UFIDET BIOELECTRONICA I Apunte Transistores Apunte de transistores

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El transistor como semiconductor Transistor palabra que proviene de transresistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales que tiene como objetivo cuatro funciones Amplificar tensin Amplificar Corriente Amplificar Potencia Funcionar como llave electrnica El funcionamiento del transistor estar dado por la configuracin circuital que tome es decir el circuito en el que este incluido el componente Tipos de transistores Existen segn su construccin dos tipos de transistores Transistor BIPOLAR o BJT(bijuntura por tener dos junturas PN) Transistor de Efecto de campo o FET o UJT(Unijuntura por tener solo una juntura PN) con subtipos de potencia como MOSFET Dentro de los Bijuntura (BJT) tenemos dos subtipos PNP que tiene dos pastillas P y una central N NPN Que tiene dos pastillas N y una central P Su simbologa es

Ntese la diferencia en el sentido de las flechas del NPN y el PNP (en el PNP PENETRA) Terminales del los BJT Los transistores BJT (bijuntura) tienen tres terminales Emisor (el que tiene la flecha) Base (la lnea vertical) Colector (la restante)

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Junturas Al ser dos junturas se puede considerar que son dos diodos (uno polarizado directamente) el diodo Emisor-Base y el diodo Colector-Base

En este caso se esta representando un transistor NPN Por ello una vez ubicados los terminales se podr medir con un tester en posicin de medicin de diodo ambos diodos el b-e y el b-c Funcionamiento del transistor Si el diodo base emisor se encuentra polarizado directamente (negativo de la batera al terminal N o sea al emisor y positivo de la batera al P o sea a la base) bastara con que dicha polarizacion directa supere la tensin de la barrera de deplexion (0,7 V) para que este diodo conduzca, es decir que el emisor enve electrones a la base. No obstante el diodo base colector se polariza inversamente (el Positivo al colector y negativo a la base) .Esta polarizacion inversa es mucho mas fuerte que la polarizacion directa del diodo base emisor. Esto provoca que los electrones emitidos por el emisor tengan la tendencia a atravesar la base (que es muy pequea fsicamente) y llegar al colector atrados por la fuerte polarizacion positiva de este. Esto significa que de los electrones producidos por efecto de la polarizacion directa de emisor la mayora llegan al colector y una pequea parte regresan por la base Planteando una ecuacin de corriente esto seria Ic= Ie Ib Sin embargo existe una verdadera relacin de que parte va a la base y que parte al colector Esto esta definido por lo que llamamos ganancia de corriente del transistor identificada por B (beta) que es un numero adimensional y que especifica la relacin B= Ic/Ib Beta es la relacin entre corriente de colector y corriente de base y es un nmero fijo que depende de cada transistor, por ejemplo el transistor BC 548 B tiene un B tpico de 500 Esto significa que si en la base circula una corriente de 1 mA en el colector tendremos 1mA x Beta = 0,001 x 500 = 0,5 mA 2

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Esto es una ganancia de corriente .Beta se identifica en el tester como HFE y de hecho existen terminales hembra en el tester que permiten medir directamente el hfe de un transistor La pastilla del transistor esta en lo que se denomina un encapsulado que es el recubrimiento que tiene el transistor y de el salen los terminales de emisor base y colector. Existen algunos modelos tpicos de encapsulado y varan segn la potencia que pueda manejar el transistor Algunos son plsticos de un material llamado EPOXI y otros son de encapsulado plstico con parte metlica y otros (los de mayor potencia son totalmente metlicos) .Esto se debe a que el metal es mejor conductor del calor es decir que permite disipar el calor generado por la circulacin de corriente en el interior de la pastilla al ambiente. Como ejemplo de un transistor con encapsulado plstico tenemos el muy popular BC548 con un encapsulado llamado TO-92

Este tipo de transitar maneja una corriente mxima de 100 mA Si se necesita mas potencia se dispone de transistores en el encapsulado TO-220 que tiene un cuerpo plstico sobre metal (sobre el metal esta conectado el colector adems de su terminal) Por ejemplo el TIP31

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Este transistor maneja una corriente de 3 A Pero si se necesita mas potencia aun se dispone del 2N3055

En un encapsulado TO-3, este transistor tiene un manejo de corriente de 15 A Cuando hablamos de manejo de corriente estamos en los valores mximos suponiendo que todo el calor que se genera se puede disipar al ambiente a fin de mantener una 4

