TEORIA DE RESONANCIA

Teora de Resonancia
Introduccin
Definimos como resonancia al comportamiento de un circuito con elementos inductivos y capacitivos, para el cual se verifica que la tensin aplicada en los terminales del mismo circuito, y la corriente absorbida, estn en fase. La resonancia puede aparecer en todo circuito que tenga elementos L y C. Por lo tanto existir una resonancia serie y otra resonancia paralelo o en una combinacin de ambos. El fenmeno de resonancia se manifiesta para una o varias frecuencias, dependiendo del circuito, pero nunca para cualquier frecuencia. Es por ello que existe una fuerte dependencia del comportamiento respecto de la frecuencia. Deviene de ello la gran importancia de los circuitos sintonizados, especialmente en el campo de las comunicaciones, en lo que hace a la sintonizacin de seales de frecuencias definidas o al "filtrado" de seales de frecuencias no deseadas. Genricamente se dice que un circuito est en resonancia cuando la tensin aplicada y la corriente estn en fase, el factor de potencia resulta unitario.

Resonancia serie
Para un circuito serie como el dibujado, la impedancia ser la siguiente:

1 Z = R1 + j L1 C1

Si trazamos el diagrama de tensiones y corrientes del circuito, se verificar que la tensin adelantar, Atrasar o estar en fase con la corriente. Esto resulta evidente de la expresin anterior, en la cual, para algunas frecuencias se cumplir que:

L >
para otras frecuencias ser:

1 , C

L <

1 . C

En el primer caso, se comporta el circuito en forma inductiva, en el segundo, en forma capacitiva y, adems, para alguna frecuencia, se cumplir que: 1 L = . C Para este caso, el circuito se encontrar en resonancia, ya que la impedancia ser resistiva pura.(tensin en fase con la corriente). Este tipo de circuito se denomina tambin Resonante en Tensiones, dado que los mdulos de las tensiones en los componentes reactivos, son iguales pero opuestos en fase y se cancelan. Los diagramas fasoriales son los que se dibujan a continuacin:
1

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Debe observarse que cundo, el circuito estar en resonancia, el circuito se comportar en forma resistiva pura, mientras la impedancia ser slo la resistencia del circuito, y, por consiguiente, la corriente ser mxima.
Frecuencia de resonancia

Se obtiene muy fcilmente, ya que la componente imaginaria de la impedancia deber ser nula, para que el circuito se comporte como resistivo puro. Para este caso simple, ser: Se ve en esta ltima expresin, que la frecuencia de 1 1 1 resonancia, ser siempre la misma en la medida que no 2 0L = 0 = 0 = 0C LC LC cambie el producto LC. Representaremos grficamente las distintas componentes de la impedancia en funcin de la frecuencia. La reactancia inductiva, XL , ser pues una recta con origen 1 resulta : f 0 = . en cero. 2 LC La reactancia capacitiva, XC , por su parte, ser una hiprbola equiltera, es decir tendr como asntota horizontal al eje de las frecuencias.
si, 0 = 2f 0 ,
Comportamiento del circuito segn la frecuencia

TEORIA DE RESONANCIA Tambin hemos graficado en la figura, la componente imaginaria de la impedancia del circuito,
1 L C Finalmente representamos el mdulo de la impedancia, es decir: Z = R2 + X 2
Sobretensin y factor de selectividad / calidad

En los circuitos RLC serie, puede ocurrir que la tensin en los elementos reactivos sea mayor que la tensin de alimentacin. Este fenmeno se aprecia especialmente en frecuencias cercanas a la de resonancia cuando la resistencia total es mucho menor que la reactancia del circuito. En resonancia se cumple que:
VC = VL

tomemos pues para el anlisis cualquiera de ellas.

R pues, en resonancia se cumple que el circuito se comporta en forma resistiva pura, es decir: VL = L I , pero I = V

Z= R. Por lo tanto, reemplazando, resulta:

VL =

0L
R

donde llamaremos a:
Q0 = VL V =

0L
R

XL R

factor de selectividad o simplemente Q del circuito. Mediante un desarrollo anlogo se llega, para el capacitor a: X 1 Q0 = = C 0 CR R

Cualquiera sea la forma de calcular el Q, en resonancia el valor ser idntico, ya que XL = XC, para = 0. El factor de mrito, nos indica cunto ms grande es el valor de la reactancia que el de la resistencia. Es conveniente que los circuitos resonantes, en general, tengan un Q elevado, pues su comportamiento ser mucho ms dependiente de la frecuencia en la vecindad de la resonancia. Esto suceder cuando la resistencia sea pequea. Los circuitos prcticos usados en sintona en el campo de las radio frecuencias (RF), tienen valores de Q superiores a 100 en la mayora de los casos. El factor Q se suele llamar tambin factor de sobretensin o tambin factor de calidad. Ms adelante daremos una definicin del Q basada en conceptos energticos.
Admitancia [Y] cerca de la resonancia

