Determinacin del intervalo de energ o a prohibida en un semiconductor

Jos Manuel Illanes Juan e 3 de Diciembre de 2011

 Indice
1. Objetivos 2. Introduccin terica o o 3. Montaje Experimental 4. Resultados 5. Anlisis a 6. Conclusiones A. Tablas de Datos 2 2 3 4 6 9 9

1.

Objetivos

El objetivo principal de esta prctica es medir la anchura de la banda a de energ prohibida en un semiconductor. En este caso el semiconductor es a Germanio.

2.

Introduccin terica o o

Segn el modelo de bandas, a los slidos cristalinos se les puede asociar u o unas bandas de energ en las que se encuentran situados los electrones. La a banda que contiene todos los electrones a 0 K se denomina banda de valencia, y la que contiene a los electrones que circulan por el metal a temperatura distinta de 0 K se denomina banda de conduccin. Los materiales se clasican o siguiendo el criterio de separacin entre estas bandas. As un conductor es o , aquel en el que ambas bandas se encuentran solapadas y no se necesita energ para hacer que los electrones conduzcan, un aislante es aquel en el a que estas bandas se encuentran muy separadas (>8 eV) y un semiconductor en el que las bandas se encuentran separadas por una banda prohibida de 1 eV. Para los semiconductores, al igual que para los aislantes, la banda de menor energ (banda de valencia) est completa y separada de la siguiente a a banda de energ vac por una banda prohibida. La existencia de un rango a a prohibido de energ entre las bandas de valencia y de conduccin es esencial a o para la explicacin de las caracter o sticas elctricas de los semiconductores. e Una caracter stica destacable de los semiconductores es que, a diferencia de lo que ocurre con los metales, su conductividad aumenta con la temperatura. Esto se explica gracias a la teor de bandas. a Al aumentar la temperatura, los electrones se excitan trmicamente dese de la banda de valencia a la banda de conduccin, generando pares electrno o hueco que aumenta la conductividad elctrica, ya que los electrones excitados e de la banda de conduccin y los huecos de la banda de valencia tienen cono duccin elctrica. Si el grado de impurezas no es muy alto(semiconductor o e intr nseco) la dependencia de la conductividad con la temperatura viene dada por la expresin: o = 0 exp( Eg ) 2kB T (1)

A partir de esta relacin podemos obtener el ancho de energ prohibida o a en un semiconductor Eg . La conductividad tambin est directamente relacionada con la concene a tracin de portadores por la ecuacin o o = n e n + p e p

Si se supone que el semiconductor es tipo n y que adems se encuentra en a la zona de saturacin, tendremos n Nd >>p. Por tanto se tendr que la o a expresin de la conductividad queda o Nd en (2)

pudindose de aqu despejar la concentracin de impurezas Nd . e o

3.

Montaje Experimental

El dispositivo que hemos usado para la realizacin de esta prctica cuenta o a con: Muestra de Germanio de dimensiones (20.0 mm x 10.0 mm x 1.0 mm) embutida en una pieza de plstico aislante. a Resistencia integrada en la placa de plstico para calentar la muestra. a Dos volt metros. Amper metro. Resistencia limitadora. Un termmetro para conocer la temperatura ambiente. o Fuente de alimentacin. o Cables para las distintas conexiones.

1. Lo primero que debemos hacer es medir la temperatura ambiente del laboratorio. 2. Se conecta la resistencia limitadora, el amperimetro, la fuente de alimentacin y la muestra de Germanio en serie. La resistencia limitadora o sirve para que la tensin que pasa por el semiconductor no sea muy o elevada. 3. Colocamos un voltimetro en paralelo a la muestra que nos dar el a voltaje que pasa por la muestra. A este voltaje lo llamaremos V1 Conociendo la intensidad, gracias al amper metro, y la tensin que o pasan por la muestra podemos obtener su resistencia en cada caso usando la ley de Ohm: R = V /I. 4. Despues conectamos la fuente de tensin alterna con la resistencia o integrada que sirve para calentar la muestra.

Figura 1: Materiales necesarios para la realizacin del experimento. o 5. Colocamos el otro voltimetro en la placa de Germanio para saber la temperatura a la que se encuentra el semiconductor. Estos valores de tensin se denotarn VGe Para ello usamos la siguiente relacin: o a o T = VGe V ( ) 40 V K (3)

Esto quiere decir que cada valor de tensin obtenido en la muestra o hay que dividirlo por 0,04mV /K que es el aumento de temperatura que experimenta el material. A dicho aumento hay que sumarle la temperatura ambiente del laboratorio. 6. Calentamos la muestra y vamos tomando diferentes valores para la temperatura y la conductividad del material.

4.