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temperatura en la juntura de 25 grados centgrados, para lo cual se especifican las corrientes mximas, esto obliga a poner en los casos necesarios disipadores de calor a los que nos referiremos mas adelante. Configuraciones del transistor Segn la aplicacin que se desea un transistor se puede configurar de diversas formas es decir se lo colocara en diversos circuitos Se lo puede usar como llave electrnica Se lo puede usar como amplificador de tensin Se lo puede usar como amplificador de corriente Se lo puede usar como amplificador de tensin y corriente es decir de potencia La configuracin conexin de un transistor Todas las consideraciones se efectuaran para NPN, pero se debe tener en cuenta que para PNP todas las tensiones sern las opuestas es decir si un colector NPN esta a positivo en PNP estar a masa, si un emisor NPN esta a masa en PNP estar a positivo. As esta ser la conexin

Ntese que en los tres casos el emisor esta conectado a masa y el colector esta conectado a positivo a travs de una resistencia llamada Rc o sea R de colector. Polarizacion: se denomina polarizacion a la configuracin circuital que permite que un transistor obtenga las tensiones necesarias para su funcionamiento .Bsicamente lo que se requiere es que la juntura Base emisor (a veces se nombra como el diodo base emisor ) tenga una tensin de 0,7 V como mnimo a fin que se puedan emitir electrones hacia el colector

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(como se describi mas arriba) .Tambin se requiere limitar a travs de una resistencia (por lo general Rc ) la corriente mxima de colector y esto es lo que se logra con esta resistencia . Si el emisor esta a masa directamente como en estos tres casos mostrados la tensin que deber haber entre base y masa es la misma que entre base y emisor y que deber ser como dijimos al menos de 0,7 V.

En ambos voltmetros se medir 0,7 V Hay dos tipos de formas de lograr esta polarizacion Por Resistencia de Base (Rb) Por Divisor de tensin (R1 y R2) Para ambos casos es necesario contar con el dato de que corriente de base ser la que entre al transistor Es por ello que una polarizacion requiere al menos un dato fundamental para efectuarse y esto es la corriente de colector del punto de trabajo llamada Icq . Esto significa que por el colector estar circulando una corriente que no es la mxima del transistor sino que es una corriente de trabajo y que estar situada en un punto dado de la curva tpica del transistor o bien ser un dato. Teniendo la corriente Icq se puede obtener la corriente de base del punto de trabajo Ibq, la cual se puede calcular o bien obtener directamente de la propia curva tpica del transistor. Caso con Rb Aqu se analiza la malla de base, es decir que la corriente sale desde la fuente Vcc, pasa por Rb (produciendo una cada de tensin) y cierra su recorrido pasando por el diodo base emisor para llegar a masa

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Por ello su ecuacin de malla seria Vcc= Ib.Rb + 0,7 V por lo que obtener Rb es muy simple y es Rb=(Vcc-0,7)/Ib

Caso con Divisor de tensin Aqu se debe tener en cuenta el concepto general de los divisores de tensin , es decir que la corriente del divisor debe ser 10 veces mayor que la corriente de su carga , en este caso la corriente de carga es Ib por lo que la corriente que circule por el divisor R1 R2 deber ser Idiv = Ib*10 As la R1 deber tener una cada de tensin tal que deje 0,7 V en el medio del divisor De un extremo tiene Vcc y en el otro extremo de esa resistencia tiene que tener 0,7 V es decir una cada de tensin de Vcc-0,7 y por esta resistencia circula Idiv que recordemos es Ib*10 Por lo tanto R1= (Vcc-0,7)/ (Ib*10) R2 tendr si o si una tensin de 0,7 V y circulara a travs de ella Idiv por lo tanto R2=0,7/(Ib*10) As tenemos polarizada nuestra base. La polarizacion del Colector Dijimos anteriormente que el Colector circula Icq que esta regulada por Rc y por ello vamos a trabajar con la curva tpica del transistor Curva tpica del transistor Aqu tenemos la familia de curvas del transistor BC548

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Notamos que son varias curvas y cada una de ellas tiene un parmetro, este es la corriente de base, es decir que hay una curva para cada corriente de base. En el eje x lo que se pone como variable independiente es la tensin que hay entre colector y emisor VCE y en el eje Y esta la corriente de colector Ic Es decir se fija una cierta corriente de base (a travs de la polarizacion de el diodo base emisor) se va aumentando la tensin colector emisor y se grafica la corriente de colector resultante. As se hace para diferentes corrientes de base y esto genera la familia de curvas mostrada. Trabajo en la curva del transistor La curva del transistor tiene como objeto el fijar el llamado punto de trabajo Q, este punto es una referencia que establece en que lugar de corriente de colector y tensin colector emisor va a trabajar en forma permanente, es de destacar que al fijar una corriente se esta asumiendo que el transistor siempre va a estar consumiendo corriente desde la fuente, con independencia del hecho que exista o no seal.