Prcticamente, la informacin ms til sobre el comportamiento del circuito a frecuencias cercanas a la de resonancia, se encuentra en la parte inferior (en forma de "V"), de la curva de la impedancia en funcin de la frecuencia. Por lo tanto, resulta til representar la funcin inversa, es decir La admitancia. 1 Y = Z

TEORIA DE RESONANCIA Adems esta curva tendr la misma forma que la de la corriente, si excitamos al circuito con tensin constante, ya que: I =V Y Tambin, la parte ms importante se encuentra dentro de un intervalo comprendido en 10 % f0, donde f0 es la frecuencia de resonancia, ya que a frecuencias mayores, las variaciones son muy pequeas. Por ltimo, conviene explicar tambin que en la grfica se toma la frecuencia en coordenadas logartmicas, lo cual es muy comn cuando se grafican funciones de la frecuencia, ya que el espectro de los valores es muy amplio. Adems aqu se tiene la ventaja adicional que el uso de coordenadas logartmicas simetriza la curva respecto de la frecuencia de resonancia. En las figuras siguientes, observamos las curvas correspondientes al mdulo y a la fase de la admitancia en la vecindad de la resonancia. Vemos en ellas que para frecuencias bajas, el comportamiento es capacitivo (fase 90). Luego, el comportamiento capacitivo persiste pero en forma menos intensa ( circuito RC ), hasta la frecuencia de resonancia, donde el comportamiento es resistivo ( fase 0). Luego, el comportamiento se torna levemente inductivo, a medida que crece la frecuencia respecto de la resonancia (circuito RL), hasta que a frecuencias muy altas se torna fuertemente inductivo , circuito inductivo puro (fase -90) Refirindonos ahora a la curva del mdulo de la admitancia, se observa que a frecuencias muy bajas, resulta que dicho mdulo es muy bajo, ya que la reactancia capacitiva es muy alta. En resonancia, el circuito presenta la impedancia mnima e igual a la resistencia, por lo que la admitancia ser mxima e igual a la conductancia 1 Y = Y0 = G = R Por ltimo, para frecuencias muy superiores a la de resonancia, la admitancia reduce su mdulo, ya que la reactancia inductiva es muy alta, con lo cual la impedancia es tambin alta. Es interesante observar que si el circuito tiene una resistencia muy pequea, la admitancia en resonancia tiende a infinito, lo mismo que la corriente. Si las prdidas suben, sube R y, consecuentemente se reduce el mdulo de admitancia en resonancia, por lo que la curva se aplasta. Resumiendo, si el Q del circuito es elevado, la curva es ms aguda, mientras que si Q es reducido, la curva resulta menos aguda. En lo que se refiere a la fase, la variacin de la misma es mucho ms rpida a valores de Q altos. Si el factor de mrito tiende a infinito, la fase vara bruscamente, pasando de +90 a -90. Todo esto pone de manifiesto que a valores de Q elevados, el fenmeno de resonancia se hace mucho ms notorio que a valores bajos.

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Los grficos anteriores son correspondientes al circuito dibujado y con sus valores. Veamos tambin qu sucede si en el mismo circuito anterior, adoptamos una resistencia R1= 5 , es decir 10 veces menor que la ya usada.

Y con la fase, vemos que vara mucho ms bruscamente como lo habamos anticipado.

