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Eletricidade eletrnica
Semicondutores
1 ano
Marco Brissos
Semicondutores
Contedos:
Materiais semicondutores / Conduo no silcio e germnio. Semicondutores do tipo P e do tipo N. Juno PN / diodos semicondutores Polarizao directa e inversa. Circuito equivalente de um dodo. Rectificao de meia onda e onda completa. Filtragem. Dimensionamento de fonte alimentao CC com filtragem por condensador. Circuitos multiplicadores e limitadores de tenso. diodos de Zener diodos para aplicaes especiais.
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Introduo
Estrutura cristalina dos semicondutores
Quando os tomos se unem para formarem as molculas de uma substncia, a distribuio e disposio desses tomos pode ser ordenada e organizada e designadesigna se por estrutura cristalina. O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina cbica como mostrado na seguinte figura.
Ligao covalente
Nessa estrutura cristalina, cada tomo (representado por Si) une-se a outros quatro se tomos vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro electres , de valncia de um tomo compartilhado com um electro do tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois electres.
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Semicondutor intrnseco
Um semicondutor intrnseco um semicondutor no estado puro. temperatura de zero graus absolutos (-273C) comporta-se como um isolante, mas temperatura ambiente (20C) j se torna um condutor porque o calor fornece a energia trmica necessria para que alguns dos electres de valncia deixem a ligao covalente (deixando no seu lugar uma lacuna) passando a existir alguns electres livres no semicondutor.
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Semicondutor extrnseco
H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electro-lacuna livres electro no interior de um cristal semicondutor. Um deles atravs da energia trmica (ou calor). Outra maneira, consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o ). material semicondutor. Na prtica, contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que o nmero de electres livres seja bem superior ao nmero de lacunas, ou de um cristal onde o superior nmero de lacunas seja bem superior ao nmero de electres livres. Isto conseguido tomando-se um cristal semicondutor puro (intrnseco) e adicionando se adicionando-se a ele (dopagem), por meio de tcnicas especiais, uma determinada quantidade de ), uma outros tipos de tomos, aos quais chamamos de impurezas. Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco) este passa a denominar-se por semicondutor extrnseco extrnseco.
Processo de dopagem
Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco), este passa mpurezas a ser um semicondutor extrnseco. As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco podem ser de dois tipos: impurezas ou tomos dadores e impurezas ou tomos aceitadores. aceitadores tomos dadores tm cinco electres de valncia pentavalentes): Arsnio (AS), Fsforo (P) ou Antimnio (Sb). (so
tomos aceitadores tm trs electres de valncia (so trivalentes): ndio (In), Glio (Ga), Boro (B) ou Alumnio (Al).
Semicondutor do tipo N
oduo A introduo de tomos pentavalentes (como o Arsnio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com que apaream electres livres no seu interior. Como esses tomos fornecem (doam) electres ao cristal semicondutor eles recebem o nome de impurezas dadoras ou tomos dadores. Todo o cristal de Silcio ou . Germnio, dopado com impurezas dadoras designado por semicondutor do tipo N (N de negativo, referindo referindo-se carga do electro).
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Semicondutor do tipo P
A introduo de tomos trivalentes (como o ndio) num semicondutor puro (intrnseco) faz dutor com que apaream lacunas livres no seu interior. Como esses tomos recebem (ou aceitam) electres eles so denominados impurezas aceitadoras ou tomos aceitadores. Todo o cristal puro de Silcio ou . Germnio, dopado com impurezas aceitadoras designado por semicondutor do tipo P (P de positivo, referindo referindo-se falta da carga negativa do electro).
das
lacunas
nos
Num cristal semicondutor tipo N o fluxo de electres ser muito mais intenso (sete larga) que o fluxo de lacunas (sete estreita) porque o nmero de electres livres (portadores maioritrios) muito maior que o nmero de lacunas (portadores minoritrios).