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Este es el punto Q

Q Este punto permite obtener proyectando en el eje Y la Icq y proyectando en el eje X la Vceq, y tambin se obtiene la corriente de base para ese punto de trabajo es decir la Ibq, en este ejemplo Icq =40 mA , Vceq =1,8 V y Ibq=200 uA A continuacin trazamos la llamada Recta de Carga, esta es una recta que se traza entre los dos ejes y pasando por el punto de trabajo Q, la interseccin con los ejes nos dar el valor de Vcc entre tras cosas Nota: si se tiene como dato Vcc se debe comenzar el trabajo trazando la recta de carga

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Como vemos la interseccin de la recta de carga con el eje Y nos da Vcc/Rc (este valor obviamente no debe superar a Icmax ) y la interseccin con el eje X nos da Vcc As sabiendo El punto de trabajo y la Icmax se puede obtener Rc planteando la ecuacin de la malla de colector Vcc=Icq*Rc+Vce de lo que Rc= (Vcc-Vceq)/Icq Con lo que queda totalmente polarizado el transistor. La resistencia de estabilizacin trmica: En muchos casos puede ocurrir que por efecto de una alta temperatura ambiente, el calor que produce un transistor no pueda ser radiado al ambiente, esto provoca que una mayor cantidad de electrones libres se generen por excitacin trmica, lo cual produce un aumento de la corriente del transistor en su colector, al aumentar la corriente se produce mayor generacin de calor en el transistor lo que finalmente lo puede llevar a su destruccin. Para evitar la destruccin lo mas conveniente es que si el calor generado no se puede radiar al ambiente, entonces que se genere menos cantidad de calor, para ello es necesario bajar la corriente de colector, y para bajar la corriente de colector debe disminuir la causa que genera la corriente de colector, esto es que debe bajar la corriente de base .Como se disminuye la corriente de base? Para disminuir la corriente de base se debe disminuir la polarizacion directa del diodo base-emisor es decir disminuir los 0,7 V que lo estn polarizando .Ya sea que se este usando polarizacion por Rb o por divisor de tensin , estas polarizaciones se calcularon justamente para que en la base exista 0,7 V ,por lo tanto la nica forma de disminuir la tensin entre el nodo y el ctodo de este diodo es que la tensin en el lado del ctodo no sea 0 Volt , esto significa que el emisor no este a masa .

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Hemos incorporado la Re, resistencia de emisor .Por lo general es de un valor muy bajo alrededor de 100 ohms pero su efecto de de estabilizacin trmica. Por esta resistencia circula la corriente de colector y por lo tanto se produce una cada de tensin Vre= Ic * Re Esta tensin ser la tensin que exista entre el emisor y masa , ahora bien consideremos la tensin de ambos lados del diodo base-emisor ,en el lado del nodo (es decir la base del transistor ) tenemos 0,7 V dados por la polarizacion de base y en el ctodo de este diodo base-emisor tenemos Vre , por lo tanto la tensin de la juntura base-emisor ya n ser 0,7 V sino ser 0,7 V Vre , lo cual hace que esta juntura se despolarice en la medida que aumente la corriente de colector .Si se despolariza la juntura base-emisor (que es la que genera la corriente de base ) habr menos corriente de base y por consecuencia menos corriente de colector .Esto es justamente lo que se quera lograr , bajar la corriente de colector . El hecho que exista esta resistencia afectara a la malla de colector agregndole un nuevo termino Ic*Re As la malla de colector ser Vcc=Ic*Rc+Vce+Ic*Re Y por lo tanto el clculo de Rc tambin cambia y ser Rc= ((Vcc-Vce)/Icq)-Re Amplificacin Que significa amplificar? :