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Puntos de potencia mitad

Veamos qu sucede si la componente reactiva total es igual a la resistencia del circuito. 1 1 1 1 , si L Y = = = RY = 1 Z C R jR R + j L C de manera que el mdulo de la admitancia valdr: Y 1 1 Y = = = 2 2 Y0 2 R +R mientras que el ngulo de fase adoptar el sig. valor: R = arctg = arctg ( 1) = 45 0 R El doble signo, deviene por el hecho que tendremos el mismo valor para el comportamiento capacitivo (frecuencias inferiores a la de resonancia) y para el comportamiento inductivo (frecuencias superiores a la de resonancia). La potencia disipada en el circuito ser en resonancia: P0 = I 02 R = U 2Y02 R Para los puntos en los cuales la componente reactiva es idntica a la resistencia del circuito, tendremos: 2 U 2Y02 R 2 Y0 P12 = U R= 2 2 Vemos que la potencia vale la mitad que la correspondiente a resonancia, es decir P P12 = 0 2 De estas consideraciones deviene el nombre de puntos de potencia mitad. El intervalo de frecuencias comprendido entre los puntos de potencia mitad, define lo que se conoce como ancho de banda de 3 dB, o simplemente ancho de banda. Este ltimo valor es muy importante, ya que define la selectividad del circuito resonante, parmetro muy importante fundamentalmente en Comunicaciones cuando se estudian los circuitos sintonizados, ya que , en gran parte, depender de la selectividad, la calidad de la recepcin. El concepto de ancho de banda de 3dB, surge el hecho que la potencia en los puntos de potencia mitad, cae justamente 3dB, lo cual puede demostrarse muy fcilmente, como sigue P12 1 P 1 = 12 (dB ) = 10 log = 3(dB ) 2 P0 2 P0 Grficamente resulta 6

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A continuacin observamos el diagrama de fase.

Vemos que el ancho de banda del circuito es: BW = f = f2 f1 = 3,1 KHz 2,7 KHz = 0,4 KHz observndose que el circuito es bastante selectivo, ya que el ancho de banda es slo de 400 Hz. Como veremos en el prrafo siguiente, la selectividad est ntimamente relacionada con el valor del Q.
Relacin entre el factor de selectividad en resonancia y el ancho de banda

Determinemos la frecuencia correspondiente a cada uno de los punto de potencia mitad. Para f = f1, resulta : 1 12 LC 1 1 L = R =R 1C 1C
1 12 LC = 1CR 12 LC + 1CR 1 = 0 1 R =0 L LC Se trata pues de una ecuacin de segundo grado con una incgnita, de muy fcil resolucin mediante la frmula resolvente, es decir:

12 + 1

R R2 1 + 2 2L LC 4L En forma anloga podemos determinar la frecuencia f = f2 , haciendo:

1 =

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1 1 R R2 = R 2 = + 2 LC 2L 2C 4L Por lo tanto, el ancho de banda en trmino de la pulsacin, resulta: L R R R = 2 1 = + = 0 = 0 = 0 = QO R R 2L 2L L L BW : Ancho de banda; donde BW = f 2 f1

2L

Q0 =

0 f = 0 BW
QO =

Por lo tanto, podemos escribir:

f0 R BW Aqu se observa que cuanto mayor es el factor de mrito del circuito, menor es el ancho de banda, con lo que aumenta la selectividad. Es interesante observar que la relacin anterior provee un mtodo sencillo para la medicin del Q del circuito, ya que bastar determinar la frecuencia de resonancia y las frecuencias para las cuales el ngulo de fase vale 45. El concepto de selectividad define la mayor o menor aptitud que tiene un circuito para separar el resto de las frecuencias respecto de la de resonancia. =

0L

Resonancia Paralelo
Para un circuito paralelo como el dibujado en la figura 1, demostraremos la equivalencia e identidad con el circuito de la figura 2 y determinaremos luego la impedancia.

Para demostrar que ambos circuitos son idnticos y equivalentes, determinaremos la Admitancia [Y] de la serie R1L1y del paralelo RPLP, de ambos circuitos. Las mismas debern ser iguales.

Circuito 1 1 1 Y= = Z R1 + jX L1 Y= Y= R1 jX L1 1 R1 + jX L1 R1 jX L1 R1 jX L1 =

Circuito 2 Y= Y= 1 1 1 1 = + ; siendo : = j Z RP jX LP j 1 1 j (2). Igualando (1) y (2) tendremos RP X LP

XL XL R1 1 1 R1 J 2 1 2 = j J 2 1 2 (1) 2 2 2 2 X LP R1 + X L1 R1 + X L1 RP R12 + X L1 R12 + X L1 R1 + X L1 Dos nmeros complejos son iguales si las partes Reales e Imaginarias resultan iguales. En efecto, los circuitos sern iguales si:

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RP =
2 R12 + X L1

R1
2 X L1

y X LP = y X LP =

2 R12 + X L1

X L1 R12 + X L1 X L1

RP = R1 +

R1

Considerando que generalmente: X L1 > 10 R1 . (Se tendr presente que R1 es la Resistencia Ohmica del conductor).
Entonces : R1 y Luego tendremos que:
y X LP X L1 o bien: LP = L1 R1 Dadas estas condiciones ambos circuitos sern idnticos y equivalentes.
Frecuencia de Resonancia

