Apostila Tecmat 2010 Udesc

Prof.
Carlos Eduardo Tavares

2009

Cincia e Tecnologia dos Materiais

NDICE

CAPTULO I .................................................................................................................................................... 2
PROPRIEDADES GERAIS DOS MATERIAIS.............................................................................................. 2
1.1 Introduo .......................................................................................................................................... 2
1.2 Ligaes Qumicas (Reviso) ............................................................................................................ 3
1.2.1 Ligao Inica .............................................................................................................................. 4
1.2.2 Ligao Covalente ....................................................................................................................... 5
1.2.3 Ligao Metlica .......................................................................................................................... 5
1.2.4 Ligaes Secundrias ................................................................................................................... 6
1.3 Propriedades Fsicas ........................................................................................................................... 6
1.3.1 Massa, volume e densidade.......................................................................................................... 6
1.3.2 Estado Fsico ................................................................................................................................ 7
1.4 Propriedades Eltricas ........................................................................................................................ 8
1.4.1 Condutividade e Resistividade Eltrica ....................................................................................... 8
a) Conduo nos slidos ..................................................................................................................... 10
b) Conduo nos lquidos.................................................................................................................... 10
c) Conduo nos gases ........................................................................................................................ 10
1.4.2 Resistncia e Condutncia Eltrica ............................................................................................ 11
1.4.3 Permissividade Dieltrica .......................................................................................................... 12
1.4.4 Rigidez Dieltrica ...................................................................................................................... 13
1.5 Propriedades Magnticas ................................................................................................................. 13
1.5.1 Permeabilidade e Susceptibilidade Magntica ........................................................................... 13
1.6 Propriedades Mecnicas ................................................................................................................... 14
1.6.1 Deformao nos metais .............................................................................................................. 14
1.6.2 Outras propriedades mecnicas .................................................................................................. 16
1.7 Propriedades Trmicas ..................................................................................................................... 16
1.8 Propriedades Qumicas .................................................................................................................... 18
1.8.1 Radiao ..................................................................................................................................... 18
1.8.2 Oxidao .................................................................................................................................... 18
1.8.3 Corroso ..................................................................................................................................... 19
1.9 Propriedades pticas ....................................................................................................................... 20
1.9.1 Refrao ..................................................................................................................................... 20
1.9.2 Reflexo ..................................................................................................................................... 21
1.9.3 Absoro .................................................................................................................................... 21
1.10 Bandas de Energia....................................................................................................................... 22
1.11 Classificao dos Materiais Eltricos ......................................................................................... 22
CAPTULO II ................................................................................................................................................. 23
MATERIAIS CONDUTORES ....................................................................................................................... 23
2.1 Introduo ........................................................................................................................................ 23
2.2 Caractersticas dos Condutores ........................................................................................................ 24
2.2.1 Variao da resistividade com a temperatura e a freqncia .................................................... 24
2.2.2 Resistncia de contato nos metais ............................................................................................. 26
2.3 Materiais de elevada condutividade ................................................................................................. 26
2.3.1 Cobre e suas Ligas ..................................................................................................................... 26


2.3.2 Alumnio e suas Ligas ................................................................................................................ 29
2.3.3 Chumbo (Pb) .............................................................................................................................. 31
2.3.4 Estanho (Sn) ............................................................................................................................... 31
2.3.5 Prata (Ag) ................................................................................................................................... 32
2.3.6 Ouro (Au) ................................................................................................................................... 32
2.3.7 Platina (Pt) ................................................................................................................................. 33
2.3.8 Mercrio (Hg) ............................................................................................................................ 33
2.3.9 Zinco (Zn) .................................................................................................................................. 33
2.3.10 Cdmio (Cd)............................................................................................................................. 34
2.3.11 Nquel (Ni) ............................................................................................................................... 34
2.3.12 Cromo (Cr) ............................................................................................................................... 35
2.3.13 Tungstnio (W) ........................................................................................................................ 35
2.3.14 Ferro (Fe) ................................................................................................................................. 36
2.3.15 Carvo, Carbono e Grafite ....................................................................................................... 37
2.4 Materiais de elevada Resistividade .................................................................................................. 39
2.4.1 Ligas de Aquecimento ............................................................................................................... 39
2.4.2 Ligas de Medio ....................................................................................................................... 40
2.4.3 Ligas de Regulao .................................................................................................................... 40
2.5 Aplicaes ........................................................................................................................................ 41
2.5.1 Resistores ................................................................................................................................... 41
2.5.2 Fusveis ...................................................................................................................................... 45
2.5.3 Bimetais ..................................................................................................................................... 48
2.5.2 Fios e cabos condutores ............................................................................................................. 52
2.6 Supercondutores ............................................................................................................................... 53
CAPTULO III ................................................................................................................................................ 58
MATERIAIS ISOLANTES ............................................................................................................................ 58
3.1 Polarizao Dieltrica ...................................................................................................................... 58
3.2 Materiais Isolantes de Uso Industrial mais Freqente ..................................................................... 59
3.3 Aplicaes ........................................................................................................................................ 61
3.3.1 Capacitores ................................................................................................................................. 61
3.4 Comportamento dos dieltricos em Servio .................................................................................... 68
3.4.1 Resistncia de Isolamento .......................................................................................................... 68
3.4.2 Resistncia Superficial ............................................................................................................... 68
3.4.3 Rigidez Dieltrica ...................................................................................................................... 69
3.4.4 Rigidez Dieltrica Superficial .................................................................................................... 69
3.4.5 Ruptura dos Dieltricos.............................................................................................................. 69
3.4.6 Efeito Corona ............................................................................................................................. 69
CAPTULO IV................................................................................................................................................ 70
MATERIAIS SEMICONDUTORES ............................................................................................................. 70
4.1 Nveis de Energia ............................................................................................................................. 71
4.2 Valncia ........................................................................................................................................... 72
4.3 Bandas de Energia............................................................................................................................ 73
4.4 Materiais Intrnsecos ........................................................................................................................ 73
4.5 Conduo Eltrica nos Semicondutores........................................................................................... 74
4.6 Semicondutores do Tipo N e P ........................................................................................................ 74
4.7 Aplicaes ........................................................................................................................................ 75
4.7.1 Diodo Semicondutor .................................................................................................................. 75
4.7.2 Transistor de Juno Bipolar ..................................................................................................... 81
4.7.3 Transistor de Unijuno ............................................................................................................. 84


4.7.4 Transistor de Efeito de Campo .................................................................................................. 85
4.7.6 Retificador controlado de silcio ................................................................................................ 88
4.7.7 Termistores ................................................................................................................................ 88
4.7.8 Fotocondutores ........................................................................................................................... 89
4.7.9 Clulas Fotovoltaicas ................................................................................................................. 90
CAPTULO V ................................................................................................................................................. 93
MATERIAIS MAGNETICOS ....................................................................................................................... 93
5.1 Classificao dos Materiais Magnticos .......................................................................................... 94
5.2 Caractersticas dos Materiais Magnticos ........................................................................................ 96
5.2.1 Retentividade ............................................................................................................................. 96
5.2.2 Relutncia .................................................................................................................................. 96
5.2.3 Permencia ................................................................................................................................. 96
5.2.4 Permeabilidade ........................................................................................................................... 96
5.2.5 Permeabilidade Relativa ............................................................................................................ 97
5.2.6 Meios de Propagao do Fluxo Magntico ................................................................................ 97
5.2.7 Intensidade de Campo Magntico .............................................................................................. 97
5.2.8 Densidade de Fluxo.................................................................................................................... 98
5.2.9 Fora Magnetomotriz ................................................................................................................. 99
5.2.10 Curva de Magnetizao (BxH) ................................................................................................ 99
5.2.11 Lao de Histerese ................................................................................................................... 100
5.3 Lei de Faraday e Lei de Lenz ......................................................................................................... 102
5.4 Circuitos Magnticos Equivalentes ................................................................................................ 103
5.4.1 Circuito Magntico em Entreferro de Ar ................................................................................. 105
5.5 Aplicaes dos Materiais Magnticos ........................................................................................... 107
5.3.1 Eletroms ................................................................................................................................ 108
5.3.2 Rels ......................................................................................................................................... 109
5.3.3 Contatores ................................................................................................................................ 110
5.3.4 Disjuntores Termo-magnticos ................................................................................................ 111
5.3.5 Campainha ............................................................................................................................... 115
5.3.6 Motores e Geradores Eltricos ................................................................................................. 115
5.3.7 Transformadores ...................................................................................................................... 117
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS .......................................................................................................... 118


2

CAPTULO I

PROPRIEDADES GERAIS DOS MATERIAIS

1.1 Introduo

O objetivo da disciplina Cincia e Tecnologia dos Materiais habilitar os estudantes de
Engenharia Eltrica a distinguir e recomendar os diversos materiais utilizados em equipamentos
e componentes eltricos e magnticos, correlacionando as propriedades dos metais, ligas,
materiais cermicos, semicondutores, plsticos e outros tipos de polimerizados com suas
propriedades estruturais, alm de conhecer as tendncias atuais e perspectivas futuras no
campo da cincia dos materiais
Apesar do enorme progresso ocorrido na rea de engenharia e cincia dos materiais nos
ltimos anos, ainda h desafios tecnolgicos, inclusive consideraes sobre o impacto ambiental
da produo dos materiais. A grande maioria dos engenheiros em algum ponto de sua
carreira se deparar com algum problema de projeto envolvendo a seleo de materiais. No
existe um conjunto padro de procedimentos a serem seguidos na escolha de materiais corretos
para determinada aplicao. Cada situao diferente e requer conhecimento sobre os
materiais e sobre as condies s quais eles estaro sujeitos. Entretanto existem alguns pontos
gerais que fornecem um ponto de partida:
- Qualquer material selecionado precisa possuir propriedades consistentes com as
condies de servio;
- necessrio considerar os efeitos das mudanas destas condies para fora
dos limites da normalidade;
- Para selecionar um material apropriado, primeiro liste os materiais possveis e
ento elimine alguns em funo das caractersticas no adequadas em relao s
propriedades, ou ainda, falta de segurana ou custo. Se os materiais restantes
na lista no preencherem os requisitos h ainda algumas opes, tais como
tratar os materiais de maneira apropriada (trmica ou quimicamente), mudar o
ambiente de servio, produzir uma liga que tenha os efeitos especficos
desejados, etc.
Este primeiro captulo apresenta uma reviso sobre ligaes qumicas e conceitos
bsicos relacionados s propriedades eltricas, mecnicas, trmicas, qumicas, etc. Nos
captulos seguintes sero vistos os materiais condutores, semicondutores, isolantes e
magnticos.


3

1.2 Ligaes Qumicas (Reviso)

O tomo composto por um ncleo circundado por eltrons. O
ncleo composto por prtons e nutrons. Os eltrons so partculas
carregadas e com 1/1836 da massa de um nutron.
A carga do eltron convencionalmente negativa. Como os
eltrons so componentes de todos os tomos, sua carga eltrica
freqentemente tomada como unidade. Em unidades fsicas, a carga do
eltron vale 1,6 x 10-19 C.
Sabemos que um prton possui uma carga que numericamente
igual a do eltron, s que de sinal oposto. Por exemplo, o tomo de
hidrognio, o mais simples de todos, composto de um prton e de um eltron e eletricamente
neutro.
De uma forma simplificada, um tomo de um certo elemento pode ser considerado
como sendo uma combinao de prtons e nutrons em um ncleo circundado por
eltrons. Como a massa de um eltron 0,0005 da massa de um prton ou de um nutron, a
massa total de um tomo aproximadamente proporcional ao nmero de prtons e nutrons no
ncleo. A massa atmica expressa em gramas por tomo-grama. Um tomo-grama
sempre contm 6,02x1023 tomos (nmero de Avogadro).

Massa do tomo = massa atmica
6,02x10
23

Com exceo da densidade e calor especfico, o fator massa atmica exerce uma
influncia relativamente pequena sobre as propriedades dos materiais. O nmero de eltrons
que circundam o ncleo de um tomo neutro mais significativo. Este nmero, denominado
nmero atmico, igual ao nmero de prtons no ncleo.
Os eltrons que circundam o ncleo do tomo no tm todos o mesmo nvel energtico,
sendo divididos em vrios nveis, com propriedades energticas diferentes (quatro
nmeros qunticos).
As atraes interatmicas, foras que mantm os tomos unidos, tambm
esto relacionadas estrutura eletrnica dos tomos. Em um fio de cobre estas foras so
fortes (caso contrrio o metal se deformaria facilmente), j nos gases nobres, tais como
He,Ne,A,etc, existe apenas uma pequena atrao pelos outros tomos porque eles possuem um
arranjo muito estvel de oito eltrons (2 para o He) na sua camada mais externa, chamada de
valncia. A maior parte dos outros elementos, ao contrrio dos gases nobres, deve adquirir
a configurao altamente estvel de oito eltrons na camada mais externa, atravs de um dos
seguintes mecanismos:
- recebendo eltrons,
- perdendo eltrons,
- compartilhando eltrons.


4
1.2.1 Ligao Inica

Este tipo de ligao resulta da atrao mtua entre ons positivos e negativos.
tomos de elementos como o sdio e clcio, com um e dois eltrons na camada de valncia,
respectivamente, perdem facilmente estes eltrons externos e se tornam ons positivos. Por
outro lado, os tomos de cloro e oxignio facilmente recebem um ou dois eltrons na camada
mais externa, respectivamente, de modo a completar oito eltrons nesta camada. "fora" que
o tomo tem de capturar eltrons dos outros (vencer o "cabo de guerra"), damos o nome de
eletronegatividade. Assim um tomo fortemente eletronegativo quando tem facilidade em
"roubar" os eltrons dos outros.

Aproximando um tomo altamente eletronegativo de um de baixa eletronegatividade, ele
captura eltrons tornando-se um on negativo e tornando o outro um on positivo. Como cargas
eltricas opostas se atraem, eles ficaro ligados por atrao eletromagntica e o tipo de ligao
ser chamada de ligao inica.

Ligao inica

Na realidade uma carga negativa atrada por todas as cargas positivas e uma
carga positiva por todas as negativas. No sal de cozinha, por exemplo, as ligaes entre os ons
sdio e cloreto so inicas. Conseqentemente os ons de sdio ficam envolvidos por ons
cloreto, e os ons cloreto por ons de sdio Geralmente ligaes inicas se formam entre um
metal e um ametal. O tomo do ametal tem uma configurao eletrnica semelhante a de um


5
gs nobre, quase totalmente preenchida de eltrons. Eles tem alta eletronegatividade, e
facilmente ganham eltrons formando um on negativo ou nion. Os dois ou mais ons logo se
atraem devido a foras eletrostticas. Ligaes desse tipo so mais fortes que ligaes de
hidrognio, e tm fora similar s ligaes covalentes.

1.2.2 Ligao Covalente

Este outro tipo de ligao forte. Se aproximarmos dois tomos de forte
eletronegatividade, um no ter fora para capturar o eltron do outro permanentemente. Ele
captura o eltron, mas o outro consegue captur-lo de volta e, alm de retom-lo, captura um
eltron do outro. Esse jogo fica se repetindo fazendo com que o par de eltrons (um de cada
tomo) fique orbitando pelos dois tomos. importante perceber que nesse caso no h
formao de ons. Esse tipo de ligao, onde no h transferncia definitiva de eltrons, e sim
compartilhamento do par, resultando em uma distribuio eletrnica mais estvel, designada
por ligao covalente.

Ligao covalente

Ligaes covalentes normalmente ocorrem entre tomos com eletronegatividades
similares e altas (geralmente entre dois no-metais), dos quais remover completamente um
eltron requer muita energia. Portanto, a ligao covalente implica em intensas foras de
atrao entre os tomos, o que evidenciado, por exemplo no diamante, que o material
mais duro encontrado na natureza e inteiramente constitudo por carbono. Outra
demonstrao da fora desta ligao covalente (onde cada tomo compartilha seus 4
eltrons da camada de valncia com 4 tomos adjacentes) tambm pode ser percebida
pela temperatura extremamente elevada (>3000
o
. C) a que pode ser aquecido antes da
destruio da sua estrutura.

1.2.3 Ligao Metlica

A ligao metlica outro tipo de atrao interatmica forte. Se um tomo apresenta
apenas uns poucos eltrons de valncia, estes podem ser removidos com relativa facilidade,
enquanto que os demais eltrons so firmemente ligados ao ncleo. Isto origina uma estrutura
formada por ons positivos e eltrons livres, como pode ser visto na figura a seguir.


6
Ligao metlica
1.2.4 Ligaes Secundrias

Existem tambm foras secundrias que ligam molculas umas s outras. Estas
ligaes so fracas em relao s outras. Estas foras aparecem a partir dos dipolos
atmicos ou moleculares.
Os dipolos eltricos existem sempre que existir alguma assimetria entre as partes
positivas e negativas dos tomos e molculas.
A ligao resulta da atrao coulombiana entre um plo
positivo e a regio negativa do adjacente. Apesar de uma molcula
de gua ser eletricamente neutra como um todo, a distribuio de carga
pela molcula no uniforme. Esta fora pode ser atrativa em relao a
outros grupos similares, por exemplo, ons hidroxila (OH-) em molculas
orgnicas que atraem molculas de gua. Estas foras so conhecidas
como ligaes de hidrognio e existem em algumas molculas que tm
o hidrognio como um dos seus constituintes. Outro Exemplo de
ligaes secundrias so as foras de Van der Waals (foras devido a
polarizao das molculas).

1.3 Propriedades Fsicas

1.3.1 Massa, volume e densidade
A densidade (p) corresponde relao massa/volume de uma amostra de um material.
Embora a massa e o volume sejam propriedades extensivas, a razo dos seus valores
constante para um determinado material, para um certo valor de temperatura. A densidade ,
portanto, uma propriedade caracterstica de uma substncia, sendo usada como indicativo do
grau de pureza da substncia de que feito um dado material.


7
No Sistema Internacional de Unidades, a densidade exprime-se em kg m
-3
(kg/m
3
).
Contudo, no laboratrio usual exprimir a densidade em g cm
-3
(g/cm
3
). A determinao da
densidade de uma substncia passa, pois, pela determinao prvia da massa e do volume de
uma amostra dessa substncia, calculando-se em seguida o valor do quociente respectivo.
Densidade caracterstica de algumas substncias (a 4C)
Substncia Densidade (g cm
-3
)
Acetona 0,79
Antraceno 1,28
cido benzico 1,07
Ciclohexano 0,79
Etanol 0,79
Ferro 7,8
Naftaleno 0,96
Cobre 8,9
Alumnio 2,7
Azeite 0,92

comum encontrarmos o termo massa especfica ( ) em lugar de densidade ().
Usa-se "densidade" para representar a razo entre a massa e o volume de objetos
slidos (ocos ou macios), e "massa especfica" para lquidos e substncias.
1.3.2 Estado Fsico

a) Estado slido quando os tomos das molculas constituintes da matria esto
em um estado de agitao baixo, podendo ser concentrados mais tomos em um
mesmo espao fsico. A sua forma e volume so fixos. Em aplicaes
eletrotcnicas so usados como condutores na fabricao de fios, cabos e
barramentos (cobre, alumnio e ligas metlicas), dieltricos em capacitores (mica,
cermicas e plsticos), isoladores (porcelana, vidro e borracha), estrutura de
suporte e ncleos magnticos (ferro e suas ligas), entre outros.
b) Estado lquido, o corpo mantm a quantidade de matria e aproximadamente o
volume; a forma e posio relativa da partculas no se mantm.
particularmente estudado nas reas da hidrosttica e da hidrodinmica. Em
aplicaes eletrotcnicas so usados em rels para contato (mercrio) soluo
inica em baterias (eletrlitos) , como isolantes em transformadores (leos
minerais), tintas e vernizes isolantes, etc.

c) Estado gasoso, o corpo mantm apenas a quantidade de matria, podendo
variar amplamente a forma e o volume. particularmente estudado nas reas da
aerosttica e da aerodinmica. Em aplicaes eletrotcnicas so usados


8
principalmente em lmpadas (neon, vapor de sdio, vapor de mercrio e
fluorescente argnio + mercrio), como meio isolante entre cabos areos (o ar)
e cabos subterrneos e disjuntores de potncia (hexafluoreto de enxofre SF6)

1.4 Propriedades Eltricas

1.4.1 Condutividade e Resistividade Eltrica

A carga eltrica pode ser conduzida por ons ou eltrons cuja mobilidade varia para os
diferentes materiais formando um completo espectro de resistividade/condutividade, como
mostrado na figura.

Espectro de resistividade

A condutividade eltrica quantifica a disponibilidade ou a facilidade de circular corrente
eltrica em um meio material submetido a uma diferena de potencial. Sua definio fsica
dada por:
= n e
n
+ p e
n

onde:
= condutividade eltrica do material (S/m, onde S= siemens; ou ainda
-1
m
-1
;
n = Concentrao de eltrons livres do material (cm
-3
ou m
-3
)
p = concentrao de cargas livres positivas do material (cm
-3
ou m
-3
), chamadas lacunas
e = carga eltrica elementar = 1,6022x10
-19
C (C= Coulombs)
n
,
n
= mobilidade dos eltrons livres e das lacunas (m
2
/Vs)

Eltrons livres e lacunas so chamados portadores de carga livre, pois reagem a campos
eltricos e magnticos e podem se locomover facilmente pelo material com pouco fornecimento
de energia. Esto presentes em todos os tipos de materiais, mas as lacunas apenas nos
semicondutores. Portanto, a equao da condutividade para materiais condutores e isolantes
expressa apenas pela primeira parcela da equao anterior.

A resistividade eltrica de um material pode ser entendida como a maior ou menor
oposio que este material impe a um fluxo de eltrons (corrente eltrica). Expressa, portanto,
o inverso da condutividade e pode ser dada por:


9
p n
pe ne o
+
= =
1 1

Onde a unidade da resistividade pode ser dada por m.

A resistividade eltrica depende da temperatura. Por exemplo, nos materiais condutores a
resistividade aumenta com o aumento da temperatura e nos isolantes diminui. A tabela abaixo
mostra a resistividade de alguns materiais a 20
o
C.

Material Resistiviade (O.m)
Condutores
Prata 1,58 10
-8

Cobre 1,67 10
-8

Alumnio 2,65 10
-8

Tungstnio 5,6 10
-8

Ferro 9,71 10
-8

Semicondutores
Carbono (grafite) (3 - 60) 10
-5

Germnio (1 - 500) 10
-3

Silcio 0,1 - 60
Isolantes
Vidro 10
9
- 10
12

Borracha 10
13
- 10
15

A resistividade eltrica de um material pode tambm ser obtida numericamente atravs
da medida da resistncia entre os centros das faces opostas de um corpo de prova homogneo
do material, com dimenses unitrias, expressa por:

l
RA
=
Onde R a resistncia eltrica (), A a rea da seo transversal do material (m
2
) e l
o comprimento do material (m).

A resistividade est diretamente relacionada com a perda de energia na forma de calor
(efeito Joule) que ocorre em qualquer material percorrido por corrente eltrica devido ao choque
dos eltrons com os seus tomos. Desta forma, quanto menor a resistividade do material


10
menores sero as perdas de energia e melhor ser o material para o transporte da corrente
eltrica. Por isto, a importncia de se considerar tais caractersticas ao se estudarem condutores
e semicondutores visto que materiais isolantes e magnticos no so usados para este fim.

Um eltron normal que se desloca pela rede cristalina de um condutor vai se chocando
com os tomos da rede, perdendo energia e aquecendo o material. Isso chamado de "efeito
Joule" e ocorre em todo condutor normal.

a) Conduo nos slidos

Nestes materiais existem eltrons livres que podem se deslocar com um movimento que
depende da temperatura e de outras condies fsicas a que estejam sujeitos. Estes eltrons
esto constantemente submetidos a um movimento de agitao trmica, com velocidades
da ordem dos 100 km/s, movimento desordenado e equilibrado no seu conjunto, no
constituindo portanto uma corrente eltrica.
Se, no entanto, esta substncia for sujeita a um campo eltrico, os eltrons vo sendo
arrastados no seu movimento, formando assim uma corrente eltrica.
O sentido positivo desta corrente foi arbitrado como o contrrio ao do deslocamento dos
eltrons. A corrente eltrica d-se a uma velocidade muito mais baixa que a da agitao trmica,
na ordem dos cm/s.
Quando so arrastados os eltrons se chocam com as molculas do material condutor,
perdendo parte da sua energia sob a forma de calor.

b) Conduo nos lquidos

Pela hiptese de Arrenhius sabemos que, quando se dissolve um cido, uma base ou um
sal na gua, d-se a dissociao das suas molculas em ons que podem se deslocar no seio do
lquido. Sob a ao de um campo eltrico estes ons, positivos ou negativos, iro se deslocar
em sentidos contrrio, de acordo com a respectiva carga.
Daqui se conclui que a corrente eltrica nos eletrlitos conduzida de forma diferente da
que ocorre nos condutores slidos, j que nos lquidos h movimento nos dois sentidos. As
aceleraes dos anions e ctions so diferentes porque dependem das suas massas e sua
carga eltrica.

c) Conduo nos gases

Um gs presso atmosfrica considerado um bom isolante, mas se for submetido a
um campo eltrico suficientemente forte, ele deixa de o ser.
Quando o campo atinge um determinado valor alguns eltrons se libertam dos tomos
ficando estes conseqentemente com carga positiva. A este fenmeno dado o nome
de ionizao do gs. Se, uma vez o gs ionizado, nele existir um campo eltrico, haver
atravs dele a passagem de uma corrente eltrica, geralmente acompanhada de efeitos
luminescentes. O nmero de molculas ionizadas num gs sempre pequeno em comparao
com o que se passa nos lquidos. De fato, considera-se uma boa ionizao quando existe uma
molcula ionizada para cada 1012 molculas de gs.


11
Quando a causa da ionizao desaparece, o gs mantm a condutividade por
alguns instantes, mas esta vai diminuindo at desaparecer. Isto mostra que os ons voltam a se
combinar. A curva que nos permite ter uma idia da variao da corrente com o campo eltrico,
suposto uniforme nos gases ionizados, supondo-se ainda que se mantm constante a
causa da ionizao mostrada na Figura 1.6.

Variao da corrente com o valor do campo eltrico.

Dela tiramos que, para campos muito pequenos (entre 0 e a), existe uma
proporcionalidade entre a corrente e o campo.
Entre a e b d-se como que uma saturao e o aumento da corrente insignificante. Isto
se explica pelo fato que a causa da ionizao pode produzir apenas uns tantos ons na unidade
de tempo e por unidade de volume do gs e, uma vez que a corrente atinja um valor
correspondente ao transporte de todos estes ons na unidade do tempo, ela no pode crescer
mais, qualquer que seja o crescimento do campo.
Para campos superiores a b, d-se como que uma libertao e a corrente
aumente livremente.
At aqui supusemos a corrente transportada pelos ons que vo sendo arrastados para os
eletrodos, animados de pequena energia cintica, incapaz de dissociar as molculas com que
vo chocando com grande freqncia pois, estando o gs a uma presso normal, grande a
densidade de molculas, o que por sua vez no permite o aumento da energia cintica dos ons.
Assim, a ionizao no aumenta e o gs permite apenas a passagem de uma corrente de
intensidade relativamente baixa.
Se o campo eltrico aumenta acima de determinado valor, a energia cintica dos ons
consegue aumentar a ponto de o seu choque de encontro s molculas poder dissoci-
las. A ionizao vai progredindo rapidamente at que as molculas por dissociar se tornam
escassas e o fluxo de ons e eltrons deixa de encontrar resistncia. a descarga. O valor de
campo eltrico para o qual se verifica a descarga depende tambm da presso a que o gs se
encontra submetido.

1.4.2 Resistncia e Condutncia Eltrica

As cargas eltricas deslocam-se sob a forma de corrente eltrica atravs das diferentes
substncias, mas sob aspectos diversos. Chama-se de resistncia a maior ou menor
dificuldade que ope um condutor passagem de corrente eltrica, cuja unidade o Ohm ().
A resistncia eltrica R obedece a lei de Ohm (V=RI) e pode ser entendida como a
avaliao quantitativa da resistividade, pois depende da geometria do material.


12

A resistncia de um objeto funo da resistividade do seu material, da rea da seo
reta e do seu comprimento. Estes trs parmetros relacionam-se conforme a equao abaixo:

Onde:
R: resistncia da haste, em ohms
: resistividade do material, em ohms.m
l: comprimento da haste, em m
A: rea da seo reta, em m
2

Condutncia eltrica o inverso da resistncia eltrica. A unidade derivada do SI de
condutncia o siemens (smbolo S, igual a
-1
). No deve ser confundida com condutividade
eltrica, que uma caracterstica especfica de um material e recproca a resistividade eltrica.

1.4.3 Permissividade Dieltrica

Quando um material condutor isolado for mergulhado em um campo eltrico externo seus
eltrons livres se rearranjam formando uma carga superficial de tal forma a anular o campo
eltrico no seu interior. Se procedermos da mesma forma, porm, com um material isolante
(dieltrico), devido a sua pequena concentrao de eltrons livres, o campo eltrico no seu
interior no ser totalmente anulado. Isto ocorre devido polarizao das molculas (dipolos
eltricos) do material isolante formando tambm uma carga superficial.
A propriedade que representa a maior ou menor capacidade de um material em permitir
um adensamento de um fluxo de campo eltrico por sua estrutura chamada de permissividade
dieltrica e dada por .
A permissividade do ar ou do vcuo dada por: = 8,8541878176x10
-12
F/m.
J o termo permissividade relativa do material
r
dado por /
0
adimensional e
tambm conhecida como a constante dieltrica k.
A permissividade dieltrica dos materiais depende das condies de trabalho e varia em
funo da temperatura e da freqncia de utilizao.