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Amplificar es ampliar, hacer mas grande, aumentar una magnitud .Para amplificar se necesita una seal de entrada y existir una seal de salida que ser mayor que la de entrada Por ejemplo se puede amplificar tensin, entonces entrara al amplificador una seal y este valor de seal se multiplicara por un factor que se denomina Ganancia de tensin (Av) y saldr un valor de tensin amplificada. Tambin se puede amplificar la corriente y en cuyo caso se llamara Ganancia de Corriente (Ai) Un transistor se puede configurar para que gane tensin o corriente o ambas segn como se lo conecte Configuraciones de un transistor Tenemos tres configuraciones de los transistores Emisor Comn Colector Comn Base Comn Segn la configuracin que se elija se tendr unas determinadas caractersticas Veamos las caractersticas de cada configuracin Configuracin Ganancia de tensin Media Ganancia Impedancia Impedancia de de entrada de Salida Corriente Hfe Baja Baja Hfe baja Alta media Baja Alta Terminal comn a masa Emisor Colector Base Terminal Terminal de de Salida entrada Base Colector Base Emisor Emisor Colector

Emisor Comn Colector 1 Comn Base Comn Alta

Como vemos en colector comn tenemos alta impedancia de entrada ninguna ganancia de tensin pero si de corriente, y en emisor comn tenemos tanto ganancia de corriente como de tensin, pero con una baja impedancia de entrada. Por lo general se usa el emisor comn para amplificar seal (amplificacin de tensin) y cuando ya se tiene la amplitud de tensin requerida se agrega una etapa colector comn para tener ganancia de corriente , es decir es un amplificador de varias etapas y cada una de ellas cumple una funcin . El emisor comn Podemos tener las siguientes configuraciones circuitales de emisor comn 12

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Emisor comn directo con polarizacion por Rb y por Divisor de tensin

Emisor Comn con resistencia de Emisor con polarizacion por Rb y por Divisor de tensin

Emisor comn con Re y capacitor de acoplamiento a masa

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Esta ltima configuracin del circuito emisor comn es la ms completa ya que incluye todos los elementos para una correcta amplificacin, en particular polarizado por un divisor de tensin El capacitor tiene la funcin de poner el emisor a masa para las seales alternas , ejerciendo un by pass a la resistencia de emisor Re , es decir que para los efectos de amplificacin el emisor esta a masa . Para que esto se logre se debe calcular el capacitor Ce de tal forma que su reactancia Xc sea 10 veces menor (por lo menos ) que la resistencia Re es decir 1/ 2 pi f Ce < Re/10 As se despeja el valor de Ce para la mnima frecuencia que se valla a amplificar Los parmetros Hbridos Si lo tomamos al transistor como un cuadripolo, es decir, como una caja negra que tiene dos entradas y dos salidas

Podremos generar un MODELO del transistor que nos permitir calcular las impedancias de entrada y de salida y su ganancia

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En este modelo tenemos Hie: que es la impedancia de entrada del transistor, que no es otra cosa que la resistencia del diodo base emisor que esta entre la base y masa cuando el emisor esta puesto a masa, ya sea directamente o a travs del Ce. En el Colector Hfe.Ib es una fuente de corriente dependiente de la corriente de Base, es cierto ya que la corriente de colector depende de la corriente de base multiplicado por la ganancia de corriente Hfe En paralelo con el colector y masa (o sea entre colector y emisor) Hoe que es la impedancia de salida, que en general es del orden del los megaohms. Sin embargo a este modelo le faltan las resistencias de polarizacion Rc y Rb o R1 y R2 (si es un div de tensin) Hay que tener en cuenta que la Rc y Rb estn conectadas en uno de sus extremos a la fuente de alimentacin .La fuente de alimentacin tiene siempre un capacitor de filtro entre positivo y masa E

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E Esto significa que para los efectos de seales alternas el positivo de la fuente tiene un cortocircuito a masa es decir que el positivo y masa es un mismo punto .Tngase en cuenta que este concepto es solo considerando los efectos de las seales, no de las corrientes continuas. As Rc y Rb quedaran en el modelo hbrido tal como

Pudiendo reemplazar Rb por el paralelo de R1//R2 en el caso de un divisor de tensin Siendo Hie menor que Rb se puede ver que la impedancia Thevenin de entrada es Hie y que Siendo Hoe mucho mayor que Rc la impedancia Thevenin de salida es Rc Si definimos la Ganancia de tensin como la relacin entre la salida y la entrada Av= Vs/Ve Tenemos que la tensin de Salida Vs es = Ic*Rc es decir Hfe *Ib *Rc Y Tenemos que la tensin de entrada Ve es = Ib*Hie Por ello