R12 sern de valor despreciable frente al otro trmino de la ecuacin. X L1

RP
2 X L1

Como en el circuito serie, en alguna frecuencia se dar que: 1 LP = = L1 C1 En este caso por encontrarse ambos componentes en paralelo las corrientes por los mismos sern iguales en mdulo pero opuestas en fase. Resultando ste un circuito Resonante en Corrientes. El diagrama fasorial se muestra en la prxima figura: De la observacin del mismo encontramos que, al cancelarse las corrientes reactivas entre s, la corriente por la resistencia RP es igual a la corriente de la fuente. Luego la impedancia del circuito ser:

Z0 = RP

V V = = RP I I RP
2 X L1

R1

Sobrecorriente y factor de selectividad / calidad

En los circuitos RLC paralelo, puede ocurrir que la corriente en los elementos reactivos sea mayor que la corriente de alimentacin. Este fenmeno se aprecia especialmente en frecuencias cercanas a la de resonancia cuando la impedancia total es mucho mayor que la reactancia de los componentes del circuito. En resonancia, como lo hemos mencionado se cumple que: IC = I L Luego el factor de selectividad o sobreintensidad ser:
Q= IL I = IC I = IL I RP V X LP R = = P V X LP RP

entonces : RP = Q X LP = Q X L1

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Impedancia cerca de la resonancia

Esta curva tendr la misma forma que la de tensin, si excitamos al circuito con corriente constante, ya que: V =I Z Si adoptamos para el circuito de la figura 1, los siguientes valores: R1 = 50 ; C1 = 150 nF y L1 = 20 mHy. I1 = 1 mA Luego: 1 1 f0 = = = 2905 KHz 3 2 LC 2 20 10 150 10 9 X L = 2 f 0 L = 2 2905 20 10 3 = 365
Q= X L 365 = = 7,3 R1 50

V = I RP = 1 10 3 [ A] 2665[] = 2,66[V ]

RP = Q X L = 7,3 365 = 2665

observamos las curvas correspondientes al mdulo y a la fase de la impedancia en la vecindad de la resonancia. Vemos en ellas que para frecuencias bajas, el comportamiento es inductivo (fase 90. La tensin adelanta a la corriente de lnea o fuente). Luego, el comportamiento inductivo persiste pero en forma menos intensa ( circuito RL ), hasta la frecuencia de resonancia, donde el comportamiento es resistivo (fase 0). Luego, el comportamiento se torna levemente capacitivo, a medida que crece la frecuencia respecto de la resonancia (circuito RC), hasta que a frecuencias muy altas se torna fuertemente capacitivo; circuito capacitivo puro (fase -90. La tensin atrasa de respecto de la corriente de la fuente) Refirindonos ahora a la curva del mdulo de la Impedancia, se observa que a frecuencias muy bajas, resulta que dicho mdulo es muy bajo, ya que la reactancia inductiva es muy baja y la capacitiva muy alta. En resonancia, el circuito presenta la impedancia mxima e igual a la resistencia equivalente RP. Por ltimo, para frecuencias muy superiores a la de resonancia, la impedancia reduce su mdulo, ya que la reactancia inductiva es muy alta, pero la capacitiva ser muy baja. Si la resistencia propia del conductor resulta menor por ejemplo R1 = 5 la impedancia del circuito en resonancia crecer en forma inversamente proporcional resultando RP = 26650 . Este valor provoca un cambio importante en la tensin dado que ahora valdr: V = I RP = 1 10 3 [ A] 26650[] = 26,65[V ] 10

TEORIA DE RESONANCIA Este cambio ostensible de tensin provoca un importante crecimiento de las corrientes en los elementos reactivos. Esta corriente circular internamente, dentro del paralelo, motivo por el cual a este tipo de circuito resonante se lo suele llamar Circuito Tanque. La relacin entre BW (ancho de banda) y el factor de selectividad (Q) para el circuito paralelo resulta ser la misma que para el circuito serie. L f QO = 0 1 = 0 R1 BW Aqu observamos que cuanto menor sea la resistencia del conductor que forma la bobina, mas selectivo ser el circuito.

