CAPTULO 10 TRANSISTORES ESPECIAIS INTRODUO Os laboratrios das grandes fbricas de dispositivos semicondutores procuram continuamente melhorar as caractersticas e diminuir

as limitaes dos transistores utilizados e tambm descobrir novos tipos com caractersticas diferentes que permitam aplicaes at ento fora do campo dos transistores e, de maneira geral, dos semicondutores. Foram esto criados numerosos tipos de transistores, muitos dos quais baseados no mesmo princpio de operao do transistor bipolar, mas, fabricados por meio de tcnicas novas ou modificaes das tcnicas j conhecidas. Outros tipos de transistores baseiam-se em princpios diferentes do transistor bipolar. So esses tipos que estudaremos a seguir. TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO O transistor de efeito de campo, conhecido como TEC ou FET (Field Effect Transistor), apresenta caractersticas eltricas bastante interessantes que permitem sua utilizao numa gama muito grande de aplicaes prticas. A diferena fundamental entre os transistores de efeito de campo e os de juno convencionais que nos primeiros, a corrente dada pelo fluxo de portadores de um s tipo. Por este motivo, os transistores de efeito de campo so conhecidos como transistores unipolares em contraposio aos demais que so bipolares. Construo fsica O mais comum dos transistores de efeito de campo o tipo de juno, tambm chamado de TECJ ou JFET. A figura 10-1 ilustra uma sequncia da constituio fsica do TEC. Ele formado por uma minscula barra de silcio, que pode ser tipo N ou P, formando o que conhecido com o nome de canal. Em cada extremo da barra so feitos contatos hmicos que so chamados de dreno (drain) ou fonte (source). No centro, em torno da barra, aplicada uma camada de silcio do tipo oposto ao do material do canal (tipo N ou P). Neste material feito contato hmico, formando a porta ou gatilho (gate). A figura 10-2 ilustra a constituio fsica dos transistores TECJ com canais tipo N e P e os respectivos smbolos. Conforme o material do canal seja do tipo N ou P, a seta aponta respectivamente, para dentro ou para fora do transistor. No TEC canal P, por exemplo, a seta dirigida para fora do transistor. Com efeito, se o material do canal do tipo N, o gatilho formado de material tipo P e, portanto, a seta aponta para dentro. NOTA: Usaremos indistintamente as seguintes nomenclaturas: porta ou gatilho (P de porta ou G de gatilho); fonte ou supridouro (S de source ou de supridouro).

Figura 10-1 Seqncia da constituio fsica do TEC canal N

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Podemos observar, em A da figura 10-3, onde a polarizao somente de 2 volts, que a corrente atravs do canal do transistor grande; ao contrrio, em B, onde temos a tenso de 6V no gatilho, a corrente bem menor. A diferena entre um TEC canal N e outro de canal P a inverso da polaridade de todas as tenses, da mesma forma como nos transistores comuns do tipo PNP e NPN. Curvas caractersticas A figura 10-4 mostra as curvas caractersticas de um TEC tpico canal N. Observamos que a corrente de dreno mxima, ou seja, a corrente de saturao (8 mA), quando a polarizao entre gatilho e supridouro igual a zero. Quando aumentamos a polarizao inversa, a corrente no dreno diminui gradativamente at chegar a zero. Isto acontece quando a tenso de 6V aproximadamente. Esta polarizao inversa, necessria para suprimir totalmente a corrente atravs do transistor, chamada de tenso de corte.

Figura 10-2 Constituio fsica e smbolos dos transistores TEC canal tipo N e canal tipo P Funcionamento Podemos observar, na figura 10-3, a polarizao normal de funcionamento do TEC canal tipo N. O gatilho, normalmente polarizado inversamente em relao fonte, faz com que a entrada tenha alta impedncia. A tenso aplicada ao gatilho tem alto poder de controle sobre a corrente fonte-dreno, por causa do aumento da rea de depleo e reduo da rea efetiva de conduo.

Figura 10-3 Variao da corrente em funo da polarizao inversa

Figura 10-4 Curvas caractersticas de um TEC canal N 10-2

Esta tenso de corte, para a maioria dos transistores TEC est situada entre 6 e 10V. Podemos tambm verificar, atravs de curvas, que a variao de tenso do dreno acima do joelho (5 volts) tem pouca influncia sobre a corrente de dreno (ID). Pelo espaamento regular que se obtm com polarizaes at 2 volts nota-se que o transistor pode amplificar sinais pequenos com um mnimo de distoro. A resistncia interna entre dreno e fonte varia conforme a polarizao; assim, temos com zero volts no gatilho (porta) uma resistncia interna por volta de 150 ohms, enquanto que com polarizao inversa acima de 6 volts obtem-se valores superiores a 1000 megohms. O TEC, da mesma forma como os transistores comuns, tambm pode ser usado em 3 configuraes, sendo que a mais usada o supridouro ligado massa, que corresponde ao circuito emissor massa. Como podemos observar, o circuito muito semelhante ao de um amplificador usando vlvula triodo. A autopolarizao do TEC pode ser feita da mesma maneira como na vlvula, isto , pelo resistor do supridouro. Por exemplo, se escolhermos o ponto de trabalho do transistor em 5 miliampres e verificarmos, pelas curvas caractersticas, que para isso necessria uma polarizao no gatilho de 1 volt, o resistor de supridouro (R1) deve ter um valor de: 1V 200 ohms . R1 = 0,005 A O resistor normalmente escolhido em funo da frequncia de trabalho. O resistor R2 corresponde resistncia de carga (RL). A fase do sinal de sada est 180 graus invertida em relao ao sinal de entrada.