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Av= Vs/Ve = Hfe*Ib*Rc/Ib*Hie simplificando tenemos que Av=Hfe*Rc/Hie Que resulta que s la ganancia de tensin en Emisor comn siempre que el emisor este conectado a masa ya sea directamente o a travs de un capacitor Ce Sin embargo hay otro caso de emisor comn, el que tiene Re y sin capacitor de acoplamiento

En este caso el modelo hbrido es diferente

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Ya que tenemos a la Re que modifica el esquema de entrada y salida en este caso la impedancia de entrada aumenta considerablemente ya que toma el valor de Re reflejada en la entrada y es Zi= hie+Hfe*Re , Sin embargo la ganancia de tensin ser menor y se puede calcular como Av=Rc/Re La configuracin Colector Comn En esta configuracin por lo general no se usa Rc pero si Re, no como estabilizadora de tensin sino como resistencia de carga, esto es ya que la salida es por emisor

Ntese la principal diferencia que con independencia de la polarizacion de base (por Rb o por div de tensin) la salida es por emisor, Re puede ser tambin directamente la carga.

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Tambin una configuracin muy tpica de un colector comn es como amplificador regulador de corriente en una fuente de alimentacin, donde tambin la carga se coloca en el emisor

Aqu la carga es la Re faltante y el resistor variable va a ser el encargado de regular la corriente de emisor .En la figura se ve el mismo circuito dibujado en dos formas (la ultima es mas comn en circuitos de fuentes y cargadores de bateras) Todas las configuraciones colector comn tienen una ganancia de tensin unitaria es decir que ganan uno (1), as la tensin de salida es igual a la de entrada. Su ganancia es de corriente y su valor es Hfe. Su impedancia de salida es Re y su impedancia de entrada es Zi= Hi+Hfe*Re es decir una alta impedancia de entrada. Nos podemos dar cuenta que al no amplificar tensin y solo corriente los amplicadores en colector comn sern etapas de salida de potencia de amplificadores o bien drivers de potencia impulsores de actuadores. La configuracin Darlington Muchas veces la ganancia de corriente de un solo transistor no es suficiente para conseguir las corrientes necesarias a la salida , es por ello que existe una configuracin ,que consiste en anidar etapas en colector comn de forma tal que la carga de una etapa sea otra etapa colector comn , es decir en lugar de la Re se coloca otro transistor en

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colector comn , esta configuracin se denomina Darlington y puede ser realizada en mas de una etapa ,As las ganancias de cada transistor se multiplican y se obtiene una mucho mayor ganancia

En este caso si un transistor tiene un Hfe =100 y el otro tiene un Hfe=30 el Hfe total ser Hfe tot= 100*30=3000 As con una corriente de entrada de 1 mA se tendr una salida de 3 A

Manejo de Corriente: Transistores en Paralelo Si bien se puede tener una ganancia de corriente tal que a la salida tenga una corriente importante, eso no significa que el transistor que tengamos a la salida tenga la capacidad de soportar esta corriente (recordemos que los transistores segn su encapsulado soportan determinadas corrientes de salida). As es como es necesario tener a la salida un transistor que soporte la carga a la que es sometido. Pero que sucede si la carga excede la capacidad de manejo de corriente del transistor? En estos casos se pueden colocar transistores en paralelo (siempre que sean exactamente iguales) .Los transistores en paralelo son simplemente para aumentar la capacidad de manejo de corriente y por lo tanto no incrementan la ganancia individual de cada uno de ellos. As se podr tener una configuracin tal como esta

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En donde notamos que los 4 transistores estn en colector comn y en paralelo entre si a fin de aumentar la capacidad de corriente, en este caso del circuito integrado regulador LM317 Tambin podemos tener configuraciones combinadas de Darlington y paralelo para obtener ganancia y manejo de corriente

En esta figura tenemos una combinacin anidada de tres darlington con la etapa final en paralelo Clases de amplificacin Hasta ahora hemos trabajado exclusivamente con una amplificacin de seal tal que el 100 % de la seal se amplifica .esto significa que el transistor esta siempre en lo que se denomina zona activa de la curva.

