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6.

002

CIRCUITOS Y ELECTRNICA

Dentro de la puerta digital

6.002 Otoo 2000

Clase 5

Repaso
La abstraccin digital Discretizar el valor 0, 1 Disciplina esttica Cumplir los umbrales de tensin
transmisor

receptor

VOH VOL

VIH VIL

regin prohibida

Especifica como deben disearse las puertas

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Clase 5

Repaso
Abstraccin de puerta combinatoria slo cumple la funcin de entrada satisface la disciplina esttica

A B

C NAND

A 0 0 1 1

B 0 1 0 1

C 1 1 1 0

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Clase 5

Por ejemplo: un circuito digital


A B C A B

Demo

) D = ( (A B ) C
aqu hay 3 puertas Un microprocesador Pentium III es un circuito con ms de 4 millones de puertas. El chip RAW que se est construyendo en el laboratorio de informtica del MIT tiene aproximadamente 3 millones de puertas.
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Cmo construir una puerta digital


Analoga
como de fuente in imentac al
ore mutad on s)

grifos

(como

B C

si A=ON Y B=ON C tiene H20 si no C no tiene H20


Utilice esto para construir una puerta AND.

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Cmo construir una puerta digital

puerta OR

A C B

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Analoga elctrica
A B C

V +

La bombilla C est ON (conectada) si A Y B estn ON, si no C est OFF (desconectada).

Clave: dispositivo de conmutacin

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Analoga elctrica
Clave: dispositivo de conmutacin
circuito equivalente

in (dentro) in

C =0
out (fuera) in

control

out

C=1
out

Dispositivo de 3 terminales si C = 0, si no,

cortocircuito entre in y out circuito abierto entre in y out

Para una conmutacin mecnica, control presin mecnica


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Considere
RL
IN

VOUT

+ VS
VS =

VS RL

VOUT

C
OUT

VS

VOUT
C =0

Tabla de verdad para


C VOUT 0 1 1 0

VS

VOUT
C =1

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Qu ocurre con...?
VS
VOUT
Tabla de verdad para

c1 c2

c1 c2 VO 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0

VS

Tabla de verdad para

VOUT
c1 c2

c1 c2 VO 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0

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Qu ocurre con...?
puede construir tambin puertas compuestas

VS D A B C D = (A B) + C

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El dispositivo MOSFET
Metal-xido Semiconductor Efecto de campo Transistor

drenaje D

G puerta

S fuente

el elemento concentrado de 3 terminales se comporta como un interruptor

G : terminal de control D, S : se comporta de manera simtrica (para nuestras necesidades).


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El dispositivo MOSFET
Entienda su funcionamiento considerndolo un elemento de dos puertos: l ulte e xto Cons de te libro conocer D iDS + para tructura iG G vDS su es a. n + inter vGS S

D G vGS < VT
off

G vGS VT

D iDS on S

VT 1V generalmente
Modelo de conmutacin (modelo S) del MOSFET

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Demo

Examine el dispositivo MOS en un osciloscopio.


iDS + + vGS vDS

iDS vGS VT

vGS < VT iDS vs vDS


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vDS
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Un inversor MOSFET
VS = 5V
vOUT

RL

IN

Observe la potencia de abstraccin. La representacin de puerta del inversor abstracto esconde detalles internos tales como las conexiones de fuente de alimentacin, RL, GND, etc. (Cuando construimos circuitos digitales, y son frecuentes a travs de todas las puertas).
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Ejemplo

vOUT

5V

vIN

vOUT

0V V T =1V

5V

v IN

El modelo T1000 de computadora porttil desea puertas que satisfagan la disciplina esttica con los umbrales de tensin. Est capacitado para ello nuestro inversor?

VOL = 0,5V VOH = 4,5V


transmisor

VIL = 0,9V VIH = 4,1V


receptor

1:

5 4,5 0,5 0

VOH VOL

5 4,1 0,9

1
VIH VIL

0 Nuestro inversor cumple esto.


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0:

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Por ejemplo: Cumple nuestro inversor la disciplina esttica para estos umbrales?:
VOL = 0,2V VOH = 4,8V VOL = 0,5V VOH = 4,5V
VIL = 0,5V VIH = 4,5V

x
VIL = 1,5V VIH = 3,5V

no

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Modelo de resistencia de conmutacin (SR) del MOSFET


modelo MOS ms preciso
D D G S RON

D G

G
S vGS < VT

vGS VT S

por ejemplo RON = 5 K

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Modelo SR de MOSFET
D G D D G S RON

G
S vGS < VT

vGS VT S

modelo S MOSFET

modelo SR MOSFET

iDS

vGS VT

vGS VT iDS
1 RON

vGS < VT vDS

vGS < VT vDS

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Utilizacin del modelo SR


RL
IN

vOUT

+ VS
VS =

VS RL

vOUT

C
OUT

VS RL

Tabla de verdad para


vOUT

RON
C =0

C VOUT 0 1 1 0

VS

RL
C =1

Seleccione R L, RON, VS tal que:


V R v = S ON V OL OUT R +R L ON

vGS VT

RON

vOUT

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