Sesin 13

El transistor como dispositivo amplificador: polarizacin y parmetros de pequea seal.

Componentes y Circuitos Electrnicos
Jos A. Garcia Souto
www.uc3m.es/portal/page/portal/dpto_tecnologia_electronica/Personal/JoseAntonioGarcia

Transistor como Dispositivo Amplificador

OBJETIVOS
Entender el principio de amplificacin mediante un BJT y la necesidad de la polarizacin. Analizar circuitos de polarizacin para BJT. Recta de carga y punto de trabajo. Conocer y utilizar los circuitos equivalentes de Pequea Seal de transistores BJT. Conocer los parmetros bsicos asociados al funcionamiento en pequea seal de transistores BJT: hfe, 0, gm, r, r0. Y calcularlos a partir del punto de trabajo.
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Concepto de amplificacin con BJT

IC (mA) 60 50 40 30 20 10

SATURA Vo 0 V

AMPLIFICACION Vo = GVi CORTE Vo = Vcc

0 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V)

Pequeas variaciones de Vi se traducen en mayor variacin de Vo aportando ganancia Vo/Vi Es preciso situarse alrededor de un punto de trabajo VBE-Q, VCE-Q
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El transistor como amplificador

IC
VBB es una fuente de continua que con RB proporciona un punto de trabajo (polarizacin) : vg = 0
IB (A) 60 50

IB
VCE
VBE

40 IB 30

IE

20 10 VBB VBE (V)

VBE

Introducimos una seal variable sumada a VBB

VBB + vg

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Recta de carga dinmica

IB (A) 60 50 IBQ IB 40 30 20 10 VBE 0 0,2 0,4 VBEQ 0,6 0,8 VBE (V) Q

Las variaciones de la tensin de entrada se traducen en desplazamientos de la recta de carga:

(VBB + vi ) vBE iB = RB

Se producen pequeas variaciones de la tensin base-emisor y de la corriente de base del dispositivo alrededor del punto de trabajo.
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Recta de Carga (II)

Recta de carga esttica (Punto de trabajo)
IC (mA) 6 5 60 A 50 A IB =40 A 30 A 20 A 10 A 0 A 0 2 4 6 8 10 12 14 16 V CE (V)

Recta de carga dinmica (Variaciones en la salida)

IC (mA) 6 5 ICQ 4 3 2 VCE 1 0 2 4 6 8 VCEQ 10 12 14 IC Q IB 60A 50A IBQ=40A 30A
RECTA DE CARGA ALT.

IC 4
3 2 1

20A 10A 0A 16 18

VCE

VCC

VCE (V)

VCC vCE iC = RC
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La corriente de colector vara proporcional a la corriente de base (y a la tensin base-emisor). Se producen variaciones de la tensin colector-emisor (salida) amplificadas con respecto a la tensin de entrada.
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Ejemplo: amplificador en emisor comn

IB (A) 60 50 IBQ IB 40 30 20 10 VBE 0 0,2 0,4 VBEQ 0,6 0,8 VBE (V) Q

Vi 200mV
VBEQ 0,6V

I BQ 40 A
VBE 50mV
I B 10A

EJEMPLO RC = 3 k RB = 15 k VCC = 18 V VBB = 1,2 V = 100 vi = 0,2 V (pico)

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IC (mA) 6 5 ICQ 4 3 2 VCE 1 0 2 4 6 8 VCEQ 10 12 14 IC Q IB

60A 50A IBQ=40A 30A

RECTA DE CARGA ALT.

I CQ 4mA
VCEQ 6V

I C 1mA

VCE 3V

20A 10A 0A 16 18

VCE (V)

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Variaciones de pequea seal

IC (mA)
60 50 ICQ 40 30 20 10 Q

Relacin entre las variaciones de la corriente de colector y las variaciones de la tensin baseemisor (curva de transferencia).