Material
Permissividade dieltrica
(k)
Ar ~1
Mica 5 a 7,8
Vidros 5 a 10
Porcelana 5,1 a 5,5
PVC 2,6 a 6,5
EPR 2,6
leo de transformador 2,5
Papel encerado 3,1
Ebonite 2 a 2,8


13
1.4.4 Rigidez Dieltrica

Corresponde ao valor limite de tenso aplicada sobre a espessura do material (kV/mm),
sendo que, a partir deste valor, os tomos que compem o material se ionizam e o material
dieltrico deixa de funcionar como um isolante.
No caso do ar, sua rigidez dieltrica vale cerca de 3 x 10
6
N/C, assim, quando um campo
eltrico no ar ultrapassar esse valor, ele deixa de ser isolante e torna-se condutor.
O valor da rigidez dieltrica varia de um material para outro e depende de diversos fatores
como:
- Temperatura.
- Espessura do dieltrico.
- Tempo de aplicao da diferena de potencial
- Taxa de crescimento da tenso.
- Para um gs, a presso fator importante.

Material Rigidez dieltrica (kV/mm)
Ar 3
Mica 60
Vidros 7,5 a 30
Porcelana 100
PVC e EPR 50
leo mineral 15 a 280
1.5 Propriedades Magnticas

Fora magntica ou magnetismo fundamental na gerao e aproveitamento da corrente
eltrica. Equipamentos como transformadores, motores, geradores, medidores mecnicos,
instrumentos eltricos etc no existiriam se os fenmenos magnticos no fossem
compreendidos e dominados.
1.5.1 Permeabilidade e Susceptibilidade Magntica

Os materiais podem exibir, quando submetidos a um campo magntico qualquer,
comportamentos diferentes quanto concentrao das linhas de fluxo magntico. Isto ,
podero atrair (concentrar), repelir ou nem mesmo perturbar o campo magntico. Por
exemplo, quando colocados prximos ao plo de um im certos materiais so:
- Fracamente atrados (paramagnticos);
- Fracamente repelidos (diamagnticos);
- Fortemente atrados (ferromagnticos) ou
- No exercem ao alguma sobre as linhas de fluxo magntico (indiferentes).

A propriedade dos materiais que descreve este comportamento chamada
permeabilidade magntica e sua unidade dada por H/m (H=Henry).
A permeabilidade magntica do vcuo
0
igual a 4 x 10
-7
H/m.


14
De forma anloga condutividade eltrica dos materiais, o termo permeabilidade relativa
do material
r
dado por /
0
e adimensional.
- Paramagnticos possuem
r
ligeiramente maior que 1;
- Diamagnticos possuem
r
ligeiramente menor que 1;;
- Ferromagnticos possuem
r
muito maior que 1;
- Indiferentes possuem
r
igual a 1.
A magnetizao M de um material representa o grau de polarizao dos dipolos
magnticos do material quando o mesmo atravessado por um campo magntico H
M = (
r
-1) H = x
m
H (A/m)
Onde x
m
a susceptibilidade magntica.
Portanto, pode-se dizer que a susceptibilidade e, conseqentemente, a permeabilidade
a medida da intensidade com que o material pode ser magnetizado. Refere-se menor ou maior
facilidade com que o material se deixa atravessar pelo fluxo magntico circulante.
Material
Permeabilidade magntica
relativa
r

Ar, cobre e madeira 1
Prata 1 a -20 x 10
-6
Zinco 1 a -10 x 10
-6

Alumnio 1 a + 22 x 10
-6

Ferro 5500
Ao 500 a 5000
1.6 Propriedades Mecnicas

Para selecionar materiais apropriados e ento obter um projeto eficiente, essencial que
se conheam as propriedades relevantes dos materiais. As propriedades mecnicas dos
materiais so medidas em termos do comportamento do material quando sujeito a uma
fora e so determinadas pelas deformaes. Valores numricos absolutos de
algumas propriedades mecnicas no so determinados facilmente, mas so
apresentados em comparao a outros materiais.

Muito materiais em servio esto sujeitos a foras ou carga, por exemplo a liga
de alumnio empregada nas asas dos avies ou o ao no eixo dos automveis. Em tais
situaes necessrio projetar o equipamento de tal forma que as deformaes em
servio no sero excessivas e fraturas no ocorrero.
1.6.1 Deformao nos metais

Quando uma tenso (definida como a relao da fora aplicada por unidade de rea)
aplicada em um material o mesmo sofrer deformao. Esta deformao pode ser elstica, a
qual desaparece quando a tenso retirada, ou plstica, que uma deformao permanente. A
figura a seguir mostra diagramas tenso x deformao tpicos.


15

Curva tenso x deformao ideal

Conforme a figura, at o ponto L.E. a deformao proporcional, ou seja, obedece a lei
de Hooke, sendo o coeficiente de elasticidade calculado pela razo entre a tenso e a
deformao correspondente. O ponto L.E. o limite de elasticidade ou de escoamento. Em
materiais tais como os aos doces, o limite de escoamento bem definido, quando o material
escoa, ou seja, a deformao plstica ocorre sem que, praticamente, haja aumento da tenso.
Alm, do ponto L.E. a deformao ser, em parte, elstica e, em parte, inelstica. Porm, o
material no mais retornar s suas dimenses originais quando a fora for removida. Aps o
ponto L.E. o material estica rapidamente e a mxima tenso aplicada no ponto L.Re. No ponto
L.Ru ocorre a fratura.
Cabe ainda ressaltar a diferena de comportamento nas diversas curvas mostradas. Por
exemplo, na figura (a) trata-se de um material frgil que se rompe sem que haja deformao
plstica. J na figura (b) temos um material dtil, com limite de escoamento definido. Quando
no ocorre escoamento, o L.E. definido como a tenso necessria para provocar uma
deformao permanente de 0,2% (fig. (c)).

- Tenso: fora por unidade de rea;
- Deformao plstica: deformao permanente provocada por tenses que
ultrapassam o limite de elasticidade;
- Deformao elstica: deformao reversvel, proporcional tenso aplicada;
- Mdulo de elasticidade (mdulo de Young): quociente entre a tenso
aplicada e a deformao elstica resultante.
- Ductilidade: deformao plstica total at o ponto de ruptura. Pode ser
expressa como o alongamento (ver Fig. 1.10) ou como a reduo na rea da
seo reta do corpo, imediatamente antes da ruptura, chamada estrico: No
material dtil a regio do regime plstico muito maior que a do regime elstico; o
alongamento e estrico so grandes.

Estrico = rea inicial - rea final
rea inicial

O limite de resistncia trao de um material calculado dividindo-se a carga mxima
suportada pelo mesmo pela rea da seo reta inicial. Esse limite, tal como os demais,
expresso em unidades de tenso. Deve-se notar que o limite de resistncia calculado em
relao rea inicial. Essa uma observao importante, particularmente para os materiais
dcteis, pois os mesmo sofrem uma reduo de rea quando solicitados pela carga
mxima. Embora a tenso verdadeira que solicita o material seja calculada considerando-se a


16
rea real, a tenso tal como definida anteriormente mais importante para o engenheiro, pois os
projetos devem ser feitos com base nas dimenses iniciais. Por este motivo tambm o limite de
ruptura pode ser inferior ao limite de resistncia.
Outro aspecto importante que a deformao plstica (permanente) dos metais ocorre
pelo deslizamento dos tomos, escorregando uns sobre os outros no cristal. Este
deslizamento tende a acontecer preferencialmente ao longo de planos e direes especficos do
cristal.
1.6.2 Outras propriedades mecnicas

A dureza definida pela resistncia da superfcie do material penetrao. Como
se pode esperar, a dureza e a resistncia trao esto intimamente relacionadas. A escala
Brinell de dureza (BNH) um ndice de medida da dureza, calculado a partir da rea de
penetrao de uma bilha no material. A penetrao desta bilha, que uma esfera de ao duro
ou de carbeto de tungstnio, feita mediante uma fora padronizada. A escala Rockwell de
dureza, outra das mais comuns escalas de dureza usadas em engenharia, est relacionada ao
BNH, mas medida pela produndidade de penetrao de uma pequena bilha padronizada.
Muitas escalas Rocwell foram estabelecidas para materiais com diferentes faixas de dureza;
estas escalas diferem entre si nas dimenses da bilha e na carga de penetrao.
A tenacidade uma medida de energia de deformao: a energia total necessria para
provocar a fratura do corpo de prova. Pode ser representada pela rea sob a curva
tenso- deformao.
Existem ainda outras propriedades como resistncia fadiga, ao choque, fluncia,
etc.
As propriedades mecnicas dos materiais so levantadas atravs de cuidadosos testes
de laboratrio, sendo imperativo que haja consistncia na forma como os testes so conduzidos
e os resultados interpretados. Estes requisitos so atendidos atravs do uso das normas
tcnicas apropriadas. No caso de aplicaes prticas sempre importante lembrar a natureza
das foras a serem aplicadas e sua durao, alm da temperatura ambiente.
1.7 Propriedades Trmicas

Inicialmente importante distinguir claramente a diferena entre calor e
temperatura.
Temperatura um nvel de atividade trmica (medida em graus Celsius ou Fahrenheit),
enquanto que calor a energia trmica (expresso em calorias ou Btu).
As condies trmicas nas vizinhanas de um material afetam-no de diversas formas,
sendo os efeitos mais importantes aqueles que produzem alteraes nas microestruturas
e portanto nas propriedades dos materiais. Estas alteraes em propriedades so por
exemplo utilizadas para se obter determinadas caractersticas aps tratamentos
trmicos, a serem discutidos em tpico futuro. As propriedades trmicas mais importantes so
o calor especfico, a resistncia ao calor, a resistncia ao frio, a condutividade trmica e a
dilatao.
Calor especfico mdio C
m
de um corpo entre dois limites de temperatura u
0
e u
1
a
relao entre a quantidade de calor necessrio Q para elevar a unidade de massa do
corpo da temperatura u
0
a u1 e a elevao de temperatura (u
1
- u
0
), ou seja:

Cm = Q
(u
1
- u
0
)


17

A resistncia ao calor (ao frio) a capacidade dos materiais e peas suportarem, sem
prejuzo de suas propriedades manuteno por perodos curtos ou longos de
altas(baixas) temperaturas. O efeito da temperatura nas propriedades dos materiais ser
visto com mais detalhes nos captulos sobre materiais condutores e isolantes.
Se chama de condutividade trmica a propagao do calor atravs dos corpos e
tem lugar quando todos os pontos destes no esto a mesma temperatura. O calor se
propaga de molcula a molcula, desde os pontos mais quentes aos mais frios. Se
considerarmos uma placa de faces paralelas de espessura finita e dimenses transversais
infinitas, onde cada face se mantenha a temperatura constante, se produz uma passagem de
calor atravs da massa da placa. Um vez estabelecido o regime permanente, a quantidade
de calor que atravessa, durante um tempo muito curto, uma pequena seo paralela s
faces depende da temperatura destas e do coeficiente de condutividade trmica da
substncia que constitui a placa. Este coeficiente expressa o nmero de calorias-grama que
atravessam perpendicularmente, em um segundo, um centmetro quadrado de uma lmina
que tenha um centmetro de espessura e cujas faces se mantenham a temperaturas que
difiram de um grau entre si.
Existe uma certa correlao entre condutividade eltrica e trmica, a qual pode explicar-
se pela teoria eletrnica da corrente eltrica. Por ao de uma diferena de potencial os eltrons
livres, que se movem em todas as direes nos espaos intermoleculares, tomam um
movimento de conjunto, que constitui a corrente eltrica. Quando entre dois pontos de um metal
existe uma diferena de temperatura, os eltrons das partes mais quentes, que tm maior
velocidade mdia, cedem por choque uma parte de sua energia e de sua velocidade aos
eltrons das partes mais frias. A soma de todos estes choques d lugar, aps um tempo mais
ou menos longo, igualao das velocidades mdias e, por conseguinte, ao equilbrio da
temperatura. Nos polmeros a transferncia de energia obtida atravs da vibrao e
rotao das cadeias de molculas. Os polmeros so freqentemente empregado como
isolantes trmicos devido a sua baixa condutividade trmica. Assim como nas
cermicas, a introduo de pequenos poros reduz a condutividade trmica.
Coeficiente de dilatao linear: Quando se aquece um slido, aumenta em geral suas
dimenses em todos os sentidos, aumentando, portanto, sua superfcie e seu volume. A
dilatao linear se refere ao aumento do comprimento em uma determinada direo.
Chamando l
0
ao comprimento inicial e l1 ao comprimento final, correspondentes s
temperaturas u
0
e u
1
, se tem:

o = l
1
- l
0

lo(u
1
- u
0
)

onde o o coeficiente mdio de dilatao linear entre as temperaturas u
0
e u
1.
Por no
serem iguais os coeficientes de dilatao de todos os materiais, surgem vrias
dificuldades, entre as quais a soldadura de diferentes corpos.
Dilatao linear: importante no estudo de linha de transmisso onde o efeito da
temperatura na dilatao de cabos areos deve ser considerado. Nos casos de unio ou
juno de materiais diferentes (ex: bimetais que so dois metais com diferentes coeficientes
de dilatao trmica soldados por sintetizao) este fator importante para a avaliao da
dilatao diferencial ( a curvatura sofrida pelo bimetal devido a diferena de dilatao entre os
dois metais. A dilatao linear pode ser obtida por:


18
1.8 Propriedades Qumicas

1.8.1 Radiao
No campo da engenharia tambm tem-se preocupado muito com os efeitos das
radiaes nos materiais. Em particular, os efeitos danosos de radiao devem ser levados
em conta no projeto de reatores nucleares, embora no seja somente nesse caso que
se tem irradiao de materiais. Sabe-se h muito tempo que os materiais podem ser
modificados por radiaes. O botnico observa os efeitos da fotossntese, o fotografo usa esse
fato na exposio de seus filmes, o fsico utiliza essas interaes para aplicaes de
fluorescncia, o mdico aplica radiaes em terapia. Os efeitos das radiaes visveis
(luz) nos materiais medido atravs de ensaios padronizados (ASTM).
O principal efeito das radiaes nos materiais originado pela energia extra que
ela fornece, que facilita a ruptura de ligaes existentes e o rearranjo dos tomos em
novas estruturas. Em materiais polimricos a base de polietileno utilizados em lacres de
medidores de energia, a radiao UV, assim como o calor e a umidade, causa degradao.
1.8.2 Oxidao

Logo que se conheceu a estrutura dos tomos verificou-se que, quando um elemento ou
uma substncia combinava-se com o oxignio, esta espcie qumica perdia eltrons.
Modernamente o termo oxidao significa perder eltrons, no necessariamente em
presena de oxignio (quando um elemento perde eltrons o seu estado de oxidao
aumenta).

A Oxidao pode ocorrer em trs circunstncias:
1. quando se adiciona oxignio substncia,
2. quando uma substncia perde hidrognio ou
3. quando a substncia perde eltrons.

Exemplos:
As saladas de frutas tendem a se escurecer quando entra em contato com o ar, isso
porque o oxignio age com o ferro presente nas frutas, promovendo sua oxidao. Uma dica
para que isso no ocorra adicionar suco de limo ou laranja, pois a vitamina C - cido
ascrbico - presente nas frutas ctricas impede a ao oxidante do oxignio sobre a salada.
O manuseio dos fios de cobre causa, alm de perdas, sua oxidao diminuindo a vida
til do material.
Ao Corten aplicado na
construo de um estdio para
um artista, localizado em New
Jersey EUA. Nas fotos ao lado
pode-se perceber o ao antes e
depois da oxidao. Este tipo de
ao muito utilizado na
construo civil, apresenta em
mdia 3 vezes mais resistncia
corroso que o ao comum alm de minimizar os custos com manuteno e o impacto
ambiental.


19
Na foto ao lado pode ser observada a oxidao e a corroso em uma
vela de automvel. O material dos eletrodos oxidou, e quando a oxidao
pesada a superfcie apresenta-se esverdeada.

1.8.3 Corroso

a transformao de um material pela sua interao qumica ou eletroqumica num
determinado meio de exposio. Este processo resulta em alteraes prejudiciais
indesejveis, sofridas pelo material, tais como desgaste, variaes qumicas ou
modificaes estruturais.
Quase sempre, a corroso metlica (por mecanismo eletroqumico), est associada
exposio do metal ou uma liga metlica a um meio com presena de molculas de gua,
juntamente com o gs oxignio ou ons de hidrognio, num meio condutor. Porm, a
deteriorao de materiais no-metlicos, como por exemplo concreto, borracha,
polmeros e madeira, devido ao do meio ambiente, considerada tambm, por
alguns autores, como corroso.
A corroso tambm pode ser causada por correntes ocasionadas por potenciais
externos que produzem casos severos de corroso, por exemplo, em tubulaes
enterradas e cabos telefnicos, que esto freqentemente sujeitos a esses casos devido
s correntes eltricas de interferncia que abandonam o seu circuito normal para fluir pelo
solo ou pela gua. Esse tipo de corroso chamada de corroso por eletrlise ou
eletroltica, e pode-se defini-la como a deteriorao da superfcie externa de um metal
forado a funcionar como anodo ativo de uma clula ou pilha eletroltica. Geralmente as
reas corrodas se apresentam livres do produto de corroso e como uma forma de
corroso localizada, em pouco tempo ocorre a perfurao das instalaes.

So medidas indicadas para se prevenir ou diminuir a ao corrosiva:

- uso de inibidores de corroso;
- isolamento eltrico dos materiais de nobrezas diferentes: quando for inevitvel a
existncia de grandes diferenas de potencial (por exemplo, chapas de
alumnio sobre estruturas de ao, juntas de lato em canalizaes de ao,
etc), dever sempre ser especificada a colocao, nos pontos de conexo e
arruelas no metlicas como hypalon, neoprene, teflon, etc., que agiro como
isolantes;
- aplicao de revestimentos protetores: se for aplicado qualquer revestimento
protetor, que alguns poderiam imaginar somente necessrio para o metal
funcionando como anodo, recomendvel a pintura tambm do catodo,
evitando assim que, caso haja falha no revestimento do anodo, no fique uma
pequena rea andica exposta a uma grande rea catdica. A nica
limitao desse mtodo o comportamento em servio da camada
protetora. Por exemplo, as camadas orgnicas causam problemas, se usadas
em temperaturas elevadas ou em condies de abraso severa; alm disso,
necessita-se de um recobrimento peridico da superfcie em virtude da oxidao
da camada com o tempo. Entretanto, as camadas protetoras no precisam
ser necessariamente orgnicas. Por exemplo, pode-se usar estanho como uma
protetora inerte para o ao. Superfcies prateadas, niqueladas ou cobreadas


20
tambm so resistentes corroso. Essa camada protetora serve como um anodo
de sacrifcio, que se corri no lugar do ao. Esses metais podem ser depositados
por imerso a quente em banhos metlicos lquidos, ou na forma de placas
que podem ser substitudas facilmente. Tambm se podem usar como camadas
protetoras materiais cermicos inertes;
- uso de materiais de nobrezas prximas: os metais selecionados, se possvel,
devero estar localizados, na tabela de potenciais, o mais prximo possvel;
- proteo por passivao. Em uma clula de concentrao o oxignio acentua a
corroso nas regies onde sua concentrao baixa. Na ausncia de diferenas
de concentrao de oxignio, outros efeitos podem ser observados.
Especificamente,o oxignio pode reagir com ons e eltrons do anodo
formando uma camada protetora. Essa reao particularmente importante nos
aos inoxidveis (contendo cromo). Um ao contendo cromo muito resistente
corroso em condies oxidantes; entretanto, na ausncia de oxignio a reao
pode ocorrer.

Em eletro-eletrnicos e computadores em geral a oxidao e a corroso se iniciam
naturalmente em funo do acmulo da umidade e do sal, provenientes do meio-ambiente.
Mudanas fsicas e qumicas na superfcie de conexes eletromecnicas, por exemplo, so a
causa primria de degradao do desempenho em componentes e equipamentos.
Quando superfcies de contato so expostas sujeira, fumaa, gases, fuligem e outros
slidos suspensos na atmosfera, "filmes" no metlicos se formam, inibindo a condutividade.
A oxidao a reao mais comum, e causa a formao do xido. A maresia corri a
maioria dos metais, formando uma fina camada clordrica. Umidade, condensao, sais,
enxofre e fumaa cida so tambm causadores de ferrugem, corroso e oxidao.
O aumento da resistncia e a frico entre superfcies metlicas tambm causa rudos,
travamentos e em alguns casos, aumento no consumo de energia.

1.9 Propriedades pticas

1.9.1 Refrao

Fenmeno que ocorre quando os raios luminosos passam de um meio para outro e
sofrem uma variao na velocidade de propagao e uma mudana na direo.
A relao entre a velocidade da luz no vcuo (c) e a velocidade da luz em um material
particular (Vp); chamado de ndice de refrao m daquele material. Para alguns
comprimentos de onda (), o ndice de refrao depende mais do material. Ento:
Para materiais que no tem a capacidade de absorver luz (no absorventes):

m=c/Vp

Para materiais que tem capacidade de absorver luz (absorventes):

m = m'(1- ai)


21
Onde:
m: ndice de refrao real
a: relacionado com o coeficiente de absoro do material.
i : 1 , parte imaginaria, nmero complexo

A parte imaginaria do ndice de refrao igual a zero para materiais no absorventes.

1.9.2 Reflexo

O fenmeno da reflexo consiste na mudana da direo de propagao dos raios
luminosos. Consiste no retorno da energia incidente em direo regio de onde ela
oriunda, aps entrar em contato com uma superfcie refletora.
A energia pode tanto estar manifestada na forma de ondas como transmitida atravs de
partculas. Por isso, a reflexo um fenmeno que pode se dar por um carter
eletromagntico, ptico ou sonoro.
A reflexo pode ser explicada totalmente com base em
apenas duas leis, de cunho geral:

1. O raio incidente, a reta normal e o raio refletido so
coplanares, ou seja esto no mesmo plano.
2. O ngulo de incidncia com a reta normal igual ao
ngulo de reflexo com a reta normal.

Sendo a normal a semi-reta que se origina a partir da superfcie refletora, situando-se
perpendicularmente a esta; ngulo de incidncia aquele que a direo de deslocamento da
energia faz com a normal e ngulo de reflexo aquele definido pela direo que a energia
que refletida faz com a normal.
1.9.3 Absoro

Existem superfcies que absorvem a maior parte das radiaes
luminosas que chegam at elas. Geralmente, tais objetos so de cor
preta. Outros tipos de superfcies e objetos absorvem s uma determinada
gama de comprimentos de onda refletindo o resto, o que vai definir a cor
da superfcie que observamos.


22
1.10 Bandas de Energia

Quando os tomos no esto isolados, mas juntos em um material slido, as foras de
interao entre eles so significativas. Isso provoca uma alterao nos nveis de energia acima
da valncia. Podem existir nveis de energia no permitidos, logo acima da valncia.

Para que um material conduza eletricidade, necessrio que os eltrons de valncia,
sob ao de um potencial eltrico aplicado, saltem do nvel de valncia para um nvel ou banda
de conduo.
Conforme figura acima, em um material condutor quase no existem nveis ou banda de
energia proibidos entre a conduo e a valncia e, portanto, a corrente flui facilmente sob a
ao do campo eltrico. Um material isolante apresenta uma banda proibida de grande
extenso entre a valncia e conduo. Por isso, dificilmente h conduo da corrente.
Os semicondutores possuem bandas proibidas com larguras intermedirias. Isso
significa que podem apresentar alguma conduo, melhor que a dos isolantes, mas pior que a
dos condutores.

1.11 Classificao dos Materiais Eltricos

Os materiais eltricos so, basicamente, classificados sob dois pontos de vista:
a) eltrico, recebendo os nomes de condutores, isolantes e semicondutores;
b) magntico, dividindo-se em: materiais ferromagnticos, diamagnticos e
paramagnticos.

Fornos a arco
submerso


23
CAPTULO II

MATERIAIS CONDUTORES

2.1 Introduo

No primeiro captulo vimos que tanto os ons quanto os eltrons podem ser responsveis
pelo processo de conduo de eletricidade, que sempre envolve a noo de movimentao de
cargas.
Os materiais condutores so caracterizados por diversas grandezas, dentre as quais se
destacam: condutividade ou resistividade eltrica, coeficiente de temperatura, condutividade
trmica, potencial de contato, comportamento mecnico, etc. Estas grandezas so importantes
na escolha adequada dos materiais, uma vez que das mesmas vai depender se estes so
capazes de desempenhar as funes que lhe so atribudas. A escolha do material condutor
mais adequado, nem sempre recai naquele de caractersticas eltricas mais vantajosas, mas
sim, em outro metal ou uma liga, que, apesar de eletricamente menos vantajoso, satisfaz as
demais condies de utilizao.
Em um tomo neutro o nmero de eltrons igual ao nmero de prtons. Quando h um
desequilbrio, dizemos que o tomo est ionizado. Se apresentar eltrons em excesso, o tomo
estar ionizado negativamente, se apresentar falta de eltrons estar ionizado positivamente.
importante observar que o nmero de
prtons constante, o que se altera o nmero de
eltrons, isto , para ionizar o tomo negativamente
colocamos eltrons a mais, e se quisermos ionizar
o tomo positivamente, retiramos eltrons.
Do ponto de vista macroscpico, dizemos
que o corpo est eletrizado quando houver um
desequilbrio entre o nmero de prtons e o nmero
de eltrons dos tomos deste corpo.
A quantidade de carga adquirida pelo corpo
depende do nmero de eltrons retirados ou
colocados no corpo.
Em alguns tipos de tomos, especialmente os que compem os metais - ferro, ouro,
platina, cobre, prata e outros -, a ltima rbita eletrnica perde um eltron com grande facilidade.
Por isso seus eltrons recebem o nome de eltrons livres.
Estes eltrons livres se desgarram das ltimas rbitas eletrnicas e ficam vagando de
tomo para tomo, sem direo definida. Mas os tomos que perdem eltrons tambm os
readquirem com facilidade dos tomos vizinhos, para voltar a perd-los momentos depois. No
interior dos metais os eltrons livres vagueiam por entre os tomos, em todos os sentidos.
A conduo do fluxo de eltrons livres, ou a circulao de uma corrente eltrica notada
tanto em materiais slidos quanto nos lquidos, e, sob condies favorveis, tambm nos
gasosos.
Sob o ponto de vista prtico, a maioria dos materiais condutores de slidos, e dentro
desse grupo, ressaltam-se, os metais que, devido facilidade de fornecer eltrons livres, so
usados para fabricar os fios de cabos e aparelhos eltricos.
No grupo dos lquidos, vale mencionar os metais em estados de fuso, eletrlitos e as
solues de cidos, de bases e de sais. Destaca-se o caso particular do mercrio, nico metal


24
que, temperatura ambiente, se encontra no estado lquido e solidifica-se apenas a 39 C.
Outro exemplo: em uma soluo de gua com sal (NaCl), haver uma dissociao da molcula
de cloreto de sdio (NaCl) em ons Na
+
e Cl
-
, que ficam livres para se movimentar pelo interior
da soluo.
Quanto aos gasosos, estes adquirem caractersticas condutoras sob a ao de campos
muito intensos, quando ento se podem ionizar. o caso das descargas atravs de meios
gasosos, como na abertura arco com a formao de um meio condutor conhecido por plasma, e
tanto, normalmente, os gases, mesmo os de origem metlica, no podem ser utilizados nem
considerados como condutores.
Exemplos de bons condutores:
- Metais (como o cobre, alumnio, ferro, etc.) usados para enrolamentos de
mquinas eltricas e transformadores, etc.
- Ligas metlicas usadas para fabricao de resistncias, aparelhos de calefao,
filamentos para lmpadas incandescentes, etc.
- Grafite
- Solues aquosas (de sulfato de cobre, de cido sulfrico. etc.)
- gua da torneira, gua salgada, gua ionizada (como, por exemplo, as das
piscinas);
- Corpo humano;
- Ar mido.

2.2 Caractersticas dos Condutores

2.2.1 Variao da resistividade com a temperatura e a freqncia

A resistncia eltrica de uma dada pea de determinado material (unidade: W) dada
pela equao a seguir:


25

A
l
R

=

onde:
- resistividade eltrica do material (W.cm)
A - seo transversal (em cm
2
)
l - comprimento do condutor (em cm)

Quando a temperatura em um material condutor aumentada, as partculas vibram
interferindo nos movimentos dos eltrons. Uma tal influncia causa perdas nos deslocamentos
dos eltrons e, conseqentemente, aquecimento do corpo condutor. Traando-se a curva
caracterstica temperatura-resistncia, indicada na Figura a seguir, nota-se que ela no obedece
em toda sua extenso a uma relao constante de ordenadas e abscissas.

De interesse prtico o setor reto da caracterstica (trecho AB), cuja inclinao dada
por:

T
R
tg
A
A
= o

A relao tg/R o chamado coeficiente de temperatura da resistncia e indicado por
T
1
. Normalmente a temperatura inicial, que serve de referncia, tomada como T
1
= 20
o
C.
Nesse caso:
)] 20 ( 1 [
2 20 20 1
+ = T R R
T
o

A condutividade trmica de metais e ligas tambm de extrema importncia, pois ela
demonstra a capacidade do material de liberar para o ambiente o aquecimento causado pelas
perdas.
A distribuio uniforme de corrente atravs da seo de um condutor existe apenas para
a corrente contnua. Com o aumento da freqncia acontece uma distribuio no-uniforme de
corrente, fenmeno este chamado de efeito pelicular, pois em um condutor circular a
densidade de corrente geralmente aumenta do interior em direo a superfcie.