se ao A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro, porm com carga elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor submetido a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover se do mesmo modo que o electro, mover-se mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga elctrica contrria. Enquanto os electres livres se deslocam em direco ao plo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo. se
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das
lacunas
nos
s Num cristal semicondutor tipo P o fluxo de lacunas ser muito mais intenso (sete larga) que o fluxo de electres (sete estreita) porque o nmero de lacunas livres (portadores maioritrios) muito maior que o nmero de electres livres (portadores minoritrios).
se A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro, porm com carga elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor submetido a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover se do mesmo modo que o electro, mover-se mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga elctrica contrria. Enquanto os carga electres livres se deslocam em direco ao plo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo. se
A juno PN
A juno de um material semicondutor do tipo P (com excesso de lacunas) com um material semicondutor do tipo N (com excesso de electres livres) origina uma juno ial PN. Na zona da juno, os electres livres do semicondutor N recombinam recombinam-se com as lacunas do semicondutor P formando uma zona sem portadores de carga elctrica que se designa por zona neutra ou zona de depleo.
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Polarizao da juno PN
A juno PN est directamente polarizada quando o potencial negativo da alimentao est ligado ao semicondutor N e o potencial positivo da alimentao est ligado ao semicondutor P.
A juno PN est inversamente polarizada quando o potencial negativo da alimentao est ligado ao semicondutor P e o potencial positivo da alimentao est ligado ao semicondutor N.
Princpio de funcionamento
Quando polarizada directamente a juno PN co conduz porque, na juno PN, a zona PN neutra estreita, a resistncia elctrica diminui e a corrente eltrica passa.
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Quando polarizada inversamente, a juno PN no conduz porque a zona neutra alarga, a resistncia elctrica aumenta significativamente e a corrente elctrica no passa.
Queda de tenso
Quando a juno PN est polarizada directamente a corrente elctrica ao passar pela zona neutra ou zona de depleo, que apresenta uma certa resistncia, origina uma queda de tenso (u=RxI). Nas junes PN de silcio essa queda de tenso pode variar entre 0,6Volt e 1Volt. Nas junes PN de germnio essa queda de tenso pode variar entre 0,2Volt e 0,4Volt.
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Se aplicarmos uma tenso negativa ao dodo, a diferena de potencial entre os seus terminais, medida do nodo para o ctodo, negativa, ou seja, o potencial aplicado ao nodo inferior ao potencial que est aplicado ao ctodo. Nestas condies, o dodo est inversamente polarizado. O dodo ideal polarizado inversamente comporta-se como se fosse um interruptor aberto, no permitindo a circulao de corrente elctrica. Ento quando polarizamos inversamente um dodo ideal, ele comporta-se como se fosse um circuito aberto.
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V a tenso de conduo, cujo valor depende do tipo de material, do qual constitudo o dodo. Ex: Silcio (Vd=0,7V), Germnio (Vd=0,2V). Rf a resistncia de conduo, cujo valor ter de ser aproximadamente zero Se agora aplicarmos uma tenso de polarizao inversa o dodo passa a ter uma tenso positiva no ctodo e uma tenso negativa no nodo. Nestas condies o dodo no conduz e comporta-se como um circuito aberto.
Aps havermos compreendido como que se processa o fluxo de cargas atravs de um dodo, vamos agora observar a curva caracterstica de um dodo real. Esta curva traada num grfico que relaciona a tenso VD aplicada ao dodo com a corrente ID que nele circula. por isso designada por caraterstica V-I
Estes so os valores de tenso de polarizao directa necessrios para vencer a barreira de potencial da juno PN e colocar o dodo na regio de conduo. A pequenos aumentos de tenso V correspondem aumentos apreciveis de corrente I. Quando polarizado inversamente, a corrente no dodo tem um valor muito baixo e permanece praticamente constante.
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A escala de corrente inversa do dodo, representada na parte negativa do grfico, est deliberadamente ampliada: mesmo a altas temperaturas, a corrente de saturao inversa do dodo de silcio no ultrapassa os microamperes.
