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Dissipadores de Calor

SEL315 Projeto
Dissipadores de Calor
Transistores de potncia devem ser montados em dissipadores adequados de calor para no aquecerem alm do permitido e para no queimarem. Segue-se um roteiro para o dimensionamento desses dissipadores. Esse roteiro deve ser usado no projeto de SEL315. 1. Potncia Mdia Dissipada em Transistores Em um transistor bipolar, ao qual foi aplicada uma tenso VCE(t) entre coletor e emissor, quando a corrente de coletor atingir o valor IC(t), a potncia dissipada ser PQ(t) = VCE(t) IC(t), cujo valor mdio vale:

1 PQ = [VCE (t ) I C (t )] dt [W] T 0

(1)

Onde T o perodo do sinal. Em um amplificador cuja sada est na configurao Classe AB, a mxima potncia mdia dissipada em cada transistor de sada pode ser calculada pela equao: PQ (max) =
2 VCC + Pq ( AB ) [W] 2 RL

(2)

Onde: Pq(AB) a potncia quiescente dissipada nos transistores de sada em Classe AB, VCC a metade da tenso total de alimentao do estgio de sada e RL a resistncia de carga no pior caso (geralmente 4 ). A potncia calculada pela Equao 2 dissipada em cada transistor de sada quando o pico de tenso sobre o alto-falante for igual a:
Vo ( pk ) = 2VCC [V] (3)

Sendo dissipada em forma de calor, essa potncia exige que mecanismos de dissipao sejam acrescentados ao transistor para garantir que a temperatura da juno no ultrapasse o mximo permitido, isto , para que Tj Tjmax.

2. Conduo de Calor
O calor, gerado na juno pela fonte PQ , ao deslocar-se para o ambiente, encontra dificuldades de propagao chamadas resistncias trmicas dos meios pelos quais est se propagando. Quanto menor for a resistncia trmica entre a juno e o ambiente (jA), menor ser a possibilidade da juno ser aquecida para uma dada potncia PQ .

P. R. Veronese

9/5/2008

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Figura 1 Circuito Trmico Equivalente a um Dispositivo Semicondutor.

Um circuito trmico pode ser estabelecido, por analogia com circuitos eltricos, pelas seguintes grandezas anlogas:

Trmico
Temperatura (T) Resistncia Trmica () Potncia Dissipada (P)

Eltrico
Tenso (V) Resistncia Eltrica (R) Corrente Eltrica (I)

O circuito trmico pode ser desenhado, portanto, como mostra a Figura 1 e de onde se pode estabelecer:

jA =
e

T j TA PQ max

[C/W]

(4)

jA = jc + cs + sA [C/W]
As grandezas das Equaes 4 e 5 so descritas como:

(5)

PQ max Potncia mdia mxima dissipada em cada transistor de sada (Equao 2) [W].

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Tj Temperatura da juno [C]. TA Temperatura ambiente [C]. jA Resistncia trmica juno-ambiente [C/W]. jc Resistncia trmica juno-invlucro [C/W]. cs Resistncia trmica invlucro-dissipador [C/W]. sA Resistncia trmica dissipador-ambiente [C/W].
3. Roteiro de Clculo dos Dissipadores dos Transistores de Sada
Dissipadores de calor so dispositivos mecnicos capazes de permitir que o calor gerado internamente em dispositivos semicondutores flua com maior facilidade entre o invlucro do dispositivo e o ambiente. Eles, na realidade, fazem abaixar a resistncia trmica entre a juno e o ambiente (jA), mantendo a temperatura da juno em um patamar aceitvel. So constitudos de chapas metlicas com baixa resistncia trmica, geralmente de cobre ou de alumnio, e so intimamente acoplados ao invlucro metlico do dispositivo eletrnico. O objetivo da colocao de dissipadores manter Tj Tjmax para quaisquer TA TAmax e PQ PQ max . Para se calcular a dimenso necessria do dissipador em uma determinada aplicao de potncia envolvendo transistores bipolares, deve-se seguir o seguinte roteiro:
3.a - Potncia Dissipada no Transistor:

Se o regime for dinmico, em sadas de amplificadores polarizados em Classe AB, deve-se calcular a mxima potncia mdia dissipada em cada transistor de sada atravs da Equao 2. A potncia quiescente vale:

Pq = VCC I Q [W]

(6)

Onde IQ a corrente quiescente dos transistores de sada. Se o regime for esttico, como em estabilizadores de tenso, por exemplo, a mxima potncia dissipada no transistor regulador srie igual ao produto (Vi Vo) Io, sendo Vo e Io, respectivamente, a tenso e a corrente de sada da fonte. Vi a mxima tenso de entrada da fonte.

3.b Resistncia Trmica Juno-Ambiente Necessria:

Calcular a mxima resistncia trmica juno-ambiente necessria para que Tj Tjmax. Esse clculo feito pela equao:

* = jA

T j max T A max PQ max

[C/W]

(7)

O valor de Tjmax, geralmente igual a 150 C, fornecido pelo fabricante do transistor.

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PQ max
<8W 8W 16 W 32 W 64 W

Alumnio Anodizado Preto

1 mm 250 330 340 360 430 2 mm 230 310 320 345 410 5 mm 220 300 310 335 400 1 mm 500 660 685 750 960

Alumnio Natural
2 mm 470 620 640 700 900 5 mm 450 600 620 680 870

Tabela 1 Coeficientes K Usados no Clculo da rea de Dissipadores, Vlidos para TAmax = 50 C.