26
2.2.2 Resistncia de contato nos metais

Quando se aplica uma pea metlica sobre outra, com objetivo de contato eltrico, estas
ficam na verdade separadas, qualquer que seja a presso a que sejam submetidas, por uma
distncia relativamente grande, se comparada s dimenses do tomo.
Na verdade existem alguns pontos de contato perfeito e o resto dos pontos a distncia da
ordem de mm, de onde se entende a existncia da resistncia de contato.
A passagem de energia de uma pea a outra se d por dois modos:
- atravs de uma zona de contato ntimo, ou de conduo;
- atravs de uma zona de disrupo, onde o gradiente de potencial pode alcanar
valores elevados, muito pouco inferiores a rigidez dieltrica do ar.
A partir do momento em que se apresentam ao mesmo tempo fenmenos condutores e
disruptivos nos contatos, no possvel aplicar a estes a lei de Ohm. Chama-se de resistncia
de contato, no entanto, a relao entre a tenso nos bornes de um contato e a intensidade de
corrente que o atravessa.
Esta resistncia no constante e depende da presso a que esto submetidas as peas
(presso de contato), da composio destas, da sua forma, da sua seo, do sentido e
intensidade da corrente, etc.
A prata, o cobre, o bronze, o lato e o tungstnio do bons contatos, a resistncia dos
contatos de alumnio, entretanto, muito elevada. O contato em corrente contnua apresenta
uma resistncia independente da intensidade de corrente.
Pode-se considerar bom um contato quando resulta muito pequena a diferena de
temperatura entre o mesmo e os pontos ao redor. No caso de contato entre metais, deve-se ficar
atento a formao de pares galvnicos (em presena de um lquido condutor ou simplesmente
da umidade).

2.3 Materiais de elevada condutividade

Os materiais condutores caracterizam-se por uma elevada condutividade eltrica.
Possuem tambm grande capacidade de deformao, moldagem e condutividade trmica. Com
exceo do mercrio e dos eletrlitos, que so condutores lquidos, e do plasma (gs ionizado)
que gasoso, os materiais condutores so geralmente slidos e, neste caso, incluem-se os
metais, suas ligas e no-metais como o carvo, carbono e grafite.
Os metais so elementos qumicos que formam slidos opacos, lustrosos, bons
condutores de eletricidade e de calor e, quando polidos, bons refletores de luz. A maioria dos
metais forte, dctil, malevel e, em geral, de alta densidade. Vejamos alguns dos metais mais
utilizados na rea de Engenharia Eltrica:
2.3.1 Cobre e suas Ligas

O cobre apresenta as vantagens a seguir, que lhe garantem posio de destaque entre
os metais condutores.
- Pequena resistividade. Somente a prata tem valor inferior, porm o seu elevado
preo no permite seu uso em quantidades grandes;
- Caractersticas mecnicas favorveis;


27
- Baixa oxidao para a maioria das aplicaes. O cobre oxida bem mais
lentamente, perante elevada umidade, que diversos outros metais; esta oxidao,
entretanto, bastante rpida quando o metal sofre elevao de temperatura;
- Fcil deformao a frio e a quente: relativamente fcil reduzir a seo transversal
do cobre, mesmo para fios com fraes de milmetros de dimetro.

O cobre tem cor avermelhada caracterstica, o que o distingue de outros metais, que, com
exceo do ouro, so geralmente cinzentos, com diversas tonalidades.
O valor da condutividade informa sobre o grau de pureza do cobre. A mxima pureza
encontrada no cobre obtido em ambiente sem oxignio, quando se aproxima da condutividade
do cobre eletroltico. Destaque-se ento que a condutividade eltrica do cobre muito
influenciada na presena de impurezas, mesmo em pequenas quantidades.
A resistividade do cobre a 20
o
C de:
cu
= 1,7241cm
2
/cm e seu coeficiente de termo-
resistividade vale: = 0.00393/C.
O cobre resiste bem ao da gua, de fumaas, sulfatos, carbonatos, sendo atacado
pelo oxignio do ar, e em presena deste, cidos, sais e amonaco podem corroer o cobre.
O cobre obtido em forma eletroltica, fundido e transformado em lingotes. Na
transformao subseqente aos perfis e peas desejadas, quando no se usa a fuso e sim
uma transformao mecnica por laminao e estiramento, efetua-se primeiramente um
aquecimento do lingote para facilitar a transformao bruta, at temperaturas de 920-980
o
C.
Na laminao a frio, o cobre se torna mais duro e elstico, e reduz sua condutividade. o
estado de cobre encruado. Essa modificao de caractersticas pode representar um empecilho
ao uso do metal e, nesse caso, se faz o seu recozimento a uma temperatura de 500-560
o
C.

Aplicaes do Cobre:
Em funo de suas propriedades, o cobre, nas suas diversas formas puras, tem
determinadas suas aplicaes. O cobre encruado ou duro usado nos casos em que se exige
elevada dureza, resistncia trao e pequeno desgaste, como no caso de redes areas de
cabo nu em trao eltrica, particularmente, para fios telefnicos, para peas de contato e para
anis coletores. Em todos os demais casos, principalmente em enrolamentos, barramentos e
cabos isolados, se usa o cobre mole ou recozido. Casos intermedirios precisam ser
devidamente especificados. Em muitos casos, porm, o cobre no pode ser usado na forma
pura, quando ento as ligas de cobre passam a ser encontradas. Essas ligas so feitas com
metais escolhidos de modo a compensar ou melhorar alguma das propriedades do cobre,
cabendo destacar, porm, que, geralmente, assim procedendo, estamos prejudicando outras
propriedades.

Ligas de Cobre:
A escolha de uma liga deve considerar tambm os aspectos econmicos. A adio de
certos elementos (por exemplo, o nquel e o estanho) pode aumentar o preo da liga,
aumentando certas propriedades, ao passo que, a presena de outros elementos (zinco,
chumbo) permite abaixar o preo sem reduo notvel de caractersticas tcnicas. A tabela
abaixo apresenta as caractersticas das Ligas de Cobre.


28

Um exemplo de liga de cobre so os bronzes. As ligas de cobre e estanho podem
suportar adies mais ou menos importantes de chumbo, de zinco e as vezes de nquel. O
bronze apresenta a caracterstica de ser resistente ao desgaste por atrito, fcil usinagem e so
ligas elsticas. Suas aplicaes principais so em rolamentos, partes de mquinas,
engrenagens, trilhos de contato, molas condutoras, fios finos e peas fundidas. As propriedades
variam de acordo com o percentual de estanho.
J os lates tradicionais so ligas de cobre e zinco, s quais se adiciona um pouco de
chumbo ou alumnio. Em princpio o uso de lates comuns no aconselhvel quando existirem
problemas de corroso. Porm este no o mesmo caso quando so empregados lates de alta
resistncia (55-70% Cu, 20-35% Zn + Al, Mn, Fe, Ni, Sn, etc.), os quais so possuidores de
excelentes propriedades mecnicas e de notvel resistncia corroso em determinados
ambientes.
Outras ligas de cobre seriam: cobre alumnio (8 a 12% de alumnio) que tm propriedades
comparveis quelas dos aos inoxidveis, alm da possibilidade de poderem ser obtidas mais
facilmente, por fundio em areia ou em moldes metlicos; ligas cobre-cromo,etc.


29
2.3.2 Alumnio e suas Ligas

No global de suas propriedades, o alumnio o segundo metal mais usado na
eletricidade, havendo nos ltimos anos uma preocupao permanente em substituir mais e mais
as aplicaes do cobre pelo alumnio, por motivos econmicos.
Alguns aspectos, baseados principalmente no custo (mesmo levando em conta
compensaes no dimensionamento das partes condutoras) e produo nacional maior do
alumnio, tm levado a crescente preferncia pelo alumnio, cujo maior problema a sua
fragilidade mecnica e sua rpida, porm no profunda, oxidao.
Vejamos uma comparao de algumas caractersticas entre o cobre e o alumnio na
tabela apresentada na seqncia.

Mesmo considerando a necessidade de condutores de alumnio com dimetro maior que
seria necessrio se o material fosse cobre, o fio de alumnio ainda tem aproximadamente a
metade do peso do de alumnio, o que reduz o custo dos elementos de sustentao envolvidos,
dado importante na construo de linhas de transmisso. O uso do alumnio adquiriu por essas
razes importncia especial nas instalaes eltricas em avies.
Outro aspecto o comportamento oxidante, j mencionado. O alumnio apresenta uma
oxidao extremamente rpida, formando uma fina pelcula de xido de alumnio que tem a
propriedade de evitar que a oxidao se amplie. Entretanto, esta pelcula apresenta uma
resistncia eltrica elevada com uma tenso de ruptura de 100 a 300V, o que dificulta a
soldagem do alumnio, que por essa razo exige pastas especiais.
A corroso galvnica uma situao particular, prpria entre metais afastados na srie
galvnica dos elementos. Devido ao grande afastamento e conseqente elevada diferena de
potencial entre o cobre o alumnio, essa corroso se apresenta sempre que o contato entre Cu e
Al ocorre num ambiente mido. Por essa razo, os pontos de contato Al-Cu precisam ser
isolados contra a influncia do ambiente.


30
Aplicaes das Ligas do Alumnio:

O alumnio puro apenas usado nos casos em que as solicitaes mecnicas so
pequenas. Tal fato ocorre, por exemplo, nos cabos isolados e em capacitores. Entretanto,
bastante grande o nmero de ligas de alumnio usadas eletricamente, nas quais este
associado principalmente a Cu, Mg, Mn e Si, que , com exceo do silcio, formam sistemas
cristalinos mistos, sensivelmente dependentes das condies de temperatura em que a liga
processada. Alguns exemplos de ligas de alumnio, assim como suas caractersticas, so
apresentados na Tabela a seguir:

O pequeno peso especfico das ligas de alumnio leva, na rea eletrotcnica, s seguintes
aplicaes principais:

- em equipamento porttil, uma reduo de peso;
- em partes de equipamento eltrico em movimento, reduo de massa, da energia
cintica e do desgaste por atrito;


31
- de peas sujeitas a transporte, maior facilidade nesse transporte, extensiva
montagem dos mesmos;
- em estruturas de suporte de materiais eltricos (cabos, por exemplo) reduo do peso
e conseqente estrutura mais leve;
- em locais de elevada corroso, o uso particular de ligas com mangans

2.3.3 Chumbo (Pb)

O chumbo um metal de colorao cinzenta, com um brilho metlico intenso quando no
oxidado. Sua oxidao superficial , porm bastante rpida.
Apresenta elevada resistncia contra a ao da gua potvel, devido presena de
carbonato de chumbo, sal, cido sulfrico. No resiste a vinagre, materiais orgnicos em
apodrecimento e cal. O chumbo atacado pela gua destilada. O chumbo venenoso. Permite
sua soldagem.
Nas aplicaes eltricas, freqentemente encontrado, reduzido a finas chapas ou
folhas, como nas blindagens de cabos com isolamento de papel, acumuladores de chumbo-
cido e paredes protetoras contra a ao de raios X. Ainda o chumbo encontrado em elos
fusveis e em material de solda. Nas ligas, o chumbo encontrado junto com antimnio, telrio,
cdmio, cobre e estanho, adquirindo assim elevada resistncia mecnica e vibrao, ficando,
porm prejudicada a resistncia a corroso.
Uma das ligas mais freqentemente encontradas a do chumbo com antimnio, onde o
antimnio eleva a dureza. J 1,5% de Sb duplicam esse valor. Suas aplicaes mais comuns,
alm das j citadas, so na indstria qumica e de papel, nas tubulaes de guas salinas,
mancais anti-frico, projteis de armas, usinas de energia nuclear e elemento-liga de lates,
bronzes e aos (para melhorar a usinabilidade).

2.3.4 Estanho (Sn)

O metal branco prateado, mole, porm mais duro que o chumbo. Nota-se que a
resistividade do estanho elevada, o que faz esperar um elevado aquecimento perante a
passagem de corrente.
Utilizado em temperaturas inferiores a 18
o
C, o metal apresenta manchas cinzentas, que
desaparecem se o metal novamente aquecido. Ao contrrio, se aquecido acima de 160 C, o
material se torna quebradio e se decompe na forma de pequenos cristais.
temperatura ambiente normal, o estanho no se oxida, a gua no o ataca e cidos
diludos o atacam apenas lentamente. Por isso o estanho usado para revestimento e est
presente em ligas, como no bronze.
A exemplo do chumbo, o estanho encontrado como material de solda. Em algumas
aplicaes reduzido a finas folhas. O minrio de estanho j est se tornando bastante raro.
Suas caractersticas fsicas vm indicadas na Tabela a seguir.


32

2.3.5 Prata (Ag)

o metal nobre de maior uso industrial, notadamente nas peas de contato. A cor
prateada brilhante caracterstica, escurecendo-se devido ao xido de prata ou sulfito de prata
que se forma em contato com o ar. Sua obteno resulta freqentemente de minrios
combinados de prata, cobre e chumbo.
A prata, devido s suas caractersticas eltricas, qumicas e mecnicas, cujos valores
numricos esto indicados na Tab. anterior, usada em forma pura ou de liga, cada vez mais
em partes condutoras onde uma oxidao ou sulfatao viria criar problemas mais srios. o
caso de peas de contato, notadamente nas parte em que se d o contato mecnico entre duas
peas e, onde, alm de um bom material condutor, conveniente ter-se um metal que no influa
negativamente devido a transformaes metlicas. No caso da prata, no seu estado puro,
encontra o seu uso nas pastilhas de contato, para correntes relativamente baixas; quando essa
soluo no adequada, usam-se pastilhas de liga de prata, onde o Ag misturado com nquel
e cobalto, paldio, bromo e tungstnio.
A prateao, numa espessura de alguns micrometros, usada para proteger peas de
metal mais corrosvel. Um comportamento especial da prata, em peas de contato, a
eliminao automtica de xidos de prata, por decomposio em prata pura e liberao do
oxignio, temperatura de 200 a 300
o
C.
Na limpeza de contatos de prata, no usar material abrasivo (lixas, limas, etc).

2.3.6 Ouro (Au)

Esse metal, que apresenta uma condutividade eltrica bastante boa, destaca-se pela sua
estabilidade qumica e pela conseqente resistncia a oxidao, sulfatao, etc. Tambm


33
suas caractersticas mecnicas so adequadas para uma srie de aplicaes eltricas, havendo
porm a natural limitao devido ao seu preo.
O ouro encontrado eletricamente em peas de contato na rea de correntes
muito baixas, casos em que qualquer oxidao poderia levar interrupo eltrica do circuito. E
o caso de peas de contato em telecomunicaes e eletrnica. Seu uso nesse caso feito na
forma pura, no sendo encontrado em forma de liga, pois esta somente eliminaria as
propriedades vantajosas que o ouro apresenta. Consulte suas caractersticas na tabela anterior.

2.3.7 Platina (Pt)

Ainda na famlia dos metais nobres, encontramos a platina, que tambm
bastante estvel quimicamente. relativamente mole, o que permite uma deformao mecnica
fcil, bem como sua reduo a folhas, com espessuras de at 0,0025mm, ou a fios finos, com
dimetro de at 0,015mm ou ainda menores atravs de processos especiais.
Devido s suas propriedades antioxidantes o seu uso eltrico
encontrado particularmente em peas de contato, anodos, fios de aquecimento. o
metal mais adequado para a fabricao de termoelementos e termmetros resistivos at
1000oC, pois at essas temperaturas no sofre transformaes estruturais, fazendo com
que a resistividade varie na mesma proporo da temperatura.
Termmetros resistivos so particularmente usados perante pequena variao
de temperatura, casos no mais registrados por termoelementos. Sua nica desvantagem
de apresentarem uma certa dilatao, o que dificulta a leitura de temperaturas em dado ponto.
Na faixa de - 200 a + 500
o
C, a platina permite a leitura mais exata da temperatura do que
outros metais.

2.3.8 Mercrio (Hg)

o nico metal lquido, temperatura ambiente. Aquecido, oxida-se rapidamente
em contato com o ar. usado em termmetros resistivos para leituras entre 0 e 100oC, bem
como para chaves basculantes usadas conjuntamente com sistemas mecnicos, sobretudo de
relgios, em retificadores, lmpadas (vapor de mercrio). Quase todos os metais (com exceo
do ferro e do tungstnio) se dissolvem no mercrio. Os vapores de mercrio so venenosos. Na
rea dos retificadores, seu uso caiu acentuadamente com a evoluo do retificador de
silcio.

2.3.9 Zinco (Zn)

um metal branco-azulado, que tem o maior coeficiente de dilatao entre os metais.
quebradio temperatura ambiente, estado que muda entre 100-150oC, quando se torna mole e
malevel, o que permite sua reduo a finas chapas e fios. Acima de 200oC, volta a
ser quebradio, podendo ser reduzido a p a 250oC.


34
A resistncia trao varia entre limites amplos, em funo do processo usado
na fabricao das peas. O valor mais baixo se aplica a peas fundidas; quando se
aplica um processo de laminao, o valor se eleva em aproximadamente 10 a 12 vezes. Da
mesma maneira se eleva o alongamento, porm num proporo diferente, bem maior.
O zinco estvel quimicamente no ar, aps se recobrir com uma fina pelcula de xido ou
carbonato de zinco. atacado rapidamente por cidos e bases.
Em contato com outros metais e na presena de umidade, existe facilidade de formao
de elementos galvnicos, que corroem ou dissolvem o zinco. O metal que menos corroe o zinco
o ao, o qual pode, assim, ser usado para recobrimento e proteo do zinco. O zinco ainda
usado para revestimento - a zincagem - atravs de zincagem a fogo (imerso em estado de
fuso), aplicao por pulverizao, ou zincagem eletroltica.
Ligas de zinco - resultam sobretudo da unio de zinco com aluminio e cobre, a fim de
elevar sua resistncia trao e demais propriedades mecnicas. Ligas cristalinas Zn-Al-
Cu levam a cristais mistos, que se transformam com o tempo, conseqentemente
apresentam o chamado envelhecimento, que se faz notar inclusive por uma elevao do
volume, com conseqente reduo das caractersticas mecnicas do alongamento, etc.
Acrescentam-se ainda corroses intercristalinas pela ao da umidade e do calor. Nesse
sentido, destaca-se a ao do alumnio, de modo negativo. Caso tal comportamento
comprometa a pea, deve-se acrescentar magnsio e ltio, que reduzem o efeito corrosivo. O
combate ao envelhecimento obtido, de um lado, usando-se zinco com pureza 99,99%, e do
outro, pelo acrscimo de pequena quantidade de magnsio (0,1%).
As ligas de Al-Zn no apresentam envelhecimento, alm de se destacarem por
uma dilatao mnima. Para a fuso sobre presso, as ligas com 4% de Al, 0,6% de Cu, 0,05%
de Mg e o resto de zinco, tm apresentados os melhores resultados.
Nas aplicaes eltricas, o zinco predominante usado tem pureza 99,99%, em forma de
liga com 0,9% de Al, 0,5% de Cu, com uma condutividade eltrica de 16 a 17m/ mm2 e uma
resistncia trao de 18 a 20 kgf/mm
2
perante um alongamento de 40-55%. Essa liga de
fcil soldagem. Comparado com o cobre, a seo transversal de tais fios deve ser 3,3 vezes
maior. A diferena entre os coeficientes de dilatao dessa liga e do material dos
conetores, pode fazer com que o contato se solte, depois da passagem da corrente.
Uma eventual camada de xido de zinco bem mais mole e, por isso, de remoo mais
fcil que a do cobre. O uso do zinco com metal condutor limitado a elementos
galvnicos (pilha de Leclanch) e a certos elementos de ligao em forma de fios e contatos.

2.3.10 Cdmio (Cd)

O cdmio um acompanhante constante dos minrios de zinco e assim se
constitui num subproduto do mesmo. O cdmio mais mole que o zinco, porm no
mais suas propriedades so bem semelhantes a este. Por seu brilho metlico, tem sido usado
como metal de recobrimento, na proteo contra a oxidao. Por ser mais caro que o
zinco essa aplicao de cdmio hoje quase que totalmente substituda pela
zincagem. Assim o seu uso fica condicionado fabricao das baterias de Ni-Cd. O
cdmio venenoso.
2.3.11 Nquel (Ni)

um metal cinzento claro, com propriedades ferromagnticas. Puro, usado em forma
gasosa em tubos e para revestimentos de metais de fcil oxidao. resistente a sais,
gases, materiais orgnicos sendo porm sensvel ao do enxofre. Aquecido ao ar, no reage


35
com o mesmo at 500oC. Assim, seu uso est difundido na indstria qumica,
particularmente em aplicaes sobre o ferro, pois ambos tm o mesmo coeficiente de
dilatao e temperatura de fuso.
A deformao a quente processada a 1100oC, devido sua elevada
dureza. Freqentemente, porm, essa deformao feita a frio, permitindo obter fios de at
0,03mm de dimetro. O niquel se caracteriza ainda por uma elevada estabilidade de suas
propriedades mecnicas, mesmo a temperaturas bem baixas. Magneticamente, o nquel pode
ser magnetizado fracamente, no sendo mais magntico acima de 356oC (temperatura de
Curie).
Seu uso resulta assim para fios de eletrodos, anodos, grades, parafusos, etc. de difcil
evaporao no vcuo. A emisso de eltrons elevada pelo acrscimo de cobre at 3,5%. Fios
de nquel podem ser soldados a outros de cobre sem problemas. Nas lmpadas incandescentes,
fios de nquel so usados como alimentadores do filamento de tungstnio (W) devido ao
seu comportamento trmico. O seu elevado coeficiente de temperatura o recomenda
para termmetros resistivos. Encontramos seu uso nos acumuladores de Ni-Cd e nas ligas de
Ag-Ni para contatos eltricos. Alis, todas as ligas de nquel se identificam por serem
resistentes, mecanicamente, e contra a corroso e por suportarem bem o calor. Sua presena
em ligas Ni-Cu j altera a cor tpica do cobre, tornando-se praticamente igual prata com
40% de Ni. A condutividade eltrica do cobre cai rapidamente na presena do nquel,
chegando ao seu valor mnimo a 50% de Ni. Assim, ligas de nquel so adequadas na
fabricao de resistores, a exemplo do Konstantan. Monel, e outros. A liga Ni - Cr (ou
nicrom), eventualmente com pequenos acrscimos de ferro mangans, suporta bem, em
particular, o calor, reduzindo a possibilidade de oxidao do nquel, sobretudo acima dos
900oC. Outro setor onde o nquel usado o dos termoelementos, em substituio ao par
platina - platina-sdio, para temperaturas at 1200oC. Combinado com o ferro, leva a liga
magnticas apropriadas.

2.3.12 Cromo (Cr)

um metal de brilho prateado-azulado, extremamente duro. O cromo no se modifica em
contato com ar, e permite bom polimento. Possui elevado coeficiente de reflexo (65%).
Somente sofre oxidao a temperaturas superiores a 500oC, sendo mais sensvel ao
de enxofre e de sais. Quando imerso de uma soluo salina, se recobre com uma camada de
xido que o protege contra outros ataques. O cromo por isso usado para proteger outros
metais que oxidam com maior facilidade. Aliando sua baixa oxidao elevada estabilidade
trmica e alta resistividade eltrica, resulta ampla utilizao do cromo na fabricao de fios
resistivos, em forma pura ou como liga.

2.3.13 Tungstnio (W)

O tungstnio obtido por um processamento quimicamente complexo, na forma de p, e
comprimido em barras a presses de 2000 atm. Por ser um metal com temperaturas-
limite muito elevadas, todo seu processo de manufatura e obteno de produtos
eltricos extremamente difcil e de custo elevado. A prpria compactao dos gros do p
complexa, resultando pequena aderncia entre cristais e, assim, peas quebradias.


36
Modificando-se, porm a disposio cristalina, atravs de um processo especial, fazendo com
que passem a uma disposio linear, podem ser fabricados fios ou filamentos cuja resistncia
trao se eleva com reduo do dimetro, de 5 a 7 vezes.
Uma vez que o tungstnio no permite corte, usinagens ou furao convencionais,
devido a sua dureza e ao fato j mencionado de ser quebradio, o mtodo indicado usado
para fabricar os filamentos de lmpadas incandescentes, que operam a temperaturas em
torno de 2000
o
C, situao em que a resistividade se eleva at prximo de l mm
2
/m, e assim
20 vezes superior quela temperatura ambiente. Na proteo contra as radiaes X, usa-se
uma liga de 93% de W, 5% de Ni e 2% de Cu.
O tungstnio ainda usado em ligas sujeitas a temperaturas elevadas, como por
exemplo, contatos com arcos voltaicos intensos.

2.3.14 Ferro (Fe)

O ferro se conhece tempos remotos, havendo dado o nome a toda uma poca
pr- histrica, denominada idade do ferro. A princpio cr-se que o ferro utilizado na fabricao
de utenslios, era obtido de meteoritos que a 50.000 anos devem ter cado com mais freqncia
na superfcie terrestre.
No Egito a 7.000 anos A.C. encontrou-se amuletos de ferro que provavelmente
provinham de minrios beneficiados. J na ndia a 912 anos A.C. encontrou-se uma coluna de
ferro que media 7 m de altura e 40 cm de dimetro com peso de 6 toneladas e que
resistia perfeitamente aos agentes oxidantes, cr-se que esta coluna tenha sido derivada
de um ferro pureza extraordinria.
A fabricao do ao partindo do ferro tambm muito antiga, os Gregos, 500 anos A.C. j
obtinham o ao (temperado). Cr-se que por uma maneira casual ao deixar alguma sobra de
ferro com carvo de lenha, em contato com o carbono desprendido do mesmo, obteve-
se um outro tipo de ferro com maior dureza.
Na verdade, a poca que marcou a utilizao do ferro foi nos anos de 1800,
quando houve uma grande exploso industrial, esta beneficiada com o surgimento dos
processos de obteno do ferro de melhores qualidades.

As causas desta exploso foram:

- abundncia de ferro na superfcie terrestre;
- alto teor de ferro nos minrios;
- baixo ponto de fuso;
- bom condutor de calor e eletricidade;
- dctil e malevel;
- magnetizvel;
- boas propriedades mecnicas;
- podemos alterar suas propriedades atravs de tratamentos;
- forma lixos de excelentes caractersticas; etc.

A resistividade do ferro ou do ao 6 a 7 vezes a do cobre, ou mesmo mais. Alm de
terem aplicao como materiais estruturais e magnticos, o ferro e o ao so tambm
largamente empregados como condutores eltricos, estando algumas aplicaes listadas a
seguir.


37
- circuitos de trao eltrica: nas estradas de ferro o circuito de retorno para a
corrente eltrica geralmente formado pelos prprios trilhos, soldados entre si ou
ligados por curtos cabos de cobre. Nos sistemas em que se utiliza um
terceiro trilho para conduo da corrente eltrica (em lugar de uma linha
area), empregam-se para o terceiro trilho aos doces, com resistividade de 7 a
9 vezes a do cobre.
- ligas de ferro para resistncias eltricas: a grande maioria das resistncias
para aquecimento eltrico, ou para a confeco de reostatos, manufaturada com
ligas de ferro;
- linhas areas: nestas so utilizados freqentemente tanto como
condutores
- (eletrificao rural, ao galvanizado) como alma de cabos de alumnio,
para
- aumentar a resistncia mecnica.

Alguns materiais no-metlicos como o carvo, carbono e grafite tambm apresentam
qualidades condutoras.

2.3.15 Carvo, Carbono e Grafite

O carbono (do latim carbo, carvo) um elemento qumico,
smbolo C de nmero atmico 6 (6 prtons e 6 eltrons) e slido a
temperatura ambiente.
Dependendo das condies de formao pode ser encontrado na
natureza em diversas formas alotrpicas: carbono amorfo e cristalino em
forma de grafite ou de diamante. O diamante no condutor de
eletricidade.
O grafite muito mais denso, melhor condutor de eletricidade, um
tanto oleoso e menos sensvel aos agentes qumicos que os carbonos
amorfos. Enquanto as propriedades do grafite so bem definidas, as dos carbonos amorfos
dependem da sua origem e das condies de formao.
O grafite pode ser natural ou sinttico. O natural ocorre na natureza e, na maioria das
vezes, necessita de purificao e classificao granulomtrica para ser utilizado
comercialmente. O sinttico produzido a partir de outras formas de carbono como coque e
antracita (forma amorfa do carvo, caracterizada pelo agrupamento catico e aleatrio dos seus
tomos). Estes materiais so reduzidos a p e compactados, s vezes com a presena de
aglomerantes. Posteriormente so submetidos a altas temperaturas (em torno de 2200C),
geralmente atravs da passagem de corrente eltrica. Este processo recebe o nome de
grafitizao. Ao produto assim obtido d-se habitualmente o nome de carvo eletrograftico.
O grafite e o carvo eletrograftico so muito utilizados na tecnologia de resistores, de
potencimetros de carvo e na produo de eletrodos para fornos eltricos. Eles apresentam
propriedades lubrificantes, pois oferecem um baixo coeficiente de atrito em contatos de peas
deslizantes. Desta forma so utilizados como comutadores em escovas coletoras de motores.


