UNION P-N

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Desarrollo

Diodo de unin PN polarizado:

Los semiconductores tienen materiales de tipo P ("faltantes" de electrones, que en la base de Silicio o Germanio tienen como impureza al Indio) y los del tipo N ("sobrantes" de electrones, que tienen como impureza al Arsnico). A la zona de contacto de un material P con otro N se la llama Unin PN, y en ella se da un fenmeno donde algunos de los electrones del material N muy cercano a la unin pasan a la zona P, "reequilibrando" la unin PN. Si polarizamos al material as unido (que en este caso, es un Diodo), con el polo negativo en P y el positivo en N, agrandaremos la brecha central, y no hay pasaje de corriente (diodo polarizado en inversa). Si ponemos el positivo en P y el negativo en N, "empujaremos" los electrones sobrantes de N hacia P y de all, tambin los "atraeremos" hacia el polo + de la batera, por lo que el diodo conducir (polarizado en directa).

La ley de Shockley:
Quin es Shockley? William Bradford Shockley (13 de febrero de 1910 - 12 de agosto de 1989) fue un fsico estadounidense. En conjunto con John Bardeen y Walter Houser Brattain, obtuvo el premio Nobel de Fsica en 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y el descubrimiento del efecto transistor."1 En 1955, Shockley abandon los laboratorios Bell y regres a su ciudad natal, Palo Alto, California, en las proximidades de la Universidad de Stanford, para crear su propia empresa, Shockley Semiconductors Laboratory, con el apoyo econmico de Arnold Beckman, de Beckman Instruments. Contando con la influencia de su prestigio y el respaldo econmico de Beckman Instruments trato de convencer a varios de sus compaeros de trabajo de Bell que se unieran a l en la nueva empresa; ninguno quiso. Por lo tanto empez a rebuscar en las universidades a los ms destacados estudiantes para formar con ellos la empresa. Pero, dado su estilo empresarial, ocho de los investigadores abandonaron la compaa en 1957 para formar la empresa Fairchild Semiconductor. Entre ellos estaban Robert Noyce y Gordon Moore que ms tarde crearan Intel. A finales de los aos 1960, Shockley realiz unas controvertidas declaraciones acerca de las diferencias intelectuales entre las razas, defendiendo que las pruebas de inteligencia mostraban un factor gentico en la capacidad intelectual revelando que los afro-estadounidenses eran inferiores a los estadounidenses caucsicos y que la mayor tasa de reproduccin entre los primeros ejercia un efecto regresivo en la evolucin. Entre sus publicaciones destaca "Electrones y huecos en el semiconductor", obra publicada en 1950. Su ley fue muy custodiada y polmica.

Conmutacin del Diodo:

Cuando nos referamos a los diodos rectificadores, decamos que era importante minimizar la corriente 15 inversa y la tensin umbral. En muchas aplicaciones, el tiempo de respuesta es muy importante. Un diodo deunin puede ser usado como interruptor, y el tiempo entre conexin y desconexin debe ser casi cero. Paraque el diodo tenga estas propiedades debe tener muy pocas cargas fijas o portadores con un tiempo de vidamuy corto, o ambas caractersticas. Para este propsito, la tcnica ms utilizada para fabricar diodos de conmutacin es aadir al semiconductorun metal que sea eficaz para disminuir los potadores. En el caso de los diodos de silicio, se suele dopar con oro. Que es la "Velocidad de conmutacin del diodo" y la "resistencia dinamica del diodo"? Una carga capacitiva se carga a travs de un transistor de la serie. Las corrientes de carga mximas para la carga se dibujan de una fuente capacitiva que carga se mantenga constantemente. La descarga rpida de la carga capacitiva est a travs de un diodo del semiconductor y de una cascada de los transistores que actan como elementos de la conmutacin. Los diodos a travs de la ensambladura del emisor de base de estos diodos de la conmutacin proporcionan la proteccin contra dao transitorio as como la reduccin del tiempo requerido a la conduccin del atajo de los transistores. Una impulsin simple del transistor TTL (+5v) funciona el interruptor -------------------------------------- Cuando en un diodo se le superpone a la continua una pequea seal (o sea una seal alterna), aparece para dicha seal una resistencia que depende del punto Q de funcionamiento. El valor de dicha resistencia se la denomina resistencia dinmica del diodo. Y como en el caso de la resistencia esttica, se la puede calcular de dos formas, una grfica y otra analtica. La resistencia dinmica posee dos componentes, una el valor de resistencia que presenta la juntura PN (llamado ru), y otro es el valor de la resistencia hmica del cuerpo del diodo (llamada rb). O sea la resistencia dinmica es: rd=ru+rb Para valores chicos de corriente de polarizacin (o sea la corriente continua), predomina ru (ru>>rb), y para valores grandes de corriente predomina rb (rb>>ru).

Grficamente la resistencia dinmica representa la pendiente de la recta que pasa por el punto Q