IC
VBE

Si se producen pequeas variaciones alrededor del punto de trabajo (pequea seal), puede establecerse una aproximacin lineal de transconductancia gm. Ser generalizable a otros dispositivos transistores

VBEQ

VBE (V)
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OBJETIVOS
Entender el principio de amplificacin mediante un BJT y la necesidad de la polarizacin. Analizar circuitos de polarizacin para BJT. Recta de carga y punto de trabajo. Conocer y utilizar los circuitos equivalentes de Pequea Seal de transistores BJT. Conocer los parmetros bsicos asociados al funcionamiento en pequea seal de transistores BJT: hfe, 0, gm, r, r0. Y calcularlos a partir del punto de trabajo.
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Circuitos de polarizacin

Fijar un punto de trabajo estable insensibilizado frente a los parmetros del transistor. Optimizar el circuito amplificador de seal. Separar el circuito de polarizacin si es necesario (acoplo de seal).
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Ejemplo: Autopolarizado
Circuito prctico

Se insensibiliza frente a la ganancia de corriente del transistor. Estabiliza el punto de trabajo frente a VBE, hFE, etc.
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Ejemplo: Espejos de corriente

I O 2 = I ref
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R2 = 10 I ref R3
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I O1 I ref
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Circuito equivalente de pequea seal GENRICO: BJT, FET, MOSFET, Otros.

rin
IB (A)
60 50 IBQ Q 40
30 20 10

gm
IC (mA)
60 50 ICQ 40 30 20 Q

ro

IC (mA) 6
5

IB =40 A

30 A

20 A

IB

IC
VBE

IC

4 3 2 1 0 A 10 A

VBE
0,2 0,4 VBEQ 0,6

10

VBE (V)

VBEQ

VBE (V)

-V A

10 12 14

V CE (V)

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Modelo de transconductancia del BJT: Modelo hbrido en

C B E C Cs n+ rb rc n n+ p SUSTRATO n+ p C

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BJT Completo: Capacidades parsitas y resistencias parsitas incluidas (E-C)

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BJT Simplificado: Sin elementos parsitos despreciables y a frecuencias bajas(E-C)

re, rc 0, ZCs Frecuencias bajas: Real(ZC), Real(ZC ) An es simplificable: rb 0 , ro

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OBJETIVOS
Entender el principio de amplificacin mediante un BJT y la necesidad de la polarizacin. Analizar circuitos de polarizacin para BJT. Recta de carga y punto de trabajo. Conocer y utilizar los circuitos equivalentes de Pequea Seal de transistores BJT. Conocer los parmetros bsicos asociados al funcionamiento en pequea seal de transistores BJT: hfe, 0, gm, r, r0. Y calcularlos a partir del punto de trabajo.
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MODELO HIBRIDO EN (Ecuaciones de Ebers-Moll)

vVBE iC = I S e T 1
VT = KT q

Ecuaciones:

v = ib r vbe = ib(r+rb) ic = gmv = gm r ib

i gm = c vbe

ic o = ib
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vce =0,VCEQ

vce = 0 ,VCEQ

vce r0 = ic

ib = 0 , I BQ
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Parmetros Pequea Seal

gm 0 r r0
gm = I CQ VT ( 1 )

VT

Tamb = 300 K

25.6mV 25mV

r =

o
gm

( )

o = gm r

VA r0 = ( ) I CQ

Catlogo
hfe, hie Cob, Cib
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BC547

BD335

2N222

Buscar BC547, BD335, 2N222 en http://www.fairchildsemi.com/

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Circuitos prcticos de polarizacin y seal

EJEMPLO Vcc = 12 V IC 1 mA VE 0 V (DC) R1,R2,RE=? RL 1K Rg = 50 Cin = 10F Co = 100F Q1 = BC547B (F o 300) (VBE-ON = 0,7 V) (VCE-sat = 0,2 V)

Dibujar el circuito equivalente en continua. Obtener el punto de trabajo. Dibujar el equivalente de pequea seal. Calcular los parmetros de pequea seal.
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