38
Outras aplicaes:

a) Elementos de resistncia: As qualidades refratrias do carvo e a sua perfeita
resistncia ao choque trmico, aliados a um grande poder irradiante, tornam
este material muito conveniente para a fabricao de resistncias para altas
temperaturas. As resistncias de carvo apresentam-se sob a forma de
barras de seo circular, cheias ou tubulares, toros, anis, etc. A ligao
do circuito s resistncias de carvo exige precaues especiais,
conseguindo-se, no entanto, um bom contato com o cobre.

b) Resistncias fixas elevadas: Para a obteno de resistividades mais elevadas
que as do carbono (6000 cm
2
/cm) podem empregar-se aglomerados de
carbono com uma base isolante mineral e um ligante orgnico que constituiro
elementos de resistncia elevada com bom poder de dissipao e um
coeficiente de termorresistividade negativo.

c) Eletrodos para fornos de arco: O eletrodo para forno eltrico constitui a
forma em que maiores quantidades de carvo se consomem em eletrotcnica,
podendo considerar-se dois grupos fundamentais: os de carvo amorfo e os de
carvo eletrograftico, sendo muito raro o emprego da grafite natural.

Eletrodos de grafite para forno eltrico a arco

T TI IP PO OS S D DE E F FO OR RN NO OS S A A A AR RC CO O: :
Fornos a arco direto
Fornos a arco indireto


39
Comparativamente com os de carvo amorfo, os eletrodos de carvo eletrograftico
apresentam o seguinte conjunto de vantagens:

- tm maior condutibilidade, o que reduz as perdas por efeito Joule e permite
maiores densidades de corrente;

- tm menor suscetibilidade s aes qumicas, queimando-se e
desagregando-se menos;

- so mais puros, nomeadamente nos teores de ferro, silcio e enxofre.

Em contrapartida, tm menor condutibilidade trmica, pelo que do lugar a maiores
perdas e so mais caros. O problema das impurezas importante, pois vo influir na
qualidade dos produtos fundidos, e da as precaues necessrias na seleo dos eletrodos,
especialmente nos de carvo amorfo.
Outro problema o da ligao eltrica dos eletrodos, a qual exige precaues e tcnica
adequada por forma a manter sua continuidade.

Veja na tabela as propriedades de algumas variedades do carbono:

RESISTIVIDADE

Ocm
DENSIDADE

-
Carbono amorfo 3200 a 6500 1,98 - 2,10
Carvo eletrograftico 800 a 1200 2,20 - 2,24
Grafite natural 50 a 400 2,25

2.4 Materiais de elevada Resistividade

As ligas metlicas resistivas so utilizadas com trs finalidades bsicas:

para fins trmicos ou de aquecimento;
para fins de medio;
para fins de regulao.

2.4.1 Ligas de Aquecimento

Tais ligas precisam ter uma elevada estabilidade trmica, tendo um bom
comportamento corrosivo ou qumico temperatura local. Cada liga desse tipo possui uma
temperatura mxima de servio, que no pode ser ultrapassada, referida ao ambiente de
servio, geralmente em contato com o ar. Essas ligas possuem, muitas vezes, a propriedade
de recobrirem-se por fina pelcula de xido, a qual protege o restante do metal contra a
ao do ambiente. Tal pelcula, porm, poder romper-se se houver freqentes


40
aquecimentos e resfriamentos, ou seja, freqentes ligaes e desligamentos da rede eltrica,
reduzindo assim a durabilidade do componente. Na escolha dos componentes da liga,
tambm podem ser de importncia sua capacidade de dilatao e de irradiao.
Deve-se ter dados exatos de variao da resistncia entre a temperatura ambiente
e a mxima temperatura de servio.

2.4.2 Ligas de Medio

Resistores para instrumentos de preciso admitem um coeficiente de temperatura
mximo de 2,5x10-6/C, uma pequena tenso de contato com relao ao cobre e uma
resistncia praticamente constante. Tais ligas sofrem geralmente deformao a frio, o que
pode acarretar envelhecimento sensvel aps algum uso. Por essa razo comum aplicar-se
um processo de envelhecimento artificial, para estabilizar o material, atravs de um
tratamento trmico controlado, que elimina tenses internas, estabiliza e homogeneiza os
cristais. Os tipos usados para resistncias-padro so muito diversos dos empregados
para reostatos de partidas de motores, ou para regulao de aparelhos.
As ligas de nquel-cromo apresentam elevada resistividade e baixo coeficiente de
temperatura para a resistncia; por exemplo Nichrome V. As ligas de ferro-nquel, de custo muito
menor que as de nquel-cromo, apresentam menor resistividade que essas e menor resistncia
corroso, por exemplo Nilvar. As ligas de cobre-nquel tm resistividade ainda menor,
no resistem to bem s altas temperaturas quanto as de nquel-cromo, porm
apresentam coeficientes de temperatura praticamente desprezveis, por exemplo Advance.

2.4.3 Ligas de Regulao

Nesse caso a faixa de temperatura se move entre 100 e 200
o
C. As ligas ternrias de
ferro, nquel e cromo so as que melhor satisfazem s condies de resistividade elevada,
pequena variao da resistividade com a temperatura, grande resistncia qumica aos
agente oxidantes, carburantes ou sulfurantes e tm propriedades mecnicas capazes de
permitirem um funcionamento prolongado a alta temperatura, sem deformao excessiva.
A presena de cromo melhora a resistncia s aes qumicas da liga e confere-lhe boas
caractersticas mecnicas.
H umas cinco ligas que habitualmente se empregam na resoluo de problemas
diversos, tais como: fabricao de reostatos, resistncias de aquecimento para
fornos, aquecedores e aparelhos de laboratrio, etc.
Os fios resistentes so normalmente revestidos de uma pelcula impermevel e isolante
de xido, a qual permite bobinar resistncias com as espiras encostadas, desde que a diferena
de potencial entre os pontos vizinhos no exceda qualquer coisa como 2V.
Isto permite fabricar reostatos de variao dita contnua, com um contato
deslizantes. Estes reostatos suportam geralmente temperaturas da ordem dos 600
o
C.
As ligas habitualmente empregadas so as seguintes:

- Liga A: 12Ni + 12Cr + 76Fe. Aplicada em resistncias de aquecimento a
temperatura moderada e reostatos de arranque de motores.

- Liga B: 36Ni + 11Cr + 53Fe. Aplicada em resistncias de aquecimento a
temperatura moderada. Aquecimento domstico. Reostatos de motores de trao.


41

- Liga C: 48Ni + 22Cr + 30Fe. Aplicada na fabricao de radiadores, fornos de
tratamento a altas temperaturas e em aparelhos de medida.

- Liga D: 60Ni + 15Cr + 25Fe. Aplicaes anlogas s da anterior.

- Liga E: 80Ni + 20Cr. Aplicvel em radiadores luminosos, fornos de
tratamento a altas temperaturas, aparelhos de laboratrio e resistncias de
medidas.

As ligas com nquel e cromo tm elevada resistividade e baixo coeficiente de
termorresistividade, associados a uma alta resistncia oxidao e alterao a altas
temperaturas.
As ligas cobre-nquel tm menor resistividade que as de nquel-cromo e resistem pior s
altas temperaturas, mas tm um coeficiente de termorresistividade praticamente nulo
s temperaturas normais, o que importante para a construo de aparelhos de medida de
preciso.
As ligas de cobre, nquel e zinco ou nquel e prata foram primitivamente utilizadas para
aplicaes eltricas, mas foram sendo preteridas em favor das anteriormente mencionadas.

2.5 Aplicaes

Conforme apresentado anteriormente, os materiais condutores de corrente eltrica so
classificados em dois grandes grupos:
- Materiais de elevada condutividade
- Materiais de elevada resistividade

Ao primeiro grupo destinam-se todas as aplicaes em que a corrente eltrica deve
circular com menores perdas de energia possveis (tal como elementos de ligao entre
aparelhos, dispositivos, etc.), ou ainda como elementos de circuitos que devem dar origem a
uma segunda forma de energia por transformao eltrica (tal como em bobinas
eletromagnticas).
Os materiais do segundo grupo destinam-se, por um lado, transformao da energia
eltrica em trmica (tal como em fornos eltricos) e, por outro lado, para criar num circuito
eltrico certas condies destinadas a provocar quedas de tenso e limitao de corrente para
se obter um ajuste s condies adequadas ao circuito.
Neste tpico sero abordadas as aplicaes especiais destes materiais em Engenharia
Eltrica.

2.5.1 Resistores
Resistores so componentes capazes de transformar a energia eltrica em energia
trmica, diminuir a tenso e limitar a corrente em vrios pontos de um circuito.


42

Resist or elt rico Resist or de lmpada Resist or de Chuveiro

Existem muitos tipos de resistores, porm em sua grande maioria so pequenos demais
para se escrever o valor no corpo do mesmo. Desta forma, os fabricantes utilizam de um cdigo
de cores, que informa o seu valor.
Os resistores menores ainda, que so soldados diretamente na superfcie da placa, nem
sempre tm o valor impresso no seu corpo, sendo necessrio recorrer ao manual tcnico do
equipamento para saber o valor correto.
Os resistores possuem pequenas variaes na fabricao que fazem com que cada um
deles apresente valor diferente do outro, mesmo que a aparncia seja idntica e que os valores
nominais sejam iguais. Devido a isto, alm do valor nominal do resistor, na superfcie do mesmo
vem impressa a tolerncia, ou seja, quanto o valor daquele resistor pode variar acima e abaixo
do valor nominal. Os resistores mais comuns so fabricados dentro da com tolerncia de 5 ou
10% e possuem 4 faixas coloridas, enquanto os resistores mais precisos, com tolerncia de 2,
1% ou menos, so marcados com 5 faixas coloridas para permitir um dgito a mais de preciso.
Quando no apresentam a quarta faixa tm tolerncia de 20%.

a) Como ler um resistor de 4 faixas

Para ler um resistor de 4 faixas coloridas deve-se prestar ateno ao seguinte: h uma
cor que est mais prxima do extremo. Esta a primeira cor a ser considerada na leitura.
A primeira cor deste extremo representa o primeiro dgito do valor. A segunda cor
representa o segundo dgito. A terceira cor representa o fator exponencial multiplicativo. Por
exemplo:
Marrom = 1
Preto = 0
Vermelho = 2
O valor deste resistor ser 10 x10
2
, ou seja, igual a 1000.

b) Como ler um resistor de 5 ou 6 faixas

Quando o resistor de preciso, apresenta 5 faixas coloridas. Como a ltima faixa destes
resistores normalmente marrom ou vermelha, pode haver uma confuso a respeito de onde
o lado certo para iniciar a leitura, j que a primeira faixa que representa o valor do resistor
tambm pode ser marrom ou vermelha. Sendo assim, a exemplo do resistor de 4 listras
coloridas, o melhor a fazer observar a faixa que est mais prxima do extremo do resistor.
Esta ser a primeira faixa, por onde se deve iniciar a leitura. Outra dica verificar a faixa que
est mais afastada das outras. Esta a ltima faixa de cor.


43
A leitura nestes resistores semelhante dos resistores com 4 cores, mas adicionada
mais uma cor no incio, fazendo existir mais um algarismo significativo na medio. Assim, os
trs primeiros dgitos so os algarismos significativos, o que confere maior preciso na leitura. O
quarto o elemento multiplicador. O quinto dgito a tolerncia e o sexto dgito (quando existir)
far referncia ao coeficiente de temperatura, ou seja, como a resistncia varia de acordo com a
temperatura ambiente. Este ltimo valor dado em PPM/C (partes por milho por graus
Celsius).
A tabela de cores dos resistores pode ser vista abaixo.

Exemplos
1 Fai x a - Ver mel ho= 2
3 Fai x a - Fat or Mul t i pl i cat i vo - Mar r om= 10ex p1= 10
4 Fai x a - Tol er nci a - Our o = 5%
Val or do Resi st or = 22 x 10 = 220 5%
1 Fai x a - Amar el o= 4
2 Fai x a - Vi ol et a= 7
3 Fai x a - Fat or Mul t i pl i cat i vo - Ver mel ho= 10 = 100
Val or do Resi st or = 47x 100= 4700 ou 4,7K ou 4K7


44
3 Fai x a - Fat or Mul t i pl i cat i vo - Amar el o= 10ex p4= 10000
Val or do Resi st or = 22x 10000= 220000 ou 220K

Outros exemplos podem ser calculados em um simulador disponvel no site:

http://www.rmeletronica.com.br/attachments/File/resistor/index.html

Resistores SMD

medida que o tempo passa, menores so os
equipamentos e, naturalmente, os componentes internos tambm
acompanham esta diminuio do tamanho. Hoje, dentro desta
filosofia, so encontrados facilmente resistores SMD nos aparelhos
eletrnicos. Estes resistores so soldados na superfcie da placa e,
por serem muito pequenos, possuem nmeros impressos no
corpo, obedecendo mesma idia de contagem, porm com
nmeros ao invs de cores.
As redes de resistores (vrios resistores dentro de um mesmo encapsulamento) tambm
obedecem a esta metodologia.

Tipos de Resistores

Os resistores dividem-se basicamente em trs tipos:
1) Fixos:
So aqueles de dois terminais, de valor hmico fixo. Os mais comuns so fabricados
em pelcula de carbono, sua potncia varia de 1/8W at 2,5W e so identificados pelo
cdigo de cores. Outros, com potncia acima de 5W so de fio, geralmente so


45
fabricados em nquel-cromo e os valores da resistncia, potncia e tolerncia vm
impressos em seu corpo.

2) Ajustveis:
So aqueles de trs terminais, sendo o terminal central (cursor) mvel,
permitindo ajuste por parafuso ou dispositivo semelhante. So
normalmente utilizados para fazer ajustes finais na operao dos
circuitos. Tais ajustes no sofrem controle externo ao circuito. So
conhecidos como trimpots.

3) Variveis:

Tambm possuem trs terminais, onde o cursor mvel pode ser
deslocado continuamente por ao de um eixo, variando a
resistncia entre os terminais fixos e mvel. So usados para
controle externo de um determinado parmetro do circuito. So
conhecidos como potencimetros. Assim como os resistores fixos,
os potencimetros so fabricados em carbono ou fio de acordo com a
potncia. Os potencimetros, segundo a variao da resistncia,
podem ser lineares ou logartmicos. Tambm podem ser com chave ou sem chave. A
chave geralmente impe uma resistncia infinita entre dois de seus terminais no fim do
curso da variao da resistncia. Aplicados em circuitos limitadores de corrente, divisores
de tenso, atenuadores resistivos, etc.

2.5.2 Fusveis

Em eletrnica e em engenharia eltrica fusvel um dispositivo de proteo contra
sobrecorrentes e curtos-circuitos. Sobrecorrente ocorre quando o equipamento ou sistema
eltrico passa a requerer, por alguma razo, uma corrente maior que a especificao normal,
evento que pode ocorrer por tempo prolongado. Curto-circuito define-se como a especial e
elevada corrente, cuja durao inferior ao segundo, originada em decorrncia de um defeito na
instalao, circuito ou equipamento.
Consiste de um filamento ou lmina de um metal ou liga metlica de baixo ponto de fuso
que se intercala em um ponto determinado de uma instalao eltrica para que se funda, por
efeito Joule, quando a intensidade de corrente eltrica superar, devido a um curto-circuito ou
sobrecarga, um determinado valor que poderia danificar a integridade dos condutores com o
risco de incndio ou destruio de outros elementos do circuito.
Fusveis e outros dispositivos de proteo contra sobrecorrente so uma parte essencial
de um sistema de distribuio de energia para prevenir incndios ou danos a outros elementos
do circuito.


46
So dimensionados para suportar continuamente a corrente mxima do circuito ou
aparelho protegido.

O funcionamento do fusvel baseia-se no princpio segundo o qual uma corrente que
passa por um condutor gera calor proporcional ao quadrado de sua intensidade. Quando a
corrente atinge a intensidade mxima tolervel, o calor gerado no se dissipa com rapidez
suficiente, derretendo um componente e interrompendo o circuito.
O tipo mais simples composto basicamente de um recipiente tipo soquete, em geral de
porcelana, cujos terminais so ligados por um fio curto, que se derrete quando a corrente que
passa por ele atinge determinada intensidade. O chumbo e os estanho so dois metais
utilizados para esse fim. O chumbo se funde a 327 C e o estanho, a 232 C. Se a corrente for
maior do que aquela que vem especificada no fusvel: 10A, 20A, 30A, etc, o seu filamento se
funde (derrete).
Quanto maior for a corrente especificada pelo fabricante, maior a espessura do filamento.
Assim, se a espessura do filamento do fusvel suporta no mximo uma corrente de 10A e por um
motivo qualquer a corrente exceder esse valor, a temperatura atingida
pelo filamento ser suficiente para derret-lo, e desta forma a corrente
interrompida.
O fusvel de cartucho, manufaturado e lacrado em fbrica, consiste
de um corpo oco no condutivo, de vidro ou plstico, cujo elemento
condutor est ligado interiormente a duas cpsulas de metal, os
terminais, localizados nas extremidades.


47

Tipos de Fusveis

Os fusveis podem ser:

1) Fusvel de Rolha: o mais comum nas instalaes domiciliares,
utilizado normalmente em circuitos de iluminao e fora com valores
nominais de: 6-10-15-20-25-30A e tenso mxima de trabalho de
205V.

2) Fusvel de Cartucho: Possuem elo fusvel laminar ou cilndrico.
utilizado em circuitos de correntes mais elevadas, principalmente de
iluminao e fora com valores nominais de corrente de: 10-15-20-25-
30-40-50-60-100A e tenso mxima de 250V.

3) Fusvel tipo Faca: Usado principalmente em circuitos de fora, para
correntes muito elevadas. O elo fusvel forma de lmina e apresenta
reduo de seo em alguns lugares para localizar a rea de fuso.
Valores nominais de corrente de: 80-100-150-200-250-300-400-500-
600A e tenso mxima de 500V.

4) Fusvel Diazed: O elo fusvel uma chapa vazada com furos,
utilizado em circuitos de fora e iluminao, sendo produzidos tanto
do tipo de fuso rpida quanto fuso lenta. Os de ao rpida so
destinados a circuitos predominantemente resistivos enquanto que
os de ao lenta (retardados) so indicados para proteo de
motores, e cargas de altas correntes transitrias de energizao,
que no justificam a interrupo do circuito. Apresentam areia em
seu interior para atenuar os efeitos da presso, temperatura e arco durante a fuso do
elo. Apresentam uma pedra colorida (chamada espoleta) que se desprende de sua
posio quando o fusvel queimado. Valores nominais de corrente de: 6-10-15-20-
25-30-60A (rpidos) e de 80-100-125-160-200A (retardados) com tenso mxima de
at 500V. Tambm so encontrados os de alta capacidade, conhecidos por tipo NH
que utilizam cermica como isolador.

5) Fusvel de Cartucho para altas tenses: Empregado para correntes elevadas e em
circuitos de mdia e alta tenso. construdo com invlucros isolantes de alta rigidez
dieltrica, como a porcelana. Elo fusvel: fio.

6) Fusvel para circuitos eletroeletrnicos: Em formato de cartucho com invlucro de
vidro ou cermico contem um filamento de liga de cobre ou prata. Usado para baixos
valores de corrente com grande aplicao em proteo de aparelhos eletroeletrnicos.


48
2.5.3 Bimetais

Os bimetais consistem em chapas compostas de duas folhas de metais diferentes
passadas no laminador a temperatura bastante elevada para que elas sejam fortemente
aderidas uma outra. s vezes, ao invs da tcnica do laminador, as duas folhas so
justapostas e soldadas ponto.
As lminas de bimetal so fabricadas para diversos fins; por exemplo: para unir, a
resistncia mecnica de uma folha, com a elevada resistncia corroso de outra; ou mesmo
para aproveitar os efeitos dos diferentes coeficientes de dilatao trmica.
Se unirmos duas tiras metlicas que tm coeficientes de dilatao lineares
1
e
2
muito
diferentes, a deformao provocada pelos diferentes alongamentos, ou contraes, das partes
sob a ao de uma variao de temperatura, pode ser usada para diversas aplicaes. certa
temperatura (de repouso) as duas tiras tm o mesmo comprimento e a lmina se apresenta
plana, posio (1) na ilustrao abaixo.

Um aumento de temperatura provoca nela a uniforme flexo no sentido do comprimento
de modo que o metal A, menos sensvel s variaes trmicas, permanece no interior da
concavidade - posio (2), ou seja, na face cncava.
Uma diminuio de temperatura provoca a deformao inversa - posio (3) ficando o
material A (menor coeficiente de dilatao linear) na face convexa.
Os materiais usados correntemente so ligas de ferro e nquel cujos coeficientes de
dilatao linear dependem fortemente da porcentagem de nquel; se esta porcentagem de
36% obtm-se a liga invar que possui um o extremamente pequeno (da seu nome,
invarivel). O lato e o invar constituem um bom par para a lmina bimetlica.
Para uma lmina como a da ilustrao acima pode-se assumir h como a medida da
deformao provocada por uma variao de temperatura Au em relao de repouso: em
primeira aproximao a deformao dada por:


49

h = (2L
2
/s).Ao.Au
onde: L o comprimento natural da lmina, s sua espessura e Ao a diferena entre os
coeficientes de dilatao linear dos dois materiais.

Para uma lmina ferro-invar com L = 30 mm, s = 0,5 mm e para Au = 1
o
C, resulta h ~ 0,04 mm.
As dimenses das lminas bimetlicas dependem das caractersticas de robustez, de
sensibilidade e de rapidez requeridas para as suas diversas aplicaes; a espessura
geralmente compreendida entre 0,05 a 5 mm.
Nos dispositivos com lmina bimetlica uma extremidade da lmina mantida fixa e
usado o deslocamento da extremidade livre para efetuar alguma ao. Tal deslocamento,
eventualmente ampliado, pode ser transmitido a um indicador mvel sobre uma escala
graduada: o dispositivo, uma vez calibrado, constitui um termmetro bimetlico (muito comum
em tampas de fornos dos foges a gs).
Mais freqente o uso de lminas bimetlicas em aparelhos que efetuam
automaticamente a abertura e o fechamento de um circuito eltrico onde a comutao pode
ocorrer para valores pr-estabelecidos de temperatura. Eis uma ilustrao didtica para um
alarme contra incndio:


50
Aplicaes tpicas e muito difundidas so constitudas pelos interruptores de pulsao
automtica (intermitentes) nos quais o ligar e desligar de uma ou mais lmpadas so
comandados por uma lmina bimetlica aquecida por um resistor de resistncia R em srie com
a lmpada.
Os termo-reguladores ou termostatos e os interruptores automticos de sobrecarga
funcionam sob este princpio bsico das lminas bimetlicas (abaixo, direita). Nas decoraes
de rvores de natal mediante pequenas lmpadas, uma das lmpadas usa o prprio calor
dissipado em seu funcionamento para acionar um interruptor bimetlico, em srie (abaixo,
esquerda).

Termostatos de Lamina

Termostatos bimetlicos de lamina so amplamente utilizados com o
objetivo de regular ou proteger o equipamento de um
superaquecimento. Feito com bimetais snp-action e com disco
ceramicos de tima qualidade garantindo cliclos e vida de at 50.000
operaes. Devido ao bimetal estar plenamente em contato com a
superficia a ser controlada possui um timo grau de preciso de
acionamento. Bastante utilizado em aplicaes acima de 200C ,
possui dois modos de ajuste, com pino de regulagem e parafuso fixo
na temperatura. Disponivel numa faixa de temperatura de -0 C at
300C, com capacidade de corrente de at 15A.
Algumas aplicaes Beneficios e Vantagens
Fornos eletricos
Estufas e esterilizadores
Autoclaves
Mquinas de fumaa
Fritadeiras
Maquinas de Estampas
Rpida Resposta
Pode ser customizado
Baixo custo / Alto Beneficio
Evita queima do equipamentos
que causam grandes prejuizos

Rels de sobrecarga bimetlicos

O rel de sobrecarga bimetlico constitudo de um par de lminas metlicas (um por
fase), com metais de dilatao trmica linear diferente e por um mecanismo de disparo, contidos
num invlucro isolante com alta resistncia trmica.


51

Disjuntores Termo-magnticos

Bilmina
Mola de abertura
Contatos
Borne de ligao
Borne de ligao
Um disjuntor um aparelho
de corte, comando e proteo. um
daqueles dispositivos que todos
temos (vrios) no quadro eltrico
situado entrada de nossas casas. A
sua funo proteger os circuitos no
interior destas. Cada um dos
disjuntores responsvel por
proteger uma parte da nossa
instalao eltrica (iluminao,
tomadas, mquina de lavar roupa,
etc.).
Os disjuntores protegem os
circuitos contra sobrecarga
(acionamento trmico) e curto-
circuito (acionamento magntico que
ser visto mais adiante), disparando
quando se verifica uma destas
situaes e prevenindo assim danos
na instalao que podem levar at ao
incndio.


52

2.5.2 Fios e cabos condutores

Um fio um segmento fino, cilndrico, flexvel e alongado de um certo material de acordo
com sua funo. So usados fios distintos para transportar tanto energia eltrica quanto
informao. So feitos de metal, em geral cobre ou alumnio, revestido de plstico ou borracha
isolante.
Basicamente, o que diferencia um fio de um cabo a flexibilidade, suas caractersticas
eltricas (capacidade de conduo de corrente, resistncia da isolao, etc.) so as mesmas.
Os fios so feitos de um nico e espesso filamento, e por isso so rgidos. Os cabos so feitos
por diversos filamentos finos, o que lhes d maleabilidade e facilitando seu manuseio.

So constitudos, fundamentalmente, por trs partes distintas:
- CONDUTOR
- ISOLAO
- COBERTURA

Cada fio ou cabo deve conter as seguintes informaes gravadas de forma contnua:
bitola - isolao - temperatura - nome do fabricante.


53
Um cabo condutor eltrico pode ser constitudo por uma quantidade varivel de fios,
desde um nico fio at centenas deles.

CABOS DE ALUMNIO:

- Cabo N :
Obtido atravs da reunio de vrios fios dispostos
concenticamante em torno de um fio central. Este fio central pode ser de alumnio
(cabo CA) ou de ao (caboCAA).
- Multiplex: Os cabos multiplexados para 0,6/1KV so constitudos a partir da
reunio de um, dois ou trs condutores fases isolados ao redor de um condutor
neutro de sustentao. A isolao constituda por composto extrudado de
polietileno termoplstico (PE) para temperaturas de operao do condutor de 70C,
ou por composto termofixo e polietileno reticulado (XLPE) para temperaturas de
operao de condutor 90C. O condutor neutro de sustentao pode ser formado
por fios de alumnio sem alma de ao (tipo CA), ou com alma de ao (tipo CAA)

2.6 Supercondutores

Um metal a temperatura ambiente tem resistncia eltrica pequena, porm no nula.
Quanto menor a temperatura, menor a resistncia do material.
Supercondutores so materiais que no oferecem resistncia passagem de corrente
eltrica.
A supercondutividade s se verifica abaixo de uma determinada temperatura para cada
tipo de material, chamada temperatura crtica. Quanto maior for esta temperatura para um dado
material, maior ser seu potencial para aplicaes prticas.
O holands Heine Kammerlingh-Onnes achava que a resistncia deveria diminuir cada
vez mais, chegando a zero no zero absoluto. Ele argumentava que as vibraes dos tomos do


54
metal, que dificultam o deslocamento dos eltrons e causam a resistncia, deveriam cessar no
zero absoluto. Nesse caso, a resistncia eltrica cairia a zero gradualmente.
Kelvin previa que os prprios eltrons deveriam se "congelar" no zero absoluto. Assim, a
resistncia eltrica na temperatura zero seria infinita. Para resolver esse debate s medindo a
resistncia dos metais em baixssimas temperaturas.
No incio do sc. XX, Kammergingh-Onnes, comeou ento a medir a resistividade de
metais em baixssimas temperaturas. De incio, o metal escolhido por ele foi o mercrio que
tinha a vantagem de poder ser altamente purificado. O resultado da experincia foi
surpreendente. Ao atingir 4,2 Kelvins (-268,95 C) a resistncia eltrica do fio de mercrio caiu
subitamente a zero! No foi caindo gradualmente, como pensava Onnes, nem foi para infinito,
como queria Kelvin. Como o prprio Onnes disse:

"o mercrio a 4,2 K entra em um novo estado, o qual, devido a suas propriedades
eltricas, pode ser chamado de estado de supercondutividade".

Este resultado foi apresentado por Onnes em um artigo publicado em uma revista
cientfica holandesa em Maio de 1911, com o ttulo "Sobre a variao da resistncia eltrica de
metais puros em temperaturas muito baixas. O desaparecimento da resistncia do mercrio".
Nos anos seguintes, a supercondutividade foi verificada em vrios metais e ligas, mas,
sempre, em temperaturas muito baixas.
Em 1956, o fsico americano Leon Cooper mostrou que os eltrons que transportam a
"supercorrente" se associam em pares enquanto se deslocam pelo material. Estes pares,
chamados pares de Cooper poderiam ser os responsveis pela corrente supercondutora em
materiais a baixas temperaturas. Normalmente, dois eltrons com carga negativa, no podem
chegar perto um do outro por causa da forte repulso coulombiana. No entanto, Cooper sugeriu
que, dentro de um slido metlico, dois eltrons poderiam vencer essa repulso mtua com a
ajuda de uma excitao da rede cristalina do material, comumente chamada de "fnon".