Resultados

Tras medir la temperatura del laboratorio a la cual se va a realizar el experimento hemos obtenido: Tamb = (293,5 0,1)K Los datos que vamos a necesitar para calcular la anchura de la banda de energ prohibida son: a La inversa de la temperatura del material 4

El logaritmo de la conductividad para cada valor de T . En el laboratorio hemos obtenido los valores que se representan en la tabla 2 que para no engrosar innecesariamente este informe se presenta en el apndice A. e Para calcular la resistencia del semiconductor hemos usado la ley de Ohm y a partir de ella hemos obtenido la resistividad utilizando:
S = RL = SV LI

Donde S = 10mm2 es la seccin de la muestra y L = 20mm es su o longitud. Pero se conoce que la conductividad() es la inversa de la resistividad(); Por tanto: = El error en este caso es: =
LI V SV 2

LI VS

(4)

L V S I

Pero en el experimento se necesita el ln cuyo error es: I V + (5) I V Hay que hacer aqui un pequeo inciso aclaratorio. Se usa el ln pero esto n no es del todo correcto ya que los logaritmos deben ser adimensional. En este caso se tiene un logaritmo con dimensiones de conductividad, asi que realmente habr que utilizar ln 0 que si tiene un argumento adimensional. a Esto afectar a la representacin desplazando la grca una distancia ln 0 a o a en el eje y pero no afectar a la pendiente, y por tanto no afecta a los a clculos a realizar. a Para obtener la temperatura se usa la ecuacin: o ln = T = Tamb + Cuyo error es: T = Tamb + Por ultimo el error de T 1 es: T = T2 Al nal se obtienen los resultados representados en esta tabla: T 1 = 5 (7)
Vtermopar 40V /K

VGe 40

(6)

= 2,6K

((T 1 )103 T 1 105 )/K1 2.5 1.7 2.5 1.7 2.5 1.7 2.5 1.7 2.6 1.8 2.6 1.8 2.6 1.8 2.6 1.8 2.6 1.9 2.6 1.9 2.7 1.9 2.7 1.9 2.7 2.0 2.7 2.0 2.7 2.0 2.8 2.1 2.8 2.1 2.8 2.1 2.8 2.1 2.8 2.2 2.9 2.2 2.9 2.2 2.9 2.3 2.9 2.3 3.0 2.3 3.0 2.4

ln ln 103 4.324 1.698 4.281 1.658 4.239 1.609 4.198 1.569 4.156 1.531 4.115 1.492 4.075 1.471 4.026 1.430 3.997 1.405 3.968 1.382 3.925 1.349 3.900 1.334 3.871 1.312 3.843 1.294 3.817 1.280 3.793 1.262 3.774 1.252 3.759 1.243 3.742 1.235 3.734 1.228 3.726 1.223 3.720 1.220 3.718 1.218 3.719 1.221 3.718 1.224 3.722 1.221

Tabla 1: Datos para calcular Eg .

5.

Anlisis a

Para calcular la anchura de la banda prohibida del semiconductor conocemos la relacin (1). Si se toman logaritmos: o ln = Eg + ln 0 2kB T (8)

Se representa ln frente a T 1 y la pendiente de la recta dar: a m=

Eg 2kB

La representacin obtenida la podemos ver en la gura 2. o 6

Figura 2: Representacin de la conductividad frente a la temperatura. o Para calcular la energ del gap se utiliza slo la parte lineal de la gra o a ca. En esa zona la muestra se encuentra en el rgimen intr e nseco. A bajas temperaturas el comportamiento no es lineal porque el semiconductor se encontraba en la zona de saturacin. Eliminamos esos datos y calculamos la o pendiente de la recta de regresin, la ordenada en el origen y sus errores. o Los resultados que se obtienen son los siguientes: m = 2187,43 56,36 ; n = 9,9 0,15 Y por ultimo el coeciente de correlacin es: o r2 = 0,9928 Como r2 es muy alto, esto quiere decir que los puntos se ajustan con mucha delidad a la recta. Asi que los datos obtenidos durante el experimento son bastante ables. Una vez conocida la pendiente se obtiene el valor de Eg : Eg = 2kB m = (6,04 0,16)1020 J= (0,38 9,72 103 )eV Donde kB = 1,38. 1023 JK1 = 8,617 105 eVK1 Y el error de la energ se obtiene de la ecuacin: a o Eg = 2kB m Mirando la bibliograf se sabe que la energ del gap terica es: a a o Eg(teo) = 0,74eV Hay mucha diferencia entre el valor terico y el valor experimental.Se o puede asociar a varios problemas que se enumeran a continuacin: o 7 (9)