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Sin embargo para que esto ocurra la seal que se inyecta en la entrada (en la base) no debe ser tan grande como para que la corriente de colector se incremente al punto que la tensin Vce sea prxima a cero (es la saturacin) ni que sea tan baja como para que no exista corriente de colector y la tensin colector emisor sea Vcc (corte), por ello se requiere una polarizacion de base justa. No obstante esta situacin en donde siempre hay una corriente de polarizacion y que es el punto Q produce que siempre hay un consumo. Esto es lo que se denomina amplificacin en clase A La amplificacin en clase B Si efectuamos un circuito que no tenga polarizacion de base , este permanecer en corte todo el tiempo salvo que la seal de base sea de un valor tal (al menos 0,65 V) que produzca la conduccin del diodo base-emisor y por lo tanto la amplificacin , en este caso se perdera de amplificar un tramo de seal (toda aquella que este debajo de 0,65V) pero no habra un consumo constante de corriente , esta situacin en que es la propia seal de entrada la que polariza la base del transistor se denomina amplificacin en clase B La amplificacin en clase AB Siendo que la amplificacin en clase B produce una distorsin (ya que se pierde un tramo de seal) se disea un amplificador en donde se da una cierta polarizacion de base tal que la seal siga siendo la que polariza la base pero que este sobre un nivel mnimo de 0,65V a fin que no exista ese recorte, esta polarizacion en base por lo general se logra mediante un diodo polarizado directamente y cuya tensin es de 0,65 V .Y esta configuracin se denomina amplificacin clase AB Amplificador Push Pull Podremos notar que el semiciclo positivo de la seal ser el nico que polarice al transistor si este en NPN, para que un semiciclo negativo logre polarizar un transistor este deber ser PNP es por ello que en clase B y AB se usan un par de transistores en una configuracin denominada push-pull o simetra complementaria Por lo general se usan en colector comn ambos y sirve esencialmente para etapas de amplificacin de corriente

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Aqu vemos un push pull en clase B (sin polarizacion de base v)

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Aqu arriba en Clase AB el mismo push-pull con sus diodos de polarizacion y la resistencia de alimentacin Por supuesto que se puede combinar configuraciones push pull, con darlington y paralelo para generar una etapa de salida de gran potencia

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Aqu una combinacin de push-pull con darlington y transistores en paralelo Funcionamiento como llave: Un transistor se puede hacer funcionar como una llave electrnica es decir que mediante una seal de control en la base el circuito colector emisor se abra o se cierre (esto se lograra cortndolo o saturndolo) El modelo a usar seria en una llave tal como

Si la llave esta abierta, no circula ninguna corriente por esta R1, por lo que no hay cada de tensin y por lo tanto la tensin de salida es igual a Vcc .Por el contrario si la llave se cierra la tensin que habr a la salida es cero. De esta misma forma funciona un transistor, cuando la corriente base es muy baja el transistor esta cortado y por lo tanto a la salida de su colector tenemos una tensin de Vcc. Ahora si la corriente de base es muy intensa la corriente de colector tambin lo es y por lo tanto la tensin Vce tiende a cero, en este caso estaremos en la situacin de saturacin. Estas situaciones se pueden aprovechar para manejar circuitos de potencia que no tengan que amplificar una seal y solo deban conmutar entre un estado de encendido (corte) o apagado (saturacin) Por ejemplo un circuito que pueda comandar un relay

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Aqu el transistor recibe una seal que corta o satura el relay, cuando esta saturado el relay se cierra y cuando esta en corte, el relay permanece desenergizado El mismo principio se aplica al encendido electrnico de un automvil ya que se energiza con una seal pulsante una bobina primaria de un transformador elevador de tensin.

O bien un circuito mas sofisticado con dos etapas transistorizadas

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Con este diagrama de conexiones

El puente H La necesidad de poder mover un motor de corriente continua mediante un circuito de seales es lo que cubre el llamado Puente H , mediante el cual un motor puede girar en un sentido o en el otro de acuerdo a las seales que se introduzcan en sus entradas , bsicamente el puente H trabaja con cuatro transistores (un par para cada sentido de giro ) en donde se saturan dos transistores uno que manda corriente a travs de las bobinas del motor y otro transistor que recibe esta corriente y la deriva a masa

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En la figura se ve un circuito integrado el L298 el cual contiene dos puentes H con el esquema visto Este esquema es el mismo que se usa con los llamados transistores IGBT.

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