Um fnon uma excitao mecnica que se propaga pela rede
cristalina de um slido. Normalmente, essa excitao, que se desloca como
uma onda pelo material, causada pela agitao natural existente em todo
sistema sujeito a uma temperatura finita. Ela consiste de pequenos
deslocamentos dos tomos da rede. claro que, quanto maior a temperatura
maior o nmero de fnons, e esses fnons se propagam em todas as
direes dentro do material.

Os tomos da rede cristalina de um metal no so eletricamente neutros. Normalmente,
eles perderam eltrons e se tornaram positivamente carregados. So os eltrons perdidos que
transportam corrente eltrica pelo slido. Um eltron que se desloca atravs do material vai
perturbando os tomos da rede, atraindo-os por fora coulombiana. Essa perturbao um
fnon que sai, de algum modo, na rasteira do eltron, como uma turbulncia que segue um
carro.
O fnon gerado pela passagem de um eltron, sendo uma onda de tomos positivos
deslocados, pode capturar outro eltron que esteja por perto. Isso forma o par de Cooper: dois
eltrons ligados atravs de um fnon da rede. O fnon formado de cargas positivas deslocadas
permite que os eltrons, que normalmente se repelem, viajem em conjunto pelo slido. Em
temperatura alta, a agitao trmica to forte que um par de Cooper no consegue se manter
vivo e logo se quebra. Em baixas temperaturas, no entanto, as chances melhoram.


55
Em 1957, Cooper, juntamente com John Bardeen, Robert Schrieffer propuseram uma
teoria (a Teoria BCS, das iniciais dos autores) que explicava o fenmeno da supercondutividade
atravs da anlise detalhada dos pares de Cooper. Neles, os eltrons tm energia ligeiramente
inferior energia dos eltrons individuais. Em termos tcnicos, diz-se que existe um "gap" de
energia separando os eltrons emparelhados dos eltrons normais.
Quando um eltron, em um condutor normal, interage com os tomos da rede, d-se uma
troca de energia. Nesta interao, o eltron pode transferir energia para os tomos, como uma
bola de sinuca se chocando com outra, e, no processo, os tomos so "excitados". Esta
vibrao nos tomos das redes provoca o aquecimento do material.
No entanto, se dois eltrons j estiverem ligados em um par de Cooper, essa interao
com outros tomos da rede s ser possvel se a energia trocada for igual ou maior que a
energia do "gap". Quando a temperatura alta, h muita disponibilidade de energia trmica para
isto, e os pares de Cooper nem conseguem se formar, ou, quando se formam, so logo
aniquilados. No entanto, baixando-se a temperatura, pode-se chegar a um valor no qual a
energia disponvel para trocas trmicas menor que a energia do "gap". Assim, alguns pares de
Cooper no so aniquilados pela agitao trmica. Mesmo que os eltrons de um par se
choquem com tomos da rede, no haver troca de energia entre eles.

Em processos qunticos, como so esses choques, s pode haver
troca de energia se o "gap" for vencido. No pode haver troca parcial de
energia. O choque, se houver, ser "elstico", sem perda de energia pelos
eltrons.

A temperatura crtica (TC) do material uma medida do tamanho do "gap" de energia. Em
um supercondutor tpico, como o mercrio utilizado nas pesquisas, por exemplo, a energia do
"gap" bem pequena, da ordem de 0,01 eletron-volt. Por isso, as temperaturas crticas desses
supercondutores so to baixas.
Nos anos seguintes descoberta da supercondutividade por Onnes, muitos materiais
supercondutores foram encontrados, quase todos metlicos. No entanto, todos tinham
temperaturas crticas baixssimas. At o incio da dcada de 80, o recorde era o nibio (Nb3Ge),
com TC perto de 23 K (-250 C).
A teoria BCS indicava que dificilmente supercondutores com temperaturas crticas acima
de 25 K seriam encontrados em virtude da energia do "gap". Porm, em 1986, dois fsicos que
trabalhavam no laboratrio da IBM em Zurich, na Alemanha mudaram o rumo das pesquisas
neste tema. Descobriram que um material cermico base de xido de cobre, brio e lantnio,
ficava supercondutor a 30K.
Em Abril de 1986, Georg Bednorz e Alex Mueller sintetizaram uma cermica com frmula
Bax La
5
-xCu
5
O
5
(3-y). Esse material uma cermica do tipo perovskita que, na forma de
silicatos, abundante na crosta terrestre, a areia. perceptvel pela frmula que eles partiram
de um composto normal, de xido de cobre com brio e lantnio, e foram retirando oxignio em
vrias propores.
Vrios outros compostos desta mesma famlia foram descobertos por
laboratrios de todo o mundo, com temperaturas crticas cada vez mais
elevadas. At que, em Janeiro de 1987, Paul Chu, da Universidade de
Houston, mostrou que o YBa
2
Cu
3
O
7
supercondutor com uma incrvel
temperatura crtica acima de 90 K.
Hoje, so conhecidos supercondutores com temperatura crtica acima de 130 K.
O nitrognio o elemento mais abundante de nossa atmosfera (~80%) e relativamente
barato e fcil de liquefazer (TC = 77 K).


56
Vale salientar que quando se fala de supercondutores de alto TC, estamos falando em
temperaturas crticas ainda muito baixas, da ordem de -150
o
C.
A maioria dos supercondutores de alto TC consiste de cermicas com estrutura de
perovskita modificada. O curioso que tais materiais so maus condutores de eletricidade na
temperatura ambiente.
Ainda est a surgir uma teoria satisfatria para explicar o mecanismo da
supercondutividade nestas cermicas. A teoria BCS no funciona a contento para estes
supercondutores. Por outro lado, parece que existem pares de Cooper nos supercondutores de
alto TC. No se sabe ao certo se o mecanismo de formao desses pares o mesmo que nos
supercondutores tradicionais. Isto posto em dvida atravs das evidncias de atuao dos
spins no acoplamento de eltrons. Como disse Sir Nevil Mott, decano da Fsica do Estado
Slido, o nmero de teorias "explicando" a supercondutividade das cermicas igual ao nmero
de tericos.
Outros materiais esto em teste, entre eles: supercondutores orgnicos, fulerenos,
rutenatos, alm de um novo interesse nos velhos metais. H pouco foi descoberto que o MgB2,
composto aparente incuo que estava esquecido nas prateleiras dos qumicos, fica
supercondutor a 40 K. Como um material mais fcil de manusear que as cermicas, renovou-
se a esperana de achar metais ou similares com altas temperaturas crticas.

Existem dois tipos de supercondutores:
- tipo I - Estes supercondutores so, alm de condutores perfeitos, diamagnticos
perfeitos (fluxo magntico nulo no interior), ou seja, neles, o efeito Meissner
total.

EFEITO MEISSNER: descoberto em 1933 por W. Meissner

Em um condutor eltrico comum, eltrons
desordenados e incoerentes permitem a
penetrao de um campo magntico externo.
Em um supercondutor, o funcionamento
coletivo coerente dos eltrons espontaneamente
exclui um campo magntico externo e mantm sua
condio de impenetrabilidade.
A demonstrao clssica deste efeito
consiste em fazer um m permanente flutuar sobre a superfcie de um
supercondutor. As linhas do campo magntico so impedidas de penetrarem no
supercondutor e tomam uma forma semelhante a que teriam se houvesse outro
m idntico dentro do material supercondutor. Desta forma, o m sofre uma
repulso que compensa seu peso e o faz "levitar" sobre o supercondutor.


57
- tipo II - h uma pequena penetrao das linhas de campo magntico para dentro
do material. Estes costumam suportar correntes mais fortes do que os do tipo I,
sem perder a condio de supercondutor. Suas temperaturas crticas so mais
elevadas, logo, so mais promissores para possveis aplicaes.

As aplicaes so vrias, como construo de bobinas com fios supercondutores, que
possibilitam gerar campos magnticos intensos, os quais seriam impraticveis se fossem
utilizados fios comuns, como exemplo, fios de cobre. Estas bobinas podem ser usadas na
construo de Maglev, trens que levitam; aparelhos de ressonncia magntica nuclear, que
geram um campo magntico homogneo na regio onde o paciente colocado e um sensor
capta informaes que formaro as imagens e, por fim, sensores SQUID (Superconducting
Quantum Interference Device), que permitem realizar medidas magnticas extremamente
sensveis.

O Maglev (Magnetic Levitation) japons.

Plsticos SUPERcondutores!

A revista Nature divulgou a obteno de um material plstico que, sob baixas
temperaturas, no imprime resistncia alguma passagem de eltrons, o que o torna um
supercondutor. Os plsticos podem conduzir eletricidade: foi justamente este o tema para o
ltimo prmio Nobel em Qumica.
O que os pesquisadores do Bell Labs criaram foi o primeiro supercondutor plstico, um
material relativamente barato quando comparado aos supercondutores atuais. Estes materiais
tero grandes aplicaes futuras, como em computadores qunticos e eletrnica de
supercondutividade. O grupo desenvolveu uma tcnica especial para "arrancar" eltrons de uma
amostra slida de um polmero (politiofeno). A amostra uma fina camada do polmero, onde as
cadeias polimricas esto emparelhadas lado a lado, sem entrelaamento. Eles, ento,
removem eltrons desta amostra, por um mtodo desenvolvido e patenteado no Bell Labs. Este
polmero, a temperaturas abaixo de -200
o
C, se torna, ento, supercondutor. "With the method
we used, many organic materials may potentially be made superconducting now", profetiza a
qumica Zhenan Bao. Ou, como resumiu o fsico Ananth Dodabalapur, "A new window into
nature has opened up".


58
CAPTULO III

MATERIAIS ISOLANTES

So chamados isolantes os materiais de baixa condutividade. Apresentam os eltrons de
valncia rigidamente ligados aos seus tomos, no permitindo a passagem de corrente eltrica.
Tais materiais tm a propriedade da alta rigidez dieltrica e por isso, so tambm chamados
materiais dieltricos.
Quando um campo eltrico aplicado a um material isolante as cargas so ligeiramente
deslocadas e os eltrons so movidos para posies diferentes das suas posies de equilbrio,
ocorrendo uma polarizao, chamada de polarizao dieltrica.

3.1 Polarizao Dieltrica

Uma propriedade fundamental dos materiais dieltricos a polarizao de suas partculas
elementares, quando sujeitas ao de um campo eltrico. Define-se por polarizao um
deslocamento reversvel dos centros das cargas positivas e negativas na direo do campo
eltrico externo aplicado. Por ser reversvel, esta direo acompanha, ou pelo menos tende a
acompanhar, a prpria orientao do campo eltrico aplicado.
A polarizao de um dieltrico pode ocorrer das duas maneiras:

1) Se o isolante constitudo de tomos, que no apresentam momento dipolar, ento o
deslocamento dos ncleos das cargas positivas e negativas sob a ao de campos
externos tanto maior, quanto mais elevada a intensidade do campo que aplicada e
com ele, a ao de fora deste campo. Uma vez eliminado o campo externo, os
tomos voltam sua posio inicial, a polarizao desaparece, pois os centros de
cada grupo de cargas voltam situao inicial.

2) Se o dieltrico for constitudo de partculas elementares (eltrons, prtons, etc.) que
por si s j so dipolos (por exemplo, molculas) que, devido sua constituio
qumica j so dotados de cargas positivas e negativas, a ao do campo eltrico
externo tender a orientar as partculas de acordo com a prpria orientao do campo
externo. Quanto mais intenso o campo, tanto mais elevado o trabalho de
orientao das partculas elementares, observando-se de modo mais acentuado a
elevao de temperatura, devido transformao do trabalho de orientao em calor.
Dependendo da estrutura do dieltrico, pode ocorrer uma polarizao mesmo com total
ausncia de energia externa.


59

3.2 Materiais Isolantes de Uso Industrial mais Freqente

Exemplos de materiais isolantes:

a) gasosos:
i. ar amplamente utilizado como isolante em redes eltricas de
transmisso e distribuio;
ii. hexafluoreto de enxofre (SF
6
) usado em isolamentos de cabos
subterrneos e disjuntores de alta potncia (subestaes);

b) fibras naturais: papel impregnado em resinas ou leos, algodo, seda
usados em suportes isolantes e em revestimentos de cabos, capacitores e
bobinas;

c) cermicas: xido de alumnio, titanato de brio, porcelana, etc. utilizadas
basicamente em isoladores de baixa, mdia e alta tenso, e em capacitores de
baixa e alta tenso (elevada constante dieltrica);

d) resinas plsticas: Polister, polietileno, PVC (Poli Cloreto de Vinila), Teflon,
etc. aplicados em revestimentos de fios e cabos, capacitores e peas
isolantes;


60

e) lquidos: leos (mineral, ascarel, leo de silicone atuam nas reas de
refrigerao e isolao em transformadores e disjuntores a leo. Tambm
empregados para impregnar papis usados como dieltricos em capacitores.

f) tintas e vernizes: compostos qumicos de resinas sintticas Tm importante
emprego na tecnologia de isolao de componentes eletrnicos como:
esmaltao de fios e cabos condutores, isolao de laminados ferromagnticos,
circuitos impressos e proteo geral de superfcies;

g) borrachas sintticas: neoprene, EPR (Epileno Propileno), XLPE (Polietileno
Reticulado) e borracha butlica usados como capa protetora de cabos;

h) mica: material mineral usado em capacitores e em ligaes entre transistores
de alta potncia;

i) vidro: principal emprego em isoladores de linhas de transmisso. As fibras de
vidro so usadas no lugar dos papis em algumas aplicaes.


61

j) madeira: grande utilizao em cruzetas dos postes de distribuio.

3.3 Aplicaes

Conforme apresentado anteriormente, os materiais isolantes podem ser usados na
fabricao de diversos equipamentos e dispositivos eltricos/eletrnicos. Alguns deles veremos
mais detalhadamente na seqncia.

3.3.1 Capacitores

Capacitores so dispositivos destinados a armazenar cargas
eltricas.
So constitudos por dois condutores separados por um
isolante. Os condutores so chamados armaduras (ou placas) do
capacitor e o isolante o dieltrico do mesmo. Tal dieltrico pode ser
um isolante qualquer como o vidro, a parafina, o papel e, muitas
vezes, o prprio ar.
Podem ser esfricos, cilndricos ou planos, de acordo com a
forma de suas armaduras. Quando eletrizadas, as armaduras
armazenam cargas eltricas de mesmo valor absoluto, porm de sinais contrrios.
Na figura ao lado, a armadura A tem, inicialmente, potencial eltrico nulo e est
conectada ao terminal positivo da pilha; logo, os eltrons migram da armadura para a pilha. J a
armadura B, que tambm tem potencial eltrico nulo, est conectada ao terminal negativo da
pilha, e assim eltrons migram do terminal da pilha para a armadura B.
Acontece que, enquanto a armadura A est perdendo eltrons, ela est se eletrizando
positivamente e seu potencial eltrico est aumentando. O mesmo ocorre na armadura B, s
que ao contrrio, ou seja, B est ganhando eltrons, eletrizando-se negativamente, e seu
potencial eltrico est diminuindo.
Este processo cessa ao equilibrarem-se os potenciais eltricos das armaduras com os
potenciais eltricos dos terminais do gerador (pilha), ou seja, quando a diferena de potencial
eltrico (ddp) entre as armaduras do capacitor for igual ddp nos terminais da pilha dizemos
que o capacitor est carregado com carga eltrica mxima.
Num circuito, s h corrente eltrica no ramo que contm o capacitor enquanto este
estiver em carga ou em descarga.


62
Os capacitores so constitudos por uma composio de eletrodos (armaduras ou placas)
e dieltricos.

CAPACITNCIA

O capacitor tem inmeras aplicaes na eltrica e na eletrnica,
podendo servir para armazenar energia eltrica, carregando-se e
descarregando-se muitas vezes por segundo.
A quantidade de carga armazenada na placa de um capacitor
diretamente proporcional diferena de potencial entre as placas.
A propriedade que estes dispositivos tm de armazenar energia
eltrica sob a forma de um campo eletrosttico chamada de capacitncia (C) e medida pelo
quociente da quantidade de carga (Q) armazenada pela diferena de potencial (U) que existe
entre as placas:
U
Q
C =

A unidade de capacidade eletrosttica, no SI, o Farad (F).

FATORES QUE AFETAM A CAPACITNCIA

Dimenses
Quanto maior a placa, maior a
capacitncia;

Material r
vcuo 1
ar 1,0006
alumnio 8,1 - 9,5
esteatita (MgO-SiO2) 5,5 - 7,2
mica 5,4 - 8,7
leo 4
papel 4 - 6
papel parafinado 2,5
plstico 3
polistireno 2,5 - 2,6
porcelana 6,0
pyrex 5,1
slica fundida 3,8
Titanatos 50 - 10000
vidro de cal de soda 6,9

Afastamento
Quanto mais distante a placa menor
a capacitncia;

Material
Dependendo dos materiais utilizados,
a capacitncia pode ser maior ou
menor. Isto se d em funo da
constante dieltrica () do material
utilizado como isolante. Na tabela ao
lado pode-se perceber a variao
desta grandeza para cada material.

ENERGIA ARMAZENADA

O grfico ao lado representa a carga eltrica Q de um
capacitor em funo da ddp (U) nos seus terminais.
Eletrodos
Dieltricos


63
Como, neste caso, Q e U so grandezas diretamente proporcionais, o grfico
corresponde a uma funo linear, pois a capacidade eletrosttica C constante.
Considerando que o capacitor tenha adquirido a carga Q quando submetido ddp (U) do
grfico, a energia eltrica W
eltr
armazenada no capacitor corresponde rea do tringulo
hachurado.

e como Q = C U, ento:

Exerccios Resolvidos

01. Carrega-se um capacitor de capacidade eletrosttica 5 F com carga eltrica de 20
C. Calcule a energia potencial eltrica armazenada no capacitor.

Resoluo

Calculando a ddp U nos terminais do capacitor:

Calculando a energia eltrica armazenada:

02. Um capacitor armazena 8 10
6
J de energia eltrica quando submetido ddp U.
Dobrando-se a ddp nos seus terminais, a energia armazenada passa a ser:

Resoluo

Sendo:

constante,

ento:


64
Os capacitores so amplamente utilizados em rdios, gravadores, televisores, circuitos
eltricos de veculos, etc.

Os capacitores podem ser de valores de capacitncia fixos ou variveis.
Dentre os capacitores fixos ressaltam-se os seguintes:

a) Capacitores Eletrolticos

So formados por uma folha
fina de alumnio (placa positiva)
recoberta por uma camada
finssima de xido de alumnio
que atua como um dieltrico (o
xido de alumnio um excelente
dieltrico, com = 10). Sobre a camada de xido
colocada uma tira de papel impregnado com um lquido
condutor chamado eletrlito, ao qual se sobrepe uma
segunda lmina de alumnio (placa negativa) em contato
eltrico com o papel.
O sanduche assim formado enrolado e colocado no interior de uma caneca
de alumnio, vedada por uma espcie de tampo de borracha.
Grandes valores de capacitncia podem ser obtidos em comparao com o
tamanho do capacitor devido pequena espessura do dieltrico ser extremamente
fina.
Uma das principais caractersticas de um capacitor eletroltico que eles tm
polaridade (terminal positivo e terminal negativo). Isso significa que deveremos ter
cuidado ao conect-los ao circuito.
Se o capacitor for submetido a uma tenso maior que a de trabalho ou se a
polaridade for invertida ele pode ser danificado (ou at mesmo explodir !). Alm disso
este tipo de capacitor no adequado para operar em elevados nveis de freqncia.
Geralmente em um diagrama o lado positivo indicado com um "+" (mais), mas
pode ser que o terminal com indicao seja o negativo.
A faixa de valores pode variar de 1F a milhares de F. Esse tipo de capacitor
usado principalmente em fontes de alimentao, para diminuir o efeito ripple, que
representa uma oscilao de tenso ocorrida nos terminais de uma ponte retificadora
a diodos. A figura a seguir mostra alguns modelos encontrados no comrcio.

Na Figura, da esquerda para a direita temos:
1F (50V) dimetro 5 mm, altura 12 mm
47F (16V) dimetro 6 mm, altura5 mm
1000F (50V) dimetro18 mm, altura40 mm

b) Capacitores de Tntalo


65
Capacitores de tntalo so capacitores eletrolticos que usam um material
chamado de tntalo para os eletrodos. Grandes valores de capacitncia podem ser
obtidos, similares aos de alumnio. Contudo, os capacitores de tntalo so superiores
no que se refere temperatura e freqncia de operao, sendo, portanto, um pouco
mais caros e mais recomendados para aplicaes em que se deseja que o valor da
capacitncia seja constante com a temperatura e freqncia. Usualmente o smbolo
"+" usado para indicar o plo positivo.

c) Capacitores Cermicos

Internamente estes capacitores no tm
estrutura de bobinas, por isso mesmo podem ser
usados em circuitos que aterram sinais de alta
freqncia. Estes capacitores tm a forma de um
disco.
Os capacitores cermicos apresentam
impressos em seu corpo, um conjunto de trs
algarismos e uma letra, conforme a figura ao lado.
Para se obter o valor do capacitor (geralmente
expresso em pF), os dois primeiros algarismos,
representam os dois primeiros dgitos do valor do
capacitor e o terceiro algarismo, chamado
multiplicador, representa o nmero de zeros
direita. A letra representa a tolerncia (faixa de
valores em que a capacitncia poder variar), que
pode ser omitida. Esta ltima, para os capacitores
cermicos at 10pF expressa em pF e para
aqueles acima de 10pF expressa em
porcentagem. Por exemplo um capacitor com 224F
impresso no prprio corpo, possuir uma
capacitncia de 220000pF com uma tolerncia de +/- 1% (seu valor pode ser um por
cento a mais ou a menos desse valor.)

d) Capacitores de Filme de Poliestireno

Nestes capacitores, um filme de poliestireno usado como
dieltrico. Este tipo de capacitor no pode ser usado em circuitos de
altas freqncias, pois eles so construdos com estruturas de
bobinas. So usados em circuitos de filtro e circuitos de tempo que
operem at algumas centenas de KHz ou menos.

e) Capacitores de Filme de Polister

Estes capacitores usam um fino filme de polister como
dieltrico, sua tolerncia de cerca 5% to 10%. No tm
polaridade.


66

f) Capacitores de Polipropileno

So usados quando houver necessidade de pequena tolerncia. A capacitncia
destes capacitores praticamente no muda. Estes capacitores tm uma tolerncia de
1%.

g) Capacitores de Mica

Nestes capacitores a mica usada como dieltrico. Apresentam
boa estabilidade em funo do seu pequeno coeficiente de
temperatura. Tm excelentes caractersticas de freqncia, sendo
usados em circuitos ressonantes e filtros de alta freqncia. Por
possurem boa isolao, so ideais para circuitos tenso mais elevadas.
No tm polaridade e no possuem grandes valores de capacitncia.

h) Capacitores de Papel

Capacitores de filtro com dieltrico de papel so volumosos e seu valor em
geral limitado a menos do que 10 F. Eles no so polarizados e podem suportar altas
tenses. So fabricados enrolando-se uma ou mais folhas de papel entre folhas
metlicas. Todo o conjunto envolvido em resina termoplstica. Esse tipo de
componente barato e aplicado em usos gerais.
Para melhorar as caractersticas o papel pode ser impregnado com leo, o que
ocasiona:
- Aumento da rigidez dieltrica.
- Aumento da margem de temperatura de aplicao do capacitor.
- Aplicao de altas tenses.

i) Capacitores Variveis

Outra categoria importante a dos
capacitores variveis. Estes dispositivos so
compostos por um conjunto de placas fixas
intercalado com um de placas mveis que podem
girar em torno de um eixo comum. Assim, pode-se


67
controlar a rea das superfcies condutoras submetidas ao campo eltrico, controlando assim, a
capacitncia.
Foi bastante empregado na sintonia dos receptores de rdio com vlvulas, com o ar como
dieltrico. Porm, com o advento dos transistores, surgiu a necessidade da reduo do seu
tamanho, o que foi obtido atravs da utilizao de filme plstico como dieltrico ao invs do ar.
Com construo similar, porm com apenas duas placas, podemos citar pequenos
capacitores ajustveis normalmente utilizados em rdios portteis e em diversos dispositivos
eletrnicos que tm capacitncias mximas em torno de 500 pF. O valor exato da capacitncia
ajustado na fbrica, durante as fases de montagem e calibrao daqueles aparelhos; assim, os
capacitores ajustveis em geral ficam dentro do equipamento, fora do alcance do usurio.
Estes pequenos capacitores recebem o nome de:

1. Trimmer

Tambm conhecido como CAPACITOR COMPENSADOR. Normalmente utiliza
dieltricos como a mica e o prprio ar.
constitudo por duas lminas metlicas (armaduras), uma fixa e outra mvel,
separadas por uma fina folha de mica. O espaamento entre as armaduras pode ser
controlado por meio de um parafuso de ajuste:
- Com o parafuso totalmente apertado = lminas prximas, a capacitncia
mxima;
- Com o parafuso totalmente desapertado = lminas separadas, a
capacitncia mnima.

2. Padder

Tambm conhecido como capacitor corretor de rateio tem
sua construo semelhante do Trimmer. constitudo por dois
conjuntos de placas metticas, entrelaadas e separadas por
folhas de mica. Em alguns tipos, a capacitncia por ser ajustada
desde 120 pF at 550 pF; em outros, de 300 pF at 600 pF.

Capacitores
Trimmers


68
3.4 Comportamento dos dieltricos em Servio

Uma vez que uma certa poro de isolamento apresenta uma dada resistncia, podemos
falar em resistividade do material. Esta geralmente influenciada por uma diversidade de
fatores. Por exemplo, a temperatura afeta sensivelmente o valor da resistividade e, de uma
maneira geral, o aumento da temperatura provoca uma diminuio da resistividade dos materiais
isolantes. Vejamos algumas destas propriedades.
3.4.1 Resistncia de Isolamento

O dieltrico impede a passagem da corrente eltrica enquanto o campo eltrico nele
estabelecido no ultrapassar um determinado valor que depende da natureza do dieltrico e das
suas condies fsicas.
Este impedimento, porm, no total, pois, se uma determinada poro do isolante
estiver submetida a uma tenso U, ela ser atravessada por uma corrente I, sendo o quociente
entre U e I designado por resistncia de isolamento.
A resistncia de isolamento no constante, isto , os isolantes no obedecem de uma
forma geral, lei de Ohm. No caso do comportamento dos gases, j vimos que s para valores
baixos de tenso estes obedecem quela lei. No caso dos dieltricos slidos, a curva de
variao da corrente com a tenso j tem um aspecto diferente, sendo de uma forma geral do
tipo da apresentada na figura abaixo.

A primeira parte da curva corresponde aproximadamente a
uma proporcionalidade entre a intensidade de corrente e a tenso,
a partir de um determinado valor de tenso, o crescimento de
corrente acentua-se e ao atingir-se um valor UM da tenso, a
corrente cresce rapidamente mesmo que se faa descer o valor de
tenso.
Esta ltima parte da curva corresponde perfurao do
isolamento ou, pelo menos, antecede-a de um pequeno intervalo de
tempo, pois a libertao de calor engrandecida pelo aumento da
corrente vai rapidamente provocar a perfurao.

3.4.2 Resistncia Superficial

No caso dos isolantes slidos de grande resistividade, a resistncia atravs da sua massa
tambm elevada, sendo muito pequena a corrente que os atravessa. Contudo, pela
acumulao de poeira e umidade na superfcie das peas isoladoras se forma um novo caminho
para a passagem da corrente eltrica, o qual se diz ser a resistncia superficial.
Isto acontece especialmente nas peas isoladoras expostas ao tempo, como por
exemplo, os isoladores de linhas de transmisso areas. resistncia do novo circuito dado o
nome de resistncia superficial e, neste caso, a resistncia de isolamento dos dois circuitos
em paralelo, superficial e de massa.


69
3.4.3 Rigidez Dieltrica

Para poder exprimir numericamente a capacidade de um determinado material isolante
suportar tenses elevadas, define-se uma grandeza a que se d o nome de rigidez dieltrica e
que definida como sendo o valor do campo eltrico para o qual se d a ruptura do isolante.
Esta grandeza depende de muitos fatores, tais como a espessura do isolante, as
dimenses e forma dos eletrodos utilizados para a aplicao da tenso, a freqncia da tenso
aplicada, o nmero de aplicaes de tenso na unidade do tempo (fadiga do material), a
temperatura, grau de umidade, etc.
Como difcil conhecer o valor do campo no momento da ruptura, por no ser
normalmente uniforme, costume definir-se a rigidez dieltrica (RD) simplesmente pelo
quociente da tenso aplicada no momento da ruptura pela espessura do isolamento.
3.4.4 Rigidez Dieltrica Superficial

No caso dos isolantes slidos, pode acontecer que o arco disruptivo, em vez de
atravessar a sua massa, salte pela sua superfcie. Ao quociente da tenso pela distncia entre
os condutores dado o nome de rigidez dieltrica superficial. Esta depende, evidentemente, da
forma do isolante e do estado da sua superfcie.

3.4.5 Ruptura dos Dieltricos

Quando o campo eltrico a que um dado dieltrico est sujeito ultrapassa um
determinado valor se d a ruptura do dieltrico. A maneira como esta se produz e as suas
conseqncias so porm, diferentes conforme o tipo de dieltrico.
Assim, compreensvel que, se a ruptura se produzir num dieltrico fluido, a matria
atingida pela descarga logo substituda por outra e, se o fenmeno no repetir, a sua nica
conseqncia o aparecimento de partculas carbonizadas no seio do fluido.
No caso dos dieltricos slidos isto no acontece, pois a descarga implica a sua
destruio no ponto em que a ruptura se verifica.