A principal vantagem do transistor de efeito de campo diz respeito sua impedncia de entrada que, na realidade, dada pela impedncia de um diodo inversamente polarizado, podendo atingir, dependendo do tipo do TEC, valores to altos como centenas de megohms. Isto possibilita aplicaes impossveis para os transistores bipolares. Finalmente devemos apresentar outro tipo de transistor de efeito de campo, o chamado IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor), tambm chamado MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). O funcionamento deste transistor diferente do anterior no sentido de que, com tenso VGS nula, no h nenhuma conduo no dreno. Quando aplicamos uma tenso positiva, por exemplo, no caso da figura 10-6, surge na superfcie da regio N um canal tipo P, correspondente ao dreno e fonte, possibilitando, ento, o deslocamento de buracos entre a fonte e o dreno. A vantagem deste tipo de transistor a elevadssima impedncia de entrada, e com este tipo que se consegue obter os valores mais elevados. Outra extraordinria vantagem deste ltimo tipo de FET que ele possibilita a fcil fabricao de complexos arranjos integrados com aplicaes sem limites no campo digital.

Figura Figura 10-5 Amplificador tpico com TEC

10-3

10-6

Constituio e smbolo MOSFET canal P

do

TRANSISTOR DE UNIJUNO

O transistor de juno nica (TJU ou UJT) um dispositivo semicondutor de trs terminais que tem sua principal aplicao em circuitos osciladores no senoidais e de comutao. A figura 10-7 mostra a constituio fsica e o smbolo do transistor de unijuno. Ele constitudo por uma pequena barra de silcio do tipo N, na qual so feitos contatos hmicos nos extremos que so denominados Base 1 (B1) e Base 2 (B2) e na parte lateral feita uma juno PN, na qual tambm feito um contato hmico, o que constitui o emissor. Eletricamente, o TJU atua como divisor resistivo de tenso, entre B1 e B2 e um diodo no centro.

quando IB2 for igual a zero, a curva caracterstica relacionando IE e VE ser a de um diodo comum, como podemos observar na curva 1 da figura 10-8. Devemos observar que nesta figura a corrente IE est representada no eixo das abscissas e a tenso VE no eixo das ordenadas, o que explica o aparecimento diferente da curva 1 de um diodo comum. Alm disto, devemos salientar que a curva 2 foi traada para uma dada tenso VBB, obtendo-se curvas com aspecto semelhante para diferentes tenses de VBB.

Figura 10-8 Curvas caractersticas de um transistor unijuno Partindo do ponto A, medida que a tenso VE aumenta, a corrente vai aumentando lentamente at que seja atingido o ponto B(chamado de ponto de pico), a partir do qual a tenso diminui e a corrente aumenta. Portanto, o trecho BC caracterizado pelo fato, aparentemente contraditrio, de uma diminuio da tenso provocar um aumento de corrente. Isto explicado se considerarmos que, no trecho BC, o dispositivo apresenta uma resistncia negativa, caracterstica esta que permite a aplicao do transistor de unijuno em osciladores (geradores dentes-de-serra, multivibradores, etc). A figura 10-9 mostra as curvas caractersticas de sada do transistor de unijuno. Podemos observar a relao entre a corrente IB2 e a tenso de sada, entre as bases, para diferentes valores da corrente no emissor (IE). 10-4

Figura

10-7

Construo fsica, circuito equivalente e smbolo eltrico do TJU

Curvas caractersticas

Vimos que entre as bases B1 e B2, o dispositivo apresenta a caracterstica de um resistor comum. Quando a base B2 est aberta, isto , quando IB2 igual a zero, temos apenas no circuito a juno E-B1, polarizada diretamente pela bateria VEE. Isto significa que,

Figura 10-9 Curvas caractersticas de um transistor de unijuno, relacionando IB2, VBB e IE

Aplicao

Um exemplo simples da aplicao do TJU o circuito da figura 10-10 que um oscilador de relaxao. Quando o interruptor ligado, a ao divisora de tenso, da resistncia da barra de silcio do TJU, da base um e da base dois, em srie produz uma queda de 12 volts, aproximadamente, entre a base um e o lado N da juno do emissor. Neste momento, a tenso do emissor zero, por causa do capacitor C1. O capacitor C1 comea a adquirir carga atravs do resistor R1. Quando a tenso do capacitor chega a 12 volts, a juno do emissor se polariza diretamente e comear a fluir uma corrente pela base um, reduzindo a resistncia interna. Esta ao descarrega a energia armazenada no capacitor, atravs do resistor R3. Logo, o ciclo se repete e o capacitor se recarrega e volta a descarregar-se.

Figura 10-10 Oscilador de relaxao Cada vez que o emissor se polariza diretamente, diminui a resistncia total entre as bases um e dois, o que permite um aumento na corrente que passa pelo TJU. Como resultado, na base um aparecer um pulso positivo e na base dois um pulso negativo, no momento em que o capacitor se descarrega. Assim temos no emissor uma onda dente-de-serra.

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