A temperatura ambiente mxima depende das condies de montagem, de acondicionamento e do tipo de aplicao dado ao circuito. Normalmente, a temperatura ambiente mxima fica na faixa: 50 C TAmax 60 C. Se *jA jA do transistor, fornecida pelo fabricante, ento no h necessidade de dissipador. Se *jA jA do transistor, fornecida pelo fabricante, ento h necessidade de dissipador. A resistncia trmica do dissipador, nesse caso, deve ser igual a: (8)

sA * jc cs [C/W] jA

A grandeza jc a resistncia trmica juno-invlucro, fornecida pelo fabricante do transistor. A grandeza cs a resistncia trmica invlucro-dissipador e fica, normalmente, na faixa 0,2 C/W cs 1,2 C/W, dependendo do tipo de montagem executado. Para dissipadores montados com isoladores de mica e com pasta trmica, pode-se usar cs = 0,5 C/W. Para dissipadores montados sem isoladores de mica e com pasta trmica, pode-se usar cs = 0,2 C/W e para dissipadores montados com isoladores de mica e sem pasta trmica, pode-se usar cs = 1,2 C/W.

3.c Clculo da rea do Dissipador:

A rea do dissipador (As) necessria para um determinado transistor calculada dividindose o coeficiente K [Ccm2/W], obtido na Tabela 1, pelo valor de sA calculado pela Equao 8. Ento:

As

sA

[cm2]

(9)

Para TAmax = 60 C, a rea do dissipador calculada pela Equao 9 deve ser aumentada em 40 %.

4. Clculo dos Dissipadores dos Drivers

P. R. Veronese

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Figura 2 Estgio de Sada Simplificado.

Para o clculo da rea dos dissipadores dos drivers, deve-se repetir a seqncia usada no item 3. A mxima potncia mdia dissipada nos transistores, no entanto, vale:

PQ max( Qd )

2 VCC = 2 + Pq ( Qd ) [W] RL min( QS )

(10)

Na Equao 10, Pq(Qd) a potncia quiescente no driver e min o ganho de corrente mnimo do transistor de sada correspondente a esse driver. A Figura 2 mostra esses transistores no circuito de sada de um amplificador de potncia. Os tracejados indicam dissipadores de calor.

5. Clculo dos Dissipadores dos Transistores Excitadores

Para o clculo da rea dos dissipadores dos transistores excitadores, deve-se repetir a seqncia usada no item 3. A mxima potncia mdia dissipada nos transistores, no entanto, vale:

PQ max( Qe ) = Pq ( Qe) [W]

(11)

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Figura 3 Exemplo de um Transistor Montado em um Dissipador de Calor.

Na Equao 11, Pq(Qe) a potncia quiescente no transistor excitador. A Figura 2 mostra esses transistores no circuito de sada de um amplificador de potncia. Os tracejados indicam dissipadores de calor.

6. Exemplo
Um estabilizador de tenso foi projetado para possuir as seguintes caractersticas: 35 V Vi 45 V; Vo = 24 V e Io(max) = 150 mA. Como elemento regulador srie foi usado um transistor BD135 com as seguintes caractersticas: Pmax = 8W; VCE(max) = 45 V; IC(max) = 1 A; min = 40; Tjmax = 150 C; jc = 10 C/W e jA = 100 C/W. Dimensionar um dissipador para esse transistor. -

Resoluo:

P. R. Veronese

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VCE = 45 24 = 21 V < 45 V; IC = 0,15 A < 1A e PQ = 21 0,15 =3,15 W < 8 W. As mximas grandezas eltricas suportadas pelo transistor, portanto, no esto sendo excedidas. A mxima resistncia trmica juno-ambiente do transistor, para TAmax = 50 C, deve valer: 150 50 * = = 31,75 [C/W] jA 3,15
Como *jA jA, ento h necessidade de dissipador. Pela Equao 8 calcula-se:

sA * jc cs = 31,75 10 0,5 = 21,25 [C/W] jA

Se o fabricante especificar a resistncia trmica, deve-se adquirir um dissipador com sA 21,25C/W. Caso contrrio, deve-se calcular a rea aproximada desse dissipador com o auxlio da Tabela 1. - Com PQ =3,15 W e usando-se alumnio natural com 2 mm de espessura, obtm-se um coeficiente K = 470 cm2C/W. Ento, pela Equao 9, pode-se calcular:

As

sA

470 = 22,12 [cm2] 21,25

- Com PQ =3,15 W e usando-se alumnio anodizado preto com 2 mm de espessura, obtmse um coeficiente K = 230 cm2C/W. Ento, pela Equao 9, pode-se calcular:

As

sA

230 = 10,82 [cm2] 21,25

A rea do dissipador pode ser dividida em aletas como mostra a Figura 3. As dimenses, para alumnio natural, so aproximadamente: a = 2,7 cm; b = 2,8 cm e h = 1,3 cm.
7. Observaes

Para minimizar a relao volume/rea, normalmente a rea do dissipador deve ser dividida em aletas. Quando a resistncia trmica do dissipador resultar negativa (sA 0C/W), haver a necessidade do uso de ventilao forada (ventoinha) para refrigerar o transistor. Quando a rea do dissipador resultar muito grande, pode-se usar transistores bipolares de potncia em paralelo, com resistncias equalizadoras de corrente nos emissores. Transistores bipolares em paralelo, alm de exigirem reas menores de dissipao, causam menores distores, pois evitam a regio de alta injeo (abaixamento de ou efeito Kirk).

P. R. Veronese

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