3.4.6 Efeito Corona

Se, entre dois condutores, existir uma grande diferena de potencial, junto s suas
superfcies poder surgir um campo eltrico de valor tal que o gs ou o ar, no meio do qual se
encontram seja ionizado.
Se isto acontecer, o efeito obtido equivalente ao aumento das dimenses dos
condutores, visto o gs ou o ar ionizado se tornar condutor tambm. Nessas condies, d-se
como que uma aproximao dos condutores e um aumento da sua superfcie.
De uma maneira geral, podemos dizer que, se os condutores forem de pequena seo e
estiverem bastante afastados, o efeito da ionizao traduz-se por uma diminuio do campo na
zona circunvizinha. Desta forma, ionizada a primeira camada que envolve os condutores, a
ionizao no prossegue nas camadas seguintes e o fenmeno no progride.
A ionizao limita-se como que a uma bainha volta dos condutores, visvel sob o
aspecto de uma luz azulada e sensvel ao oznio. Esta situao aquilo a que chamamos de
efeito coroa ou corona.


70
Se a forma e a distncia dos condutores forem outras, pode dar-se o contrrio, isto , o
campo ir mantendo nas camadas sucessivas valores suficientemente altos para provocarem a
ionizao at o ponto de se estabelecer um caminho de gs ou ar ionizado entre os condutores.
As cargas eltricas deixam de encontrar resistncia e passam em grande quantidade de
um condutor para o outro, sob a forma de um arco. a descarga eltrica.

CAPTULO IV

MATERIAIS SEMICONDUTORES

Um dos triunfos das teorias cintica e atmica sua capacidade de dar conta de quase
todas as propriedades fsicas da matria, explicando, por exemplo, por que alguns materiais so
bons condutores de calor, enquanto outros no o so. Existe uma classe intermediria de
substncias, chamadas semicondutores, que possuem um nvel de condutividade entre os
extremos de um isolante e um condutor. Desta forma, so melhores condutores do que os
isolantes de eletricidade, mas no to bons condutores como o cobre. Tais materiais se
mostram extremamente teis para a eletrnica.
Em comparao com os metais e com os isolantes, as propriedades eltricas dos
semicondutores so afetadas por variao de temperatura, exposio luz e acrscimos de
impurezas.
Um semicondutor puro como o elemento silcio apresenta uma condutividade eltrica
bastante limitada; porm se pequenas quantidades de impurezas so incorporadas sua
estrutura cristalina, suas propriedades eltricas alteram-se significativamente. O material pode
passar, por exemplo, a conduzir eletricidade em um nico sentido, da forma como age um diodo.
A adio de uma outra impureza lhe confere a propriedade de conduzir eletricidade apenas no
outro sentido.

Em sentido horrio, de cima para baixo: um chip, um LED
e um transistor so todos feitos de material semicondutor

Para uma correta compreenso do funcionamento destes materiais, faz-se necessrio
recordar alguns conceitos j vistos.


71
4.1 Nveis de Energia

A maneira com que os eltrons se distribuem nas rbitas em torno do ncleo do tomo
no aleatria. Segue regras bem definidas, que so as mesmas para todos os elementos.
Um eltron em rbita tem uma energia potencial que depende da sua distncia at o
ncleo e uma energia cintica que depende da sua velocidade. A soma de ambas a energia
total do eltron.
Conforme a Teoria Quntica os estados da matria no variam continuamente, mas sim
em pequenos intervalos discretos, chamados quanta. No mundo prtico isso no perceptvel
porque os valores so muito pequenos, mas, os eltrons so partculas elementares e o seu
comportamento bem definido por tais intervalos. Assim, a energia total que o eltron pode ter
definida em valores discretos e, portanto, ele s pode ocupar determinadas rbitas ou nveis de
energia. Os nveis possveis so sete podendo ser representados pelos nmeros 1, 2, 3, 4, 5, 6
e 7 ou pelas letras K, L, M, N, O, P e Q. Para os 113 elementos qumicos conhecidos, segundo
o princpio de excluso de Pauli, o nmero mximo de eltrons em cada nvel 2, 8, 18, 32,
32, 18, 4, respectivamente, conforme representado na figura seguinte.

2n
2

onde n o nmero do nvel.
Assim, o nvel 1 poder possuir no mximo 2
eltrons, o nvel 2 poder ter no mximo 8 e
assim sucessivamente.

regra geral na natureza a estabilizao na menor energia possvel. Assim, os nveis so
preenchidos na seqncia do menor para o maior e um nvel s poder conter eltrons se o
anterior estiver completo.
Em cada camada ou nvel de energia, os eltrons se distribuem em subcamadas ou
subnveis, representados pelas letras s, p, d, f, em ordem crescente de energia. O nmero
mximo de eltrons de cada subnvel tambm foi determinado experimentalmente:

Subnvel S p d f
Nmero mximo de eltrons 2 6 10 14

O nmero de subnveis que constituem cada nvel de energia depende do nmero
mximo de eltrons que cabem em cada nvel. Assim, como no primeiro nvel cabem no mximo
2 eltrons este nvel apresenta apenas um subnvel s, no qual cabem os dois eltrons. O
subnvel s do primeiro nvel de energia representado por 1s.
Como no segundo nvel cabem no mximo 8 eltrons, o segundo nvel constitudo de
um subnvel s, no qual ficam 2 eltrons, e um subnvel p, com no mximo 6 eltrons. Deste
modo o segundo nvel e formado por dois subnveis representados por 2s 2p, e assim por
diante.


72

Linus Gari Pauling (1901-1994), qumico americano, elaborou um dispositivo prtico que
permite colocar todos os subnveis de energia conhecidos em ordem crescente de energia. o
processo das diagonais, denominado Diagrama de Pauling, representado a seguir.

Vejamos um exemplo:

A camada de valncia do As (arsnio), cujo nmero atmico 33, a camada N, pois o
ltimo nvel que contm eltrons.
A distribuio eletrnica deste tomo fica assim:
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
4s
2
3d
10
4p
3

O nmero 4 corresponde camada N. O subnvel p da camada N, neste caso no est
completo, pois sobraram apenas 3 eltrons para este subnvel. A camada N, neste caso formada
pelos subnveis s e p, soma um total de 5 eltrons. Quando completa, esta camada (N)
comporta at 32 eltrons, pois formada pelos subnveis s, p, d e f.

4.2 Valncia

Utilizando-se o mesmo exemplo dado
anteriormente, percebe-se o nvel mais externo do tomo


73
de arsnio (a camada N) com apenas 3 eltrons. Este nvel denominado nvel de valncia e os
eltrons presentes nele so os eltrons de valncia.
O nmero de eltrons de valncia um fator importante do elemento. Ele define a
capacidade do tomo de ganhar ou perder eltrons e de se combinar com outros elementos.
Muitas das propriedades qumicas e eltricas dependem da valncia.

4.3 Bandas de Energia

Quando os tomos no esto isolados, mas juntos em um material slido, as foras de
interao entre eles so significativas. Isso provoca uma alterao nos nveis de energia acima
da valncia. Podem existir nveis de energia no permitidos, logo acima da valncia.
Para que um material conduza eletricidade, necessrio que os eltrons de valncia, sob
ao de um potencial eltrico aplicado, saltem do nvel de valncia para um nvel ou banda de
conduo.
Conforme a figura ao lado, em um
material condutor quase no existem nveis ou
banda de energia proibidos entre a conduo e
a valncia e, portanto, a corrente flui facilmente
sob a ao do campo eltrico.
Um material isolante apresenta uma
banda proibida de grande extenso entre a
valncia e conduo. Pos isso, dificilmente h
conduo da corrente.
Os semicondutores possuem bandas
proibidas com larguras intermedirias. Isso
significa que podem apresentar alguma conduo, melhor que a dos isolantes, mas pior que a
dos condutores.

Os materiais semicondutores so slidos ou lquidos, capazes de mudar com certa
facilidade de sua condio de isolante para a de condutor. Isto , podem sofrer grandes
alteraes em sua condutividade, pois a quantidade de energia necessria para retirar um
eltron da banda de valncia e lev-lo para a banda de conduo intermediria entre a energia
necessria para o isolante e o condutor. Em baixas temperaturas, os semicondutores puros
comportam-se como isolantes. Sob temperaturas mais altas, ou luz ou com a adio de
impurezas, porm, pode ser aumentada drasticamente a sua condutividade, podendo-se
alcanar nveis que se aproximam dos metais.

4.4 Materiais Intrnsecos

Na figura ao lado apresentam-se os tomos
de dois materiais semicondutores intrnsecos ou
puros, o silcio (Si) e o germnio (Ge). Os
semicondutores intrnsecos ou puros so aqueles
encontrados em estado natural.


74
Ambos so elementos tetravalentes, ou seja, que possuem quatro eltrons na camada de
valncia, permitindo, assim, que os seus tomos faam quatro ligaes covalentes ou de
compartilhamento de eltrons, para tornarem-se estveis.
Existem, ainda, os semicondutores III-V que so formados por um elemento trivalente, o
GaAs (Arseneto de Glio) e por um elemento pentavalente, InP (Fosfeto de ndio). Porm, o
material semicondutor intrnseco mais utilizado o silcio que abundante na natureza, sendo
encontrado nos cristais de quartzo (areia).

4.5 Conduo Eltrica nos Semicondutores

Num determinado instante quando recebe um acrscimo de energia e sai da banda de
valncia, o eltron livre deixa em seu lugar uma lacuna. Esta lacuna um on positivo, conforme
apresenta a figura seguinte:

No instante seguinte, verifica-se que a lacuna tambm se move. Porm, a movimentao
da lacuna ocorre sempre no sentido contrrio movimentao do eltron. Este fenmeno ocorre
sempre que existe a conduo eltrica no material semicondutor. Num material condutor o
movimento das lacunas desprezvel.

4.6 Semicondutores do Tipo N e P

No estado puro, cada par de eltrons de tomos distintos forma a chamada ligao
covalente, de modo que cada tomo fica no estado mais estvel, isto , com 8 eltrons na
camada externa.
O resultado uma estrutura cristalina homognea conforme ilustrado na figura abaixo.

Representao Plana do tomo de Silcio


75
Para a maioria das aplicaes no h eltrons livres suficientes num semicondutor
intrnseco para produzir uma corrente eltrica utilizvel. Portanto, para se obter esta corrente
foram criados os semicondutores do tipo N e P.
Quando certas substncias, denominadas impurezas, so adicionadas, as propriedades
eltricas so radicalmente modificadas.
Se um elemento como o antimnio, que tem 5 eltrons de valncia, for adicionado e
alguns tomos deste substiturem o silcio na estrutura cristalina, 4 dos 5 eltrons iro se
comportar como se fossem os de valncia do silcio e o excedente ser liberado para o nvel de
conduo conforme mostra a figura seguinte.

O cristal ir conduzir e, devido carga negativa dos portadores (eltrons), denominado
semicondutor tipo N.
Nota-se que o material continua eletricamente neutro, pois os tomos tm o mesmo
nmero de prtons e eltrons. Apenas a distribuio de cargas muda, de forma a permitir a
conduo.
Agora imagine a situao inversa, conforme ilustrado abaixo: uma impureza com 3
eltrons de valncia (alumnio, por exemplo) adicionada.

Alguns tomos de silcio iro transferir um eltron de valncia para completar a falta no
tomo da impureza, criando um buraco (lacuna) positivamente carregado no nvel de valncia e
o cristal ser um semicondutor tipo P, devido carga positiva dos portadores (buracos).
O processo de introduzir tomos de impurezas num cristal de silcio, de modo a aumentar
tanto o nmero de eltrons livres quanto de lacunas, chama-se dopagem. Quando um cristal de
silcio foi dopado, ele passa a ser chamado de semicondutor extrnseco.

4.7 Aplicaes

4.7.1 Diodo Semicondutor

A unio fsica de um semicondutor tipo P com um
semicondutor tipo N forma uma juno PN, mostrada na
figura ao lado. Esta juno PN recebe o nome de diodo
semicondutor. Um diodo composto por uma seo de
material tipo-N ligado a uma seo de material tipo-P, com
eletrodos em cada extremidade. Essa combinao conduz
eletricidade apenas em um sentido.


76
Na formao da juno PN ocorre o processo de recombinao, no qual os eltrons do
lado N, mais prximos da juno, migram para o lado P. Este processo ocorre at que haja o
equilbrio eletrnico e a estabilidade qumica, ou seja, 4 ligaes covalentes em cada tomo.
Durante o processo de recombinao forma-se, prximo juno, a camada de depleo.
Ao final deste processo, a camada de depleo fica ionizada formando a barreira de potencial
(V) ou zona vazia. Isto ocorre quando nenhuma diferena de potencial aplicada ao diodo, ou
seja, os eltrons do material tipo-N preenchem os buracos do material tipo-P ao longo da juno
entre as camadas.
Em uma zona vazia, o material semicondutor volta ao seu estado isolante original - todos
os buracos esto preenchidos, de modo que no haja eltrons livres ou espaos vazios para
eltrons, e assim a carga no pode fluir.

Na juno, eltrons livres do material tipo-N preenchem buracos do material tipo-P.
Isto cria uma camada isolante no meio do diodo, chamada de zona vazia.

Para se livrar da zona vazia, necessrio que os eltrons se movam da rea tipo-N para
a rea tipo-P e que buracos se movam no sentido inverso. Para fazer isto, conecta-se o lado
tipo-N do diodo ao terminal negativo do circuito e o lado tipo-P ao terminal positivo. Desta forma,
os eltrons livres no material tipo-N so repelidos pelo eletrodo negativo e atrados para o
eletrodo positivo. Os buracos no material tipo-P se movem no sentido contrrio. Quando a
diferena de potencial entre os eletrodos alta o suficiente, os eltrons na zona vazia so
retirados de seus buracos e comeam a se mover livremente de novo. A zona vazia desaparece
e a carga se move atravs do diodo. A figura a seguir ilustra este processo.


77

Quando o terminal negativo do circuito preso camada tipo-N e o terminal positivo preso
camada tipo-P, eltrons e buracos comeam a se mover e a zona vazia desaparece

Caso a conexo da fonte seja no sentido oposto, com o lado tipo-P conectado ao terminal
negativo do circuito e o lado tipo-N conectado ao plo positivo, a corrente no fluir. Os eltrons
negativos no material tipo-N so atrados para o eletrodo positivo. Os buracos positivos no
material tipo-P so atrados para o eletrodo negativo. Assim, nenhuma corrente fluir atravs da
juno porque os buracos e os eltrons esto cada um se movendo no sentido oposto,
aumentando ainda mais a zona vazia (camada de depleo).

Quando o terminal positivo do circuito est ligado camada tipo-N e o terminal
negativo est ligado camada tipo-P, eltrons livres so coletados em um terminal do
diodo e os buracos so coletados em outro. A zona vazia se torna maior.


78
A ilustrao a seguir apresenta o smbolo eltrico do diodo semicondutor e o componente
eletrnico, propriamente dito. No lado P do diodo semicondutor conecta-se um terminal que
recebe o nome de nodo (A). J no lado N, o terminal denominado de ctodo (K).
No smbolo eltrico do diodo semicondutor o lado que tem o trao transversal,
corresponde ao ctodo. Logo, o outro lado o nodo.

No componente eletrnico o lado que contm o anel cinza, ou prateado, o ctodo.
Consequentemente, o outro lado o nodo.
Os diodos so projetados para assumir diferentes caractersticas: diodos retificadores so
capazes de conduzir altas correntes eltricas em baixa freqncia, diodos de sinal caracterizam-
se por retificar sinais de alta freqncia, diodos de chaveamento so indicados na conduo de
altas correntes em circuitos chaveados. Dependendo das caractersticas dos materiais e
dopagem dos semicondutores h uma gama de dispositivos eletrnicos variantes do diodo:

DIODO ZENER

Diodo Zener um tipo de diodo especialmente projetado para
trabalhar na regio de ruptura de tenso reversa da juno PN onde
grandes variaes de corrente produzem pequenas variaes de tenses
permitindo, desta forma, que se construa um regulador de tenso.

DIODO EMISSOR DE LUZ - LED

O LED (Light Emitting Diode) um diodo semicondutor (juno P-N) que quando
energizado emite luz visvel. A luz produzida pelas interaes energticas do eltron atravs
de um processo chamado eletroluminescncia. A recombinao de lacuna e eltron exige que a


79
energia possuda pelo eltron, que at ento era livre, seja liberada, o que ocorre na forma de
calor ou ftons de luz.
No silcio e no germnio, elementos bsicos dos diodos e transistores, entre outros
componentes eletrnicos, a maior parte da energia liberada na forma de calor, sendo
insignificante a luz emitida (devido a opacidade do material), e os componentes que trabalham
com maior capacidade de corrente chegam a precisar de irradiadores de calor (dissipadores)
para ajudar na manuteno dessa temperatura em um patamar tolervel.
J em outros materiais, como o arsenieto de glio (GaAs) ou o fosfeto de glio (GaP), o
nmero de ftons de luz emitido suficiente para constituir fontes de luz bastante eficientes.
Em geral, os LEDS operam com nvel de tenso de 1,6 a 3,3V, sendo compatveis com os
circuitos de estado slido. interessante notar que a tenso dependente do comprimento da
onda emitida. Assim, os LEDS infravermelhos geralmente funcionam com menos de 1,5V, os
vermelhos com 1,7V, os amarelos com 1,7V ou 2.0V, os verdes entre 2.0V e 3.0V, enquanto os
LEDS azuis, violeta e ultravioleta geralmente precisam de mais de 3V. A potncia necessria
est na faixa tpica de 10 a 150 mW, com um tempo de vida til de 100.000 horas, ou mais.
Enquanto todos os diodos liberam luz, a maioria no o faz muito eficientemente. Em um
diodo comum, o prprio material semicondutor termina
absorvendo parte da energia da luz. Os LEDs so
fabricados especialmente para liberar um grande
nmero de ftons para fora. Alm disso, eles so
montados em bulbos de plsticos que concentram a luz
em uma direo especfica. Como pode ser visto na
figura ao lado, a maior parte da luz do diodo ricocheteia
pelas laterais do bulbo, viajando na direo da ponta
redonda.
Os LEDs tm muitas vantagens sobre lmpadas
incandescentes convencionais. Uma delas que eles
no tm um filamento que se queime e ento duraro
muito mais tempo. Alm disso, seus pequenos bulbos
de plstico os tornam muito mais durveis. Eles
tambm cabem mais facilmente nos modernos circuitos
eletrnicos.

OLEDS (Organic Light-Emitting Diode ou Diodo Orgnico Emissor de Luz)

Uma tecnologia um pouco mais recente comea a chamar a ateno da indstria.
Chamada OLED (Organic Light-Emitting Diode ou Diodo Orgnico Emissor de Luz) esta
tecnologia promete suprir os grandes problemas atuais dos dispositivos de vdeo a um custo
aceitvel para o mercado de produtos de consumo.
O OLED tem basicamente a mesma estrutura dos LEDs mas diferem no tipo de material
utilizado, apresentando em sua construo substncias eletroluminescentes compostas de
Carbono que, ao serem excitadas por uma corrente eltrica, emitem luz em uma freqncia
determinada por sua composio qumica. Em outras palavras, so clulas de diodo impressas
na tela que so polarizadas de acordo com a imagem.
Painis de vdeo compostos por OLEDs podem ser extremamente finos (como uma folha
de papel) e flexveis (executados em materiais plsticos, como polmeros). Essa possibilidade
surge do fato de que as substncias qumicas que compe o OLED podem ser impressas em
um filme plstico (como um documento impresso em papel) para marcar os pixels. Ao colar
outro filme plstico sobre a impresso cria-se pequenas capsulas que aprisionam cada pixel. A


80
aplicao de eletrodos minsculos cada clula permite que se leve ela a corrente eltrica
necessria para excitar cada uma das cores primrias que iro compor as imagens. Esta tcnica
permite a construo de monitores muito pequenos ou grandes, resistentes gua devido sua
natureza plstica, e flexveis ou at mesmo dobrveis.

As primeiras aplicaes de monitores OLED ocorreram em dispositivos mveis, como
celulares, PDAs e at mesmo notebooks; onde a pequena espessura e o baixo peso da tela so
mais importantes que outros fatores. Entretanto o preo de produo de monitores com essa
tecnologia tem cado bastante e hoje j possvel construir telas OLED mais baratas e to
durveis quanto telas LCD equivalentes. Alm da simplicidade construtiva e das vantagens
fsicas os monitores OLED ainda superam seus rivais em vrios aspectos tcnicos. Monitores
OLED so capazes de criar a cor preta, gerando o chamado real black e conseguem taxas de
contraste 10 vezes maiores que monitores LCD produzidos atualmente. No so susceptveis ao
efeito burn-out que agride monitores CRT e Plasma, situao onde a exibio prolongada de
uma mesma imagem marca a tela de forma definitiva, fato ocorrido na maioria das telas de
Plasma produzidas hoje em dia. Ainda que uma nova tecnologia de Plasma tenha sido
desenvolvida para evitar o burn-out ela resulta em telas mais caras, razo que levou muitos
fabricantes ignor-la. A rigor, ao comprar uma tela de Plasma, dificilmente ser possvel saber
se aquele modelo especfico resistente ou no ao efeito danoso. Isso pode levar
desagradvel situao de se observar, por exemplo, um pequeno smbolo da emissora no canto
inferior direito da tela durante uma reproduo de DVD.
Alm disto, o OLED dispensa iluminao de background, necessria nos LCDs, o que o
torna a tecnologia mais econmica em termos de consumo de energia disponvel atualmente.
Ademais uma excelente soluo para dispositivos que operam com baterias j que atualmente
a economia de energia uma preocupao global. O OLED capaz de reproduzir cores to
bem quanto o Plasma e apresentar um tempo de resposta muito menor que o do LCD. Tempo
de resposta o tempo que um pixel leva para acender, atingir a cor ideal e ento apagar
voltando ao estado de negro.
Entretanto alguns fatores continuam a atrasar a adoo em massa da nova tecnologia.
Mesmo tendo custos de produo mais baixos que outras tcnicas o OLED relativamente
recente. Muitas empresas que desenvolveram partes importantes da tecnologia, ainda cobram
valores excessivamente altos pelas patentes e licenas de produo em busca de ressarcirem
seus gastos em pesquisa e desenvolvimento. Alm disso, os altos gastos na implementao das
tecnologias atuais ainda no foram completamente amortizados. Muitos fabricantes no desejam
tirar seus monitores LCD e Plasma de linha por entenderem que ainda h muito comrcio com
esses produtos antes que uma nova tecnologia possa ser levada ao mercado de massa.
Entretanto a queda significativa nos preos dos monitores LCD e Plasma verificada em todos os


81
mercados uma mostra de que, assim que essas tecnologias tornem-se o padro, estar aberto
o caminho para que outra possa ser implementada.
Mas o OLED ainda tem alguns detalhes a resolver antes que seja a tecnologia usada nas
prximas geraes de televisores: A fragilidade dos filmes plsticos, que se rompidos inutilizam
o monitor; A durabilidade dos compostos, especialmente os que reproduzem freqncias azuis.
Entretanto parece claro que o OLED a tecnologia que ir assumir o lugar do LCD e do Plasma
no futuro, por unir as qualidades de ambos e ainda apresentar caractersticas que nenhuma
delas pode reproduzir. A figura a seguir mostra a estrutura de um OLED.

4.7.2 Transistor de Juno Bipolar

Uma combinao de tipos diferentes de semicondutores compe o transistor, um
dispositivo que pode ser empregado como uma vlvula de triodo, substituindo-a em
amplificadores e outros circuitos eletrnicos. E, admiravelmente, ao contrrio da vlvula, o
transistor no consome energia (a vlvula usa energia para aquecer seu catodo) e pode ser
confeccionado em dimenses microscpicas, de maneira que centenas deles possam ser
incorporados a um chip de slica medindo apenas uns poucos milmetros.
O material semicondutor mais usado na fabricao de transistores o silcio. Contudo, o
primeiro transistor foi fabricado em germnio. O silcio prefervel, essencialmente, porque
possibilita o funcionamento a temperaturas mais elevadas (175 C, quando comparado com os
~75C dos transistores de germnio) e tambm porque apresenta correntes de fuga menores.
O transistor permite a amplificao e comutao de sinais, tendo substitudo as vlvulas
termo-inicas na maior parte das aplicaes.
O transistor de juno bipolar um dos componentes mais importantes na Eletrnica.
um dispositivo com trs terminais, sendo possvel usar a tenso entre dois dos terminais para


82
controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal, ou seja, obter uma fonte controlvel. Este
dispositivo formado por duas junes PN em srie, podendo apresentar as configuraes PNP
e NPN.

Os transistores NPN so os mais comuns, basicamente, porque a mobilidade dos eltrons
muito superior das lacunas, isto , os eltrons movem-se mais facilmente ao longo da
estrutura cristalina, o que traz vantagens significativas no processamento de sinais de alta
freqncia. E so, tambm, mais adequados produo em massa. No entanto, deve-se
salientar que, em vrias situaes, muito til ter os dois tipos de transistores num circuito.

A figura seguinte apresenta o transistor de juno bipolar NPN adequadamente
polarizado e construdo segundo alguns critrios, tendo a funo de amplificador, onde:
A juno base-emissor polarizada diretamente pela fonte V
be
.
A juno base-coletor polarizada inversamente pela fonte V
ce
.
V
ce
significativamente maior que V
be
. Exemplo: 6V e 1V.


83

A base fisicamente delgada e tem uma concentrao de impurezas menor que os
semicondutores N do emissor e coletor. Nessa forma, o fluxo de eltrons vindo do emissor tem
pouca probabilidade de combinao com os buracos na juno da base para formar I
b
e a maior
parte rompe a polarizao inversa da juno base-coletor devido ao campo eltrico maior de V
ce
.
Portanto, a polarizao base-emissor atua como um acelerador do fluxo e controla a corrente I
c
,
fazendo o efeito da amplificao.

Pelo circuito, pode-se concluir que I
e
= I
b
+ I
c
.

Em componentes reais, I
b
pode ser 5% (ou menos) de I
e
e I
c
pode ser 95% ou mais de I
e
,
ou seja, a amplificao considervel.
Na parte esquerda superior da figura, mostrado o smbolo normalmente usado para
esse componente. Um parmetro usual para o transistor o fator de corrente , que a
relao entre as correntes de coletor e emissor.

Assim, = I
c
/I
e
ou I
c
= I
e
.

Como I
b
pequena, o fator prximo da unidade. E ocorre tambm:

I
b
= I
e
I
c
= I
e
I
e
= (1 ) I
e
.

E o ganho de corrente , caracterstico do transistor, dado por:

= I
c
/I
b
= / (1 ).
No transistor de juno PNP, os tipos de semicondutores so invertidos em relao ao
NPN (coletor e emissor so semicondutores tipo P e base tipo N). A operao similar, com
inverso dos portadores de cargas e tenses de polarizao de sinais contrrios aos da figura
anterior (a) e smbolo conforme (b) da mesma figura.


84

4.7.3 Transistor de Unijuno

Os transistores de unijuno ou UJT (Unijunction Transistor) podem
ser utilizados em osciladores de baixa freqncia, disparadores,
estabilizadores, geradores de sinais dente de serra e em sistemas
temporizados.
Basicamente o transistor de unijuno constitudo por
uma barra de material semicondutor do tipo N (de alta
resistividade) com dois contatos B
1
e B
2
extremos. Tais contactos
no constituem junes semicondutoras, e assim, entre B2 (base
2) e B1 (base 1) temos, na prtica uma resistncia, formada pelo
material semicondutor N. O material do tipo P como material do
tipo N formam a nica juno PN semicondutora interna.
Na altura da juno P haver uma tenso na barra que
depender da sua resistncia hmica e de V
b
.
Enquanto V
e
for menor que essa tenso, a juno do
emissor estar inversamente polarizada e, portanto, a corrente
ser nula.
Se V
e
aumenta de forma que a juno fique diretamente
polarizada, haver um fluxo de portadores entre o emissor e base B
1
e a
corrente aumenta mesmo que V
e
diminua.
Isto d ao dispositivo uma caracterstica de resistncia negativa,
conforme indicado no grfico da figura ao lado.
Tudo se passa como se o bloco do tipo N fosse formado por duas
simples resistncias (Rb2 e Rb1), em srie, tendo ligado no seu ponto
central um diodo (terminal E ou Emissor).
O terminal do emissor (E) est mais prximo da base 2 (B2),
conforme o circuito equivalente apresentado ao lado.

