grficas obtenidas en el punto anterior trace la recta para cada circuito
de polarizacin.
4. Investigue el modelo equivalente de CD para el FET cuando se comporta como una
fuente de corriente y cuando se comporta como una resistencia.
5. Realice el anlisis terico para obtener las medidas de bondad de las configuraciones
fuente comn y drenaje comn contenidas en la prctica.

SUGERENCIAS
Para ajustar a los valores de R
1
que se piden en la tabla II se puede emplear una dcada de
resistencias, pero los ltimos cuatros valores de R
1
que se requieren la tabla no se podrn lograr con
la dcada, por lo que habr que usar resistencias con los valores especificados.
Con los datos que se obtengan el las tablas I y II, se recuperar la curva de transferencia del JFET
(Figura 12.1).

PRCTICA XIII

DISEO DEL AMPLIFICADOR FUENTE COMN

OBJETIVOS:
- Disear amplificadores fuente comn
- Comprobar medidas de bondad de amplificadores fuente comn

PRE- REPORTE:
- Realizar diseo del amplificador contenido en la prctica.
- Obtener mediante simulacin las medidas de bondad del amplificador diseado.

ID
Pre_reporte
Trabajo en equipo
Revisin
Evaluacin

66
Dada las caractersticas fsicas de los amplificadores de efecto de campo se conoce que
estos tipos de transistores poseen una muy alta impedancia de entrada (10
9
), por lo que la
corriente de entrada en la terminal de compuerta es nula, por lo tanto se pueden hacer dos
afirmaciones:
1) La seal de salida (corriente en drenaje) depende de la magnitud de voltaje en la
entrada
2) La corriente en la terminal de drenaje y fuente son de la misma magnitud.
El parmetro que relaciona la corriente de salida con el voltaje en la entrada es conocido como
transconductancia, la cual se puede calcular a travs de la ecuacin 12.2
) 1 (
2
p
GS
p
DSS
cte VDS
GS
D
m
V
V
V
I
V
I
g
-
=
A
A
=
>
(12.1)

En las hojas de especificaciones del fabricante podemos obtener el valor de la corriente de
drenaje a fuente de saturacin (I
DSS
) y el voltaje de oclusin (V
p
), se encuentran como I
DSS
y
V
GSoff
respectivamente. De igual forma el fabricante proporciona la impedancia de salida
(r
d
), la cual se encuentra en el rango de 100 k a 20 k, comnmente aparecen como y
os
.

El modelo a pequea seal a frecuencias medias para un transistor de JFET es descrito a partir de la
transconductancia e impedancia de salida del transistor, como se muestra figura 13.1.

Figura 13.1 Modelo a pequea seal del JFET a frecuencias medias.

1 Fuente de c.d.
1 Osciloscopio
1 Multmetro
1 Transistor 2N5458
- Capacitores a 25 volts (1F (2), 4.7F (1))

67

1. Disee un amplificador fuente comn, como el de la figura 13.1, para una carga de 10
k y que se tenga una seal de salida de 10 V
pp
, utilice el transistor 2JN5458.

Figura 13.1 Amplificador fuente comn con capacitor de desvo.

a) Obtenga la I
DQ
requerida para lograr la excursin de salida pico deseada (v
op
), con
este valor seleccione el transistor a utilizar buscando que la I
DSS
tpica sea al menos
4 veces mayor que la I
DQ
requerida. Para mxima transferencia de potencia
considere R
D
igual a R
L
.
ca DQ
R I - =
op
v ;
L D ca
R R R =

Para la prctica nicamente verifique que la I
DQ
quede dentro del rango especificado.
b) Para dar asegurar el cumplimiento de la excursin se dar un margen del 20% a la
corriente de drenaje de polarizacin utilizada para los clculos del diseo.
DQ DQ
I * 1.2 I =
c) Calcule la corriente de drenaje pico mxima y mnima.
)
R
V
( I I
ca
op
DQ Dmin
=

)
R
V
( I I
ca
op
DQ Dmax
+ =

d) Calcular el V
GS
que se tendra en los niveles de corriente mnimo y mximo.
Utilizar el voltaje de estrechamiento y corriente de drenaje a fuente de saturacin en
los niveles de sus curvas mnimas y mximas segn corresponda.
min
min
min min
1 (
IDSS
I
V V
D
p GS
= )
max
max
max max
1 (
IDSS
I
V V
D
p GS
= )

e) Calcular el valor de R
S
utilizando los puntos mximos y mnimos. Ajuste al valor
comercial ms cercano que pueda implementar con no ms de dos resistencias.

68
min max
min max
DQ DQ
GS GS
S
I I
V V
R
=
f) Obtener V
DSQ
utilizando el voltaje mximo de estrechamiento V
p
.
op
v + + =
GSmax
Pmax DSQ
V V V ;
g) Obtener V
DD
mediante el anlisis de cd en la malla de salida.
DSQ S D DQ DD
V R R I V + + = ) (
h) A travs de la ecuacin de la malla de entrada calcular V
GG
para cumplir el punto de
polarizacin requerido.
max max GS S DQ GG
V R I V + = ;
i) Con la impedancia de entrada deseada, considrela de 100 k, determine R
1
y
ajstela al valor comercial mayor ms cercano, que pueda implementar con no ms
de 2 resistencias.
|
|
.
|
\
|
=
DD
GG
GG
V
V
R
R
1
1

j) Finalmente determine R
2

|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= 1
1 2
GG
DD
V
V
R R
k) Calcule el rango en el cual se debe encontrar la ganancia en voltaje del amplificador
fuente comn diseado.
) (
L
D m
R R g v = A ; )
V
V
(1
V
2I
g
p
GS
p
DSS
m
=

2. Ajuste el generador de seales a 1 kHz y amplitud suficiente para que v
o
= 1V
pp
. Mida la
seal v
f
(pico a pico) utilizando el osciloscopio y calcule la ganancia de voltaje
experimental.
pp
f f
o
v v
v
v
pp
V 1
= = A
3. Una vez ajustado a 1 V
pp
la seal de voltaje en la terminal de drenaje (v
o
), desconecte la
carga y vuelva a medir el voltaje pico a pico en la terminal de drenaje (v
sl
). Calcule la
impedancia de salida R
o
del amplificador utilizando el principio de divisor de tensin y
el equivalente de thvenin en la salida del circuito, como se muestra en la figura 13.2.

Figura 13.2 Circuito para calcular impedancia de salida.

69
) R (R
R *
V 1
O L
L
pp
+
= =
pp
sl
o
v
v
4. Utilizando el circuito de la figura 13.3 con interruptor cerrado para v
o
= 1 Vpp, mida v
f

(observe que se ha aadido una resistencia de 100 k en serie con la fuente de seal)
para medir v
i
. Enseguida abra el interruptor y mida v
f
. Utilice de nuevo el equivalente de
thvenin y divisores de tensin para evaluar la impedancia de entrada del circuito.

Figura 13.3 Circuito para evaluar la impedancia de entrada.

R R k 100
R *
R R
R *
i f
i
i f
i
+ +
=
+
=
f f
i
v v
v

Observe que R
i
es el paralelo de la impedancia de entrada de la configuracin fuente
comn con la impedancia de entrada del osciloscopio, y R
x
es el paralelo de la impedancia
de entrada del transistor con R
GG
.
osc x i
R R R = ;
i GG x
R R R =
5. Calcule la ganancia en corriente de la configuracin.
L
i
R
R
v i A = A

Manual Dispositivos 1 2010

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