Slo se ha podido aumentar la temperatura hasta 100 Kelvin por eno cima de la temperatura ambiente por lo cual no se ha podido obtener un nmero de datos muy elevado en el rgimen intr u e nseco que es lo que interesa en el estudio de este experimento. Es muy impreciso el sistema realizado para tomar los datos. La medida de VGe es dif porque su valor uctua muy rpidamente debido a que cil a la muestra se enfria con mucha rpidez. Adems hay que tomar tres a a datos simultaneos en cada momento lo cual no es sencillo. Este es uno de los puntos que ms error introduce en el clculo. Si consiguieramos a a medir con ms precisin cada punto, el resultado ser mucho ms a o a a satisfactorio. Al hacer la regresin lineal hemos utilizado los trece primeros puntos o obtenidos. Es posible que se hayan utilizado algunos puntos en los cuales el semiconductor no se encontraba en rgimen intr e nseco sino en rgimen de saturacin. Pero es dif saber que puntos se ajustan e o cl con precisin a la zona lineal. Para ello se ha utilizado el valor de r2 y o cuando se ha obtenido un valor muy prximo a uno se ha considerado o que todos los puntos estaba en rgimen intr e nseco. Si se consulta la bibliograf se puede ver que el valor de temperatura para el cual el a Germanio entra en la zona de comportamiento intr nseca es T = 353K. El primer punto que se ha tenido en cuenta para hacer el ajuste lineal de la grca tiene un valor de temperatura de T = 363,5K. As que se a puede suponer que todos los puntos estaban en rgimen intr e nseco. A pesar de la diferencia entre Eg(exp) y Eg(teo) el resultado obtenido tiene el mismo orden de magnitud. El valor terico se encuentra dentro del o intervalo de error de la prctica. a Por ultimo se puede calcular la concentracin de impurezas del mate o rial.Para ello se supone que nos encontramos ante un semiconductor tipo n. Se toman los puntos en el rgimen de saturacin en los cuales la conduce o tividad es prcticamente constante.Se hace su valor medio para obtener la a conductividad: sat = (3,719 1,22 103 )1 m1 y la movilidad de los electrones en el Germanio a T = 300K es n = 3600cm2 /V . Asi que aproximadamente la concentracin de impurezas ser: o a Nd sat (6,449 1019 2,11 1016 )m3 n e (10)

El error en este caso se ha obtenido de: Nd = n e (11)

No es un resultado muy able porque se ha tenido que decidir si el semiconductor era de tipo n o de tipo p y que en el rgimen de saturacin e o 8

todos los portadores eran impurezas.Pero la movilidad de los portadores es muy distinta segn sean huecos o electrones, por tanto el resultado slo u o es able si hemos elegido bien el tipo de semiconductor usado. El unico resultado able es el orden de magnitud de la concentracin. Adems la o a zona de saturacin an no se encontraba bien denida. Era necesario enfriar o u ms la muestra para obtener la conducitvidad correcta. a

6.

Conclusiones

El experimento sirve para observar de una forma muy sencilla el comportamiento de la conductividad de un semiconductor segn su temperatura. u Los errores obtenidos son muy grandes. Debido a esto no se obtienen valores muy ables. Se deber mejorar la precisin a la hora de tomar los datos a o haciendo un proceso ms preciso, como por ejemplo la utilizacin de dos a o voltimetros en lugar de un voltimetro de dos canales que hace ms dif a cil la adquisicin simultanea de los datos debido a que hay que cambiar conso tantemente de canal. Asi que no podemos tomar los valores obtenidos como ables pero si, al menos, nos da el orden de magnitud de nuestra incgnita. o Por ultimo decir que si se conociera el tipo de semiconductor con el que estamos trabajando se podr decir con mucha exactitud la concentracin a o de impurezas en la muestra sin tener que hacer ninguna medida adicional. Por lo cual se deber dar en futuras ocasiones este dato para poder sacar a ms provecho a la prctica. a a

Referencias
[1] .Kittel. Introduccin a la f o sica del estado slido, Revert, 3a Edicin. o e o [2] .V.Shalimova. F sica de los semiconductores, Editorial Mir, 1975.

A.

Tablas de Datos

(I 0,001)103 /A 2.811 2.783 2.777 2.759 2.739 2.724 2.680 2.659 2.649 2.637 2.620 2.602 2.592 2.575 2.558 2.550 2.538 2.530 2.518 2.518 2.516 2.510 2.509 2.506 2.500 2.512

V1 0,0001 /V 0.0745 0.0770 0.0801 0.0829 0.0858 0.0889 0.0911 0.0949 0.0973 0.0997 0.1034 0.1053 0.1080 0.1104 0.1125 0.1149 0.1166 0.1179 0.1194 0.1204 0.1212 0.1217 0.1220 0.1216 0.1214 0.1215

/1 m1 75.463 0.128 72.285 0.120 69.338 0.112 66.562 0.104 63.846 0.098 61.282 0.091 58.836 0.087 56.038 0.080 54.450 0.077 52.899 0.073 50.677 0.068 49.421 0.066 48.000 0.063 46.649 0.060 45.476 0.058 44.386 0.056 43.533 0.054 42.918 0.053 42.178 0.052 41.827 0.051 41.518 0.051 41.249 0.050 41.131 0.050 41.217 0.050 41.186 0.050 41.350 0.050

(VGe 0,1)103 /V 4.0 3.9 3.8 3.7 3.6 3.5 3.4 3.3 3.2 3.1 3.0 2.9 2.8 2.7 2.6 2.5 2.4 2.3 2.2 2.1 2.0 1.9 1.8 1.7 1.6 1.5

T 2,6/K 393.5 391 388.5 386 383.5 381 378.5 376 373.5 371 368.5 366 363.5 361 358.5 356 353.5 351 348.5 346 343.5 341 338.5 336 333.5 331

Tabla 2: Tabla de datos obtenidos en el laboratorio

10