Princpio de Funcionamento:

O valor resistivo normal entre os terminais da
base 2 e 1 relativamente alto (tipicamente entre 4 K e
12 K). Assim, se ligarmos o terminal B2 a um potencial
positivo (tipicamente entre 6 e 30 Volt), e o terminal B1
ao negativo, uma corrente muito pequena circular por
Rb2 e Rb1. Ao mesmo tempo, Rb2 e Rb1 formam um
divisor de tenso, em cujo ponto intermdio surge uma
tenso menor, porm proporcional quela que foi
aplicada a B2. Suponhamos que Rb2 e Rb1 tm valores
iguais, de 5 K cada um. Assim, se aplicarmos (com a
polaridade indicada) 10 Volt entre B2 e B1, o ctodo do
diodo do emissor ter uma tenso de 5 Volts. Ao aplicarmos, ento, uma tenso de entrada no
emissor (E) do UJT, esta ter que, inicialmente vencer a barreira de potencial intrnseca da
juno PN (0,6V) e, em seguida, superar a prpria tenso que polariza o ctodo (5 Volts no
+
6 a 30 Volt
_
+


85
exemplo). Nesse caso, enquanto a tenso aplicada ao terminal do emissor (E) no atingir 5,6
Volts (0,6V + 5V) no haver passagem de corrente pelo emissor atravs de Rb1 para a linha de
negativo da alimentao. Mantendo-se, no exemplo, uma tenso de emissor igual ou maior do
que 5,6 Volts haver a passagem de uma corrente; j qualquer tenso inferior (a 5,6V) ser
incapaz de originar passagem da corrente eltrica pelo emissor (E) e por Rb1. Portanto,
enquanto os 5,6V no forem atingidos, a corrente ser nula, como atravs de um interruptor
aberto. Alcanando os 5,6V, tudo se passa como se o interruptor estivesse fechado e, assim, a
corrente que circular estar limitada unicamente pelo valor resistivo intrnseco de Rb1.
Como a transio de corrente nula para corrente total, entre emissor (E) e base 1 (B1), se
d sempre de forma abrupta (quando a tenso de emissor chega tenso/limite de disparo),
podemos considerar o UJT como um simples interruptor acionado por tenso.

4.7.4 Transistor de Efeito de Campo

Os transistores bipolares e os transistores de efeito de campo distinguem-se pela sua
estrutura e princpio de funcionamento; h, no entanto, uma diferena que determina a sua
utilizao: O transistor bipolar comandado por corrente, enquanto o de efeito de campo
comandado por tenso.

Um transistor de efeito de campo (FET - Junction Field Efect Transistor) pode ser de
dois tipos:

a) J-FET

O J-FET canal N constitudo basicamente
por uma juno PN, sendo ambos os
extremos da regio N dotada de terminais
(Dreno e Fonte), formando a regio P (Gate
ou porta) um anel em volta da regio N.
Se ligarmos uma bateria entre os terminais
da regio N circular uma corrente limitada
apenas pela resistncia do material
semicondutor. Porm, se polarizarmos
inversamente a juno PN (Gate negativa
em relao Fonte), formar-se- uma zona
de depleo em volta da juno PN. Devido
a esse fato, ficar mais estreito o canal o
que equivale a um aumento da resistncia
interna da regio N.
Atravs da Gate podemos determinar o maior ou menor fluxo de corrente entre os
terminais Fonte e Dreno. Fixando o valor da tenso dreno-fonte (V
DS
), a corrente de
dreno (I
D
) ser funo da polarizao inversa do Gate que variar a espessura do
canal por variao da zona de depleo.

Princpio de Funcionamento:
Zona de depleco
V
DS
V
GS
NOTA: Para o J-Fet canal P
devemos inverter a polaridade das
tenses aplicadas aos terminais.


86

Para o FET funcionar, o Gate deve ser inversamente polarizado (no J-FET canal N:
Gate negativo em relao Fonte, no J-FET canal P: gate positivo em relao
Fonte), o Dreno (D) positivo em relao Fonte (S). A
corrente dreno-fonte (I
DS
) ou simplesmente corrente de
dreno (I
D
) inversamente proporcional tenso gate-fonte
(V
GS
), conhecida por tenso de gate (V
G
). Assim se: V
G
|
I
D
+ (isto porque a zona de depleo vai aumentar e o
canal vai estreitar o que provoca um aumento de
resistncia e consequentemente uma diminuio da
corrente)
Mantendo-se constante V
DS
e fazendo variar V
G
, I
D
sofrer
uma certa variao e a relao I
D
/V
G
d-nos a
transcondutncia em Siemens do FET, representada por
Gm.

Considerando I
D
como sada e V
GS
como entrada, o J-FET surge como uma fonte de
corrente controlada por tenso.

b) MOS-FET

Os transistores de gate isolada (Mos-FET ou Ig-FET) recebem esse nome em virtude
da gate ser uma pelcula metlica (de alumnio) isolada eletricamente do canal
(semicondutor) atravs de uma finssima camada de xido de silcio.
Um efeito semelhante ao anterior pode ser obtido com a porta totalmente isolada do
canal. Este dispositivo, que usa uma camada de xido para a isolao da porta,
denominado MOS-FET.
Deve-se evitar tocar com as mos nos terminais dos FET j que todos eles, mas
especialmente os de tecnologia MOS, so sensveis a cargas eltricas estticas, que
podem danificar permanentemente a sua estrutura interna.
A sua resistncia de entrada muito elevada (da ordem dos 10
15
O).

Tipos de MOS-FET:

1. de empobrecimento ou depleo

Tal como no J-FET um dos extremos do canal a
Fonte, e o outro o Dreno; e sobre o canal existe uma
delicada capa de xido de silcio (SiO
2
) sobre a qual
aplicada uma camada de alumnio (Al) para formar a
Porta ou Gate.
O Dreno ligado ao plo positivo da bateria e a Fonte
ao negativo. Se a tenso na Gate ou Porta for zero
(VG= 0 Volt) a corrente de dreno (ID) ser limitada
apenas pela resistividade do canal n (que no
elevada). Porm, se aplicarmos uma tenso inversa
entre o gate e a fonte (Gate negativo em relao
Fonte) forma-se um campo eletrosttico que repelir
os eltrons livres que no material N so os portadores de corrente, formando-se,
V
DS
R
D
R
S
R
G
I
DS
J-Fet canal N
SiO
2
Al

Figura:
NMOS de empobrecimento
Canal N Substrato P
Substrato


87
desta forma, uma zona de depleo, cuja profundidade depender da tenso
aplicada.
Quando a tenso de porta se torna negativa o campo eltrico produzido pelo
condensador (formado pela Porta SiO
2
canal N) vai atrair cargas positivas para
o canal. A presena das cargas positivas atrai as negativas e isso produz um
estreitamento do canal. Desta forma, tal como sucede nos J-FETs, a intensidade
da corrente entre Fonte e Dreno (I
D
) ser inversamente
proporcional tenso entre Gate e Fonte (V
G
) V
G
| I
D

+
H um valor da tenso de Gate, chamado tenso de
corte, no qual o canal ficar totalmente fechado e a
corrente de dreno ser igual a zero. O menor valor
negativo da tenso de Gate que elimina o canal
designa-se por tenso limiar ou tenso de threshold
(V
T
) ou V
GS off
.
Os Mos-FETs tipo depleo so semelhantes aos J-
FET, tendo aplicaes semelhantes, geralmente como amplificadores de sinais.

2. de enriquecimento ou reforo

A zona P mais larga, sendo o canal restrito a
pequenas pores de material N junto fonte e ao
dreno. Tal como no FET de empobrecimento, o
gate ou porta isolado do canal por uma camada
de xido de silcio. Neste transistor, no entanto, a
porta ou gate recebe uma tenso positiva em
relao fonte, de modo que o campo
eletrosttico assim formado, em vez de repelir os
eltrons, os atrai, formando um canal N entre a
fonte e o dreno (o tracejado na figura). A formao
deste canal permite, ento, a circulao da corrente de dreno (I
D
) cuja intensidade
ir depender da tenso de gate (V
G
), j que a profundidade do canal entre a Fonte
e o Dreno ser determinada pelo campo eletrosttico.
Se a tenso gate fonte (V
GS
) for nula no se formar o canal induzido e logo no
haver corrente de dreno (I
D
).
No caso do Mos-FET de canal N o dreno deve ser
ligado ao positivo da bateria, e a Fonte ao negativo,
sendo a gate ou porta ligada ao positivo atravs de
um divisor de tenso destinado a fornecer a exata
tenso de gate. importante recordar que, como a
resistncia de entrada infinita (j que o gate
eletricamente isolado do canal) o gate de um Mos-
FET no consome qualquer corrente, da a
necessidade do divisor.
Os Mos-FETs tipo depleo so semelhantes aos J-
FETs, tendo aplicaes semelhantes como as de
amplificadores de sinais.
Figura:
NMOS de enriquecimento
Canal N Substrato P
Canal induzido


88
4.7.6 Retificador controlado de silcio

Um dispositivo com duas junes de silcio PN, conforme ilustrado ao lado, denominado
retificador controlado de silcio (sigla SCR - Silicon Controled Rectifier).
No circuito dado, as junes externas so polarizadas
diretamente e a central, inversamente. Ele pode ser considerado
como a combinao de um transistor NPN com um PNP.
Aplicando a lei de Kirchhoff:

I
c
=
a
I
a
+
c
I
c

Para todo o conjunto:

I
c
= I
p
+ I
a

Resolvendo, I
c
=
a
I
p
/ (1
a

c
).

Se a soma dos fatores de corrente de ambos os transistores for prxima de 1, a corrente
I
c
ser muito grande em relao a I
p
, o que ocorre na prtica. Os valores de I
p
so realmente
muito baixos e, uma vez iniciada a conduo, I
p
pode ser reduzido a zero, pois o dispositivo
conserva a polarizao, mantendo a conduo.
Esses dispositivos so bastante utilizados no o controle de cargas de alta potncia, como
rotao de motores de corrente contnua, resistncias de aquecimento, etc.

4.7.7 Termistores

Termstor (ou termistor) so resistores semicondutores sensveis temperatura.
Existem basicamente dois tipos de termistores:
a) NTC (Negative Temperature Coefficient) - termistores cujo coeficiente de variao
de resistncia com a temperatura negativo: a resistncia diminui com o aumento
da temperatura. Podem ser usados como sensores de temperatura em diversas
aplicaes com limitador de picos de corrente (Inrush Current Limiting Devices),
por exemplo.
b) PTC (Positive Temperature Coefficient) - termistores cujo coeficiente de variao
de resistncia com a temperatura positivo: a resistncia aumenta com o aumento
da temperatura. Geralmente so usados como fusveis resetveis, elementos de
aquecimento, sensores de temperatura.
Conforme a curva caracterstica do termistor, o seu valor de
resistncia pode diminuir ou aumentar em maior ou menor grau em
uma determinada faixa de temperatura.
Assim alguns podem servir de proteo contra
sobreaquecimento, limitando a corrente eltrica quando determinada
temperatura ultrapassada. Outra aplicao, no caso a nvel
industrial, a medio de temperatura (em motores, por exemplo),


89
pois o termistor possibilita a obteno da variao de uma grandeza eltrica em funo da
temperatura em que este se encontra.
A combinao de sensibilidade, estabilidade e preciso faz do termistor a melhor relao
custo x benefcio dentre todas as tecnologias para medio de temperatura. aplicado em:

ar condicionado
refrigeradores e freezers
desumidificadores
aquecedores de hidromassagem
equipamentos teraputicos
chocadeiras
ar condicionado automotivo
cafeteiras
fornos/autoclave
fritadeiras
chuveiros
odontolgicos
filtro de gua
encubadeiras
termostatos eletrnicos
mquinas de fast food
gndolas trmicas
equipamentos mdicos
expositores
gerenciamentos de energia

4.7.8 Fotocondutores

O fotocondutor , essencialmente, um componente semicondutor sensvel radiao,
sendo a sua condutividade varivel com
a incidncia de luz.
O esquema de operao de um
fotocondutor pode ser visto na figura ao
lado.
Um fton de energia hv maior que
o gap de energia da banda absorvido
para produzir um par eltron-lacuna,
alterando conseqentemente a
condutividade eltrica do semicondutor.
Quase sempre, a mudana na
condutividade medida por meio de
eletrodos fixados no semicondutor.
Utilizam, geralmente, uma juno PN composta por dois semicondutores que so
escolhidos em funo das caractersticas que o detector dever possuir.
O fotocondutor , ento, um outro resistor tipo NTC e um transdutor do tipo que converte energia
luminosa na forma de energia eltrica. O exemplo de fotocondutor o LDR (Light Dependent
Resistor). Este possui a interessante caracterstica de ser um componente eletrnico cuja
resistncia eltrica diminui quando sobre ele incide energia luminosa. Isto possibilita a utilizao
deste componente para desenvolver um sensor que ativado (ou desativado) quando sobre ele
incidir energia luminosa. composto de um material semicondutor, o sulfeto de cdmio, CdS, ou
o sulfeto de chumbo. O processo de construo de um LDR consiste na conexo do material
fotossensvel com os terminais, sendo que uma fina camada simplesmente exposta
incidncia luminosa externa. Com o LDR pode-se fazer o controle automtico de porta, alarme
contra ladro, controle de iluminao em um recinto, contagem industrial,
controle de iluminao pblica, todos estes fotocontrolados para a
operao de um rel.
Dispositivos fotocondutores comerciais so chamados de clulas
fotocondutivas. So utilizados para medir a quantidade de iluminao
(como um medidor de luz), para registrar uma modulao de intensidade
luminosa e como um rel de luz liga-desliga (como um circuito digital ou
de controle), neste caso, pode ser chamado de Rel-fotoclula, capaz de
perceber a luz do sol, assim, identificando se dia ou noite, acendendo


90
as lmpadas automaticamente quando o dia escurece e desligando aps o amanhecer, com
grande aplicao em iluminao pblica (figura ao lado).
O dispositivo fotocondutor de maior aplicao a clula de
sulfeto de cdmio dopada com uma pequena quantidade de prata,
antimnio ou ndio. As vantagens desses fotocondutores so:
- Alta capacidade de dissipao;
- Excelente sensibilidade no espectro visvel;
- Baixa resistncia quando estimulados pela luz (em
escurido, em torno de 2M e, com luz forte, menos de
100)
Podem ento, controlar um circuito de vrios Watts operando um
rel diretamente, sem circuitos amplificadores intermedirios.
Outros materiais fotocondutores:
- Sulfeto de chumbo, sendo usado para deteco ou
medidas de absoro de infravermelho;
- Selenium, sensvel em toda a parte do espectro visvel, particularmente perto do
azul.

Os fotocondutores so tambm usados utilizados em mquinas de xrox que funcionam
da seguinte maneira:
1) Quando se inicia a operao de uma mquina de xerox, acende-se uma lmpada,
que "varre" todo o documento a ser copiado. A imagem projetada por lentes e
espelhos sobre a superfcie de um cilindro fotossensvel (de alumnio, revestido por
material fotocondutor).
2) Uma imagem latente formada na superfcie do cilindro;
3) O cilindro recebe uma carga de material conhecido como toner ou tonalizador (tinta
em p) que atrado pelas cargas que formam a imagem.
4) Transfere-se o toner para o papel, atrvs de cargas eltricas, e fixa-se o mesmo
atravs de um processo que envolve calor e presso.
Atualmente, no processo digital, a imagem latente formada no cilindro atravs de raios
laser ou diodos emissores de luz (LEDs), semelhante s impressoras laser.

4.7.9 Clulas Fotovoltaicas

As Clulas Fotovoltaicas so muito usadas em residncias rurais distantes de linhas de
distribuio, pequenas calculadoras, relgios de pulso e aparelhos que precisam de pouca
energia.
A clula fotovoltaica construda de silcio ao qual so adicionadas substncias ditas
dopantes de modo a criar um meio adequado ao estabelecimento do efeito fotovoltaico, isto ,
converso direta da potncia associada radiao solar em potncia eltrica em corrente
contnua (DC ou CC).

Composio e funcionamento de uma clula fotovoltaica cristalina:
1 eletrodo negativo;


91
2 eletrodo positivo;
3 camada tipo N;
4 camada tipo P;
5 camada de limite (depleo)

Quando os eltrons e lacunas atingem a juno PN, eles so separados pelo campo
interno da regio de depleo. O elemento fotovoltaico fora a corrente a fluir no circuito externo,
portanto, a energia luminosa convertida em energia eltrica.
Em outras palavras, a clula solar trabalha segundo o princpio de que os ftons
incidentes, colidindo com os tomos de certos materiais, provocam um deslocamento dos
eltrons, carregados negativamente, gerando uma corrente eltrica. Este processo de converso
no depende do calor, pelo contrrio, o rendimento da clula solar cai quando sua temperatura
aumenta.
Deste modo, as clulas solares no s so apropriadas para regies ensolaradas, mas
tambm parecem promissoras para reas em que outros tipos de sistemas de energia solar
perecem sem perspectivas como as de baixa insolao. As clulas solares continuam a operar
mesmo sob cu nublado.
A converso da energia solar em energia eltrica, com o uso de painis fotovoltaicos j
comercialmente vivel para pequenas instalaes. Seu uso particularmente vantajoso em
regies remotas ou em zonas de difcil acesso. Os sistemas de comunicao, e, de modo geral,
todos os equipamentos eletrnicos com baixo consumo de potncia, podem ser facilmente
alimentados por painis fotovoltaicos. A figura abaixo mostra uma configurao tpica de
instalao do sistema fotovoltaico. Para sua utilizao em residncias se faz necessrio o uso
de alguns dispositivos tais como controlador de carga, baterias para armazenar a energia para
uso noturno e um inversor para converter a tenso contnua e alternada.
Tambm torna-se especialmente notvel a utilizao de energia solar na alimentao de
dispositivos eletrnicos existentes em foguetes, satlites e astronaves.


92


93
CAPTULO V

MATERIAIS MAGNETICOS

Os primeiros fenmenos magnticos observados foram aqueles associados aos
chamados ims naturais (magnetos) que eram fragmentos grosseiros de ferro encontrados
perto da antiga cidade de Magnsia, distrito de Thessally na Grcia (da o termo magneto).
Estes ims tinham a propriedade de atrair ferro desmagnetizado, sendo que esta propriedade
era mais acentuada em certas regies deste material denominadas
plos.
Existem dois tipos de ims:
- Ims Naturais so aqueles que encontramos na
natureza e so compostos por minrio de ferro (xido
de ferro). Este tipo de ferro magntico denominado
magnetita.
- Ims Artificiais so aqueles que adquirem
propriedade magntica ao serem atritados com um
im natural. A capacidade magntica destes ims
pode superar a dos ims naturais.
Os ims possuem dois plos (norte - N e sul - S). O plo sul
de um im atrado pelo plo norte do Planeta Terra e vice-versa.
Descobriu-se ento que, quando uma barra de ferro era
colocada perto de um im natural ela adquiria e retinha esta
propriedade do im natural e que, quando suspensa livremente em torno de um eixo vertical, ela
alinhava com a direo norte-sul, que originou os instrumentos de navegao como, por
exemplo, a bssola.
A fora que atrai o ferro, ou outros metais, a um m chamada linha de fora.
Um conjunto de linhas de fora que saem do plo N e entram no im pelo S forma o
campo magntico.
Ao espalharmos limalha de ferro sobre um m pode-se perceber a forma do campo
magntico por meio das linhas de induo, este fato est ilustrado na figura abaixo.

Quanto mais forte o im:
- Maior o nmero de linhas de fora;
- Maior a rea abrangida pelo campo magntico.

O magnetismo ou fora magntica fundamental na gerao e
aproveitamento da corrente eltrica. Todo tipo de sistema ou


94
equipamento eletromecnico contem efeitos magnticos em seus circuitos. Desta forma, a
existncia de equipamentos como motores, geradores, transformadores, indutores, instrumentos
eltricos, medidores, componentes magnticos, etc. seria impossvel se os fenmenos
magnticos no fossem compreendidos e dominados.
Hoje em dia, pesquisas so feitas para se desenvolver outros tipos de materiais que
tenham essa propriedade ainda mais acentuada e que possam ser manipulados de maneira a
permitir novas configuraes e formatos de ncleos reduzindo-se assim as perdas destes
ncleos, bem como seus tamanhos.
Os materiais magnticos mais importantes em aplicaes eltricas gerais so chamados
ferromagnticos. Estes permitem o estabelecimento de fenmenos magnticos devido sua
caracterstica de conectar linhas de fora magntica, sofrendo atrao por estas foras. O
exemplo mais antigo deste material a magnetita (O
4
Fe
3
). Este e outros tipos de materiais
magnticos sero estudados a seguir.

5.1 Classificao dos Materiais Magnticos

Os materiais magnticos podem ser classificados conforme os domnios magnticos.
Estes correspondem menor unidade de um material que se caracteriza por possuir uma nica
orientao magntica, isto , um vetor campo magntico prprio.
Em um material magntico, os domnios podem estar orientados ao acaso de modo que
seus momentos magnticos se anulam.
Ao aplicarmos um campo magntico externo, os domnios se alinham na direo deste
campo e podem permanecer ou no alinhados depois de retirarmos o campo.
Sob esta anlise os materiais magnticos podem ser:
- Duros: So aqueles que ao retirarmos o campo magntico externo, o alinhamento
dos domnios permanece. Tambm chamados ms.
- Moles, macios ou doces: o alinhamento dos domnios desaparece ao retirarmos
o campo magntico externo.

Algumas aplicaes exigem materiais duros e outras aplicaes exigem materiais moles.
Um m de geladeira, por exemplo, deve ser feito de um material magntico duro, para que
possa permanecer imantado por muito tempo. J os motores eltricos exigem materiais
magnticos moles, para que eles possam se adaptar rapidamente s alteraes da corrente
eltrica alternada.

Por outro lado, fisicamente, os materiais magnticos podem ser classificados, quanto
permeabilidade, como:

- Ferromagnticos (ferro, nquel, cobalto, ao) caracterizam-se por uma
magnetizao espontnea, que totalmente independente de campos magnticos
externos. A grandeza desta magnetizao depende da temperatura que, quando
crtica (Temperatura de Curie - varivel para cada material. Exemplo: ferro 770
0
C,
cobalto 770
0
C, nquel 365
0
C) o material perde suas propriedades magnticas
passando de ferromagntico para diamagntico. Os ferromagnticos possuem uma
permeabilidade magntica () centenas ou milhares de vezes, maior que a do
vcuo (
o
), onde
7
0
10 4

= t H/m. Estes materiais provocam uma forte


95
concentrao das linhas de fluxo do campo que os interceptam. Na seqncia, so
apresentadas a permeabilidade magntica de alguns materiais:

- Diamagnticos (vidro, gua, antimnio, bismuto, chumbo, cobre, gases raros)
Estes materiais afastam ligeiramente as linhas de fluxo que os interceptam. A
direo do campo adicional (formado atravs da teoria dos domnios) oposta
do campo externo fazendo com que o campo resultante seja menor que o campo
externo. Sua permeabilidade magntica menor que a do vcuo. Por exemplo:

O bismuto apresenta uma variao em sua
resistncia eltrica quando atravessado pelo fluxo
magntico, sendo por isso aproveitado em
instrumentos de medio de campo magntico.

- Paramagnticos (oxignio, sdio, sais de ferro e de nquel, alumnio, silcio)
Estes materiais tendem a concentrar ligeiramente as linhas de fluxo que os
interceptam. A direo do campo adicional a mesma do campo externo, portanto,
o campo resultante maior que o campo externo. Sua permeabilidade magntica
ligeiramente maior que a do vcuo. Por exemplo:


96

5.2 Caractersticas dos Materiais Magnticos

5.2.1 Retentividade

a maior ou menor capacidade de um material reter o magnetismo. O ao, por
exemplo, possui maior retentividade do que o ferro doce.

5.2.2 Relutncia

a oposio ao estabelecimento do fluxo no circuito magntico. Apenas como
referncia pode-se pensar na resistncia e sua oposio passagem de corrente eltrica e ser
possvel estabelecer uma analogia. A Relutncia pode ser obtida a partir das caractersticas
magnticas e geomtricas do material, conforme mostrado na equao abaixo:

5.2.3 Permencia

a recproca da relutncia (anlogo condutncia).

5.2.4 Permeabilidade


97
a caracterstica do material quanto maior ou menor facilidade de se deixar
atravessar pelo fluxo magntico circulante, opondo-se em maior ou menor grau orientao das
molculas. A permeabilidade funo da temperatura e da intensidade de campo magntico
aplicado.

5.2.5 Permeabilidade Relativa

A permeabilidade do vcuo dada por:
7
0
10 4

= t H/m
A permeabilidade dos demais materiais geralmente referenciada permeabilidade
do vcuo, no que chamada de permeabilidade relativa, dada por:

A permeabilidade do ar normalmente considerada como a permeabilidade do vcuo.

5.2.6 Meios de Propagao do Fluxo Magntico

- Material no saturvel: materiais onde =
o
= cte ->
r
= 1;
o Material diamagntico;
o Material paramagntico

- Material Saturvel: qualquer material ferromagntico. >>
o
->
r
>> 1.

5.2.7 Intensidade de Campo Magntico

a relao entre a densidade de fluxo no material e sua permeabilidade. dado por:


98

Quando um condutor conduz uma corrente eltrica
um campo magntico produzido a sua volta, como
ilustrado ao lado.
A direo das linhas de fluxo ou a intensidade (H)
do campo magntico pode ser determinada pela regra da
mo direita. Se o condutor retilneo, imagine o polegar da
mo direita, esticado e apontando no sentido da corrente, e
os outros quatro dedos fechados sobre o condutor. Ento
estes quatro dedos apontam o sentido do campo como
ilustrado na figura ao lado.

5.2.8 Densidade de Fluxo

a relao entre o fluxo, expresso em weber, Wb, e a rea da seo reta, em m
2
,
atravessada por este fluxo, expressa pela equao abaixo:

Adio e Subtrao de Campo
Magntico:

corrente saindo do condutor
corrente entrando no condutor

1 ilustrao: adio

Por terem o mesmo sentido formam
um campo total mais forte.

2 e 3 ilustraes: subtrao

Por terem o sentidos contrrios
formam um campo total mais fraco.


99

5.2.9 Fora Magnetomotriz

Um solenide ou um eletrom pode ser feito a partir de um ncleo de ar ou material
magntico e um enrolamento ou conjunto de espiras, normalmente sobre uma forma, atravs
das quais faz-se passar uma corrente. A passagem de corrente cria um campo magntico, que
pode ser concentrado caso o ncleo seja de material magntico. A fora magnetomotriz obtida
por:

A relutncia pode ser ento definida partir de :

5.2.10 Curva de Magnetizao (BxH)

A curva de magnetizao um grfico, obtido experimentalmente, que relaciona a
induo magntica B com a intensidade do campo magntico ou excitao magntica H. O
grfico pode tambm relacionar o fluxo magntico com a corrente de excitao I.


100
Considerando uma bobina com ncleo de ar, o aumento da corrente eltrica na bobina
(e, consequentemente, a excitao magntica H) provoca um aumento do fluxo magntico (e,
consequentemente, a induo magntica B). A relao entre e I linear, ou seja, o aumento
de diretamente proporcional ao aumento de I.

Introduzindo um ncleo de material ferromagntico no interior da bobina, o fluxo
magntico toma valores muito maiores que com ncleo de ar, para os mesmos valores da
corrente I. Este grande aumento do fluxo em relao bobina com ncleo de ar deve-se
contribuio dada pelos tomos que so, na realidade, pequenos ms. Estes tomos,
inicialmente desordenados, alinham-se segundo as linhas de fora do campo magntico
produzido pela corrente. Ao alinhar-se, o fluxo que possuem soma-se ao fluxo inicial. Quanto
maior for o valor da corrente, maior o nmero de tomos que se alinham e maior o valor do
fluxo total. medida que a corrente aumenta, o nmero de tomos que resta por alinhar cada
vez menor e, por isso, o fluxo no aumenta mais proporcionalmente corrente. Portanto, aps o
aumento inicial linear do fluxo, entra-se na chamada zona de saturao. Quando todos os
tomos estiverem alinhados, o aumento do fluxo com a corrente volta a ser linear (mas pequeno,
to pequeno quanto era com a bobina com ncleo de ar), dependendo apenas do valor da
corrente. A partir do ponto de saturao, a linha do grfico fica, ento, paralela linha
correspondente bobina com ncleo de ar.

5.2.11 Lao de Histerese

Quando o campo magntico aplicado em um material for aumentado at a saturao e
em seguida for diminudo, a densidade de fluxo B no diminui to rapidamente quanto o campo
H. Desta forma, quando H chega a zero, ainda existe uma densidade de fluxo remanescente, Br.
Para que B chegue a zero, necessrio aplicar um campo negativo, chamado de fora
coercitiva.


101
Se H continuar aumentando no sentido negativo, o material magnetizado com
polaridade oposta. Desse modo, a magnetizao inicialmente ser fcil, at quando se aproxima
da saturao, passando a ser difcil. A reduo do campo novamente a zero deixa uma
densidade de fluxo remanescente, -Br, e, para reduzir B a zero, deve-se aplicar uma fora
coercitiva no sentido positivo. Aumentando-se mais ainda o campo, o material fica novamente
saturado, com a polaridade inicial.
Este fenmeno que causa o atraso entre densidade de fluxo e campo magntico
chamado de histerese magntica que tanto maior quanto mais forte for a oposio
apresentada pelo material ferromagntico. O ciclo traado pela curva de magnetizao
chamado de ciclo ou lao de histerese.

Uma famlia de curvas de histerese
medida com uma densidade de fluxo modulada
senoidalmente com freqncia de 50 Hz e
campo magntico varivel de 0,3 T a 1,7 T.

Onde:
B = Densidade de fluxo magntico

H = Campo magntico

B
R
= valor da densidade magntica residual;
a densidade de fluxo que permanece quando a
fora magnetizante ( H ) retirada

H
C
= fora coercitiva = o valor da fora
magnetizante necessria para anular o
magnetismo residual.