Un caso general de resonancia paralelo

En el prximo circuito la admitancia entre los terminales 1-2, resulta: 1 1 Y = YL + YC = ; + RL + jX L RC jX C Operando algebraicamente tendremos :

R X R X Y = 2 L 2 + 2 C 2 + j 2 C 2 2 L 2 R +X RC + X C RC + X C RL + X L L L El circuito se encontrar en resonancia cuando la admitancia resulte un nmero real. Luego: XC X = 2 L 2 ; reemplazando y resolviendo. 2 2 RC + X C RL + X L
1 (RL2 + 02 L2 ) = 0 L RC2 + 21C 2 0C 0

0 =

C Cada uno de los cinco parmetros puede variar para obtener la resonancia. Adems, las races deben ser siempre un real positivo, luego habra resonancia cuando: 2 2 2 2 a) RL L y RC L ; RL L y RC L C C C C de no cumplirse una u otra situacin, resultar una pulsacin imaginaria (races complejas), donde no existir valor de L C que satisfaga la condicin de resonancia. Para una determinada frecuencia de la fuente, puede obtenerse la condicin de resonancia, variando: L, C ; RL y RC pero, al modificar uno de los parmetros para lograr el efecto de resonancia, sta no se alcanzar para cualquier valor de los restantes. Al variar L C y para determinadas relaciones de los restantes parmetros, son posibles dos frecuencias donde se ha de cumplir la condicin de resonancia, debido a que se logra formar una ecuacin de segundo grado para L y C. Otros casos particulares sern: 1 2 2 y, b) RL = RC L ; 0 = C LC 1 0 2 2 c) RL = RC = L ; 0 = ; donde, el circuito podr resonar a cualquier frecuencia. C LC 0

1 LC

2 RL L

R L
2 C

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Proceso energtico puesto en juego en la resonancia

a) En el caso de RL = RC = 0, la corriente I por el paralelo resulta cero, no hay transferencia de energa al resto del circuito, solo se intercambia entre la bobina y el capacitor (intercambio entre campo elctrico y magntico). b) Si alguna de las ramas tiene una componente resistiva distinta de cero, la corriente resultante deja de ser cero (I > 0) y se transfiere energa al circuito. En el circuito paralelo la sumatoria de energa puesta en juego por los campos magnticos y elctricos no es una constante. Existen momentos en el que la fuente entrega energa al circuito y otros en los que los campos elctricos y magnticos disipan su energa en las resistencias como efecto Joule (calor), no retornando energa a la fuente dado que la corriente resultante iL est en fase con la tensin uC. El valor instantneo de la potencia P es siempre mayor que cero observndose adems que el factor de potencia fp = 1.

c) Si IC adelanta /2 respecto de IL, la tensin UC estar en fase con IL de manera que la tensin en el capacitor y la corriente de la bobina pasan por cero o mximo simultneamente; las energas de los campos estn en fase, la energa en la bobina alcanzan el mximo y/o mnimo simultneamente no efectundose intercambio de energa entre los campos. Al producirse el efecto descrito, la fuente entrega energa almacenndose simultneamente en la bobina y el capacitor, luego y simultneamente al bajar uC e iL, la energa se disipa en las resistencias. El proceso descrito no se manifiesta cuando:
2 2 RL = RC = L

Energa en un circuito resonante serie/paralelo

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TEORIA DE RESONANCIA En el cuadro de ecuaciones se demuestra que la energa puesta en juego es equivalente a la energa mxima puesta en juego por la bobina o el capacitor. El circuito resonante paralelo tiene i = I m sent; uC = U Cm sen t = U Cm cos t similitud al circuito serie, pero su 2 comportamiento es totalmente 1 1 2 1 2 1 2 WL = Li 2 = LI m sen 2t; WC = CuC = CU Cm cos2 t opuesto al circuito paralelo; ste, 2 2 2 2 tiene alta impedancia en resonancia Im mientras que el serie tiene alta U Cm = ; Luego : C admitancia. Los diagramas aparentan 1 2 1 1 ser iguales pero las corrientes 2 WT = I m Lsen 2t + 2 cos 2 t ; Para resonancia 0 = LC reemplazan a las tensiones. Por C 2 tanto, como se ha visto, la curva de 1 2 1 2 2 2 2 2 resonancia dibujada en admitancia WT = I m Lsen t + L cos t = I m L 1 4 t 2 cos 43t sen 4 + 4 4 4 2 2 Y para el circuito serie, representa =1 la impedancia Z de resonancia en 1 2 1 2 WT = I m L = CU Cm paralelo. Tambin resulta que la 2 2 energa almacenada permanece constante.

Conclusin
La apropiada ubicacin de los circuitos estudiados, adems de la correcta eleccin de los componentes, permitir disear FILTROS y TRAMPAS para las frecuencias elegidas, canalizando las mismas por el camino deseado aprovechando el concepto de selectividad anteriormente descrito; mejor ser la separacin de cada una de las frecuencias, cuanto mayor sea el factor de selectividad adoptado. Ing. Cocco Julio C. Departamento de Ingeniera Elctrica UTN. FRRO Enero de 2006

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