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Alguns dos parmetros mais importantes constantes das folhas de especificaes dos diodos so: A tenso inversa mxima que pode ser aplicada sem que o dodo entre na zona de ruptura (zona Zener). A intensidade de corrente directa mxima que o dodo suporta sem se danificar. A corrente inversa de saturao ou de fuga A mxima temperatura da juno A mxima corrente directa de pico repetitivo. A mxima corrente directa de pico transitrio
Para calcular o valor da resistncia a colocar em srie com o dodo temos de recorrer ao seu datasheet para verificar qual a intensidade de corrente que este suporta. Tendo esse valor podemos aplicar a lei das malhas ao circuito e calcular o valor da resistncia.
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FotoDiodo
um dodo com encapsulamento transparente, inversamente polarizado que sensvel luz. Nele, o aumento da intensidade luminosa, aumenta sua a corrente inversa. Num dodo polarizado inversamente, circulam somente os portadores minoritrios. Esses portadores existem porque a energia trmica entrega energia suficiente para alguns electres de valncia sarem fora de suas rbitas, gerando electres livres e lacunas, contribuindo, assim, para a corrente inversa. Quando uma energia luminosa incide numa juno pn, ela injecta mais energia aos electres de valncia e com isto gera mais electres livres. Quanto mais intensa for a luz na juno, maior ser corrente inversa num dodo.
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Rectificao Transformador
O transformador , a grosso modo, constitudo por duas bobinas (ou enrolamentos). A energia passa de uma bobina para outra atravs do fluxo magntico. A tenso de entrada de entrada (U1) est ligada ao que se chama de enrolamento primrio e a tenso de sada (U2) ao enrolamento secundrio. No transformador ideal temos o que se chama relao de transformao: U2/U1=N2/N1
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U max = 2 U
T=1/f
UR max = U max V V - Tenso de conduo do dodo.
U 2 max = 2 U 2 T=1/f
UR max =
U 2 max V 2
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U max = 2 U
T=1/f
Ur max f Rc A tenso de ripple a diferena entre a tenso mxima e a tenso mnima quando temos o condensador em paralelo com a carga. Uripple =
Num rectificador de meia onda, a frequncia de sada igual de entrada, num rectificador de onda completa esta frequncia o dobro da frequncia de entrada. Semicondutores
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A sua principal aplicao a de conseguir uma tenso estvel (tenso de zener). Normalmente ele est polarizado inversamente e por aproximao equivalente a uma resistncia Rz e uma queda de tenso Uz.
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Para estabilizar a tenso sada de um circuito retificador vamos usar um dodo zener em paralelo com a carga, este dodo vai impor a sua tenso na sada desde que esteja inversamente polarizado e a tenso aplicada seja maior que a tenso de zener.
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O valor da limitao de tenso dado pela fonte de tenso em srie com o dodo. Quando o dodo est diretamente polarizado esta fonte quem impe a tenso na sada.
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Bibliografia:
NGULO, J. M., Enciclopdia de Electrnica Moderna, Vol. 1a 4. Madrid. Editorial Paraninfo. (s.d.). CARLOS, ngulo e outros, Teoria e Prtica de Electrnica. McGrawHill. (Makron Books). (s.d.). MALVINO, Electrnica no Laboratrio. McGrawHill. (s.d.). MALVINO, Princpios de Electrnica, Vol. 1. McGrawHill. (s.d.). MATIAS, Jos, Prticas Laboratoriais de Electrotecnia e Electrnica, 10. Ano. Didctica Editora. (s.d.). MATIAS, Jos, Sistemas Analgicos e Digitais, 10. Ano, Vol. 2 Curso Tecnolgico de Electrotecnia e Electrnica. Didctica Editora. (s.d.). PEREIRA, A. Silva e outros. Prticas Laboratoriais de Electrotecnia e Electrnica, 10. Ano. Curso Tecnolgico de Electrotecnia e Electrnica. Porto Editora. (s.d.). PEREIRA, A. Silva e outros, Sistemas Analgicos e Digitais, 10. Ano. Curso Tecnolgico de Electrotecnia e Electrnica. Porto Editora. (s.d.). VARANDA, Joaquim, Tecnologias da Electricidade, 11. Ano, Vol. 2. Didctica Editora. (s.d.)
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