Quando o ferro no est magnetizado, seus domnios magnticos esto dispostos de
maneira aleatria. Porm, ao aplicar uma fora magnetizante, os domnios se alinham com o
campo aplicado. Se invertermos o sentido do campo, os domnios tambm invertero sua
orientao. Num transformador, o campo magntico muda de sentido muitas vezes por segundo,
de acordo com o sinal alternado aplicado. E o mesmo ocorre com os domnios do material do
ncleo. Ao inverter sua orientao, os domnios precisam superar o atrito e a inrcia. Ao fazer
isto, dissipam certa quantidade de potncia na forma de calor, que chamada de perda por
histerese.
Em determinados materiais, a perda por histerese muito grande. O ferro doce um
exemplo. J no ao, esse tipo de perda menor. Por isto, alguns transformadores de grande
potncia utilizam um tipo de liga especial de Ferro-silcio, que apresenta uma perda por
histerese reduzida. Este tipo de problema tambm aumenta junto com a freqncia do sinal. Um
transformador que apresenta baixa perda nas freqncias menores pode ter uma grande perda
por histerese ao ser usado com sinais de freqncias mais altas.
A histerese produzida devido ao gasto de energia para inverter os dipolos durante
uma mudana de campo eletromagntico.


102

5.3 Lei de Faraday e Lei de Lenz

Michael Faraday, baseando-se nos trabalhos de Hans Christian Oersted e Andr-Marie
Ampre, em meados de 1831, comeou a investigar o efeito inverso do fenmeno por eles
estudado, onde campos magnticos produziam correntes eltricas em circuitos.
Faraday descobriu que um campo magntico estacionrio prximo a uma bobina,
tambm estacionria e ligada a um galvanmetro no acusa a passagem de corrente eltrica.
Observou, porm, que uma corrente eltrica temporria era registrada no galvanmetro quando
o campo magntico sofria uma variao. Este efeito de produo de uma corrente em um
circuito, causado pela presena de um campo magntico, chamado de induo
eletromagntica e a corrente eltrica que aparece denominada de corrente induzida.
O fenmeno de induo eletromagntica est ilustrado na seqncia.

Nas ilustraes, observa-se que a fem induzida produz uma corrente cujo sentido cria um
campo magntico que se ope a variao do fluxo magntico original. Este fenmeno
conhecido como lei de Lenz.
A lei de Lenz a garantia de que a energia do sistema se conserva. Isto significa que a
direo da corrente induzida tem que ser tal que se oponha as mudanas ocorridas no sistema.
Caso contrrio, a lei de conservao de energia seria violada.
Existem vrios modos de se obterer correntes induzidas em um circuito, os quais so
enumeradas a seguir:
- O circuito pode ser rgido e, no entanto, pode mover-se como um todo em relao
a um campo magntico, de modo que o fluxo magntico atravs da rea do circuito
varia no decorrer do tempo.
- Sendo o campo B estacionrio, o circuito pode ser deformvel de tal modo que o
fluxo de B atravs do circuito varie no tempo.
1 2
4 3


103
- O circuito pode ser estacionrio e indeformvel, mas o campo magntico B,
dirigido para a superfcie varivel no tempo.

Em resumo, em todos os trs casos, verifica-se que o ponto chave da questo est na
variao do fluxo magntico com o tempo. Isto se du/dt diferente de zero, ento uma corrente
eltrica ser induzida no circuito. Estes resultados experimentais so conhecidos como lei de
Faraday a qual pode ser enunciada da seguinte forma:

A fora eletromotriz induzida (fem) em um circuito fechado determinada pela taxa de
variao do fluxo magntico que atravessa o circuito.
A Lei de Faraday garante a gerao de um campo magntico por um campo eltrico
varivel e a gerao de um campo eltrico por um campo magntico varivel. Esta Lei pode ser
expressa por:

Onde a fora eletromotriz induzida (fem) e u fluxo magntico dado por

Sendo S a superfcie por onde flui o campo magntico. Sabendo que a forca eletromotriz
pode ser expressa em funo do campo eltrico temos que;

O sinal negativo que aparece na equao acima representa a direo da fem induzida.
Um exemplo tpico da aplicao desta lei
pode ser visto no princpio de funcionamento de
transformadores. Sob a aplicao de uma tenso
alternada em um dos seus terminais (primrio),
percorrer um fluxo magntico varivel em seu
ncleo magntico resultando em uma tenso
induzida alternada no outro terminal (secundrio).
Os nveis de tenso estaro associados ao nmero
de espiras dos enrolamentos primrio e secundrio.
5.4 Circuitos Magnticos Equivalentes

Quando os circuitos magnticos so analisados para determinar o fluxo e a induo
magntica nos principais caminhos atravs do ncleo, o campo magntico fora do ncleo e no
entreferro so, usualmente, desprezados. Entretanto, quando dois ou mais enrolamentos esto
colocados sobre um circuito magntico, como em transformadores ou mquinas rotativas, os


104
campos fora do ncleo, chamados campos de disperso, so muito importantes na
determinao do acoplamento entre os enrolamentos.
Ao longo do circuito magntico, o fluxo magntico (dado em Wb) contnuo e definido
como:
}
=
s
Bda |

Dentro do ncleo, a induo magntica pode ser considerada uniforme atravs da rea A
da seo transversal de modo que o fluxo :

A B = |

Que pode ser escrita em termos da induo magntica no ncleo:

= =
A
l
l
B
Ni

O termo Ni representado aqui por chamado de fora magnetomotriz (fmm). Os
coeficientes do segundo membro so chamados de permencia P ou relutncia 9 e so
definidos como:

A
l
P
= = 9
1

Logo a equao da induo magntica reescrita como:

| 9 =

Note que esta ltima equao anloga a lei de Ohm (E=R I). Esta analogia com os
circuitos eltricos nos permite representar o campo magntico por um circuito magntico
equivalente e fazer a sua anlise como um circuito eltrico, com as referncias mostradas na
tabela seguinte:

CIRCUITO ELTRICO CIRCUITO MAGNTICO
Uma fonte de E(fem)
(fmm)
Produz um
9 = / E i 9 = / |
[Wb]
Que limitada
A l / = 9

A l = 9 /

O circuito equivalente mostrado abaixo representa o campo magntico de uma bobina
toroidal.


105

5.4.1 Circuito Magntico em Entreferro de Ar

Como j comentado, em transformadores e mquinas eltricas rotativas no se pode
desprezar o campo magntico fora do ncleo. Em mquinas eltricas rotativas, o rotor est
fisicamente isolado por um entreferro de ar. Na figura seguinte representado um corte radial
em uma mquina CC, onde se pode observar que, praticamente, o mesmo fluxo magntico est
presente nos plos (ncleo de material ferromagntico) e no entreferro (ar).

Naturalmente, para manter as mesmas densidades de fluxo, o entreferro exige uma fmm
muito maior que o ncleo
9 = / |
, o que pode provocar a saturao do ncleo mantendo o
entreferro no saturado pois a curva B-H do ar linear, ou seja,
constante.
Um circuito magntico composto de caminhos magnticos de diferentes materiais pode
ser representado por suas respectivas relutncias magnticas, como mostrado na seqncia:

Do circuito equivalente identificamos:


106
Ac c
lc
c
= 9

Ag g
g
= 9
lg

g c
Ni
9 + 9
=
9
= |

lg + = Hg lc Hc Ni

Onde:
lc = comprimento mdio do ncleo
lg = comprimento do entreferro de ar

As densidades de fluxo so:

Ac
c
Bc
|
=

Ag
g
Bg
|
=

Verifica-se que Ag = Ac e que desprezando a distoro das linhas de fluxo, obtm-se:

Ac
c
Bc Bg
|
= =

No entreferro de ar, as linhas de fluxo so arqueadas nas extremidades dos plos
(espraiamento), como ilustrado na figura abaixo. Este efeito incrementado com o aumento da
rea do entreferro e pode ser desprezado para pequenos valores do mesmo.


107

5.5 Aplicaes dos Materiais Magnticos

Atualmente, os materiais magnticos desempenham papel muito importante nas
aplicaes tecnolgicas do magnetismo. Nas aplicaes tradicionais, como em motores,
geradores, transformadores, etc, eles so utilizados em duas categorias:
- ms permanentes so aqueles que tm a propriedade de criar um campo
magntico constante.
- materiais doces, ou permeveis, so aqueles que produzem um campo
proporcional corrente num fio nele enrolado, muito maior ao que seria criado
apenas pelo fio sem nenhum outro material (ncleo de ar).
A terceira aplicao tradicional dos materiais magnticos, que adquiriu grande
importncia nas ltimas dcadas, a gravao magntica. Esta aplicao baseada na
propriedade que tem a corrente numa bobina, na cabea de gravao, em alterar o estado de
magnetizao de um meio magntico prximo. Isto possibilita armazenar no meio a informao
contida num sinal eltrico. A recuperao, ou a leitura, da informao gravada feita,
tradicionalmente, atravs da induo de uma corrente eltrica pelo meio magntico em
movimento na bobina da cabea de leitura. A gravao magntica a melhor tecnologia da
eletrnica para armazenamento no-voltil de informao que permite re-gravao. Ela
essencial para o funcionamento dos gravadores de som e de vdeo, de inmeros equipamentos
acionados por cartes magnticos, e tornou-se muito importante nos computadores.
As aplicaes mencionadas so baseadas em propriedades e fenmenos clssicos,
todos conhecidos e compreendidos desde o incio do sculo XX. A evoluo tecnolgica destas
aplicaes ocorreu em decorrncia da descoberta de novos materiais, aperfeioamento das
tcnicas de preparao, etc. Porm, nos ltimos 15 anos, a pesquisa em materiais magnticos
ganhou um grande impulso por conta de descobertas feitas com estruturas artificiais de filmes
muito finos. Estes filmes podem ser preparados por vrios mtodos diferentes, dependendo da
composio, espessura e aplicao. Todos eles se baseiam na deposio gradual de tomos ou
molculas do material desejado sobre a superfcie de outro material que serve de apoio,
chamado substrato. A fabricao de filmes ultrafinos, com espessuras da ordem ou frao de 1
nanmetro (1 nm = 10
-9
m), tornou-se possvel graas evoluo das tcnicas de alto vcuo.
Hoje possvel fabricar estruturas artificiais controlando a deposio de camadas no nvel
atmico, com alto grau de perfeio e pureza. tambm possvel depositar sobre um filme com
certa composio qumica, outro filme de composio diferente. Isto possibilita a fabricao de
estruturas com propriedades magnticas muito diferentes das tradicionais, cuja compreenso
microscpica exige o conhecimento detalhado dos filmes, das interfaces e das interaes entre
os tomos. Estas estruturas compreendem filmes simples de uma nica camada magntica


108
sobre um substrato, ou filmes magnticos e no-magnticos intercalados, e tambm estruturas
com mais de uma dimenso na escala nanomtrica, chamadas nano-estruturas magnticas de
maiores dimenses.
As diversas aplicaes destes fenmenos na eletrnica esto dando origem a um novo
ramo da tecnologia, chamado spintrnica, no qual as funes dos dispositivos so baseadas no
controle do movimento dos eltrons atravs do campo magntico que atua sobre o spin.

5.3.1 Eletroms

Eletrom um dispositivo que utiliza a eletricidade
para gerar um campo magntico. Possui funcionamento
muito similar aos ms permanentes.
Sua construo faz uso de um condutor eltrico,
normalmente um fio ou barramento de cobre com exterior
eletricamente isolado, o qual moldado em forma espiral de
modo a compor um enrolamento chamado de bobina. No
centro desta bobina normalmente utilizado um ncleo de
material ferromagntico, podendo ser de ferro, ao, nquel
ou cobalto.
Conforme visto anteriormente, todo campo magntico, ao ser passado atravs de um
condutor eltrico gera corrente eltrica, e o contrrio tambm ocorre, ou seja, toda corrente
eltrica que passa por um condutor eltrico gera um campo magntico. O campo magntico
gerado pela conduo de uma corrente em um condutor retilneo muito pequena, praticamente
imperceptvel, mas quando o condutor enrolado de forma espiralada, os pequenos campos
gerados em cada parte do condutor se combinam, formando um nico campo maior e de mesmo
sentido.
No caso de uma bobina, para determinar o sentido das linhas de fluxo magntico, utiliza-
se a regra da mo direita: ao se fechar a mo direita sobre uma bobina os dedos fechados
indicam o sentido do fluxo de corrente, consequentemente o dedo indica o plo norte do campo
magntico gerado.
A figura a seguir ilustra esta regra.

Eletroms so utilizados em indstrias, veculos automotores, dentre outras aplicaes.
Nas indstrias, os eletroms so utilizados em rels eletrnicos e contatores eltricos,
componentes muito comuns em automao industrial, mquinas e aparelhos eletroeletrnicos.
Possuem tambm grande aplicao em siderrgicas, para manipulao de produtos de ferro e
ao. Veculos automotores utilizam eletroms em pequenos motores e no alternador, que utiliza
o princpio de gerao eltrica atravs do campo magntico. Monitores de computadores CRTs


109
(mais antigos) utilizam eletroms para fazer correes na imagem da tela, com uma funo
chamada Desmagnetizar.
O eletrom a base do motor eltrico e do transformador. So empregados em freios e
embreagens eletromagnticos e para levantar ferro e sucata, assim como, so aplicados
tecnologia dos trens de levitao magntica (Maglev) estudada no item relativo a
supercondutores.

5.3.2 Rels

Um rel eletromecnico um interruptor ou chave eletromecnica que normalmente
usado em circuitos que necessitam de cortes de energia.
A tecnologia mais antiga usada na fabricao de rels a eletromagntica.

Em um rel eletromagntico, quando atingido um determinado valor da corrente, o
disparador do rel (um eletrom) atua e ele abre, por exemplo, um circuito. Existe um
determinado tempo de atuao. Este tipo de rel usado na proteo contra curtos-circuitos.
Em um rel trmico, quando atingida uma determinada temperatura, o rel dispara.
Esta temperatura pode ser provocada por uma corrente que atingiu um valor determinado
durante um tempo suficiente para atingir o limiar de disparo. O elemento sensor , normalmente,
uma lmina bimetlica ou bi-lmina. Conforme j visto este tipo de atuao usado na proteo
contra sobrecargas.
H rels que se destinam a realizar operaes de tipos diversos em automatismos. So
chamados rels auxilares .
Existem ainda os rels eletrnicos que no tm peas mveis, o que os torna mais
rpidos, menos consumidores de energia e menos sujeitos a avarias do que os demais.

REL
ELETROMAGNTICO
REL TRMICO REL AUXILIAR REL ELETRNICO


110
Os rels podem ter diversas configuraes quanto aos seus contatos: podem ter contatos
NA, NF ou ambos, neste caso com um contato comum ou central (C).
Os contatos NA (normalmente aberto) so os que esto abertos enquanto a bobina no
est energizada e que fecham, quando a bobina recebe corrente.
Os NF (normalmente fechado) abrem-se quando a bobina recebe corrente, ao contrrio
dos NA.
O contato central ou C o comum, ou seja, quando o contato NA fecha com o C que se
estabelece a conduo e o contrrio com o NF.
A principal vantagem dos Rels em relao aos SCR e os Triacs que o circuito de carga
est completamente isolado do de controle, podendo inclusive trabalhar com tenses diferentes
entre controle e carga.
A desvantagem o fator do desgaste, pois em todo o componente mecnico h uma vida
til, que muito superior nos tiristores, por exemplo.
Os rels tm uma grande diversidade de aplicaes, em vrias reas, como no setor de
energia, automobilstico, na indstria, automaes residenciais e comerciais. Devem ser
observadas as limitaes dos rels quanto a corrente e tenso mxima admitida entre os
terminais. Se no forem observados estes fatores a vida til do rel estar comprometida, ou at
a do circuito controlado.

5.3.3 Contatores

Contator um dispositivo eletromecnico
que permite, a partir de um circuito de comando,
efetuar o controle de cargas num circuito de
potncia. Tais cargas podem ser de qualquer tipo,
desde tenses diferentes do circuito de comando
e at conter mltiplas fases.
Os principais elementos construtivos de um
contator so:

- Contato Principal;
- Contato Auxiliar;
- Sistema de Acionamento;
- Carcaa;
- Acessrios
- Contatos Principais
Os contatos principais tm a funo de estabelecer e interromper correntes de motores e
chavear cargas resistivas ou capacitivas. O contato realizado por meio de placas de prata cuja
vida til termina quando as mesmas so reduzidas a 1/3 de seu valor inicial.
Os contatos auxiliares so dimensionados para comutao de circuitos auxiliares para
comando, sinalizao e intertravamento eltrico. Eles podem ser do tipo NA (normalmente
aberto) ou NF (normalmente fechado) de acordo com a sua funo.
O acionamento dos contatores pode ser feito com corrente alternada ou corrente
contnua.
Aps a desenergizao da bobina de acionamento, o retorno dos contatos principais
(bem como dos auxiliares) para a posio original de repouso garantido pelas molas de
compresso.


111
A carcaa constituda de 2 partes simtricas (tipo macho e fmea), unidas por meio de
grampos.
O princpio de funcionamento do contator atravs da atrao magntica criada pela
corrente eltrica ao atravessar um fio condutor. A bobina eletromagntica quando alimentada
por um circuito eltrico forma um campo magntico que se concentra no ncleo fixo e atrai o
ncleo mvel.
Como os contatos mveis esto acoplados mecanicamente com o ncleo mvel, o
deslocamento deste no sentido do ncleo fixo movimenta os contatos mveis.
Quando o ncleo mvel se aproxima do fixo, os contatos mveis tambm devem se
aproximar dos fixos, de tal forma que, no fim do curso do ncleo mvel, as peas fixas imveis
do sistema de comando eltrico estejam em contato e sob presso suficiente.
O Comando da bobina efetuado por meio de uma corrente eltrica que passa num
circuito em srie com a bobina. A velocidade de fechamento dos contatores resultado da fora
proveniente da bobina e da fora mecnica das molas de separao que atuam em sentido
contrrio.
As molas so tambm as nicas responsveis pela velocidade de abertura do contator, o
que ocorre quando a bobina magntica no estiver sendo alimentada ou quando o valor da fora
magntica for inferior fora das molas.
Basicamente, existem contatores para motores e contatores auxiliares.

Os contatores para motores tm as seguintes caractersticas:

- Dois tipos de contatos com capacidade de carga diferentes ( principal e auxiliares);
- Maior robustez de construo;
- Possibilidade de receber rels de proteo;
- Existncia de cmara de extino de arco voltaico;
- Variao de potncia da bobina do eletrom de acordo com o
tipo do contator;
- Tamanho fsico de acordo com a potncia a ser comandada;
- Possibilidade de ter a bobina do eletrom secundrio;

Os contatores auxiliares so utilizados para aumentar o nmero de
contatos auxiliares dos contatores de motores para comandar contatores de
elevado consumo e para sinalizao. Possuem as seguintes caractersticas:

- Tamanho fsico varivel conforme o nmero de contatos
- Potncia da bobina do eletrom praticamente constante
- Corrente nominal de carga mxima de 10 A para todos os contatos
- Ausncia de necessidade de rel de proteo e de cmara de extino

5.3.4 Disjuntores Termo-magnticos

Os disjuntores termo-magnticos utilizam de dois dispositivos de proteo: o primeiro
para sobrecarga que emprega a tecnologia dos bimetais (visto no captulo II) e o segundo para
proteo contra curtos-circuitos, atravs da tecnologia dos circuitos magnticos. As figuras a
seguir ilustram passo a passo este processo.


112


113


114


115
5.3.5 Campainha

A campainha composta por um eletrom E, cuja armadura A tem uma extremidade
presa a uma mola de ao flexvel B e a outra extremidade a uma haste C que mantm na ponta
uma esfera D.
A mola B obriga a armadura a ficar em contato com uma placa metlica F . A corrente
fornecida por uma pilha P, ou pelo circuito que serve a uma residncia, conforme a figura a
seguir.

Quando se fecha a chave S a corrente segue o seguinte caminho: eletrom, mola B,
armadura A, placa F chave S e volta pilha. Mas, logo que a corrente passa acontece o
seguinte:
1
o
) o eletrom atrai a armadura; esta leva consigo a haste C, e a esfera D bate no
tmpano T ;
2
o
) quando a armadura atrada, ela se afasta da placa F e o circuito se abre;
3
o
) com o circuito aberto, cessa a atrao sobre a armadura, e a mola B leva
novamente a armadura em contato com F ;
4
o
) ento o circuito se fecha, e tudo se repete. Assim, enquanto a chave S permanecer
fechada, a esfera D alternadamente bate no tmpano e recua. Essa chave S o
que vulgarmente chamado de o boto da campainha; quando o mesmo
acionado, fechado o circuito.

5.3.6 Motores e Geradores Eltricos

Motor eltrico uma mquina destinada a transformar energia eltrica em mecnica. O
gerador realiza o processo inverso, transforma energia mecnica em energia eltrica.
Os motores eltricos, essencialmente, so compostos por duas partes:
- Rotor: que a parte mvel
- Estator ou Carcaa: que a parte fixa

O rotor do motor precisa de um torque para iniciar o seu giro. Este torque (momento)
normalmente produzido por foras magnticas desenvolvidas entre os plos magnticos do
rotor e aqueles do estator. Foras de atrao ou de repulso, desenvolvidas entre estator e
rotor, puxam ou empurram os plos mveis do rotor, produzindo torques, que fazem o rotor girar
mais e mais rapidamente, at que os atritos ou cargas ligadas ao eixo reduzam o torque
resultante ao valor 'zero'.


116
Aps este ponto, o rotor passa a girar com velocidade angular constante. Tanto o rotor
como o estator devem ser 'magnticos', pois so estas foras entre plos que produzem o
torque necessrio para fazer o rotor girar. A figura a seguir mostras as etapas deste processo.

Os motores eltricos podem ser:

a) Motor de corrente contnua (CC) : Na maioria dos motores eltricos CC, o rotor e
um eletrom que gira entre os plos de ms permanentes estacionrios. Para
tornar esse eletrom mais eficiente o rotor contm um ncleo de ferro, que se
torna fortemente magnetizado, quando a corrente flui pela bobina. O rotor girar
desde que esta corrente inverta seu sentido de percurso cada vez que seus plos
alcanam os plos opostos do estator. O modo mais comum para produzir tais
reverses usando um comutador.

b) Motor sncrono: funciona com velocidade estvel; utiliza-se de um induzido que
possui um campo constante pr-definido e, com isto, aumenta a resposta ao
processo de arraste criado pelo campo girante. geralmente utilizado quando se
necessita de velocidades estveis sob a ao de cargas variveis. Tambm pode
ser utilizado quando se requer grande potncia, com torque constante.

c) Motor de induo: funciona normalmente com velocidade constante, que varia
ligeiramente com a carga mecnica aplicada ao eixo. Devido a sua grande
simplicidade, robustez e baixo custo o motor mais utilizado de todos, sendo


117
adequado para quase todos os tipos de mquinas acionadas encontradas na
prtica. Atualmente possvel controlarmos a velocidade dos motores de induo
com o auxlio de conversores de freqncia.

5.3.7 Transformadores

Um transformador um dispositivo destinado a transmitir energia eltrica ou potncia
eltrica de um circuito outro, transformando tenses, correntes e ou de modificar os valores
das Impedncias de um circuito eltrico. Trata-se de um dispositivo de corrente alternada que
opera baseado nos princpios eletromagnticos da Lei de Faraday e da Lei de Lenz.
Consiste de duas ou mais bobinas ou
enrolamentos e um "caminho", ou circuito magntico,
que "acopla" estas bobinas. H uma variedade de
transformadores com diferentes tipos de circuito, mas
todos operam sobre o mesmo princpio de induo
eletromagntica.
No caso dos transformadores de dois
enrolamentos, comum denomin-los como
enrolamento primrio e secundrio. Existem
transformadores de trs enrolamentos sendo que o
terceiro chamado de tercirio. Existe tambm um
tipo de transformador denominado
autotransformador, no qual o enrolamento secundrio
possui uma conexo eltrica com o enrolamento do
primrio.
Transformadores de potncia so destinados
primariamente transformao da tenso e das
correntes operando com altos valores de potncia, de
forma a elevar o valor da tenso e
conseqentemente reduzir o valor da corrente. Este
procedimento utilizado, pois ao se reduzir os
valores das correntes, reduzem-se as perdas por
efeito Joule nos condutores. O transformador
constitudo de um ncleo de material ferromagntico,
como ao, a fim de produzir um caminho de baixa
relutncia para o fluxo gerado.
Geralmente o ncleo de ao dos transformadores laminado para reduzir a induo de
correntes parasitas ou de corrente de Foucault no prprio ncleo, j que essas correntes
contribuem para o surgimento de perdas por aquecimento devido ao efeito Joule. Tambm se
utilizam ao-silcio com o intuito de se diminuir as perdas por histerese.
Outra aplicao para os transformadores a sua utilizao para o casamento de
impedncias, que consiste em modificar o valor da impedncia vista pelo lado primrio do
transformador, geralmente os de baixa potncia. H outros tipos de transformadores, como os
com ncleo de ferrite com grande aplicao na eletrnica.


118

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

V. Schmidt, Materiais eltricos: condutores e semicondutores v. 1, So Paulo: Ed. Edgard
Blucher, 1979.

V. Schmidt, Materiais eltricos: isolantes e magnticos v. 2, So Paulo: Ed. Edgard Blucher,
1979.

S.M. Rezende A Fsica de Materiais e Dispositivos Eletrnicos, Editora da Universidade Federal de
Pernambuco, 1996.

D. B. Saraiva, Materiais eltricos, Editora Guanabara Dois, 1988.

W.D. Callister Jr, L.M. Van Vlack, Princpios de cincia e tecnologia dos materiais, Rio de
Janeiro: Editora Campus, 1984.

Smith, William F.;Principios de cincia e engenharia dos materiais. ISBN: 972-8298-68-4

Askeland, Donald R.;The science and engineering of materials. ISBN: 0-534-55396-6

W. Smith Princpios de Cincia e Engenharia dos Materiais, McGraw-Hill, 3ed., 1998

B - M. Ashby e D. Jones Engineering Materials 1 An introduction to their properties &
applications, Butterworth Heinemann, 2ed.,1998.

B- M. Ashby e D. Jones Engineering Materials 2 An introduction to microstructures, processing
& design, Butterworth Heinemann, 2ed.,1998.

BARANAUSKAS,Vitor. Tecnologia dos Cristais de Silcio em Microeletrnica. Editora da
Unicamp.Campinas.1990.


119
BARANAUSKAS,Vitor. Tcnicas Instrumentais de Caracterizao de Semicondutores. Editora da
Unicamp.Campinas.1989.

CALLISTER Jr., William D. Cincia e Engenharia de Materiais - Uma Introduo.LTC - Livros
Tcnicos e Cientficos Editora. Rio de Janeiro2002.

COLOMBO,R. Disjuntores de Alta Tenso. Siemens/Nobel. So Paulo.1986.

LUIZ, Adir M. Aplicaes da Supercondutividade. Editora. Edgard Blcher Ltda. So Paulo. 1992.

MAMEDE F, Joo. Manual de Equipamentos Eltricos. Livros Tcnicos e Cientficos.
Editora.Volumes 1 e 2 . Rio de Janeiro.1994

MILASCH, Milan. Manuteno de Transformadores em Lquidos Isolantes.Editora Edgard
Blcher Ltda. So Paulo.1985.

PADILHA, Angelo F. Materiais de Engenharia Microestrutura e Propriedades. Hemus Editora. So
Paulo.1997.

PIERCE, J. Frank Dispositivos de Juno Semicondutores. Editora Edgard Blcher Ltda. So
Paulo.1972.

SARAIVA, Delcyr B. Materiais Eltricos. Editora Guanabara. Rio de Janeiro.1988.

SCHIMIDT, Walfredo. Materiais Eltricos. Editora Edgard Blcher Ltda. So Paulo. 1979.

VAN VLACK, Laurence. Princpios de Cincia e Tecnologia dos Materiais. Editora Campus. Rio
de Janeiro. 1984.

WERNECK, Marcelo M. Transdutores e Interfaces. LTC. Rio de Janeiro. 1996

FITZGERALD, A. E., KINGSLEY, C. J., UMANS, S. D. Mquinas Eltricas. 6 ed. McGraw- Hill,
2006

KOSOW, Irving L. Mquinas Eltricas e Transformadores. 8 ed. So Paulo: Globo, 1989.
DEL TORO, Vicent. Fundamentos de Mquinas Eltricas. LTC-Livros Tcnicos e Cientficos S/A

FALCONE, A. G., Eletromecnica Edgard Blucher, 2001
SEN, P. C., Principles of Electric Machines and Power Electronics. 2 ed. John Wiley & Sons 1997

MAMEDE FILHO, J. Instalaes Eltricas Industriais, 6 ed. LTC, 2007.

SEN, P. C., Principles of Electric Machines and Power Electronics. 2 ed. John Wiley & Sons 1997

www.teletronica.kit.net

http://www.seara.ufc.br/especiais/fisica/supercondutividade/supercondutividade1.htm

http://www.feiradeciencias.com.br/sala08/08_35.asp


120

http://www.colegiosaofrancisco.com.br/alfa/capacitadores/capacitadores-1.php

www.geocities.yahoo.com.br

http://www.fisica-potierj.pro.br/poligrafos/capacitores.htm

http://www.eletrica.ufpr.br/mehl/downloads/capacitores.pdf

http://www.eletrica.ufpr.br/mehl/downloads/capacitores.pdf

http://pt.wikipedia.org/wiki/Term%C3%ADstor

Lucnio Preza de Arajo http://www.prof2000.pt/users/lpa

http://www.wkoch.com.br/2008/09/17/imas-permanentes-e-eletroimas/

http://www.comciencia.br/reportagens/nanotecnologia/nano14.htm

http://br.geocities.com/jcc5003/oqueecurvademagnetizacao.htm

http://www.comciencia.br/reportagens/nanotecnologia/nano14.htm

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